KR20120125502A - 테이프 첩부 장치 및 테이프 첩부 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 형태에 따른 테이프 첩부 장치(1)는, 내부에 기밀 공간(5)이 형성된 챔버(6)와, 기밀 공간(5)을 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)으로 구획하고 상면에 웨이퍼(9)가 재치되는 고무 시트(10)와, 고무 시트(10)의 위쪽에서 테이프(11)를 유지하는 테이프 프레임(12)과, 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)의 가압 및 감압을 전환하는 제1 및 제2 급배기관(13, 14)을 구비한다. 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)을 진공 상태로 한 후, 제2 기밀 공간(8)을 가압하여 고무 시트(10)를 팽창시켜서, 웨이퍼(9)를 밀어올려 테이프(11)에 첩부할 때에, 제2 기밀 공간의 가압량을 제어해서 고무 시트(10)의 팽창 속도를 저속으로부터 고속으로 단계적으로 변화시키면서, 웨이퍼(9)를 테이프(11)에 첩부한다.

Description

테이프 첩부 장치 및 테이프 첩부 방법{TAPE ADHERING APPARATUS AND TAPE ADHERING METHOD}
본 발명은, 반도체 웨이퍼에의 다이싱용 테이프의 첩부(貼付)에 이용하는 테이프 첩부 장치 및 테이프 첩부 방법에 관한 것이며, 특히 예를 들면 저(低)강성의 첩부 대상물에 테이프를 첩부하는데 적합한 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서 반도체 웨이퍼에 다이싱용 테이프를 첩부할 때에는, 예를 들면 도 17에 나타내는 바와 같이, 기대(基臺)(41) 상에 웨이퍼(42)를 재치(載置)하고, 표면에 고무가 첩착(貼着)된 롤러(44)나 원통 형상의 블록 등으로 테이프(43)를 위쪽으로부터 가압해서 첩부하고 있었다. 그러나, 이 방법은 대기 중에서의 작업이 되기 때문에, 웨이퍼(42)와 테이프(43) 사이에 공기가 혼입되기 쉽다. 이 상태에서 다이싱(칩 분할)을 행하면, 칩에 균열이나 깨짐이 발생한다.
따라서, 진공 환경 하에서 테이프를 첩부하는 첩부 장치가 제안되어 있다. 예를 들면 특허문헌 1에는 도 18에 나타내는 바와 같이, 내부에 기밀 공간(51)을 가진 챔버(52)와, 기밀 공간(51)을 제1 및 제2 기밀 공간(53, 54)으로 구획하고 상면에 웨이퍼(55)가 재치되는 고무 시트(56)와, 고무 시트(56)의 위쪽에서 테이프(57)를 유지하는 프레임대(臺)(58)와, 제1 및 제2 기밀 공간(53, 54)을 진공/대기 상태로 전환하는 제1 및 제2 공기 유로(流路)(59, 60)를 구비한 테이프 첩부 장치(50)가 기재되어 있다.
테이프 첩부 장치(50)에서는, 제1 및 제2 기밀 공간(53, 54)을 진공 상태로 한 후, 제2 기밀 공간(54)만을 대기압으로 전환해서, 제1 및 제2 기밀 공간(53, 54) 사이에서 차압(差壓)을 발생시킨다. 이에 따라, 고무 시트(56)를 팽창시켜서 웨이퍼(55)를 밀어올려 테이프(57)의 접착면(이면)에 웨이퍼(55)를 맞닿게 한다. 이 테이프 첩부 장치(50)에 따르면, 진공 환경 하에서 테이프(57)와 웨이퍼(55)를 첩합(貼合)할 수 있어, 양자 사이에 공기가 혼입되는 것을 방지하는 것이 가능해진다.
일본국 특허 제4143488호 공보
상술한 바와 같이, 특허문헌 1에 기재된 테이프 첩부 장치에 따르면, 웨이퍼와 테이프 사이에의 공기의 혼입을 방지할 수 있다. 그러나, 그러한 능력에 부가해서 테이프의 첩부 시에 가해지는 웨이퍼에의 부하를 저감할 수 있는 첩부 장치가 요구되고 있다.
즉, 전자 기기의 소형화 등에 따라, 회로의 미세화가 진행된 초박형(超薄型) 반도체 칩이 보급되고 있다. 당연히, 당해 반도체 칩이 형성되는 웨이퍼에 있어서도 급속한 박형화가 진행되고 있다. 이러한 박형의 웨이퍼는 본래의 강도가 낮은 것에 부가해서 휘어짐이 발생하기 쉽다. 그 때문에, 당해 웨이퍼는 상하로부터의 가압이나 충격에 대하여 지극히 약해서 테이프의 첩부 시에 균열이나 깨짐이 발생할 수 있다. 또한, 센서용 칩의 경우에는 깨지기 쉬운 구조물(예를 들면, 빛을 반사하는 초소형 미러 등)이 탑재되는 경우가 있다. 이 경우에도 테이프의 첩부 시에 구조물의 파손을 야기할 우려가 있다. 이 때문에 신중한 취급이 요구된다.
이러한 문제는 웨이퍼에 테이프를 첩부할 경우에 한하지 않고, 예를 들면 초박형의 글래스 시트에 테이프를 첩부할 경우 등, 저강성의 첩부 대상물에 테이프를 첩부할 경우이면, 대체로 마찬가지의 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기 종래의 기술에 있어서의 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 저강성의 첩부 대상물에 테이프를 첩부함에 있어서, 첩부 대상물에의 부하를 저감해서 첩부 대상물의 파손이나 손상을 방지하는 것이 가능한 테이프 첩부 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태의 테이프 첩부 장치는, 내부에 기밀 공간이 형성된 용기와, 상기 기밀 공간을 위쪽에 위치하는 제1 기밀 공간과 아래쪽에 위치하는 제2 기밀 공간으로 구획하고 당해 제1 기밀 공간에 테이프 첩부 대상물이 재치되는 탄성 시트와, 상기 제1 기밀 공간 내에서 테이프를 유지하고 당해 테이프를 상기 탄성 시트에 재치된 테이프 첩부 대상물로부터 소정의 거리를 두고 위치시키는 테이프 유지 부재와, 상기 제1 및 제2 기밀 공간의 가압 및 감압을 전환하는 기압 전환 수단을 구비한다. 상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 상기 제2 기밀 공간을 가압하여 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물을 밀어올려 상기 테이프에 첩부할 때에, 상기 제2 기밀 공간의 가압량을 제어해서 상기 탄성 시트의 팽창 속도를 저속으로부터 고속으로 단계적으로 변화시키면서, 상기 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 첩부한다.
또한, 본 발명의 다른 형태의 테이프 첩부 방법은, 내부에 기밀 공간이 형성된 용기와, 상기 기밀 공간을 위쪽에 위치하는 제1 기밀 공간과 아래쪽에 위치하는 제2 기밀 공간으로 구획하고 당해 제1 기밀 공간에 테이프 첩부 대상물이 재치되는 탄성 시트와, 상기 제1 기밀 공간 내에서 테이프를 유지하고 당해 테이프를 상기 탄성 시트에 재치된 테이프 첩부 대상물로부터 소정의 거리를 두고 위치시키는 테이프 유지 부재와, 상기 제1 및 제2 기밀 공간의 가압 및 감압을 전환하는 기압 전환 수단을 구비한 테이프 첩부 장치를 이용해서, 상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 상기 제2 기밀 공간을 가압하여 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물을 밀어올려 상기 테이프에 첩부할 때에, 상기 제2 기밀 공간의 가압량을 제어해서 상기 탄성 시트의 팽창 속도를 저속으로부터 고속으로 단계적으로 변화시키면서, 상기 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 첩부한다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면 저강성의 첩부 대상물에 테이프를 첩부함에 있어서, 첩부 대상물에의 부하를 저감해서 첩부 대상물의 파손이나 손상을 방지하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명에 따른 테이프 첩부 장치의 일 실시형태를 나타내는 단면도.
도 2a는 도 1의 제2 급배기관의 개구부를 확대해서 나타내는 상면도.
도 2b는 도 2a의 IIB-IIB 단면도.
도 3a는 도 1의 스페이서 각각을 확대해서 나타내는 상면도.
도 3b는 도 3a의 IIIB-IIIB 단면도.
도 4a는 도 1의 고무 시트 및 누름 링을 확대해서 나타내는 상면도.
도 4b는 도 4a의 IVB-IVB 단면도.
도 5는 도 1의 테이프 첩부 장치를 이용한 테이프 첩부 방법의 절차를 나타내는 메인 플로차트.
도 6은 제1 및 제2 기밀 공간 각각의 압력 천이(遷移)의 상태를 나타내는 도면.
도 7은 테이프를 첩부할 때의 진공 처리 공정을 나타내는 도면.
도 8은 테이프를 첩부할 때의 질소 주입 공정을 나타내는 도면.
도 9는 진공 처리 공정 시의 질소 주입 절차를 나타내는 서브 플로차트.
도 10은 테이프를 첩부할 때의 저속 첩부 공정을 나타내는 도면.
도 11은 테이프를 첩부할 때의 중속(中速) 첩부 공정을 나타내는 도면.
도 12는 테이프를 첩부할 때의 고속 첩부 공정을 나타내는 도면.
도 13은 테이프를 첩부할 때의 안정화 공정을 나타내는 도면.
도 14는 테이프를 첩부할 때의 고무 수축 공정을 나타내는 도면.
도 15는 테이프를 첩부할 때의 고무 평탄화 공정을 나타내는 도면.
도 16a는 도 4a 및 도 4b의 스페이서의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이며, 스페이서를 설치하지 않을 경우의 형태를 나타내는 도면.
도 16b는 도 4a 및 도 4b의 스페이서의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이며, 스페이서를 설치했을 경우의 형태를 나타내는 도면.
도 17은 종래의 테이프 첩부 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 18은 종래의 테이프 첩부 방법의 다른 예를 나타내는 도면.
다음으로, 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 여기에서는, 본 발명에 따른 테이프 첩부 장치를, 반도체 웨이퍼에의 다이싱용 테이프의 첩부에 적용했을 경우를 예로 들어서 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 테이프 첩부 장치의 일 실시형태를 나타낸다. 이 테이프 첩부 장치(1)는 크게 구별해서, 장치 본체(2)와, 장치 본체(2)에 공기(클린 에어) 및 질소를 공급하거나 장치 본체(2)로부터 공기 등을 흡인(吸引)하는 급배기 기구(3)와, 공기 등의 급배(給排) 타이밍을 제어하는 제어부(4)로 구성된다.
장치 본체(2)는 첩부 조작을 행하기 위한 장치이다. 장치 본체(2)는 원통 형상으로 형성된다. 이 장치 본체(2)는, 내부에 기밀 공간(5)을 가진 챔버(용기)(6)와, 기밀 공간(5)을 제1 기밀 공간(7)과 제2 기밀 공간(8)으로 구획하고 상면에 원판 형상의 웨이퍼(9)가 재치되는 고무 시트(10)와, 고무 시트(10)의 위쪽에서 테이프(11)를 유지하는 테이프 프레임(12)과, 제1 기밀 공간(7)에 질소를 공급하거나 제1 기밀 공간(7)으로부터 공기를 흡인하기 위한 제1 급배기관(13)과, 제2 기밀 공간(8)에 공기를 공급하거나 제2 기밀 공간(8)으로부터 공기를 흡인하기 위한 제2 급배기관(14)과, 기밀 공간(5)의 진공도를 검출하는 진공도 센서(15) 등을 구비한다.
챔버(6)는 2분할로 형성된 상측 챔버(윗덮개)(6a) 및 하측 챔버(기대)(6b)로 구성된다. 상측 챔버(6a)의 내측에는 위쪽을 향해서 오목한 오목부가 형성된다. 상측 및 하측 챔버(6a, 6b) 사이에는 기밀 공간(5)의 기밀성을 확보하기 위한 밀봉 링(16)이 배치된다.
하측 챔버(6b)의 내부에는 제1 및 제2 급배기관(13, 14)이 위치된다. 이 관들 중, 제2 급배기관(14)의 개구부에는 도 2a, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 다수의 작은 구멍이 천공된 메시 덮개(14a)가 부착된다.
또한, 하측 챔버(6b)의 상면에는 도 1에 나타내는 바와 같이, 소정의 높이를 가진 복수의 스페이서(17)가 각각 형성된다. 이들 스페이서(17)는 도 3a, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 제2 급배기관(14)의 개구부를 중심으로 한 십자 형상으로 배치된다.
또한, 하측 챔버(6b)의 상면에는 도 1에 나타내는 바와 같이, 신축 가능한 고무 시트(10)가 설치된다. 고무 시트(10)는, 예를 들면 클로로프렌 고무나 에틸렌프로필렌 고무 등의 기체 차단성이 우수한 탄성체에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 또, 고무 시트(10)의 손상을 방지하기 위해, 스페이서(17)도 고무 시트(10)와 마찬가지인 재료로 형성하는 것이 바람직하다.
고무 시트(10)의 주연부(周緣部) 상에는 도 4a에 나타내는 바와 같이, 상면에서 보았을 때 고리 형상의 누름 링(18)이 설치된다. 누름 링(18)이 하측 챔버(6b)에 나사 고정됨으로써 고무 시트(10)가 고정된다. 누름 링(18)에는 도 4a, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 복수의 홈(19)이 형성된다. 이들 홈(19)에 의해, 누름 링(18)의 내측 공간(7a)과 외측 공간(7b)이 연통(連通)된다. 또, 홈(19)은, 후술하는 테이프 프레임(12)에 형성해도 되고, 누름 링(18) 및 테이프 프레임(12)의 쌍방에 형성해도 된다.
누름 링(18)의 상면에는 도 1에 나타내는 바와 같이, 상면에서 보았을 때 고리 형상의 테이프 프레임(12)이 재치된다. 테이프 프레임(12)의 상면에는 UV 경화성 수지, 열경화성 수지 등의 접착제가 이면에 도포된 테이프(11)가 첩부된다. 테이프(11)는 일정한 장력이 부여된 상태로 첩착되며, 이에 따라 테이프(11)의 찌그러짐이나 주름이 방지된다.
또, 테이프(11)의 부착은 테이프 프레임(12)의 상면에의 첩부에 한하지 않는다. 2매의 프레임에 의해 테이프(11)를 표리에서 사이에 끼우도록 해도 된다. 테이프(11)에 찌그러짐이나 주름을 발생시키지 않는 것이면 어떠한 태양이더라도 된다.
급배기 기구(3)는, 질소를 공급하는 질소 공급원(21)과, 공기를 공급하는 공기 공급원(22)과, 공기나 질소를 흡인하는 진공 펌프(23)와, 질소 공급원(21) 및 진공 펌프(23)와 제1 급배기관(13) 사이에 설치되는 제1 전자 밸브(solenoid valve)(24)와, 공기 공급원(22) 및 진공 펌프(23)와 제2 급배기관(14) 사이에 설치되는 제2 전자 밸브(26)와, 제2 전자 밸브(26)와 공기 공급원(22) 사이에 설치되는 제3 전자 밸브(27)와, 제2 전자 밸브(26)와 제3 전자 밸브(27) 사이에 설치되는 유량 제어 밸브(28)로 구성된다.
제1 전자 밸브(24)는 제1 급배기관(13)을 질소 공급원(21) 또는 진공 펌프(23)에 선택적으로 접속하기 위해서 구비된다. 제2 전자 밸브(26)는 제2 급배기관(14)을 제3 전자 밸브(27) 또는 진공 펌프(23)에 선택적으로 접속하기 위해서 구비된다. 제3 전자 밸브(27)는 제2 급배기관(14)을 유량 제어 밸브(28) 또는 공기 공급원(22)에 선택적으로 접속하기 위해서 구비된다. 유량 제어 밸브(28)는 공기의 유량을 제한하기 위해서 구비된다.
제어부(4)는, 진공도 센서(15)의 출력이나 내장되는 타이머(4a)의 출력에 따라서 제1∼제3 전자 밸브(24, 26, 27)의 동작을 제어하여, 장치 본체(2)의 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)의 가압/감압을 제어한다.
다음으로, 상기 구성을 가진 테이프 첩부 장치(1)를 이용한 첩부 방법에 대하여 도 1∼도 15를 참조하면서 설명한다. 또, 여기에서는, 테이프(11)의 접착제로 UV 경화성 수지를 이용했을 경우를 예로 들어서 설명한다.
우선, 도 1에 있어서, 제2 전자 밸브(26)를 진공 펌프(23) 측으로 열어서 제2 기밀 공간(고무 시트(10)의 아래쪽에 위치하는 기밀 공간)(8)을 감압 분위기화한다. 그 상태에서, 상측 챔버(6a)를 열어 웨이퍼(9)를 고무 시트(10)의 상면 중앙에 재치한다. 다음으로, 테이프(11)의 이면(접착면)을 테이프 프레임(12)의 상면에 첩부함과 함께, 테이프(11)를 첩부한 테이프 프레임(12)을 누름 링(18) 상에 재치한다.
상측 챔버(6a)를 닫은 후, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 전자 밸브(24)를 진공 펌프(23) 측으로 열어 제1 급배기관(13)을 진공 펌프(23)에 접속한다. 이에 따라, 제1 기밀 공간(고무 시트(10)의 위쪽에 위치하는 기밀 공간)(7)으로부터 공기를 흡인하여 감압 분위기화 한다(도 5의 스텝 S1).
이때, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제1 전자 밸브(24)를 단속적(斷續的)으로 질소 공급원(21) 측으로 열어 제1 기밀 공간(7)에 질소를 주입한다. 이것은, 제1 기밀 공간(7)의 산소 농도를 저하시켜서 산소 농도가 낮은 환경 하에서 첩부 작업을 진행하기 위한 것이다.
즉, UV 경화성 수지는 혐기성(嫌氣性)이 강해서 산소 농도가 높은 환경 하에서 첩합시키면 경화 작용이 저하된다. 그 때문에, 후속 공정에서 자외선을 조사(照射)했을 때에 미(未)경화 UV 경화성 수지가 잔존하게 된다. 그 경우, 다이싱 후의 웨이퍼(9)(칩)를 테이프(11)로부터 벗겨낼 때에 칩이 벗겨지기 어려워진다. 그 때문에, 상기한 바와 같이 제1 기밀 공간(7)에 질소를 주입하여 산소 농도를 저하시켜서 UV 경화성 수지의 경화 작용의 저하를 방지한다.
질소 주입의 작업은 도 9에 나타내는 바와 같이 행할 수 있다. 구체적으로는, 제1 기밀 공간(7)으로부터 공기를 흡인한 상태에서 제1 기밀 공간(7)의 진공도가 제1 설정 진공도에 도달하면, 제1 급배기관(13)을 질소 공급원(21)에 접속하여 제1 기밀 공간(7)에 질소를 주입한다(스텝 S11∼S13). 그리고, 제1 기밀 공간(7)의 진공도가 제2 설정 진공도에 도달할 때까지 질소를 계속 주입한다. 진공도가 제2 설정 진공도에 도달한 시점에서 질소의 주입 횟수가 설정 횟수에 도달했는지의 여부를 판별한다(스텝 S14∼S15). 판별한 결과, 설정 횟수에 도달해 있으면, 다시 진공 처리를 행하여 질소를 흡인해서(스텝 S16), 제1 기밀 공간(7)의 잔류 산소 농도를 1% 이하로 한 상태에서 동(同) 공간(7)을 감압 분위기화 한다. 여기에서, 제1 설정 진공도, 제2 설정 진공도 및 설정 횟수는 임의로 설정할 수 있다.
또, 질소 주입의 공정은 상기한 바와 같이, UV 경화성 수지의 특성을 배려해서 수행된다. 따라서, UV 경화 수지 이외의 접착제를 이용할 경우에는 그 공정이 생략할 수 있다.
다음으로, 도 10에 나타내는 바와 같이, 제1 기밀 공간(7)의 진공압을 유지한 상태에서, 제2 전자 밸브(26)를 닫아서 제2 급배기관(14)을 폐색하여 제2 기밀 공간(8)을 밀폐한다. 이때, 제2 기밀 공간(8)에서는 자연 누설이 발생해서 약간의 공기가 흘러들어 오기 때문에, 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)의 사이에 약간의 차압이 발생한다.
그 결과, 고무 시트(10)가 완만하게 부풀어서 고무 시트(10) 상의 웨이퍼(9)를 천천히 밀어올린다. 이러한 저속으로의 밀어올림에 의해, 웨이퍼(9)를 테이프(11)의 접착면에 접촉시켜서(도 5의 스텝 S2), 웨이퍼(9)의 중심이 최초로 테이프(11)와 접촉하게 한다.
즉, 웨이퍼(9)를 고무 시트(10)와 같은 불안정한 베이스에 재치시킬 경우, 고속으로 웨이퍼(9)를 밀어올리면, 웨이퍼(9)의 자세가 흐트러지거나 기울거나, 웨이퍼(9)가 고무 시트(10) 상에서 미끄러져서 위치가 변위하기 쉬워진다. 한편으로, 천천히 웨이퍼(9)를 밀어올림으로써, 웨이퍼(9)의 자세나 위치를 부동으로 유지한 채로 웨이퍼(9)를 테이프(11)와 접촉시킬 수 있어, 확실하게 웨이퍼(9)의 중심으로부터 첩부를 행하는 것이 가능해진다.
다음으로, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제2 전자 밸브(26)를 공기 공급원(22) 측으로 엶과 함께, 제3 전자 밸브(27)를 유량 제어 밸브(28) 측으로 열어 유량을 제한한 상태로 공기를 제2 급배기관(14)에 공급한다. 이에 따라, 제2 기밀 공간(8)을 가압 분위기로 해서, 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8) 사이의 차압을 크게 하여, 고무 시트(10)의 팽창 속도를 저속으로부터 중속으로 변화시킨다(도 5의 스텝 S3).
이 중속 첩부는 후술하는 고속 첩부와 비교하면, 고무 시트(10)의 팽창 속도가 느려 웨이퍼(9)의 밀어올림 압력이 낮다. 본 공정에서는 테이프(11)에의 웨이퍼(9)의 가압을 저압에서 행함으로써, 웨이퍼(9)에 과대한 부하를 가하지 않고 테이프(11)와 웨이퍼(9)의 첩착 영역을 넓혀 간다.
웨이퍼(9)가 테이프(11)에 맞닿은 부분에서는 테이프(11)가 웨이퍼(9)에 첩부되어 웨이퍼(9)를 보강하기 때문에, 웨이퍼(9)의 균열이나 깨짐이 억제되게 된다. 본 공정은 웨이퍼(9)에의 부하를 최소한으로 억제하면서, 상기와 같은 보강되는 영역을 넓히기 위해 행해진다. 웨이퍼(9)와 함께 테이프(11) 및 테이프 프레임(12)을 밀어올려서, 예를 들면 웨이퍼(9) 상면의 약 50%∼70% 정도를 테이프(11)에 맞닿게 한다.
또, 중속 첩부 시의 고무 시트(10)의 팽창 속도(팽창압)는 웨이퍼(9)를 파손시키지 않는 가압력으로 테이프(11)에 가압 가능한 속도(팽창압)로 설정된다. 단, 파손되지 않는 가압력은 웨이퍼(9)의 두께나 형상(휘어진 상태) 등에 따라 상이하다. 따라서, 실제 운전 시의 속도는 사용하는 웨이퍼(9)의 상태에 따라 적절하게 정한다.
그리고, 첩착 영역이 웨이퍼 상면의 약 50%∼70% 정도에 도달하여 웨이퍼(9)의 균열이나 깨짐의 위험성이 낮아진 단계에서, 도 12에 나타내는 바와 같이, 제3 전자 밸브(27)를 공기 공급원(22) 측으로 열어 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8) 사이의 차압을 더욱 크게 한다. 이에 따라, 고무 시트(10)의 팽창 속도를 중속으로부터 고속으로 변화시켜서(도 5의 스텝 S4), 테이프(11)에의 웨이퍼(9)의 가압력을 증가시킨다. 이 고속 첩부에 의해, 웨이퍼(9)의 상면 전체를 테이프(11)에 첩부한다.
또한, 고속 첩부를 할 때에는, 테이프(11) 및 웨이퍼(9)를 상측 챔버(6a)의 천장면에 맞닿게 밀어서 웨이퍼(9)의 휘어짐을 교정함과 함께, 웨이퍼(9)와 테이프(11)의 밀착성을 높인다. 이때, 테이프(11)가 웨이퍼(9)의 상면을 보호하는 보호 부재로서 기능하기 때문에, 웨이퍼(9)의 표면이 손상되는 일은 없다.
상기한 저속 첩부, 중속 첩부 및 고속 첩부의 전환은 자동 제어에 의해 행할 수 있다. 예를 들면 제어부(4)에 내장된 타이머(4a)를 이용해서 시간 경과에 따라 전환하도록 구성할 수 있다.
다음으로, 도 13에 나타내는 바와 같이, 제1 및 제2 전자 밸브(24, 26)를 닫아서 제1 및 제2 급배기관(13, 14)을 폐색하여 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)을 밀폐한다. 이렇게 해서, 웨이퍼(9)를 테이프(11)에 가압한 상태를 소정의 시간에 걸쳐서 유지해서 테이프(11)와 웨이퍼(9)의 접착을 안정시킨다(도 5의 스텝 S5).
다음으로, 도 14에 나타내는 바와 같이, 제2 전자 밸브(26)를 닫은 채로, 제1 전자 밸브(24)를 질소 공급원(21) 측으로 열어 제1 기밀 공간(7)에 질소를 공급한다. 이에 따라, 저속으로 고무 시트(10)를 수축시켜 테이프(11), 웨이퍼(9) 및 테이프 프레임(12)을 완만하게 하강시킨다(도 5의 스텝 S6).
그리고, 테이프 프레임(12)이 누름 링(18)에 맞닿은 후에도, 저속으로의 고무 시트(10)의 수축을 계속해서 고무 시트(10)를 웨이퍼(9)의 하면으로부터 완만하게 박리한다. 이에 따라, 고무 시트(10)의 박리 시에 웨이퍼(9)에 큰 인장 하중이 가해지는 것을 방지한다.
다음으로, 도 15에 나타내는 바와 같이, 제2 전자 밸브(26)를 진공 펌프(23) 측으로 열어 제2 기밀 공간(8)으로부터 공기를 흡인한다. 이에 따라, 고속으로 고무 시트(10)를 수축시켜 평탄화시킨다(도 5의 스텝 S7). 마지막으로, 상측 챔버(6a)를 열어서 웨이퍼(9)가 첩부된 상태의 테이프(11)를 테이프 프레임(12)과 함께 취출하여 작업을 완료한다.
이상과 같이 본 실시형태에 따르면, 웨이퍼(9)를 테이프(11)에 첩부함에 있어서, 도 6에 나타내는 바와 같이, 고무 시트(10)의 팽창 속도를 저속으로부터 고속으로 단계적으로 전환하면서 첩부하기 때문에(도 5의 스텝 S2∼S4), 웨이퍼(9)에의 부하를 최소한으로 억제한 상태에서 첩부할 수 있다. 이 때문에, 저강성의 웨이퍼(9)이더라도, 웨이퍼(9)의 파손이나 손상을 방지하면서 테이프(11)를 첩부하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 저속 첩부를 행해서 웨이퍼(9)의 중심을 최초로 테이프(11)와 접촉시킨다. 따라서, 이후의 중속 첩부 및 고속 첩부에 있어서, 웨이퍼(9)의 중심으로부터 외주를 향해서 순차적으로 첩착해 갈 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(9)와 테이프(11) 사이에 공기가 존재했을 경우에도, 공기를 외측으로 빼면서 웨이퍼(9)를 테이프(11)에 첩부해 갈 수 있어 양자 사이에 공기가 혼입하는 것을 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 제2 급배기관(14)의 개구부를 중심으로 해서 십자 형상으로 배치된 복수의 스페이서(17)를 하측 챔버(6b)의 상면에 형성한다. 이 때문에, 제2 기밀 공간(8)을 감압 분위기로 할 때에 공기가 잔류하는 것을 방지하는 것이 가능해진다.
즉, 스페이서(17)를 설치하지 않을 경우에는, 도 16a에 나타내는 바와 같이, 제2 급배기관(14)을 통해서 공기를 흡인할 때에 고무 시트(10)가 제2 급배기관(14)으로 흡입되어 제2 급배기관(14)의 개구부가 폐색된다. 그 결과, 제2 기밀 공간(8)으로부터 공기를 흡인할 수 없게 되어 공기가 잔존하게 된다.
이러한 상태가, 예를 들면 도 5의 스텝 S1의 진공 처리 시에 발생하면, 제2 기밀 공간(8)이 제1 기밀 공간(7)에 대해서 정압이 되어 고무 시트(10)를 완전히 평탄화할 수 없어진다. 또한, 그 상태에서 도 5의 스텝 S2의 저속 첩부 공정으로 이행하면, 제2 기밀 공간(8)이 제1 기밀 공간(7)에 대해서 정압이 되어 있기 때문에, 제2 기밀 공간(8)의 공기 흡인을 해제하자마자 고무 시트(10)가 비교적 빠른 속도로 팽창하기 시작해서 의도하는 것보다 고속으로 웨이퍼(9)가 밀려 올라가게 된다. 이것은, 도 5의 스텝 S3의 중속 첩부 공정으로 이행했을 때에도 마찬가지로 발생해서 테이프(11)에의 웨이퍼(9)의 가압력을 적절히 제어할 수 없게 된다.
이에 반해서 스페이서(17)를 설치했을 경우에는, 도 16b에 나타내는 바와 같이, 제2 급배기관(14)을 통해서 공기를 흡인해도, 고무 시트(10)가 스페이서(17)에 맞닿아서 제2 급배기관(14)에의 공기의 흡입이 방해받는다. 이때, 제2 기밀 공간(8) 내의 공기는, 도 3a의 화살표(D)로 나타내는 바와 같이, 인접하는 스페이서(17) 사이의 각각의 공간으로부터 제2 급배기관(14)으로 유입된다. 따라서, 스페이서(17)에 의해 제2 기밀 공간(8)으로부터의 공기 흡인이 방해받는 일도 없다.
이렇게, 스페이서(17)를 설치함으로써, 도 5의 스텝 S1의 진공 처리 시에 제2 기밀 공간(8)에 공기가 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 이후의 스텝 S2, S3의 공정에 있어서, 웨이퍼(9)의 밀어올림 속도나 테이프(11)에의 웨이퍼(9)의 가압력을 적절히 제어하는 것이 가능해진다.
또, 스페이서(17) 각각의 높이는 특별히 한정되는 것이 아니며, 제2 기밀 공간(8)으로부터의 공기 흡인 압력이나 고무 시트(10)의 재질에 따라 적절히 정할 수 있다. 또한, 스페이서(17)의 배치 형상은 십자 형상으로 한정되는 것이 아니다. 예를 들면 제2 급배기관(14)의 개구부를 중심으로 한 방사 형상 등의 다른 형상으로 할 수도 있다. 또는, 특별히 규칙성을 갖게 하지 않고 제2 급배기관(14)의 개구부 주변에 복수의 스페이서(17)를 이산적(離散的)으로 배치하도록 해도 된다.
또한 본 실시형태에 따르면, 도 2a, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 제2 급배기관(14)의 개구부에 메시 덮개(14a)를 부설한다. 이 때문에, 제2 급배기관(14)에의 고무 시트(10)의 흡입을 방지하면서, 공기 흡인 시의 유효 단면적(제2 급배기관(14)의 직경)을 확대하는 것이 가능해진다.
이상, 본 발명의 실시형태를 설명했지만, 본 발명은, 상기 구성에 한정되는 것이 아니며, 특허청구범위에 기재된 발명의 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다.
예를 들면, 상기 실시형태에 있어서는, 본 발명에 따른 테이프 첩부 장치를 반도체 웨이퍼에의 다이싱용 테이프의 첩부에 적용했을 경우를 예시했다. 그러나, 본 발명은, 예를 들면 글래스 시트에 보호용 테이프를 첩부할 경우 등, 실시형태에서 예시한 경우 이외에도 널리 적용하는 것이 가능하다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 저속 첩부, 중속 첩부 및 고속 첩부의 3단계의 속도 전환으로 웨이퍼(9)를 테이프(11)에 첩부하였다. 그러나, 충분한 두께를 가진 웨이퍼(9)의 경우나, 고무 시트(10)의 재질이 미끄러지기 어려운 것일 경우에는, 저속 첩부를 생략하고 중속 첩부로부터 조작을 시작하도록 해도 된다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 저속 첩부를 할 때에 제2 기밀 공간(8) 측의 자연 누설을 이용해서 고무 시트(10)를 천천히 팽창시켰다. 그러나, 반드시 자연 누설을 이용할 필요는 없으며, 중속 첩부 시보다 소량의 공기를 제2 기밀 공간(8)에 공급함으로써 고무 시트(10)의 팽창 속도를 저속화해도 된다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)에 기체를 공급하는 공급원으로서 질소 공급원(21) 및 공기 공급원(22)을 구비했다. 그러나, 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)에 공급하는 기체는, 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8)의 가압 및 감압을 행할 수 있는 것이면 충분하며 질소, 공기 이외의 기체여도 된다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 일반 형상에 맞춰서, 장치 본체(2), 고무 시트(10) 및 테이프 프레임(12)이, 각각 원통 형상, 원 형상 및 고리 형상으로 형성된다. 그러나, 장치 본체(2) 등의 형상은 이들에 한정되는 것이 아니며, 예를 들면 사각형 형상 등의 다른 형상을 채택할 수도 있다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 제1 및 제2 기밀 공간(7, 8) 모두, 기체를 공급하는 공급구와 흡인하는 흡인구를 공유화하고 있지만, 이들은 별개로 설치하도록 해도 된다.
상기한 실시형태의 일부 또는 전부는 이하의 부기와 같이 기재될 수도 있지만, 이하에 한정되지는 않는다.
(부기 1) 내부에 기밀 공간이 형성된 용기와, 상기 기밀 공간을 위쪽에 위치하는 제1 기밀 공간과 아래쪽에 위치하는 제2 기밀 공간으로 구획하고 당해 제1 기밀 공간에 테이프 첩부 대상물이 재치되는 탄성 시트와, 상기 제1 기밀 공간 내에서 테이프를 유지하고 당해 테이프를 상기 탄성 시트에 재치된 테이프 첩부 대상물로부터 소정의 거리를 두고 위치시키는 테이프 유지 부재와, 상기 제1 및 제2 기밀 공간의 가압 및 감압을 전환하는 기압 전환 수단을 구비하고, 상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 상기 제2 기밀 공간을 가압하여 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물을 밀어올려 상기 테이프에 첩부하는 테이프 첩부 장치로서, 상기 테이프 첩부 대상물의 밀어올림 시에, 상기 제2 기밀 공간의 가압량을 제어해서 상기 탄성 시트의 팽창 속도를 저속으로부터 고속으로 단계적으로 변화시키면서, 상기 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 첩부하는 테이프 첩부 장치.
(부기 2) 상기 테이프 첩부 대상물과 상기 테이프 간의 맞닿음 면적이 소정량에 도달할 때까지, 파손시키지 않는 가압력으로 당해 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 가압 가능한 제1 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시키고, 그 후 당해 탄성 시트의 팽창 속도를 상기 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 전환해서, 상기 테이프 첩부 대상물의 첩부면 전체를 상기 테이프에 맞닿게 하는 부기 1에 기재한 테이프 첩부 장치.
(부기 3) 상기 제1 속도로 탄성 시트를 팽창시키는 것에 앞서, 당해 제1 속도보다 느린 제3 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물의 중심부를 상기 테이프에 맞닿게 하는 부기 2에 기재한 테이프 첩부 장치.
(부기 4) 상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 당해 제1 기밀 공간의 진공 상태를 유지한 채로 당해 제2 기밀 공간을 폐색함으로써, 상기 제3 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시키는 부기 3에 기재한 테이프 첩부 장치.
(부기 5) 상기 제2 속도로 탄성 시트를 팽창시킬 때에, 상기 테이프 첩부 대상물과 상기 테이프가 맞닿은 상태에서 이들을 밀어올려서, 상기 기밀 공간의 천장면에 맞닿게 가압하는 부기 2, 3 또는 4에 기재한 테이프 첩부 장치.
(부기 6) 상기 탄성 시트의 하면과 상기 기밀 공간의 저면 사이에 설치되고, 상기 제2 기밀 공간으로부터 기체를 흡인하는 흡기구의 주변에 배치된 스페이서를 구비하는 부기 1 내지 5 중 어느 하나에 기재한 테이프 첩부 장치.
(부기 7) 상기 스페이서가 복수 설치되고, 당해 복수의 스페이서가 상기 흡기구를 중심으로 십자 형상 또는 방사 형상의 어느 한 형상으로 배치되는 부기 6에 기재한 테이프 첩부 장치.
(부기 8) 상기 제2 기밀 공간으로부터 기체를 흡인하는 흡기구에 메시 덮개를 부착한 부기 1 내지 7 중 어느 하나에 기재한 테이프 첩부 장치.
(부기 9) 상기 테이프의 접착면에 UV 경화 수지제의 접착제가 도포되고, 상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 할 때에, 당해 제1 기밀 공간에 단속적으로 질소를 공급하는 부기 1 내지 8 중 어느 하나에 기재한 테이프 첩부 장치.
(부기 10) 내부에 기밀 공간이 형성된 용기와, 상기 기밀 공간을 위쪽에 위치하는 제1 기밀 공간과 아래쪽에 위치하는 제2 기밀 공간으로 구획하고 당해 제1 기밀 공간에 테이프 첩부 대상물이 재치되는 탄성 시트와, 상기 제1 기밀 공간 내에서 테이프를 유지하고 당해 테이프를 상기 탄성 시트에 재치된 테이프 첩부 대상물로부터 소정의 거리를 두고 위치시키는 테이프 유지 부재와, 상기 제1 및 제2 기밀 공간의 가압 및 감압을 전환하는 기압 전환 수단을 구비한 테이프 첩부 장치를 이용해서, 상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 상기 제2 기밀 공간을 가압하여 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물을 밀어올려 상기 테이프에 첩부하는 테이프 첩부 방법으로서, 상기 테이프 첩부 대상물의 밀어올림 시에, 상기 제2 기밀 공간의 가압량을 제어해서 상기 탄성 시트의 팽창 속도를 저속으로부터 고속으로 단계적으로 변화시키면서, 상기 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 첩부하는 테이프 첩부 방법.
(부기 11) 상기 테이프 첩부 대상물과 상기 테이프 간의 맞닿음 면적이 소정량에 도달할 때까지, 파손시키지 않는 가압력으로 당해 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 가압 가능한 제1 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시키고, 그 후 당해 탄성 시트의 팽창 속도를 상기 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 전환해서, 상기 테이프 첩부 대상물의 첩부면 전체를 상기 테이프에 맞닿게 하는 부기 10에 기재한 테이프 첩부 방법.
(부기 12) 상기 제1 속도로 탄성 시트를 팽창시키는 것에 앞서, 당해 제1 속도보다 느린 제3 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물의 중심부를 상기 테이프에 맞닿게 하는 부기 11에 기재한 테이프 첩부 방법.
(부기 13) 상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 당해 제1 기밀 공간의 진공 상태를 유지한 채로 당해 제2 기밀 공간을 폐색함으로써, 상기 제3 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시키는 부기 12에 기재한 테이프 첩부 방법.
(부기 14) 상기 제2 속도로 탄성 시트를 팽창시킬 때에, 상기 테이프 첩부 대상물과 상기 테이프가 맞닿은 상태에서 이들을 밀어올려서, 상기 기밀 공간의 천장면에 맞닿게 가압하는 부기 11, 12 또는 13에 기재한 테이프 첩부 방법.
(부기 15) 상기 테이프의 접착면에 UV 경화 수지제의 접착제가 도포되고, 상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 할 때에, 당해 제1 기밀 공간에 단속적으로 질소를 공급하는 부기 10 내지 14 중 어느 하나에 기재한 테이프 첩부 방법.
본 출원은 2010년 3월 16일에 출원된 일본국 특허출원 제2010-58629호에 의거하여 우선권을 주장하고, 그 개시의 전부를 참조로 본 발명에 포함한다.
본 발명은, 예를 들면 반도체 웨이퍼에의 다이싱용 테이프의 첩부 등에 이용하는 테이프 첩부 장치 및 테이프 첩부 방법으로서 이용 가능하다.
1 : 테이프 첩부 장치
2 : 장치 본체
3 : 급배기 기구
4 : 제어부
4a : 타이머
5 : 기밀 공간
6 : 챔버
6a : 상측 챔버
6b : 하측 챔버
7 : 제1 기밀 공간
7a : 누름 링의 내측 공간
7b : 누름 링의 외측 공간
8 : 제2 기밀 공간
9 : 반도체 웨이퍼
10 : 고무 시트
11 : 다이싱용 테이프
12 : 테이프 프레임
13 : 제1 급배기관
14 : 제2 급배기관
14a : 메시 덮개
15 : 진공도 센서
16 : 밀봉 링
17 : 스페이서
18 : 누름 링
19 : 홈
21 : 질소 공급원
22 : 공기 공급원
23 : 진공 펌프
24 : 제1 전자 밸브
26 : 제2 전자 밸브
27 : 제3 전자 밸브
28 : 유량 제어 밸브

Claims (10)

  1. 내부에 기밀 공간이 형성된 용기와,
    상기 기밀 공간을 위쪽에 위치하는 제1 기밀 공간과 아래쪽에 위치하는 제2 기밀 공간으로 구획하고 당해 제1 기밀 공간에 테이프 첩부(貼付) 대상물이 재치(載置)되는 탄성 시트와,
    상기 제1 기밀 공간 내에서 테이프를 유지하고 당해 테이프를 상기 탄성 시트에 재치된 테이프 첩부 대상물로부터 소정의 거리를 두고 위치시키는 테이프 유지 부재와,
    상기 제1 및 제2 기밀 공간의 가압 및 감압을 전환하는 기압 전환 수단을 구비하고,
    상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 상기 제2 기밀 공간을 가압하여 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물을 밀어올려 상기 테이프에 첩부할 때에, 상기 제2 기밀 공간의 가압량을 제어해서 상기 탄성 시트의 팽창 속도를 저속으로부터 고속으로 단계적으로 변화시키면서, 상기 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 첩부하는 테이프 첩부 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 테이프 첩부 대상물과 상기 테이프 간의 맞닿음 면적이 소정량에 도달할 때까지, 파손시키지 않는 가압력으로 당해 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 가압 가능한 제1 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시키고, 그 후 당해 탄성 시트의 팽창 속도를 상기 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 전환해서, 상기 테이프 첩부 대상물의 첩부면 전체를 상기 테이프에 맞닿게 하는 테이프 첩부 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 속도로 탄성 시트를 팽창시키는 것에 앞서, 당해 제1 속도보다 느린 제3 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물의 중심부를 상기 테이프에 맞닿게 하는 테이프 첩부 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 당해 제1 기밀 공간의 진공 상태를 유지한 채로 당해 제2 기밀 공간을 폐색함으로써, 상기 제3 속도로 상기 탄성 시트를 팽창시키는 테이프 첩부 장치.
  5. 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 제2 속도로 탄성 시트를 팽창시킬 때에, 상기 테이프 첩부 대상물과 상기 테이프가 맞닿은 상태에서 이들을 밀어올려서, 상기 기밀 공간의 천장면에 맞닿게 가압하는 테이프 첩부 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄성 시트의 하면과 상기 기밀 공간의 저면 사이에 설치되고, 상기 제2 기밀 공간으로부터 기체를 흡인(吸引)하는 흡기구의 주변에 배치된 스페이서를 구비하는 테이프 첩부 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 스페이서가 복수 설치되고, 당해 복수의 스페이서가 상기 흡기구를 중심으로 십자 형상 또는 방사 형상의 어느 한 형상으로 배치되는 테이프 첩부 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 기밀 공간으로부터 기체를 흡인하는 흡기구에 메시 덮개를 부착한 테이프 첩부 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 테이프의 접착면에 UV 경화 수지제의 접착제가 도포되고,
    상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 할 때에, 당해 제1 기밀 공간에 단속적(斷續的)으로 질소를 공급하는 테이프 첩부 장치.
  10. 내부에 기밀 공간이 형성된 용기와,
    상기 기밀 공간을 위쪽에 위치하는 제1 기밀 공간과 아래쪽에 위치하는 제2 기밀 공간으로 구획하고 당해 제1 기밀 공간에 테이프 첩부 대상물이 재치되는 탄성 시트와,
    상기 제1 기밀 공간 내에서 테이프를 유지하고 당해 테이프를 상기 탄성 시트에 재치된 테이프 첩부 대상물로부터 소정의 거리를 두고 위치시키는 테이프 유지 부재와,
    상기 제1 및 제2 기밀 공간의 가압 및 감압을 전환하는 기압 전환 수단을 구비한 테이프 첩부 장치를 이용해서,
    상기 제1 및 제2 기밀 공간을 진공 상태로 한 후, 상기 제2 기밀 공간을 가압하여 상기 탄성 시트를 팽창시켜서, 상기 테이프 첩부 대상물을 밀어올려 상기 테이프에 첩부할 때에, 상기 제2 기밀 공간의 가압량을 제어해서 상기 탄성 시트의 팽창 속도를 저속으로부터 고속으로 단계적으로 변화시키면서, 상기 테이프 첩부 대상물을 상기 테이프에 첩부하는 테이프 첩부 방법.
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