CN112020768A - 用于将保护胶带贴附在半导体晶片上的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是将保护胶带可靠地贴附到凸块晶片上。用于将保护胶带PT贴附到晶片W上的该装置1至少设置有：贴附台60，该贴附台60支承晶片W；胶带保持体30，该胶带保持体30能够保持保护胶带PT并将保持的保护胶带PT供应到晶片W上；以及按压构件62，该按压构件62从上方按压保护胶带PT，其中，按压构件62设置有保护层外周按压器620，该保护层外周按压器620对保护胶带PT的保护层PL的周围区域进行按压以将胶带贴附至晶片W，其中，保护层PL被层压在保护胶带PT中并具有比晶片W的外径小的外径。

Description

用于将保护胶带贴附在半导体晶片上的装置和方法
技术领域
本发明涉及用于将保护胶带可靠地施加至半导体晶片的施加装置和施加方法。
背景技术
制造半导体芯片的过程通常包括：在半导体晶片(下文中简称为“晶片”)的前表面上形成具有凹凸部的电路；并且然后，为了满足近期对缩小半导体芯片尺寸的需求，对位于其上形成有电路的前表面的相反侧的后表面进行研磨，以由此来减小晶片的厚度。当晶片的厚度减小时，通过向晶片的前表面施加保护胶带来保护电路形成部分。
作为将保护胶带施加至晶片的前表面的方法，已经提出了下述方法，该方法包括：将具有比晶片的宽度大的宽度的带形保护胶带拉出到晶片上；通过施加辊按压保护胶带以将保护胶带施加至晶片的前表面；并且然后沿着晶片的外形切割保护胶带(例如，参见专利文献1)。
此外，作为将保护胶带施加至晶片的前表面的方法，已经提出了下述方法，该方法包括：将提前切割成与晶片的形状相符合的保护胶带临时施加至带形基材；在通过施加辊将保护胶带从带形基材上剥离的同时使保护胶带粘附至施加辊的周向表面，该施加辊旋转同时按压保护胶带；并且然后通过施加辊将保护胶带压靠在晶片的前表面上，以由此将保护胶带施加至晶片的前表面(例如，参见专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]JP 3545758 B2
[专利文献2]JP 5828532 B2
发明内容
技术问题
顺便提及，具有比现有技术电路中的凹凸部大的凹凸部的凸块晶片已经变得经常被用于改进与最近半导体的密度增加相关联的晶片的功能。然后，能够可靠地对凸块晶片的凹凸部进行保护的保护胶带已经出现。该保护胶带在施加至凸块晶片的表面上具有保护层，该保护层具有比保护胶带的直径小的直径并且该保护层构造成将凸块晶片的凹凸部覆盖，并且凸块晶片的凹凸部受到保护层的保护。
通常，保护胶带在被临时施加至带形形状的基材(离型带)的状态下供应。然而，当通过与现有技术的方法相同的方法利用将被施加至凸块晶片的施加辊按压保护胶带时，存在例如以下问题。凸块晶片的凹凸部容易被破坏。保护胶带不能被正确地施加至凸块晶片。保护胶带在由施加辊牵拉的同时施加至凸块晶片，并且因此在保护胶带上产生了残余应力。当通过对其上施加有保护胶带的晶片的后表面进行研磨以减小晶片的厚度时，晶片由于保护胶带上的残余应力而翘曲或破裂。
为了解决上述问题而做出本发明，并且本发明提供了用于将保护胶带可靠地施加至凸块晶片的施加装置和施加方法。
解决方案
为了解决上述问题，根据本发明的一个实施方式，提供了一种用于将保护胶带施加至半导体晶片的施加装置，该施加装置包括：施加台，该施加台构造成支承半导体晶片；胶带保持体，该胶带保持体能够保持保护胶带并且该胶带保持体构造成将由胶带保持体保持的保护胶带供应到半导体晶片上；以及按压构件，该按压构件构造成从上方按压保护胶带，按压构件包括保护层外周固位件，该保护层外周固位件构造成按压保护层的周缘部分，以将保护胶带施加至半导体晶片，其中，该保护层被层压在保护胶带上并具有比半导体晶片的外径小的外径。
根据本发明的一个优选实施方式，在施加装置中，施加台布置在下腔室中以被升高及降低，并且按压构件布置在与下腔室一起形成真空腔室的上腔室中以在上下方向上往复运动。
根据本发明的一个优选实施方式，在施加装置中，在下腔室中的施加台的周缘上布置有框架基座，该框架基座构造成对其上安装有半导体晶片的切割框架进行支承。保护胶带被供应到切割框架上。按压构件还包括胶带外周固位件，该胶带外周固位件构造成按压保护胶带的外周边缘部分以将保护胶带施加至切割框架。
根据本发明的一个优选实施方式，在施加装置中，按压构件还包括弹性构件，该弹性构件构造成支承胶带外周固位件使得胶带外周固位件在上下方向上移位。
根据本发明的一个优选实施方式，施加装置还包括加热台，该加热台构造成对安装在切割框架上的半导体晶片进行加热。
为了解决上述问题，根据本发明的一个实施方式，提供了一种将保护胶带施加至半导体晶片的施加方法，该施加方法包括：将保护胶带供应到半导体晶片上的供应步骤；以及从上方按压保护胶带的按压步骤，该按压步骤包括对保护层的周缘部分进行按压，以将保护胶带施加至半导体晶片，其中，该保护层被层压在保护胶带上并具有比半导体晶片的外径小的外径。
根据本发明的一个优选实施方式，在施加方法中，供应步骤包括将保护胶带供应到切割框架上，该切割框架布置成围绕半导体晶片并且半导体晶片被安装在该切割框架上，并且按压步骤还包括按压保护胶带的外周边缘部分以将保护胶带施加至切割框架。
根据本发明的一个优选实施方式，施加方法还包括对安装在切割框架上的半导体晶片进行加热的加热步骤。
有利效果
根据本发明，保护胶带的保护层的周缘部分利用按压构件的保护层外周固位件被施加至晶片的外周边缘部分。这样，保护胶带可以被正确地施加至晶片，使得在保护胶带上不形成折痕。因此，保护胶带的保护层可以与晶片的电路形成部分中的凹凸部可靠地紧密接触。
另外，晶片的电路形成部分没有被按压，并且因此可以防止晶片的凹凸部被破坏。此外，与使用现有技术的施加辊的情况不同，保护胶带在被施加至晶片的时候不会被牵拉，并且因此也可以防止在施加至晶片的保护胶带上产生残余应力。因此，当通过研磨晶片的后表面以减小晶片的厚度时，可以防止晶片由于保护胶带上的残余应力而翘曲或破裂。
如上所述，根据本发明，保护胶带可以被可靠地施加至凸块晶片。
附图说明
图1是用于示出施加装置的示意性构型的平面图。
图2是图1的胶带剥离部段的沿着线I-I截取的截面图。
图3是其上临时施加有保护胶带的基材的平面图。
图4是图3的沿着线II-II截取的截面图。
图5是用于示出将保护胶带从基材上剥离的步骤的说明性视图。
图6是用于示出将保护胶带从基材上剥离的步骤的说明性视图。
图7是用于示出将保护胶带从基材上剥离的步骤的说明性视图。
图8是用于示出第一对准装置的示意性构型的正视图。
图9是用于示出通过第一对准装置的图像拾取装置进行的图像拾取操作的说明性视图。
图10是用于示出第二对准装置的示意性构型的正视图。
图11是用于示出第二对准装置的示意性构型的侧视图。
图12是用于示出将保护胶带施加至晶片的步骤的说明性视图。
图13是用于示出将保护胶带施加至晶片的步骤的说明性视图。
图14是用于示出将保护胶带施加至晶片的步骤的说明性视图。
图15是用于示出将保护胶带施加至晶片的步骤的说明性视图。
图16是用于示出将保护胶带施加至晶片的步骤的说明性视图。
图17是用于示出将保护胶带施加至晶片的步骤的说明性视图。
图18是按压构件的仰视图。
图19各自为用于示出当保护胶带施加至晶片时按压构件的按压位置的说明性视图。
图20是用于示出加热台和输送台的示意性构型的正视图。
图21各自为放置在加热台上的其上安装有晶片的切割框架的局部放大截面图。
图22是用于示出对其上安装有晶片的切割框架进行加热的步骤的说明性视图。
图23是用于示出对其上安装有晶片的切割框架进行加热的步骤的说明性视图。
图24是用于示出对加热的切割框架进行容置的步骤的说明性视图。
图25是用于示出对加热的切割框架进行容置的步骤的说明性视图。
图26是用于示出对加热的切割框架进行容置的步骤的说明性视图。
图27是用于示出对加热的切割框架进行容置的步骤的说明性视图。
图28是用于示出对加热的切割框架进行容置的步骤的说明性视图。
图29是用于示出从加热的切割框架切割晶片的步骤的说明性视图。
图30是用于示出从加热的切割框架切割晶片的步骤的说明性视图。
图31是用于示出从加热的切割框架切割晶片的步骤的说明性视图。
图32是用于示出对从切割框架切割的晶片进行容置的步骤的说明性视图。
图33是用于示出对从切割框架切割的晶片进行容置的步骤的说明性视图。
图34是用于示出对被切割了晶片的切割框架进行容置的步骤的说明性视图。
图35是用于示出对被切割了晶片的切割框架进行容置的步骤的说明性视图。
具体实施方式
本发明的目的是，在用于将保护胶带施加至半导体晶片(下文中简称为“晶片”)的施加装置及施加方法中，在不使用施加辊的情况下将具有保护层的保护胶带可靠地施加至晶片(特别是凸块晶片)。
为了实现上述目的，本发明的施加装置包括：施加台，该施加台构造成支承晶片；胶带保持体，该胶带保持体能够保持保护胶带，并且该胶带保持体构造成将被保持的保护胶带供应到晶片上；以及按压构件，该按压构件构造成从上方按压保护胶带。按压构件包括保护层外周固位件，该保护层外周固位件构造成按压保护层——该保护层被层压在保护胶带上并具有比半导体晶片的外径小的外径——的周缘部分以将保护胶带施加至晶片。在本发明的接下来的实施方式中，主要针对胶带施加部段F来描述根据本发明的施加装置的特征。在下文中，参照附图描述本发明的实施方式，但是本发明不仅限于参照附图描述的实施方式。注意的是，在每个图中，为了便于理解，晶片W、切割框架DF、保护胶带PT、基材BM、保护层PL和压敏粘合剂层AL中每一者的厚度均以夸大的方式绘出。
图1是用于示意性地示出根据本实施方式的施加装置1的整体构型的平面图。施加装置1包括：胶带剥离部段A，该胶带剥离部段A构造成将临时施加至基材BM的保护胶带PT从基材BM剥离；胶带对准部段B，该胶带对准部段B构造成对保护胶带PT进行定位；晶片供应部段C，该晶片供应部段C构造成容置多个晶片W；晶片对准部段D，该晶片对准部段D构造成对晶片W进行定位；框架供应部段E，该框架供应部段E构造成容置多个切割框架DF；胶带施加部段F，该胶带施加部段F构造成将保护胶带PT施加至晶片W并通过保护胶带PT的中介作用将晶片W安装在切割框架DF上；加热部段G，该加热部段G构造成对安装在切割框架DF上的晶片W进行加热；以及框架容置部段H，该框架容置部段H构造成在晶片W被加热之后容置切割框架DF。
施加装置1还包括：构造成在每个部段中执行各种操作并在各部段之间输送保护胶带PT、晶片W、切割框架DF等的各种装置；以及构造成对各种装置的操作进行控制并对从各种装置接收的信号和数据进行处理的控制装置(未示出)。所述各种装置和控制装置布置在机器基座100上。控制装置可以由例如包括微计算机、存储器和HDD并具有由软件赋予的处理能力的计算机形成。
首先，如图1和图2中所示，为了将临时施加至基材BM的保护胶带PT从基材BM剥离，胶带剥离部段A包括胶带输送机构2、胶带输送单元3和剥离机构4。
胶带输送机构2构造成将临时施加至基材BM的保护胶带PT输送至剥离位置。胶带输送机构2包括：其上临时施加有保护胶带PT的基材BM的供应辊20；从其剥离了保护胶带PT的基材BM的回收辊21；以及多个导引辊22，所述多个导引辊22构造成导引基材BM。供应辊20构造成支承卷绕成辊形的基材BM。回收辊21构造成卷收基材BM。基材BM从供应辊20被给送以通过回收辊21的旋转驱动而被输送。
基材BM是例如经过离型处理的PET膜或卡板，并且基材BM从供应辊20被给送以呈带形形状被输送。如图1、图3和图4中所示，多个保护胶带PT——每个保护胶带PT提前被切割成圆形形状——沿着输送方向以预定间隔布置在基材BM的前表面上。在本实施方式中，保护胶带PT具有设定为比晶片W的外径大的外径。此外，保护胶带PT具有形成在一个表面上的圆形的保护层PL，该保护层PL具有比晶片W的外径小的外径(例如，比晶片W的直径小约2mm的直径)，并且保护胶带PT具有形成在保护层PL的周缘上的压敏粘合剂层AL。保护层PL通过加热而软化以遵循晶片W的凹凸部，从而与晶片W的凹凸部紧密接触。因此，当在随后的步骤中研磨晶片W的后表面时，晶片W被研磨成平坦的。此外，当保护层PL从已经经历了处理步骤、例如后表面研磨的晶片W剥离时，保护层PL可以从晶片W完全剥离而没有任何残留粘合。此外，保护胶带PT的位于外周侧的部分通过压敏粘合剂层AL的中介作用施加至晶片W的位于电路形成部分的外侧的外周边缘部分，并且当电路形成部分覆盖有保护层PL时，晶片W受到保护。
如图1和图2中所示，胶带输送单元3包括：胶带保持体30，该胶带保持体30能够保持保护胶带PT；以及保持体移动机构31，该保持体移动机构31构造成使胶带保持体30移动到被输送至剥离位置的保护胶带PT上。
胶带保持体30构造成从前表面侧保持由胶带输送机构2输送至剥离位置的保护胶带PT。在本实施方式中，胶带保持体30通过吸附来保持保护胶带PT，并且胶带保持体30由固定构件300形成，该固定构件300具有固定至固定构件300的多孔吸附构件301，例如，如图7和图8中所示。吸附构件301连接有减压泵(未示出)、例如真空泵，并且吸附构件301可以将保护胶带PT吸附并保持在吸附构件301的前表面上。在本实施方式中，吸附构件301具有基本等于(等于或稍微大于)保护胶带PT的外径的外径，并且通过吸附来保持保护胶带PT的整个表面。
如图1和图2中所示，保持体移动机构31包括：第一上下移动机构310,该第一上下移动机构310构造成使胶带保持体30在沿着竖向方向的Z方向(上下方向)上往复运动；往复运动机构(下文中称为“第一往复运动机构”)320，该往复运动机构320构造成使胶带保持体30在沿着水平表面的X方向(前后方向)上往复运动；以及往复运动机构(下文中称为“第二往复运动机构”)330，该往复运动机构330构造成使胶带保持体30在沿着水平表面且与X方向正交的Y方向(左右方向)上往复运动。
第一上下移动机构310构造成使胶带保持体30在胶带保持体30保持保护胶带PT的剥离位置(参见图6)与剥离位置上方的分离位置(参见图5)之间沿上下方向移动。对第一上下移动机构310没有特别的限制，只要第一上下移动机构310使胶带保持体30沿上下方向移动即可。
如图1和图2中所示，本实施方式的第一上下移动机构310包括：滚珠丝杠，该滚珠丝杠构造成驱动胶带保持体30往复运动；以及导引机构，该导引机构构造成对胶带保持体30的往复运动进行导引。滚珠丝杠和导引机构布置在支承框架317上。滚珠丝杠包括丝杠轴311、螺母构件312和滚珠(未示出)，并且螺母构件312通过连接构件313的中介作用连接至胶带保持体30。滚珠丝杠使用马达314作为驱动源，并且将马达314的向前及向后旋转转换成沿丝杠轴方向的往复线性运动以使胶带保持体30沿上下方向移动。导引机构包括沿上下方向延伸的一对左右导引导轨315和可滑动地安装在对应的导引导轨315上的一对左右滑动件316。所述一对导引导轨315和所述一对滑动件316布置成将滚珠丝杠夹在它们之间。所述一对滑动件316布置在连接构件313的垂直部分中，并且所述一对导引导轨315布置在支承框架317上。在导引机构中，滑动件316中的每个滑动件在对应的导引导轨315上滑动以辅助胶带保持体30在Z方向(上下方向)上直线地移动。
如图1和图2中所示，第一往复运动机构320构造成使胶带保持体30在X方向上往复运动。在胶带剥离部段A中，基材BM的输送方向沿X方向定向，并且第一往复运动机构320使胶带保持体30在基材BM的输送方向上往复运动，从而将胶带保持体30放置在剥离位置处。对第一往复运动机构320没有特别的限制，只要第一往复运动机构320使胶带保持体30在X方向上往复运动即可。本实施方式的第一往复运动机构320包括：导轨321，该导轨321形成在连接构件313的水平部分中并且沿X方向延伸；以及滑动件322，该滑动件322连接至支承构件32并且可滑动地安装在导轨321上。胶带保持体30可以利用驱动源(未示出)通过滑动件322的中介作用沿着导轨321在X方向上往复运动。
如图1和图2中所示，第二往复运动机构330使胶带保持体30在与X方向正交的Y方向上往复运动。在胶带剥离部段A中，Y方向与基材BM的输送方向交叉，并且第二往复运动机构330使胶带保持体30在Y方向上往复运动以将胶带保持体30放置在剥离位置处。此外，第二往复运动机构330使胶带保持体30在Y方向上往复运动以将胶带保持体30按所述顺序从胶带剥离部段A输送至胶带对准部段B并且输送至胶带施加部段F。对第二往复运动机构330没有特别的限制，只要第二往复运动机构330使胶带保持体30在Y方向上往复运动即可。本实施方式的第二往复运动机构330包括沿Y方向延伸的一对上下导轨331和可滑动地安装在对应的导轨331上的一对上下滑动件332。所述一对滑动件332布置在固定至支承框架317的支承构件333上，并且所述一对导轨331布置在直立地布置于机器基座100上的侧板101上。胶带保持体30可以利用驱动源(未示出)通过滑动件332的中介作用沿着导轨331在Y方向上往复运动。
如图1和图2中所示，剥离机构4构造成将基材BM从由胶带输送单元3的胶带保持体30保持的保护胶带PT剥离，并且剥离机构4包括剥离板40和构造成使剥离板40在基材BM的输送方向上往复运动的剥离板移动机构41。剥离板40在远端端部处具有尖锐的边缘，并且临时施加有保护胶带PT的基材BM在穿过剥离板40上的区域之后在剥离板40的远端端部处通过边缘而被迅速地折叠。剥离板40被支承在一对左右支承板42上。在所述一对支承板42之间可旋转地安放有一对前后导引辊43。在剥离板40的远端端部处通过边缘被折叠的基材BM由所述一对导引辊43进行导引，并且经由多个导引辊22被回收辊21卷收。
如图6和图7中所示，剥离板移动机构41构造成通过使剥离板40在剥离位置处沿与基材BM的输送方向相反的方向移动而将基材BM从由胶带保持体30保持的保护胶带PT剥离。对剥离板移动机构41没有特别的限制，只要剥离板移动机构41使剥离板40在基材BM的输送方向上往复运动即可。
如图1和图2中所示，本实施方式的剥离板移动机构41包括构造成驱动剥离板40往复运动的滚珠丝杠和构造成对剥离板40的往复运动进行导引的导引机构。滚珠丝杠包括丝杠轴410、螺母构件411和滚珠(未示出)，并且螺母构件411连接至支承板42，该支承板42构造成通过连接构件412的中介作用来支承剥离板40。滚珠丝杠使用马达413作为驱动源并将马达413的向前及向后旋转转换成在丝杠轴方向上的往复线性运动，以使剥离板40在X方向上往复运动。导引机构包括沿X方向延伸的一对左右导引导轨414和可滑动地安装在对应的导引导轨414上的一对左右滑动件415。所述一对导引导轨414和所述一对滑动件415布置成将剥离板40夹在它们之间。所述一对滑动件415布置在对应的支承板42上，并且所述一对导引导轨414布置在一对侧板102上。所述一对侧板102直立地布置在机器基座100上，使得以一定间隔彼此相对。在导引机构中，滑动件415中的每个滑动件在对应的导引导轨414上滑动以辅助剥离板40在X方向上直线地往复运动。
在胶带剥离部段A中，由胶带输送机构2输送至剥离位置的保护胶带PT的整个表面被胶带保持体30保持，并且在保护胶带PT的整个表面被胶带保持体30保持的状态下，基材BM通过剥离机构4剥离。然后，保持保护胶带PT的胶带保持体30通过保持体移动机构31按所述顺序被输送至胶带对准部段B并且输送至胶带施加部段F。
接下来，如图1中所示，胶带对准部段B包括第一对准装置5，以将从胶带剥离部段A输送的保护胶带PT在由胶带保持体30保持的同时进行定位。第一对准装置5构造成通过对保护胶带PT的保护层PL的外周边缘部分进行检测来将保护胶带PT定位。
如图8中所示，第一对准装置5包括：图像拾取装置50，该图像拾取装置50用于对保护层PL的外周边缘部分进行成像；照射装置51，该照射装置51用于对保护层PL的外周边缘部分的将由图像拾取装置50成像的部分进行照射；以及图像拾取装置移动机构52，该图像拾取装置移动机构52构造成使图像拾取装置50在沿着水平表面的X方向和与X方向正交的Y方向上往复运动。
作为图像拾取装置50，例如使用CCD相机或C-MOS相机。为了对保护层PL的外周边缘部分的多个部分(优选地为四个部分)进行成像，可以将多个图像拾取装置50布置在与保护层PL的外周边缘部分相对应的同心形状中的多个部分处。然而，在本实施方式中，如图9中所示，保护层PL的外周边缘部分的多个部分(图9中为四个部分)利用一个图像拾取装置50通过利用图像拾取装置移动机构52使所述一个图像拾取装置50移动来成像。当图像拾取装置50对保护层PL的外周边缘部分的多个部分成像时，图像拾取装置50将其图像数据输出至控制装置(未示出)。
此外，如图8中所示，图像拾取装置50由垂直导轨54支承，该垂直导轨54通过升高及降低构件55的中介作用直立地布置在支承基座53上。图像拾取装置50可以以通过使用缸式件等使升高及降低构件55沿上下方向(Z方向)移动的方式而被升高及降低。
如图8中所示，照射装置51由直立地布置在支承基座53上的导引件56支承，以通过使用适当的驱动装置(未示出)而向上及向下移动。照射装置51包括发光部分510、例如发光二极管作为光源，并且照射装置51使发光部分510固定在导光构件511中。照射装置51执行环形照射以用于发射呈环形形状的光，并且照射装置51具有例如以圆周形状布置的多个发光部分510。
如图8中所示，图像拾取装置移动机构52包括：往复运动机构(下文中称为“第三往复运动机构”)520，该往复运动机构520构造成使图像拾取装置50在沿着水平表面的X方向上往复运动；以及往复运动机构(下文中称为“第四往复运动机构”)530，该往复运动机构530构造成使图像拾取装置50在沿着水平表面且与X方向正交的Y方向上往复运动。
对第三往复运动机构520没有特别的限制，只要第三往复运动机构520使图像拾取装置50在X方向上往复运动即可。本实施方式的第三往复运动机构520包括构造成驱动图像拾取装置50在X方向上往复运动的滚珠丝杠和构造成对图像拾取装置50在X方向上的往复运动进行导引的导引机构。滚珠丝杠包括丝杠轴521、螺母构件522和滚珠(未示出)，并且螺母构件522连接至支承板53，该支承板53构造成通过连接构件523的中介作用来支承图像拾取装置50。滚珠丝杠使用马达(未示出)作为驱动源，并且将马达的向前及向后旋转转换成在丝杠轴方向上的往复线性运动以使图像拾取装置50在X方向上往复运动。导引机构包括沿X方向延伸的一对左右导引导轨524和可滑动地安装在对应的导引导轨524上的一对左右滑动件525。所述一对导引导轨524和所述一对滑动件525布置成将滚珠丝杠夹在它们之间。滑动件525中的每个滑动件布置在连接构件523上，并且导引导轨524中的每个导引导轨布置在沿Y方向延伸的支承板526上。在导引机构中，滑动件525中的每个滑动件在对应的导引导轨524上滑动以辅助图像拾取装置50在X方向上直线地往复运动。
对第四往复运动机构530没有特别的限制，只要第四往复运动机构530使图像拾取装置50在Y方向上往复运动即可。本实施方式的第四往复运动机构530包括构造成驱动图像拾取装置50在Y方向上往复运动的滚珠丝杠和构造成对图像拾取装置50在Y方向上的往复运动进行导引的导引机构。滚珠丝杠包括丝杠轴531、螺母构件532和滚珠(未示出)，并且螺母构件532连接至支承板53，该支承板53构造成通过支承板526和连接构件523的中介作用来支承图像拾取装置50。滚珠丝杠使用马达533作为驱动源，并将马达533的向前及向后旋转转换成在丝杠轴方向上的往复线性运动以使图像拾取装置50在Y方向上往复运动。导引机构包括沿Y方向延伸的一对左右导引导轨534和可滑动地安装在对应导引导轨534上的多对左右滑动件535。所述一对导引导轨534和所述一对滑动件535布置成将滚珠丝杠夹在它们之间。滑动件535中的每个滑动件布置在支承板526上，并且导引导轨534中的每个导引导轨布置在沿Y方向延伸的支承框架536上。在导引机构中，滑动件535中的每个滑动件在对应的导引导轨534上滑动以辅助图像拾取装置50在Y方向上直线地往复运动。
在胶带对准部段B中，图像拾取装置50对保护层PL的外周边缘部分的多个部分进行成像。控制装置(未示出)处理从图像拾取装置50获取的图像数据，以获得保护层PL的外周边缘部分的所述多个部分上的位置信息，从而由此计算保护层PL的中心位置。然后，控制装置(未示出)将保护层PL的中心位置与保护层PL的中心的预定参考位置进行比较，并且基于中心位置与参考位置之间的位置移位量来控制保持体移动机构31，从而由此修正胶带保持体30在X方向和Y方向上的位置并使保护层PL的中心与参考位置对准。经过定位的保护胶带PT在被胶带保持体30保持的状态下通过保持体移动机构31输送至胶带施加部段F。
接下来，如图1中所示，晶片供应部段C包括能够以堆叠状态容置多个晶片W的容置盒10。容置盒10可以通过使用升高及降低机构(未示出)、例如升降机机构而被升高及降低。在晶片供应部段C中，容置盒10在每次通过第一晶片输送机构7取出晶片W时被升高及降低，并且多个晶片W连续供应至第一晶片输送机构7。
如图1中所示，在本实施方式中，第一晶片输送机构7是机械臂，并且包括关节臂70和形成在臂70的远端端部处的手状件71。臂70包括彼此可枢转地联接的多个连杆72，并且位于近端端部处的连杆72可枢转地联接至轴73。在本实施方式中，手状件71是能够通过吸附来保持晶片W的吸附型手状件。手状件71通过吸附晶片W的前表面来保持晶片W，并且手状件71构造成吸附晶片W的前表面的在其中未形成图案的外周部分。在第一晶片输送机构7中，晶片W通过手状件71被一个接一个地从晶片供应部段C中连续取出，并且然后，被手状件71保持的晶片W通过臂70的伸展和收缩以及枢转按照所述顺序被输送并供应至晶片对准部段D和胶带施加部段F。作为手状件71，可以使用能够以非接触的方式保持晶片W的非接触手状件。
接下来，如图1中所示，晶片对准部段D包括第二对准装置8以对由第一晶片输送机构7输送的晶片W进行定位。第二对准装置8构造成通过检测晶片W的外周边缘部分来定位晶片W。
如图10和图11中所示，第二对准装置8包括：旋转台80，该旋转台80具有比晶片W的直径小的直径；旋转驱动机构81，该旋转驱动机构81构造成使旋转台80旋转；台移动机构82，该台移动机构82构造成使旋转台80在沿着水平表面的X方向和与X方向正交的Y方向上往复运动；照射装置83，该照射装置83用于利用红光从晶片W的一个表面侧(在所示示例中为下侧)对晶片W进行照射；以及图像拾取装置84，该图像拾取装置84用于在晶片W的另一个表面侧(在所示示例中为上侧)对晶片W进行成像。
旋转台80构造成将晶片W放置并保持在旋转台80的上表面上。在本实施方式中，旋转台80构造成通过吸附来保持晶片W。旋转台80由支承框架801通过旋转轴800的中介作用被可旋转地支承。
对旋转驱动机构81没有特别的限制，只要旋转驱动机构81使旋转台80旋转即可。本实施方式的旋转驱动机构81包括用作驱动源的马达810、连接至马达810的驱动带轮811、安装在旋转轴800上的从动带轮812、以及在驱动带轮811与从动带轮812之间拉伸的带813。这些部件布置在支承框架801上。
台移动机构82包括构造成使旋转台80在沿着水平表面的X方向上往复运动的往复运动机构(下文中称为“第五往复运动机构”)820和构造成使旋转台80在沿着水平表面并与X方向正交的Y方向上往复运动的往复运动机构(下文中称为“第六往复运动机构”)830。
对第五往复运动机构820没有特别的限制，只要第五往复运动机构820使旋转台80在X方向上往复运动即可。本实施方式的第五往复运动机构820包括构造成驱动旋转台80在X方向上往复运动的滚珠丝杠和构造成对旋转台80在X方向上的往复运动进行导引的导引机构。滚珠丝杠包括丝杠轴821、螺母构件822和滚珠(未示出)，并且螺母构件822连接至构造成支承旋转台80的支承框架801。滚珠丝杠使用马达823作为驱动源，并将马达823的向前及向后旋转转换成在丝杠轴方向上的往复线性运动以使旋转台80在X方向上往复运动。导引机构包括沿X方向延伸的导引导轨824和可滑动地安装在导引导轨824上的一对滑动件825。滑动件825中的每个滑动件布置在支承框架801上，并且导引导轨824布置在支承基座802上。在导引机构中，滑动件825中的每个滑动件在对应的导引导轨824上滑动以辅助旋转台80在X方向上直线地往复运动。
对第六往复运动机构830没有特别的限制，只要第六往复运动机构830使旋转台80在Y方向上往复运动即可。本实施方式的第六往复运动机构830包括构造成驱动旋转台80在Y方向上往复运动的滚珠丝杠和构造成对旋转台80在Y方向上的往复运动进行导引的导引机构。滚珠丝杠包括丝杠轴831、螺母构件832和滚珠(未示出)，并且螺母构件832连接至支承框架801，该支承框架801构造成通过支承基座802的中介作用支承旋转台80。滚珠丝杠使用马达833作为驱动源，并将马达833的向前及向后旋转转换成在丝杠轴方向上的往复线性运动以使旋转台80在Y方向上往复运动。导引机构包括沿Y方向延伸的导引导轨834和可滑动地安装在导引导轨834上的一对滑动件835。滑动件835中的每个滑动件布置在支承基座802上，并且导引导轨834布置在支承基座803上。在导引机构中，滑动件835中的每个滑动件在对应的导引导轨834上滑动以辅助旋转台80在Y方向上直线地往复运动。
照射装置83由支承板804支承在旋转台80的下部位置处。照射装置83具有形成为比晶片W的外形大的外形，并且照射装置83构造成以环形形状发射红光。优选的是，将被发射的红光具有约580nm至约680nm的波长区域，并且使用具有630nm的峰值波长的红光。通过使用具有约580nm至约680nm的波长区域的红光，红光被晶片W阻挡，而与晶片W的材料无关。因此，晶片W的外周边缘部分可以通过对由图像拾取装置84对红光的接收状态进行确认而被精确地检测。照射装置83包括发光部分(未示出)、例如红色发光二极管作为光源，并且照射装置83具有例如以圆周形状布置的多个发光部分。
作为图像拾取装置84，例如使用CCD相机或C-MOS相机。图像拾取装置84布置在旋转台80的旋转轴800上以整体地对晶片W的外周边缘部分进行成像。图像拾取装置84包括滤光器840。滤光器840具有仅透射红光而不透射除具有红光的波长区域的光以外的光的特征，照射装置83利用进入图像拾取装置84的可见光中的红光照射晶片W。作为滤光器840，可以优选使用阻挡具有600nm或更小的波长的光的过滤器。图像拾取装置84构造成对晶片W的外周边缘部分成像并且将晶片W的外周边缘部分的图像信号输出至控制装置(未示出)。
在晶片对准部段D中，在旋转台80使晶片W旋转并且照射装置83利用红光照射晶片W时，图像拾取装置84对晶片W的外周边缘部分成像，并且控制装置(未示出)处理从图像拾取装置84获取的图像数据以检测晶片W的外周边缘部分，从而由此计算晶片W的中心位置。然后，控制装置(未示出)将晶片W的中心位置与晶片W的中心的预定参考位置进行比较，并且基于中心位置与参考位置之间的位置移位量来控制台移动机构82，从而由此修正旋转台80在X方向和Y方向上的位置并且使晶片W的中心与参考位置对准。经过定位的晶片W通过第一晶片输送机构7被输送至胶带施加部段F。
接下来，如图1和图2中所示，框架供应部段E包括能够以堆叠状态容置多个切割框架DF的容置盒11。容置盒11可以通过使用升高及降低机构(未示出)、例如升降机机构使切割框架DF中的每个切割框架升高及降低。在框架供应部段E中，切割框架DF在每次将切割框架DF取出至第一输送臂9A时被升高及降低，使得多个切割框架DF被连续地供应至第一输送臂9A。优选的是，通过适当的定位装置提前将切割框架DF定位。
如图1中所示，第一输送臂9A可以利用驱动源(未示出)沿着在Y方向上延伸的导轨103在框架供应部段E与胶带施加部段F之间往复运动。导轨103安放在机器基座100上。第一输送臂9A可以通过吸附来保持切割框架DF，并且第一输送臂9A包括多个吸附部分90、例如吸附垫。第一输送臂9A利用吸附部分90从框架供应部段E一个接一个地将切割框架DF连续取出，然后将切割框架DF输送并供应至胶带施加部段F。
接下来，如图1中所示，胶带施加部段F包括真空腔室6以在减压状态下将保护胶带PT施加至晶片W并且通过保护胶带PT的中介作用将晶片W安装在切割框架DF上。如图12至图17中所示，在真空腔室6中，布置有：施加台60，该施加台60构造成支承晶片W；框架基座61，该框架基座61构造成支承其上安装有晶片W的切割框架DF；以及按压构件62，该按压构件62构造成对由胶带保持体30从上方供应至晶片W的保护胶带PT进行按压。
真空腔室6包括固定至机器基座100的下腔室6B和在下腔室6B上布置成向上及向下移动的上腔室6A，并且上腔室6A和下腔室6B组合以形成真空腔室6。施加台60和框架基座61布置在下腔室6B中，并且按压构件62布置在上腔室6A中。
如图17中所示，上腔室6A由支承板63通过多个导引构件64的中介作用而支承为向上及向下移动。此外，上腔室6A连接有布置在支承板63上的升高及降低缸式件65的缸式件轴650，并且通过升高及降低缸式件65的驱动，上腔室6A在联接位置与分离位置之间沿上下方向移动，在该联接位置处，上腔室6A与下腔室6B组合，该分离位置位于下腔室6B上方。
此外，上腔室6A连接有真空适配器66，并且真空适配器66连接至减压泵(未示出)、例如真空泵。当上腔室6A与下腔室6B组合以形成真空腔室6时，真空腔室6可以通过从真空适配器66排气进入减压状态。此外，真空腔室6中的减压状态可以以通过真空适配器66引入空气的方式被取消。真空腔室6还可以通过对真空腔室6进行减压并且然后将诸如氩气或氮气之类的惰性气体引入真空腔室6中而进入惰性气体气氛。
如图12至图17中所示，施加台60具有形成在施加台60的上表面上的多孔的吸附构件600。吸附构件600使其与减压泵、例如真空泵连接，并且因此吸附构件600可以将晶片W吸附并保持在吸附构件600的上表面上。晶片W通过第一晶片输送机构7被放置在施加台60上。
施加台60可以在支承晶片W的同时通过升高及降低机构67在下腔室6B中被升高及降低。对升高及降低机构67没有特别的限制，只要升高及降低机构67使施加台60升高及降低即可。如图12至图17中所示，本实施方式的升高及降低机构67包括：导引构件670，该导引构件670构造成支承施加台60使得施加台60可以相对于下腔室6B被升高及降低；支承板671，导引构件670固定至该支承板671；滚珠丝杠，该滚珠丝杠包括丝杠轴672、螺母构件673和滚珠(未示出)；马达674，该马达674构造成驱动滚珠丝杠；驱动带轮675，该驱动带轮675连接至马达674；从动带轮676，该从动带轮676安装在丝杠轴672上；以及带677，该带677在驱动带轮675与从动带轮676之间拉伸。支承板671连接至螺母构件673，并且升高及降低机构67利用滚珠丝杠将马达674的向前及向后旋转转换成在丝杠轴方向上的往复线性运动以使施加台60升高及降低。施加台60通常以预定间隔定位在框架基座61的下方。
如图12至图17中所示，框架基座61定位成在施加台60的外侧围绕施加台60。框架基座61具有环状形状，并且施加台60可以在被升高及降低时穿过框架基座61的开口。切割框架DF通过第一输送臂9A被放置在框架基座61上并通过适当的固定装置(未示出)固定至框架基座61。此外，保护胶带PT通过胶带保持体30被放置在切割框架DF上以被供应至晶片W。
如图12至图19中所示，为了将保护胶带PT施加至晶片W和切割框架DF，按压构件62包括：保护层外周固位件620，该保护层外周固位件620构造成对保护胶带PT的保护层PL的周缘部分进行按压以将保护胶带PT施加至晶片W；胶带外周固位件621，该胶带外周固位件621构造成对保护胶带PT的外周边缘部分进行按压以将保护胶带PT施加至切割框架DF；以及弹性构件622，该弹性构件622构造成支承胶带外周固位件621使得胶带外周固位件621可以在上下方向上移位。
保护层外周固位件620具有环形形状，并且保护层外周固位件620具有设定为比保护胶带PT的保护层PL的外径大的外径。作为保护层外周固位件620，例如可以使用氟橡胶或表面经过氟处理的橡胶材料。保护层外周固位件620由第一保持件624保持。第一保持件624固定至支承盘623，并且保护层外周固位件620配装在形成于环形形状的凸形部分625中的环状凹形部分中，该环形形状的凸形部分625形成在外周边缘部分上。
胶带外周固位件621具有环形形状，并且具有设定为与保护胶带PT的外径基本相等的外径。胶带外周固位件621可以由例如硅树脂制成。胶带外周固位件621由第二保持件626保持。第二保持件626由环状的板材形成，并且胶带外周固位件621固定至形成在第二保持件626的外周边缘部分中的环状凹槽。
此外，第二保持件626由固定至支承盘623的多个安装构件627通过使用弹性构件622、例如弹簧来支承。这样，当胶带外周固位件621按压保护胶带PT的外周边缘部分以将保护胶带PT施加至切割框架DF时，胶带外周固位件621的按压力可以形成为恒定的。
按压构件62可以通过第二上下移动机构68在上腔室6A中向上及向下移动。对第二上下移动机构68没有特别的限制，只要第二上下移动机构68使按压构件62沿上下方向移动即可。本实施方式的第二上下移动机构68包括：导引构件680，该导引构件680构造成支承按压构件62使得按压构件62可以相对于上腔室6A向上及向下移动；升高及降低板681，导引构件680固定至该升高及降低板681；升高及降低缸式件682，所述升高及降低缸式件682布置在上腔室6A上，并且升高及降低缸式件682各自具有连接至升高及降低板681的缸式件轴683；以及导引机构，该导引机构构造成对按压构件62的上下运动进行导引，并且该导引机构包括多个导引导轨684和多个滑动件685。导引导轨684在上腔室6A上布置成沿上下方向延伸，并且滑动件685布置在升高及降低板681上并且可滑动地安装在对应的导引导轨684上。第二上下移动机构68构造成利用升高及降低缸式件682来驱动按压构件62的上下运动并且利用导引机构对按压构件62的上下运动进行导引。
在胶带施加部段F中，在真空腔室6中的减压状态下，晶片W的电路形成部分以下述方式覆盖有保护层PL：通过使用按压构件62的保护层外周固位件620、通过压敏粘合剂层AL的中介作用将保护胶带PT的保护层PL的周缘部分施加至晶片W的外周边缘部分。此外，晶片W通过保护胶带PT的中介作用以下述方式安装在切割框架DF上：通过使用按压构件62的胶带外周固位件621、通过压敏粘合剂层AL的中介作用将保护胶带PT的外周边缘部分施加至切割框架DF(参见图21(a))。其上安装有晶片W的切割框架DF通过第二输送臂9B被输送至加热部段G。
如图1中所示，第二输送臂9B可以利用驱动源(未示出)沿着在Y方向上延伸的导轨103在胶带施加部段F与加热部段G之间往复运动。第二输送臂9B可以通过吸附保持切割框架DF，并且第二输送臂9B以与第一输送臂9A中相同的方式包括多个吸附部分90、例如吸附垫。第二输送臂9B利用吸附部分90从胶带施加部段F取出其上安装有晶片W的切割框架DF，并且然后将切割框架DF输送并供应至加热部段G。
如图1中所示，加热部段G包括：加热台12，该加热台12构造成对切割框架DF进行加热；反转臂13，该反转臂13构造成保持切割框架DF并使所保持的切割框架DF竖向反转；以及输送台14，该输送台14构造成将切割框架DF在被加热之后输送至框架容置部段H。
如图20中所示，加热台12使得切割框架DF能够被放置在加热台12的上表面上并利用适当的固定装置(未示出)固定至加热台12。在加热台12的上表面的中央区域上形成有圆形的凸形部分121，并且切割框架DF被放置在加热台12上并固定至加热台12，使得晶片W定位在凸形部分121上，如图21(a)中所示。加热台12包含加热器120，并且保护胶带PT通过加热器120被加热。
加热台12由台基座122支承，该台基座122在其中具有空间。台基座122可以通过一对滑动件123的中介作用在一对导轨104上行进，所述一对导轨104安放在机器基座100上并且在X方向上延伸。加热台12可以通过使用例如马达124和滚珠丝杠125作为驱动源沿着导轨104在X方向上往复运动。
如图1中所示，反转臂13可以通过吸附来保持切割框架DF，并且反转臂13包括多个吸附部分130、例如吸附垫。反转臂13由支承框架131支承，使得通过使用驱动源(未示出)在上下方向上移动。支承框架131可以通过滑动件(未示出)的中介作用在导轨105上行进，该导轨105安放在机器基座100上并且在X方向上延伸，并且反转臂13可以利用驱动源(例如，马达和滚珠丝杠)(未示出)沿着导轨105在X方向上往复运动。
此外，反转臂13连接有马达132，并且反转臂13通过马达132的驱动而旋转。当反转臂13倒置成吸附部分130向上面对时，反转臂13可以从第二输送臂9B接收由第二输送臂9B输送的切割框架DF(参见图22)。在从第二输送臂9B接收切割框架DF之后，反转臂13沿法线方向旋转成吸附部分130向下面对。这样，反转臂13可以在保护胶带PT用作下表面的状态下将切割框架DF放置在加热台12上(参见图23)。
如图1和图20中所示，输送台14使得切割框架DF能够放置在输送台14的上表面上，并且输送台14构造成将在加热部段G中被加热的切割框架DF输送至框架容置部段H。输送台14由直立地布置在支承基座140上的多个支承柱141支承。输送台14可以通过布置在支承基座140上的一对滑动件142的中介作用在一对导轨106上行进，所述一对导轨106安放在机器基座100上并在X方向上延伸，并且输送台14可以通过使用例如马达143和滚珠丝杠144作为驱动源而沿着导轨106在X方向上往复运动。此外，输送台14可以穿过台基座122的内部空间。
在加热部段G中，保护胶带PT由加热台12加热到例如100℃持续约1分钟以使保护层PL软化，如图21(b)中所示，并且保护层PL被嵌入在晶片W的电路形成部分中的凹凸部中，以与所述凹凸部紧密接触。然后，切割框架DF通过输送台14被输送至框架容置部段H。
接下来，如图1中所示，框架容置部段H包括能够以堆叠状态容置多个切割框架DF的容置盒15。容置盒15可以通过使用升高及降低机构(未示出)、例如升降机机构被升高及降低。在框架容置部段H中，容置盒15在每次容置切割框架DF时被升高及降低，使得多个切割框架DF被连续地容置。
此外，如图1中所示，框架容置部段H包括一对输送导轨16和框架推动器17，所述一对输送导轨16连接至容置盒15，该框架推动器17沿着与输送导轨16平行的导轨107往复运动。
框架推动器17可以通过滑动件170的中介作用在导轨107上行进，导轨107安放在机器基座100上并在X方向上延伸，并且框架推动器17可以利用驱动源(例如，马达和滚珠丝杠)(未示出)沿着导轨107在X方向上往复运动。此外，框架推动器17被支承成通过使用驱动源(未示出)在上下方向上移动。当框架推动器17将移动至输送导轨16附近的输送台14上的切割框架DF朝向容置盒15推动时，切割框架DF从输送导轨16被输送至容置盒15并被容置在容置盒15中。
接下来，对将保护胶带PT施加至晶片W的施加方法进行描述。
首先，在施加操作之前，通过第一晶片输送机构7从图1中所示的晶片供应部段C取出晶片W，并且然后将晶片W输送至晶片对准部段D以放置在旋转台80上。
在晶片对准部段D中，将晶片W对准。首先，使晶片W在被支承在旋转台80上的同时旋转，并且在通过照射装置83利用红光从晶片W的一个表面侧照射晶片W的状态下，通过图像拾取装置84从晶片W的另一个表面侧对晶片W进行成像。基于由图像拾取装置84对红光的接收状态来检测晶片W的外周边缘部分，并且计算晶片W的中心位置。使晶片W经过位置调整以将晶片W的中心定位在预定的参考位置处。然后，通过第一晶片输送机构7将定位后的晶片W从旋转台80输送至胶带施加部段F，并且将晶片W在如图13中所示的那样定位在下腔室6B中的施加台60上的状态下放置在施加台60上并固定至施加台60。在这种情况下，使放置在施加台60上的晶片W的中心位置与将放置在稍后描述的框架基座61上的切割框架DF的中心位置匹配。
此外，通过第一输送臂9A从图1中所示的框架供应部段E取出切割框架DF，并且然后将切割框架DF输送至胶带施加部段F以放置在下部腔室6B中的框架基座61上并固定至框架基座61，如图13中所示。
此外，在图1中所示的胶带剥离部段A中，通过胶带输送机构2将临时施加至基材BM的保护胶带PT输送至剥离位置，并且使胶带保持体30如图5中所示的那样移动到输送至剥离位置的保护胶带PT上，使得胶带保持体30保持保护胶带PT。然后，如图6和图7中所示，使剥离板40移动以从由胶带保持体30保持的保护胶带PT剥离基材BM。此后，将从基材BM剥离的保护胶带PT在由胶带保持体30保持的同时输送至胶带对准部段B。
在胶带对准部段B中，将保护胶带PT对准。首先，在保护胶带PT由胶带保持体30保持的状态下，通过图像拾取装置50对保护胶带PT的保护层PL的外周边缘部分的多个部分(优选地为四个部分)进行成像。基于由图像拾取装置50获得的图像数据来计算保护层PL的外周边缘部分的所述多个部分的位置信息，并且计算保护层PL的中心位置。使保护胶带PT经过位置调整以将保护层PL的中心定位在预定的参考位置处。然后，将经定位的保护胶带PT在被胶带保持体30保持的同时输送至胶带施加部段F，如图12中所示，并且将保护胶带PT放置在下腔室6B中的切割框架DF上，如图13中所示。在这种情况下，使放置在框架基座61上的切割框架DF的中心位置与放置在切割框架DF上的保护胶带PT的保护层PL的中心位置匹配。
接下来，在胶带施加部段F中，将保护胶带PT施加至晶片W。首先，当保护胶带PT被供应到晶片W的上方如图13中所示的那样时，使上腔室6B向下移动以与下腔室6B组合以形成真空腔室6，如图14中所示。然后，通过真空适配器66对真空腔室6减压以使真空腔室6进入预定的减压状态。此时，使施加台60升高以使晶片W与保护胶带PT接触，并且使按压构件62向下移动以从上方按压保护胶带PT，如图15中所示。在这种情况下，当保护胶带PT的保护层PL的周缘部分被按压构件62的保护层外周固位件620按压时，压敏粘合剂层AL被施加至晶片W的外周边缘部分。当保护胶带PT的外周边缘部分被按压构件62的胶带外周固位件621按压时，保护胶带PT通过压敏粘合剂层AL的中介作用而被施加至切割框架DF。这样，晶片W的前表面上的电路(凹凸部)被保护层PL覆盖，并且晶片W通过保护胶带PT的中介作用被安装在切割框架DF上。在使真空腔室6进入大气压状态后，使上腔室6B向上移动以释放下腔室6B，如图16中所示，并且通过第二输送臂9B将其上安装有晶片W的切割框架DF输送至加热部段G，如图17中所示。
接下来，在加热部段G中，对其上安装有晶片W的切割框架DF进行加热。首先，如图22中所示，倒置的反转臂13从第二输送臂9B接收切割框架DF。此后，如图23中所示，通过使反转臂13旋转而使切割框架DF竖向反转，并且在保护胶带PT用作下表面的状态下将切割框架DF放置在加热台12上。然后，通过容纳在加热台12中的加热器120对保护胶带PT进行加热以使保护层PL软化，并且使保护层PL与晶片W的电路形成部分中的凹凸部紧密接触。这样，保护胶带PT至晶片W的施加被完成，并且晶片W在切割框架DF上的安装也被完成。然后，如图24至图26中所示，使第二输送臂9B移动到切割框架DF上方，并且由第二输送臂9B保持切割框架DF。此后，将切割框架DF从加热台12抬起，并且使输送台14移动到第二输送臂9B下方以替代加热台12。然后，将切割框架DF放置在输送台14上。如图27中所示，通过输送台14将切割框架DF输送至框架容置部段H。
最后，在框架容置部段H中，如图28中所示，通过框架推动器17将其上安装有晶片W的切割框架DF从输送台14经由输送导轨16容置在容置盒15中。
如上所述，在具有上述构型的施加装置1和施加方法的情况下，在胶带施加部段F中，保护胶带PT的保护层PL的周缘部分在减压状态下利用按压构件62的保护层外周固位件620被施加至晶片W的外周边缘部分。这样，保护胶带PT可以通过保护层PL的中介作用正确地施加至晶片W，使得在保护胶带PT或保护层PL上不形成气泡和折痕。因此，可以防止气泡残留在晶片W的凹凸部中。因此，当保护胶带PT的保护层PL在保护胶带PT施加至晶片W之后通过加热软化并且保护层PL被嵌入在晶片W的电路形成部分中的凹凸部中时，保护层PL可以可靠地与晶片W的凹凸部紧密接触而没有气泡和折痕。
另外，晶片W的电路形成部分未被按压，并且因此可以防止晶片W的凹凸部被破坏。此外，与使用现有技术的施加辊的情况不同，保护胶带PT在被施加至晶片W的时候不会被牵拉，并且因此还可以防止在被施加至晶片W的保护胶带PT上产生残余应力。因此，当通过研磨晶片W的后表面以减小晶片W的厚度时，可以防止晶片W由于保护胶带PT上的残余应力而翘曲或破裂。
此外，在具有上述构型的施加装置1和施加方法的情况下，在胶带施加部段F中，保护胶带PT的外周边缘部分利用按压构件62的胶带外周固位件621施加至切割框架DF。这样，在保护胶带PT施加至晶片W的同时，晶片W可以通过保护胶带的中介作用被安装在切割框架DF上，并且因此可以提高工作效率和生产率。
如上所述，根据本发明的一个实施方式，可以提供用于将保护胶带施加至半导体晶片的施加装置和施加方法，在所述施加装置和施加方法中，保护胶带PT可以被可靠地施加至晶片W(特别是凸块晶片)。
以上描述了本发明的实施方式。然而，本发明不限于此，并且在不脱离本发明的精神的情况下可以做出各种改型。
例如，在上述实施方式中，在加热部段G中被加热的切割框架DF被输送至框架容置部段H并被容置在容置盒15中。然而，可以采用以下构型。也就是说，加热的切割框架DF通过输送台14被输送至图1中所示的胶带切割部段I，并且施加至切割框架DF的保护胶带PT通过使用切割器单元18被沿着晶片W的外形切割。此后，与切割框架DF分离的具有保护胶带PT的晶片W通过第二晶片输送机构19输送并被容置在晶片容置部分(未示出)中或被容置在容置盒10中的开口部分中。现在，参照图29至图35具体描述该构型。
首先，在图25中，通过第二输送臂9B将加热的切割框架DF从加热台12中取出，并且倒置的反转臂13从第二输送臂9B接收切割框架DF。此后，通过旋转反转臂13而使切割框架DF竖向反转，并且在晶片W用作下表面(参见图29)的状态下将切割框架DF放置在输送台14上。然后，如图30中所示，通过输送台14将切割框架DF输送到胶带切割部段I的切割器单元18下方。在本实施方式中，输送台14的上表面适当地形成为与晶片W的厚度相符合的凸形形状。
切割器单元18构造成通过使用驱动源(未示出)在用于切割保护胶带PT的切割位置与位于切割位置上方的分离位置之间沿上下方向移动。此外，切割器单元18包括切割器180、构造成支承切割器180的支承板181以及构造成驱动切割器180旋转的马达182。
在胶带切割部段I中，如图31中所示，当输送切割框架DF时，切割器单元18向下移动，并且切割器180旋转以沿着晶片W的外形切割保护胶带PT。然后，如图32中所示，切割器单元18向上移动以缩回至分离位置，并且第二晶片输送机构19移动到输送台14上。
在本实施方式中，第二晶片输送机构19构造成通过使用驱动源(未示出)在胶带切割部段I与晶片对准部段D之间在Y方向上往复运动。此外，第二晶片输送机构19包括能够例如通过吸附来保持晶片W的吸附手状件190和构造成使吸附手状件190沿上下方向移动的缸式件191。
当沿着晶片W的轮廓切割施加至切割框架DF的保护胶带PT时，吸附手状件190向下移动以吸附输送台14上的与切割框架DF分离的具有保护胶带PT的晶片W。然后，如图33中所示，在吸附手状件190向上移动之后，通过吸附手状件190将具有保护胶带PT的晶片W输送至晶片对准部段D以放置在旋转台80上。然后，通过第一晶片输送机构7将放置在旋转台80上的具有保护胶带PT的晶片W输送并容置在晶片容置部分(未示出)或容置盒10的开口部分中。
同时，通过输送台14将其与晶片W分离的切割框架DF输送至框架容置部段H，如图34中所示，并且通过框架推动器17将切割框架DF从输送台14经由输送导轨16容置在容置盒15中，如图35中所示。
具有上述构型的施加装置1可以连接至后表面研磨装置等，使得安装在切割框架DF上的晶片W或其上施加有保护胶带PT的晶片W被直接供应至后表面研磨装置等。
附图标记说明
1 施加装置
6 真空腔室
6A 上腔室
6B 下腔室
30 胶带保持体
60 施加台
61 框架基座
62 按压构件
620 保护层外周固位件
621 胶带外周固位件
622 弹性构件
W 晶片
BM 基材
PT 保护胶带
PL 保护层
DF 切割框架

Claims (8)

1.一种用于将保护胶带施加至半导体晶片的施加装置，所述施加装置包括：
施加台，所述施加台构造成支承所述半导体晶片；
胶带保持体，所述胶带保持体能够保持所述保护胶带，并且所述胶带保持体构造成将由所述胶带保持体保持的所述保护胶带供应到所述半导体晶片上；以及
按压构件，所述按压构件构造成从上方按压所述保护胶带，
所述按压构件包括保护层外周固位件，所述保护层外周固位件构造成按压保护层的周缘部分，以将所述保护胶带施加至所述半导体晶片，其中，所述保护层被层压在所述保护胶带上并具有比所述半导体晶片的外径小的外径。
2.根据权利要求1所述的用于施加保护胶带的施加装置，
其中，所述施加台布置在下腔室中以被升高及降低，并且
其中，所述按压构件布置在与所述下腔室一起形成真空腔室的上腔室中以在上下方向上往复运动。
3.根据权利要求1或2所述的用于施加保护胶带的施加装置，
其中，在所述下腔室中的所述施加台的周缘上布置有框架基座，所述框架基座构造成对安装有所述半导体晶片的切割框架进行支承，
其中，所述保护胶带被供应到所述切割框架上，并且
其中，所述按压构件还包括胶带外周固位件，所述胶带外周固位件构造成按压所述保护胶带的外周边缘部分以将所述保护胶带施加至所述切割框架。
4.根据权利要求3所述的用于施加保护胶带的施加装置，其中，所述按压构件还包括弹性构件，所述弹性构件构造成支承所述胶带外周固位件使得所述胶带外周固位件在上下方向上移位。
5.根据权利要求3或4所述的用于施加保护胶带的施加装置，所述施加装置还包括加热台，所述加热台构造成对安装在所述切割框架上的所述半导体晶片进行加热。
6.一种用于将保护胶带施加至半导体晶片的施加方法，所述施加方法包括：
将所述保护胶带供应到所述半导体晶片上的供应步骤；以及
从上方按压所述保护胶带的按压步骤，
所述按压步骤包括对保护层的周缘部分进行按压，以将所述保护胶带施加至所述半导体晶片，其中，所述保护层被层压在所述保护胶带上并具有比所述半导体晶片的外径小的外径。
7.根据权利要求6所述的施加保护胶带的施加方法，
其中，所述供应步骤包括将所述保护胶带供应到切割框架上，所述切割框架布置成围绕所述半导体晶片并且所述半导体晶片安装在所述切割框架上，并且
其中，所述按压步骤还包括对所述保护胶带的外周边缘部分进行按压以将所述保护胶带施加至所述切割框架。
8.根据权利要求7所述的施加保护胶带的施加方法，所述施加方法还包括对安装在所述切割框架上的所述半导体晶片进行加热的加热步骤。
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