JPH1012578A - ウエハ・支持基板貼付け方法，及びウエハ・支持基板貼付け装置 - Google Patents

ウエハ・支持基板貼付け方法，及びウエハ・支持基板貼付け装置

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JPH1012578A
JPH1012578A JP16621496A JP16621496A JPH1012578A JP H1012578 A JPH1012578 A JP H1012578A JP 16621496 A JP16621496 A JP 16621496A JP 16621496 A JP16621496 A JP 16621496A JP H1012578 A JPH1012578 A JP H1012578A
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support substrate
chamber
mounting
support
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JP16621496A
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Katsuya Ozaki
克也 小崎
Takeshi Kuragaki
丈志 倉垣
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 貼付け精度の向上を図ることができるウエハ
・支持基板貼付け装置を得る。 【解決手段】 ウエハ１と補強用支持基板２とをワック
ス３を介して貼付ける装置において、ワックス厚を均一
にするため、ウエハステージ４と支持基板２との間のウ
エハ１の周囲の少なくとも３箇所以上に厚み一定（例え
ばウエハ厚＋２０μｍ）のゲージブロック８（ダイヤル
ゲージの校正に用いられる厚み標準板）を相隣接するゲ
ージブロック間が等間隔になるように配置し、ウエハ１
の最大径よりその内径が大きく、支持基板２を設置する
ザグリ９１を有する円環状支持体９をウエハステージ４
にバネ等の弾性伸縮体１０を介して取り付けるようにし
た。さらに、上記ゲージブロック８を、円環状支持体９
にこのゲージブロック８上面と上記支持基板２下面とが
接触するように固定するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハと支持基
板とを接着剤を介して貼付ける方法，及びそのための貼
付け装置に関し、特にＧａＡｓ，ＩｎＰなどのウエハと
これを補強するための支持基板とをワックス等の接着剤
を介して貼付ける方法，及びそのための貼付け装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの割れ易いウエハ
に薄板化（研磨）加工や研磨面のエッチング，メタライ
ズ加工を施す際に、ウエハにガラス，サファイア等から
なる支持基板をワックス等の接着剤を介して貼付けるこ
とにより、ウエハを補強することが行われている。
【０００３】図７は、従来のウエハ・支持基板貼付け方
法及び貼付け装置を示す断面図である。図７に示すよう
に、このウエハ・支持基板貼付け装置は、ウエハ１及び
支持基板２を載置するためのウエハステージ（チャンバ
下部）４２と、このウエハステージ４２を覆うチャンバ
上部５と、ウエハを支持基板に押し付けるためのラバー
シート等からなる膨張収縮体５２とからなっており、チ
ャンバ上部５には減圧用排気口５１及び膨張収縮体内の
減圧および加圧のための開口５３が設けられている。ま
た、チャンバ上部５により覆われたウエハステージ（チ
ャンバ下部）４２上の空間は、Ｏ−リング７により気密
な空間となっており、減圧用排気口５１により減圧する
ことができる。また、ウエハステージ４２の上面には、
支持基板２を載置するための凹部が設けられており、こ
の凹部内に支持基板２が置かれ、さらに支持基板２上に
は、ウエハガイドリング６が置かれ、このウエハガイド
リング６の内側にウエハ１がワックス３が塗布された面
を下にして置かれており、さらに、ウエハステージ４２
の裏面には、支持基板２とウエハ１を加熱するためのヒ
ータ２２が設けられている。
【０００４】次に、この装置を用いて、ウエハに支持基
板を貼り付ける方法について説明する。まず、図７(a)
に示すように、ウエハステージ４２に支持基板２をセッ
トし、次にウエハガイドリング６を支持基板２上に置
き、続いてワックス３を塗布したウエハ１をワックス塗
布面を下向きにして設置した後、蓋に相当するチャンバ
上部５を閉める。
【０００５】次に、図７(b) に示すように、ウエハステ
ージ４２をヒータ２２により所望の温度まで加熱し、こ
れにより支持基板２とウエハ１を加熱するとともに、チ
ャンバ内部すなわちチャンバ上部５とウエハステージ４
２との間の空間を減圧用排気口５１から空気を排気する
ことにより減圧する。この際、膨張収縮体５２内は開口
５３により常に大気圧となっているため、膨張収縮体５
２が膨張し、この膨張収縮体５２によりウエハ１を押圧
して、ウエハ１と支持基板２とを貼り合わせることがで
きる。
【０００６】このようにウエハ１を支持基板２に向かっ
て押圧する際に、支持基板２及びウエハ１を加熱すると
ともに、チャンバ内を減圧しているため、ワックス３中
の揮発成分を蒸発させつつワックス３を軟化させ、かつ
ワックス３中の気泡を残さないようにウエハ１と支持基
板２とを貼り合わせることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハ・支持基
板貼付け装置は以上のように構成されているので、不定
型な膨張収縮体５２の形状の影響や、ウエハ１と支持基
板２との傾きから、両者のギャップをウエハ面内の全面
にわたって均一にすることが困難であり、貼付け精度の
向上を図ることができなかった。特に、その表面に支持
基板が貼り付けられたウエハの裏面を研磨して、ウエハ
の厚さを２５〜３０μｍ程度にまで薄板化する場合に
は、ウエハ１と支持基板２との間のギャップのウエハ面
内でのばらつき、すなわちワックス厚のウエハ面内での
ばらつきを上記の薄板化されたウエハの厚さに対して十
分に小さくする必要があり、これを上記の従来のウエハ
・支持基板貼付け方法，及びウエハ・支持基板貼付け装
置を用いて達成することは困難であった。
【０００８】この発明は上記の問題に鑑みなされたもの
であり、貼付け精度の向上を図ることができるウエハ・
支持基板貼付け方法及びウエハ・支持基板貼付け装置を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係るウエハ・支持基板貼付け方法は、その一方の表面に
接着剤が被着されたウエハを、この接着剤が被着された
表面が上方を向くようにウエハステージのウエハ載置平
面上に載置する工程と、このウエハ載置平面上のこのウ
エハが位置する領域の周囲の少なくとも３箇所相隣接す
るゲージブロック間の距離が全て同じになるような位置
に、上記ウエハより厚い所定の厚さを有するゲージブロ
ックを載置し、上記ウエハより広い表面の面積を有する
このウエハを補強する支持基板を、上記ウエハ上，及び
上記ゲージブロック上に載置する工程と、上記ウエハ，
及び上記支持基板の近傍を真空排気するとともに、上記
ウエハ及び上記支持基板を加熱し、その後、上記支持基
板を圧力板により上記ウエハ方向に上記支持基板の下面
が全ての上記ゲージブロックの上面に接触するまで押し
付ける工程とを含むものである。
【００１０】この発明（請求項２）に係るウエハ・支持
基板貼付け方法は、その一方の表面に接着剤が被着され
たウエハを、この接着剤が被着された表面が上方を向く
ようにウエハステージのウエハ載置平面上に載置する工
程と、このウエハ載置平面上のこのウエハが位置する領
域の周囲の少なくとも３箇所相隣接するゲージブロック
間の距離が全て同じになるような位置に、上記ウエハよ
り厚い所定の厚さを有するゲージブロックを、上記ウエ
ハ載置平面から離間するように支持し、上記ウエハより
広い表面の面積を有するこのウエハを補強する支持基板
を、上記ゲージブロック上に載置する工程と、上記ウエ
ハ及び上記支持基板の近傍を真空排気するとともに、上
記ウエハ及び上記支持基板を加熱し、その後、上記支持
基板を圧力板により上記ウエハ方向に全ての上記ゲージ
ブロックの下面が上記ウエハ載置平面に接触するまで押
し付ける工程とを含むものである。
【００１１】この発明（請求項３）に係るウエハ・支持
基板貼付け方法は、上記のウエハ・支持基板貼付け方法
（請求項１または２）において、上記ゲージブロック
を、上記ウエハより１０〜３０μｍ厚い所定の厚さを有
するものとしたものである。
【００１２】この発明（請求項４）に係るウエハ・支持
基板貼付け装置は、その一方の表面に接着剤が被着され
たウエハを、この接着剤が被着された表面を上方に向け
て載置するウエハ載置平面を、その上面の一部に含むウ
エハステージを有するチャンバ下部と、このウエハステ
ージの上記ウエハ載置平面上を覆い、このウエハ載置平
面近傍を真空排気するための減圧用排気口を有し、上記
ウエハの上方に配置された上記ウエハを補強する支持基
板の上方に圧力板を有し、この圧力板により上記支持基
板を上記ウエハに押し付けるように下方に移動できるチ
ャンバ上部と、上記ウエハ載置平面の上方の上記ウエハ
が位置する領域の周囲の少なくとも３箇所相隣接する位
置間の距離が全て同じになるような位置に設けられ、上
記ウエハより厚い所定の厚さを有し、上記支持基板が上
記ウエハに押し付けられた際に上記支持基板の下面と上
記ウエハ載置平面とに挟まれるゲージブロックと、上記
チャンバ下部，及び上記チャンバ上部に取り付けられ
た、上記ウエハ，及び上記支持基板を加熱するためのヒ
ータとを備えたものである。
【００１３】この発明（請求項５）に係るウエハ・支持
基板貼付け装置は、上記のウエハ・支持基板貼付け装置
（請求項４）において、上記ゲージブロックを、上記ウ
エハより１０〜３０μｍ厚い所定の厚さを有するものと
したものである。
【００１４】この発明（請求項６）に係るウエハ・支持
基板貼付け装置は、上記のウエハ・支持基板貼付け装置
（請求項４または５）において、その上面の内側に上記
支持基板を載置するためのザグリが設けられ、その内径
が上記ウエハの最大径より大きく、弾性伸縮体を介して
上記ウエハステージに取り付けられた円環状支持体を備
え、上記ゲージブロックを、上記支持基板の下面と接触
するように位置して上記円環状支持体に固定するように
したものである。
【００１５】この発明（請求項７）に係るウエハ・支持
基板貼付け装置は、上記のウエハ・支持基板貼付け装置
（請求項６）において、上記ウエハステージを有するチ
ャンバ下部を、上記ウエハ載置平面と上記チャンバ下部
下面との間に貫通するように複数の貫通孔が設けられた
ものとし、上記チャンバ下部の貫通孔を通り上記ウエハ
載置平面上に突出して、上記ウエハを支持するウエハ支
持棒と、上記ウエハ支持棒が上記貫通孔から引き抜かれ
た状態で、上記貫通孔のチャンバ下部下面側の開口を閉
鎖するための閉鎖用バルブとを備えたものである。
【００１６】この発明（請求項８）に係るウエハ・支持
基板貼付け装置は、上記のウエハ・支持基板貼付け装置
（請求項４〜７のいずれか）において、上記チャンバ上
部を、このチャンバ上部の外部からガスを供給するため
のガス供給孔を有するものとし、上記チャンバ上部の外
部において上記ガス供給孔に接続された、上記ガス供給
孔にガスを導入するためのガス供給用配管と、このガス
供給用配管の一部を加熱するための配管加熱部とを備え
たものである。
【００１７】この発明（請求項９）に係るウエハ・支持
基板貼付け装置は、上記のウエハ・支持基板貼付け装置
（請求項４〜８のいずれか）において、上記チャンバ上
部を上下方向に移動させるためのエアシリンダと、水平
方向にのみ運動できその上面がこの水平方向に対して一
定の傾斜角を有する水平運動ブロックをねじ状ウォーム
の回転により水平方向に運動させ、これによりこの水平
運動ブロックの上面とその下面が接触し上下方向にのみ
運動できる上下運動ブロックを上下方向に運動させ、上
記チャンバ上部を上記上下運動ブロックと連動させるこ
とにより、上記チャンバ上部を、上記圧力板が上記支持
基板上面の上方の位置から上記支持基板上面と接触し、
さらに上記支持基板を上記ウエハに押し付けるまで上下
方向に移動させるスライダとを備えたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．本発明の実施の形態１におけるウエハ・
支持基板貼付け方法，及びウエハ・支持基板貼付け装置
について説明する。図１は本実施の形態１におけるウエ
ハ・支持基板貼付け方法，及びウエハ・支持基板貼付け
装置を示す断面図である。本実施の形態１におけるウエ
ハ・支持基板貼付け装置は、図１に示すように、ウエハ
１を載置するためのウエハ載置平面４１を有するウエハ
ステージ（チャンバ下部）４と、このウエハ載置平面４
１上に置かれたゲージブロック８と、ウエハステージ４
を覆うチャンバ上部５５とからなっており、チャンバ上
部５５内部におけるウエハステージ４のウエハ載置平面
４１に相対する部分は、支持基板２の上面に接してこの
支持基板をウエハに押し付けるための圧力板５７となっ
ている。さらに、チャンバ上部５５には減圧用排気口５
６が設けられ、また、チャンバ上部５５により覆われた
ウエハステージ（チャンバ下部）４上の空間は、Ｏ−リ
ング７により気密な空間となっており、減圧用排気口５
６により真空排気することができる。また、ウエハステ
ージ４の上面であるウエハ載置平面４１は、この上にウ
エハ１をワックス３が塗布された面を上にして置き、さ
らにこのウエハ１上に支持基板２を置くためのものであ
る。また、ウエハステージ４の内部にはヒータ２０が、
チャンバ上部５５の内部にはヒータ２１が設けられてお
り、これらのヒータによりウエハ１と支持基板２を加熱
することができる。また、上記ゲージブロック８は、ダ
イヤルゲージの校正に用いられる厚み標準板であって、
その上面と下面との間の厚さはウエハ厚＋２０μｍの一
定の厚さとなっており、ウエハ載置平面４１のウエハ１
が置かれる部分の周囲の少なくとも３箇所以上に、相隣
接するゲージブロック間が等間隔になるように置かれて
いる。なお、ゲージブロック８は、その上面が上記支持
基板２の下面と相対するように、ウエハ載置平面４１の
支持基板２によって覆われる領域の内側に配置される。
なお、図１は、ゲージブロック８をウエハ１の周囲の４
箇所に置いたウエハ・支持基板貼付け装置を示す断面図
であり、この断面は上記４箇所に置かれたゲージブロッ
クの内の互いに隣接しない２箇所のゲージブロックを通
るものである。以下の図２〜５においても同様である。
【００１９】次に、本実施の形態１における上記装置を
用いたウエハ・支持基板貼付け方法について説明する。
まず、図１(a) に示すように、ウエハステージ４の上面
であるウエハ載置平面４１に、ウエハ１をワックス３が
塗布された面を上にして置き、その上面と下面との間に
おいてウエハ厚＋２０μｍの一定の厚さを有している上
記ゲージブロック８をウエハ載置平面４１のウエハ１が
置かれている部分の周囲の少なくとも３箇所以上に、相
隣接するゲージブロック間が等間隔になるように置く。
この後、ウエハ１上に支持基板２を置く。ただし、ゲー
ジブロック８は、その上面が上記支持基板２の下面と相
対するように、ウエハ載置平面４１の支持基板２によっ
て覆われる領域の内側に配置するようにする。
【００２０】次に、Ｏ−リング７がウエハステージ（チ
ャンバ下部）４の側面と接するような位置までチャンバ
上部５５を下げ、チャンバを閉じる。ただし、圧力板５
７は支持基板２の上面とは接触しないようにする。この
際、チャンバ上部５５とチャンバ下部４からなるチャン
バの内部は、Ｏ−リング７により気密な空間となる。こ
の後、ヒータ２０，２１により、ウエハ１，及び支持基
板２を加熱するとともに、減圧用排気口５６により、チ
ャンバ内部を真空排気する。これにより、ワックス３内
部の揮発成分を蒸発させる。
【００２１】この後、図１(b) に示すように、チャンバ
上部５５をその内側に設けられた圧力板５７が支持基板
２の上面に接触するまで押し下げ、さらに支持基板２下
面がゲージブロック８の上面に接触するまで、圧力板５
７により支持基板２に対してウエハ１方向に圧力を加え
る。これにより、ウエハ１にワックス３を接着剤として
支持基板２を貼り付けることができる。
【００２２】本実施の形態１においては、上記のよう
に、ゲージブロック８をウエハ載置平面４１のウエハ１
が置かれている部分の周囲に配置し、圧力板５７により
支持基板２の下面がゲージブロック８の上面と接触する
まで支持基板２をウエハ１に押し付けているため、支持
基板２下面とウエハ１上面の間のギャップ，すなわちワ
ックス厚は、ゲージブロック８の厚さとウエハ１の厚さ
の差のみにより決まることとなる。従って、ウエハ１と
支持基板２とのギャップをウエハ面内で均一に２０μｍ
とすることができ、このギャップ内のワックス３の厚さ
もウエハ面内で均一に２０μｍとすることができる。
【００２３】実施の形態２．本実施の形態２におけるウ
エハ・支持基板貼付け装置について説明する。図２は、
本実施の形態２におけるウエハ・支持基板貼付け装置，
及びその動作を示す断面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。本
実施の形態２におけるウエハ・支持基板貼付け装置にお
いても、実施の形態１におけるウエハ・支持基板貼付け
装置と同様に、ウエハステージ４，チャンバ上部５５，
及びゲージブロック８が設けられ、チャンバ上部５５の
内側に設けられた圧力板５７により、支持基板２をウエ
ハ１に押し付け、この際、支持基板２下面とウエハ載置
平面４１との間にゲージブロック８を挟むようにするこ
とにより、ウエハ１上面と支持基板２下面との間のギャ
ップをウエハ面内で均一なものとすることができる。本
実施の形態２におけるウエハ・支持基板貼付け装置が、
上記実施の形態１におけるウエハ・支持基板貼付け装置
と異なるのは、支持基板２を支持するための円環状支持
体９を有する点である。図２に示すように、この円環状
支持体９には、支持基板２を支持するためのザグリ９１
が設けられており、その内径はウエハ１の最大径より大
きい。また、この円環状支持体９は、弾性伸縮体（バ
ネ）１０により、ウエハステージ４に取り付けられてお
り、ゲージブロック８は、その上面が支持基板２の下面
に接触するように、円環状支持体９に固定されている。
【００２４】次に、このウエハ・支持基板貼付け装置の
動作について説明する。まず、図２(a) に示すように、
ウエハステージ４のウエハ載置平面４１上にワックス３
が塗布された面が上方に向くようにウエハ１を載置し、
さらに円環状支持体９のザグリ９１に支持基板２を載置
する。この後、上記実施の形態１と同様に、Ｏ−リング
７がウエハステージ（チャンバ下部）４の側面に接する
までチャンバ上部５５を下げる。ただし、この際チャン
バ上部５５の内側に設けられている圧力板５７は、支持
基板２の上面とは接触しないようにする。この状態で、
ヒータ２０，２１によりウエハ１，及び支持基板２を加
熱するとともに、減圧用排気口５６により、チャンバ内
部を真空排気する。これにより、ワックス３中の揮発成
分を蒸発させることができる。次に、図２(b) に示すよ
うに、チャンバ上部５５をその内側に設けられた圧力板
５７が支持基板２の上面に接触するまで押し下げ、さら
にゲージブロック８下面がウエハ載置平面４１に接触す
るまで、圧力板５７により支持基板２に対してウエハ１
方向に圧力を加える。これにより、支持基板２をワック
ス３を接着剤としてウエハ１に貼り付けることができ
る。
【００２５】本実施の形態２においては、支持基板２を
設置する円環状支持体９には上記ゲージブロック８がこ
のゲージブロック８上面と支持基板２下面とが接触する
ような位置に固定されており、これにより、上記実施の
形態１と同様に、支持基板２下面とウエハ１上面の間の
ワックス厚をゲージブロック８の厚さとウエハ１の厚さ
の差のみにより決まるようにでき、このワックス３の厚
さをウエハ面内で均一にすることができる。さらに、支
持基板２がウエハ１の方向に押圧された時には円環状支
持体９とウエハステージ４とを連結しているバネ等の弾
性伸縮体１０によってウエハステージ４と支持基板２と
の傾きを吸収することができ、これによって、ウエハ
１，及び支持基板２に与える機械的応力を少なくでき、
かつウエハ１と支持基板２とを平行に保持できるため、
貼付けワックス３の厚さの均一性をさらに向上させるこ
とができる。
【００２６】実施の形態３．本実施の形態３におけるウ
エハ・支持基板貼付け装置について説明する。図３は、
本実施の形態３におけるウエハ・支持基板貼付け装置，
及びその動作を示す断面図である。なお、図１，２と同
一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。本実施の形態３におけるウエハ・支持基板貼付け装
置は、実施の形態２におけるウエハ・支持基板貼付け装
置において、ウエハステージ４に例えば三回対称の位置
に３ヵ所貫通孔４０を設け、この貫通孔４０内にノック
ピン（ウエハ支持棒）１１を配置し、ウエハ１の脱着は
このノックピン１１によって行うようにし、かつチャン
バ下部にこの貫通孔４０の閉鎖用バルブ１２を設けたも
のである。
【００２７】次に、このウエハ・支持基板貼付け装置の
動作について説明する。まず、図３(a) に示すように、
ウエハ１をワックス３塗布面を上側にしてノックピン１
１上に乗せ、この後、図３(b) に示すように、ノックピ
ン１１を貫通孔４ａを通して引き下げ、ウエハ１をウエ
ハステージ４のウエハ載置平面４１上に載置し、次にバ
ルブ１２を閉める。
【００２８】次に、図３(c) に示すように、支持基板２
を円環状支持体９のザグリ９１に載置する。以下、上記
の実施の形態２において、図２に示した動作と同様にチ
ャンバ上部５５を下げて、図３(d) に示すように、支持
基板２のウエハ１に対する貼付け処理を行う。なお、図
３(b),(c) では、チャンバ上部５５は省略してある。
【００２９】上記の貼付け処理完了後はバルブ１２を開
け、ノックピン１１で支持基板２に貼り付いているウエ
ハ１をウエハステージ４のウエハ載置平面４１から押し
上げた後、ウエハ１及び支持基板２の回収を行なう。
【００３０】本実施の形態３においては、上記のように
ウエハ１をノックピン（ウエハ支持棒）１１によりウエ
ハ載置平面４１から持ち上げることができるようにした
ため、チャンバの真空度などの特性を損なわず、ロボッ
ト搬送等による自動化を容易に行うことができる。
【００３１】実施の形態４．本実施の形態４におけるウ
エハ・支持基板貼付け装置について説明する。図４は、
本実施の形態４におけるウエハ・支持基板貼付け装置，
及びその動作を示す断面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。本
実施の形態４におけるウエハ・支持基板貼付け装置は、
実施の形態１におけるウエハ・支持基板貼付け装置にお
いて、チャンバ上部５５に、Ｎ2 または乾燥空気等のガ
スを供給するための小孔５８を設け、さらにチャンバ外
部からガス供給孔５８にガスを供給するためのガス供給
用配管１３，及びこのガス供給用配管を加熱するための
配管加熱部１４を備えるようにしたものである。
【００３２】次に、本実施の形態４におけるウエハ・支
持基板貼付け装置の動作について説明する。まず、上記
の実施の形態１におけるウエハ・支持基板貼付け装置と
同様に、支持基板２をウエハ１に貼付ける処理を行う。
次に、図４に示すように、チャンバ上部５５に設けられ
たガス供給孔５８から、配管加熱部１４によって加熱さ
れた配管１３の中を通して、加熱されたＮ2 または乾燥
空気等のガスをチャンバ内に導入し、圧力板５７と支持
基板２との密着を解除して、これらを離間させる。この
後、チャンバ上部５５を上方に引き上げ、チャンバを開
く。
【００３３】本実施の形態４においては、上記実施の形
態１と同様に、ウエハ１と支持基板２との間のワックス
３の厚さをウエハ面内で均一にすることができととも
に、支持基板のウエハに対する貼り付け処理終了後にチ
ャンバ内に導入されるガスを上記のように予め加熱部１
４により加熱されたものとしたため、ワックス３の急冷
によってワックス３中に気泡が残留することを防止でき
る。
【００３４】なお、上記の図４に示したウエハ・支持基
板貼付け装置においては、上記実施の形態１に示した装
置と同様のウエハステージを備えているが、上記実施の
形態２に示したようなウエハステージ，及び円環状支持
体を備えるようにしてもよく、また上記実施の形態３に
示したようなノックピン（ウエハ支持棒）を備えるよう
にしてもよい。
【００３５】実施の形態５．本実施の形態５におけるウ
エハ・支持基板貼付け装置について説明する。図５は、
本実施の形態５におけるウエハ・支持基板貼付け装置，
及びその動作を模式的に示す断面図であり、図６は、こ
の装置のスライダの部分のみを示す斜視図である。な
お、図１，２と同一部分には同一符号を付してその詳し
い説明は省略する。本実施の形態５におけるウエハ・支
持基板貼付け装置は、実施の形態２におけるウエハ・支
持基板貼付け装置において、チャンバ上部５５を圧力板
５７が支持基板２上面の近傍に接近するまで上下方向に
移動させるためのエアシリンダ１７と、水平方向にのみ
運動できこの水平方向に対して一定の傾斜角を有する上
面を有する水平運動ブロック１０１，この水平運動ブロ
ック１０１の上面とその下面が接触し上下方向にのみ運
動できる上下運動ブロック１０２，上記水平運動ブロッ
ク１０１を水平方向に運動させるためのねじ状ウォーム
１０３，及びこのねじ状ウォーム１０３を回転させるた
めのモータ１０４を有するスライダ１００を備えたもの
である。このスライダ１００は、上記上下運動ブロック
１０２の上下運動を上記チャンバ上部５５に伝達するこ
とにより、上記チャンバ上部５５を、上記圧力板５７が
上記支持基板２上面の近傍位置から上記支持基板２上面
と接触し、さらに上記ゲージブロック８下面が上記ウエ
ハ載置平面４１と接触するまで上下方向に移動させるた
めのものである。チャンバ上部５５には、上部板１５が
固定されており、この上部板１５の下面は、チャンバ上
部５５が下がって、圧力板５７が支持基板２上面の近傍
まで接近したときにスライダ１００の上下運動ブロック
１０２の上面に接触するようになつている。また、ウエ
ハステージ（チャンバ下部）４，及びスライダ１００
は、下部板１６上に設置されている。図６は、スライダ
１００の部分のみを詳細に示す斜視図である。図５と同
一部分には同一符号を付している。図５では、二つのス
ライダ１００のそれぞれに、モータ１０４を設けている
が、これを図６に示すように、伝導ベルト１０６を用い
ることにより一つのモータで駆動するようにしてもよ
い。なお、図６においては、チャンバは二つのスライダ
の間に設置される。
【００３６】次に、本実施の形態５におけるウエハ・支
持基板貼付け装置の動作について説明する。まず、図５
に示すように、ウエハ１をウエハステージ４のウエハ載
置平面４１に載置し、さらに支持基板２を円環状支持体
９のザグリ９１に載置する。この後、エアシリンダ１７
により、圧力板５７が支持基板２上面の近傍まで接近す
るように、チャンバ上部５５を下げる。この後、上記実
施の形態２で説明したように、ウエハ１及び支持基板２
の加熱を行うとともに、チャンバ内を真空排気して減圧
する。この時点では、上部板１５の下面が上下運動ブロ
ック１０２の上面と接触している。この後、ねじ状ウォ
ーム１０３をモータ１０４により回転させ、これにより
水平運動ブロック１０１を水平方向に移動させて、上下
運動ブロック１０２を下向きに移動させる。この上下運
動ブロック１０２の動きが上部板１５に伝達され、チャ
ンバ上部５５がさらに下がり、圧力板５７により支持基
板２をウエハ１に押し付けることができる。なお、この
際、圧力板５７から支持基板２に加わる圧力は、エアシ
リンダ１７によりコントロールされ、均一な圧力とする
ことができる。
【００３７】チャンバ内が減圧された状態で、エアシリ
ンダによって、チャンバ上部５５を下げる場合は、これ
を低速で動かすことができず、ワックス３中に気泡の残
留等が生じるが、本実施の形態５におけるウエハ・支持
基板貼付け装置では、上記のように、エアシリンダ１７
によりチャンバ上部５５の上下運動の内の圧力板５７が
支持基板２上面に接触しない範囲での粗動を行うように
し、スライダ１００により圧力板５７を支持基板２の上
面に接触させ、さらに支持基板２をウエハ１の方向に押
し付けるまでの微動を行うようにしているので、チャン
バ内を減圧してからのチャンバ上部５５の移動をスライ
ダ１００により行うことができ、均一な圧力により支持
基板２をウエハ１に押し付けることができるとともに、
ワックス中に気泡が残留することなく、支持基板２をウ
エハ１に貼り付けることができる。
【００３８】なお、上記の図５に示したウエハ・支持基
板貼付け装置は、上記実施の形態２におけるウエハ・支
持基板貼付け装置において、エアシリンダ，及びスライ
ダを設けるようにしたものであるが、上記実施の形態
１，３，または４におけるウエハ・支持基板貼付け装置
において、上記のエアシリンダ，及びスライダを設ける
ようにしてもよい。
【００３９】また、以上述べた実施の形態１〜５におけ
るウエハの形は、平板状ウエハであれば円形に限る必要
はない。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、この発明（請求項１）に
係るウエハ・支持基板貼付け方法によれば、その一方の
表面に接着剤が被着されたウエハを、この接着剤が被着
された表面が上方を向くようにウエハステージのウエハ
載置平面上に載置する工程と、このウエハ載置平面上の
このウエハが位置する領域の周囲の少なくとも３箇所相
隣接するゲージブロック間の距離が全て同じになるよう
な位置に、上記ウエハより厚い所定の厚さを有するゲー
ジブロックを載置し、上記ウエハより広い表面の面積を
有するこのウエハを補強する支持基板を、上記ウエハ
上，及び上記ゲージブロック上に載置する工程と、上記
ウエハ，及び上記支持基板の近傍を真空排気するととも
に、上記ウエハ及び上記支持基板を加熱し、その後、上
記支持基板を圧力板により上記ウエハ方向に上記支持基
板の下面が全ての上記ゲージブロックの上面に接触する
まで押し付ける工程とを含むので、ウエハと支持基板と
のギャップをウエハ面内で均一にすることができ、この
ギャップ内のワックスの厚さをウエハ面内で均一にする
ことができる。
【００４１】また、この発明（請求項２）に係るウエハ
・支持基板貼付け方法によれば、その一方の表面に接着
剤が被着されたウエハを、この接着剤が被着された表面
が上方を向くようにウエハステージのウエハ載置平面上
に載置する工程と、このウエハ載置平面上のこのウエハ
が位置する領域の周囲の少なくとも３箇所相隣接するゲ
ージブロック間の距離が全て同じになるような位置に、
上記ウエハより厚い所定の厚さを有するゲージブロック
を、上記ウエハ載置平面から離間するように支持し、上
記ウエハより広い表面の面積を有するこのウエハを補強
する支持基板を、上記ゲージブロック上に載置する工程
と、上記ウエハ及び上記支持基板の近傍を真空排気する
とともに、上記ウエハ及び上記支持基板を加熱し、その
後、上記支持基板を圧力板により上記ウエハ方向に全て
の上記ゲージブロックの下面が上記ウエハ載置平面に接
触するまで押し付ける工程とを含むので、ウエハと支持
基板とのギャップをウエハ面内で均一にすることがで
き、このギャップ内のワックスの厚さをウエハ面内で均
一にすることができる。
【００４２】また、この発明（請求項３）に係るウエハ
・支持基板貼付け方法によれば、上記のウエハ・支持基
板貼付け方法（請求項１または２）において、上記ゲー
ジブロックを、上記ウエハより１０〜３０μｍ厚い所定
の厚さを有するものとしたので、ウエハと支持基板との
ギャップをウエハ面内で均一に１０〜３０μｍの所定の
厚さとすることができ、このギャップ内のワックスの厚
さもウエハ面内で均一に１０〜３０μｍの所定の厚さと
することができる。
【００４３】また、この発明（請求項４）に係るウエハ
・支持基板貼付け装置によれば、その一方の表面に接着
剤が被着されたウエハを、この接着剤が被着された表面
を上方に向けて載置するウエハ載置平面を、その上面の
一部に含むウエハステージを有するチャンバ下部と、こ
のウエハステージの上記ウエハ載置平面上を覆い、この
ウエハ載置平面近傍を真空排気するための減圧用排気口
を有し、上記ウエハの上方に配置された上記ウエハを補
強する支持基板の上方に圧力板を有し、この圧力板によ
り上記支持基板を上記ウエハに押し付けるように下方に
移動できるチャンバ上部と、上記ウエハ載置平面の上方
の上記ウエハが位置する領域の周囲の少なくとも３箇所
相隣接する位置間の距離が全て同じになるような位置に
設けられ、上記ウエハより厚い所定の厚さを有し、上記
支持基板が上記ウエハに押し付けられた際に上記支持基
板の下面と上記ウエハ載置平面とに挟まれるゲージブロ
ックと、上記チャンバ下部，及び上記チャンバ上部に取
り付けられた、上記ウエハ，及び上記支持基板を加熱す
るためのヒータとを備えたので、ワックスを介して貼り
付けられたウエハと支持基板とのギャップをウエハ面内
で均一にすることができ、このギャップ内のワックスの
厚さをウエハ面内で均一にすることができる。
【００４４】また、この発明（請求項５）に係るウエハ
・支持基板貼付け装置によれば、上記のウエハ・支持基
板貼付け装置（請求項４）において、上記ゲージブロッ
クを、上記ウエハより１０〜３０μｍ厚い所定の厚さを
有するものとしたので、ワックスを介して貼り付けられ
たウエハと支持基板とのギャップをウエハ面内で均一に
１０〜３０μｍの所定の厚さとすることができ、このギ
ャップ内のワックスの厚さもウエハ面内で均一に１０〜
３０μｍの所定の厚さとすることができる。
【００４５】また、この発明（請求項６）に係るウエハ
・支持基板貼付け装置によれば、上記のウエハ・支持基
板貼付け装置（請求項４または５）において、その上面
の内側に上記支持基板を載置するためのザグリが設けら
れ、その内径が上記ウエハの最大径より大きく、弾性伸
縮体を介して上記ウエハステージに取り付けられた円環
状支持体を備え、上記ゲージブロックを、上記支持基板
の下面と接触するように位置して上記円環状支持体に固
定するようにしたので、ウエハ，及び支持基板に与える
機械的応力を少なくでき、かつウエハと支持基板とを平
行に保持できるため、貼付けワックスの厚さの均一性を
さらに向上させることができる。
【００４６】また、この発明（請求項７）に係るウエハ
・支持基板貼付け装置によれば、上記のウエハ・支持基
板貼付け装置（請求項６）において、上記ウエハステー
ジを有するチャンバ下部を、上記ウエハ載置平面と上記
チャンバ下部下面との間に貫通するように複数の貫通孔
が設けられたものとし、上記チャンバ下部の貫通孔を通
り上記ウエハ載置平面上に突出して、上記ウエハを支持
するウエハ支持棒と、上記ウエハ支持棒が上記貫通孔か
ら引き抜かれた状態で、上記貫通孔のチャンバ下部下面
側の開口を閉鎖するための閉鎖用バルブとを備えたの
で、ウエハをウエハ支持棒によりウエハ載置平面から持
ち上げることができ、チャンバの真空度などの特性を損
なわず、ロボット搬送等による自動化を容易に行うこと
ができる。
【００４７】また、この発明（請求項８）に係るウエハ
・支持基板貼付け装置によれば、上記のウエハ・支持基
板貼付け装置（請求項４〜７のいずれか）において、上
記チャンバ上部を、このチャンバ上部の外部からガスを
供給するためのガス供給孔を有するものとし、上記チャ
ンバ上部の外部において上記ガス供給孔に接続された、
上記ガス供給孔にガスを導入するためのガス供給用配管
と、このガス供給用配管の一部を加熱するための配管加
熱部とを備えたので、支持基板のウエハに対する貼り付
け処理終了後にチャンバ内に導入されるガスを予め加熱
部により加熱されるようにできるため、ワックスの急冷
によってワックス中に気泡が残留することを防止でき
る。
【００４８】また、この発明（請求項９）に係るウエハ
・支持基板貼付け装置によれば、上記のウエハ・支持基
板貼付け装置（請求項４〜８のいずれか）において、上
記チャンバ上部を上下方向に移動させるためのエアシリ
ンダと、水平方向にのみ運動できその上面がこの水平方
向に対して一定の傾斜角を有する水平運動ブロックをね
じ状ウォームの回転により水平方向に運動させ、これに
よりこの水平運動ブロックの上面とその下面が接触し上
下方向にのみ運動できる上下運動ブロックを上下方向に
運動させ、上記チャンバ上部を上記上下運動ブロックと
連動させることにより、上記チャンバ上部を、上記圧力
板が上記支持基板上面の上方の位置から上記支持基板上
面と接触し、さらに上記支持基板を上記ウエハに押し付
けるまで上下方向に移動させるスライダとを備えたの
で、均一な圧力により支持基板をウエハに押し付けるこ
とができるとともに、ワックス中に気泡が残留すること
なく、支持基板をウエハに貼り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１におけるウエハ・支持
基板貼付け装置，及びウエハ・支持基板貼付け方法を示
す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２におけるウエハ・支持
基板貼付け装置，及びその動作を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態３におけるウエハ・支持
基板貼付け装置，及びその動作を示す断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態４におけるウエハ・支持
基板貼付け装置，及びその動作を示す断面図である。
【図５】 本発明の実施の形態５におけるウエハ・支持
基板貼付け装置，及びその動作を示す断面図である。
【図６】 本発明の実施の形態５におけるウエハ・支持
基板貼付け装置のスライダ部分，及びその動作を示す斜
視図である。
【図７】 従来のウエハ・支持基板貼付け装置及びウエ
ハ・支持基板貼付け方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ウエハ、２ 支持基板、３ ワックス、４，４２
ウエハステージ（チャンバ下部）、５ チャンバ上部、
６ ウエハガイドリング、７ ０−リング、８ゲージブ
ロック、９ 円環状支持体、１０ 弾性伸縮体（バ
ネ）、１１ ノックピン（ウエハ支持棒）、１２ 閉鎖
用バルブ、１３ ガス供給用配管、１４配管加熱部、１
５ 上部板、１６ 下部板、１７ エアシリンダ、２
０，２１，２２ ヒータ、４０ 貫通孔、４１ ウエハ
載置平面、５１ 減圧用排気口、５２ 膨張収縮体（ラ
バーシート）、５３ 膨張収縮体内を大気圧にするため
の開口、５５ チャンバー上部、５６ 減圧用排気口、
５７ 圧力板、５８ ガス供給孔、９１ 支持基板を設
置するためのザグリ、１００ スライダ、１０１水平運
動ブロック、１０２ 上下運動ブロック、１０３ ねじ
状ウォーム、１０４ モータ、１０６ 伝動ベルト。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 その一方の表面に接着剤が被着されたウ
    エハを、該接着剤が被着された表面が上方を向くように
    ウエハステージのウエハ載置平面上に載置する工程と、 該ウエハ載置平面上の該ウエハが位置する領域の周囲の
    少なくとも３箇所相隣接するゲージブロック間の距離が
    全て同じになるような位置に、上記ウエハより厚い所定
    の厚さを有するゲージブロックを載置し、上記ウエハよ
    り広い表面の面積を有する該ウエハを補強する支持基板
    を、上記ウエハ上，及び上記ゲージブロック上に載置す
    る工程と、 上記ウエハ，及び上記支持基板の近傍を真空排気すると
    ともに、上記ウエハ及び上記支持基板を加熱し、その
    後、上記支持基板を圧力板により上記ウエハ方向に上記
    支持基板の下面が全ての上記ゲージブロックの上面に接
    触するまで押し付ける工程とを含むことを特徴とするウ
    エハ・支持基板貼付け方法。
  2. 【請求項２】 その一方の表面に接着剤が被着されたウ
    エハを、該接着剤が被着された表面が上方を向くように
    ウエハステージのウエハ載置平面上に載置する工程と、 該ウエハ載置平面上の該ウエハが位置する領域の周囲の
    少なくとも３箇所相隣接するゲージブロック間の距離が
    全て同じになるような位置に、上記ウエハより厚い所定
    の厚さを有するゲージブロックを、上記ウエハ載置平面
    から離間するように支持し、上記ウエハより広い表面の
    面積を有する該ウエハを補強する支持基板を、上記ゲー
    ジブロック上に載置する工程と、 上記ウエハ及び上記支持基板の近傍を真空排気するとと
    もに、上記ウエハ及び上記支持基板を加熱し、その後、
    上記支持基板を圧力板により上記ウエハ方向に全ての上
    記ゲージブロックの下面が上記ウエハ載置平面に接触す
    るまで押し付ける工程とを含むことを特徴とするウエハ
    ・支持基板貼付け方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または２に記載のウエハ・支持
    基板貼付け方法において、 上記ゲージブロックは、上記ウエハより１０〜３０μｍ
    厚い所定の厚さを有することを特徴とするウエハ・支持
    基板貼付け方法。
  4. 【請求項４】 その一方の表面に接着剤が被着されたウ
    エハを、該接着剤が被着された表面を上方に向けて載置
    するウエハ載置平面を、その上面の一部に含むウエハス
    テージを有するチャンバ下部と、 該ウエハステージの上記ウエハ載置平面上を覆い、該ウ
    エハ載置平面近傍を真空排気するための減圧用排気口を
    有し、上記ウエハの上方に配置された上記ウエハを補強
    する支持基板の上方に圧力板を有し、該圧力板により上
    記支持基板を上記ウエハに押し付けるように下方に移動
    できるチャンバ上部と、 上記ウエハ載置平面の上方の上記ウエハが位置する領域
    の周囲の少なくとも３箇所相隣接する位置間の距離が全
    て同じになるような位置に設けられ、上記ウエハより厚
    い所定の厚さを有し、上記支持基板が上記ウエハに押し
    付けられた際に上記支持基板の下面と上記ウエハ載置平
    面とに挟まれるゲージブロックと、 上記チャンバ下部，及び上記チャンバ上部に取り付けら
    れた、上記ウエハ，及び上記支持基板を加熱するための
    ヒータとを備えたことを特徴とするウエハ・支持基板貼
    付け装置。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載のウエハ・支持基板貼付
    け装置において、 上記ゲージブロックは、上記ウエハより１０〜３０μｍ
    厚い所定の厚さを有することを特徴とするウエハ・支持
    基板貼付け装置。
  6. 【請求項６】 請求項４または５に記載のウエハ・支持
    基板貼付け装置において、 その上面の内側に上記支持基板を載置するためのザグリ
    が設けられ、その内径が上記ウエハの最大径より大き
    く、弾性伸縮体を介して上記ウエハステージに取り付け
    られた円環状支持体を備え、 上記ゲージブロックは、上記支持基板の下面と接触する
    ように位置して上記円環状支持体に固定されていること
    を特徴とするウエハ・支持基板貼付け装置。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載のウエハ・支持基板貼付
    け装置において、 上記ウエハステージを有するチャンバ下部は、上記ウエ
    ハ載置平面と上記チャンバ下部下面との間に貫通するよ
    うに複数の貫通孔が設けられたものであり、 上記チャンバ下部の貫通孔を通り上記ウエハ載置平面上
    に突出して、上記ウエハを支持するウエハ支持棒と、 上記ウエハ支持棒が上記貫通孔から引き抜かれた状態
    で、上記貫通孔のチャンバ下部下面側の開口を閉鎖する
    ための閉鎖用バルブとを備えたことを特徴とするウエハ
    ・支持基板貼付け装置。
  8. 【請求項８】 請求項４〜７のいずれかに記載のウエハ
    ・支持基板貼付け装置において、 上記チャンバ上部は、該チャンバ上部の外部からガスを
    供給するためのガス供給孔を有するものであり、 上記チャンバ上部の外部において上記ガス供給孔に接続
    された、上記ガス供給孔にガスを導入するためのガス供
    給用配管と、 該ガス供給用配管の一部を加熱するための配管加熱部と
    を備えたことを特徴とするウエハ・支持基板貼付け装
    置。
  9. 【請求項９】 請求項４〜８のいずれかに記載のウエハ
    ・支持基板貼付け装置において、 上記チャンバ上部を上下方向に移動させるためのエアシ
    リンダと、 水平方向にのみ運動できその上面が該水平方向に対して
    一定の傾斜角を有する水平運動ブロックをねじ状ウォー
    ムの回転により水平方向に運動させ、これにより該水平
    運動ブロックの上面とその下面が接触し上下方向にのみ
    運動できる上下運動ブロックを上下方向に運動させ、上
    記チャンバ上部を上記上下運動ブロックと連動させるこ
    とにより、上記チャンバ上部を、上記圧力板が上記支持
    基板上面の上方の位置から上記支持基板上面と接触し、
    さらに上記支持基板を上記ウエハに押し付けるまで上下
    方向に移動させるスライダとを備えたことを特徴とする
    ウエハ・支持基板貼付け装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6273804B1 (en) 1999-05-10 2001-08-14 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Apparatus for polishing wafers
WO2005010979A1 (ja) * 2003-07-29 2005-02-03 Tokyo Electron Limited 貼合わせ方法および貼合わせ装置
JP2008084994A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Sharp Corp 固体撮像装置の製造方法および製造装置、並びに貼付装置
JP2012231080A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Apic Yamada Corp 接合装置および接合方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19719906C1 (de) * 1997-05-13 1998-09-03 Siemens Ag Vorrichtung zum Verbinden von flachen elektrischen Bauelementen variabler Größe
DE19816150A1 (de) * 1998-04-09 1999-10-21 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer partikelfreien Klebeverbindung
US6793479B1 (en) * 1998-04-17 2004-09-21 Alliant Techsystems Inc. Remotely actuated localized pressure and heat apparatus and method of use
US6168963B1 (en) * 1999-06-21 2001-01-02 Lucent Technologies, Inc. System for adhering parts
DE10048881A1 (de) * 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
US6492774B1 (en) * 2000-10-04 2002-12-10 Lam Research Corporation Wafer area pressure control for plasma confinement
DE10052293A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren zum Aufbringen eines Substrats
JP4250375B2 (ja) * 2001-05-15 2009-04-08 キヤノン株式会社 成膜装置及び電子源の製造装置並びにそれらを用いた成膜方法及び電子源の製造方法
US20030000471A1 (en) * 2001-06-18 2003-01-02 Soo-Sik Yoon Method and apparatus for manufacturing semiconductor devices
DE10212420A1 (de) * 2002-03-21 2003-10-16 Erich Thallner Einrichtung zur Aufnahme eines Wafers
KR100426816B1 (ko) * 2002-07-31 2004-04-14 삼성전자주식회사 진공압조절장치가 개선된 플라즈마 처리장치
DE10242402A1 (de) * 2002-09-12 2004-04-01 Süss MicroTec Laboratory Equipment GmbH Vorrichtung und Verfahren für das Verbinden von Objekten
CN101335196B (zh) * 2004-05-25 2011-04-13 有限会社都波岐精工 胶带粘结装置
JP4559122B2 (ja) * 2004-05-25 2010-10-06 有限会社都波岐精工 テープ接着装置およびテープ接着方法
JP5602439B2 (ja) * 2010-01-22 2014-10-08 デクセリアルズ株式会社 加熱装置および実装体の製造方法
TWI564106B (zh) * 2011-03-28 2017-01-01 山田尖端科技股份有限公司 接合裝置以及接合方法
DE102011080929B4 (de) * 2011-08-12 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Verbundes und eines Leistungshalbleitermoduls
CN103219266B (zh) * 2013-04-28 2015-09-09 康可电子（无锡）有限公司 晶圆涂蜡台
DE102017109676A1 (de) 2017-05-05 2018-11-08 Atm Gmbh Einbettpresse und Verschlusseinrichtung für eine Einbettpresse
DE102017109677A1 (de) 2017-05-05 2018-11-08 Atm Gmbh Einbettpresse, Absaugeinrichtung für eine Einbettpresse und modulares Einbettpressensystem
DE112018007513T5 (de) * 2018-04-24 2021-03-11 Disco Hi-Tec Europe Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen eines Schutzbandes auf einem Halbleiterwafer
DE102018010330B4 (de) 2018-06-15 2024-04-18 Azur Space Solar Power Gmbh Fügeverfahren von Scheiben
DE102018004761B3 (de) 2018-06-15 2019-09-19 Azur Space Solar Power Gmbh Fügeverfahren von Scheiben
CN111300260A (zh) * 2020-02-19 2020-06-19 中国科学院微电子研究所 一种抛光减薄装置和抛光减薄方法
TW202316588A (zh) * 2021-09-02 2023-04-16 美商愛玻索立克公司 基板載體以及包括其之基板組合

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4953287A (en) * 1987-07-01 1990-09-04 Hewlett-Packard Company Thermal-bonding process and apparatus
US4943328A (en) * 1988-02-18 1990-07-24 James L. Taylor Manufacturing Company Inc. Method and apparatus for selecting wood stock to form panels of predetermined size
JPH081898B2 (ja) * 1988-11-02 1996-01-10 三菱電機株式会社 ウエハ貼付装置
JPH0369226A (ja) * 1989-08-08 1991-03-25 Nec Corp 通信処理装置における特異トラヒック処理方法
JP2899130B2 (ja) * 1991-05-09 1999-06-02 日立テクノエンジニアリング株式会社 高真空ホットプレス
US5578159A (en) * 1993-06-29 1996-11-26 Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. Hot press for producing multilayer circuit board
JPH07169660A (ja) * 1993-09-09 1995-07-04 Xerox Corp ウェハ対を接合する装置及び方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6273804B1 (en) 1999-05-10 2001-08-14 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Apparatus for polishing wafers
WO2005010979A1 (ja) * 2003-07-29 2005-02-03 Tokyo Electron Limited 貼合わせ方法および貼合わせ装置
KR100826862B1 (ko) * 2003-07-29 2008-05-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 접합 방법 및 접합 장치
KR100864466B1 (ko) * 2003-07-29 2008-10-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 접합 방법
JP2008084994A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Sharp Corp 固体撮像装置の製造方法および製造装置、並びに貼付装置
JP2012231080A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Apic Yamada Corp 接合装置および接合方法

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