KR20170041267A - 마이크로 전기기계 부품들을 특히 열에 의해 결합하는 장치 - Google Patents

마이크로 전기기계 부품들을 특히 열에 의해 결합하는 장치 Download PDF

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KR20170041267A
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pressure plate
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벤체슬라브 랑겔로프
시그프리트 코발스키
발테르 포르트
롤란트 코흐
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에이티브이 테크놀로지 게엠베하
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Abstract

본 발명은 프로세스 챔버(8)에서 마이크로 전자기계 부품(2, 3)들을 특히 열에 의해 결합하는 장치에 관한 것으로, 그 장치는 결합될 부품(2, 3)들 중 적어도 하나의 제1 부품(2)을 수용하는 하부 지지 플레이트(11)와, 결합될 부품(2, 3)들 중 적어도 하나의 제2 부품(3) 상에 적어도 하나의 제1 부품(2)의 방향으로 압력을 인가하는 프레싱 장치(15)를 구비한다. 그 프레싱 장치(15)에는 적어도 하나의 제2 부품(3)과 접촉하도록 마련된 팽창 가능 맴브레인(19)이 구비된다. 유체 압력, 특히 가스 압력이 결합될 부품(2, 3)들과는 반대측에서 맴브레인(19) 상에 인가될 수 있다.

Description

마이크로 전기기계 부품들을 특히 열에 의해 결합하는 장치{APPARATUS FOR ESPECIALLY THERMALLY JOINING MICRO-ELECTROMECHANICAL PARTS}
본 발명은, 결합될 부품들을 서로에 대고 가압하는 프레싱 장치를 포함하는, 마이크 전기기계 부품을 특히 열에 의해 결합하는 장치에 관한 것이다.
반도체 기술에서, 칩 또는 다이 각각과 같은 마이크로 전자 부품, 웨이퍼, LED 등 또는 이들로 이루어진 조립체를 캐리어 상에 부착하는 데에 다양한 방법이 이용되고 있다.
이와 관련하여, 전력 모듈을 위한 장착 기술은, 규소(silicon)으로 이루어진 반도체 또는 흔히 이용되는 반도체 재료인 규소 탄화물(SiC) 및 갈륨 질화물의 지속적인 발전뿐만 아니라, 새로운 적용 분야 및 복잡한 토포그래피(topography)로 인해, 스위칭 속도, 전도 손실, 스위칭 손실 및 내온도성에 대한 꾸준히 증가하는 요구 조건을 충족해야 한다.
전력 반도체는 통상 구조화된 구리 또는 알루미늄을 갖는 캐리어 기판 상에 부착된다. 그 기판은 IMS(insulated metal substrate: 절연 금속 기판)일 수 있거나, DCB(direct copper bond: 직접 구리 접합), DAB(direct aluminum bond: 직접 알루미늄 접합) 또는 AMB(active metal brazing: 활성 금속 브레이징) 기판으로서 불리는 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 질화물의 내부 세라믹 층을 갖는 기판이 이용될 수도 있다. 이들 경우에, 칩들의 평면 연결(planar chip connection)이 통상 솔더링에 의해 형성된다.
고스트레스성 연결을 위해, TLPB(transient liquid phase bonding: 천이 액상 접합) 또는 TLPS(transient liquid phase soldering: 천이 액상 솔더링)로서도 알려진 Ag 소결 또는 확산 솔더링과 같은 보다 최근의 결합 기술이 이용되고 있다.
이러한 공지의 결합 방법은 모두 결합될 부품 상에 압력의 인가를 요구하며, 그 압력은 결합 공정 중에 프로세스에 따라 미리 정해진 시간 동안 유지되어야 하며, 예를 들면 Ag 소결에서 30MPa이 수초 동안 유지되어야 한다.
결합될 부품들을 위한 지지체로서 가열 플레이트 및 수직 변위 가능 프레스 또는 본더 헤드(bonder head)를 갖는 진공 챔버를 통상 포함하는 당업계에 공지된 장치에서, 압력은 평면 프레스 플레이트를 갖는 본더 헤드를 통해 인가된다. 실제로, 상이한 칩 높이에 대해 대략 균일한 접촉을 가능하게 하기 위해, 본더 헤드 또는 프레스 플레이트 각각 상에 규소수지 매트(silicone mat)를 이용함으로써 결합 중에 작동 압력이 반도체 구조체에 인가되도록 하고 있다.
불행히도, 비교적 연질의 규소수지 매트의 경우에도 상이한 높이를 갖는 부품들 상에서의 균일한 압력 분포를 보장하진 못한다. 따라서, 가장 높거나 보다 높은 칩만이 압박될 수 있는 반면, 보다 낮은 칩들을 필요한 접촉 압력을 받지 못한다. 동일한 점이 불균일한 칩들에도 적용되는 데, 이 경우에는 부분 영역에 걸쳐서만 충분이 압박된다. 따라서, 규소수지 매트를 갖는 프레스 플레이트를 이용하더라도, 결합 품질은 고저항 연결에 대해 문제가 있다.
상이한 높이를 갖는 반도체 부품의 고저항 연결의 경우, 단일 칩 연결(single-chip connection)이 선택될 수 있지만, 전체 처리 시간이 길어지게 하고 그 만큼 비용도 증가시킨다.
따라서, 본 발명의 과제는, 결합될 부품들에 대한 프레싱 장치의 균일한 압력 인가를 부품들에 대한 프레싱 장치의 접근 거리가 상이하더라도 보장하고, 이에 따라 동시에서 결합될 복수의 상이한 부품들에 대해서도 재현 가능한 높은 결합 품질을 보장하는, 마이크로 전자기계 부품들을 특히 열에 의해 결합하는 장치를 제공하는 데에 있다.
상기 과제는, 결합될 부품들 중 적어도 하나의 제1 부품을 수용하는 하부 지지 플레이트와, 결합될 부품들 중 적어도 하나의 제2 부품 상에 적어도 하나의 제1 부품의 방향으로 압력을 인가하는 프레싱 장치를 구비한, 프로세스 챔버를 포함하는 마이크로 전자기계 부품들을 특히 열에 의해 결합하는 장치에 의해 달성된다. 본 발명에 따르면, 프레싱 장치에는 적어도 하나의 제2 부품과 접촉하도록 마련된 팽창 가능 맴브레인이 형성되며, 유체 압력, 특히 가스 압력이 결합될 부품들과는 반대측에서 그 맴브레인 상에 인가될 수 있다.
본 발명의 장치는 상이한 기학적 형상 및 높이를 갖는 다수의 마이크 전기기계 부품을 높은 결합 품질로 기판에 동시에 결합할 수 있게 하는 이점을 갖는다. 팽창 가능 맴브레인에 의해 부품, 특히 칩 상에 인가되는 압력은, 프레싱 장치의 유체 압력이 모든 칩에 균일하게 작용하도록 유체 압력에 따른 맴브레인의 팽창으로 인해 맴브레인이 타겟 표면에, 즉 가압될 부품의 토포그래피에 맞춰지기 때문에, 모든 칩에 대해 동일하다.
유리하게는, 상이한 형상을 갖는 반도체 부품들에 대한 등압 가압(isostatic pressing)은 복수의 그러한 반도체 부품들이 TLPB(천이 액상 접합) 프로세스 또는 TLPS(천이 액상 솔더링) 프로세스에 따른 Ag 소결 또는 평면 확산 솔더링(planar diffusion soldering) 등의 열압착 접합에 의해 고스트레스성 연결을 생성하는 접합 방법을 이용하는 접합 단계에서 처리될 수 있게 한다.
등압 가압에 의해 복수의 상이한 반도체 부품들이 동시에 결합될 수 있게 하는 맴브레인으로 인해, 그 부품들은 예를 들면 단일 칩 방법과는 달리 그 최종 위치에 정확하게 위치할 수 있으며, 유리하게는 고순도의 밀봉된 분위기, 특히 무산소 분위기에서 처리될 수 있다.
유체 압력에 의해 팽창 가능한 맴브레인을 갖는 프레싱 장치는, 통상의 평면 솔더링에서부터 확산 솔더링 및 소결 기법에 이르는 결합 방법에 대해서는 물론, 예를 들면 기판 또는 웨이퍼에 대해 고도로 민감한 표면을 갖는 칩, 웨이퍼 자신, 칩 캐리어 상의 LED 등의 결합될 부품 및 그 상이한 기하학적 형상에 대해 보편적으로 적용 가능한 것으로 드러났다.
본 발명에 따른 프레싱 장치는 또한 결합될 부품들을 지지하는 지지 플레이트에 대해 접촉 플레이트 또는 본더 헤드의 잠재적 기울어짐(skewing)이 유체 압력 하에서 각각의 타겟 표면에 맞춰지는 맴브레인에 의해 보상될 수 있다는 이점을 갖는다.
게다가, 솔더링 또는 확산 솔더링 중에, 예를 들며, TLPS 프로세스에서 맴브레인의 가요성은 높이 차이가 맴브레인에 의해 대체로 보상되기 때문에 솔더링 재료의 상이한 두께를 선택할 수 있게 한다.
팽창 가능한 맴브레인에 의한 압력 인가는, 타겟 표면에 맴브레인을 맞추는 것이 접촉될 부품들의 위치 정밀도나 그 표면의 민감성에 영향을 미치지 않는다는 추가적인 이점을 갖는다.
가압 장치가 가요성 맴브레인에 적용하는 적절한 유체 매체 공급원으로부터의 유체는 바람직하게는 가스이며, 이 가스는 압축 공기 또는 임의의 기타 압축될 수 있는 가스일 수 있다.
선택된 유체에 따라, 이용되는 결합 기법에 따라 유체를 냉각 또는 가열에 동시에 이용하는 것도 가능하다.
일반적으로, 액체가 특히 냉각과 조합하여 가요성 맴브레인에 압력을 인가하도록 가스 대신에 선택될 수도 있다. 하지만, 압력을 인가하는 데에 액체를 이용하는 경우, 결합될 부품들 및/또는 장치를 손상시킬 수 있는 액체의 누설을 방지하기 위해 밀봉에 대한 높은 요구 조건을 충족해야 한다.
본 발명의 유리한 실시예에서, 맴브레인은 기밀 시트 재료, 특히 고무류 재료로 이루어진다. 재료의 선택은 해당 결합 방법, 통상 채용되는 온도, 요구되는 접촉 압력 및 타겟 표면의 토포그래피에 좌우된다. 기밀하고 내인열성이 높은 시트 재료는 다수의 두께 및 재료 조성으로 구매 가능하여, 본 발명에 따른 프레싱 장치는 표준 재료로 저비용을 구현될 수 있다.
맴브레인의 두께 및 그 팽창성은 바람직하게는 결합될 부품들의 토포그래피에 따라 선택하여, 접촉 작동 조건에서 그 맴브레인이 부품들 간에 존재하는 높이에 있어서의 어떠한 차이에도 관계없이 부품들에 적어도 대략 동일한 접촉 압력을 가하도록 된다.
특히 유리한 실시예에서, 맴브레인은, 지지 플레이트에 대해 적어도 실질적으로 면 평행(plane-parallel)으로 배치되고 그에 대해 적어도 수직으로 변위 가능한 본더 플레이트 또는 다이로도 지칭하는 압력 플레이트 상에서 연장할 수 있으며, 압력 매체는 맴브레인과 압력 플레이트 사이에 공급되어, 맴브레인이 결합될 부품을 향해 부풀어 오르게 한다.
이 경우, 맴브레인은 적절한 유지 및 고정 장치를 이용하여 그 에지 영역에 의해 압력 플레이트에 고정 및 밀봉 방식으로 부착될 수 있다.
예를 들면 접촉면과는 반대측에 중앙 가이드 로드를 갖는 대형 플레이트로서 마련되는 본더 플레이트의 통상의 구조는 본 발명에 따라 구현되는 데에 최소한의 수정만을 필요로 한다. 이는 압력 플레이트 내의 적어도 하나의 적절한 보어를 통해 압력 매체가 압력 플레이트의 접촉면측으로, 나아가서는 그에 부착된 멤브레인에 공급될 수 있게 한다. 압력 매체 공급원에 대한 상응하는 연결은 별도의 가요성 튜브 및/또는 압력 플레이트 또는 가이드 로드 각각의 관통 구멍을 통해 이루어질 수 있다.
유지 및 고정 장치는 마모 또는 프로세스 요구 조건의 변경으로 인해 요구되는 맴브레인의 교체의 측면에서 유리한, 예를 들면 나사 및/또는 클립 연결 등의 용이하게 해제 가능한 연결에 의해 임의의 공지의 고정 방법으로 실현될 수 있다.
밀봉 장치가 압력 플레이트와 맴브레인 사이에 마련되기 때문에, 유지 및 고정 장치가 특히 맴브레인의 둘레에 둘러져 멤브레인이 압력 플레이트 및/또는 그 사이에 개재된 밀봉 장치에 고정될 수 있게 하는 클램핑 링을 포함한다면 유리할 수 있다.
유리한 실시예에서, 특히 맴브레인의 비접촉 작동 조건에서 결합될 부품들과는 반대측에서 맴브레인에 부압을 인가하는 것 또한 생각할 수 있다.
비접촉 작동 조건에서, 예를 들면 압력 플레이트에 대한 맴브레인의 흡인은 맴브레인이 잠재적으로 중력으로 인해 늘어져 결합될 부품을 건들고 이에 의해 그 위치 정밀도에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
가열 장치가 압력 플레이트 위에 및/또는 지지 플레이트 아래에 마련되어, 해당 연결 형태에 요구되는 온도를 조절하도록 할 수도 있다. 편리하게는 지지 플레이트 자체가 가열 플레이트로서 마련된다.
상부 가열 장치와 하부 가열 장치를 이용하면, 2개의 가열 구역이 얻어질 수 있으며, 가열 장치는 예를 들면 병렬 할로겐 튜브 어레이를 포함할 수 있는 적외선(IR) 복사 장치로서 마련될 수 있다.
그러한 IR 가열 장치는 신속한 가열을 가능하게 하고 모든 요소를 균일한 온도로 유지하여, 그 장치에서의 높은 온도 균일성을 보장하고, 나아가서는 부품들의 연결에서의 균일한 품질을 보장하다.
환원 분위기의 폐쇄 시스템을 통상 요구하는 고스트레스성 연결을 생성하는 결합 프로세스를 가능하게 하기 위해, 프로세스 챔버가, 밀봉된 하우징을 갖는 진공 챔버로서 마련되고, 하우징의 적어도 하나의 개구가 진공 챔버의 탈기 또는 배기 및 통기 또는 가스 도입 각각을 위해 마련된다면 유리하다.
선택된 프로세스에 따라, 특히 TLP 프로세스, TLPB 프로세스 또는 소결 프로세스에서 최적의 접촉 압력을 보장하기 위해, 본 발명의 유리한 실시예는 적어도 프레싱 장치의 유체 압력을 선택된 프로세스 및 결합될 부품들의 토포그래피에 따라 조절할 수 있는 제어 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 장치의 다른 유리한 이점 및 유리한 실시예는 상세한 설명, 도면 및 청구 범위로부터 명백해질 것이다.
반도체 칩을 캐리어에 열에 의해 결합하는 본 발명의 장치의 예시적인 실시예를 도면에 개략적으로 간략화하여 도시하고 아래에서 보다 상세하게 설명할 것이다. 도면 중에서,
도 1은 진공 챔버를 포함하는 반도체 부품을 열에 의해 결합하는 결합 장치의 간략화한 삼차원 정면도이며,
도 2는 도 1의 장치를 길이방향 단면으로 나타낸 다른 삼차원 도면이다.
도 1 및 도 2는 제1 마이크로 전기기계 부품(2)을 제2 마이크로 전기기계 부품(3)에 열에 의해 결합하는 장치(1)를 도시하는 것으로, 이 경우에 제1 부품(2)은 상이한 높이의 Si 칩들이고 제2 부품(3)은 Cu 캐리어이다.
장치(1)는 선회 기구(5)에 의해 개폐될 수 있고 밀봉 장치(6, 7)에 의해 주위 환경에 대해 밀봉될 수 있는 2파트 구조의 하우징(4)을 포함한다. 하우징(4) 내의 프로세스 챔버(8)는 본 예에서 탈기 또는 배기 및 통기 또는 가스 도입 각각을 위한 개구(9)를 갖는 진공 챔버로서 구현되어 있다.
프로세스 챔버 내에는 Cu 캐리어 형태의 제1 부품(2)과, 그 상에 배치된 제2 부품(3)으로서의 Si 칩을 위한 지지 플레이트(11)가 지지 장치(10) 상에 배치된다. 도시한 실시예에서 결합 프로세스로서 이용되는 TLPS의 경우, 지지 플레이트(11)는 가열 플레이트로서 마련된다. 게다가, 필요한 프로세스 온도를 조절하기 위해, 상부 가열 장치(13)가 지지 플레이트(11) 위의 하우징(4)의 선회 커버(4a) 내에 배치되며, 그 상부 가열 장치(13)는 병렬 할로겐 튜브(13)의 어레이를 포함하는 IR 복사 장치로서 마련된다.
상부 가열 장치(12)와 유사하게, 하부 가열 장치(14)가 지지 플레이트(11) 아래에 마련되며, 이 하부 가열 장치(14)도 병렬 할로겐 튜브의 어레이를 포함하는 IR 복사 장치로서 마련되며, 이에 의해 결합 프로세스 동안 최적의 온도 분포를 갖고 2구역의 온도 조절을 가능하게 한다.
프레싱 장치(15)가 Cu 캐리어(2) 상에 칩(3)을 가압하도록 마련되며, 그 프레싱 장치(15)는 지지 플레이트(11)에 대해 면 평행으로 배치되고 접촉 압력측과는 반대측에서 가이드 로드(17)에 연결된 금속제 압력 플레이트 또는 본더 플레이트(16)를 포함한다. 가이드 로드(17)는 진공 밀봉 방식으로 하우징(4) 밖으로 연장하여, 지지 플레이트(11)에 대해 직교하는 방향으로, 즉 본 예의 경우에 수직 방향으로, 이에 따라 부품(2, 3)들을 향해 그리고 그로부터 멀어지게 모터(18)에 의해 이동할 수 있다. 상세히 도시하진 않은 압력 매체 덕트(25)가 가이드 로드(17) 내에 형성된다. 압력 매체 덕트(25)가 압력 매체 공급원(26)(단지 상징적으로만 도시)에 연결되는 한편, 압력 플레이트(16)를 통과해 부품(2, 3)측으로, 이에 따라 압력 플레이트(16)에 있어서의 타겟 표면을 향한 측으로 연장한다.
팽창 가능 맴브레인(19)이 압력 플레이트(16)의 접촉 압력측에 배치되고, 그 맴브레인(19)은 기밀 탄성 시트 재료로 이루어지며, 본 예의 경우에 압력 매체로서 압축 공기가 가해지도록 구성된다.
도시한 실시예에서, 맴브레인은 본 예에서는 원형인 압력 플레이트(16)의 둘레에 이르기까지 연장하여, 유지 및 고정 장치(20)에 의해 압력 플레이트(16)의 에지 영역에 부착되며, 그 유지 및 고정 장치(20)는 멤브레인(19) 둘레에 둘러지게 연장하는 클램핑 링(21)을 포함한다. 클램핑 링(21)은 맴브레인과 압력 플레이트(16)의 에지 상의 플랜지형 단차부 사이에서 밀봉 장치를 형성하는 밀봉 링(22)에 연결되는 한편, 압력 플레이트(16) 자체에도 연결된다.
유지 및 고정 장치(20)의 연결 수단으로서, 클램핑 링(21) 및 압력 플레이트(16)의 둘레에 걸쳐 분포된 스크루 연결부(23)가 마련된다.
미리 정해진 프로세스 파라미터 및 결합될 부품(2, 3)들의 토포그래피에 따라 프레싱 장치(15)의 유체 압력을 조절하도록 제어 장치(24)가 마련되며, 이 제어 장치(24)는 압축 공기를 압력 매체 공급원(18)으로부터 압력 플레이트(16)의 접촉면과 맴브레인(19) 사이의 영역 내로 보내게 된다. 이는 맴브레인(19)이 타겟 표면을 형성하는 칩(3)을 향해 팽창하여 그와 접촉하게 함으로써, 등압의 접촉 압력이 모든 칩(3)에 가해지게 하며, 본 예에서 그 칩들은 상이한 기하학적 형상 및 상이한 높이를 갖는다.
압력 매체 덕트(25)를 통해 인가되는 압력 외에도, 맴브레인(19)은 비접촉 상태에서 흡인되어, 그 상태에서 압력 플레이트(16)와 면 접촉하고 결합될 부품(2, 3)들을 향해 튀어나오지 않게 하며, 이에 의해 그 부품들에 대해 악영향을 미치지 않을 수 있다.
도시한 장치(1)는 보편적으로 적용 가능한 것으로, 본 명세서에서 설명한 TLPC 프로세스뿐만 아니라, 기타 솔더링 및 확산 솔더링 프로세스는 물론 소결 프로세스에도 이용 가능하다. 선택된 결합 프로세스에 따라 온도, 분위기 등의 프로세스 파라미터만이, 경우에 따라서는 교체 가능 맴브레인의 재료 및 두께도 변경될 수 있다.

Claims (11)

  1. 프로세스 챔버(8)에서 마이크로 전자기계 부품(2, 3)들을 특히 열에 의해 결합하는 장치로서, 결합될 부품(2, 3)들 중 적어도 하나의 제1 부품(2)을 수용하는 하부 지지 플레이트(11)와, 결합될 부품(2, 3)들 중 적어도 하나의 제2 부품(3) 상에 상기 적어도 하나의 제1 부품(2)의 방향으로 압력을 인가하는 프레싱 장치(15)를 포함하는 마이크로 전기자기계 부품(2, 3)들의 결합 장치에 있어서,
    상기 프레싱 장치(15)에는 상기 적어도 하나의 제2 부품(3)과 접촉하도록 마련된 팽창 가능 맴브레인(19)이 형성되며, 유체 압력, 특히 가스 압력이 결합될 부품(2, 3)들과는 반대측에서 상기 맴브레인(19) 상에 인가될 수 있는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 맴브레인(9)은 기밀 시트 재료, 특히 고무류 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 맴브레인(19)의 두께 및 팽창성은 바람직하게는 결합될 부품(2, 3)들의 토포그래피(topography)에 따라 선택하여, 접촉 작동 조건에서 상기 맴브레인(19)이 부품들 간에 존재하는 높이에 있어서의 어떠한 차이에도 관계없이 상기 부품(2, 3)들에 적어도 대략 동일한 접촉 압력을 가하도록 되는 것인 결합 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 맴브레인(19)은 압력 플레이트(16) 상에서 연장하며, 상기 압력 플레이트(16)는, 상기 지지 플레이트(11)에 대해 적어도 실질적으로 면 평행(plane-parallel)으로 배치되고 그에 대해 적어도 수직으로 변위 가능하며, 압력 매체가 상기 맴브레인(19)과 상기 압력 플레이트(16)사이에 공급되어, 상기 맴브레인(19)이 결합될 부품(2, 3)들을 향해 부풀어 오르게 하는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 맴브레인(19)은 유지 및 고정 장치(20)를 이용하여 그 에지 영역에 의해 상기 압력 플레이트(16)에 고정 및 밀봉 방식으로 부착되는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유지 및 고정 장치(20)는, 특히 상기 맴브레인(19)의 둘레에 둘러져 상기 맴브레인(19)이 상기 압력 플레이트(16) 및/또는 그 사이에 개재된 밀봉 장치(22)에 고정될 수 있게 하는 클램핑 링(21)을 포함하는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 특히 상기 맴브레인(19)의 비접촉 작동 조건에서, 결합될 부품(2, 3)들과는 반대측에서 상기 맴브레인(19)에 부압을 인가할 수 있는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 장치(12, 14)가 상기 압력 플레이트(16) 위에 및/또는 상기 지지 플레이트(11) 아래에 마련되는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 플레이트(11)가 가열 플레이트로서 마련되는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로세스 챔버는 밀봉 하우징(4) 및 이 하우징(4)의 적어도 하나의 개구(9)를 갖는 진공 챔버(8)로서 마련되며, 상기 적어도 하나의 개구(9)는 상기 진공 챔버(8)의 탈기/배기 및 통기/가스 도입을 위해 마련되는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 선택된 프로세스, 특히 TLPS(천이 액상 솔더링) 프로세스, TLPB(천이 액상 접합) 프로세스 또는 소결 프로세스에 따라, 그리고 결합될 부품(2, 3)들의 토포그래피에 따라 적어도 상기 프레싱 장치(15)의 유체 압력을 제어 장치(24)에 의해 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 결합 장치.
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