CN105047586A - 胶带贴附设备和胶带贴附方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种胶带贴附设备(1),该胶带贴附设备包括:容器(6),所述容器内形成有气密空间(5);橡胶片(10),所述橡胶片将气密空间(5)分隔成第一和第二气密空间(7,8)并具有放置在上表面上的晶片(9);胶带框架(12),所述胶带框架将胶带(11)保持在橡胶片(10)的上方;以及第一和第二空气供应/排出管(13,14),所述第一和第二空气供应/排出管切换第一和第二气密空间(7,8)的加压和减压。在使第一和第二气密空间(7,8)处于真空状态、接着通过对第二气密空间(8)进行加压使橡胶片(10)膨胀并向上推压晶片(9)来粘接胶带(11)时,在通过控制第二气密空间(8)的加压量以逐步方式将橡胶片(10)的膨胀速度从低速改变到高速的同时将晶片(9)粘接到胶带(11)。
Description
本申请是申请号为201180014099.5,发明名称为“胶带贴附设备和胶带贴附方法”,国际申请日为2011年2月9日的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种用于将切割胶带贴附到半导体晶片的胶带贴附设备和胶带贴附方法,并且更具体地涉及一种适于将胶带贴附到例如具有低刚性的贴附目标对象的设备。
背景技术
在半导体制造过程期间将切割胶带(dicingtape)贴附到半导体晶片的情况下,例如,如图17所示,晶片42被放置在基部41上,并且胶带43从上方受到辊44和具有圆柱形形状的块状件或类似部件的按压而被贴附,其中所述辊44具有连接到其表面的橡胶。然而,由于在大气中执行这种方法,因此空气易于陷入晶片42与胶带43之间。当在这种状态下执行切割(芯片分割)时,在芯片中会产生裂缝或碎裂。
在这点上,提出了一种用于在真空环境下贴附胶带的贴附设备。例如,专利文献1公开了一种胶带贴附设备50,所述胶带贴附设备50包括:腔室52,所述腔室52内形成有气密空间51;橡胶片56,所述橡胶片56将气密空间51分隔成第一气密空间53和第二气密空间54并具有晶片55放置在上面的上表面;框架基部58,所述框架基部58将胶带57保持在橡胶片56上方;以及第一空气流路59和第二空气流路60,所述第一空气流路59和第二空气流路60分别将第一气密空间53和第二气密空间54切换到真空/大气状态下,如图18所示。
在胶带贴附设备50中,使第一气密空间53和第二气密空间54达到真空状态,并然后仅将第二气密空间54切换到大气压力下的状态,从而在第一气密空间53与第二气密空间54之间产生差压。这允许橡胶片56膨胀以升起晶片55,从而允许晶片55接触胶带57的粘合表面(后表面)。根据这种胶带贴附设备50,可以在真空环境下将胶带57和晶片55结合在一起,从而防止使空气陷入胶带与晶片之间。
引用列表
专利文献
日本专利第4143488号
发明内容
要解决的技术问题
如上所述,根据专利文献1中公开的胶带贴附设备,可以防止空气陷入在晶片与胶带之间。然而,除了这种能力之外,还需要一种能够减小在贴附胶带时施加在晶片上的载荷的贴附设备。
换句话说,随着电子设备的小型化,例如,包括已经被小型化的电路的超薄半导体芯片被广泛使用。理所当然地,上面形成半导体芯片的晶片的厚度也已经被迅速减小。这种薄晶片起初强度低,并且在晶片中易于发生翘曲。因此,晶片对来自上方或下方的挤压或冲击极其敏感,来自上方或下方的挤压或冲击可能会在胶带的贴附期间出现裂缝或碎裂。在将芯片用于传感器的情况下,可以将脆性结构(例如,反射光的微反射镜)安装在芯片上。在这种情况下也具有在胶带的贴附期间结构被损坏的可能性。为此,需要小心操作。
这种问题不仅发生在将胶带贴附到晶片的情况下,而且还发生在将胶带贴附到具有低刚性的贴附目标对象的情况下,更具体地基本上同样地发生在将胶带贴附到超薄玻璃片的情况下。
因此,考虑到现有技术所固有的上述问题完成本发明,并且本发明的目的是提供一种胶带贴附设备,所述胶带贴附设备能够在将胶带贴附到具有低刚性的贴附目标对象的情况下减小贴附目标对象上的载荷并防止贴附目标对象的破损或损坏。
技术方案
为了获得上述目的,根据本发明的一个方面的胶带贴附设备包括:容器,容器内形成有气密空间;弹性片,所述弹性片将气密空间分隔成定位在上方的第一气密空间和定位在下方的第二气密空间,胶带贴附目标对象放置在第一气密空间中;胶带保持构件,所述胶带保持构件将胶带保持在第一气密空间中,并将胶带定位在距离放置在弹性片上的胶带贴附目标对象预定距离处;和气压切换装置,所述气压切换装置用于切换第一气密空间和第二气密空间的加压和减压。在使第一气密空间和第二气密空间达到真空状态之后,当胶带贴附设备对第二气密空间进行加压并使弹性片膨胀以升起将被贴附到胶带的胶带贴附目标对象时,胶带贴附设备在控制第二气密空间的加压量以逐步方式将弹性片的膨胀速率从低速改变到高速的同时使胶带贴附目标对象贴附到胶带。
根据本发明的另一个方面的胶带贴附方法使用胶带贴附设备,该胶带贴附设备包括:容器,所述容器内形成有气密空间;弹性片,所述弹性片将气密空间分隔成定位在上方的第一气密空间和定位在下方的第二气密空间,胶带贴附目标对象放置在第一气密空间中;胶带保持构件,所述胶带保持构件将胶带保持在第一气密空间中,并将胶带定位在距离放置在弹性片上的胶带贴附目标对象预定距离处;和气压切换装置,所述气压切换装置用于切换第一气密空间和第二气密空间的加压和减压,所述方法包括以下步骤:在使第一气密空间和第二气密空间达到真空状态之后,在对第二气密空间进行加压并使弹性片膨胀以升起将被贴附到胶带的胶带贴附目标对象时,在控制第二气密空间的加压量以逐步方式将弹性片的膨胀速率从低速改变到高速的同时,使胶带贴附目标对象被贴附到胶带。
本发明的有利效果
如上所述,根据本发明,在将胶带贴附到具有低刚性的贴附目标对象的情况下,可以减小贴附目标对象上的载荷并防止贴附目标对象破损或损坏。
附图说明
图1是根据本发明的胶带贴附设备的一个示例性实施例的剖视图;
图2A是显示图1所示的第二供应/排出管的开口的放大俯视图;
图2B是沿图2A的线IIB-IIB截得的剖视图;
图3A是图1所示的每一个间隔件的放大俯视图;
图3B是沿图3A的线IIIB-IIIB截得的剖视图;
图4A是显示图1所示的橡胶片和压环的放大俯视图;
图4B是沿图4A的线IVB-IVB截得的剖视图;
图5是显示使用图1所示的胶带贴附设备的胶带贴附方法的过程的主流程图;
图6是显示第一气密空间和第二气密空间中的每一个的压力转变的状态的图表;
图7是显示在贴附胶带的情况下的真空处理的视图;
图8是显示在贴附胶带的情况下的氮注入过程的视图;
图9是显示在真空处理中的氮注入过程的子流程图;
图10是显示在贴附胶带的情况下的低速贴附过程的视图;
图11是显示在贴附胶带的情况下的中速贴附过程的视图;
图12是显示在贴附胶带的情况下的高速贴附过程的视图;
图13是显示在贴附胶带的情况下的稳定化处理的视图;
图14是显示在贴附胶带的情况下的橡胶收缩处理的视图;
图15是显示在贴附胶带的情况下的橡胶平坦化处理的视图;
图16A是用于说明图4A和4B所示的间隔件的操作和效果的视图,并显示了没有设置间隔件的模式;
图16B是用于说明图4A和4B所示的间隔件的操作和效果的视图,并显示了设有间隔件的模式;
图17是显示现有技术的胶带贴附方法的一个示例的视图;以及
图18是显示现有技术的胶带贴附方法的另一个示例的视图。
具体实施方式
接下来,参照附图详细地说明实施本发明的实施方式。这里,说明了其中根据本发明的胶带贴附设备应用于将切割胶带贴附到半导体晶片的示例。
图1显示了根据本发明的胶带贴附设备的一个示例性实施例。该胶带贴附设备1显著地被分成设备主体2、将空气(清洁空气)和氮供应给设备主体2并从设备主体2抽吸空气等的供应/排出机构3、以及控制用于供应/排放空气等的时序的控制单元4。
设备主体2是用于执行贴附操作的设备。设备主体2形成为圆柱状形状。该设备主体2包括:腔室(容器)6,所述腔室6内形成有气密空间5;橡胶片10,所述橡胶片10将气密空间5分隔成第一气密空间7和第二气密空间8并具有上面放置盘状晶片9的上表面;胶带框架12,所述胶带框架12将胶带11保持在橡胶片10上方;第一供应/排出管13,所述第一供应/排出管13用于将氮供应给第一气密空间7和从第一气密空间7抽吸空气;第二供应/排出管14,所述第二供应/排出管14用于将空气供应给第二气密空间8并从第二气密空间8抽吸空气;和真空传感器15,所述真空传感器15检测气密空间5的真空度。
腔室6包括通过将腔室6分成两个腔室而形成的上腔室(顶盖)6a和下腔室(基部)6b。向上凹入的凹部形成在上腔室6a内。用于确保气密空间5的气密性的密封环16设置在上腔室6a与下腔室6b之间。
第一供应/排出管13和第二供应/排出管14位于下腔室6b中。在这些管中,第二供应/排出管14具有与网罩14a连接的开口,其中所述网罩14a内形成有许多小孔,如图2A和2B所示。
进一步地,如图1所示,每一个都具有预定高度的多个间隔件17形成在下腔室6b的上表面上。这些间隔件17以第二供应/排出管14的开口作为中心被布置成十字形形状,如图3A和图3B所示。
此外,如图1所示,可伸长橡胶片10设置在下腔室6b的上表面上。橡胶片10优选地由具有极好的阻气性的诸如氯丁二烯橡胶或乙丙橡胶的弹性体形成。此外,要注意的是间隔件17优选地由与橡胶片10的材料相同的材料形成以防止橡胶片10被损坏。
如图4A所示,当从上表面看时具有环形形状的压环18设置在橡胶片10的周边部分上。压环18被拧入到下腔室6b中,从而固定橡胶片10。压环18内形成有多个沟槽19,如图4A和图4B所示。这些沟槽19允许压环18的内部空间7a和外部空间7b相互连通。要注意的是沟槽19可以形成在随后所述的胶带框架12中,或者可以形成在压环18和胶带框架12中。
如图1所示,当从上表面看时具有环形形状的胶带框架12被放置在压环18的上表面上。具有被涂有诸如UV固化树脂或热固性树脂的粘合剂的后表面的胶带11贴附到胶带框架12的上表面。胶带11在一定张力下被贴附,从而防止胶带11变形或起皱。
要注意的是胶带11的贴附不局限于与胶带框架12的上表面的贴附。胶带11可以从前侧到后侧夹在两个框架之间。可以采用任意方式,只要在胶带11中不会发生变形或起皱即可。
供应/排出机构3包括:供应氮的氮供应源21;供应空气的空气供应源22;抽吸空气或氮的真空泵23;第一电磁阀24,所述第一电磁阀24设置在氮供应源21和真空泵23两者与第一供应/排出管13之间;第二电磁阀26,所述第二电磁阀26设置在空气供应源22和真空泵23两者与第二供应/排出管14之间;第三电磁阀27,所述第三电磁阀27设置在第二电磁阀26与空气供应源22之间;和流量控制阀28,所述流量控制阀28设置在第二电磁阀26与第三电磁阀27之间。
第一电磁阀24被设置成选择性地将第一供应/排出管13连接到氮供应源21或真空泵23。第二电磁阀26被设置成选择性地将第二供应/排出管14连接到第三电磁阀27或真空泵23。第三电磁阀27被设置成选择性地将第二供应/排出管14连接到流量控制阀28或空气供应源22。流量控制阀28被设置成限制空气的流量。
控制单元4根据真空传感器15的输出和装在控制单元中的计时器4a的输出控制第一电磁阀24、第二电磁阀26和第三电磁阀27的操作,并且还控制设备主体2的第一气密空间7和第二气密空间8的加压/减压。
接下来,参照图1-15说明使用具有如上所述的结构的胶带贴附设备1的贴附方法。要注意的是这里以示例的方式说明使用UV固化树脂作为胶带11的粘合剂的情况。
首先参照图1,第二电磁阀26朝向真空泵23侧打开,以使第二气密空间(定位在橡胶片10下方的气密空间)处于减压大气中。在这种状态下,上腔室6a打开,并且晶片9放置在橡胶片10的上表面的中心处。然后,胶带11的后表面(粘合表面)贴附到胶带框架12的上表面,并且贴附有胶带11的胶带框架12放置在压环18上。
在上腔室6a关闭之后,第一电磁阀24朝向真空泵23侧打开,并且第一供应/排出管13连接到真空泵23,如图7所示。这允许从第一气密空间(定位在橡胶片10上方的气密空间)抽吸空气以处于减压大气中(图5中的步骤S1)。
此时,如图8所示,第一电磁阀24间歇地朝向氮供应源21侧打开以将氮注入到第一气密空间7中。这降低了第一气密空间7中的氧的浓度并促进在低氧浓度环境下的贴附工作。
换句话说,由于UV固化树脂高度厌氧,因此如果在高氧浓度环境下执行UV固化树脂的贴附过程,则UV固化树脂的固化作用下降。因此,在随后的过程中,在照射紫外线时,未固化的UV固化树脂残留下来。这使得在剥离切割过程之后获得的晶片9(芯片)的情况下难以从胶带11剥离芯片。为此,如上所述,氮被注入到第一气密空间7中以降低氧浓度,从而防止UV固化树脂的固化作用下降。
可以如图9所示执行用于注入氮的操作。具体地,当在从第一气密空间7抽吸空气的状态下第一气密空间7的真空度达到第一设定真空度时,第一供应/排出管13连接到氮供应源21以将氮注入到第一气密空间7中(步骤S11至S13)。然后,氮被连续注入直到第一气密空间7的真空度达到第二设定真空度为止。当真空度达到第二设定真空度时,确定氮的注入次数是否达到设定次数(步骤S14至S15)。作为确定的结果,当注入次数达到设定次数时,再次执行抽真空以抽吸氮(步骤S16),并且在将第一气密空间7中残留的氧的浓度被设定为等于或低于1%的状态下,使第一气密空间7处于减压大气下。这里,第一设定真空度、第二设定真空度和设定次数可以被任意设定。
要注意的是,如上所述,考虑UV固化树脂的特性来执行注入氮的过程。因此,当使用除了UV固化树脂之外的粘合剂时可以省略该过程。
接下来,如图10所示,在保持第一气密空间7的真空压力的状态下关闭第二电磁阀26以关闭第二供应/排出管14,从而密封第二气密空间8。在这种情况下,发生自然泄漏,并且一定量的空气流入到第二气密空间8中,使得在第一气密空间7与第二气密空间8之间产生小差压。
因此,橡胶片10逐渐膨胀从而缓慢升起放置在橡胶片10上的晶片9。该低速升起允许晶片9接触胶带11的粘合表面(图5中的步骤S2),使得晶片9的中心首先接触胶带11。
具体地,在将晶片9放置在诸如橡胶片10的不稳定基部上的情况下,当晶片9被高速升起时,晶片9的姿势受到干扰或倾斜,或者晶片9在橡胶片10上滑动,因此晶片的位置容易移动。另一方面,当晶片11被低速升起时,晶片9被允许接触胶带9,同时固定地保持晶片9的姿势和位置,从而使得可以可靠地从晶片9的中心执行贴附过程。
接下来,如图11所示,第二电磁阀26朝向空气供应源22侧打开,并且第三电磁阀27朝向流量控制阀28侧打开,从而在流量受到限制的状态下将空气供应到供应/排出管14。这允许使第二气密空间8处于加压大气中并增加第一气密空间7与第二气密空间8之间的差压,从而将橡胶片10的膨胀速率从低速改变到中速(图5中的步骤S3)。
与随后所述的高速贴附过程相比较,在中速贴附过程中,橡胶片10的膨胀速率下降并且用于升起晶片9的压力降低。在该过程中,在低压下执行晶片9到胶带11的升起,从而在不需要将过量载荷施加到晶片9的情况下增加胶带11与晶片9之间的贴附区域。
在晶片9接触胶带11的部分中,胶带11被贴附到晶片9以增强晶片9,从而抑制晶片9裂缝或碎裂。执行这种过程以增大如上所述的增强的区域,同时最小化晶片9上的载荷。胶带11和胶带框架12与晶片9一起被升起,并且例如允许晶片9的上表面的大约50%至70%接触胶带11。
要注意的是橡胶片10在中速贴附过程期间的膨胀速率(膨胀压力)被设定为允许通过以不发生破损的挤压压力将晶片9压靠在胶带11上的速率(膨胀压力)。然而,在这种情况下,不发生破损的挤压压力基于晶片9的厚度、形状(翘曲的状态)和类似因素而变化。因此,根据要被使用的晶片9的状态适当地确定实际操作期间的速率。
然后,当贴附区域达到晶片上表面的大约50%至70%时,以及当晶片9的裂缝或碎裂的风险下降时,第三电磁阀27朝向空气供应源22侧打开,并且第一气密空间7与第二气密空间8之间的差压进一步增加,如图12所示。这允许橡胶片10的膨胀速率从中速变化到高速(图5中的步骤S4)并增加晶片9抵靠胶带11的挤压压力。晶片9的整个上表面通过高速贴附过程被贴附到胶带11。
在高速贴附过程期间,胶带11和晶片9被压靠在上腔室6a的顶表面上,以校正晶片9的翘曲并提高晶片9与胶带11之间的粘合性。此时,胶带11用作保护晶片9的上表面的保护构件,从而防止晶片9的表面被损坏。
可以通过自动控制切换如上所述的低速贴附过程、中速贴附过程和高速贴附过程。例如,可以通过使用装入控制单元4中的计时器4a根据时间的流逝进行所述切换。
接下来,如图13所示,第一电磁阀24和第二电磁阀26关闭,并且第一供应/排出管13和第二供应/排出管14关闭,从而密封第一气密空间7和第二气密空间8。因此,晶片9被压靠在胶带11上的状态被保持预定时限,从而稳定胶带11与晶片9之间的粘合(图5中的步骤S5)。
接下来,如图14所示,第一电磁阀24朝向氮供应源21侧打开,同时第二电磁阀26关闭,从而将氮供应到第一气密空间7。这导致橡胶片10低速收缩,从而允许胶带11、晶片9和胶带框架12逐渐下降(图5中的步骤S6)。
然后,即使在胶带框架12接触压环18之后也允许橡胶片10继续低速收缩,从而从晶片9的下表面逐渐剥离橡胶片10。这防止当剥离橡胶片10时将大的张力载荷施加到晶片9。
接下来参照图15,第二电磁阀26朝向真空泵23侧打开以从第二气密空间8抽吸空气。因此,允许橡胶片10以高速收缩并被平坦化(图5中的步骤S7)。最后,上腔室6a打开以使胶带11在胶带11与晶片9贴附的状态下与胶带框架12一起被取出,从而完成操作。
如上所述,根据该示例性实施例,在将晶片9贴附到胶带11的情况下,晶片9被贴附到胶带11,同时橡胶片10的膨胀速率以如图6所示的分段方式被从低速切换到高速(图5中的步骤S2至S4),从而能够在晶片9上的载荷最小化的状态下进行贴附。即使在使用具有低刚性的晶片9的情况下,这也能够在防止在晶片9中产生破损或损坏的同时进行胶带11的贴附。
进一步地,根据该示例性实施例,执行低速贴附过程,并允许晶片9的中心首先接触胶带11。这能够在随后的中速贴附过程和高速贴附过程中从晶片9的中心朝向晶片9的外周边顺序进行贴附。因此,即使当在晶片9与胶带11之间存在空气时,也可以将晶片9贴附于胶带11,同时使空气泄漏到外面,从而防止空气被陷入晶片与胶带之间。
进一步地,根据该示例性实施例,如图3A所示,以第二供应/排出管14的开口作为中心呈十字形布置的多个间隔件17形成在下腔室6b的上表面上。这使得可以当第二气密空间8处于减压大气时防止空气残留。
具体地,当不设置间隔件17时,如图16A所示,在通过第二供应/排出管14抽吸空气时,橡胶片10被抽吸到第二供应/排出管14中,使得第二供应/排出管14的开口关闭。因此,不能从第二气密空间8抽吸空气,空气残留下来。
当在图5的步骤S1的抽真空期间出现这种状态时,例如,第二气密空间8相对于第一气密空间7处于正压力,这使得难以使橡胶片10完全平坦化。进一步地,由于第二气密空间8相对于第一气密空间7处于正压力,因此当在这种状态下所述过程移动到图5中的步骤S2的低速贴附过程时,在从第二气密空间8释放空气的抽吸时,橡胶片10开始以相对较高的速度膨胀,并且晶片9以高于预定速度的速度升起。当所述过程移动到图5中的步骤S3的中速贴附过程时也会发生此现象,这使得难以适当地控制晶片9抵靠胶带11的挤压压力。
另一方面,当设置间隔件17时,如图16B所示,即使通过第二供应/排出管14抽吸空气,橡胶片10也会接触间隔件17,从而妨碍空气进入到第二供应/排出管14的抽吸。此时,如由图3A的箭头D所示,第二气密空间8内的空气从相邻的间隔件17之间的每一个空间流入到第二供应/排出管14中。这防止间隔件17妨碍从第二气密空间8对空气的抽吸。
依此方式设置间隔件17可防止在图5的步骤S1的抽真空期间空气残留在第二气密空间8中。这能够在随后的步骤S2和S3的过程中适当地控制晶片9的升起速度和晶片9抵靠胶带11的挤压压力。
要注意的是每一个间隔件17的高度没有具体受到限制,并且可以根据来自第二气密空间8的空气的抽吸压力和橡胶片10的材料适当地确定高度。进一步地,间隔件的排列形状不局限于十字形形状。例如,可以使用其它形状,例如以第二供应/排出管14的开口作为中心的放射形状。更加可选地,多个间隔件17可以没有特定规则性地以离散方式布置在第二供应/排出管14的开口的附近。
根据该示例性实施例,如图2A和图2B所示,网罩14A连接到第二供应/排出管14的开口。这使得在抽吸空气时可以增加有效截面面积(第二供应/排出管14的直径),同时防止橡胶片10被抽吸到第二供应/排出管14中。
虽然上面已经描述了本发明的示例性实施例,但是本发明不局限于上述结构,并且可以在本发明的权利要求中所述的保护范围内以各种方式修改本发明。
例如,示例性实施例以示例的方式说明了根据本发明的胶带贴附设备应用到切割胶带与半导体晶片的贴附的情况。然而,除了示例性实施例中所示的情况之外,本发明可以被应用于多种情况,例如防护胶带与玻璃片的贴附的情况。
进一步地,在上述示例性实施例中,胶带11通过切换三个步骤,即低速贴附过程、中速贴附过程和高速贴附过程中的速度被贴附到晶片9。然而,当晶片9具有足够的厚度时,或者当橡胶片10的材料几乎不会引起滑动时,可以跳过低速贴附过程,而可以从中速贴附过程开始操作。
此外,在上述示例性实施例中,在低速贴附过程期间通过利用第二气密空间8侧的自然泄漏,橡胶片10缓慢膨胀。然而,自然泄漏的利用不是必需的,而可以通过将小于中速贴附过程的空气的量供应到第二气密空间8来降低橡胶片10的膨胀速率。
进一步地,在上述示例性实施例中,第一气密空间7和第二气密空间8设有氮供应源21和空气供应源22,所述氮供应源21和空气供应源22中的每一个都用作用于供应气体的供应源。然而,还可以使用除了氮气和空气之外的气体作为要被供应给第一气密空间7和第二气密空间8中的每一个的气体,只要可以实现第一气密空间7和第二气密空间8的加压和减压即可。
此外,在上述示例性实施例中,设备主体2、橡胶片10和胶带框架12分别形成为圆柱状形状、圆形形状和环形形状以与半导体晶片的常规形状相一致。然而,设备主体2等的形状不局限于这些形状,而是例如可以采用诸如矩形形状的其它形状。
此外,在上述示例性实施例中,用于供应气体的供应端口和用于抽吸空气的抽吸端口在第一气密空间7和第二气密空间8之间被共用,然而也可以单独设置这些端口。
以上公开的示例性实施例的全部或部分可以被描述为但不限于以下补充说明。
(补充说明1):一种胶带贴附设备,包括:
容器,所述容器内形成有气密空间;
弹性片,所述弹性片将气密空间分隔成定位在上方的第一气密空间和定位在下方的第二气密空间,胶带贴附目标对象放置在第一气密空间中;
胶带保持构件,所述胶带保持构件将胶带保持在第一气密空间中并将胶带定位在距离放置在弹性片上的胶带贴附目标对象预定距离处;和
气压切换装置,所述气压切换装置用于切换第一气密空间和第二气密空间的加压和减压,
其中,在使第一气密空间和第二气密空间达到真空状态之后,胶带贴附设备对第二气密空间进行加压并使弹性片膨胀以升起将被贴附到胶带的胶带贴附目标对象,胶带贴附设备在升起胶带贴附目标对象时,在控制第二气密空间的加压量以逐步方式将弹性片的膨胀速率从低速改变到高速的同时使胶带贴附目标对象贴附到胶带。
(补充说明2):根据补充说明1所述的胶带贴附设备,其中,弹性片以允许胶带贴附目标对象以不发生破损的挤压力压靠在胶带上的第一速度膨胀,直到胶带贴附目标对象与胶带之间的接触面积达到预定量为止,然后弹性片的膨胀速率被切换到第二速度,使胶带贴附目标对象的整个贴附表面接触胶带,第二速度高于第一速度。
(补充说明3):根据补充说明2所述的胶带贴附设备,其中,在弹性片以第一速度膨胀之前,弹性片以第三速度膨胀,使胶带贴附目标对象的中心部分接触胶带,第三速度低于第一速度。
(补充说明4):根据补充说明3所述的胶带贴附设备,其中,在使第一气密空间和第二气密空间达到真空状态之后,第二气密空间关闭且保持第一气密空间的真空状态,从而使弹性片以第三速度膨胀。
(补充说明5):根据补充说明2、3或4所述的胶带贴附设备,其中,在弹性片以第二速度膨胀时,胶带贴附目标对象和胶带在胶带贴附目标对象和胶带相互接触的状态下被升起并压靠在气密空间的顶面上。
(补充说明6):根据补充说明1-5中任一项所述的胶带贴附设备,包括间隔件,所述间隔件设置在弹性片的下表面与气密空间的底面之间,间隔件靠近用于从第二气密空间抽吸气体的吸入端口布置。
(补充说明7):根据补充说明6所述的胶带贴附设备,其中,多个间隔件以吸入端口作为中心设置和排列成十字形形状和放射形状中的一个形状。
(补充说明8):根据补充说明1-7中任一项所述的胶带贴附设备,其中,网罩连接到用于从第二气密空间抽吸气体的吸入端口。
(补充说明9):根据补充说明1-8中任一项所述的胶带贴附设备,其中,由UV固化树脂制成的粘合剂涂敷在胶带的粘合表面上,并且当第一气密空间和第二气密空间达到真空状态时,氮被间歇地供应到第一气密空间。
(补充说明10):一种使用胶带贴附设备的胶带贴附方法,所述胶带贴附设备包括:
容器,所述容器内形成有气密空间;
弹性片,所述弹性片将气密空间分隔成定位在上方的第一气密空间和定位在下方的第二气密空间,胶带贴附目标对象放置在第一气密空间中;
胶带保持构件,所述胶带保持构件将胶带保持在第一气密空间中,并将胶带定位在距离放置在弹性片上的胶带贴附目标对象预定距离处;和
气压切换装置,所述气压切换装置用于切换第一气密空间和第二气密空间的加压和减压,
所述方法包括以下步骤:
在使第一气密空间和第二气密空间达到真空状态之后,对第二气密空间进行加压并使弹性片膨胀以升起将被贴附到胶带的胶带贴附目标对象;和
在控制第二气密空间的加压量以逐步方式将弹性片的膨胀速率从低速改变到高速的同时,使胶带贴附目标对象被贴附到胶带。
(补充说明11):根据补充说明10所述的胶带贴附方法,其中,弹性片以允许胶带贴附目标对象以不发生破损的挤压力压靠在胶带上的第一速度膨胀,直到胶带贴附目标对象与胶带之间的接触面积达到预定量为止,然后弹性片的膨胀速率被切换到第二速度,使胶带贴附目标对象的整个贴附表面接触胶带,第二速度高于第一速度。
(补充说明12):根据补充说明11所述的胶带贴附方法,其中,在弹性片以第一速度膨胀之前,弹性片以第三速度膨胀,使胶带贴附目标对象的中心部分接触胶带,第三速度低于第一速度。
(补充说明13):根据补充说明12所述的胶带贴附方法,其中,在第一气密空间和第二气密空间达到真空状态之后,第二气密空间关闭且保持第一气密空间的真空状态,从而使弹性片以第三速度膨胀。
(补充说明14):根据补充说明11、12或13所述的胶带贴附方法,其中,在弹性片以第二速度膨胀时,胶带贴附目标对象和胶带在胶带贴附目标对象和胶带相互接触的状态下被升起并压靠在气密空间的顶表面上。
(补充说明15):根据补充说明10-14中任一项所述的胶带贴附方法,其中,由UV固化树脂制成的粘合剂涂敷在胶带的粘合表面上,并且当第一气密空间和第二气密空间达到真空状态时,氮被间歇地供应给第一气密空间。
本申请基于并主张2010年3月16日提出申请的日本专利申请第2010-58629号的优先权的权益,该申请的公开内容在此整体并入本文供参考。
工业应用性
本发明可以用作用于在例如将切割胶带贴附到半导体晶片中使用的胶带贴附设备和胶带贴附方法。
附图标记列表
1胶带贴附设备
2设备主体
3供应/排出机构
4控制单元
4a计时器
5气密空间
6腔室
6a上腔室
6b下腔室
7第一气密空间
7a压环的内部空间
7b压环的外部空间
8第二气密空间
9半导体晶片
10橡胶片
11切割胶带
12胶带框架
13第一供应/排出管
14第二供应/排出管
14a网罩
15真空传感器
16密封环
17间隔件
18压环
19沟槽
21氮供应源
22空气供应源
23真空泵
24第一电磁阀
26第二电磁阀
27第三电磁阀
28流量控制阀
Claims (4)
1.一种胶带贴附设备,包括:
容器,所述容器内形成有气密空间;
弹性片,所述弹性片将所述气密空间分隔成定位在上方的第一气密空间和定位在下方的第二气密空间,胶带贴附目标对象放置在所述第一气密空间中;
胶带保持构件,所述胶带保持构件将胶带保持在所述第一气密空间中,并将所述胶带定位在距离放置在所述弹性片上的所述胶带贴附目标对象预定距离处;和
气压切换装置,所述气压切换装置用于切换所述第一气密空间和所述第二气密空间的加压和减压,其中
在使所述第一气密空间和所述第二气密空间达到真空状态之后,对所述第二气密空间进行加压并使所述弹性片膨胀以升起所述胶带贴附目标对象并使所述胶带贴附目标对象贴附到所述胶带,并且
在使所述第一气密空间和所述第二气密空间达到真空状态时,通过到所述第二气密空间中的自然泄漏产生的第一气密空间与第二气密空间之间的差压使所述弹性片膨胀,以使所述胶带贴附目标对象的中心部分与所述胶带接触。
2.根据权利要求1所述的胶带贴附设备,其中,在所述胶带贴附目标对象的中心部分与所述胶带接触之后,通过气压切换装置对所述第二气密空间进行加压同时控制加压量,并且所述弹性片以允许所述胶带贴附目标对象以不发生破损的挤压力压靠在所述胶带上的速度膨胀,直到所述胶带贴附目标对象与所述胶带之间的接触面积达到预定量为止。
3.一种使用胶带贴附设备的胶带贴附方法,所述胶带贴附设备包括:
容器,所述容器内形成有气密空间;
弹性片,所述弹性片将所述气密空间分隔成定位在上方的第一气密空间和定位在下方的第二气密空间,胶带贴附目标对象放置在所述第一气密空间中;
胶带保持构件,所述胶带保持构件将胶带保持在所述第一气密空间中,并将所述胶带定位在距离放置在所述弹性片上的所述胶带贴附目标对象预定距离处;和
气压切换装置,所述气压切换装置用于切换所述第一气密空间和所述第二气密空间的加压和减压,
所述方法包括以下步骤:
在使所述第一气密空间和所述第二气密空间达到真空状态之后,对所述第二气密空间进行加压并使所述弹性片膨胀以升起所述胶带贴附目标对象并使所述胶带贴附目标对象贴附到所述胶带,其中
在使所述第一气密空间和所述第二气密空间达到真空状态时,通过到所述第二气密空间中的自然泄漏产生的第一气密空间与第二气密空间之间的差压使所述弹性片膨胀,以使所述胶带贴附目标对象的中心部分与所述胶带接触。
4.根据权利要求3所述的胶带贴附方法,其中,在所述胶带贴附目标对象的中心部分与所述胶带接触之后,通过气压切换装置对所述第二气密空间进行加压同时控制加压量,并且所述弹性片以允许所述胶带贴附目标对象以不发生破损的挤压力压靠在所述胶带上的速度膨胀,直到所述胶带贴附目标对象与所述胶带之间的接触面积达到预定量为止。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110687753A (zh) * | 2018-07-06 | 2020-01-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种气动装置和光刻装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5893887B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2016-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101632043B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2016-06-20 | 샤프 가부시키가이샤 | 로드록 장치 및 이를 구비한 진공처리장치 |
JP5687647B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2015-03-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置 |
CN104037113B (zh) * | 2013-03-04 | 2018-05-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理腔室的供气装置以及去夹持方法 |
JP6053150B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2016-12-27 | リンテック株式会社 | 光照射装置および照射方法 |
CN104692028B (zh) * | 2015-02-02 | 2017-04-05 | 电子科技大学 | 一种可选择真空吸附或电磁吸附的传送带吸附装置 |
JP5797863B1 (ja) * | 2015-05-29 | 2015-10-21 | オリジン電気株式会社 | 接合部材製造装置及び接合部材の製造方法 |
JP6573231B2 (ja) * | 2016-03-03 | 2019-09-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP7000129B2 (ja) * | 2017-11-15 | 2022-01-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置 |
KR102516339B1 (ko) | 2018-04-06 | 2023-03-31 | 삼성전자주식회사 | 광 조사기용 덮개 구조물과 이를 구비하는 광 조사장치 및 이를 이용한 다이 접착 방법 |
KR102555601B1 (ko) * | 2018-04-24 | 2023-07-18 | 디스코 하이테크 유럽 게엠베하 | 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 부착장치 및 부착방법 |
JP2021129038A (ja) * | 2020-02-14 | 2021-09-02 | 株式会社ディスコ | テープ貼着装置 |
JP2022062986A (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-21 | 富士電機株式会社 | 半導体検査装置および半導体ウエハの検査方法 |
CN113363219B (zh) * | 2021-05-11 | 2024-02-06 | 苏州通富超威半导体有限公司 | 一种bga产品、热压设备及热压工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11245163A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-14 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの接着方法及び接着装置 |
JP2005026377A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Nec Engineering Ltd | 真空テープ貼付装置及び方法 |
CN1954419A (zh) * | 2004-05-25 | 2007-04-25 | 有限会社都波岐精工 | 胶带粘结装置、胶带粘结方法、以及电子器件制造方法 |
CN101140855A (zh) * | 2006-09-08 | 2008-03-12 | 琳得科株式会社 | 薄片粘贴装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5307568A (en) * | 1991-09-09 | 1994-05-03 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system |
JPH0686342U (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-13 | 川崎製鉄株式会社 | 真空ピンセット |
JPH10233430A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ貼付け装置 |
JP2001284218A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Canon Inc | 保管庫、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
-
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-
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2015
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11245163A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-14 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの接着方法及び接着装置 |
JP2005026377A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Nec Engineering Ltd | 真空テープ貼付装置及び方法 |
CN1954419A (zh) * | 2004-05-25 | 2007-04-25 | 有限会社都波岐精工 | 胶带粘结装置、胶带粘结方法、以及电子器件制造方法 |
CN101140855A (zh) * | 2006-09-08 | 2008-03-12 | 琳得科株式会社 | 薄片粘贴装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110687753A (zh) * | 2018-07-06 | 2020-01-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种气动装置和光刻装置 |
CN110687753B (zh) * | 2018-07-06 | 2020-12-04 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种气动装置和光刻装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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