CN104025278B - 装载闭锁装置和具备它的真空处理装置 - Google Patents

装载闭锁装置和具备它的真空处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104025278B
CN104025278B CN201280064260.4A CN201280064260A CN104025278B CN 104025278 B CN104025278 B CN 104025278B CN 201280064260 A CN201280064260 A CN 201280064260A CN 104025278 B CN104025278 B CN 104025278B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
lock chamber
load lock
slow speed
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201280064260.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104025278A (zh
Inventor
西村直树
佐藤重光
大空弘树
金子俊则
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Ulvac Inc
Original Assignee
Sharp Corp
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp, Ulvac Inc filed Critical Sharp Corp
Publication of CN104025278A publication Critical patent/CN104025278A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104025278B publication Critical patent/CN104025278B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

装载闭锁装置(1)具备：装载闭锁室(4)，其构成为内部能被真空排气，收纳处理对象物(S)；支撑台(13)，其收纳于装载闭锁室(4)的内部，支撑处理对象物(S)；以及慢速通气单元(15)，其设置于装载闭锁室(4)，向处于真空状态的装载闭锁室(4)的内部供应通气气体，使装载闭锁室(4)的内部切换为大气压状态。慢速通气单元(15)相对于支撑台(13)左右对称地配置。

Description

装载闭锁装置和具备它的真空处理装置
技术领域
本发明涉及能够抑制异物(颗粒)向装载闭锁室内的处理对象物的附着的装载闭锁装置和具备它的真空处理装置。
背景技术
例如，在液晶显示装置用的玻璃基板的制造工艺、半导体晶片的制造工艺中，要进行溅射、蚀刻和等离子体CVD等真空处理。
并且，在进行这种真空处理的真空处理装置中，在将玻璃基板等处理对象物送入或者搬出进行真空处理的处理室时，一旦使真空处理室的内部回到大气压，则会产生气体吸附于真空处理室的内壁等现象。因此，有如下问题：到使得真空处理室的内部成为能开始下一处理的状态为止需要非常长的时间，结果是，装置的处理能力大幅下降。
因此，为了避免这种缺陷，已进行如下处理：设置装载闭锁装置，仅使该装载闭锁装置的内部回到大气压，由此，利用装载闭锁装置将处理对象物送入和搬出真空处理室。并且，通过设置这种装载闭锁装置，在使真空处理室的内部成为高真空的状态下进行真空处理，能防止装置的处理能力的下降。
在此，在装载闭锁装置的内部，由于来自真空处理室内的反应生成物、处理对象物的运送机构等的起尘，而存在许多异物。并且，在进行装载闭锁装置的真空排气、通气(Vent)时，产生如下问题：该异物随着急剧的气体的流动在装载闭锁装置的内部飞舞，而附着于处理对象物，结果是，产生不良品，处理对象物的合格率下降。
因此，已提出用于抑制这种因异物而导致的合格率的下降的装载闭锁装置。更具体地说，例如，已提出具备气体扩散板的装载闭锁装置，该气体扩散板使导入装载闭锁室内的通气气体扩散。并且，已记载通过设置这种气体扩散板，能够降低导入气体的流速，抑制异物的扬起(例如，参照专利文献1)。
另外，已提出具备干扰板的装载闭锁装置，该干扰板以在晶片支撑部与装载闭锁排气口之间包括晶片支撑部的方式配置，具有许多孔。并且，已记载通过设置这种干扰板，能抑制晶片周边部的气流的紊乱，在晶片周边使气体各向同性地排气，因此能够抑制异物的扬起(例如，参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平8-124993号公报
专利文献2：特开平6-318536号公报
发明要解决的问题
然而，在上述专利文献1、2所记载的装载闭锁装置中，虽然通过抑制处理对象物上的气流，在某种程度上能够抑制异物的扬起，但充分地抑制因整个装载闭锁装置内部的通气气体的气流的紊乱而导致的异物的扬起是困难的。因此，有如下问题：无法充分地抑制处理对象物上的异物附着，结果是，处理对象物的合格率下降。
因此，本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够有效地抑制异物向装载闭锁室内的处理对象物的附着的装载闭锁装置和具备它的真空处理装置。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的，本发明的装载闭锁装置具备：装载闭锁室，其构成为内部能被真空排气，收纳处理对象物；支撑台，其收纳于装载闭锁室的内部，支撑处理对象物；慢速通气单元，其设置于装载闭锁室，向处于真空状态的装载闭锁室的内部供应通气气体，使装载闭锁室的内部切换为大气压状态；以及通气气体供应管，其连接到装载闭锁室，向装载闭锁室的内部供应通气气体，上述装载闭锁装置的特征在于，支撑台支撑纵置的处理对象物，慢速通气单元具有慢速通气管，慢速通气管连接到装载闭锁室，向装载闭锁室的内部供应通气气体，慢速通气管和通气气体供应管相连接，相连接的一对慢速通气管和通气气体供应管相对于沿着支撑台的方向左右对称地配置，上述装载闭锁装置具有一对通气气体供应管，慢速通气管配置在一对通气气体供应管之间。
根据上述构成，在进行装载闭锁室的慢速通气时，在整个装载闭锁室内，能使通气气体的气流产生于固定方向(例如，从相对于支撑台所支撑的处理对象物的上方至下方的方向)。因此，能抑制因整个装载闭锁室内部的通气气体的气流的紊乱而导致的异物的扬起，因此，能有效地抑制异物向装载闭锁室内的处理对象物的附着。其结果是，能抑制处理对象物的合格率的下降。
在本发明的装载闭锁装置中，慢速通气单元也可以包括：慢速通气管，其连接到装载闭锁室，向装载闭锁室的内部供应通气气体；以及慢速通气阀，其设置于慢速通气管，调节通气气体从慢速通气管向装载闭锁室的流入量。
在本发明的装载闭锁装置中，也可以还具备：排气口，其形成于装载闭锁室，用于将装载闭锁室的内部的气体向装载闭锁室的外部排出；以及排气泵，其连接到排气口，排气口为网状。
根据上述构成，能够防止异物从装载闭锁室侵入排气泵，并且在进行装载闭锁室的真空排气时，能抑制因装载闭锁室的内部的排气流的紊乱而导致的异物的扬起。因此，在进行装载闭锁室的真空排气时，能有效地抑制异物向装载闭锁室内的处理对象物的附着。其结果是，能抑制处理对象物的合格率的下降。
在本发明的装载闭锁装置中，也可以是支撑台以纵置的状态支撑处理对象物的构成。
根据上述构成，在进行正式通气处理前的慢速通气处理的阶段，已经能将附着于处理对象物的异物除去，因此，能进一步有效地抑制异物向处理对象物的附着。其结果是，能进一步抑制处理对象物的合格率的下降。
另外，本发明的装载闭锁装置具备能够有效地抑制异物向装载闭锁室内的处理对象物的附着，抑制处理对象物的合格率的下降的优异特性。因此，本发明适合用于具备装载闭锁装置和对从装载闭锁室送入的处理对象物在真空气氛下实施规定的处理的真空处理室的真空处理装置。
发明效果
根据本发明，能够有效地抑制异物向装载闭锁室内的处理对象物的附着，抑制处理对象物的合格率的下降。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的真空处理装置的整体构成的图。
图2是示出本发明的实施方式的真空处理装置中的装载闭锁装置的图。
图3是用于说明本发明的本实施方式的真空处理装置进行的处理对象物的处理流程的图。
图4是示出本发明的实施方式的真空处理装置中的装载闭锁装置的真空排气口的形状的图。
图5是示出本发明的变形例的装载闭锁装置的图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，本发明并不限于以下的实施方式。
图1是示出本发明的实施方式的真空处理装置的整体构成的图，图2是示出本发明的实施方式的真空处理装置中的装载闭锁装置的图。
如图1所示，本实施方式的真空处理装置1具备真空处理室2、装载闭锁装置3以及大气运送室24。
真空处理室2例如用于对液晶显示装置用的玻璃基板等处理对象物S，在真空气氛下实施规定的处理(例如，溅射、蚀刻和等离子体CVD等)。
大气运送室24将未处理的处理对象物S向装载闭锁装置3运送，并且通过装载闭锁装置3将由真空处理室2实施规定的处理后的处理对象物S送入大气运送室24。
装载闭锁装置3通过使装载闭锁装置3的内部从真空状态回到大气压从而利用装载闭锁装置3将由真空处理室2处理后的处理对象物S从真空处理室2送入大气运送室24，并且通过使装载闭锁装置3的内部从大气压回到真空状态从而利用装载闭锁装置3将处理对象物S从大气运送室24送入真空处理室2。
如图1、图2所示，该装载闭锁装置3具备：装载闭锁室4，其构成为内部能被真空排气，收纳处理对象物S；通气气体供应管7，其连接到装载闭锁室4，向装载闭锁室4的内部供应通气气体；以及通气阀8，其设置于通气气体供应管7，调节通气气体从通气气体供应管7向装载闭锁室4的流入量。
装载闭锁室4例如由铝等材质形成为容器状。另外，通气气体供应管7连接到气体供应源(未图示)。
另外，装载闭锁装置3具备慢速通气单元15，慢速通气单元15用于慢慢地进行向装载闭锁室4的气体供应(即，使向装载闭锁室4的气体供应量慢慢地变化)，进行所谓“慢速通气(Slow vent)”。该慢速通气单元15设置于装载闭锁室4，向处于真空状态的装载闭锁室4的内部慢慢地供应通气气体，使装载闭锁室4的内部切换为大气压状态。
另外，慢速通气单元15包括：慢速通气管9，其连接到通气气体供应管7和装载闭锁室4，向装载闭锁室4的内部供应通气气体；以及慢速通气阀10，其设置于慢速通气管9，调节通气气体从慢速通气管9向装载闭锁室4的流入量。
另外，装载闭锁装置3具备排气单元20，排气单元20用于通过将装载闭锁室4的内部的气体排出进行装载闭锁室4的内部的真空排气。
该排气单元20包括：排气口14，其形成于装载闭锁室4，用于将装载闭锁室4的内部的气体向装载闭锁室4的外部排出；排气管34，其连接到排气口14，被供应排出的气体；排气阀5，其设置于排气管34；以及排气泵6，其经由排气阀5连接到排气管34和排气口14。
并且，构成为在排气泵6为驱动状态且排气阀5为打开的状态时，进行装载闭锁室4的内部的真空排气。
另外，装载闭锁装置3具备支撑台13，支撑台13收纳于装载闭锁室4的内部，支撑处理对象物S。如图2所示，该支撑台13构成为以纵置(垂直放置)的状态支撑处理对象物S，以利用设置于支撑 台13的支撑片18将处理对象物S支撑为大致垂直的方式构成。
另外，装载闭锁装置3具备运送单元30，运送单元30装配于支撑台13，并且用于运送处理对象物S(即，运送支撑台13)。
另外，如图1所示，在真空处理室2与装载闭锁装置3之间设置有能开闭的闸阀21，并且在装载闭锁装置3与大气运送室24之间设置有能开闭的闸阀22。
并且，构成为在闸阀21打开的状态下，上述的运送单元30在真空处理室2与装载闭锁装置3之间运送处理对象物S。另外，同样地，构成为在闸阀22打开的状态下，上述的运送单元30在装载闭锁装置3与大气运送室24之间运送处理对象物S。
此时，在本实施方式中，如图1、图2所示，处理对象物S为如下构成：不是以横置(水平放置)的状态运送，而是以纵置(垂直放置)的状态运送。即，真空处理装置1是将处理对象物S以设置于支撑台13的状态相对于装置设置地板垂直立起而进行运送和处理的装置。
另外，例如构成为使用运送辊作为运送单元30，利用运送单元30在图1所示的箭头X的方向运送支撑台13所支撑的处理对象部S。此外，运送单元30只要能够运送处理对象物S即可，没有特别限定，也可以设为代替运送辊而使用传送带等的构成。
接着，说明本实施方式的真空处理装置1进行的处理对象物的处理流程。首先，在真空处理室2中，例如对液晶显示装置用的玻璃基板等处理对象物S，在真空气氛下进行规定的处理(例如，溅射、蚀刻和等离子体CVD等)(步骤S1)。
然后，在已使装载闭锁装置3的装载闭锁室4的内部成为真空的状态下，打开闸阀21，利用运送单元30将支撑台13所支撑的真空处理后的处理对象物S从真空处理室2向装载闭锁装置3运送，将处理对象物S送入装载闭锁室4的内部，在装载闭锁室4的内部将处理对象物S固定于图1所示的位置(步骤S2)。此外，处理对象物S送入装载闭锁室4的内部后，闸阀21关闭。
然后，进行装载闭锁室4的通气(步骤S3)。即，由于送入了 真空处理后的处理对象物S的装载闭锁室4是真空状态，因此，为了将处理处理物S向大气运送室24运送，使用通气气体向装载闭锁室4通气至大气压。
在向装载闭锁室4通气时，首先，打开慢速通气阀10，一边调节通气气体向装载闭锁室4的流入量，一边使慢速通气进行规定时间(例如，3～5秒)。然后，打开通气阀8，进行装载闭锁室4的正式通气。此外，在进行装载闭锁室4的通气时，排气阀5为关闭的状态。
在此，在本实施方式中，如图1所示，具有以下特点：用于进行装载闭锁室4的慢速通气的慢速通气单元15相对于支撑台13(即，处理对象物S)左右对称地配置。
并且，通过这种构成，在进行装载闭锁室4的慢速通气时，在整个装载闭锁室4内，能使通气气体的气流产生于固定方向(即，作为从相对于处理对象物S的上方至下方的方向的、图1所示的箭头Y的方向)。
因此，能抑制因整个装载闭锁室4内部的通气气体的气流的紊乱而导致的异物的扬起，从而能有效地抑制异物向装载闭锁室4内的处理对象物S的附着。其结果是，能抑制处理对象物S的合格率的下降。
另外，如上所述，在本实施方式中，利用支撑台13以纵置(垂直放置)的状态支撑处理对象物S，因此，如图1所示，能使整个处理对象物S受到通气气体的气流。因此，在进行正式通气处理前的慢速通气处理阶段，已经能将附着于处理对象物S的异物除去，因此能进一步有效地抑制异物向处理对象物S的附着。其结果是，能进一步抑制处理对象物S的合格率的下降。
然后，在装载闭锁室4的通气结束后，闸阀22打开，利用运送单元30将支撑台13所支撑的真空处理后的处理对象物S从装载闭锁室4向大气运送室24运送，将处理对象物S送入大气运送室24的内部(步骤S4)。
然后，利用运送单元30将支撑台13所支撑的其它处理对象物S 从大气运送室24向装载闭锁室4运送，将处理对象物S送入装载闭锁室4的内部(步骤S5)。此外，处理对象物S送入装载闭锁室4的内部后，闸阀22关闭。
然后，进行装载闭锁室4的真空排气(步骤S6)。即，由于送入了真空处理前的处理对象物S的装载闭锁室4是大气压状态，因此，为了将处理对象物S向真空处理室2运送，对装载闭锁室4进行真空排气。
更具体地说，首先，驱动排气泵6，然后，在排气泵6已被驱动的状态下，打开排气阀5，通过排气口14进行装载闭锁室4的真空排气。
在此，在本实施方式中，如图4所示，具有以下特点：排气口14为网状。
在现有的装载闭锁装置中，为了防止装载闭锁室的内部产生的异物侵入排气泵，而在真空排气口的上部设置用于防止异物混入的罩。然而，若设置该罩，则会在进行装载闭锁室的真空排气时，产生排气流的紊乱，在装载闭锁室的内部发生因排气流的紊乱而导致的异物的扬起。
另一方面，在本实施方式中，不设置用于防止异物混入的罩，而是使排气口14的形状为网状，因此，能够防止异物从装载闭锁室4侵入排气泵6，并且在进行装载闭锁室4的真空排气时，能抑制因装载闭锁室4的内部的排气流的紊乱而导致的异物的扬起。
因此，在进行装载闭锁室4的真空排气时，能有效地抑制异物向装载闭锁室4内的处理对象物S的附着。其结果是，能抑制处理对象物S的合格率的下降。
然后，在装载闭锁室4的真空排气结束后，闸阀21打开，利用运送单元30将支撑台13所支撑的真空处理前的处理对象物S从装载闭锁室4向真空处理室2运送，将处理对象物S送入真空处理室2的内部(步骤S7)。此外，处理对象物S送入真空处理室2的内部后，闸阀21关闭。
并且，构成为重复进行上述的步骤S1～S7的处理，进行多个 处理对象物S的真空处理。
此外，上述实施方式也可以如下变更。
在上述的实施方式中，设为以纵置(垂直放置)的状态运送处理对象物S的构成，但也可以如图5所示，设为使处理对象物S成为横置(水平放置)的状态而运送的构成。在该情况下，也能够得到与上述的实施方式同样的效果。
工业上的可利用性
作为本发明的应用例，可举出具备装载闭锁装置的真空处理装置。
附图标记说明
1 真空处理装置
2 真空处理室
3 装载闭锁装置
4 装载闭锁室
5 排气阀
6 排气泵
7 通气气体供应管
8 通气阀
9 慢速通气管
10 慢速通气阀
13 支撑台
14 排气口
15 慢速通气单元
18 支撑片
20 排气单元
21 闸阀
22 闸阀
24 大气运送室
30 运送单元
34 排气管

Claims (4)

1.一种装载闭锁装置，具备：
装载闭锁室，其构成为内部能被真空排气，收纳处理对象物；
支撑台，其收纳于上述装载闭锁室的内部，支撑上述处理对象物；
慢速通气单元，其设置于上述装载闭锁室，向处于真空状态的上述装载闭锁室的内部供应通气气体，使上述装载闭锁室的内部切换为大气压状态；以及
通气气体供应管，其连接到上述装载闭锁室，向该装载闭锁室的内部供应上述通气气体，
上述装载闭锁装置的特征在于，
上述支撑台支撑纵置的上述处理对象物，
上述慢速通气单元具有慢速通气管，该慢速通气管连接到上述装载闭锁室，向该装载闭锁室的内部供应上述通气气体，
上述慢速通气管和上述通气气体供应管相连接，相连接的一对上述慢速通气管和上述通气气体供应管相对于沿着上述支撑台的方向左右对称地配置，
上述装载闭锁装置具有一对上述通气气体供应管，上述慢速通气管配置在该一对通气气体供应管之间。
2.根据权利要求1所述的装载闭锁装置，其特征在于，
上述慢速通气单元具有慢速通气阀，该慢速通气阀设置于上述慢速通气管，调节通气气体从该慢速通气管向上述装载闭锁室的流入量。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的装载闭锁装置，其特征在于，还具备：
排气口，其形成于上述装载闭锁室，用于将该装载闭锁室的内部的气体向该装载闭锁室的外部排出；以及
排气泵，其连接到上述排气口，
上述排气口为网状。
4.一种真空处理装置，其特征在于，具备：
权利要求1或权利要求2所述的装载闭锁装置；以及
真空处理室，其对从上述装载闭锁室送入的上述处理对象物，在真空气氛下实施规定的处理。
CN201280064260.4A 2011-12-27 2012-12-20 装载闭锁装置和具备它的真空处理装置 Expired - Fee Related CN104025278B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011286512 2011-12-27
JP2011-286512 2011-12-27
PCT/JP2012/008175 WO2013099178A1 (ja) 2011-12-27 2012-12-20 ロードロック装置及びそれを備えた真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104025278A CN104025278A (zh) 2014-09-03
CN104025278B true CN104025278B (zh) 2017-03-29

Family

ID=48696722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280064260.4A Expired - Fee Related CN104025278B (zh) 2011-12-27 2012-12-20 装载闭锁装置和具备它的真空处理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5869003B2 (zh)
KR (1) KR101632043B1 (zh)
CN (1) CN104025278B (zh)
WO (1) WO2013099178A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6957576B2 (ja) * 2015-05-15 2021-11-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法
KR101998578B1 (ko) * 2015-08-04 2019-07-10 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175147A (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 Tokyo Electron Ltd 真空装置
JP2000036529A (ja) * 1998-07-21 2000-02-02 Sharp Corp 真空処理装置
JP2002231783A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
JP2011192859A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Nec Engineering Ltd テープ貼付装置及びテープ貼付方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318536A (ja) 1993-05-10 1994-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
JPH08124993A (ja) 1994-10-27 1996-05-17 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置のロードロック室
JP2009030720A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Tadashi Kamimura ベントバルブ
WO2011102405A1 (ja) * 2010-02-18 2011-08-25 株式会社アルバック 縦型真空装置及び処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175147A (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 Tokyo Electron Ltd 真空装置
JP2000036529A (ja) * 1998-07-21 2000-02-02 Sharp Corp 真空処理装置
JP2002231783A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
JP2011192859A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Nec Engineering Ltd テープ貼付装置及びテープ貼付方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013099178A1 (ja) 2015-04-30
CN104025278A (zh) 2014-09-03
WO2013099178A1 (ja) 2013-07-04
KR101632043B1 (ko) 2016-06-20
KR20140107646A (ko) 2014-09-04
JP5869003B2 (ja) 2016-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI617368B (zh) 循環基板容器清洗系統及其方法
JP3425592B2 (ja) 処理装置
WO2015166710A1 (ja) パージ装置及びパージ方法
TW593082B (en) Storage facility for use in a clean-room
CN100350555C (zh) 基板处理装置
JP2017112137A (ja) ミニエンバイロメント装置
US20060288664A1 (en) Purge system for a product container and table for use in the purge system
JP6599599B2 (ja) Ｅｆｅｍシステム
JP4584821B2 (ja) 真空処理装置及び帯状気流形成装置
TWI459494B (zh) 基板處理裝置
CN104025278B (zh) 装载闭锁装置和具备它的真空处理装置
JP2019140379A (ja) 基板処理装置
US10239101B2 (en) Purge device and method of diffusing gas including purge gas
JP2008296069A (ja) 薄板状物製造装置における、微粒子、または微粒子並びに有害ガスの除去を目的とする空気清浄装置
US8388296B2 (en) Vertical carousel and vertical transportation method using the vertical carousel
KR101875305B1 (ko) 챔버 사이에 마련되는 슬릿 퍼지 장치 및 이를 포함하는 고온 상압 기상성장장치
JP2007280885A (ja) プラズマ処理装置
JP5897832B2 (ja) 大気圧プラズマ処理システム
JP2018505563A (ja) インライン式コーティング設備を運転する方法およびインライン式コーティング設備
TWI632633B (zh) Substrate processing device
JP4287100B2 (ja) 空気洗浄構造部を具える在庫物品搬送システム
KR102442234B1 (ko) 기류 균일화 장치를 구비한 efem
KR101341429B1 (ko) 기판 처리용 진공장치
KR20230111298A (ko) Efem의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
WO2004040641A1 (ja) 搬送機用クリーントンネル

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170329

Termination date: 20191220

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee