TWI527136B - 鍍覆方法 - Google Patents

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Description

鍍覆方法
本發明係關於例如在基板之鍍覆面(表面)實施鍍覆之鍍覆方法及鍍覆裝置，尤其有關於設在半導體晶圓等表面之細微配線用溝或孔或光阻開口部形成鍍膜、或半導體晶圓表面上形成與封裝之電極等電性連接之凸塊(凸出狀電極)中使用的鍍覆方法及鍍覆裝置。本發明之鍍覆方法及鍍覆裝置亦可使用在例如：在製造內部具有上下貫通之多數的導通插塞(via plug)並使用於半導體晶片等所謂三維封裝之中介片(interposer)或間隔片(spacer)時之通孔(via hole)的填埋。
在TAB(tape automated bonding)或覆晶封裝(flip chip)中係廣泛使用在形成有配線之半導體晶片之表面的預定處(電極)形成凸出狀連結電極(凸塊)並透過該凸塊與封裝之電極或TAB電極電性連接之方法，該凸起狀電極係金、銅、焊料或鎳、甚或是該等多層地積層者。該凸塊之形成方法有電解鍍覆法、蒸鍍法、印刷法、球凸塊法(ball bumping)之各種手法，但隨著半導體晶片之I/O數增加及間距細微化，而較常使用可細微化且性能較安定 之鍍敷法。
在此，鍍敷法大致上可分為：將半導體晶圓等之基板之鍍覆面朝下(face down)水平放置，並由下往上噴附鍍覆液而實施鍍覆之噴流式或杯式；以及將基板垂直立於鍍覆槽中，由鍍覆槽下方注入鍍覆液並使其溢流而實施鍍覆之浸漬式。採用浸漬方式之鍍覆法具有較能去除會對鍍覆品質有不良影響之泡、以及底面積(Footprint)小之優點，故認為適合於鍍覆孔尺寸較大、鍍覆需要相當時間之凸塊鍍覆。
以往採用浸漬方式之電解裝置中具有基板保持器，該基板保持器係將半導體晶圓等之基板外周部密封並露出表面(鍍覆面)且可自由裝卸地保持，將該基板保持器使各基板浸漬於鍍覆液中而對基板表面實施鍍覆，此具有容易去除氣泡之優點。
因浸漬在鍍覆液中使用，故以基板保持器保持基板並浸漬在鍍覆液時，為了使基板背面(鍍覆面之反面)及與電性接點接觸之基板外周部不會滲入鍍覆液，而必須確實地密封基板外周部。因此，例如基板保持器以一對支架(保持構件)使基板可自由裝卸之方式保持，在其中一邊之支架裝設密封構件，並將密封構件分別壓接於另一邊之支架及載置保持在該支架之基板的外周部，藉此而密封基板外周部。
為了不使鍍覆液等滲漏，該種基板保持器必須進行密封構件之形狀或固定方法等之最佳化、定期地 (例如每次處理)洗淨密封構件、定期地交換密封構件、復提昇基板前處理(晶種層(seed layer)及抗蝕膜之生成)之精度、為求基板對於基板保持器之設定誤差之最小化而進行定期之再調整。
但是，因密封構件之劣化等而難以要求密封之完全性。尤其在實施鍍覆並在溝或通孔等細微凹部內部填埋鍍覆膜時，為了使鍍覆液容易且確實地滲入細微凹部內，故一般使用滲透性良好之鍍覆液，因此更難以實施完全之密封。此外一般也難以檢測鍍覆液等之滲漏。接著，一旦發生鍍覆液滲漏，滲漏至基板保持器內部之鍍覆液會附著於基板外周部或內面，並移轉至基板搬運機器而使鍍覆液污染裝置整體，不僅如此，滲漏之鍍覆液會腐蝕接點而妨礙通電。
因此，申請人係提出以下兩種提案：一種基板保持器，係在內部設有檢測因液體滲漏而短路之漏液檢測用的至少一對導電體(產生鍍覆液滲漏則漏液檢測用導電體會通電)，在將以基板保持器保持之基板以基板保持器浸漬於鍍覆液而實際進行鍍覆時可檢測鍍覆液是否滲漏(參照專利文獻1)；另一種基板保持器，係在以基板保持器保持基板時，於該基板與基板保持器之間所夾密封構件所包圍的空間內部供給加壓氣體，並根據該加壓氣體之壓力是否降低而檢測密封構件是否滲漏(參照專利文獻2)。
此外提出在以密封構件密封基板外周部後，在進行基板之鍍覆處理前，測試密封構件所形成之空 間內是否產生鍍覆液之滲漏(參照專利文獻3)。該鍍覆處理前之滲漏測試係例如將經密封構件形成之密閉區域內進行減壓或加壓而進行。
此外提出在一邊以密封構件密封基板外周部一邊以基板保持器保持基板後將基板之收納部減壓，在鍍覆處理前確認密封之完全性，例如在以基板保持器保持基板後，將基板保持器內以基板區隔之內部空間真空抽氣而密封，並確認在一定時間內的內部空間之壓力變化程度為一定值以下(例如將內部空間減壓至-0.05大氣壓左右之負壓並加以密封，在經過5秒後該負壓變化為10%以內則判定為合格(無滲漏))(參照專利文獻4)。
(先行技術文獻)
專利文獻1：日本特開2004-52059號公報
專利文獻2：日本特開2003-277995號公報
專利文獻3：日本特開2002-531702號公報
專利文獻4：日本特開2007-509241號公報
在基板保持器內，僅對以該基板保持器保持之基板所區隔之內部空間單純地真空抽氣或加壓並檢測內部空間之壓力，一般係難以判斷密封構件之密封性為何種程度的不完全。且在產生極微量鍍覆液之滲漏時，基板保持器內之內部空間容積與鍍覆液滲漏量的體積比相當 大，與此相反，內部空間內之壓力變化則變的相當小。例如內部空間容積為500cc且鍍覆液之滲漏量為0.05cc，則內部空間內之壓力變化成為1/10000。因此即使使用高精度之壓力感測器也有可能產生誤測。尤其為了連續安定地運轉鍍覆裝置，即使有極微量鍍覆液之滲漏，也可要求在事前或事後確實地檢測。
再者，在事後測試鍍覆使用之基板保持器產生鍍覆液之滲漏時，係有滲漏之鍍覆液已腐蝕基板保持器之電性接點、電性接觸電阻增加之虞，故因應鍍覆液之滲漏程度而有時要求基板保持器之清掃或構件更換等之維修。
本發明係鑑於上述情事所研究者，目的為提供一種鍍覆方法及鍍覆裝置，可迅速且確實地發現密封構件之密封性之嚴重不良，且可在事前確實地發現極微量之滲漏。
本發明之鍍覆方法係一邊以具備第1保持構件與具有開口部之第2保持構件的基板保持器保持基板一邊將該基板進行鍍覆之鍍覆方法，以前述第1保持構件支持基板的一面，並使前述第2保持構件與基板的另一面接觸，從前述第2保持構件之前述開口部以基板的前述另一面露出之狀態將該基板以前述基板保持器保持，在以前述基板保持器保持基板時，在前述第2保持構件之第1凸出部將前述第1保持構件與前述第2保持構件之間進行密封，並在前述第2保持構件之第2凸出部將前述基板之外周部進行密封，藉此以前述第1保持構件與前述第2保持構件與前述基板在前述基板保持器內形成內部空間，實施第1階段滲漏測試，係將前述內部空間內進行真空抽氣，測試該內部空間在一定時間後是否達到預定之真空壓力，再測試前述 第1凸出部及前述第2凸出部之密封性；對於前述第1階段滲漏測試合格之保持基板的基板保持器，實施第2階段滲漏測試，該測試係密封前述內部空間使該內部空間內之壓力在預定時間內是否有預定值以上之變化，再測試前述第1凸出部及前述第2凸出部之密封性，然後使用前述第2階段滲漏測試合格之基板保持器將基板進行鍍覆。
如此般實施可在較短時間完成之第1階段滲漏測試，早期且迅速地發現明顯之因操作疏失或維修不完全等所造成之鍍覆液的滲漏，藉此減輕對於第2階段測試之負擔，之後藉由實施第2階段滲漏測試而確實且迅速地發現有關基板保持器之密封構件之密封性的嚴重不良，並可對此滲漏進行適當處置。
本發明之一較佳態樣為測試前述內部空間內之壓力在預定時間內是否有預定值以上之變化的步驟係：將不會漏氣之母容器真空抽氣，密封真空抽氣後之前述母容器，以壓差感測器測定前述內部空間內密封後之壓力與前述母容器內之壓力的壓力差，測試前述壓力差在預定時間內是否有預定值以上之變化。
與使用壓力感測器直接測定內部空間內之壓力變化時相比，如此般以內部空間內之壓力與母容器內之壓力的壓力差而測定內部空間內之壓力變化，可正確地檢測內部空間內微小之壓力變化。
本發明之一較佳態樣為對前述第2階段滲漏測試合格之基板保持器實施第3階段滲漏測試，該測試係以覆蓋從前述基板保持器保持之基板的前述開口部所露出之表面的方式配置密封蓋，將前述基板保持器之前述第1保持構件與前述密封蓋之間進行密封而在前述基板保持器與前述密封蓋之間形成密閉空間，並在該密閉空間內導入追蹤氣體，並將前述內部空間真空抽氣，檢測由前述內部空間所 抽氣之空氣內是否含有追蹤氣體，再測試前述第1凸出部及前述第2凸出部之密封性，然後使用前述第3階段滲漏測試合格之基板保持器將基板進行鍍覆。
如此般對於第2階段滲漏測試合格之基板保持器實施需要較長時間之第3階段滲漏測試，藉此，即使是在密封構件產生超微細滲漏時也可將其確實地檢測出。
本發明之一較佳態樣為前述密閉空間係分為壓接於基板外周部並將該外周部密封之基板側密封構件的周圍之基板側密閉空間、以及密封保持器表面之保持器側密封構件的周圍之保持器側密閉空間之2個空間，且對前述2個空間之至少一者之空間實施前述第3階段滲漏測試。
藉此可特定滲漏係發生在保持器側密封構件或基板側密封構件、或發生在保持器側密封構件及基板側密封構件雙方，並可對發生滲漏處實施適當處置。另外，若在保持器側密閉空間及基板側密閉空間個別實施第3階段滲漏測試時，則會使測試時間變長。因此，例如在不需特定滲漏是發生在保持器側密封構件或是發生在基板側密封構件側時，則不必將密閉空間分為2個空間，可以1個空間實施第3階段滲漏測試，藉此可縮短測試時間。
本發明之參考例的鍍覆方法係將基板的外周部以基板保持器之第1保持構件及第2保持構件夾住以保持該基板，在以前述基板保持器保持基板時，以前述第2保持構件之保持器側密封構件將前述第1保持構件與前述第2保持構件之間進行密封，同時以前述第2保持構件之基板側密封構件將前述基板之外周部進行密封，藉此，以前述第1保持構件與前述第2保持構件與前述基板在前述基板保持器內形成內部空間，以覆蓋以前述基板保持器保持基板之表面之方式配置密封蓋，將前述基板保持器之第1保持構件與前述密封蓋之 間進行密封使前述基板保持器與前述密封蓋之間形成密閉空間，同時將前述基板保持器之前述第2保持構件與前述密封蓋之間進行密封時，將前述密閉空間分成以下2個密閉空間：前述基板側密封構件配置於內部之基板側密閉空間、以及前述保持器側密封構件配置於內部之保持器側密閉空間，在2個密閉空間之至少1方導入追蹤氣體，並實施滲漏測試，係將前述內部空間真空抽氣，檢測由前述內部空間所抽氣之空氣內是否含有追蹤氣體。
該滲漏測試係例如定期地、或在運轉開始前或運轉結束後確認各基板保持器狀態作為離線測試而實施。以離線測試實施滲漏測試時，可使用模擬基板取代基板。
本發明之一較佳態樣為前述滲漏測試係在基板裝卸部實施，該基板裝卸部係在與前述基板保持器之間進行基板之裝卸。藉此可在將基板保持於基板保持器之後且在開始鍍覆處理前，實施基板保持器之滲漏測試。
本發明之參考例的鍍覆裝置係具有：基板保持器，係具有連通內部空間之內部通路，該內部空間係將基板的外周部以基板保持器之第1保持構件及第2保持構件夾住以保持該基板時，在前述第2保持構件之第1凸出部將前述第1保持構件與第2保持構件之間進行密封，同時在前述第2保持構件之第2凸出部將前述基板之外周部進行密封，藉此，以前述第1保持構件與前述第2保持構件與前述基板在前述基板保持器內形成之內部空間；；抽氣接點，係連接於由真空源所延伸之抽氣線路，並以連通前述內部通路之方式而可裝卸地裝設於前述基板保持器；壓力感測器，係在通過前述抽氣線路對前述內部空間內真空抽氣時，檢測該內部空間在一定時間後是否達到預定之真空壓力；壓力變化檢測部，係在通過前述抽氣線路對前述內部空間真空抽氣並密封時，檢測該內部空間內之壓力變化。
上述參考例之一較佳態樣為前述壓力變化檢測部具有：母容器，係連接於真空源並保證不會產生漏氣；壓差感測器，係測定前述母容器內之壓力與前述內部空間內之壓力的壓差。
上述參考例之一較佳態樣為復具有：密封蓋，係覆蓋以前述基板保持器保持之基板的表面；追蹤氣體密封構件，係將前述基板保持器之前述第1保持構件與前述密封蓋之間進行密封，並在前述基板保持器與前述密封蓋之間形成密閉空間；追蹤氣體導入部，係將追蹤氣體導入於前述密閉空間內；追蹤氣體檢測器，係檢測在沿著前述抽氣線路內流動之氣體中是否含有前述追蹤氣體。
上述參考例之一較佳態樣為進一步具有切割密封構件，將前述基板保持器之前述第2保持構件與前述密封蓋之間進行密封時，該切割密封構件係將前述密閉空間分為：前述基板側密封構件配置於內部之基板側密閉空間、以及前述保持器側密封構件配置於內部之保持器側密閉空間之2個空間。
根據本發明，以可在較短時間完成之基板保持器的第1階段滲漏測試，在早期且迅速地發現明顯之因操作疏失或維修不完全等所造成之鍍覆液的滲漏，藉由對於第1階段滲漏測試合格之基板保持器實施第2階段滲漏測試，以該第2階段滲漏測試而確實且迅速地發現有關基板保持器之密封構件之密封性的嚴重不良，並可對此滲漏進行適當處置。藉此可推測滲漏原因，並在早期發現不良內容並縮短維修所需之時間。
10‧‧‧盒體
12‧‧‧盒台
14‧‧‧對準器
16‧‧‧旋轉沖洗烘乾機
18‧‧‧基板保持器
20‧‧‧基板裝卸部
22‧‧‧基板搬運裝置
24‧‧‧儲存架
26‧‧‧預濕槽
28‧‧‧預浸槽
30a‧‧‧第1水洗槽
30b‧‧‧第2水洗槽
32‧‧‧吹氣槽
34‧‧‧鍍覆槽
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38‧‧‧鍍覆室
40‧‧‧基板保持器搬運裝置
42‧‧‧第1搬運器
44‧‧‧第2搬運器
46‧‧‧槳驅動裝置
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64‧‧‧按環
64a‧‧‧凸部
64b‧‧‧凸起部
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66‧‧‧基板側密封構件
68‧‧‧保持器側密封構件
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70b‧‧‧第2固定環
72‧‧‧按板
74‧‧‧夾持器
80‧‧‧支撐面
82‧‧‧凸條部
84‧‧‧凹部
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102‧‧‧抽氣通口
104‧‧‧密封環
106‧‧‧抽氣接點
108‧‧‧致動器
110‧‧‧連結板
112‧‧‧真空源
114‧‧‧吸氣線路
116‧‧‧壓力感測器
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120‧‧‧母容器
122‧‧‧壓差測試線路
124a、124b‧‧‧開關閥
126‧‧‧壓差感測器
128‧‧‧壓力變化檢測部
130‧‧‧旁通線路
132a、132b‧‧‧開關閥
134‧‧‧追蹤氣體感測器
136‧‧‧檢測器本體
138‧‧‧追蹤氣體檢測器
139‧‧‧開關閥
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144‧‧‧密封線路
146‧‧‧追蹤氣體密封構件
148‧‧‧區分密封構件
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156a、156b‧‧‧追蹤氣體筒
158a、158b‧‧‧氣體供給線路
160a、160b‧‧‧壓力調整閥
162a、162b‧‧‧開關閥
164a、164b‧‧‧空氣供給源
166a、166b‧‧‧空氣供給線路
168a、168b‧‧‧開關閥
170a、170b‧‧‧排氣管
172a、172b‧‧‧開關閥
174a、174b‧‧‧氣體排氣線路
R‧‧‧內部空間
R1‧‧‧保持器側內部空間
R2‧‧‧基板側內部空間
S1‧‧‧保持器側內部空間
S2‧‧‧基板側內部空間
W‧‧‧基板
第1圖係本發明之實施型態之鍍覆裝置的整體配置圖。
第2圖係表示基板保持器之概略的斜視圖。
第3圖係第2圖所示基板保持器的平面圖。
第4圖係第2圖所示基板保持器的右側面圖。
第5圖係第4圖A部之放大圖。
第6圖係示意地表示對於保持基板之基板保持器進行第1階段滲漏測試及第2階段滲漏測試時之狀態的圖。
第7圖係示意地表示對於保持基板之基板保持器進行第3階段滲漏測試時之狀態的圖。
第8圖係表示對於保持基板之基板保持器之第1階段滲漏測試及第2階段滲漏測試之處理流程的流程圖。
第9圖係示意地表示本發明其他實施型態之鍍覆裝置之主要部的圖。
以下參照圖面說明本發明之實施型態。
第1圖係表示本發明之實施型態之鍍覆裝置的整體配置圖。如第1圖所示般，該鍍覆裝置具有：2台盒台(cassette table)12，係搭載收納半導體晶圓等之基板之盒體10；對準器(aligner)14，係使基板之定向平面或缺口等之位置對準預定方向；旋轉沖洗烘乾機(spin rinse dryer)16，係將鍍覆處理後之基板高速旋轉並使之乾燥。復於其附近設置載置基板保持器18並進行基板與該基板保持器18之裝卸之基板裝卸部20，在該等設備中央配置在該等之間搬運基板之搬運用機器手所構成之基板搬運裝置22。
接著，由基板裝卸部20照依序配置：進行基板保持器18之保管及暫時放置之儲存架(stocker)24、將 基板浸漬於純水之預濕槽26、將基板表面所形成之晶種層等表面之氧化膜進行蝕刻去除之預浸槽28、將預浸後之基板洗淨之第1水洗槽30a、將洗淨後之基板進行瀝水之吹氣槽32、將鍍覆後之基板洗淨之第2水洗槽30b、以及鍍覆槽34。該鍍覆槽34係在溢流槽36內部收納複數鍍覆室38而構成，各鍍覆室38係在內部收納1個基板並實施銅鍍覆等鍍覆。
再者，位於該等各機器之側邊具有在該等各機器間將基板保持器18與基板一同搬運之例如採用線型馬達方式之基板保持器搬運裝置40。該基板保持器搬運裝置40具有：在基板裝卸部20與儲存架24之間搬運基板之第1搬運器42；以及在儲存架24、預濕槽26、預浸槽28、水洗槽30a、30b、吹氣槽32及鍍覆槽34之間搬運基板之第2搬運器44。可不具有第2搬運器44而僅具有第1搬運器42。
在該基板保持器搬運裝置40夾著溢流槽36之相反側配置有槳驅動裝置46，係驅動作為攪拌位於各鍍覆室38內部之鍍覆液之混合棒之槳(圖上未標示)。
基板裝卸部20具有沿著軌道50在橫方向自在滑動之平板狀載置平板52，在該載置平板52上將2個基板保持器18以水平狀態並列載置，在其中一個基板保持器18與基板搬運裝置22之間進行基板之受取後，將載置平板52在橫方向滑動，並在另一個基板保持器18與基板搬運裝置22之間進行基板之受取。
基板保持器18係如第2至5圖所示般，具有例如聚氯乙烯製矩形平板狀之第1保持構件(固定保持構件)54、透過鉸鍊56而可自由開關地裝設在該第1保持構件54之第2保持構件(可動式保持構件)58。另外，在該例中係表示將第2保持構件58透過鉸鍊56而可自由開關的構成之例，但例如可將第2保持構件58配置於與第1保持構件54對峙之位置並使該第2保持構件58向著第1保持構件54前進而開關。
第2保持構件58具有基部60與環狀之密封保持器62。密封保持器62例如為聚氯乙烯製且與下述按環64之滑動良好。在密封保持器62之上面之內面凸出地裝設基板側密封構件66，其係將基板W以基板保持器18保持時，基板側密封構件66壓接基板W表面外周部並密封基板W與第2保持構件58間的間隙。再者，在密封構件62之與第1保持部構件54相對的面上裝設有保持器側密封構件68，其係將基板W以基板保持器18保持時，保持器側密封構件68壓接第1保持構件54並密封第1保持構件54與第2保持構件58間的間隙。保持器側密封構件68係位於基板側密封構件66之外側。
如第5圖所示般，基板側密封構件66係夾於密封保持器62與第1固定環70a之間並裝設於密封保持器62。第1固定環70a係透過螺栓等結合具69a而裝設於密封保持器62。保持器側密封構件68係夾於密封保持器62與第2固定環70b之間並裝設於密封保持器62。第2固 定環70b係透過螺栓等結合具69b而裝設於密封保持器62。
在第2保持構件58之密封保持器62之外周部裝設段部。在該段部中，按環64係透過分隔物65使可自由旋轉而裝設。按環64係藉由凸出在密封保持器62側面外側而裝設之按板72(參照第3圖)使無法脫離之裝設。該按環64係由對酸或鹼之耐蝕性優異並具有充分剛性之例如鈦所構成。為了使按環64可流暢地旋轉，分隔物65係以摩擦係數低之材料例如PTFE而構成。
位於按環64之外側面，在第1保持構件54上沿著圓周方向等間隔地設立逆L狀之夾持器74，該夾持器74具有朝內側凸出之凸出部。另一方面，在沿著按環64之圓周方向且面對夾持器74之位置設有朝外側凸出之凸起部64b。接著，夾持器74之內側凸出部之朝下面及按環64之凸起部64a之朝上面，係沿著旋轉方向互相成為反方向傾斜之錐面。在沿著按環64之圓周方向之複數處(例如3處)設有朝上凸出之凸部64a。如此，藉由使旋轉針(圖上無標示)旋轉並從旁邊轉動凸部64a，藉此可旋轉按環64。
如此，在第2保持構件58為開的狀態下，在第1保持構件54之中央部插入基板W，並透過鉸鍊56而關閉第2保持構件，使按環64順時針旋轉，並使按環64之凸起部64b滑入夾持器74之內側凸出部之內部，藉此而透過按環64與夾持器74分別設置之錐面，使第1保持構件54與第2保持構件58互相結合鎖住，將按環64逆 時針旋轉並使按環64之凸起部64b從逆L狀之夾持器74脫離，藉此可解除該鎖。接著，如此而鎖住第2保持構件58時，基板側密封構件66之內周面之下方凸出部下端係壓接基板保持器18所保持之基板W之表面外周部，保持器側密封構件68之外周側之下方凸出部下端係壓接第1保持構件54之表面，並使密封構件66、68均勻地壓入，而密封基板W與第2保持構件58之間隙、以及第1保持構件54與第2保持構件58之間隙。
若如此般將基板W以基板保持器18保持，則如第5圖所示般，在基板保持器18之內部，以基板密封構件66密封內周側、以保持器側密封構件68密封外周側，而形成保持器側內部空間R1。該保持器側內部空間R1係連通於形成於基板保持器18與基板W之間之基板側內部空間R2，藉此在基板保持器18與基板之間，形成由互相連通之保持器側內部空間R1與基板側內部空間R2所構成之密閉之內部空間R。
在第1保持構件54之中央部設置凸條部82，凸條部82係配合基板W尺寸形成環狀凸出，且其表面接觸於基板W之外周部並成為支撐該基板W之支撐面82。在沿著該凸條部82之圓周方向之預定位置設置凹部84。
接著，如第3圖所示般，在該各凹部84內配置複數(圖示為12個)個導電體(電性接點)86，該導電體86分別連接於由設置於手部90之外部接點所延伸之 複數配線。將基板W載置於第1保持構件54之支撐面80上時，該導電體86之端部係在基板W之側方向以於第1保持構件54之表面具有彈性之狀態而露出，並與第5圖所示之電性接點88之下部接觸。
於導電體86電性連接之電性接點88，係透過螺栓等結合具89而固著於第2保持構件58之密封保持器62。該電性接點88係形成板彈簧狀並位於基板側密封構件66之外側，在內側具有板彈簧狀地凸出之接點部，該接點部中具有該彈力之彈性並可容易地彎曲，且將基板W以第1保持構件54與第2保持構件58保持時，電性接點88之接點部係以彈性接觸在第1保持構件54之支撐面80上支撐之基板W之外周面之方式而構成。
第2保持構件58之開關係藉由圖上未標示之空氣筒與第2保持構件58之本身重量而進行。亦即，於第1保持構件54設置通孔54a，在基板裝卸部20上載置基板保持器18時，在面對該通孔54a之位置設置有空氣筒。藉此而伸展活塞桿，並通過通孔54a以按壓棒(圖上無標示)將第2保持構件58之密封保持器62往上方推，藉此打開第2保持構件58，並藉由收縮活塞桿，而以第2保持構件58之本身重量而關閉。
基板保持器18之第1保持構件54之端部係連接一對略呈T狀之手部90，該手部90係在搬運基板保持器18時、懸掛支撐時成為支撐部。接著，在儲存架24內之壁面上將手部90之凸出端部掛上，藉此垂直之懸掛保 持，以搬運器42或44握持該保持懸掛之基板保持器18之手部90，並搬運基板保持器18。另外在預濕槽26、預浸槽28、水洗槽30a、30b、吹氣槽32及鍍覆槽34內，基板保持器18也透過手部90而懸掛保持於該等之壁面。
在第1保持構件54內部，如第6圖所示般，形成通過基板側內部空間R2並與內部空間R連通之內部通路100。在基板W以基板保持器18保持時，基板側內部空間R2係形成於基板保持器18與基板W之間。內部空間R係以密封構件66、68密封並形成於基板保持器18與基板W之間。內部通路100係如第2圖及第3圖所示般連接於設於手部90之抽氣通口102。
在基板裝卸部20係如第6圖示意地所示般具備具有密封環104之抽氣接點106。抽氣接點106係透過密封環104而以密封狀態連接於手部90之抽氣通口102。該抽氣接點106係透過連結板110連結於配置於基板裝卸部20之預定位置之空氣筒等致動器108。藉此，在對於保持基板W之基板保持器18進行滲漏測試時，驅動致動器108並將抽氣接點106連接於設於手部90之抽氣通口102，在其以外時，將抽氣接點106由抽氣通口102切斷分離。
抽氣接點106係連接於由真空泵等真空源112所延伸之抽氣線路114。該抽氣線路114中具有測定該抽氣線路114內之壓力的壓力感測器116、以及主開關閥118。
復具有保證不會產生滲漏之母容器120。由該母容器120所延伸之壓差測試線路122係在主開關閥118之上游側與抽氣線路114匯流。抽氣線路114及壓差測試線路122中，位於兩者匯流點之上游側分別設置開關閥124a、124b。在開關閥124a、124b之上游側具有壓差感測器126，係測定開關閥124a、124b關閉時內部空間R內之壓力與母濃器120內之壓力之壓差。藉此，通過抽氣線路114將內部空間R真空抽氣並密封時，係構成有檢測該內部空間R內之壓力變化之壓力變化檢測部128。
與使用壓力感測器直接測定內部空間內之 壓力變化時相比，藉由使用檢測開關閥124a、124b關閉時內部空間R內之壓力與母容器120內之壓力之壓差的壓差感測器126而檢測內部空間R內之壓力變化，可更正確的檢測出內部空間內之微小壓力變化。
旁通線路(bypass line)130係在開關閥124a之上游側由抽氣線路114分歧，並在該開關閥124a與主開關閥118之間匯流於抽氣線路114。該旁通線路130中設有開關閥132a、132b。該開閉閥132a、132b所夾之位置係設有追蹤氣體檢測器138。追蹤氣體檢測器138具有具備追蹤氣體感測器134之檢測器本體136。在檢測器本體136中連接具有開關閥139之大氣測定管140。藉由追蹤氣體檢測器138之追蹤氣體感測器134而檢測在旁通線路130中流動之空氣(氣體)中是否含有追蹤氣體。
基板裝卸部20係如第7圖所示般，可上下 移動且可自由退避地配置下部為開口、上部為關閉之圓筒狀的密封蓋142。在密封蓋142之下面裝設有環狀之追蹤氣體密封構件146、及環狀之區分密封構件148。隨著密封蓋142之下降，追蹤氣體密封構件146係延著第3圖之2點虛線所示之密封線路144壓接於基板保持器18之第1保持構件54之表面，並密封(密閉)密封蓋142與第1保持構件54之間之間隙。隨著密封蓋142之下降，區分密封構件148係壓接於第2保持構件58之密封保持器62之表面，並密封(密閉)密封蓋142與密封保持器62之間之間隙。
將位於退避位置之密封蓋142在基板保持器18之正上方移動後使其下降，將追蹤氣體密封構件146壓接第1保持構件54之表面、將區分密封構件148壓接於第2保持構件58之密封保持器62之表面，藉此在基板保持器18與密封蓋142之間形成保持器側密閉空間S1與基板側密閉空間S2之2個密閉空間。保持器側密閉空間S1係在內部具有密封第1保持構件54與第2保持構件58之間之間隙的保持器側密封構件68，且基板側密閉空間S2係在內部具有壓接基板W之外周部之基板側密封構件66。
此例中，保持器側密閉空間S1與基板側密閉空間S2個別具備導入追蹤氣體之追蹤氣體導入部150a、150b。在保持器側密閉空間S1導入追蹤氣體之追蹤氣體導入部150a具有連接氣體接點154a與追蹤氣體筒156a之氣體供給線路158a。氣體接點154a係裝設於設置在密封蓋142之氣體供給管152a，氣體供給管152a係連通 於保持器側密閉空間S1。氣體供給線路158a中係沿著氣體之流動方向而設置壓力調整閥160a與開關閥162a。
由空氣供給源164a所延伸之空氣供給線路166a係在開關閥162a之下游側連接氣體供給線路158a。在空氣供給線路166a設置開關閥168a。在設置於密封蓋142之氣體排氣管170a中係連接設置開關閥172a之氣體排氣線路174a。氣體排氣管170係連通於保持器側密閉空間S1。
藉此而一起打開氣體供給線路158a之開關閥162a及氣體排氣線路174a之開關閥172a，並於保持器側密閉空間S1之內部供給追蹤氣體。在於保持器側密閉空間S1之內部供給預定量之追蹤氣體之時間點一起關閉開關閥162a及開關閥172a，藉此將追蹤氣體封入於保持器側密閉空間S1之內部。接著將空氣供給線路166a之開關閥168a及氣體排氣線路174a之開關閥172a共同打開，藉此於保持器側密閉空間S1之內部導入空氣，並將保持器側密閉空間S1之內部之追蹤氣體排出。
另外，在基板側密閉空間S2導入追蹤氣體之追蹤氣體導入部150b，係具有與在保持器側密閉空間S1導入追蹤氣體之追蹤氣體導入部150a幾乎相同之構成，故在相當之構件附上符號字母b取代字母a並省略重複之說明。另外，氣體供給管152b及氣體排氣管170b係連通於基板側密閉空間S2。
該例中之追蹤氣體係使用氦氣。氦氣比空 氣還輕，且在空氣中僅存在5ppm故容易與其他氣體區別。追蹤氣體檢測器138係使用G-FINE氦氣檢測器(COSMO計器股份有限公司製造)。如此，根據該例而可檢測出0.0006mL/min至1000mL/min之氦氣(追蹤氣體)滲漏，若是0.1cc/min之氦氣滲漏則可在11秒檢測出。
追蹤氣體可使用安全且乾淨之非可燃性氫5%+氮95%之氣體(稀釋氫：H2+N2)。該氣體較氦氣便宜，可作為一般工業用氣體而安定地供給，且具有擴散性優異之特徵，背景濃度為0.5ppm之低的值。此外，追蹤氣體可使用較空氣重(1.784g/L、對空氣比1.38倍)之氬氣。氬氣在空氣中含有0.93vol%。
說明以如上述般構成之鍍覆裝置進行一連串之鍍覆處理。首先以基板搬運裝置22由搭載於盒台12之盒體10取出1片基板，置載於對準器14使平面或缺口等之位置對準預定方向。將以對準器14對準方向之基板以基板搬運裝置22搬運至基板裝卸部20。
將收納於儲存架24內之基板保持器18以基板保持器搬運裝置40之第1搬運器42同時地把持2個保持器18，並搬運至基板裝卸部20。接著使基板保持器18以水平狀態下降，藉此使2個基板保持器18同時地載置於基板裝卸部20之載置平板52，運作2個空氣筒(air cylinder)並使2個基板保持器18之第2保持構件58為開啟狀態。
在此狀態下，將以基板搬運裝置22搬運之 基板插入位於中央側之基板保持器18，使空氣筒反向運作而關閉第2保持構件。之後以位於基板裝卸部20之上方之鎖/解鎖機構鎖住第2保持構件58。接著，在於一邊之基板保持器18裝設基板結束後，在橫方向滑動載置平板52，並同樣地將基板裝設於另一邊之基板保持器18。之後使載置平板52回到原來位置。
基板W係以其鍍覆面由基板保持器18之開口部露出之狀態而固定於基板保持器18。以不使鍍覆液滲入內部空間R之方式，以基板側密封構件66密封(密閉)基板W之外周部與第2保持構件58之間隙，並以保持器側密封構件68密封(密閉)第1保持構件54與第2保持構件58之間隙。基板W係在未接觸該鍍覆液之部分與複數電性接點88電性導通。由電性接點88至基板保持器18之手部90係以配線連結，並在手部90之部分連接電源，藉此可供電於基板之晶種層等。
接著，實施鍍覆處理前之第1階段滲漏測試，係判定基板保持器18與基板W之外周部之間隙是否以基板側密封構件66密封(密閉)、以及第1保持構件54與第2保持構件58之間隙是否以保持器側密封構件68密封(密閉)，亦即判定鍍覆液是否未滲入內部空間R。該第1階段滲漏測試之處理流程係示於第8圖之上段(步驟1至4)。亦即，如第6圖所示般，抽氣接點106連接於基板保持器18之手部90之抽氣管102，並僅開啟抽氣線路114之主開關閥118及開關閥124a，將內部空間R(保持器側 內部空間R1及基板側內部空間R2)真空抽氣(步驟1)、以例如計時器計測經過一定時間(例如2秒)(步驟2)、測試經過一定時間後內部空間R內是否達到預定真空壓力(步驟3)。該內部空間R內之壓力係以壓力感測器116測定。
接著，在內部空間R內未在預定期間內到達預定真空壓力時，係判定因明顯之操作失誤或維修不良等之異常而產生之鍍覆液滲漏(第1階段滲漏測試不合格)，並實施異常處理(步驟4)。如此異常例如可舉出：基板W未被基板保持器18所保持；密封構件66、68未組裝於基板保持器18；或是密封構件66、68對密封保持器62之組裝不完全而產生密封構件66、68之重大不良等。例如基板W未被基板保持器18所保持時，可認為是鍍覆裝置本身的不良，故停止鍍覆裝置並點檢。基板W被基板保持器18所保持時，例如回收基板保持器18進行點檢。
如此般，以第1階段滲漏測試早期且迅速地發現因明顯之操作失誤或維修不良而造成之鍍覆液滲漏，藉此可減輕對於下述第2階段滲漏測試之負擔。
對於內部空間R內在預定期間內達到預定真空壓力且第1階段滲漏測試合格之基板保持器18實施第2階段滲漏測試。該第2階段滲漏測試之處理流程示於第8圖下段(步驟5至8)。亦即，首先如前述般將抽氣接點106連接於基板保持器18之手部90之抽氣管102，並直接僅開啟抽氣線路114之主開關閥118及開關閥124a、以及壓 差測試線路122之開關閥124b，將內部空間R及母容器120同時真空抽氣，使內部空間R及母容器120成為相同壓力。接著關閉抽氣線路114之主開關閥118及開關閥124a、以及壓差測試線路122之開關閥124b並放置一定時間(例如為5秒)(步驟5)，以例如計時器計測該放置時間(步驟6)，以壓差感測器126測定在該放置期間中內部空間R內之壓力與母容器120內之壓力的壓差是否有規定值以上之變化(亦即，內部空間R內之真空度降低)，亦即實施真空放置法(build-up test)(步驟7)。與使用壓力感測器直接測定內部空間內之壓力變化時相比，如此般藉由實施真空放置法(build-up test)可正確地檢測出內部空間內之微小壓力變化。
在該例中，係以使用壓差感測器126之壓差測定法的壓力變化檢測部128測定內部空間R內之壓力變化，但並不用另外設置如此壓力變化檢測部，前述壓力感測器116係兼用為壓力變化檢測部之功用，可以該壓力感測器116直接測定內部空間R內之壓力變化。
內部空間R之壓力與母容器120之壓力的壓差變化在規定值以上時，判定基板保持器18之密封構件66、68之密封不完全(第2階段滲漏測試不合格)。該密封構件66、68之密封不完全的理由認為如下。
(1)基板W未保持在基板保持器18之正確位置
(2)在基板W表面形成之光阻(以遮蔽無須鍍敷的 部分為目的而塗佈在基板表面)之表面有凹凸、密封構件正下方之光阻產生缺陷、光阻之外徑尺寸較小、光阻之外徑與基板之外徑並非同心，使得光阻不正常。
(3)密封構件66、68之晶種面受損、密封構件66、68受鍍覆液影響而失去彈性，使得密封構件66、68受損。
(4)之前處理之基板之光阻剝離而附著於基板側密封構件66。
接著對於如此之第2階段滲漏測試不合格之基板保持器18實施例如以下處置(步驟8)。
(1)由基板保持器18暫時取出基板W，例如將基板W旋轉180°等，改變基板W表面之光阻與基板側密封構件66之接觸處，即使基板W再次以基板保持器18保持。
(2)由基板保持器18取出基板W，並交換下一個基板。此時，回收由基板保持器18取出之基板，並主要點檢基板W之光阻之狀態。
(3)將基板保持器18更換、回收並點檢。假設如此情形，較佳為在鍍覆裝置內收納放置有預備之基板保持器，可使用具有即使在運轉中也可取出放入基板保持器之構造的鍍覆裝置。
接著說明實施第2階段滲漏測試接下來之第3階段滲漏測試的例子。
首先如第7圖所示般，將位於退避位置之密封蓋142移動至保持應測試之基板W之基板保持器18的正上方並 下降，在密封蓋142之追蹤氣體密封構件146沿著基板保持器18之第1保持構件54之密封線路144的位置，使區分密封構件148以輕觸第2保持構件58之密封保持器62之表面的程度而按壓。藉此在基板保持器18與密封蓋142之間，形成以追蹤氣體密封構件146及區分密封構件148所密封(密閉)之保持器側密閉空間S1及基板側密閉空間S2。
另外，第3階段滲漏測試係在鎖/解鎖機構正下方進行，故密封蓋142在測試時以外係由鎖/解鎖機構正下方退避至退避位置，並在測試時插入基板保持器18與鎖/解鎖機構間之空間。該密封蓋142之移動係藉由圖上未標示之密封蓋移動機構而進行。
在該狀態下，首先實施保持器側密閉空間S1之第3階段滲漏測試。亦即，僅開啟追蹤氣體導入部150a之氣體供給線路158a之開關閥162a及氣體排氣線路174a之開關閥172a，並將氦氣等追蹤氣體供給至保持器側密閉空間S1之內部。接著，在保持器側密閉空間S1內供給預定量之追蹤氣體時，將氣體供給線路158a之開關閥162a及氣體排氣線路174a之開關閥172a一起關閉。如此，在於保持器側密閉空間S1內封入追蹤氣體之狀態下，與前述同樣地使抽取接點106連接於基板保持器18之手部90之吸取管，並僅開啟旁通線路130之開關閥132a、132b及抽氣線路114之主開關閥118，將內部空間R內真空抽氣，使該真空抽氣之空氣(氣體)收集於追蹤氣體檢測器138之 檢測器本體136。
接著，在檢測器本體136中以追蹤氣體感測器134測定在所收集之空氣(氣體)中是否含有追蹤氣體，在該例中係是否含有氦氣。氦氣在自然界中僅存在5ppm，故獲得含有氦氣之空氣(氣體)與自然界空氣之間的氦氣濃度差，藉此可測定是否含有氦氣。接著，收集於檢測器本體136之空氣(氣體)含有追蹤氣體(氦氣)時，位於保持器側密閉空間S1內且裝設於基板保持器18之第2保持構件58之保持器側密封構件68的密封性不完全，而判斷為保持器側密封構件68與第1保持構件54之間有滲漏(第3階段滲漏測試不合格)。
如此般藉由利用追蹤氣體之滲漏而判斷保持器側密封構件68與第1保持構件54之間產生滲漏，而即使在於保持器側密封構件68與第1保持構件54之間產生極微量之鍍覆液滲漏時，也可在事前確實地檢測出。此係在下述基板側密封構件66與基板W之表面之間產生極微量之鍍覆液滲漏時也是相同的。
接著，與前述保持器側密閉空間S1之情形幾乎相同地，在於基板側密閉空間S2內部供給並封入追蹤氣體(氦氣)之狀態下，將內部空間R內真空抽氣，使該真空抽氣之空氣(氣體)收集於追蹤氣體檢測器138之檢測器本體136，在該檢測器本體136中以追蹤氣體感測器134測定所收集空氣(氣體)中是否含有追蹤氣體(氦氣)。接著，收集於檢測器本體136之空氣(氣體)含有追蹤氣 體(氦氣)時，位於保持器側密閉空間S2內且裝設於基板保持器18之第2保持構件58之基板側密封構件66的密封性不完全，而判斷為基板側密封構件66與基板表面之間有滲漏(第3階段滲漏測試不合格)。
接著，判斷保持器側密封構件68與第1保持構件54之間有滲漏、或是基板側密封構件66與基板W表面之間有滲漏時，係根據前述第2階段滲漏測試不合格之情形而實施處置。如此而個別地實施保持器側密閉空間S1與基板側密閉空間S2之第3階段滲漏測試，藉此可特定滲漏是在基板側密封構件66產生或在保持器側密封構件68產生，可對產生滲漏處實施適當處置。
根據該例而實施可在較短時間完成之第1階段滲漏測試，可早期且迅速地發現因明顯操作失誤或維修不良而造成之鍍覆液滲漏。藉此可減輕對於第2階段滲漏測試之負擔。藉由在第1階段滲漏測試後實施第2階段滲漏測試，而可確實且迅速地發現有關基板保持器18之密封構件66、68之密封性的重大不良，並可對該滲漏進行適當處置。接著對於第2階段滲漏測試合格之基板保持器18，視需要而實施需要較長時間之第3階段滲漏測試。藉由該第3階段滲漏測試，即使在密封構件66、68產生超微細滲漏時也可將其確實地檢測出。
在基板W以基板保持器18時保持時，不需要每次都進行該第3階段滲漏測試。其係因基板或基板保持器18之密封構件66、68之狀態少有劇烈變化之故。此 外，第3階段滲漏測試一般需要長時間，故若頻繁地實施第3階段滲漏測試則會降低產出量。因此，作為不影響生產之離線測試而單獨地實施確認各基板保持器狀態之第3階段滲漏測試，亦即可與第1階段滲漏測試及第2階段滲漏測試分離而實施。該離線測試可定期地、或是在運轉開始前或運轉結束後實施。以離線測試實施滲漏測試(第3階段滲漏測試)時，為了排除基板表面所形成光阻之影響並正確地測試基板保持器之狀態，故使用模擬基板(未塗佈光阻之基板)，亦即較佳為對於維持模擬基板之各基板保持器實施滲漏測試。藉此而不會降低產出量。另外，模擬基板例如可由收納有設於盒台12之模擬基板的盒體10、或收納裝置內所具有之模擬基板之模擬基板用盒體而供給於基板保持器18。
上述例中，對保持器側密閉空間S1及基板側密閉空間S2兩者之空間實施第3階段滲漏試驗，亦可對保持器側密閉空間S1及基板側密閉空間S2之一者之空間實施第3階段滲漏試驗。例如對於保持器側密閉空間S1實施第3階段滲漏試驗，裝設於基板保持器18之第2保持構件58的保持器側密封構件68之密封性不完全，且在判斷保持器側密封構件68與第1保持構件54之間有滲漏(第3階段滲漏試驗不合格)之階段，可省略對基板側密閉空間S2之第3階段滲漏試驗。
對在鍍覆處理前之滲漏測試合格之基板保持器18保持的基板實施鍍覆處理。對於在鍍覆處理前之滲 漏測試不合格之基板保持器18保持的基板，係打開基板保持器18並使以基板保持器18保持之基板回到盒台12之盒體10。接著以基板保持器搬運裝置40之第1搬運器42握持該基板保持器18並回到儲存架24，而就此不使用。接著例如在運轉結束後等，由儲存架24取出基板保持器18並實施適當處置。
根據本實施型態可判定基板W外周部與第2保持構件58之間隙是否以基板側密封構件66適切地密封、第1保持構件54與第2保持構件58之間隙是否以保持器側密封構件68適切地密封。如此而可系統地連續進行一連串之鍍覆處理，其中包括對於所有基板保持器18之鍍覆處理前之滲漏測試。
在該鍍覆處理之滲漏測試之同時或前後，以確認基板保持器18所具有之基板與電性接點88之接觸狀態的感測器，判斷該接觸狀態是否不良，可對於判定為接觸狀態不良之基板保持器進行與鍍覆處理前之滲漏測試不合格之基板保持器同樣的處置。
以下說明對鍍覆處理前之滲漏測試合格之基板保持器18保持的基板實施鍍覆處理。
以基板保持器搬運裝置40之第1搬運器42握持鍍覆處理前之滲漏測試合格之保持基板的基板保持器18，搬運至預濕槽26並下降，藉此使基板與基板保持器18一起浸漬於預濕槽26內之預濕液。另外，如前述般，鍍覆處理前之滲漏測試不合格而停止使用之基板保持器 18，係直接運回儲存架24而不搬運至預濕槽26。
另外可將鍍覆處理前之滲漏測試合格之保持基板的基板保持器18搬運至儲存架24並以垂直狀態垂掛保持(暫時放置)，並將在儲存架24暫時放置之基板保持器18搬運至預濕槽26。
雖圖上未標示，但可具有將以第1搬運器42搬運之2個基板保持器垂直地(或是由垂直稍微傾斜之角度)支撐的固定台，而取代水平載置2個基板保持器18之基板裝卸部20。藉由將垂直地保持基板保持器之固定台旋轉90°而使基板保持器為水平狀態。
此外，此例係具有1個鎖/解鎖機構的例子，但可具有2個鎖/解鎖機構，藉由配置在互相鄰接之位置之鎖/解鎖機構而同時進行2個基板保持器的鎖/解鎖。
接著將保持該基板之基板保持器18與前述同樣地搬運至預浸槽28，以預浸槽28蝕刻基板表面之氧化膜，並露出乾淨之金屬面。再者，將保持該基板之基板保持器18與前述同樣地搬運至第1水洗槽30a，而以放入該第1水洗槽30a之純水水洗基板表面。
將保持水洗結束之基板之基板保持器18以基板保持器搬運裝置40之第2搬運器44握持，並搬運至裝滿鍍覆液之鍍覆槽34，在鍍覆室38吊掛保持。基板保持器搬運裝置40之第2搬運器44係依序重複進行上述作業，並將裝設基板之基板保持器18依序搬運至鍍覆槽34之鍍覆室38並在預定位置吊掛保持。
將基板保持器18吊掛保持後，在鍍覆室38內之陰極(圖上無標示)與基板W之間施加鍍覆電壓，同時一邊藉由槳驅動裝置46使槳與基板表面平行地來回移動，一邊對基板表面實施鍍覆。此時，基板保持器18係在鍍覆室38之上部藉由手部90吊掛而固定，並通過導電體86及電性接點88而由鍍覆電源供電於晶種層等。由溢流槽36至鍍覆室38之鍍覆液的循環在運轉裝置中基本上一直在進行，藉由循環線路中未有圖示之恆溫單元使鍍覆液保持一定溫度。
鍍覆結束後，停止鍍覆電壓的施加及槳之來回運動，將裝設有鍍覆後之基板W之基板保持器18以基板保持器搬運裝置40之第2搬運器44握持，與前述同樣地搬運至第2水洗槽30b，以裝入該第2水洗槽30b之純水水洗基板表面。
接著，將裝設該洗淨後之基板W之基板保持器18，與前述同樣地搬運至吹氣槽32並在此噴吹空氣或N2氣體，藉此除去附著於基板保持器18及以基板保持器18保持之基板W表面的水滴並乾燥。
基板保持器搬運裝置40之第2搬運器44係重複上述作業，將裝設鍍覆結束之基板之基板保持器18移動至吹氣槽32。
基板保持器搬運裝置40之第1搬運器係握持鍍覆處理結束且以吹氣槽32乾燥之基板保持器18，並載置於基板裝卸部20之載置平板52上。
接著透過鎖/解鎖機構解開位於中央側之基板保持器18之第2保持構件58的鎖，並運作空氣筒使第2保持構件58打開。此時較佳係在基板保持器18之第2保持構件58設置與電性接點88不同之彈性構件(圖上未標示)，可防止基板W黏附於第2保持構件58之狀態下打開第2保持構件58的情形。之後將基板保持器18內之鍍覆處理後之基板W以基板搬運裝置22取出並運送至旋轉沖洗烘乾機16，以純水洗淨後藉由旋轉沖洗烘乾機16之高速旋轉而旋轉乾燥(脫水)。接著將旋轉乾燥後之基板以基板搬運裝置22送回盒體10。
然後，裝設在一方的基板保持器18之基板送回盒體10後，或者與其並行，將載置平板52向橫方向滑動，並以相同操作，將裝設在另一方的基板保持器18之基板進行旋轉乾燥後送回盒體10
取出基板之基板保持器18係藉由基板搬運裝置22而搭載新的進行處理之基板，而進行連續處理。沒有新的進行處理之基板時，將取出基板之基板保持器18以基板保持器搬運裝置40之第1搬運器42握持，並送回儲存架24之預定處。
接著由基板保持器18取出所有基板，旋轉乾燥並送回盒體10而結束作業。如此可完成使所有基板經鍍覆處理並以旋轉沖洗烘乾機16洗淨且乾燥、將基板保持器18送回儲存架24之預定處之一連串作業。
第9圖係示意地表示本發明之其他實施型 態之鍍覆裝置之主要部分的圖。此例與前述鍍覆裝置之不同點係使用不具有區分密封構件148(參照第6圖)之密封蓋142。若將該密封蓋142之追蹤氣體密封構件146沿著密封線路144(參照第3圖)而壓接於基板保持器18之第1保持構件54之表面，則在密封蓋142與基板保持器18之間形成內部具有保持器側密封構件68及基板側密封構件66之密閉空間S。並設置於該密閉空間S導入追蹤氣體之單一追蹤氣體導入部150。
於該密閉空間S導入追蹤氣體之單一追蹤氣體導入部150，係與前述於該密閉空間S1導入追蹤氣體之單一追蹤氣體導入部150a具有幾乎相同之構成，故相當之構件附上省略字母a之符號，並省略重複之說明。另外，氣體供給管152及氣體排氣管170係連通於密閉空間S。
根據該例而如以下般實施第3階段滲漏測試。亦即，將密封蓋142之追蹤氣體密封構件146在沿著基板保持器18之第1保持構件54之密封線路144(參照第3圖)之位置以輕觸之程度按壓，藉此在基板保持器18與密封蓋142之間形成以追蹤氣體密封構件146密封(密閉)之密閉空間S。接著，與前述同樣地，在於密閉空間S內部供給追蹤氣體(氦氣)並封入之狀態下，將內部空間R內真空抽氣，並將該真空抽氣之空氣(氣體)收集於追蹤氣體檢測器138之檢測器本體136，並以追蹤氣體感測器134檢測收集於檢測器本體136之空氣(氣體)是否含有追蹤氣體(氦氣)。
接著，若收集於檢測器本體136之空氣(氣體)含有追蹤氣體(氦氣)時，位於密閉空間S內且裝設於基板保持器18之第2保持構件58的基板側密封構件66或保持器側密封構件68之至少一者的密封性不完全，判斷保持器側密封構件68與第1保持構件54之間、或基板側密封構件66與基板W表面之間至少一者有滲漏(第3階段滲漏測試不合格)。
在該例中雖無法特定裝設於基板保持器18之第2保持構件58的基板側密封構件66及保持器側密封構件68是何者產生滲漏，但可在更短時間內完成基板保持器18之第3階段滲漏測試。
至此說明本發明之一實施型態，但本發明並不限定於上述實施型態，當然在該技術思想範圍內可實施各種不同之型態。
18‧‧‧基板保持器
54‧‧‧第1保持構件
62‧‧‧密封保持器
66‧‧‧基板側密封構件
68‧‧‧保持器側密封構件
100‧‧‧內部通路
104‧‧‧密封環
106‧‧‧抽氣接點
108‧‧‧致動器
110‧‧‧連結板
112‧‧‧真空源
114‧‧‧吸氣線路
116‧‧‧壓力感測器
118‧‧‧主開關閥
120‧‧‧母容器
122‧‧‧壓差測試線路
124a、124b‧‧‧開關閥
126‧‧‧壓差感測器
128‧‧‧壓力變化檢測部
130‧‧‧旁通線路
132a、132b‧‧‧開關閥
134‧‧‧追蹤氣體感測器
136‧‧‧檢測器本體
138‧‧‧追蹤氣體檢測器
139‧‧‧開關閥
140‧‧‧大氣測定管
R‧‧‧內部空間
R1‧‧‧保持器側內部空間
R2‧‧‧基板側內部空間
W‧‧‧基板

Claims (5)

  1. 一種鍍覆方法，係一邊以具備第1保持構件、與具有開口部之第2保持構件的基板保持器保持基板一邊將該基板進行鍍覆之鍍覆方法，以前述第1保持構件支持基板的一面，並使前述第2保持構件與基板的另一面接觸，從前述第2保持構件之前述開口部以基板的前述另一面露出之狀態將該基板以前述基板保持器保持，在以前述基板保持器保持基板時，在前述第2保持構件之第1凸出部將前述第1保持構件與前述第2保持構件之間進行密封，並在前述第2保持構件之第2凸出部將前述基板之外周部進行密封，藉此，以前述第1保持構件與前述第2保持構件與前述基板在前述基板保持器內形成內部空間，實施第1階段滲漏測試，係將前述內部空間內進行真空抽氣，測試該內部空間在一定時間後是否達到預定之真空壓力，再測試前述第1凸出部及前述第2凸出部之密封性；對前述第1階段滲漏測試合格之保持基板的基板保持器實施第2階段滲漏測試，該測試係密封前述內部空間使該內部空間內之壓力在預定時間內是否有預定值以上之變化，再測試前述第1凸出部及前述第2凸出部之密封性，使用前述第2階段滲漏測試合格之基板保持器將 基板進行鍍覆。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之鍍覆方法，其中，測試前述內部空間內之壓力在預定時間內是否有預定值以上之變化者，係將前述內部空間內經密封後之壓力、與該內部空間內經真空抽氣同時經真空抽氣而密封後不會漏氣之母容器內之壓力的壓力差，以壓差感測器測定。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之鍍覆方法，係對前述第2階段滲漏測試合格之基板保持器實施第3階段滲漏測試，該測試係以覆蓋從前述基板保持器保持之基板的前述開口部所露出之表面的方式配置密封蓋，將前述基板保持器之前述第1保持構件與前述密封蓋之間進行密封而在前述基板保持器與前述密封蓋之間形成密閉空間，並在該密閉空間內導入追蹤氣體，並將前述內部空間真空抽氣，檢測由前述內部空間所抽氣之空氣內是否含有追蹤氣體，再測試前述第1凸出部及前述第2凸出部之密封性，然後使用前述第3階段滲漏測試合格之基板保持器將基板進行鍍覆。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之鍍覆方法，其中，將前述基板保持器之前述第2保持構件與前述密封蓋之間進行密封時，將前述密閉空間分為：前述第2凸出部配置於內部之基板側密閉空間、以及前述第1凸出部配置於內部之保持器側密閉空間之2個密閉空間，並對前述2個密閉空間之至少一者實施前述第3階段滲 漏測試。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之鍍覆方法，其中，前述滲漏測試係在用以將待鍍基板安裝在前述基板保持器中之基板裝卸部實施。
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