JPH04261050A - 半導体装置用リ−ドフレ−ムのメッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リ−ドフ
レ−ムのメッキ方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図３は、例えば、特公平２−２２９３号
公報に示された従来の部分メッキ方法を示す断面構造図
であり、この図において、裏面側の押えゴム板５を表面
側の必要メッキエリア部を確保するためのマスク板６と
により、リ−ドフレ−ム７を両側から加圧シ−ルし、ノ
ズル８からメッキ液を噴出させて所定エリアのみの部分
メッキを行うものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の部分メッキ方法
はリ−ドフレ−ム７をシ−ルする裏面側の押えゴム板５
は平板であり、リ−ドフレ−ム７を加圧シ−ルした状態
では、リ−ドフレ−ム７のダイパッド部やインナリ−ド
部が押えゴム板５で押されてたわみ変形し、押えゴム板
５との間に若干の隙間が発生し、この隙間にメッキ液が
進入しダイパッド部やインナリ−ド部の裏面にメッキさ
れやすい。特に、シングルインラインパッケ−ジ用リ−
ドフレ−ムのようにダイパッド部およびサポ−トバ−構
造が加圧に対し不安定な場合、図４のように押えゴム板
５による加圧によりダイパッド部１と押えゴム板５との
間でダイパッド部１の傾き変形による裏面隙間９が生じ
、この裏面隙間９にメッキが付いてしまう。この裏面メ
ッキ漏れを生じたリ−ドフレ−ムを多数枚積載包装した
ものを実際の半導体装置アセンブリ作業で１枚ずつ取り
出す場合、メッキ漏れによるメッキ部と隣接するリ−ド
フレ−ム７の正規メッキ部との間でくっつきが生じ、ス
ム−ズにリ−ドフレ−ム供給が行えないといった問題点
があり、また、シングルラインパッケ−ジ用リ−ドフレ
−ムでは、裏面メッキ漏れ防止のためシ−ル加圧力を上
げるとダイパッド部１の傾き変形が発生するといった問
題点があった。

【０００４】本発明は、これらの問題点を解消するため
になされたもので、リ−ドフレ−ムのダイパッド部ある
いはインナリ−ド部のメッキ時に裏面側の押えゴム板で
の加圧による傾き変形をなくし、メッキの裏面漏れを防
止してメッキを行う半導体装置用リ−ドフレ−ムのメッ
キ方法を得ることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
用リ−ドフレ−ムのメッキ方法は、裏面側の押えゴム板
の所用箇所にリ−ドフレ−ムの変形防止用の吸着・排気
孔を設け、加圧シ−ル後、この吸着・排気孔を通じて排
気することにより、吸着・排気孔に面したリ−ドフレ−
ム部位を強く裏面側の押えゴム板の面に吸着させた状態
で所用箇所にメッキを行うものである。

【０００６】

【作用】本発明におけるメッキ方法には、リ−ドフレ−
ムの裏面メッキ漏れが防止でき、リ−ドフレ−ムどうし
のくっつきや、ダイパッド部，インナリ−ド部のメッキ
時での変形が防止できる。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の一実施例をシングルインライ
ンパッケ−ジ用リ−ドフレ−ムを適用して説明する。図
１はリ−ドフレ−ムのパタ−ン形状を示す平面図で、破
線内の領域Ｓがメッキエリアである。図１において、７
はリ−ドフレ−ムであり、１はダイパッド部、２はこの
ダイパッド部１を支えるサポ−トバ−、３はインナリ−
ド部である。また、ダイパッド部１中に黒丸で示された
部位が裏面側の押えゴム板５に設けられた吸着・排気孔
に相対する部位である。

【０００８】図２は裏面側の押えゴム板５側の断面構造
図で、４は吸着・排気孔である。

【０００９】次に、メッキ方法について説明する。リ−
ドフレ−ム７を表面側のメッキエリア用のマスク板６と
裏面側の押えゴム板５とで加圧シ−ル後、メッキ装置に
設けた排気コンプレッサ（図示せず）を作動させ、吸着
・排気孔４内の空気を排気している状態のままメッキ液
を噴出させメッキを行ったのち、コンプレッサの排気弁
を開放し空気を再度吸着・排気孔４に流入させることに
より、リ−ドフレ−ム７の吸着が解除される。

【００１０】なお、上記実施例では、シングルインライ
ンパッケ−ジ用リ−ドフレ−ムを例にして説明したが、
本発明はこれに限らず裏面メッキ漏れの発生しやすい形
状のリ−ドフレ−ムについても同様に適用できる。

【００１１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
裏面側の押えゴム板側に選択的に吸着・排気孔を設け、
この吸着・排気孔から排気を行うことによりリ−ドフレ
−ムを裏面側の押えゴム板に密着させ、所定領域が開口
されたマスク板との間で加圧シ−ルした状態でメッキを
行うようにしたので、従来加圧シ−ル時に発生していた
裏面隙間が発生しなくなり、したがって、裏面メッキ漏
れが防止でき、所定箇所への部分メッキが確実に行える
効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるシングルインラインパ
ッケ−ジ用リ−ドフレ−ムの平面略図である。

【図２】図１の断面側面図である。

【図３】従来のメッキ方法を説明するための装置の断面
構造図である。

【図４】従来のメッキ方法における問題点を説明する部
分断面側面図である。

【符号の説明】

１　　ダイパッド部 ３　　インナリ−ド部 ４　　吸着・排気孔 ５　　裏面側の押えゴム板 ７　　リ−ドフレ−ム

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　リ−ドフレ−ムの裏面側へのメッキ付
   着を防止するために前記リ−ドフレ−ムをマスク板と裏
   面側の押えゴム板とにより押え付け、前記マスク板に開
   口された領域に部分メッキを行うリ−ドフレ−ムの部分
   メッキ方法において、前記押えゴム板に吸着・排気孔を
   形成し、前記リ−ドフレ−ムを加圧シ−ル後、前記吸着
   ・排気孔を通して排気して前記リ−ドフレ−ムの変形に
   よる前記押えゴム板との隙間をなくし、前記押えゴム板
   に前記リ−ドフレ−ムを密着させた状態でメッキを行う
   ことを特徴とする半導体装置用リ−ドフレ−ムのメッキ
   方法。