CN103361695A - 电镀方法和电镀装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电镀方法和电镀方法装置，其能够迅速并可靠地发现密封构件的密封性的重大问题，即使对极微量的泄漏也可在事前或事后可靠发现。该电镀方法中，实施第1阶段泄漏检查，即基板的外周部以密封构件(66，68)密封且基板W由基板架(18)保持，对基板架保持基板时以密封构件密闭的在该基板架的内部形成的内部空间R内进行真空吸引，对该内部空间在规定时间后是否达到规定真空压力进行检查，并且实施第2阶段泄漏检查，即对第1阶段泄漏检查合格了的保持基板的基板架，密封内部空间并检查该内部空间内的压力在规定时间内是否变化了规定值以上。

Description

电镀方法和电镀装置
技术领域
本发明涉及在例如基板的被电镀面(表面)实施电镀的电镀方法和电镀装置，尤其涉及用于在设于半导体晶片等的表面的微细的布线用槽或孔、抗蚀层开口部形成电镀膜，或在半导体晶片的表面形成与封装电极等电连接的凸点(凸起状电极)的电镀方法和电镀装置。本发明的电镀方法和电镀装置也可用于，例如内部具有上下贯通的多个过孔塞、制造用于半导体芯片等所谓三维安装的插入件或间隔件时的过孔填埋。
背景技术
在TAB(Tape Automated Bonding:胶带自动接合)或倒装片上，正广泛地进行在形成有配线的半导体芯片的表面的规定地方(电极)上形成金、铜、焊锡、或者镍、更或者是将它们多层地层叠起来的凸起状连接电极(凸点)，通过该凸点来与封装电极或TAB电极电连接。作为这种凸点的形成方法，有电镀法、蒸镀法、印刷法、滚动凸点法等各种的方法，但随着半导体芯片的I/O数量的增加、细间距化，可微型化并且性能比较稳定的电镀法被越来越多地采用了。
此处，电镀法大致分为:将半导体晶片等的基板的被电镀面朝下(面朝下)地水平放置并使电镀液从下往上喷来实施电镀的喷流式或杯式，和在电镀槽的中垂直竖立基板，一边从电镀槽的下方注入电镀液并使其溢出一边实施电镀的浸渍式。一般认为，采用浸渍式的电镀法，具有对电镀的品质产生不良影响的气泡能很好地逸出、痕迹小等优点，因此，适用于电镀孔的尺寸较大，电镀需要相当长时间的凸点电镀。
在以往的采用浸渍方式的电解电镀装置中，具有密封半导体晶片等基板的外周部、并使表面(被电镀面)露出地装卸自如地保持的基板架，该基板架将各个基板浸渍于电镀液中，并对基板的表面实施电镀，具有容易除去气泡的优点。
基板架浸渍于电镀液中进行使用，因此以基板架保持基板并浸渍于电镀液时，为使电镀液不进入基板的背面(反被电镀面)和电接点接触的基板的外周部，需要确实地密封基板的外周部。因此，例如，通过一对支持件(保持构件)装卸自如地保持基板的基板架上，一方的支持件安装密封构件，该密封构件与另一方的支持件和载置保持于该支持件的基板的外周部分别压接，以密封基板的外周部。
这种基板架通过，将密封构件的形状或固定方法等进行最适化调整、定期的(例如对各处理)洗净密封构件、定期的更换密封构件，更进一步的，提高基板的前处理(种晶层、抗蚀层膜的生成)的精度，使得对基板到基板架的设置误差的最小化、并进行定期的再调整，以减少电镀液等的泄漏。
但，由于密封构件的劣化等，导致提高密封的充分性变得尤为困难。尤其是，实施电镀，要将电镀膜埋入沟或通孔等微细凹部的内部时，需要将电镀液容易且确实地浸入微细凹部内，因此一般采用浸透性良好的电镀液，因此，实施充分的密封更加困难。又，检测电镀液等泄漏一般来说较为困难。接着，一旦发生电镀液的泄漏，泄漏到基板架的内部的电镀液附着于基板的外周部或背面，不仅随着基板运送机器使得装置整体被电镀液染污，且泄漏的电镀液使接点腐蚀妨碍通电。
因此，申请人提出，基板架所保持的基板连同基板架浸入电镀液进行实际电镀时，将泄漏的电镀液会使其短路的液泄漏检知用的至少一对导电体设于内部以检知电镀液是否泄漏(产生电镀液的泄漏的液泄漏检知用的导电体会通电)的基板架(参照专利文献1)，或基板架保持基板时，对夹在基板和基板架之间的密封构件包围的空间的内部提供加压的气体，通过该加压的气体的压力是否下降，检测密封构件是否有泄漏的基板架(参照专利文献2)。
又，提出一种方案，以密封构件密封基板的外周部后，进行基板的电镀处理之前，在电镀处理前检查密封构件形成的空间内是否发生电镀液的泄漏(参照专利文献3)。该电镀处理前的泄漏检查，对例如密封构件形成的密闭区域内进行减压或加压来进行。
又，提出一种方案，基板的外周部以密封构件密封、且基板由基板架所保持后，对基板的収容部进行减压，在电镀处理前确定密封的充分性，例如，基板架保持基板后，对基板架内的基板所分隔的内部空间进行真空吸引并密封，确认在规定时间内内部空间的压力变化的程度在规定值以下(例如将内部空间减压到负0.05气压左右的负压并密封，经过5秒后，该负压的变化在10%以内的话，判定为合格(无泄漏))(参照专利文献4)。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】特开2004-52059号公报
【专利文献2】特开2003-277995号公报
【专利文献3】特表2002-531702号公报
【专利文献4】特表2007-509241号公报
发明内容
发明所要解决的问题
对基板架内的该基板架所保持的基板分隔的内部空间进行单纯的真空吸引或加压，仅检出内部空间内的压力，一般难以判定密封构件的密封性在何种程度不充分。且，在产生极微量的电镀液的泄漏的情况下，基板架内的内部空间的容积和电镀液的泄漏量的体积比变得相当大，与之成反比的，内部空间内的压力变化变得相当小。例如、内部空间的容积500cc下的电镀液的泄漏量为0.05cc的话，内部空间内的压力变化为1/10000。因此，即使采用高精度的压力传感器也可能导致误检测。尤其是，为使电镀装置连续稳定地运行，即使极微量的电镀液泄漏，也需要可靠地在事前或事后对其进行检测。
进一步的，对电镀所使用的基板架是否发生电镀液的泄漏的情况进行事后检查的情况下，由于担心已经泄漏的电镀液导致基板架的电接点腐蚀，或电接触电阻增加，需要根据电镀液的泄漏程度，对基板架进行清扫或部件更换等维护。
本发明鉴于上述情况，目的在于提供一种电镀方法和电镀装置，其能够迅速并可靠地发现密封构件的密封性的严重问题，且即使是对极微量的泄漏，也可以提前地可靠地发现。解决问题的手段
本发明的电镀方法，包括如下步骤:以密封构件对基板的外周部进行密封，并由基板架保持基板；实施第1阶段泄漏检查，其在所述基板架保持基板时，对形成于以所述密封构件密闭的该基板架的内部的内部空间内进行真空吸引，检查该内部空间在规定时间后是否达到规定真空压力；实施第2阶段泄漏检查，其对所述第1阶段泄漏检查合格了的基板架，在使所述内部空间为真空后密封该内部空间，检查该内部空间内的压力是否在规定时间内变化了规定值以上。
这样，实施可在较短时间内完成的第1阶段泄漏检查，可通过提前并快速地发现明显的操作不当或维护不力等引起的电镀液的泄漏，以减去对第2阶段泄漏检查的负担，之后，通过实施第2阶段泄漏检查，可可靠且快速地发现基板架的密封构件的密封性的重大问题，对该泄漏进行适当处置。
本发明的较佳实施例中，检查所述内部空间内的压力在规定时间内是否变化在规定值以上的步骤为，对没有气体泄漏的主容器进行真空吸引，密封被真空吸引后的所述主容器，以差压传感器测定所述内部空间内的封止后的压力和所述主容器内的压力的压力差，检查所述压力差是否在规定时间内变化在规定值以上的步骤。
这样，通过根据内部空间内的压力和主容器内的压力的压力差测定内部空间内的压力变化，与利用压力传感器直接测定内部空间内的压力变化时相比，可更准确地检测内部空间内的微小压力变化。
该发明的一较佳实施方式中，对于所述第2阶段泄漏检查合格了的保持基板的基板架，在所述基板架所保持的基板和覆盖该基板的表面的密封壳体之间形成密闭空间，将示踪气体导入该密闭空间内，对所述内部空间进行真空吸引，实施检查从所述内部空间吸引得到空气内是否含有示踪气体的第3阶段泄漏检查。
这样，通过对第2阶段泄漏检查合格了的基板架，实施需要较长时间的第3阶段泄漏检查，即使密封构件中产生超微细的泄漏，也可可靠地对其进行检测。
本发明的一较佳实施方式中，所述密闭空间分为，与基板的外周部压接密封该外周部的基板侧密封构件的周围的基板侧密闭空间、和密封支架表面的支架侧密封构件的周围的支架侧密闭空间这两个空间，对所述两个空间的至少一方实施所述第3阶段泄漏检查。
由此，确定泄漏是发生在支架侧密封构件或基板侧密封构件处，或是发生在支架侧密封构件和基板侧密封构件双方，以对发生泄漏的地方进行适当处置。又，如果第3阶段泄漏检查在支架侧密闭空间和基板侧密闭空间分别实施则检查时间变长。因此，在例如不需要确定泄漏是发生在支架侧密封构件处，还是基板侧密封构件侧的情况下，不需要将密闭空间分为两个空间，而是作为1个空间实施第3阶段泄漏检查，以缩短检查时间。
本发明的另一种电镀方法，包括:以密封构件密封基板的外周部并以基板架保持基板，所述基板架所保持的基板和覆盖该基板的表面的密封壳体之间形成密闭的密闭空间，将示踪气体导入所述密闭空间内，以所述基板架保持基板时，对以所述密封构件密闭形成于该基板架的内部的内部空间进行真空吸引，实施检查从所述内部空间内吸引得到的空气内是否含有示踪气体的泄漏检查。
该泄漏检查例如定期的、或者作为运转开始前或运转结束后确认各基板架的状态的离线检查实施。以离线检查进行泄漏检查时，也可采用虚拟基板代替基板。
本发明的一较佳实施方式中，所述泄漏检查在所述基板架之间于进行基板的装卸的基板装卸部实施。由此，在以基板架保持基板之后开始电镀处理之前，可实施基板架的泄漏检查。
本发明的电镀装置，包括:具有密封基板的外周部的密封构件、且具有内部通路的基板架，所述内部通路与在保持基板时由所述密封构件密闭在内部形成的内部区域连通；连接于真空源延伸出的吸引线、与所述内部通路连通且与所述基板架装卸自如地被安装的吸引接头；压力传感器，其在通过所述吸引线对所述内部空间内进行真空吸引时，检查该内部空间在规定时间后是否达到规定真空压力；压力变化检知部，其在通过所述吸引线对所述内部空间进行真空吸引并密封时，检知该内部空间内的压力变化。
本发明的一较佳实施方式中，所述压力变化检知部包括:保证不产生气体泄漏且与真空源连接的主容器；和测定所述主容器内的压力与所述内部空间内的压力的差压的差压传感器。
本发明的一较佳实施方式中，进一步包括:覆盖所述基板架所保持的基板的表面、与所述基板架之间形成内部收容基板的密闭区间的密封壳体；向所述密闭空间内导入示踪气体的示踪气体导入部；以及检测所述吸引线内流动的气体中是否包含所述示踪气体的示踪气体测试器。
本发明的一较佳实施方式中，所述密封壳体具有将所述密闭空间分隔为，压接于基板的外周部并密封该外周部的基板侧密封构件的周围的基板侧密闭空间、和密封支架表面的支架侧密封构件的周围的支架侧密闭空间这两个空间的分隔密封构件。
发明效果
根据本发明，通过可在较短时间内可完成的基板架的第1阶段泄漏检查，提前且快速地发现明显的操作不当或维护不力等引起的电镀液的泄漏，通过对第1阶段泄漏检查合格的基板架实施第2阶段泄漏检查，可在第2阶段泄漏检查可靠并迅速地发现基板架的密封构件的密封性的重大问题，对该泄漏实施适当处理。由此，推测泄漏的原因，提前发现问题缩短进行维护所需的时间。
附图说明
图1是本发明的实施方式的电镀装置的整体配置图。
图2是显示基板架的大致的立体图。
图3为图2所示的基板架的俯视图。
图4为图2所示基板架的右视图。
图5为图4的A部放大图。
图6是示意性显示对保持基板的基板架进行第1阶段泄漏检查和第2阶段泄漏检查时的状态的图。
图7是示意性显示对保持基板的基板架进行第3阶段泄漏检查时的状态的图。
图8是显示对保持基板的基板架进行第1阶段泄漏检查和第2阶段泄漏检查的处理流程的流程图。
图9是示意性显示本发明的其他实施方式的电镀装置的要部的图。
具体实施方式
下面，参考附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是显示本发明的实施方式的电镀装置的整体配置图。如图1所示，该电镀装置中包括:搭载收纳了半导体晶片等基板的盒体10的2台盒体台12、将基板的对准标记或对准槽等的位置对准规定的方向的对准器14、高速旋转电镀处理后的基板以进行干燥的旋转清洗机16。进一步的，在附近，设有载置基板架18进行基板与该基板架18的装卸的基板装卸部20，这些单元的中央，设有在此之间运送基板的运送用机械构成的基板运送装置22。
接着，基板装卸部20侧开始，依次配置:进行基板架18的保管和暂时放置的储料器24、将基板浸渍于纯水的预湿槽26、蚀刻去除形成于基板的表面的种晶层等的表面的氧化膜的预浸槽28、清洗预浸后的基板的第1水洗槽30a、进行清洗后的基板的水分去除的吹风槽32、清洗电镀后的基板的第2水洗槽30b、和电镀槽34。该电镀槽34构成为在溢流槽36的内部收纳多个电镀单元38，各电镀单元38在内部收纳1个基板，实施镀铜等的电镀。
进一步的，包括例如线性电动机方式的基板架运送装置40，其位于这些各机器的侧方，在这些各机器之间运送基板架18与基板。该基板架运送装置40包括:在基板装卸部20和储料器24之间运送基板的第1运输机42、储料器24、预湿槽26、预浸槽28、水洗槽30a、30b、在吹风槽32和电镀槽34之间运送基板的第2运输机44。也可不包括第2运输机44而仅包括第1运输机42。
在该基板架运送装置40的夹着溢流槽36的相反侧，设有驱动作为搅拌位于各电镀单元38的内部的电镀液的搅拌棒的搅棒(バドル)(图未示)的搅棒驱动装置46。
基板装卸部20包括沿轨道50横向滑动自如的平板状的放置板52，该放置板52上以水平状态并列载置2个基板架18，在一方的基板架18和基板运送装置22之间进行基板的移交后、使放置板52横向滑动，进行在另一方的基板架18和基板运送装置22之间进行基板的移交。
基板架18如图2至图5所示包括:例如氯乙烯制的矩形平板状的第1保持构件(固定保持构件)54、和通过铰链56开闭自如地安装于该第1保持构件54的第2保持构件(可动保持构件)58。又，该例中，示出第2保持构件58通过铰链56开闭自如地构成的一例，但也可，例如将第2保持构件58设置在与第1保持构件54相对的位置，使该第2保持构件58朝着第1保持构件54前进以进行开闭。
第2保持构件58具有基部60和环状的密封支架62。密封支架62为例如氯乙烯制的，与下述压紧环64之间的滑动良好。密封支架62的上表面向内侧突出地被安装有基板侧密封构件66，在通过基板架18保持基板W时，该基板侧密封构件66与基板W的表面外周部压接、密封基板W和第2保持构件58之间的间隙。进一步的，在与密封支架62的第1保持构件54相对的面安装有支架侧密封构件68，在通过基板架18保持基板W时，该支架侧密封构件68压接第1保持构件54并密封第1保持构件54和第2保持构件58之间的间隙。支架侧密封构件68位于基板侧密封构件66的外侧。
如图5所示，基板侧密封构件66夹持于密封支架62和第1固定环70a之间并安装于密封支架62。第1固定环70通过螺栓等的紧固件69a安装于密封支架62。支架侧密封构件68被夹持在密封支架62与第2固定环70b之间并安装于密封支架62。第2固定环70b通过螺栓等的紧固件69b安装于密封支架62。
第2保持构件58的密封支架62的外周部设有阶部，该阶部安装有压紧环64，其隔着间隔件65旋转自如地被安装。又，压紧环64通过侧面向外侧突出地被安装在密封支架62的按压板72(参照图3)，不能脱离地被安装。该压紧环64对酸和碱耐腐蚀性良好，具有充分的刚性，例如由钛构成。为使压紧环64能够平滑旋转，间隔件65以摩擦系数较低材料，例如PTFE构成。
具有向着内侧突出的突出部的反L字状的夹持构件74，位于压紧环64的外侧，沿圆周方向等间隔地被立设在第1保持构件54上。另一方面，在沿压紧环64的圆周方向的与夹持构件74相对的位置上设有，向外侧突出的突起部64b。接着，夹持构件74的内侧突出部的下表面和压紧环64的突起部64a的上表面形成为沿旋转方向相互为反方向倾斜的锥面。沿压紧环64的圆周方向的多处(例如3处)设有，向上方突出的突点64a。由此，通过使得旋转销(图未示)旋转来从旁边按压转动突点64a，可使压紧环64旋转。
由此，第2保持构件58打开的状态下，基板W插入第1保持构件54的中央部，通过铰链56关闭第2保持构件58，使压紧环64顺时针旋转，通过将压紧环64的突起部64b滑入夹持构件74的内侧突出部的内部，通过分别设于压紧环64和夹持构件74的锥面，将第1保持构件54和第2保持构件58相互夹紧并锁定，使压紧环64逆时针旋转令压紧环64的突起部64b从逆L字状的夹持构件74脱出，由此解除该锁定。接着，如此锁定第2保持构件58时，基板侧密封构件66的内周面侧的下方突出部下端压接到基板架18所保持的基板W的表面外周部，且支架侧密封构件68的外周侧的下方突出部下端压接到第1保持构件54的表面，均匀按压密封构件66、68，密封基板W与第2保持构件58的间隙、以及第1保持构件54和第2保持构件58的间隙。
这样，以基板架18保持基板W，如图5所示，在基板架18的内部形成，内周侧被基板密封构件66、外周侧被支架侧密封构件68分别密封的支架侧内部空间R1。该支架侧内部空间R1与基板架18和基板W之间形成的基板侧内部空间R2连通，由此，基板架18和基板之间，形成相互连通的支架侧内部空间R1和基板侧内部空间R2构成的密闭的内部空间R。
第1保持构件54的中央部设有，配合基板W的大小环状突出、且表面与基板W的外周部抵接构成支持该基板W的支持面80的突条部82，该突条部82的沿圆周方向的规定位置设有凹部84。
接着，图3所示，该各凹部84内，配置有分别与从设于柄90的外部接点延伸出的多个布线连接的多个(图示为12个)导电体(电气接点)86。在第1保持构件54的支持面80上载置基板W时，该导电体86的端部在基板W的侧方从第1保持构件54的表面以具有弹性的状态露出，与图5所示的电气接点88的下部接触。
电连接于导电体86的电气接点88通过螺栓等的紧固件89固定于第2保持构件58的密封支架62。该电气接点88形成为板簧状，位于基板侧密封构件66的外侧，内侧具有板簧状突出的接点部，该接点部由于其弹性力而具有弹性容易弯曲，且以第1保持构件54和第2保持构件58保持基板W时，电气接点88的接点部构成为，与被支持在第1保持构件54的支持面80上的基板W的外周面弹性接触。
第2保持构件58的开闭通过未图示的气缸和第2保持构件58的自重实现。即，第1保持构件54上设有通孔54a，基板装卸部20上载置基板架18时该通孔54a相对的位置处设有气缸。由此，通过使活塞杆伸展，穿过通孔54a以押压棒(图未示)将第2保持构件58的密封支架62朝上方推压，以打开第2保持构件58，通过收缩活塞杆，第2保持构件58通过其自重关闭。
在基板架18的第1保持构件54的端部，连接有，在运送基板架18时，在吊下支持时的作为支持部的一对大致T字状的柄90。于是，在储料器24内，通过柄90的突出端部挂在该周壁上表面，将其垂直吊下保持，该吊下保持的基板架18的柄90由基板架运送装置40的运输机42或44把持以运送基板架18。又，在预湿槽26、预浸槽28、水洗槽30a、30b、吹风槽32和电镀槽34内，基板架18也通过柄90从这些槽的周壁被吊下保持。
在第1保持构件54的内部，如图6示意性示出，形成通过基板侧内部空间R2与内部空间R连通的内部通路100。在基板架18保持基板W时，基板架18和基板W之间形成基板侧内部空间R2。内部空间R由密封构件66、68密封(密闭)形成于基板架18和基板W之间。内部通路100如图2和图3所示，连接于设于柄90的吸引口102。
基板装卸部20如图6示意性示出，包括具有密封环104的吸引接头106。吸引接头106隔着密封环104，在密封状态下，与柄90的吸引口102连接。该吸引接头106配置在基板装卸部20的规定位置，通过连结板110连结于气缸等的致动器108。由此，进行对保持基板W的基板架18的泄漏检查时，驱动致动器108使吸引接头106与安装于柄90的吸引口102连接，除此以外的时候，吸引接头106与吸引口102分离。
吸引接头106连结于真空泵等的真空源112延伸出的吸引线114。该吸引线114上包括测定该吸引线114内的压力的压力传感器116和主开闭阀118。
进一步的，包括保证不发生泄漏的主容器120。该主容器120延伸出的差压检查线122在主开闭阀118的上游侧与吸引线114合流。吸引线114和差压检查线122分别设置有位于两者的合流点的上游侧的开闭阀124a、124b。开闭阀124a、124b的上游侧具有，测定开闭阀124a、124b关闭时内部空间R内的压力和主容器120内的压力的差压的差压传感器126。由此，构成通过吸引线114对内部空间R进行真空吸引并密封时检测该内部空间R内的压力变化的压力变化检知部128。
通过利用差压传感器126测定开闭阀124a，124b关闭时内部空间R内的压力和主容器120内的压力的差压来检测内部空间R内的压力变化，与采用压力传感器直接测定内部空间内的压力变化的情况相比，可更准确地检出内部空间内的微小的压力变化。
旁路线130在开闭阀124a的上游侧从吸引线114分岐，在该开闭阀124a和主开闭阀118之间与吸引线114合流。该旁路线130上设有开闭阀132a，132b。该开闭阀132a，132b所夹持的位置处设有示踪气体测试器138。示踪气体测试器138具有包括示踪气体传感器134的测试器主体136。测试器主体136连接有具有开闭阀139的大气测定管140。以示踪气体测试器138的示踪气体传感器134检测旁路线130中流动的空气(气体)中是否包含示踪气体。
基板装卸部20中，如图7所示，配置有下部开口、上部关闭的圆筒状的密封壳体142，其配置为上下可动且退避自如。密封壳体142的下表面，安装有环状的示踪气体密封构件146、环状的分隔密封构件148。示踪气体密封构件146随着密封壳体142的下降，沿图3的2点划线所示的密封线144与基板架18的第1保持构件54的表面压接，密封(密闭)密封壳体142与第1保持构件54之间的间隙。分隔密封构件148随着密封壳体142的下降，与第2保持构件58的密封支架62的表面压接，密封(密闭)密封壳体142和密封支架62之间的间隙。
使退避位置的密封壳体142向基板架18的正上方移动后下降，示踪气体密封构件146压接于第1保持构件54的表面，分隔密封构件148压接于第2保持构件58的密封支架62的表面，以在基板架18和密封壳体142之间，形成支架侧密闭空间S1和基板侧密闭空间S2这两个密闭空间。支架侧密闭空间S1内部具有密封第1保持构件54和第2保持构件58之间的间隙的支架侧密封构件68，基板侧密闭空间S2内部具有被压接于基板W的外周部的基板侧密封构件66。
该例中，包括分别对支架侧密闭空间S1和基板侧密闭空间S2导入示踪气体的示踪气体导入部150a，150b。向支架侧密闭空间S1导入示踪气体的示踪气体导入部150a具有，连接气体接头154a和示踪气体储气瓶156a的气体供给线158a。气体接头154a安装于设在密封壳体142的气体供给口152a，气体供给口152a与支架侧密闭空间S1连通。气体供给线158a上，沿气体的流动方向设有压力调整阀160a和开闭阀162a。
空气供给源164a延伸出的空气供给线166a在开闭阀162a的下游侧连接于气体供给线158a。空气供给线166a上设有开闭阀168a。设于密封壳体142的排气口170a连接有设置有开闭阀172a的排气线174a。排气口170a连通于支架侧密闭空间S1。
由此，气体供给线158a的开闭阀162a和排气线174a的开闭阀172a都打开，向支架侧密闭空间S1的内部提供示踪气体。在向支架侧密闭空间S1的内部提供规定量的示踪气体的时点，通过同时关闭开闭阀162a和开闭阀172a，将示踪气体封入支架侧密闭空间S1的内部。接着，通过同时打开空气供给线166a的开闭阀168a和排气线174a的开闭阀172a，将空气导入支架侧密闭空间S1的内部，排出支架侧密闭空间S1的内部的示踪气体。
又，向基板侧密闭空间S2导入示踪气体的示踪气体导入部150b，具有与向支架侧密闭空间S1导入示踪气体的示踪气体导入部150a大致相同的构成，因此给对应的构件赋予罗马字b来代替罗马字a，省略重复的说明。又，气体供给口152b和排气口170b与基板侧密闭空间S2连通。
该例中，采用氦气作为示踪气体。氦气比空气轻，在空气中仅存在5ppm，因此容易与其他的气体区別。作为示踪气体测试器138，采用G-FINE氦泄漏测试器((株)コスモ计器制)。由此，根据该例，检测0.0006mL/min～1000mL/min的氦气(示踪气体)的泄漏，如果是0.1cc/min的氦气泄漏，可在11秒内检出。
作为示踪气体，也可采用安全且洁净的非可燃性的氢气5%+氮气95%的气体(稀释氢气:H2+N2)。该气体比氦气便宜，作为一般工业用气体被稳定供给，具有扩散性优越的特征，背景浓度为0.5ppm那么低。又，作为示踪气体，可采用比空气重的(1.784g/L，对空气比为1.38倍)氩气。氩气在空气中含有0.93vol%。
对上述构成的电镀装置的一系列的电镀处理进行说明。首先，从搭载于盒体台12的盒体10通过基板运送装置22取出1枚基板，载置于对准器14，使对准标记或对准槽等的位置对准规定的方向。由该对准器14对准方向的基板通过基板运送装置22运送到基板装卸部20。
通过基板架运送装置40的第1运输机42，同时把持2台收容在储料器24内的基板架18，并运送到基板装卸部20。接着，基板架18以水平状态下降，由此，2台基板架18同时载置于基板装卸部20的放置板52上，使2台气缸作动，令2台基板架18的第2保持构件58为打开状态。
该状态下，将基板运送装置22运送的基板插入位于中央侧的基板架18，使汽缸反向作动以关闭第2保持构件58。之后，通过基板装卸部20上方的锁住·解锁机构锁住第2保持构件58。接着，基板装到一方的基板架18之后，使放置板52在横方向滑动，同样地，基板装着于另一方的基板架18。之后，放置板52返回原来的位置。
基板W以其电镀面从基板架18的开口部露出的状态，固定于基板架18。为使内部空间R不浸入电镀液，以基板侧密封构件66密封(密闭)基板W的外周部和第2保持构件58的间隙，以支架侧密封构件68密封(密闭)第1保持构件54和第2保持构件58的间隙。基板W在不接触到电镀液的部分与多个电气接点88电导通。从电气接点88开始到基板架18的柄90布线连接，通过柄90的部分连接电源，可对基板的种晶层等进行供电。
接着，实施第1阶段泄漏检查，即实施基板架18和基板W的外周部的间隙是否由基板侧密封构件66密封(密闭)、和第1保持构件54和第2保持构件58的间隙是否由支架侧密封构件68密封(密闭)、即判定电镀液是否浸入内部空间R的电镀处理前的第1阶段泄漏检查。该第1阶段泄漏检查的处理流程如图8的上段(步骤1～4)所示。即，如图6所示，基板架18的柄90的吸引口102连接吸引接头106，仅吸引线114的主开闭阀118和开闭阀124a打开，对内部空间R(支架侧内部空间R1和基板侧内部空间R2)进行真空吸引(步骤1)，经过规定时间(例如2秒)，以例如计时器计测(步骤2)，检查经过规定时间后内部空间R内是否达到规定真空压力(步骤3)。该内部空间R内的压力由压力传感器116测定。
接着，在内部空间R内在规定期间内没有达到规定真空压力的情况下，判定为产生了由于明显的操作失误或维护不力等异常所导致的电镀液的泄漏(第1阶段泄漏检查不合格)，并对异常进行处理(步骤4)。这样的异常例有，基板架18没有保持基板W，基板架18没有安装密封构件66，68，或密封构件66，68与密封支架62的安装不充分或密封构件66，68中产生重大缺陷等的情况。例如，在基板架18没有保持基板W的情况下，考虑电镀装置自身的故障，停止电镀装置进行检查。基板架18保持基板W的情况下，例如对基板架18进行回收检查。
这样，第1阶段泄漏检查中，通过提前、灵敏地发现明显的操作不当或维护不力等造成的电镀液的泄漏，可减轻对下述第2阶段泄漏检查的负担。
对内部空间R内在规定期间内达到规定真空压力、第1阶段泄漏检查合格了的基板架18实施第2阶段泄漏检查。该第2阶段泄漏检查的处理流程如图8的下段(步骤5～8)所示。即，首先，如上所述的，以基板架18柄90的吸引口102与吸引接头106连接的状态，仅打开吸引线114的主开闭阀118和开闭阀124a、以及差压检查线122的开闭阀124b，同时对内部空间R和主容器120真空吸引，使内部空间R和主容器120为相同压力。接着，关闭吸引线114的主开闭阀118和开闭阀124a、和差压检查线122的开闭阀124b放置规定时间(例如5秒)(步骤5)，该放置的时间以例如计时器计测(步骤6)、该放置期间，通过差压传感器126测定内部空间R内的压力和主容器120内的压力的差压是否变化在规定值以上(即内部空间R内的真空度下降)，实施所谓真空放置法(压力恢复测试)(步骤7)。这样，通过实施真空放置法(压力恢复测试)，相比采用压力传感器直接测定内部空间内的压力变化的情况，可更加准确地检测内部空间内的微小的压力变化。
该例中，虽然由采用使用差压传感器126的差压测定法的压力变化检知部128进行内部空间R内的压力变化的测定，但也可不另设这样的压力变化检知部，而使所述压力传感器116兼作压力变化检知部，直接以该压力传感器116测定内部空间R内的压力变化。
内部空间R的压力与主容器120的压力的差压变化了规定值以上时，判定基板架18的密封构件66，68的密封不充分(第2阶段泄漏检查不合格)。该密封构件66，68的密封不充分的理由认为如下。
(1)基板W没有保持在基板架18的正确位置。
(2)形成于基板W的表面的抗蚀层(以对不应当电镀的部分进行掩膜为目的而在基板表面涂布)的表面有凹凸，密封构件正下方的抗蚀层产生欠缺，或抗蚀层的外径尺寸较小，抗蚀层的外径和基板的外径不是同心等的，抗蚀层的不正常情况。
(3)由于密封构件66，68的表层面有损伤，或密封构件66，68受电镀液的影响而失去弹性，密封构件66，68受到损伤。
(4)之前一个处理的基板的抗蚀层剥离附着于基板侧密封构件66。
接着，对这样的第2阶段泄漏检查不合格的基板架18，进行例如以下处置(步骤8)。
(1)从基板架18暂时取出基板W，例如将基板W旋转180°等，改变基板W的表面的抗蚀层和基板侧密封构件66相接的地方，再次通过基板架18保持基板W。
(2)从基板架18取出基板W，替换下一个基板。此时，回收从基板架18取出的基板W，主要检查基板W的抗蚀层的状态。
(3)对基板架18进行更换回收并检查。优选设想这样的例子，并能在电镀装置内收纳、放置预备的基板架，也可采用具有在即使在运行中也可放入、取出基板架的构造的电镀装置。
接着，对紧接第2阶段泄漏检查的第3阶段泄漏检查的实施进行说明。
首先，如图7所示，使退避位置的密封壳体142移动到应被检查的保持基板W的基板架18正上方并下降，以轻微接触的程度将密封壳体142的示踪气体密封构件146按压到基板架18的第1保持构件54的沿着密封线144的位置处，并以轻微接触的程度将分隔密封构件148按压在第2保持构件58的密封支架62的表面。由此，在基板架18和密封壳体142之间，形成示踪气体密封构件146和分隔密封构件148密封(密闭)的支架侧密闭空间S1和基板侧密闭空间S2。
又，第3阶段泄漏检查在锁住·解锁机构的正下方进行，密封壳体142在检查的时候以外的时间，退避到从锁住·解锁机构正下方退避的位置处，检查时插入基板架18和锁住·解锁机构之间的空间。该密封壳体142的移动通过未图示密封壳体移动机构进行。
该状态下，首先实施支架侧密闭空间S1的第3阶段泄漏检查。即，仅打开示踪气体导入部150a的气体供给线158a的开闭阀162a和排气线1174a的开闭阀172a，将氦气等的示踪气体提供到支架侧密闭空间S1的内部。接着，向支架侧密闭空间S1内提供了规定量的示踪气体时，同时关闭气体供给线158a的开闭阀162a和排气线174a的开闭阀172a。这样，在支架侧密闭空间S1内封入示踪气体的状态下，与上述相同地，使基板架18柄90的吸引口102连接吸引接头106，仅打开旁路线130的开闭阀132a，132b和吸引线114的主开闭阀118，对内部空间R内进行真空吸引，该真空吸引的空气(气体)集中于示踪气体测试器138的测试器主体136。
接着，通过示踪气体传感器134测定集中于测试器主体136的空气(气体)中是否含有示踪气体，本例中为氦气。氦气在自然界仅存在5ppm，因此获得包含氦气的空气(气体)和自然界的空气之间的氦气浓度差，由此，可测定是否包含氦气。接着，集中于测试器主体136的空气(气体)含有示踪气体(氦气)时，判断为，位于支架侧密闭空间S1内的、安装于基板架18的第2保持构件58的支架侧密封构件68的密封性不充分，支架侧密封构件68和第1保持构件54之间有泄漏(第3阶段泄漏检查不合格)。
这样，通过利用示踪气体的泄漏，判断支架侧密封构件68和第1保持构件54之间发生泄漏，即使在支架侧密封构件68和第1保持构件54之间发生极微量的电镀液的泄漏，也可将其事先可靠地检出。这与在下述基板侧密封构件66和基板W的表面之间发生极微量的电镀液的泄漏的情况相同。
接着，与所述的支架侧密闭空间S1的情况相同，向基板侧密闭空间S2的内部提供示踪气体(氦气)并封入的状态下，对内部空间R内进行真空吸引，该真空吸引的空气(气体)集中于示踪气体测试器138的测试器主体136内，以示踪气体传感器134测定该测试器主体136集中的空气(气体)中是否包含示踪气体(氦气)。接着，当集中在测试器主体136的空气(气体)中包含示踪气体(氦气)时，判断位于基板侧密闭空间S2内的、安装于基板架18的第2保持构件58的基板侧密封构件66的密封性不充分，基板侧密封构件66和基板W的表面之间有泄漏(第3阶段泄漏检查不合格)。
接着，当判断支架侧密封构件68和第1保持构件54之间有泄漏、或基板侧密封构件66和基板W的表面之间有泄漏时，所述的第2阶段泄漏检查不合格的情况下的处理。这样，通过分别实施支架侧密闭空间S1和基板侧密闭空间S2的第3阶段泄漏检查，可确定泄漏是在基板侧密封构件66处还是在支架侧密封构件68处发生，以对发生泄漏的位置进行适当处置。
根据该例，实施较短时间内可完成的第1阶段泄漏检查，可提前且快速地发现明显的操作不当或维护不力等造成的电镀液的泄漏。由此，可降低对第2阶段泄漏检查的负担。第1阶段泄漏检查后，通过实施第2阶段泄漏检查，可以可靠且迅速地发现基板架18的密封构件66，68的密封性的严重的问题，并进行对该泄漏的适当的处置。接着，对于第2阶段泄漏检查合格的基板架18，根据需要，实施需要较长时间的第3阶段泄漏检查。通过该第3阶段泄漏检查，即使密封构件66，68产生超微细的泄漏，也可将其可靠地检测出来。
该第3阶段泄漏检查不需要每次以基板架18保持基板W时进行。因为，基板或基板架18的密封构件66，68的状态剧烈变化的情况很少。又，第3阶段泄漏检查一般需要长时间，因此如果频繁进行第3阶段泄漏检查的话，吞吐量会下降。因此，作为不影响生产的离线检查，可单独地实施确认各基板架的状态的第3阶段泄漏检查，即与第1阶段泄漏检查和第2阶段泄漏检查分开实施。该离线检查也可定期地在运转开始前或运转结束后实施。通过离线检查实施泄漏检查(第3阶段泄漏检查)时，为排除形成于基板表面的抗蚀层的影响，正确检查基板架的状态，采用虚拟基板(没有涂布抗蚀层的基板)，即优选对保持虚拟基板的各基板架实施泄漏检查。由此，不会导致吞吐量下降。又，虚拟基板例如从设置于盒体台12的收容虚拟基板的盒体10、或包含在装置内的收容虚拟基板的虚拟基板用盒体中被提供到基板架18。
上述的例中，对支架侧密闭空间S1和基板侧密闭空间S2这两个空间实施第3阶段泄漏试验，但也可仅对支架侧密闭空间S1和基板侧密闭空间S2中的一个空间实施第3阶段泄漏试验。例如实施对支架侧密闭空间S1的第3阶段泄漏试验，安装于基板架18的第2保持构件58的支架侧密封构件68的密封性不充分，当判定支架侧密封构件68和第1保持构件54之间有泄漏(第3阶段泄漏检查不合格)时，也可省略对基板侧密闭空间S2的第3阶段泄漏试验。
对电镀处理前的泄漏检查合格了的基板架18所保持的基板实施电镀处理。对电镀处理前的泄漏检查不合格的基板架18所保持的基板，打开基板架18，将该基板架18保持的基板返回盒体台12的盒体10。接着，该基板架18由基板架运送装置40的第1运输机42把持，返回储料器24，并不使用。接着，例如在运转结束后等从储料器24取出基板架18，实施适当的处置。
根据本实施方式，可判定基板W的外周部和第2保持构件58的间隙是否由基板侧密封构件66密封、第1保持构件54和第2保持构件58的间隙是否由支架侧密封构件68密封。这样，可系统性地连续地对所有基板架18进行包含电镀处理前的泄漏检查的一系列电镀处理。
在该电镀处理前的泄漏检查的同时或前后，通过确认包含于基板架18的基板和电气接点88的接触状态的传感器来判定是否该接触状态为不良，对于判断接触状态为不良的基板架，也可进行与电镀处理前的泄漏检查不合格的基板架相同的处理。
以下对电镀处理前的泄漏检查合格了的基板架18所保持的基板实施的电镀处理，进行说明。
电镀处理前的泄漏检查合格了的保持基板的基板架18由基板架运送装置40的第1运输机42把持，并运送下降到预湿槽26，由此，将基板连同基板架18浸渍于预湿槽26内的预湿液。又，如上所述，电镀处理前的泄漏检查不合格，被停止使用的基板架18返回储料器24，不会被运送到预湿槽26。
又，也可将电镀处理前的泄漏检查合格了的保持基板的基板架18运送到储料器24以垂直的状态吊下保持(暂放)，并将暂放于该储料器24的基板架18运送到预湿槽26。
虽然未给出图示，但也可代替2台水平载置基板架18的基板装卸部20，而具有铅直(或者以微小角度偏离铅直方向)支持以第1运输机42运送的2台基板架的固定站。通过使铅直保持基板架的固定站旋转90°，可使基板架为水平状态。
又，该例中，虽然示出了具有一个锁住·解锁机构的实例，但也可具有两个锁住·解锁机构，通过配置在相邻位置的锁住·解锁机构同时进行2台基板架的锁住·解锁。
接着，该保持基板的基板架18与上述相同，被运送到预浸槽28，通过预浸槽28蚀刻基板表面的氧化膜，露出洁净的金属面。进一步的，该保持基板的基板架18与上述相同，被运送到第1水洗槽30a，由装入该第1水洗槽30a的纯水对基板的表面进行水洗。
水洗结束后的保持基板的基板架18由基板架运送装置40的第2运输机44把持，运送到充满电镀液的电镀槽34，并吊下保持于电镀单元38。基板架运送装置40的第2运输机44依次重复上述操作，装着有基板的基板架18依次运送到电镀槽34的电镀单元38，在规定的位置吊下保持。
基板架18吊下保持后，在电镀单元38内的正极(图未示)和基板W之间施加电镀电压，同时，通过搅棒驱动装置46使搅棒在基板的表面平行往复移动以对基板的表面实施电镀。此时，基板架18在电镀单元38的上部通过柄90吊下固定，从电镀电源通过导电体86和电气接点88向种晶层等供电。在装置运转中基本上常时地进行从溢流槽36向电镀单元38的电镀液的循环，通过循环线中未图示的恒温单元保持电镀液的温度为恒定。
电镀结束后，停止电镀电压的施加和搅棒的往复运动，安装有电镀后的基板W的基板架18由基板架运送装置40的第2运输机44把持，与上述相同，被运送至第2水洗槽30b，以装入该第2水洗槽30b的纯水对基板的表面进行水洗。
接着，安装有该清洗后的基板W的基板架18与上述相同，运送到吹风槽32，此处，通过空气或者N2气体的吹拂，除去附着于基板架18和基板架18所保持的基板W的表面的水滴以进行干燥。
基板架运送装置40的第2运输机44重复上述作业，将装着有电镀结束后的基板的基板架18传送到吹风槽32。
基板架运送装置40的第1运输机42把持完成了电镀处理并通过吹风槽32干燥了的基板架18，并将其载置于基板装卸部20的放置板52上。
接着，通过锁住·解锁机构打开位于中央侧的基板架18的第2保持构件58的锁定，使汽缸作动打开第2保持构件58。此时，基板架18的第2保持构件58上设有与电气接点88不同的弹性构件(图未示)，可防止在基板W紧贴着第2保持构件58的状态下打开第2保持构件58。之后，通过基板运送装置22取出基板架18内的电镀处理后的基板W并运送到旋转清洗机16，以纯水清洗后，通过旋转清洗机16的高速旋转旋转干燥(去除水分)。接着，旋转干燥后的基板通过基板运送装置22返回盒体10。
接着，装着于一方的基板架18的基板返回盒体10后，或与此一起进行地，将放置板52向横向滑动，同样地，将装着于另一方的基板架18的基板旋转干燥并返回盒体10。
取出了基板的基板架18上，通过基板运送装置22大致进行新的需要处理的基板W，进行连续处理。没有进行新的处理的基板W时，取出了基板的基板架18由基板架运送装置40的第1运输机42把持，返回储料器24的规定地点。
接着，从基板架18取出所有的基板，旋转干燥并返回盒体10，完成作业。这样，对所有基板电镀处理并以旋转清洗机16清洗、干燥，将基板架18返回储料器24的规定位置，完成一系列的作业。
图9是示意性显示本发明的其他实施方式的电镀装置的要部的图。该电镀装置的不同点在于，采用不具有分隔密封构件148(参照图6)的密封壳体142。该密封壳体142的示踪气体密封构件146沿密封线144(参照图3)压接于基板架18的第1保持构件54的表面时，在在密封壳体142和基板架18之间，形成内部包括支架侧密封构件68和基板侧密封构件66的密闭空间S。设有将示踪气体导入该密闭空间S的单个的示踪气体导入部150。
将示踪气体导入该密闭空间S的单个示踪气体导入部150具有，与将示踪气体导入所述的支架侧密闭空间S1的示踪气体导入部150a大致相同的构成，因此赋予相应的构件省略了罗马字a的符号，省略重复的说明。又，气体供给口152和排气口170与密闭空间S连通。
根据该例，如下所述，实施第3阶段泄漏检查。即，密封壳体142的示踪气体密封构件146以轻轻接触的程度按压基板架18的第1保持构件54的沿密封线144(图3参照)的位置，由此，在基板架18和密封壳体142之间，形成由示踪气体密封构件146密封(密闭)的密闭空间S。接着，与上述相同地，在将示踪气体(氦气)提供给密闭空间S的内部并封入的状态下，对内部空间R内进行真空吸引，该真空吸引的空气(气体)集中在示踪气体测试器138的测试器主体136中，通过示踪气体传感器134检测集中于该测试器主体136的空气(气体)中是否含有示踪气体(氦气)。
接着，当集中于测试器主体136中的空气(气体)含有示踪气体(氦气)时，则判断为位于密闭空间S内的、安装于基板架18的第2保持构件58的基板侧密封构件66或支架侧密封构件68的至少一方的密封性不充分，支架侧密封构件68和第1保持构件54之间，或基板侧密封构件66和基板W的表面之间的至少一方有泄漏(第3阶段泄漏检查不合格)。
该例中，虽然无法确定安装于基板架18的第2保持构件58的基板侧密封构件66和支架侧密封构件68中的哪一个发生泄漏，但可在更短时间内完成基板架18的第3阶段泄漏检查。
到此为止，对本发明的一实施方式进行了说明，但本发明不限于上述的实施方式，可在该技术思想范围内实施各种形态。
符号说明
18基板架
24储料器
26预湿槽
28预浸槽
30a，30b水洗槽
32吹风槽
34电镀槽
36溢流槽
54第1保持构件(固定保持构件)
58第2保持构件(可动保持构件)
62密封支架
64压紧环
66基板侧密封构件
68支架侧密封构件
74夹持构件
90柄
100内部通路
102吸引口
106吸引接头
112真空源
114吸引线
116压力传感器
120主容器
126差压传感器
128压力变化检知部
130旁路线
134示踪气体传感器
136测试器主体
138示踪气体测试器
142密封壳体
144密封线
146示踪气体密封构件
148分隔密封构件
150，150a，150b示踪气体导入部
154，154a，154b气体接头
156，156a，156b示踪气体储气瓶
158，158a，158b气体供给线
166，166a，166b空气供给线
170，170a，170b排气口
174，174a，174b排气线
R1支架侧内部空间
R2基板侧内部空间
R内部空间
S1支架侧密闭空间
S2基板侧密闭空间
S密闭空间。

Claims (11)

1.一种电镀方法，其特征在于，
以密封构件对基板的外周部进行密封，并由基板架保持基板；
实施第1阶段泄漏检查，其在所述基板架保持基板时，对以所述密封构件密闭而形成于该基板架的内部的内部空间内进行真空吸引，检查该内部空间是否在规定时间后达到规定真空压力；
对所述第1阶段泄漏检查合格了的基板架实施第2阶段泄漏检查，所述第2阶段泄漏检查在使所述内部空间为真空后密封该内部空间，检查该内部空间内的压力是否在规定时间内变化了规定值以上。
2.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，检查所述内部空间内的压力是否在规定时间内变化了规定值以上的工序为如下工序:
对没有气体泄漏的主容器进行真空吸引，
密封被真空吸引后的所述主容器，
以差压传感器测定所述内部空间内的密封后的压力与所述主容器内的压力的压力差，
检查所述压力差是否在规定时间内变化了规定值以上。
3.如权利要求1或2所述的电镀方法，其特征在于，
对于所述第2阶段泄漏检查合格了的保持基板的基板架实施第3阶段泄漏检查，所述第3阶段泄漏检查在所述基板架所保持的基板和覆盖该基板的表面的密封壳体之间形成密闭空间，将示踪气体导入该密闭空间内，对所述内部空间进行真空吸引，检查从所述内部空间吸引得到空气内是否含有示踪气体。
4.如权利要求3所述的电镀方法，其特征在于，所述密闭空间分为，与基板的外周部压接并密封该外周部的基板侧密封构件的周围的基板侧密闭空间、和密封支架表面的支架侧密封构件的周围的支架侧密闭空间这两个空间，对所述两个空间的至少一方实施所述第3阶段泄漏检查。
5.一种电镀方法，其特征在于，
以密封构件密封基板的外周部并以基板架保持基板，
在所述基板架所保持的基板和覆盖该基板的表面的密封壳体之间形成密闭的密闭空间，
将示踪气体导入所述密闭空间内，
以所述基板架保持基板时，对以所述密封构件密闭而形成于该基板架的内部的内部空间进行真空吸引，实施检查从所述内部空间内吸引得到的空气内是否含有示踪气体的泄漏检查。
6.如权利要求5所述的电镀方法，其特征在于，所述密闭空间分为，与基板的外周部压接并密封该外周部的基板侧密封构件的周围的基板侧密闭空间、和密封支架表面的支架侧密封构件的周围的支架侧密闭空间这两个空间，对所述两个空间的至少一个空间实施所述泄漏检查。
7.如权利要求5所述的电镀方法，所述泄漏检查由与所述基板架之间进行基板的装卸的基板装卸部来实施。
8.一种电镀装置，其特征在于，包括:
具有密封基板的外周部的密封构件、且具有内部通路的基板架，所述内部通路与在保持基板时由所述密封构件密闭而在内部形成的内部区域连通；
与从真空源延伸出的吸引线连接的、为了与所述内部通路连通而装卸自如地被安装于所述基板架上的吸引接头；
压力传感器，其在已经通过所述吸引线对所述内部空间内进行真空吸引时，检查该内部空间是否在一定时间后达到规定真空压力；
压力变化检知部，其在已经通过所述吸引线对所述内部空间进行真空吸引并密封时，检知该内部空间内的压力变化。
9.如权利要求8所述的电镀装置，其特征在于，所述压力变化检知部包括:
保证不产生气体泄漏且与真空源连接的主容器；和测定所述主容器内的压力与所述内部空间内的压力的差压的差压传感器。
10.如权利要求8或9所述的电镀装置，其特征在于，进一步包括:
密封壳体，其覆盖所述基板架所保持的基板的表面，在所述密封壳体与所述基板架之间形成内部收容基板的密闭区间；
示踪气体导入部，其向所述密闭空间内导入示踪气体；以及
示踪气体测试器，其检测所述吸引线内流动的气体中是否包含所述示踪气体。
11.如权利要求10所述的电镀装置，其特征在于，
所述密封壳体具有分隔密封构件，所述分隔密封构件将所述密闭空间分隔为与基板的外周部压接并密封该外周部的基板侧密封构件的周围的基板侧密闭空间，和密封支架表面的支架侧密封构件的周围的支架侧密闭空间这两个空间。
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