TWI525721B - 用於電子元件的製造方法與製造設備 - Google Patents

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Description

用於電子元件的製造方法與製造設備
本發明係關於一種用於電子元件的製造方法與製造設備。
在習知電子元件(例如晶片等等)的製造過程中，通常會透過複數個導電塊而將電子元件固定在基板上，並且從電子元件的一個或多個側邊施加一毛細型底部填充物(capillary underfill)，然後使此填充物沿著電子元件與基板之間的縫隙爬行並填充此縫隙，俾能使此填充物包覆並隔絕位在電子元件與基板之間的導電塊。然而，在此填充物中通常會存在有許多微小氣泡，且如圖2D所示，此填充物在填充此縫隙的過程中會沿著電子元件的一個或多個側邊爬行，而此填充物的前緣在前進時會因各種因素造成前緣與前緣會合時形成未填滿的空間，吾人稱此為回包現象，具體來說，當從電子元件之多個側邊朝向電子元件之中心前進之填充物的前緣會合時，會產生回包現象而形成氣泡(即，回包空間)。此回包現象所產生的氣泡以及填充物中的許多微小氣泡最終將在填充物中形成空隙(voids)。這些空隙將會造成電子元件之可靠度下降與電性失效的問題。又，當導電塊之間的間距小於100微米(μm)及/或電子元件與基板之間的縫隙小於50微米(μm)時，通常會為了避免回包現象而都選擇從電子元件的單一側邊施加一毛細型底部填充物。然而，從單一側邊施加一毛細型底部填充物將因縫隙及間距太小而導致填充速度太慢，不僅更不易控制填充物之前緣爬行速度，對於回包現象也將更不易掌控，而最終導致放棄此製程，遂而採用其他更昂貴的製程與材料 來保護導電塊，這對電子元件小型化的發展而言無疑係一種嚴重的阻礙。
因此，亟需可將毛細型底部填充物用於導電塊之間的間距小於100微米及/或電子元件與基板之間的縫隙小於50微米之情況的電子元件製造設備與方法，以促進電子元件之小型化。
為解決上述問題，依照本發明之一實施樣態，提供一種電子元件的製造方法，包含下列步驟：提供一基板，其具有一第一表面；提供一電子元件，該電子元件之至少一面具有導電塊；使位於該電子元件之至少一面的導電塊固定於該基板的第一表面以形成一整體組件，其中該導電塊之間的間距係小於100微米(μm)，該電子元件與該基板之間的縫隙係小於50微米(μm)；從該電子元件的多個側邊施加一毛細型底部(capillary underfill)填充物，使該填充物沿著該電子元件與該基板之間的該縫隙爬行並填充該縫隙，以形成對該導電塊之保護；將該整體組件置入一處理腔室中；使該腔室內的溫度上升至一第一預定溫度；使該腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第一預定壓力，並維持該真空壓力經過一預定時間；使該腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持該第二預定壓力經過一預定時間；以及將該腔室內的溫度調節至一第二預定溫度。
第一預定溫度與第一預定壓力可用以促使因從電子元件之多個側邊施加毛細型底部填充物而產生之回包現象所引起之氣泡的體積減小；以及第二預定溫度與第二預定壓力可用以將前述減少體積的氣泡藉由氣體溶解與擴散完全將氣泡消除於電子元件與基板之間的縫隙之中。而第二預定溫度與第二預定壓力，可依製程需要做參數和順序的改變，使回包現象所產生的氣泡從大到小，依序予以消除。
依照本發明，吾人可將毛細型底部填充物用於導電塊之間的間距小於100微米(μm)及/或電子元件與基板之間的縫隙小於50微米(μm)的情況，因此可有效促進電子元件小型化。
本發明之其他實施樣態以及優點可從以下與用以例示本發明原理範例之隨附圖式相結合的詳細說明而更顯明白。此外，為了不對本發明造成不 必要的混淆，在本說明書中將不再贅述為人所熟知的元件與原理。
1‧‧‧處理腔室
3‧‧‧延伸空間
5‧‧‧氣體入口
7‧‧‧氣體出口
9‧‧‧溫度調節器
11‧‧‧真空產生器
13‧‧‧壓力調節元件
15‧‧‧控制器
17‧‧‧渦輪風扇
17a‧‧‧驅動馬達
17b‧‧‧傳動軸
17c‧‧‧渦輪葉片
19‧‧‧真空感測器
21‧‧‧壓力感測器
23‧‧‧溫度感測器
100‧‧‧基板
100a‧‧‧第一表面
101‧‧‧電子元件
103‧‧‧導電塊
105‧‧‧毛細型底部填充物
107‧‧‧氣泡
109‧‧‧氣泡(回包空間)
A‧‧‧縫隙
B‧‧‧間距
C‧‧‧填充物前緣
D‧‧‧填充物前緣
E‧‧‧填充物前緣
M1‧‧‧步驟一
M2‧‧‧步驟二
M3‧‧‧步驟三
M4‧‧‧步驟四
圖1顯示依照本發明之一實施例之用於電子元件之製造方法的流程圖。
圖2顯示依照本發明之一實施例之用於電子元件之製造設備的概略示意圖。
圖3A-3C顯示電子元件之製造過程的概略示意圖。
圖3D顯示在三邊填充製程中填充物的前緣於會合時所產生之回包現象的示意圖。
圖4A-4B分別顯示毛細型底部填充物之不同填充方式的示意圖。
圖5顯示依照本發明之一實施例之製程溫度、製程壓力、以及製程時間三者間之關係的圖表。
圖6顯示依照本發明之另一實施例之製程溫度、製程壓力、以及製程時間三者間之關係的圖表。
圖7A顯示採用非階段性回壓步驟(快速回壓)之填充製程的示意圖。
圖7B顯示採用本發明之階段性回壓步驟(緩慢回壓)之填充製程的示意圖。
壹、
依照本發明之一實施例，參考圖3A-3C，提供一種電子元件的製造方法，其可包含下列步驟：提供基板100，其具有第一表面100a；提供電子元件101，電子元件101之至少一面具有導電塊103；使位於電子元件101之至少一面的導電塊103固定於基板100的第一表面100a以形成一整體組件，其中導電塊103之間的間距B係小於100微米(μm)，電子元件101與基板100之間的縫隙A係小於50微米(μm)；從電子元件101的多個側邊施加毛細型底部填充物105，使填充物105沿著電子元件101與基板100之間的縫隙A爬行並填充縫隙A，俾能使填充物105包覆並隔絕位在電子元件101與基板100之間的導電塊103，以形成對導電塊103之保護。之後， 將此整體組件置入圖2所示之處理腔室1中；參考圖1，使腔室內的溫度調節至一第一預定溫度，以增加填充物105的流動性；使腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第一預定壓力，並維持此真空壓力經過一預定時間，以去除大部分氣泡107與氣泡(回包空間)109，之後使腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持第二預定壓力經過一預定時間；以及將腔室內的溫度調節至一第二預定溫度，以去除殘餘的氣泡107與氣泡(回包空間)109。例如，在本發明之一實施例中，第二預定壓力可為大於1大氣壓力，並且小於或等於20大氣壓力，但不限於此。
在本發明之一實施例中，可使用階段性(multi-stage)方式(或稱為「多段」方式)使腔室內的壓力下降至第一預定壓力。或者，可使用線性下降方式使腔室內的壓力下降至第一預定壓力。
在本發明之一實施例中，可使用階段性方式使腔室內的壓力上升至第二預定壓力。或者，可使用線性上升方式使腔室內的壓力上升至第二預定壓力。
圖5顯示依照本發明之一實施例之製程溫度、製程壓力、以及製程時間三者間之關係的示範圖表。在圖5中係採用階段性方式來調變腔室內部的壓力及/或溫度。吾人應瞭解圖5所示之製程參數僅為示範，而非本發明之限制。
圖6顯示依照本發明之另一實施例之製程溫度、製程壓力、以及製程時間三者間之關係的示範圖表。在圖6中係採用階段性方式來調變腔室內部的壓力及/或溫度，於其中更包含回壓步驟。吾人應瞭解圖6所示之製程參數僅為示範，而非本發明之限制。
在圖6所示之實施例中，調整腔室內之壓力的程序可包含下列步驟：(a)使腔室內的壓力下降至為真空壓力的第一預定壓力，並維持第一預定壓力經過一預定時間(此步驟可稱為「第一降壓」步驟)；(b)使腔室內的壓力從第一預定壓力上升至第一返回壓力(此步驟可稱為「第一回壓」步驟)，其中第一返回壓力≦1大氣壓力，或者第一返回壓力≧1大氣壓力；(c)使腔室內的壓力下降至為真空壓力的第三預定壓力，並維持第三預定壓力經過一預定時間(此步驟可稱為「第二降壓」步驟)；(d)使腔室內的壓力從第 三預定壓力上升至第二返回壓力(此步驟可稱為「第二回壓」步驟)，其中第二返回壓力≦1大氣壓力，或者第二返回壓力≧1大氣壓力。吾人可依照製程需求執行步驟(a)至步驟(b)一或多次，及/或執行步驟(c)至步驟(d)一或多次。之後，使腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持第二預定壓力經過一預定時間(此步驟可稱為「加壓」步驟)，其中第二預定壓力大於第一返回壓力與第二返回壓力。上述步驟(a)到步驟(d)可稱為預調整壓力步驟，而上述「加壓」步驟可稱為後調整壓力步驟；在預調整壓力步驟與後調整壓力步驟之間可插入或重疊其他步驟，例如腔室升溫步驟(例如用以將腔室內的溫度調節至第一預定溫度或第二預定溫度的步驟)。
在本發明之實施例中，第一預定壓力可小於、或等於、或大於第三預定壓力；第一預定壓力<第一返回壓力，第三預定壓力<第二返回壓力；以及第一返回壓力可小於、或等於、或大於第二返回壓力。
於圖6之實施例中，在腔室內的壓力達到第二返回壓力之後可維持第二返回壓力經過一段時間，然後再使腔室內的壓力上升至第二預定壓力；或者，在腔室內的壓力達到第二返回壓力之後可立即使腔室內的壓力上升至第二預定壓力。
例如，在本發明之實施例中，第一預定溫度可介於約30℃與約150℃之間；第二預定溫度可介於約100℃與約300℃之間；第一與第三預定壓力可介於約1.3E-4kg/cm2與約1.02kg/cm2之間(約0.1torr-約750torr)；第二預定壓力可介於約1.3kg/cm2與20kg/cm2之間；第一與第二返回壓力可介於約1.5E-4kg/cm2與約9.3kg/cm2之間(約0.11torr-約6.84E3torr)。
在本發明之實施例中，步驟(a)可包含：以階段性方式使腔室內的壓力下降至第一預定壓力。步驟(c)可包含：以階段性方式使腔室內的壓力下降至為真空壓力的第三預定壓力。步驟(b)可包含：以階段性方式使腔室內的壓力從第一預定壓力上升至第一返回壓力。步驟(d)可包含：以階段性方式使腔室內的壓力從第三預定壓力上升至第二返回壓力。上述「加壓」步驟可包含以階段性方式使腔室內的壓力上升至第二預定壓力；或者可使用線性上升的方式來執行此步驟中的壓力調變。當然，吾人亦可使用線性上升 或線性下降的方式來執行步驟(a)、(b)、(c)、(d)中的壓力調變。
此外，在步驟(a)、(c)中，當藉由階段性方式使腔室內的壓力下降時，可改善毛細型底部填充物所含之溶劑或其他材料所含之溶劑因真空而發生突沸現象(boiling)，並且亦可降低因突沸現象所造成的材料飛濺與爬膠等問題，此種突沸現象可能會導致更多氣泡的產生。因此，可藉由此種階段性降壓步驟(或稱為「多段」降壓步驟)而進一步有效減少孔洞的生成。
此外，本發明之階段性回壓步驟可改善毛細型底部填充物(或稱為「毛細管型」底部填充材料)在填充時的除泡性。舉例來說，圖7A顯示採用非階段性回壓步驟(快速回壓)之填充製程的示意圖，以及圖7B顯示採用本發明之階段性回壓步驟(緩慢回壓)之填充製程的示意圖。如圖3B、圖7A以及7B所示，由於毛細型底部填充物的流動速度緩慢，所以在填充此種毛細型底部填充物時，採用非階段性回壓步驟(快速回壓)的填充製程(圖7A)可能會使毛細型底部填充物無法順利將位於基板100與電子元件101之間的空氣擠出而導致氣泡的生成；另一方面，採用本發明之階段性回壓步驟(緩慢回壓)步驟的填充製程(圖7B)因為可使毛細型底部填充物在填充時有足夠的時間擠出基板100與電子元件101之間的空氣，所以可完全填補原先空氣所佔據的空間，故可藉以減少氣泡的生成。
此外，在圖5所示之實施例中，使腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的第二預定壓力的步驟可包含：使腔室內的壓力從第一預定壓力上升至第一返回壓力，其中第一返回壓力≦1大氣壓力，或者第一返回壓力≧1大氣壓力；以及使腔室內的壓力從第一返回壓力上升至第二預定壓力。在本發明之其他實施例中，吾人可利用階段性方式使腔室內的壓力從第一預定壓力上升至第一返回壓力，及/或利用階段性方式使腔室內的壓力從第一返回壓力上升至第二預定壓力。
於圖5之實施例中，在腔室內的壓力達到第一返回壓力之後可立即使腔室內的壓力上升至第二預定壓力；或者，在腔室內的壓力達到第一返回壓力之後可維持第一返回壓力經過一段時間，然後再使腔室內的壓力上升至第二預定壓力。
在本發明之實施例中並未特別限制腔室內之溫度與壓力的調變順序。 例如，以圖5為例，就第一預定溫度與第一預定壓力的調變而言，吾人可先使腔室內的溫度上升至第一預定溫度，然後再使腔室內的壓力下降至第一預定壓力；或者可先使腔室內的壓力下降至第一預定壓力，然後再使腔室內的溫度上升至第一預定溫度；又或者，可同時使腔室內的溫度上升至第一預定溫度並且使腔室內的壓力下降至第一預定壓力；同樣地，就第二預定溫度與第二預定壓力的調變而言，吾人亦可先使腔室內的壓力從第一預定壓力上升至第二預定壓力，然後再將腔室內的溫度從第一預定溫度調節至第二預定溫度；或者可先將腔室內的溫度從第一預定溫度調節至第二預定溫度，然後再使腔室內的壓力從第一預定壓力上升至第二預定壓力；又或者，可同時使腔室內的壓力從第一預定壓力上升至第二預定壓力並且將腔室內的溫度從第一預定溫度調節至第二預定溫度，應以電子元件的種類做製程參數的改變。
此外，雖然在本說明書中僅描述「第一預定溫度」、「第二預定溫度」、「第一預定壓力」、「第二預定壓力」、以及「第三預定壓力」，但在依照本發明之階段性或線性方式來調變腔室內部的壓力及/或溫度時，溫度與壓力設定曲線可更包含其他的溫度與壓力設定點，例如第三、第四、第五預定溫度等其他溫度設定點，及/或第四、第五、第六預定壓力等其他壓力設定點。
圖3A-3C顯示電子元件之製造過程的概略示意圖。如圖3A-3C所示，在電子元件的製造過程中，使位於電子元件101之至少一面的導電塊103固定於基板100的第一表面100a(圖3A)，之後從電子元件101的多個側邊施加一毛細型底部(capillary underfill)填充物105(圖3B)，然後使填充物105沿著電子元件101與基板100之間的縫隙爬行並且在此縫隙內流動進而填充此縫隙，以形成對導電塊103之保護(圖3C)。然而，在填充物105中通常存在有許多微小氣泡107以及由填充物之前緣在會合時因回包現象所形成的氣泡(回包空間)109。之後，這些氣泡107與氣泡(回包空間)109將會在填充物中形成空隙，而這些空隙將會造成電子元件之可靠度下降與電性失效的問題。如圖3D所示，填充物105在填充此縫隙過程中，填充物105沿著電子元件101的三個側邊爬行，而此填充物前緣C、D、E在前進會合時 形成未填滿的空間(即圖3C中的氣泡(回包空間)109)。又，當導電塊103之間的間距B小於100微米(μm)及/或電子元件101與基板100之間的縫隙A小於50微米(μm)時，通常會因為空隙問題而無法使用上述毛細型底部填充物來保護導電塊103，因此對電子元件小型化的發展而言無疑係一種嚴重的阻礙，因為電子元件小型化必須藉由降低縫隙A與間距B而達成，本案發明人有鑑於此而構思出本發明。
在本發明之實施例中，可使用圖4A-4B所示之其中至少一種方式，從電子元件101的多個側邊施加毛細型底部填充物105，使填充物105沿著電子元件101與基板100之間的縫隙A爬行並填充縫隙A。雖然在圖4A-4B中係顯示矩形的基板100與電子元件101，但本發明可應用在各種形狀的基板與電子元件上。在本發明之一實施例中，電子元件101可例如為晶片。在本發明之實施例中，毛細型底部填充物105可為介電質。
貳、
依照本發明之一實施例之用於電子元件的製造設備，如圖2所示，此製造設備可連接至一設施壓力(facility pressure)，即，外部壓力源。「設施壓力」一般係指工廠廠務所提供的壓力。此製造設備可包含：一處理腔室1，具有一延伸空間3、一或多個氣體入口5、以及一或多個氣體出口7，其中延伸空間3係與處理腔室1連通，以及氣體入口5係連接至此外部壓力源；一溫度調節器9，安裝於處理腔室1內；一真空產生器11，安裝於腔室外並透過氣體出口7連接至腔室1；一控制器15；以及一渦輪風扇17，用以產生一通過溫度調節器9且朝向腔室1內部流動的氣流。溫度調節器9、真空產生器11、以及渦輪風扇17可與控制器15電性連接並且傳輸信號，藉以受到控制器15的控制。控制器15可用以執行下列步驟：藉由溫度調節器9使腔室1內的溫度上升至一第一預定溫度；藉由真空產生器11使腔室1內的壓力下降至為真空壓力的一第一預定壓力，並維持此真空壓力經過一預定時間；藉由此外部壓力源使腔室1內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持此第二預定壓力經過一預定時間；以及藉由溫度調節器9和渦輪風扇17將腔室1內的溫度調節至一第二預定溫度。在本發明之一實施例中，控制器15可進一步執行下列步驟：使腔室1內的壓力從 第一預定壓力上升至一第一返回壓力，其中第一返回壓力≦1大氣壓力，或者第一返回壓力≧1大氣壓力；以及使腔室1內的壓力從第一返回壓力上升至第二預定壓力。
在本發明之另一實施例中，控制器15可用以執行下列步驟：藉由溫度調節器9使腔室1內的溫度上升至一第一預定溫度；預調整腔室1內的壓力；藉由外部壓力源使腔室1內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持第二預定壓力經過一預定時間；以及藉由溫度調節器9和渦輪風扇17將腔室1內的溫度調節至一第二預定溫度。上述預調整腔室1內的壓力之步驟包含：(a1)藉由真空產生器11使腔室內的壓力下降至為真空壓力的第一預定壓力，並維持第一預定壓力經過一預定時間；(b1)例如藉由關閉真空產生器11或使腔室連通大氣或外部壓力源，使腔室內的壓力從第一預定壓力上升至第一返回壓力，其中第一返回壓力≦1大氣壓力，或者第一返回壓力≧1大氣壓力；(c1)藉由真空產生器11使腔室內的壓力下降至為真空壓力的第三預定壓力，並維持第三預定壓力經過一預定時間；(d1)例如藉由關閉真空產生器11或使腔室連通大氣或外部壓力源，使腔室內的壓力從第三預定壓力上升至第二返回壓力，其中第二返回壓力≦1大氣壓力，或者第二返回壓力≧1大氣壓力。吾人可依照製程需求執行步驟(a1)至步驟(b1)一或多次，及/或執行步驟(c1)至步驟(d1)一或多次。第二預定壓力大於第一返回壓力與第二返回壓力。
在本發明之實施例中，控制器15可為一程式邏輯控制器(PLC，programmable logic controller)。
在本發明之一實施例中，此外部壓力源(即，設施壓力)例如可連接至一壓力調節元件13，此壓力調節元件13可與控制器15電性連接並且傳輸信號，藉以受到控制器15的控制，完成處理腔室內的預定壓力設定。當此外部壓力源(設施壓力)不足或不穩定時，可藉由壓力調節元件13來加強或穩定通往腔室1內部的壓力，以促使處理腔室1內的壓力達到並維持在大於1大氣壓力的第二預定壓力。在本發明之一實施例中，壓力調節元件13可為加壓幫浦、增壓缸等元件。
此製造設備更可包含一真空感測器19，連接至腔室1內並用以偵測腔 室1內之真空壓力；一壓力感測器21，連接至腔室1內並用以偵測腔室1內之壓力；一溫度感測器23，連接至腔室1內並用以偵測腔室1內之溫度。真空感測器19、壓力感測器21、以及溫度感測器23可與控制器15電性連接並且傳輸信號，藉以受到控制器15的控制。
在本發明之實施例中，真空感測器19可例如為真空計，以及壓力感測器21可例如為壓力計。在本發明之一實施例中，真空產生器11可例如為真空幫浦。在本發明之實施例中，溫度調節器9可例如為加熱器、或加熱/冷卻器。
如上所述，渦輪風扇17可用以產生通過溫度調節器9且朝向腔室1內部流動的氣流，藉以促進腔室1內部的溫度調節，例如當溫度調節器9開啟加熱功能時可達到對流加熱效果，以及當溫度調節器9開啟冷卻功能時可達到對流冷卻效果。渦輪風扇17可包含驅動馬達17a、傳動軸17b、以及渦輪葉片17c，其中驅動馬達17a係設置在與處理腔室1連通的延伸空間3中，且處理腔室1和延伸空間3是一個無軸封設計，另渦輪葉片17c係位於處理腔室1內，以及傳動軸17b係連接驅動馬達17a與渦輪葉片17c。
在本發明之一實施例中，可藉由控制器15來達成階段性(multi-stage)或線性的壓力及/或溫度調變。如階段性方式使腔室內部的壓力下降至一預定真空壓力的情況下，控制器15可先啟動第一階段真空設定值並且指示真空產生器11對腔室內部進行抽氣，之後當控制器15接收到來自真空感測器19並且表示腔室內部之壓力已下降到第一階段真空設定值的量測信號時，控制器15可進一步啟動第二階段真空設定值並且指示真空產生器11對腔室內部進行抽氣，以使腔室內部的壓力下降到第二階段真空設定值。當然，如上所述，吾人亦可使用此種方式來達成階段性的腔室內部增壓操作、或階段性的腔室內部升溫/降溫操作。此外，如上所述，吾人亦可藉由控制器15的控制來達成線性的壓力及/或溫度調變，舉例而言，可使用線性上升/下降之曲線函數來設計控制器15，如此俾能以線性上升/下降的方式來調變腔室內部的壓力及/或溫度。由於控制器之設計乃為熟習自動控制技藝者所熟知，故在此將不再贅述其設計原理與方法。
雖然本發明已參考較佳實施例及圖式詳加說明，但熟習本項技藝者可 瞭解在不離開本發明之精神與範圍的情況下，可進行各種修改、變化以及等效替代，然而這些修改、變化以及等效替代仍落入本發明之申請專利範圍內。
M1‧‧‧步驟一
M2‧‧‧步驟二
M3‧‧‧步驟三
M4‧‧‧步驟四

Claims (23)

  1. 一種電子元件的製造方法，包含下列步驟：提供一基板，其具有一第一表面；提供一電子元件，該電子元件之至少一面具有導電塊；使位於該電子元件之至少一面的該導電塊固定於該基板的該第一表面以形成一整體組件，其中該導電塊之間的間距係小於100微米，該電子元件與該基板之間的縫隙係小於50微米；從該電子元件的多個側邊施加一毛細型底部填充物(capillary underfill)，使該填充物沿著該電子元件與該基板之間的該縫隙爬行並填充該縫隙，以形成對該導電塊之保護；將該整體組件置入一處理腔室中；使該腔室內的溫度上升至一第一預定溫度；預調整該腔室內的壓力；使該腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持該第二預定壓力經過一預定時間；及將該腔室內的溫度調節至一第二預定溫度，其中，預調整該腔室內的壓力之該步驟包含下列步驟：(a)使該腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第一預定壓力，並維持該第一預定壓力經過一預定時間；及(b)使該腔室內的壓力從該第一預定壓力上升至一第一返回壓力，其中該第一返回壓力≦1大氣壓力，或者該第一返回壓力≧1大氣壓力，其中，執行步驟(a)至步驟(b)一或多次，以及該第二預定壓力大於該第一返回壓力。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的製造方法，其中預調整該腔室內的壓力之該步驟更包含下列步驟：(c)使該腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第三預定壓力，並維持該第三預定壓力經過一預定時間；及(d)使該腔室內的壓力從該第三預定壓力上升至一第二返回壓力，其中 該第二返回壓力≦1大氣壓力，或者該第二返回壓力≧1大氣壓力，其中，執行步驟(c)至步驟(d)一或多次，該第二預定壓力大於該第二返回壓力，該第一預定壓力小於、或等於、或大於該第三預定壓力，以及該第一返回壓力小於、或等於、或大於該第二返回壓力。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的製造方法，其中該步驟(a)包含：以階段性方式使該腔室內的壓力下降至該第一預定壓力。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之電子元件的製造方法，其中該步驟(c)包含：以階段性方式使該腔室內的壓力下降至為真空壓力的該第三預定壓力。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的製造方法，其中該步驟(b)包含：以階段性方式使該腔室內的壓力從該第一預定壓力上升至該第一返回壓力。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之電子元件的製造方法，其中該步驟(d)包含：以階段性方式使該腔室內的壓力從該第三預定壓力上升至該第二返回壓力。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件的製造方法，其中以階段性方式使該腔室內的壓力上升至該第二預定壓力。
  8. 一種電子元件的製造方法，包含下列步驟：提供一基板，其具有一第一表面；提供一電子元件，該電子元件之至少一面具有導電塊；使位於該電子元件之至少一面的該導電塊固定於該基板的該第一表面以形成一整體組件，其中該導電塊之間的間距係小於100微米，該電子元件與該基板之間的縫隙係小於50微米；從該電子元件的多個側邊施加一毛細型底部填充物(capillary underfill)，使該填充物沿著該電子元件與該基板之間的該縫隙爬行並填充該 縫隙，以形成對該導電塊之保護；將該整體組件置入一處理腔室中；使該腔室內的溫度上升至一第一預定溫度；使該腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第一預定壓力，並維持該真空壓力經過一預定時間；使該腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持該第二預定壓力經過一預定時間；及將該腔室內的溫度調節至一第二預定溫度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電子元件的製造方法，其中使該腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的該第二預定壓力的該步驟包含：使該腔室內的壓力從該第一預定壓力上升至一第一返回壓力，其中該第一返回壓力≦1大氣壓力，或者該第一返回壓力≧1大氣壓力；及使該腔室內的壓力從該第一返回壓力上升至該第二預定壓力。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件的製造方法，其中以階段性方式使該腔室內的壓力從該第一預定壓力上升至一第一返回壓力。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之電子元件的製造方法，其中以階段性方式使該腔室內的壓力從該第一返回壓力上升至該第二預定壓力。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之電子元件的製造方法，其中使該腔室內的壓力下降至該第一預定壓力的該步驟包含：以階段性方式使該腔室內的壓力下降至該第一預定壓力。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之電子元件的製造方法，其中使該腔室內的壓力下降至該第一預定壓力的該步驟包含：以線性下降方式使該腔室內的壓力下降至該第一預定壓力。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之電子元件的製造方法，其中使該腔室內的 壓力上升至該第二預定壓力的該步驟包含：以階段性方式使該腔室內的壓力上升至該第二預定壓力。
  15. 一種用於電子元件的製造設備，與一外部壓力源連接，該設備包含：一處理腔室，具有一延伸空間、一或多個氣體入口、以及一或多個氣體出口，其中該延伸空間係與該處理腔室連通，以及該氣體入口係連接至該外部壓力源；一溫度調節器，安裝於該處理腔室內；一真空產生器，安裝於該處理腔室外並連接至該處理腔室；一渦輪風扇，具有一驅動馬達、一傳動軸、以及一渦輪葉片，並用以產生一通過該溫度調節器且朝向該處理腔室內部流動的氣流，其中該驅動馬達係設置在與該處理腔室連通的該延伸空間中，該渦輪葉片係位於該處理腔室內，以及該傳動軸係連接該驅動馬達與該渦輪葉片；及一控制器，用以執行下列步驟：藉由該溫度調節器使該處理腔室內的溫度上升至一第一預定溫度；藉由該真空產生器使該處理腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第一預定壓力，並維持該真空壓力經過一預定時間；藉由該外部壓力源使該處理腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持該第二預定壓力經過一預定時間；及藉由該溫度調節器和該渦輪風扇將該處理腔室內的溫度調節至一第二預定溫度。
  16. 一種用於電子元件的製造設備，與一外部壓力源連接，該設備包含：一處理腔室，具有一延伸空間、一或多個氣體入口、以及一或多個氣體出口，其中該延伸空間係與該處理腔室連通，以及該氣體入口係連接至該外部壓力源；一溫度調節器，安裝於該處理腔室內；一真空產生器，安裝於該處理腔室外並連接至該處理腔室；一渦輪風扇，具有一驅動馬達、一傳動軸、以及一渦輪葉片，並用以 產生一通過該溫度調節器且朝向該處理腔室內部流動的氣流，其中該驅動馬達係設置在與該處理腔室連通的該延伸空間中，該渦輪葉片係位於該處理腔室內，以及該傳動軸係連接該驅動馬達與該渦輪葉片；及一控制器，用以執行下列步驟：藉由該溫度調節器使該腔室內的溫度上升至一第一預定溫度；預調整該腔室內的壓力；藉由該外部壓力源使該腔室內的壓力上升至大於1大氣壓力的一第二預定壓力，並維持該第二預定壓力經過一預定時間；及藉由該溫度調節器和該渦輪風扇將該腔室內的溫度調節至一第二預定溫度，其中，預調整該腔室內的壓力之該步驟包含下列步驟：(a1)藉由該真空產生器使該腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第一預定壓力，並維持該第一預定壓力經過一預定時間；及(b1)使該腔室內的壓力從該第一預定壓力上升至一第一返回壓力，其中該第一返回壓力≦1大氣壓力，或者該第一返回壓力≧1大氣壓力，其中，執行步驟(a1)至步驟(b1)一或多次，以及該第二預定壓力大於該第一返回壓力。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之用於電子元件的製造設備，其中由該控制器所執行之預調整該腔室內的壓力之該步驟更包含下列步驟：(c1)藉由該真空產生器使該腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第三預定壓力，並維持該第三預定壓力經過一預定時間；及(d1)使該腔室內的壓力從該第三預定壓力上升至一第二返回壓力，其中該第二返回壓力≦1大氣壓力，或者該第二返回壓力≧1大氣壓力，其中，執行步驟(c1)至步驟(d1)一或多次，該第二預定壓力大於該第二返回壓力，該第一預定壓力小於、或等於、或大於該第三預定壓力，以及該第一返回壓力小於、或等於、或大於該第二返回壓力。
  18. 如申請專利範圍第15至17項其中任一項所述之用於電子元件的製造設 備，更包含：一壓力調節元件，設置在該外部壓力源與該氣體入口之間，並用以促使該處理腔室內的壓力達到並維持在該第二預定壓力。
  19. 如申請專利範圍第15至17項其中任一項所述之用於電子元件的製造設備，更包含：一真空感測器，連接至該處理腔室內並用以偵測該處理腔室內之真空壓力，並且與該控制器電性連接。
  20. 如申請專利範圍第15至17項其中任一項所述之用於電子元件的製造設備，更包含：一壓力感測器，連接至該處理腔室內並用以偵測該處理腔室內之壓力，並且與該控制器電性連接。
  21. 如申請專利範圍第15至17項其中任一項所述之用於電子元件的製造設備，更包含：一溫度感測器，連接至該處理腔室內並用以偵測該處理腔室內之溫度，並且與該控制器電性連接。
  22. 如申請專利範圍第15至17項其中任一項所述之用於電子元件的製造設備，其中該控制器為一可程式邏輯控制器。
  23. 如申請專利範圍第15項所述之用於電子元件的製造設備，其中該控制器進一步執行下列步驟：使該腔室內的壓力從該第一預定壓力上升至一第一返回壓力，其中該第一返回壓力≦1大氣壓力，或者該第一返回壓力≧1大氣壓力；及使該腔室內的壓力從該第一返回壓力上升至該第二預定壓力。
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