JP4340552B2 - 真空成形装置 - Google Patents
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Description
また、液状樹脂の場合、半導体チップに塗布された状態で金型などの硬い面により加圧しても液状樹脂に混入するフィラーなどの存在により圧力が伝わり難く樹脂層が薄くなるほど圧力が伝わり難い。特に、半導体チップが基板にワイヤボンディング接続されたワークにおいては、高密度ワイヤー配線間に形成される液状樹脂の大きな表面張力を気泡が突き抜けて脱泡することは期待できない。
また、ワークを構成する基板が加熱されて伸びや反りが生じ易いため、平坦度が損なわれたパッケージが形成されるおそれがある。
半導体チップが基板実装されたワークへ液状樹脂を吐出する樹脂吐出部と、キャビティ凹部にリリースフィルムが敷設された圧縮成形型を用いて液状樹脂が吐出されたワークをクランプして加熱加圧して成形する加圧成形部と、を備えた真空成形装置であって、前記圧縮成形型は、ワーク載置部とその周囲を囲むシール材が嵌め込まれた下型と、上型ベースに固定されたキャビティブロックとその周囲にシール材を介して配設されると共に吊下げ支持された可動ブロックとでキャビティ凹部が形成され、該キャビティ凹部を覆うように前記リリースフィルムが吸着保持されて敷設された上型と、前記下型若しくは上型に設けられ、前記可動ブロックと前記下型のシール材との当接により閉止されるキャビティに連通する真空吸引路と、を備え、前記圧縮成形型に搬入されたワークに前記樹脂吐出部から液状樹脂が吐出され、当該ワークに吐出された液状樹脂が前記圧縮成形型に内蔵されたヒータによりゲル化温度未満で加温され該圧縮成形型のクランプ動作によりキャビティブロックを覆うフィルム面に沿って押し広げられかつ前記真空吸引路からの吸引動作が開始され、前記可動ブロックのクランプ面が前記下型のシール材と当接すると、前記圧縮成形型のクランプ完了前にキャビティ内に減圧された真空室が形成され前記ワークが前記可動ブロックによりリリースフィルムを介してクランプされ、金型クランプ完了後に真空室が真空破壊されて、キャビティ内に充填された液状樹脂に金型プレス圧に加えて大気圧を加え、前記圧縮成形型で前記ワークをクランプしたまま前記ゲル化温度を超える硬化温度で加熱加圧することを特徴とする。
以下、本発明に係る真空成形装置の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。先ず、真空成形装置の概略構成について図1及び図2を参照して説明する。図1において、基台1上には、真空吐出部2と加圧整形部3とが設けられている。真空吐出部2と加圧整形部3との間には、半導体チップが基板実装されたワーク4を保持して真空吐出部2と加圧整形部3との間を移動可能な移送用ハンド5が設けられている。移送用ハンド5によりワーク4が吸着保持されるワーク載置部71には、ビジョンカメラ72が設けられていても良い。このビジョンカメラ72でワーク4を撮像してチップの欠損をカウントして液状樹脂の塗布量を演算により推定する。
尚、樹脂封止に時間をかけられるならば、例えば常温減圧空間でディスペンスノズル12よりワーク4へ液状樹脂13を吐出してから毛細管現象により液状樹脂13を狭い封止空間へ徐々に充填し、ヒータ24によりゲル化温度未満の所定温度(液状樹脂によって異なるが半硬化温度若しくは硬化温度(およそ120℃〜130℃)に至らない温度で発泡し難い温度、好ましくは45℃〜50℃)でワーク4及び液状樹脂13を加温して樹脂の流動性を高めるようにしても良い。
先ず、図3(a)〜図3(d)において、半導体チップ4aが基板4bにフリップチップ接続されたワーク4をアンダーフィルモールドする動作について説明する。真空ベルジャ7が開放された状態で移送用ハンド5によりワーク4が可動テーブル10上に搬入される。ワーク4が搬入されると、真空ベルジャ7を閉じ、開閉弁25を開放し開閉弁26を閉じた状態で真空ポンプ9を作動させることにより真空室8内に真空空間(例えば0.1torr〜50torr好ましくは0.1torr〜0.5torr)が形成される。そして、ワーク4が載置された可動テーブル10をX−Y方向に走査しながらディスペンサー11より液状樹脂13が吐出される。液状樹脂13は半導体チップ4aの一辺側を除いて塗布される(図3(a)参照)。このとき真空室8は真空状態にあるが大気中で塗布しても良い。この状態でしばらく放置すると、毛細管現象により半導体チップ4aと基板4bとの隙間(アンダーフィル空間)へ液状樹脂13を徐々に進入させることができる。
次に、真空空間が形成された真空室8内で残りの一辺に液状樹脂13を塗布してアンダーフィル空間が液状樹脂13により囲まれる。ディスペンスノズル12よりワーク4上に滴下された液状樹脂13は真空室8内で脱泡される。液状樹脂13の吐出が完了すると、可動テーブル10の走査を停止する。このとき、半導体チップ4aの周囲は液状樹脂13により囲まれているが、半導体チップ4aの直下の基板4bとの隙間には真空空間27が形成されている(図3(b)参照)。尚、液状樹脂13は全ての半導体チップ4aの周囲を囲んでアンダーフィル空間を真空室空間から絶縁するまで塗布すると、開閉弁25を閉じ開閉弁26を開放して真空室8を一旦真空破壊する。この後再度、開閉弁25を開放し開閉弁26を閉じて真空吸引を行って真空室8を真空状態にして不足する液状樹脂13を塗布して補充するようにしても良い。
また、ヒータ24により液状樹脂13がゲル化せずしかも発泡しない温度条件で加温するので、液状樹脂13が移動途中で硬化したり発泡することなく流動性が確保できるので、真空空間27が徐々に小さくなり(図3(c)参照)、最終的には液状樹脂13に完全に置換される(図3(d)参照)。
次に、真空空間が形成された真空室8内でディスペンスノズル12より液状樹脂13がワーク4(半導体チップ4a)の真上から滴下される。ディスペンスノズル12よりワーク4上に滴下された液状樹脂13は真空室8内で脱泡される。液状樹脂13の吐出が完了すると、可動テーブル10の走査を停止する。このとき、半導体チップ4aの周囲は液状樹脂13により覆われているが、ボンディングワイヤ4c直下の基板4bとの隙間には真空空間27が形成されている(図4(b)参照)。尚、液状樹脂13は全ての半導体チップ4aの中央部に吐出して周囲に流れ出して樹脂充填空間を真空室空間から絶縁するまで塗布すると開閉弁25を閉じ、開閉弁26を開放して真空室8を一旦真空破壊する。この後再度、開閉弁25を開放し開閉弁26を閉じて真空吸引を行って真空室8を真空状態にして液状樹脂13をワーク中央部に山脈状に塗布しエアーベント性能を維持したまま不足する樹脂を補充するようにしてもよい。
また、ヒータ24により液状樹脂13がゲル化しない温度でしかも発泡しない温度条件で加温するので、液状樹脂13が移動途中で硬化したり発泡することなく流動性が確保できるので、真空空間27が徐々に小さくなり(図4(c)参照)、最終的には液状樹脂13に完全に置換される(図4(d)参照)。
次に真空成形装置の実施例について図6乃至図11を参照して説明する。
図6において、真空成形装置は、半導体チップ4aが基板実装されたワーク4へ液状樹脂13を吐出する樹脂吐出部(図示しないディスペンサー)を備えている。また、液状樹脂13が吐出されたワーク4が搬入される加圧成形用の加圧成形部である圧縮成形型28を具備している。
このときワーク4の狭い封止空間には、大気圧に加えて金型プレスによる圧力が作用するので液状樹脂13の毛細管現象による進入を促進する。
また、圧縮成形型28は、真空室と加圧成形部とを兼用しているため、装置構成も簡略化できる。尚、圧縮成形型28で常温常圧で液状樹脂13をディスペンスしても良いが、減圧空間を形成して液状樹脂13をディスペンスするようにしても良い。
図7(a)において、ワーク4の中央部に液状樹脂13を山盛り状に塗布した後、リリースフィルム42が吸着保持された上型31の型閉じ動作を開始する。そして、可動ブロック35がシール材33に当接するとキャビティ43が外気よりシールされ、真空吸引路41より真空吸引が開始される。このとき、リリースフィルム42は、真空吸引路41からの真空吸引により上型面より剥離しても、上型31が液状樹脂13の頂上面に接触して押し広げるため液状樹脂13に支えられる。また、キャビティ43の空間は周方向に連通しているため減圧状態は進行する。
上記構成によって、液状樹脂13の流動性を確保しながら大気圧+クランプ圧を作用させてスタックされたチップと基板との間の封止空間やワイヤ配線とスタックされたチップに囲まれた狭い封止空間へボイドを生ずることなく液状樹脂を充填することができる。
次に第2参考例に係る真空成形装置について説明する。
図12において、真空加圧成形部の構成について説明する。基台50には開閉可能な真空ベルジャ51が載置されており、該真空ベルジャ51内に真空室が形成される。基台50には図示しない真空ポンプに接続する真空吸引路52が形成されている。また、基台50にはワーク載置部としてX−Y−θテーブル53が設けられている。このX−Y−θテーブル53の上面には、ワーク4を吸着保持する多孔質板54が支持台55に支持されている。支持台55には真空吸引路56と加熱用のヒータ57が設けられている。
また液状樹脂13のゲル化温度は樹脂の種類によって異なり、シート樹脂65の発泡しない温度も樹脂の種類によって異なるため、各々任意に調整される。
2 真空吐出部
3 加圧整形部
4 ワーク
4a 半導体チップ
4b 基板
4c ボンディングワイヤ
5 移送用ハンド
6 開閉アーム
7、51 真空ベルジャ
8 真空室
9 真空ポンプ
10 可動テーブル
11 ディスペンサー
12 ディスペンスノズル
13 液状樹脂
14 シリンジ部
15 ノズルチューブ
16 シール部
17 電磁作動弁
18 プレス装置
19、29 下型
20、31 上型
21、22、24、57、62 ヒータ
23 加圧プレート
25、26 開閉弁
27 真空空間
28 圧縮成形型
30 キャビティ凹部
32 ワーク載置部
33、38 シール材
34 キャビティブロック
35 可動ブロック
36 上型ベース
37 コイルスプリング
39 隙間
40、41、56、61 真空吸引路
42 リリースフィルム
43 キャビティ
44 積層型IC
45 位置決めピン
46 凹部
47、48 スペーサブロック
49 下型ベース
53 X−Y−θテーブル
54、59 多孔質板
55、60 支持台
58 加圧ツール
63 ランド部
64 実装基板
65 シート樹脂
71 ワーク載置部
72 ビジョンカメラ
73 検査ユニット
Claims (1)
- 半導体チップが基板実装されたワークへ液状樹脂を吐出する樹脂吐出部と、キャビティ凹部にリリースフィルムが敷設された圧縮成形型を用いて液状樹脂が吐出されたワークをクランプして加熱加圧して成形する加圧成形部と、を備えた真空成形装置であって、
前記圧縮成形型は、ワーク載置部とその周囲を囲むシール材が嵌め込まれた下型と、
上型ベースに固定されたキャビティブロックとその周囲にシール材を介して配設されると共に吊下げ支持された可動ブロックとでキャビティ凹部が形成され、該キャビティ凹部を覆うように前記リリースフィルムが吸着保持されて敷設された上型と、前記下型若しくは上型に設けられ、前記可動ブロックと前記下型のシール材との当接により閉止されるキャビティに連通する真空吸引路と、を備え、
前記圧縮成形型に搬入されたワークに前記樹脂吐出部から液状樹脂が吐出され、当該ワークに吐出された液状樹脂が前記圧縮成形型に内蔵されたヒータによりゲル化温度未満で加温され該圧縮成形型のクランプ動作によりキャビティブロックを覆うフィルム面に沿って押し広げられかつ前記真空吸引路からの吸引動作が開始され、前記可動ブロックのクランプ面が前記下型のシール材と当接すると、前記圧縮成形型のクランプ完了前にキャビティ内に減圧された真空室が形成され前記ワークが前記可動ブロックによりリリースフィルムを介してクランプされ、金型クランプ完了後に真空室が真空破壊されて、キャビティ内に充填された液状樹脂に金型プレス圧に加えて大気圧を加え、前記圧縮成形型で前記ワークをクランプしたまま前記ゲル化温度を超える硬化温度で加熱加圧することを特徴とする真空成形装置。
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