KR102008316B1 - 반도체 소자의 제조 방법 및 이를 위한 언더필 설비 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자의 제조 방법 및 이를 위한 언더필 설비를 제공한다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 칩을 포함하는 회로 기판을 언더필 설비에 로딩하고, 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 도포 척 상으로 이동하고, 상기 도포 척 상에 안착된 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 언더필 물질을 채우고, 상기 언더필 물질을 포함하는 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 후처리 척 상으로 이동하고, 상기 후처리 척 상에 안착된 상기 회로 기판의 상기 언더필 물질을 진공 상태에서 가열하고, 상기 언더필 물질이 진공 상태에서 가열된 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비로부터 언로딩하는 것을 포함한다.
Description
본 발명은 회로 기판과 반도체 칩 사이의 공간에 언더필 물질을 채우는 반도체 소자의 제조 방법 및 이를 위한 언더필 설비에 관한 것이다.
반도체 소자는 회로 기판 및 반도체 칩을 포함한다. 상기 반도체 칩은 상기 회로 기판 상에 플립 칩 본딩될 수 있다. 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에는 언더필 물질이 채워질 수 있다. 상기 언더필 물질 내부에는 보이드가 형성될 수 있고, 상기 형성된 보이드는 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 접착 강도를 약화시킬 수 있다.
이에 따라, 반도체 소자의 제조 방법에서는 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 채워진 언더필 물질 내부의 상기 보이드를 신속하게 제거하기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다. 예를 들어, 상기 언더필 물질에 열을 가하여 상기 언더필 물질의 점성을 감소시켜 상기 보이드를 감소시키는 방법, 진공 상태에서 언더필 물질을 도포하여 상기 보이드를 감소시키는 방법 등이 연구되고 있다.
관련 선행 기술 문헌: 공개특허공보 제10-2007-0051713
이에 따라, 반도체 소자의 제조 방법에서는 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 채워진 언더필 물질 내부의 상기 보이드를 신속하게 제거하기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다. 예를 들어, 상기 언더필 물질에 열을 가하여 상기 언더필 물질의 점성을 감소시켜 상기 보이드를 감소시키는 방법, 진공 상태에서 언더필 물질을 도포하여 상기 보이드를 감소시키는 방법 등이 연구되고 있다.
관련 선행 기술 문헌: 공개특허공보 제10-2007-0051713
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 회로 기판과 반도체 칩 사이의 공간에 채워진 언더필 물질 내부의 보이드를 단시간에 제거할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 회로 기판과 반도체 칩 사이의 공간에 언더필 물질을 채우고, 상기 언더필 물질 내부의 보이드를 단시간에 제거할 수 있는 언더필 설비를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 칩을 포함하는 회로 기판을 언더필 설비에 로딩하고, 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 도포 척 상으로 이동하고, 상기 도포 척 상에 안착된 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 언더필 물질을 채우고, 상기 언더필 물질을 포함하는 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 후처리 척 상으로 이동하고, 상기 후처리 척 상에 안착된 상기 회로 기판의 상기 언더필 물질을 진공 상태에서 가열하고, 상기 언더필 물질이 진공 상태에서 가열된 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비로부터 언로딩하는 것을 포함한다.
상기 회로 기판의 상기 언더필 물질을 진공 상태에서 가열하는 것은 상기 회로 기판을 후처리 커버의 내부로 이동하고, 상기 후처리 커버를 밀폐하고, 상기 후처리 커버의 내부를 진공 상태로 유지하고, 상기 언더필 물질을 가열하는 것을 포함할 수 있다.
상기 후처리 커버를 밀폐하는 것은 상기 후처리 척으로 상기 후처리 커버의 개구된 영역을 덮는 것을 포함할 수 있다.
상기 후처리 척으로 상기 후처리 커버의 개구된 영역을 덮는 것은 상기 회로 기판을 상기 후처리 커버의 내부로 이동하는 것과 동시에 수행될 수 있다.
상기 후처리 커버의 내부를 진공 상태로 유지하는 것은 상기 후처리 척의 진공 홀을 통해 상기 후처리 커버의 내부를 배기하는 것을 포함할 수 있다.
상기 언더필 물질을 가열하는 것은 상기 후처리 척의 가열 수단으로 상기 회로 기판을 가열하는 것을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판을 상기 언더필 설비로 로딩하는 것은 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 제 1 이송 수단 상으로 이동하는 것을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비로부터 언로딩하는 것은 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 제 2 이송 수단으로 이동하는 것을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판을 상기 후처리 척 상으로 이동하는 것은 상기 언더필 설비의 제 3 이송 수단에 상기 회로 기판을 고정하고, 상기 제 3 이송 수단을 상승하여 상기 회로 기판을 상기 제 1 이송 수단으로부터 이격하고, 상기 제 3 이송 수단을 상기 후처리 척 상으로 이동하고, 상기 제 3 이송 수단을 하강하는 것을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 상기 언더필 물질을 채우는 것은 상기 도포 척의 가열 수단으로 상기 회로 기판을 가열하고, 상기 회로 기판 상에 상기 반도체 칩의 측면 가까이 상기 언더필 물질을 도포할 수 있다.
상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 상기 언더필 물질을 채우는 것은 상기 회로 기판을 상기 제 1 이송 수단으로부터 이격하는 것을 포함할 수 있다.
상기 반도체 소자의 제조 방법은 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 상기 언더필 물질을 채우기 전, 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 전처리 척 상으로 이동하고, 상기 전처리 척의 가열 수단으로 상기 회로 기판을 예열하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 일 표면 상에 반도체 칩이 실장된 회로 기판을 준비하고, 상기 회로 기판을 제 1 온도로 예열하고, 상기 제 1 온도로 예열된 상기 회로 기판을 제 2 온도로 가열하는 동안 상기 회로 기판의 상기 일 표면 상에 상기 반도체 칩의 측면 가까이 언더필 물질을 도포하고, 상기 언더필 물질을 진공 상태에서 제 3 온도로 가열하는 것을 포함한다.
상기 제 2 온도 및 상기 제 3 온도는 상온보다 높을 수 있다. 상기 제 2 온도 및 상기 제 3 온도는 상기 언더필 물질의 점성이 최저치를 갖는 온도보다 낮을 수 있다.
상기 제 2 온도는 상기 제 3 온도와 동일할 수 있다.
상기 제 1 온도는 상기 제 2 온도보다 낮을 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법 및 이를 위한 언더 필 설비는 회로 기판과 반도체 칩 사이에 언더필 물질을 도포하고, 상기 언더필 물질 내부의 보이드를 신속하게 제거할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법 및 이를 위한 언더필 설비는 언더필 물질의 충전 공정에 소요되는 시간을 감소할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비를 나타낸 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부를 나타낸 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 유입 영역 및 전처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 유입 영역 및 전처리 영역을 나타낸 탑 뷰(top view)이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 전처리 척을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 도포 영역을 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 도포 척을 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 탑 뷰이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 제 3 이송 수단을 나타낸 측면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 후처리 척 및 후처리 커버를 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 배출 영역을 나타낸 사시도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 배출 영역을 나타낸 탑 뷰이다.
도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 플로챠트이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 제 3 이송 수단을 나타낸 측면도이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부를 나타낸 사시도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 유입 영역 및 전처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 유입 영역 및 전처리 영역을 나타낸 탑 뷰이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 전처리 척을 나타낸 단면도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 도포 영역을 나타낸 사시도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 도포 척을 나타낸 단면도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 24는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 후처리 척 및 후처리 커버를 나타낸 단면도이다.
도 25는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 26은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 후처리 척 및 후처리 커버를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부를 나타낸 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 유입 영역 및 전처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 유입 영역 및 전처리 영역을 나타낸 탑 뷰(top view)이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 전처리 척을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 도포 영역을 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 도포 척을 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 탑 뷰이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 제 3 이송 수단을 나타낸 측면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 후처리 척 및 후처리 커버를 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 배출 영역을 나타낸 사시도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 배출 영역을 나타낸 탑 뷰이다.
도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 플로챠트이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 제 3 이송 수단을 나타낸 측면도이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부를 나타낸 사시도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 유입 영역 및 전처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 유입 영역 및 전처리 영역을 나타낸 탑 뷰이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 전처리 척을 나타낸 단면도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 도포 영역을 나타낸 사시도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 도포 척을 나타낸 단면도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 24는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 후처리 척 및 후처리 커버를 나타낸 단면도이다.
도 25는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 사시도이다.
도 26은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 후처리 척 및 후처리 커버를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
(실시 예)
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비를 나타낸 측면도이다. 도 2 및 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부를 나타낸 도면들이다. 도 4 내지 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부 일부를 나타낸 도면들이다.
도 1 내지 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비(1)는 로딩부(loading part; LP), 공정부(processing part; PP) 및 언로딩부(unloading part; UP)를 포함할 수 있다. 상기 공정부(PP)는 상기 로딩부(LP) 및 상기 언로딩부(UP) 사이에 위치할 수 있다. 상기 로딩부(LP), 상기 공정부(PP) 및 상기 언로딩부(UP)는 제 1 방향(X)으로 배열될 수 있다.
상기 로딩부(LP)는 상기 공정부(PP)로 회로 기판(P)을 공급할 수 있다. 상기 회로 기판(P)은 적어도 하나의 반도체 칩(C)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 칩(C)은 상기 회로 기판(P) 상에 플립 칩 본딩될 수 있다. 상기 반도체 칩(C)은 다수의 접속 부재들(S)에 의해 상기 회로 기판(P)과 연결될 수 있다. 상기 다수의 접속 부재들(S)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 다수의 접속 부재들(S)은 솔더(solder)를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 로딩부(LP)는 로딩 엘리베이터(loading elevator, 110) 및 로딩 푸셔(loading pusher, 120)를 포함할 수 있다.
상기 로딩 엘리베이터(110)는 상기 공정부(PP)에 공급될 상기 회로 기판(P)을 이동할 수 있다. 상기 로딩 엘리베이터(110)는 상기 공정부(PP)와 상기 로딩 푸셔(120) 사이에 위치할 수 있다. 상기 공정부(PP)에 공급될 해당 회로 기판(P)은 상기 로딩 엘리베이터(110)에 의해 상기 로딩 푸셔(120) 앞으로 이동할 수 있다.
상기 로딩 엘리베이터(110)에는 적어도 하나의 제 1 매거진(first magazine; M1)이 적층될 수 있다. 상기 제 1 매거진(M1)은 다수의 회로 기판들(P)이 수납될 수 있다. 상기 로딩 엘리베이터(110)는 상기 다수의 회로 기판들(P)이 상기 공정부(PP)에 순차적으로 공급되도록 상기 제 1 매거진(M1)을 이동할 수 있다. 상기 로딩 엘리베이터(110)는 상기 제 1 매거진(M1)을 상하 방향(Z)으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 매거진(M1)은 상기 로딩 엘리베이터(110)에 의해 상승할 수 있다.
상기 로딩 푸셔(110)는 상기 제 1 매거진(M1)에 수납된 다수의 회로 기판들(P)을 순차적으로 상기 제 1 방향(X)으로 밀어낼 수 있다. 상기 로딩 푸셔(110)는 상기 제 1 매거진(M1)의 해당 회로 기판(P)을 상기 공정부(PP)에 공급할 수 있다. 상기 로딩 푸셔(110)는 상기 제 1 방향(X)으로 이동하는 유압 실린더일 수 있다.
상기 공정부(PP)는 상기 로딩부(LP)로부터 공급된 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간에 언더필 물질을 채울 수 있다. 상기 공정부(PP)는 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간에 채워진 상기 언더필 물질 내부의 보이드(void)를 신속하게 제거할 수 있다. 상기 언더필 물질은 열경화성 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 언더필 물질은 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 상기 공정부(PP)는 메인 몸체(210), 제 1 이송 수단(220), 제 1 간격 조절 수단(230), 제 2 이송 수단(240), 제 2 간격 조절 수단(250), 제 3 이송 수단(260), 전처리 척(310), 도포 척(410), 도포 수단(420), 후처리 척(510) 및 후처리 커버(520)를 포함할 수 있다.
상기 공정부(PP)는 상기 전처리 척(310)과 연결되는 제 1 척 진공 펌프(311) 및 제 1 척 구동부(312)를 더 포함할 수 있다. 상기 공정부(PP)는 상기 도포 척(410)과 연결되는 제 2 척 진공 펌프(411) 및 제 2 척 구동부(412)를 더 포함할 수 있다. 상기 공정부(PP)는 상기 후처리 척(510)과 연결되는 제 3 척 진공 펌프(511) 및 제 3 척 구동부(512)를 더 포함할 수 있다.
상기 메인 몸체(210)는 유입 영역(IA), 전처리 영역(BA), 도포 영역(DA), 후처리 영역(PA) 및 배출 영역(OA)을 포함할 수 있다. 상기 유입 영역(IA)은 상기 로딩부(LP)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 배출 영역(OA)은 상기 언로딩부(UP)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 도포 영역(DA)은 상기 전처리 영역(BA)과 상기 후처리 영역(PA) 사이에 위치할 수 있다. 상기 유입 영역(IA), 상기 전처리 영역(BA), 상기 도포 영역(DA), 상기 후처리 영역(PA) 및 상기 배출 영역(OA)은 상기 제 1 방향(X)으로 배열될 수 있다.
상기 제 1 이송 수단(220)은 상기 로딩부(LP)로부터 공급된 상기 회로 기판(P)을 이동할 수 있다. 상기 제 1 이송 수단(220)은 상기 메인 몸체(210)의 상기 유입 영역(IA), 상기 전처리 영역(BA) 및 상기 도포 영역(DA) 상에 위치할 수 있다. 상기 회로 기판(P)은 상기 로딩 푸셔(120)에 의해 상기 제 1 이송 수단(220) 상으로 이동될 수 있다. 상기 제 1 이송 수단(220)은 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 이송 수단(220)은 상기 유입 영역(IA), 상기 전처리 영역(BA) 및 상기 도포 영역(DA)을 가로지를 수 있다. 상기 제 1 이송 수단(220)은 상기 회로 기판(P)을 상기 전처리 영역(BA) 및 상기 도포 영역(DA)으로 이동할 수 있다.
도 4 및 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 이송 수단(220)은 제 1 좌측 벨트(221), 제 1 좌측 벽(222), 제 1 우측 벨트(223), 제 1 우측 벽(224), 제 1 벨트 축(225) 및 제 1 벨트 구동부(226)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 좌측 벨트(221) 및 상기 제 1 우측 벨트(223)는 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 좌측 벨트(221)는 상기 제 1 우측 벨트(223)와 이격될 수 있다. 상기 제 1 좌측 벨트(221)는 상기 제 1 우측 벨트(223)와 평행할 수 있다. 상기 제 1 좌측 벨트(221)의 상면 레벨은 상기 제 1 우측 벨트(223)의 상면 레벨과 동일할 수 있다.
상기 제 1 좌측 벨트(221)는 상기 제 1 좌측 벽(222) 상에서 이동할 수 있다. 상기 제 1 우측 벨트(223)는 상기 제 1 우측 벽(224) 상에서 이동할 수 있다. 상기 제 1 좌측 벽(222) 및 상기 제 1 우측 벽(224)은 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 좌측 벽(222)은 상기 제 1 우측 벽(224)과 평행할 수 있다.
상기 제 1 좌측 벨트(221)와 상기 제 1 우측 벨트(223) 사이의 이격 거리는 상기 회로 기판(P)의 수평 폭보다 작을 수 있다. 상기 수평 폭은 제 2 방향(Y)의 길이를 의미할 수 있다. 상기 제 2 방향(Y)은 상기 제 1 방향(X)과 수직할 수 있다. 상기 제 1 방향(X)과 상기 제 2 방향(Y)은 상기 메인 몸체(210)의 상면과 평행한 평면을 구성할 수 있다.
상기 제 1 좌측 벽(222)과 상기 제 1 우측 벽(224) 사이의 이격 거리는 상기 회로 기판(P)의 수평 폭보다 클 수 있다. 상기 회로 기판(P)은 상기 제 1 좌측 벨트(221) 및 상기 제 1 우측 벨트(223) 상에 안착될 수 있다.
상기 제 1 벨트 축(225)은 상기 제 1 좌측 벽(222)과 상기 제 1 우측 벽(224)을 관통할 수 있다. 상기 제 1 벨트 축(225)은 상기 제 1 좌측 벨트(221) 및 상기 제 1 우측 벨트(223)와 접촉할 수 있다. 상기 제 1 벨트 축(225)은 상기 제 1 벨트 구동부(226)에 의해 회전할 수 있다. 상기 제 1 좌측 벨트(221) 및 상기 제 1 우측 벨트(223)는 상기 제 1 벨트 구동부(226)에 의해 동일 속도로 이동할 수 있다.
상기 메인 몸체(210)의 상기 전처리 영역(BA) 상에는 상기 전처리 척(310)이 위치할 수 있다. 상기 전처리 척(310)은 상기 회로 기판(P)을 제 1 온도로 예열할 수 있다. 상기 제 1 온도는 상온보다 높을 수 있다. 상기 제 1 온도는 상기 언더필 물질의 점성이 최저치를 갖는 온도보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 온도는 80℃ 내지 120℃일 수 있다.
도 5 및 6에 도시된 바와 같이, 상기 전처리 척(310)은 제 1 가열 수단(301) 및 제 1 진공 홀들(302)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 가열 수단(301)은 상기 전처리 척(310)의 표면 가까이 위치할 수 있다. 상기 제 1 가열 수단(301)은 전기 열선을 포함할 수 있다.
상기 제 1 진공 홀들(302)은 상기 제 1 척 진공 펌프(311)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 진공 홀들(302)은 상기 회로 기판(P)을 진공 흡착할 수 있다. 상기 회로 기판(P)은 상기 제 1 진공 홀들(302)에 의해 상기 전처리 척(310) 상에 고정될 수 있다.
상기 전처리 척(310)의 수평 폭은 상기 제 1 좌측 벨트(221)와 상기 제 1 우측 벨트(223) 사이의 이격 거리보다 작을 수 있다. 상기 전처리 척(310)은 상기 제 1 좌측 벨트(221)와 상기 제 1 우측 벨트(223) 사이에 위치할 수 있다. 상기 전처리 척(310)의 상면 레벨은 상기 제 1 좌측 벨트(221)의 상면 레벨 및 상기 제 1 우측 벨트(223)의 상면 레벨보다 낮을 수 있다.
상기 제 1 척 구동부(311)는 상기 전처리 척(310)을 상하 방항(Z)으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 척 구동부(311)는 상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 온도로 예열하는 동안 상기 전처리 척(310)을 상승할 수 있다. 상기 회로 기판(P)은 상기 제 1 온도로 예열되는 동안 상기 제 1 이송 수단(220)과 이격될 수 있다.
상기 메인 몸체(210)의 상기 도포 영역(DA) 상에는 상기 제 1 간격 조절 수단(230), 상기 도포 척(410) 및 상기 도포 수단(420)이 위치할 수 있다. 상기 도포 수단(420)의 최하 레벨은 상기 제 1 좌측 벽(222)의 상면 레벨 및 상기 제 1 우측 벽(224)의 상면 레벨보다 높을 수 있다.
상기 제 1 간격 조절 수단(230)은 상기 제 1 이송 수단(220)의 상기 제 1 좌측 벨트(221)과 상기 제 1 우측 벨트(223) 사이의 이격 거리를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 간격 조절 수단(230)은 상기 제 1 이송 수단(220)의 상기 제 1 좌측 벨트(221)를 상기 제 2 방향(Y)으로 이동할 수 있다. 상기 제 1 좌측 벽(222)은 상기 메인 몸체(210)와 이격될 수 있다. 상기 제 1 우측 벽(224)은 상기 메인 몸체(210)와 접촉할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 간격 조절 수단(230)은 제 1 좌측 레일(231), 제 1 좌측 슬라이더(232), 제 1 우측 레일(233), 제 1 우측 슬라이더(234), 제 1 브릿지(bridge, 235), 제 1 너트(nut, 236), 제 1 간격 축(237) 및 제 1 간격 구동부(238)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 좌측 레일(231) 및 상기 제 1 우측 레일(233)은 상기 제 2 방향(Y)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 좌측 레일(231)은 상기 제 1 우측 레일(233)과 이격될 수 있다. 상기 제 1 좌측 레일(231)은 상기 제 1 우측 레일(233)과 평행할 수 있다. 상기 제 1 좌측 레일(231)의 상면 레벨은 상기 제 1 우측 레일(233)의 상면 레벨과 동일할 수 있다. 상기 제 1 좌측 레일(231) 및 상기 제 1 우측 레일(233)은 상기 메인 몸체(210)와 접촉할 수 있다.
상기 제 1 좌측 슬라이더(232)는 상기 제 1 좌측 레일(231)을 따라 이동할 수 있다. 상기 제 1 우측 슬라이더(234)는 상기 제 1 우측 레일(233)을 따라 이동할 수 있다. 상기 제 1 좌측 슬라이더(232) 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234)는 상기 제 1 좌측 벽(222)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 좌측 슬라이더(232)의 상면 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234)의 상면은 상기 제 1 좌측 벽(222)의 하면과 접촉할 수 있다.
상기 제 1 브릿지(235)는 상기 제 1 좌측 슬라이더(232) 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234)를 동일하게 이동할 수 있다. 상기 제 1 브릿지(235)는 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 브릿지(235)는 상기 제 1 좌측 슬라이더(232) 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234)와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 브릿지(235)는 상기 제 1 좌측 슬라이더(232)의 상면 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234)의 상면과 접촉할 수 있다. 상기 제 1 브릿지(235)의 측면은 상기 제 1 좌측 벽(222)의 측면과 접촉할 수 있다.
상기 제 1 너트(236)는 상기 제 1 간격 축(237)을 따라 이동할 수 있다. 상기 제 1 너트(236)은 상기 제 1 브릿지(235)의 하부에 결합될 수 있다. 상기 제 1 브릿지(235)는 상기 제 1 너트(236)에 의해 이동할 수 있다. 상기 제 1 너트(236)는 상기 메인 몸체(210)와 이격될 수 있다. 상기 제 1 너트(236)는 상기 제 1 좌측 슬라이더(232) 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234) 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 1 너트(236)는 상기 제 1 좌측 슬라이더(232) 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234)와 이격될 수 있다.
상기 제 1 간격 축(237)은 상기 제 2 방향(Y)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 간격 축(237)은 상기 제 1 좌측 슬라이더(232) 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234) 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 1 간격 축(237)은 상기 제 1 좌측 슬라이더(232) 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234)와 평행할 수 있다. 상기 제 1 간격 축(237)은 상기 메인 몸체(210)와 이격될 수 있다. 상기 제 1 간격 축(237) 상기 제 1 좌측 슬라이더(232) 및 상기 제 1 우측 슬라이더(234)와 이격될 수 있다.
상기 제 1 간격 축(237)은 상기 제 1 너트(236)를 관통할 수 있다. 상기 제 1 간격 축(237)은 상기 제 1 간격 구동부(238)에 의해 회전할 수 있다. 상기 제 1 간격 축(237)은 나선형 홈(237g)을 가질 수 있다. 상기 제 1 너트(236)는 상기 제 1 간격 축(237)의 상기 나선형 홈(237g)에 의해 이동될 수 있다. 상기 제 1 너트(236)의 진행 방향은 상기 제 1 간격 축(237)의 회전 방향에 의해 결정될 수 있다.
상기 도포 수단(420)은 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간에 언더필 물질(UM)을 채울 수 있다. 상기 도포 수단(420)은 상기 회로 기판(P) 상에 상기 언더필 물질(UM)을 도포할 수 있다. 예를 들어, 상기 도포 수단(420)은 상기 반도체 칩(C)의 측면 가까이에 상기 언더필 물질(UM)을 도포할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 도포 수단(420)은 제 1 고정 레일(421), 제 1 고정 슬라이더(422), 제 1 이동 레일(423), 제 1 이동 슬라이더(424), 저장 탱크(425), 도포 제어부(426) 및 도포 노즐(427)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 고정 레일(421)은 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 고정 레일(421)은 상기 제 1 이송 수단(220)과 평행할 수 있다. 상기 제 1 고정 레일(421)은 상기 제 1 이송 수단(220)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 고정 레일(421)은 상기 제 1 우측 벽(224)에서 상기 제 2 방향(Y)으로 이격될 수 있다. 상기 제 1 고정 슬라이더(422)는 상기 제 1 고정 레일(421)을 따라 이동할 수 있다.
상기 제 1 이동 레일(423)은 상기 제 1 고정 슬라이더(422)와 결합될 수 있다. 상기 제 1 이동 레일(423)은 상기 제 1 고정 슬라이더(422)에 의해 상기 제 1 방향(X)으로 이동할 수 있다. 상기 제 1 이동 레일(423)는 상기 제 1 고정 레일(421)을 따라 이동할 수 있다.
상기 제 1 이동 레일(423)은 상기 제 2 방향(Y)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 이동 레일(423)은 상기 제 1 이송 수단(220)의 상부 공간을 가로지를 수 있다. 상기 제 1 이동 레일(423)은 상기 도포 척(410)의 상부 공간을 가로지를 수 있다. 상기 도포 수단(420)은 상기 도포 척(410) 상에 안착된 상기 회로 기판(P) 상에 상기 언더필 물질(UM)을 도포할 수 있다. 상기 제 1 이동 슬라이더(424)는 상기 제 1 이동 레일(423)을 따라 이동할 수 있다.
상기 저장 탱크(425)는 상기 언더필 물질(UM)이 저장될 수 있다. 상기 도포 제어부(426)는 상기 도포 노즐(427)에 의해 도포되는 상기 언더필 물질(UM)의 양을 조절할 수 있다.
상기 저장 탱크(425) 및 상기 도포 제어부(426)은 상기 제 1 이동 슬라이더(424) 상에 부착될 수 있다. 상기 도포 노즐(427)은 상기 도포 제어부(426)의 하면에 위치할 수 있다. 상기 도포 노즐(427)은 상기 제 1 고정 슬라이더(422)에 의해 상기 제 1 방향(X)으로 이동할 수 있다. 상기 도포 노즐(427)은 상기 제 1 이동 슬라이더(424)에 의해 상기 제 2 방향(Y)으로 이동할 수 있다.
상기 도포 척(410)은 상기 언더필 물질(UM)이 도포되는 동안 상기 회로 기판(P)을 제 2 온도로 가열할 수 있다. 상기 제 2 온도는 상온보다 높을 수 있다. 상기 제 2 온도는 상기 언더필 물질의 점성이 최저치를 갖는 온도보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 온도는 80℃ 내지 120℃일 수 있다. 상기 제 2 온도는 상기 제 1 온도보다 높을 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 도포 척(410)은 제 2 가열 수단(401) 및 제 2 진공 홀들(402)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 가열 수단(401)은 상기 도포 척(410)의 표면 가까이 위치할 수 있다. 상기 제 2 가열 수단(401)은 상기 제 1 가열 수단(301)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 가열 수단(401)은 전기 열선을 포함할 수 있다. 상기 제 2 진공 홀들(402)은 상기 제 2 척 진공 펌프(411)와 연결될 수 있다. 상기 회로 기판(P)은 상기 제 2 진공 홀들(402)에 의해 진공 흡착될 수 있다.
상기 도포 척(410)의 수평 폭은 상기 제 1 좌측 벨트(221)와 상기 제 1 우측 벨트(223) 사이의 이격 거리보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 도포 척(410)의 수평 폭은 상기 전처리 척(310)의 수평 폭과 동일할 수 있다. 상기 도포 척(410)은 상기 제 1 좌측 벨트(221)와 상기 제 1 우측 벨트(223) 사이에 위치할 수 있다. 상기 도포 척(410)의 상면 레벨은 상기 제 1 좌측 벨트(221)의 상면 레벨 및 상기 제 1 우측 벨트(223)의 상면 레벨보다 낮을 수 있다.
상기 도포 척(410)은 상기 제 2 척 구동부(411)에 의해 상하 방향(Z)으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 척 구동부(411)은 상기 회로 기판(P) 상에 상기 언더필 물질(UM)이 도포되기 전 상기 도포 척(410)을 상승할 수 있다. 상기 회로 기판(P) 상에 상기 언더필 물질(UM)이 도포되기 전 상기 도포 척(410)은 상기 도포 수단(420)의 하부 가까이 이동할 수 있다. 상기 회로 기판(P)은 상기 언더필 물질(UM)이 도포되는 동안 상기 제 1 이송 수단(220)과 이격될 수 있다.
도 9 내지 11에 도시된 바와 같이, 상기 메인 몸체(210)의 상기 후처리 영역(PA) 상에는 상기 제 3 이송 수단(260), 상기 후처리 척(510) 및 상기 후처리 커버(520)가 위치할 수 있다. 상기 후처리 커버(520)는 상기 후처리 척(510) 상에 위치할 수 있다. 상기 후처리 커버(520)의 최하 레벨은 상기 제 3 이송 수단(260)의 최상 레벨보다 높을 수 있다.
상기 제 3 이송 수단(260)은 상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 이송 수단(220) 상에서 상기 후처리 척(510) 상으로 이동할 수 있다. 상기 제 3 이송 수단(260)은 상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 척(510) 상에서 상기 제 2 이송 수단(240) 상으로 이동할 수 있다.
상기 제 3 이송 수단(260)은 제 2 고정 레일(261), 제 2 고정 슬라이더(262), 제 2 이동 레일(263), 제 2 이동 슬라이더(264), 상하 레일(265), 상하 슬라이더(266), 고정 바(267), 제 1 고정 레일(268a), 제 2 고정 레일(268b), 제 1 고정 걸쇠(269a) 및 제 2 고정 걸쇠(269b)를 포함할 수 있다.
상기 제 2 고정 레일(261)는 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 제 2 고정 레일(261)은 상기 제 1 이송 수단(220)과 이격될 수 있다. 상기 제 2 고정 레일(261)은 상기 제 2 이송 수단(240)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 고정 레일(261)은 상기 제 1 이송 수단(220) 및 상기 제 2 이송 수단(240)과 상기 제 2 방향(Y)으로 이격될 수 있다. 상기 제 2 고정 슬라이더(262)는 상기 제 2 고정 레일(261)을 따라 이동할 수 있다.
상기 제 2 이동 레일(263)은 상기 제 2 고정 슬라이더(262)에 결합될 수 있다. 상기 제 2 이동 레일(263)은 상기 제 2 고정 슬라이더(262)에 의해 상기 제 1 방향(X)으로 이동할 수 있다. 상기 제 2 이동 레일(263)은 상기 제 2 고정 레일(261)을 따라 이동할 수 있다.
상기 제 2 이동 레일(263)은 상기 제 2 방향(Y)으로 연장될 수 있다. 상기 제 2 이동 레일(263)은 상기 제 1 이송 수단(220)의 상부 공간을 가로지를 수 있다. 상기 제 2 이동 레일(263)은 상기 제 2 이송 수단(240)의 상부 공간을 가로지를 수 있다. 상기 제 2 이동 레일(263)은 상기 후처리 척(510)의 상부 공간을 가로지를 수 있다. 상기 제 2 이동 슬라이더(264)는 상기 제 2 이동 레일(263)을 따라 이동할 수 있다.
상기 상하 레일(265)는 상기 제 2 이동 레일(263) 상에 고정될 수 있다. 상기 상하 슬라이더(266)은 상기 상하 레일(265)을 따라 이동할 수 있다. 상기 고정 바(267)은 상기 상하 슬라이더(266)에 결합될 수 있다. 상기 고정 바(267)은 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 고정 바(267)의 수평 길이는 상기 회로 기판(P)의 수평 길이보다 길 수 있다. 상기 수평 길이는 상기 제 1 방향(X)의 길이를 의미할 수 있다.
상기 제 1 고정 레일(268a) 및 제 2 고정 레일(268b)은 상기 고정 바(267)의 하면에 위치할 수 있다. 상기 제 1 고정 레일(268a) 및 상기 제 2 고정 레일(268b)는 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 고정 레일(268a)은 상기 제 2 고정 레일(268b)과 이격될 수 있다.
상기 제 1 고정 걸쇠(269a)는 상기 제 1 고정 레일(268a)을 따라 이동할 수 있다. 상기 제 2 고정 걸쇠(269b)는 상기 제 2 고정 레일(268b)을 따라 이동할 수 있다. 상기 제 1 고정 걸쇠(269a)는 상기 고정 바(267)의 중심 방향이 개구된 걸쇠 모양일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 고정 걸쇠(269a)는 상기 제 2 방향(Y)으로 봤을 때, 'L' 형상일 수 있다. 상기 제 2 고정 걸쇠(269b)는 상기 제 1 고정 걸쇠(269a)와 대칭되는 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 고정 걸쇠(269b)는 상기 제 2 방향(Y)으로 봤을 때, '┘' 형상일 수 있다.
상기 후처리 척(510) 및 상기 후처리 커버(520)는 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간에 채워진 상기 언더필 물질(UM)을 진공 상태에서 제 3 온도로 가열할 수 있다. 상기 제 3 온도는 상온보다 높을 수 있다. 상기 제 3 온도는 상기 언더필 물질의 점성이 최저치를 갖는 온도보다 낮을 수 있다. 상기 제 3 온도는 상기 제 2 온도와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 온도는 80℃ 내지 120℃일 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 상기 후처리 척(510)은 제 3 가열 수단(501) 및 제 3 진공 홀들(502)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 가열 수단(501)은 상기 후처리 척(510)의 상면에 가까이 위치할 수 있다. 상기 제 3 가열 수단(501)은 상기 제 1 가열 수단(301)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 가열 수단(501)은 전기 열선을 포함할 수 있다. 상기 제 3 진공 홀들(502)은 상기 제 3 척 진공 펌프(512)와 연결될 수 있다. 상기 회로 기판(P)은 상기 제 3 진공 홀들(502)에 의해 상기 후처리 척(510) 상에 진공 흡착될 수 있다.
상기 후처리 척(510)은 상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 커버(520)의 내부로 이동할 수 있다. 상기 제 3 척 구동부(511)는 상기 후처리 척(510)을 상하 방향(Z)으로 이동할 수 있다.
상기 후처리 척(510)의 수평 폭은 상기 전처리 척(310)의 수평 폭 및 상기 도포 척(410)의 수평 폭보다 넓을 수 있다. 상기 후처리 척(510)의 수평 폭은 상기 회로 기판(P)의 수평 폭보다 넓을 수 있다. 예를 들어, 상기 후처리 척(510)의 수평 폭은 상기 제 1 좌측 벽(222)과 상기 제 1 우측 벽(224) 사이의 이격 거리보다 클 수 있다.
상기 후처리 커버(520)는 아래쪽이 개구될 수 있다. 상기 후처리 커버(520)의 수평 폭은 상기 후처리 척(510)의 수평 폭과 동일할 수 있다. 상기 후처리 커버(520)의 수평 길이는 상기 후처리 척(510)의 수평 길이와 동일할 수 있다. 상기 후처리 커버(520)의 면적은 상기 후처리 척(510)의 면적과 동일할 수 있다.
상기 후처리 커버(520)의 내부는 상기 후처리 척(510)에 의해 밀폐될 수 있다. 예를 들어, 상기 후처리 척(510)은 상기 후처리 커버(520)의 개구된 하부를 덮을 수 있다. 상기 후처리 커버(520)는 개구된 측에 밀폐 부재(521)가 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 후처리 커버(520)는 하부면에 오-링(O-ring)이 위치할 수 있다.
상기 회로 기판(P)은 상기 후처리 척(510)의 상기 진공 홀들(502) 중 일부만을 덮을 수 있다. 예를 들어, 상기 후처리 척(510)의 상기 진공 홀들(502)은 상기 회로 기판(P)이 상기 후처리 커버(520)의 내부에 위치하는 동안, 상기 후처리 커버(520)의 내부를 배기할 수 있다.
상기 메인 몸체(210)의 상기 배출 영역(OA) 상에는 상기 제 2 이송 수단(240) 및 상기 제 2 간격 조절 수단(250)이 위치할 수 있다. 상기 제 2 이송 수단(240)은 상기 회로 기판(P)을 상기 언로딩부(UP)로 배출할 수 있다.
도 13 및 14에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 이송 수단(240)은 제 2 좌측 벨트(241), 제 2 좌측 벽(242), 제 2 우측 벨트(243), 제 2 우측 벽(244), 제 2 벨트 축(245) 및 제 2 벨트 구동부(246)을 포함할 수 있다.
상기 제 2 이송 수단(240)은 상기 제 1 이송 수단(220)과 동일 구성을 가질 수 있다. 상기 제 2 이송 수단(240)의 상기 제 2 좌측 벨트(241), 상기 제 2 좌측 벽(242), 상기 제 2 우측 벨트(243), 상기 제 2 우측 벽(244), 상기 제 2 벨트 축(245) 및 상기 제 2 벨트 구동부(246)는 상기 제 1 이송 수단(220)의 상기 제 1 좌측 벨트(221), 제 1 좌측 벽(222), 제 1 우측 벨트(223), 제 1 우측 벽(224), 제 1 벨트 축(225) 및 제 1 벨트 구동부(226)와 동일한 구성일 수 있다.
상기 제 2 좌측 벨트(241)와 상기 제 2 우측 벨트(243) 사이의 이격 거리는 상기 제 1 좌측 벨트(221)와 상기 제 1 우측 벨트(223) 사이의 이격 거리와 동일할 수 있다. 상기 제 2 좌측 벨트(241)와 상기 제 2 우측 벨트(243) 사이의 이격 거리는 상기 회로 기판(P)의 수평 폭보다 작을 수 있다.
상기 제 2 간격 조절 수단(250)은 제 2 좌측 레일(251), 제 2 좌측 슬라이더(252), 제 2 우측 레일(253), 제 2 우측 슬라이더(254), 제 2 브릿지(255), 제 2 너트(256), 제 2 간격 축(257) 및 제 2 간격 구동부(258)을 포함할 수 있다.
상기 제 2 간격 조절 수단(250)은 상기 제 1 간격 조절 수단(230)과 동일 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 간격 조절 수단(250)은 상기 제 2 이송 수단(240)의 상기 제 2 좌측 벽(242)을 상기 제 2 방향(Y)으로 이동할 수 있다.
상기 제 2 간격 조절 수단(250)의 상기 제 2 좌측 레일(251), 상기 제 2 좌측 슬라이더(252), 상기 제 2 우측 레일(253), 상기 제 2 우측 슬라이더(254), 상기 제 2 브릿지(255), 상기 제 2 너트(256), 상기 제 2 간격 축(257) 및 상기 제 2 간격 구동부(258)는 상기 제 1 간격 조절 수단(230)의 상기 제 1 좌측 레일(231), 제 1 좌측 슬라이더(232), 제 1 우측 레일(233), 제 1 우측 슬라이더(234), 제 1 브릿지(235), 제 1 너트(236), 제 1 간격 축(237) 및 제 1 간격 구동부(238)와 동일한 구성 요소일 수 있다.
상기 언로딩부(UP)에는 상기 공정부(PP)로부터 상기 언더필 물질(UM)을 포함하는 상기 회로 기판(P)이 배출될 수 있다. 상기 언로딩부(UP)는 도 1에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 제 2 매거진(second magazine, M2)이 수납된 언로딩 엘리베이터(unloading elevator, 610)를 포함할 수 있다.
상기 언로딩 엘리베이터(610)는 상기 제 2 매거진(M2)을 상하 방향(Z)으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 상기 언로딩 엘리베이터(610)는 상기 제 2 매거진(M2)을 하강할 수 있다. 상기 공정부(PP)로부터 배출된 상기 회로 기판(P)은 상기 제 2 매거진(M2)의 하부로부터 순차적으로 수납될 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 언더필 설비를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 플로챠트이다.
이하에서는 도 1 내지 15를 이용하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 설명한다. 먼저, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 회로 기판(P)을 언더필 설비(1)에 로딩하는 단계(S110)를 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)에 로딩하는 단계(S110)는 적어도 하나의 반도체 칩(C)을 포함하는 상기 회로 기판(P)을 준비하고, 상기 회로 기판(P)을 제 1 매거진(M1)에 수납하고, 상기 제 1 매거진(M1)을 상기 언더필 설비(1)의 로딩부(LP)의 로딩 엘리베이터(110)에 적층하고, 상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)의 공정부(PP)의 제 1 이송 수단(220) 상으로 이동하는 것을 포함할 수 있다.
상기 반도체 칩(C)은 상기 회로 기판(P)의 일 표면 상에 실장될 수 있다. 상기 반도체 칩(C)은 상기 회로 기판(P) 상에 플립 칩 본딩될 수 있다. 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이에는 접속 부재들(S)이 위치할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간에 언더필 물질(UM)을 채우는 단계(S120)를 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간에 상기 언더필 물질(UM)을 채우는 단계(S120)는 상기 회로 기판(P)을 제 1 온도로 예열하는 단계(S121), 상기 회로 기판(P)을 제 2 온도로 가열하며 상기 언더필 물질(UM)을 도포하는 단계(S122) 및 상기 언더필 물질(UM)을 진공 상태에서 제 3 온도로 가열하는 단계(S123)를 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 온도로 예열하는 단계(S121)는 상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)의 전처리 척(310) 상으로 이동하고, 상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 이송 수단(220)과 이격하고, 상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 온도로 예열하는 것을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 이송 수단(220)과 이격하는 것은 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 전처리 척(310)을 상승하는 것을 포함할 수 있다. 상기 전처리 척(310)은 상기 제 1 이송 수단(220)의 제 1 좌측 벨트(221) 및 제 1 우측 벨트(223)보다 높게 상승할 수 있다.
본 발명의 기술적 특징에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 회로 기판(P)을 예열하는 동안 상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 이송 수단(220)과 이격한다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 특징에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 회로 기판(P)을 예열하는 공정에 의해 다른 공정이 지연되는 것을 방지할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 온도로 예열하는 것은 상기 전처리 척(310)의 제 1 가열 수단(301)으로 상기 회로 기판(P)을 제 1 온도로 예열하는 것을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 제 2 온도로 가열하며 상기 언더필 물질(UM)을 도포하는 단계(S122)는 상기 제 1 온도로 예열된 상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)의 도포 척(410) 상으로 이동하고, 상기 회로 기판(P)을 도포 수단(420)의 하부 가까이 이동하고, 상기 회로 기판(P)을 상기 제 2 온도로 가열하고, 상기 회로 기판(P)의 상기 일 표면 상에 상기 언더필 물질(UM)을 도포하는 것을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 도포 수단(420)의 하부 가까이 이동하는 것은 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 전처리 척(410)을 상승하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 특징에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 회로 기판(P)의 상기 일 표면 상에 상기 언더필 물질(UM)을 도포하기 전, 상기 회로 기판(P)을 상기 도포 수단(420) 가까이 이동한다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 특징에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 언더필 물질을 정확한 위치에 도포할 수 있다. 또한, 본 발명의 기술적 특징에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 회로 기판(P)의 상기 일 표면 상에 상기 언더필 물질을 도포하는 공정에 의해 다른 공정이 지연되는 것을 방지할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 제 2 온도로 가열하는 것은 상기 전처리 척(410)의 제 2 가열 수단(401)으로 상기 회로 기판(P)을 상기 제 2 온도로 가열하는 것을 포함할 수 있다. 상기 제 2 온도는 상기 제 1 온도보다 높을 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 제 1 온도로 예열된 상기 회로 기판(P)을 상기 제 2 온도로 가열한다. 상기 제 2 온도는 상기 제 1 온도보다 높을 수 있다. 즉, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 회로 기판(P)을 가열하는 온도를 점차적으로 증가할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자는 상기 회로 기판(P)이 순간적으로 큰 온도 차를 갖게 되는 것을 방지할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자는 상기 회로 기판(P)에 순간적인 온도 차에 의해 발생하는 손상을 방지할 수 있다.
상기 회로 기판(P)의 상기 일 표면 상에 상기 언더필 물질(UM)을 도포하는 것은 상기 도포 수단(420)의 도포 노즐(427)을 상기 반도체 칩(C)의 측면 가까이 이동하고, 상기 언더필 물질(UM)을 상기 반도체 칩(C)의 측면 가까이 도포하는 것을 포함할 수 있다.
상기 반도체 칩(C)의 측면 가까이 도포된 상기 언더필 물질(UM)은 모세관 현상(capillary effect)에 의해 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간으로 유입될 수 있다. 상기 언더필 물질(UM)은 상기 접속 부재들(S)을 둘러쌀 수 있다.
상기 회로 기판(P)의 상기 일 표면 상에 상기 언더필 물질(UM)을 도포하는 것은 상기 회로 기판(P)을 상기 제 2 온도로 가열하는 것과 동시에 수행될 수 있다. 상기 제 2 온도로 가열된 상기 회로 기판(P)은 상기 언더필 물질(UM)의 점성을 낮출 수 있다. 이에 따라, 상기 언더필 물질(UM)은 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간에 빠르게 유입될 수 있다.
상기 도포 수단(420)의 상기 도포 노즐(427)을 상기 반도체 칩(C)의 측면 가까이 이동하는 것은 상기 도포 수단(420)의 제 1 고정 슬라이더(422)를 상기 도포 수단(420)의 제 1 고정 레일(421)을 따라 제 1 방향(X)으로 이동하고, 상기 도포 수단(420)의 제 1 이동 슬라이더(424)를 상기 도포 수단(420)의 제 1 이동 레일(423)을 따라 제 2 방향(Y)으로 이동하는 것을 포함할 수 있다.
상기 언더필 물질(UM)을 진공 상태에서 제 3 온도로 가열하는 단계(S123)는 상기 언더필 물질(UM)을 포함하는 상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)의 후처리 척(510) 상으로 이동하고, 상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)의 후처리 커버(520)의 내부로 이동하고, 상기 후처리 커버(520)를 밀폐하고, 상기 후처리 커버(520)의 내부를 진공 상태로 유지하고, 상기 언더필 물질(UM)을 상기 제 3 온도로 가열하는 것을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)의 상기 후처리 척(510) 상으로 이동하는 것은 상기 언더필 설비(1)의 제 3 이송 수단(260)을 상기 제 1 이송 수단(220) 상으로 이동하고, 상기 회로 기판(P)을 상기 제 3 이송 수단(260)에 고정하고, 상기 제 3 이송 수단(260)을 상승하여 상기 회로 기판(P)을 상기 제 1 이송 수단(240)으로부터 이격하고, 상기 제 3 이송 수단(260)을 상기 후처리 척(510) 상으로 이동하고, 상기 제 3 이송 수단(260)을 하강하여 상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 척(510) 상에 안착하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제 3 이송 수단(260)을 상기 제 1 이송 수단(220) 상으로 이동하는 것은 상기 제 3 이송 수단(260)의 제 2 고정 슬라이더(262)를 상기 제 3 수단(260)의 제 2 고정 레일(261)을 따라 제 1 방향(X)으로 이동하고, 상기 제 3 이송 수단(260)의 제 2 이동 슬라이더(264)를 상기 제 3 이송 수단(260)의 제 2 이동 레일(263)을 따라 제 2 방향(Y)으로 이동하는 것을 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)의 제 3 이송 수단(260)에 고정하는 것은 상기 제 3 이송 수단(260)의 상하 레일(265)을 상기 제 1 이송 수단(220) 상으로 이동하고, 상기 제 3 이송 수단(260)의 상하 슬라이더(266)를 하강하고, 상기 제 3 이송 수단(260)의 제 1 고정 걸쇠(269a) 및 제 2 고정 걸쇠(269b)를 상기 제 3 이송 수단(260)의 고정 바(267)의 중심 방향으로 이동하고, 상기 제 1 고정 걸쇠(269a) 및 상기 제 2 고정 걸쇠(269b)를 상기 회로 기판(P)의 가장 자리에 접촉하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제 3 이송 수단(260)을 하강하여 상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 척(510) 상에 안착하는 것은 상기 제 3 이송 수단(260)을 상기 후처리 척(510)과 중첩되지 않는 영역으로 이동하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 이송 수단(260)을 하강하여 상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 척(510) 상에 안착하는 것은 상기 제 1 고정 걸쇠(269a) 및 상기 제 2 고정 걸쇠(269b)를 상기 고정 바(267)의 가장 자리 방향으로 이동하고, 상기 제 2 이동 레일(263)을 상기 제 1 이송 수단(220) 상으로 이동하는 것을 포함할 수 있다. 상기 제 3 이송 수단(260)을 하강하여 상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 척(510) 상에 안착하는 것은 상기 상하 레일(265)을 제 2 고정 레일(261) 방향으로 이동하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 커버(520)의 내부로 이동하는 것은 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 후처리 척(510)을 제 3 척 구동부(511)을 이용하여 상승하는 것을 포함할 수 있다.
상기 후처리 커버(520)를 밀폐하는 것은 상기 후처리 커버(520)의 개구된 영역을 상기 후처리 척(510)으로 덮는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 후처리 커버(520)를 밀폐하는 것은 상기 제 3 척 구동부(511)를 이용하여 상기 후처리 척(510)을 상승하고, 상기 후처리 척(510)을 상기 후처리 커버(520)의 개구된 하부에 밀착하는 것을 포함할 수 있다. 상기 후처리 커버(520)를 밀폐하는 것은 상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 커버(520)의 내부로 이동하는 것과 동시에 수행될 수 있다.
상기 후처리 커버(520)의 내부를 진공 상태로 유지하는 것은 상기 후처리 척(510)의 제 3 진공 홀들(502)을 이용하여 상기 후처리 커버(520)의 내부를 배기하는 것을 포함할 수 있다.
상기 언더필 물질(UM)을 상기 제 3 온도로 가열하는 것은 상기 후처리 척(510)의 제 3 가열 수단(501)으로 상기 회로 기판(P)을 가열하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 회로 기판(P)과 반도체 칩(C) 사이의 공간에 채워진 상기 언더필 물질(UM)을 진공 상태에서 상기 제 3 온도로 가열한다. 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 공간에 채워진 상기 언더필 물질(UM)은 내부에 보이드를 포함할 수 있다. 상기 언더필 물질(UM) 내부의 보이드는 상기 회로 기판(P)과 상기 반도체 칩(C) 사이의 접속 부재들(S)의 배열에 의해 발생할 수 있다. 상기 언더필 물질(UM)은 진공 상태에서 상기 보이드 주변의 압력이 변화하여 상기 보이드의 크기가 감소할 수 있다. 상기 제 3 온도는 상기 언더필 물질(UM)의 점성을 낮출 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 언더필 물질(UM)을 진공 상태에서 상기 제 3 온도로 가열하여 상기 언더필 물질(UM) 내부의 보이드를 단시간에 제거될 수 있다.
계속해서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)로부터 언로딩하는 단계(S130)를 포함할 수 있다.
상기 회로 기판(P)을 상기 언더필 설비(1)로부터 언로딩하는 단계(S130)는 상기 제 3 이송 수단(260)을 상기 후처리 척(510) 상으로 이동하고, 상기 회로 기판(P)을 상기 제 3 이송 수단(260)에 고정하고, 상기 제 3 이송 수단(260)을 상승하여 상기 회로 기판(P)을 상기 후처리 척(510)으로부터 이격하고, 상기 제 3 이송 수단(260)을 제 2 이송 수단(240) 상으로 이동하고, 상기 제 3 이송 수단(260)을 하강하여 상기 회로 기판(P)을 상기 제 2 이송 수단(240) 상에 안착하는 것을 포함할 수 있다.
도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 제 3 이송 수단을 나타낸 측면도이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 제 3 이송 수단(260)은 제 2 이동 레일(263), 제 2 이동 슬라이더(264), 상하 레일(265), 상하 슬라이더(266), 고정 바(267) 및 흡착 수단(271)을 포함할 수 있다.
상기 흡착 수단(271)은 상기 언더필 물질(UM)을 포함하는 상기 회로 기판(P)을 고정할 수 있다. 상기 흡착 수단(271)은 상기 고정 바(267)의 양측 가장 자리에 위치할 수 있다. 상기 흡착 수단(271)은 상기 고정 바(267)에서 제 1 방향(X)으로 배열될 수 있다.
도 17은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부를 나타낸 사시도이다. 도 18 내지 도 24는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부 일부를 나타낸 도면들이다.
도 17 내지 24를 참조하면 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부(PP)는 메인 몸체(210), 제 4 이송 수단(280), 제 3 간격 조절 수단(290), 전처리 척(310), 도포 척(410), 도포 수단(420), 후처리 척(510) 및 후처리 커버(520)를 포함할 수 있다.
도 18 및 19에 도시된 바와 같이, 상기 제 4 이송 수단(280)은 상기 제 1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 상기 제 4 이송 수단(280)은 제 3 좌측 벨트(281), 제 3 좌측 벽(282), 제 3 우측 벨트(283), 제 3 우측 벽(284), 제 3 벨트 축(285) 및 제 3 벨트 구동부(286)를 포함할 수 있다.
상기 제 3 좌측 벨트(281)와 상기 제 3 우측 벨트(283) 사이의 이격 거리는 회로 기판(P)의 수평 폭보다 클 수 있다. 상기 제 3 좌측 벨트(281)와 상기 제 3 우측 벨트(283) 사이의 이격 거리는 상기 후처리 척(510)의 수평 폭보다 클 수 있다. 상기 전처리 척(310), 상기 도포 척(410) 및 상기 후처리 척(510)은 상기 제 4 이송 수단(280) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 전처리 척(310)의 수평 폭 및 상기 도포 척(410)의 수평 폭은 상기 후처리 척(510)의 수평 폭과 동일할 수 있다.
상기 제 4 이송 수단(280)은 이송 보드(B)를 더 포함할 수 있다. 상기 이송 보드(B)는 상기 제 4 이송 수단(280)에 의해 상기 전처리 척(310), 상기 도포 척(410) 및 상기 후처리 척(510) 상으로 이동할 수 있다. 상기 이송 보드(B) 상에는 상기 회로 기판(P)이 안착될 수 있다. 상기 이송 보드(B)는 관통 홀들(H)을 포함할 수 있다. 상기 관통 홀들(H)은 상기 전처리 척(310)의 제 1 진공 홀들(302), 상기 도포 척(410)의 제 2 진공 홀들(402) 및 상기 후처리 척(510)의 제 3 진공 홀들(502)과 수직 정렬될 수 있다.
상기 이송 보드(B)의 수평 폭은 상기 제 3 좌측 벨트(281)와 상기 제 3 우측 벨트(283) 사이의 이격 거리보다 클 수 있다. 상기 이송 보드(B)의 수평 폭은 상기 제 3 좌측 벽(282)과 상기 제 3 우측 벽(284) 사이의 이격 거리보다 작을 수 있다. 상기 이송 보드(B)는 상기 제 4 이송 수단(280)의 상기 제 3 좌측 벨트(281) 및 상기 제 3 우측 벨트(283) 상에 위치할 수 있다.
도 24에 도시된 바와 같이, 상기 이송 보드(B)의 수평 폭은 상기 후처리 커버(520)의 수평 폭과 동일할 수 있다. 상기 이송 보드(B)의 수평 길이는 상기 후처리 커버(520)의 수평 길이와 동일할 수 있다. 상기 이송 보드(B)는 상기 후처리 커버(520)의 개구된 하부를 덮을 수 있다. 상기 후처리 커버(520)의 내부는 상기 이송 보드(B)에 의해 밀폐될 수 있다.
상기 제 3 간격 조절 수단(290)은 상기 제 4 이송 수단(280)의 간격을 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 간격 조절 수단(290)은 상기 제 4 이송 수단(280)의 상기 제 3 좌측 벽(282)을 상기 제 2 방향(Y)으로 이동할 수 있다.
도 21에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 간격 조절 수단(290)은 제 3 좌측 레일(291), 제 3 좌측 슬라이더(292), 제 3 우측 레일(293), 제 3 우측 슬라이더(294), 제 3 브릿지(295), 제 3 너트(296), 제 3 간격 축(297) 및 제 3 간격 구동부(298)을 포함할 수 있다.
상기 제 3 좌측 레일(291) 및 상기 제 3 우측 레일(293)은 제 2 방향(Y)으로 연장될 수 있다. 상기 제 3 좌측 레일(291) 및 상기 제 3 우측 레일(293)은 평행할 수 있다. 상기 제 3 간격 축(297)은 상기 제 3 좌측 레일(291)과 상기 제 3 우측 레일(293) 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 3 브릿지(295)는 상기 제 3 좌측 슬라이더(292) 및 상기 제 3 우측 슬라이더(294)를 연결할 수 있다. 상기 제 3 너트(296)는 상기 제 3 브릿지(295)와 결합될 수 있다. 상기 제 3 너트(296)는 상기 제 3 간격 축(297)을 따라 이동할 수 있다. 상기 제 3 간격 구동부(298)는 상기 제 3 간격 축(297)을 회전할 수 있다.
도 25 및 26은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역을 나타낸 도면들이다.
도 25 및 26을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 언더필 설비의 공정부의 후처리 영역 상에는 제 3 이송 수단(260), 후처리 척(510), 후처리 커버(520) 및 커버 진공 펌프(530)가 위치할 수 있다.
상기 커버 진공 펌프(530)는 상기 후처리 커버(520)의 내부를 배기할 수 있다. 예를 들어, 상기 커버 진공 펌프(530)는 회로 기판(P)의 언더필 물질(UM)을 제 3 온도로 가열하는 동안 상기 후처리 커버(520)의 내부를 진공 상태로 유지될 수 있다.
상기 후처리 커버(520)는 내측에 커버 가열 수단(521)을 더 포함할 수 있다. 상기 커버 가열 수단(521)은 상기 후처리 커버(520)의 내부로 이동된 상기 회로 기판(P)의 상기 언더필 물질(UM)을 상기 제 3 온도로 가열할 수 있다.
210 : 메인 몸체 220 : 제 1 이송 수단
230 : 제 1 간격 조절 수단 240 : 제 2 이송 수단
250 : 제 2 간격 조절 수단 260 : 제 3 이송 수단
310 : 전처리 척 410 : 도포 척
420 : 도포 수단 510 : 후처리 척
520 : 후처리 커버
230 : 제 1 간격 조절 수단 240 : 제 2 이송 수단
250 : 제 2 간격 조절 수단 260 : 제 3 이송 수단
310 : 전처리 척 410 : 도포 척
420 : 도포 수단 510 : 후처리 척
520 : 후처리 커버
Claims (10)
- 반도체 칩을 포함하는 회로 기판을 언더필 설비에 로딩하고,
상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 전처리 척 상으로 이동하고,
상기 전처리 척 상에 안착된 상기 회로 기판을 예열하고,
상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 도포 척 상으로 이동하고,
상기 도포 척 상에 안착된 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 언더필 물질을 채우고,
상기 언더필 물질을 포함하는 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 후처리 척 상으로 이동하고,
상기 후처리 척 상에 안착된 상기 회로 기판의 상기 언더필 물질을 진공 상태에서 가열하고,
상기 언더필 물질이 진공 상태에서 가열된 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비로부터 언로딩하는 것을 포함하고,
상기 회로 기판을 예열하는 것, 상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 상기 언더필 물질을 채우는 것, 및 상기 회로 기판의 상기 언더필 물질을 진공 상태에서 가열하는 것은 상기 언더필 설비 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 회로 기판의 상기 언더필 물질을 진공 상태에서 가열하는 것은 상기 회로 기판을 후처리 커버의 내부로 이동하고, 상기 후처리 커버를 밀폐하고, 상기 후처리 커버의 내부를 진공 상태로 유지하고, 상기 언더필 물질을 가열하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 후처리 커버를 밀폐하는 것은 상기 후처리 척으로 상기 후처리 커버의 개구된 영역을 덮는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 후처리 척으로 상기 후처리 커버의 개구된 영역을 덮는 것은 상기 회로 기판을 상기 후처리 커버의 내부로 이동하는 것과 동시에 수행되는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 후처리 커버의 내부를 진공 상태로 유지하는 것은 상기 후처리 척의 진공 홀을 통해 상기 후처리 커버의 내부를 배기하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 언더필 물질을 가열하는 것은 상기 후처리 척의 가열 수단으로 상기 회로 기판을 가열하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 회로 기판을 상기 언더필 설비로 로딩하는 것은 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 제 1 이송 수단 상으로 이동하는 것을 포함하고,
상기 회로 기판을 상기 언더필 설비로부터 언로딩하는 것은 상기 회로 기판을 상기 언더필 설비의 제 2 이송 수단으로 이동하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 회로 기판을 상기 후처리 척 상으로 이동하는 것은 상기 언더필 설비의 제 3 이송 수단에 상기 회로 기판을 고정하고, 상기 제 3 이송 수단을 상승하여 상기 회로 기판을 상기 제 1 이송 수단으로부터 이격하고, 상기 제 3 이송 수단을 상기 후처리 척 상으로 이동하고, 상기 제 3 이송 수단을 하강하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 상기 언더필 물질을 채우는 것은 상기 도포 척의 가열 수단으로 상기 회로 기판을 가열하고, 상기 회로 기판 상에 상기 반도체 칩의 측면 가까이 상기 언더필 물질을 도포하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 회로 기판과 상기 반도체 칩 사이의 공간에 상기 언더필 물질을 채우는 것은 상기 회로 기판을 이송 수단으로부터 이격하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
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