CN116759315A - 高深宽比的玻璃通孔的填充方法，以及半导体芯片 - Google Patents

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CN116759315A CN202310649322.8A CN202310649322A CN116759315A CN 116759315 A CN116759315 A CN 116759315A CN 202310649322 A CN202310649322 A CN 202310649322A CN 116759315 A CN116759315 A CN 116759315A
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张景南
巫碧勤
陈明展
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Abstract

本申请公开一种高深宽比的玻璃通孔的填充方法，所述玻璃通孔设置于半导体用玻璃转接板之上，贯通所述玻璃转接板的第一表面和第二表面。所述填充方法包括：放置所述玻璃转接板于压膜设备之内；利用所述压膜设备对所述玻璃转接板的第一表面进行第一膜压操作；翻转所述玻璃转接板，并利用所述压膜设备对所述玻璃转接板的第二表面进行第二膜压操作，实现所述玻璃通孔的完全填充。本申请通过对玻璃转接板进行双面膜压，实现玻璃通孔的优良填充效果。

Description

高深宽比的玻璃通孔的填充方法，以及半导体芯片
技术领域
本申请涉及工业制造领域，特别是涉及一种高深宽比的玻璃通孔的填充方法，以及基于具备该被填充完全的玻璃通孔的玻璃转接板制备的半导体芯片。
背景技术
为了追求芯片的更高集成度、良好电气性能、较小时序延迟、较短垂直互连等技术参数，相关的封装技术从2D封装向更高级的2.5D和3D封装设计转变。具有玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)的中介层转接板(Interposer)的2.5D封装技术是提高集成度和缩短芯片间互联间距的研究热点之一。玻璃材料的介电性能优于硅基材料，使用玻璃转接板不仅可避免掺杂硅内离子迁移影响，无需制作通孔内衬绝缘层(liner)，降低了工艺复杂度和加工成本。热膨胀系数(CTE)与硅接近，封装热应力不会增加，器件稳定性好，且能降低材料成本。
TGV技术的核心是深孔形成工艺，深孔刻蚀完成后需要对其进行填充。对于高深宽比且形状复杂的通孔，填充工艺难度较大，使用现有的填充方法往往填充效果不佳(如填覆比及平整度不佳)且填充效率不高。例如，通孔填充不完全，存在气泡等。
发明内容
本申请所要解决的技术问题在于，如何避实现高深宽比的玻璃通孔的高效率高质量的填充。
为了解决上述问题，本申请公开一种高深宽比的玻璃通孔的填充方法，所述玻璃通孔设置于半导体用玻璃转接板之上，贯通所述玻璃转接板的第一表面和第二表面；所述填充方法包括：放置所述玻璃转接板于压膜设备之内；利用所述压膜设备对所述玻璃转接板的第一表面进行第一膜压操作；翻转所述玻璃转接板，并利用所述压膜设备对所述玻璃转接板的第二表面进行第二膜压操作，实现所述玻璃通孔的完全填充。
在一个可行的实现方式中，所述压膜设备包括壳体内部的第一腔室、第二腔室、载台以及挠性件；所述第一腔室位于所述第二腔室上方，所述载台设置于所述第二腔室内，用于承载所述玻璃转接板；所述挠性件与所述第一腔室合围形成密闭空间，能够受力于所述密闭空间内的压力而朝向所述载台膨胀；用于膜压的膜设置于所述挠性件下方，所述挠性件在受力后挤压所述膜贴附所述玻璃转接板以填充所述玻璃通孔。
在一个可行的实现方式中，所述第一膜压操作包括对所述第一表面执行至少一次第一膜压流程；单次第一膜压流程包括：调节温度实现所述压膜设备内部维持在第一目标温度；对所述压膜设备内部抽真空实现第一目标真空度；向所述密闭空间通入气体加压至第一目标压力，并维持第一预定时间。
在一个可行的实现方式中，所述第二膜压操作包括对所述第二表面执行至少一次第二膜压流程；单次第二膜压流程包括：调节温度实现所述压膜设备内部维持在第二目标温度；对所述压膜设备内部抽真空实现第二目标真空度；向所述密闭空间通入气体加压至第二目标压力，并维持第二预定时间。
在一个可行的实现方式中，所述第一目标温度和所述第二温度为50℃-100℃，所述第一目标温度和所述第二温度相同或不同。
在一个可行的实现方式中，所述第一目标真空度和所述第二目标真空度为0.1Torr-1Torr，所述第一目标真空度和所述第二目标真空度相同或不同。
在一个可行的实现方式中，所述第一目标压力和所述第二目标压力为3kg/cm2-5kg/cm2，所述第一目标压力和所述第二目标压力相同或不同。
在一个可行的实现方式中，所述第一目标温度和所述第二温度相同，为80℃；所述第一目标真空度和所述第二目标真空度相同，为0.1Torr；所述第一目标压力和所述第二目标压力相同，为5kg/cm2。
在一个可行的实现方式中，所述玻璃通孔的竖截面的形状为双喇叭状；所述膜包括光刻干膜。
本申请另一方面公开了一种半导体芯片。所述半导体芯片根据上述方法制备的玻璃转接板制备本实施例提供的高深宽比的玻璃通孔的填充方法，可以对具有该玻璃通孔的玻璃转接板进行双面膜压，操作简单，且填充效果好，填充效率高。
附图说明
本申请将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
图1是根据本申请的一些实施例所示的玻璃通孔的填充方法的示例性流程图；
图2是根据本申请的一些实施例所示的压膜设备的示例性结构示意图；
图3是根据本申请的一些实施例所示的挠性件的示例性状态示意图；
图4是根据本申请的一些实施例所示的玻璃转接板的的示例性示意图；
图5是根据本申请的一些实施例所示的玻璃通孔的示例性填充状态示意图；
图6是根据本申请的一些实施例所示的气体流路的示例性示意图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中的元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
本文中使用的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”或“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
目前，针对TGV的填充工艺的填充效果不佳，填充效率低下。本申请公开了一种高深宽比的玻璃通孔的填充方法，利用压膜设备对具有该玻璃通孔的玻璃转接板进行双面膜压，工艺简单，填充效果好，填充效率高。
以下参考附图对本申请的一些实施例进行说明。应当注意的是，以下描述是为了说明的目的，并不旨在限制本申请的保护范围。
图1是根据本申请的一些实施例所示的玻璃通孔的填充方法的示例性流程图。所述玻璃通孔可以是开设在半导体用玻璃转接板之上。例如，使用诸如激光刻蚀、激光诱导变性、喷砂、机械钻孔、干法刻蚀、湿法腐蚀、聚焦放电等通孔制造工艺等在玻璃转接板上制造玻璃通孔。例如，如图4所示的玻璃转接板。其大小为8寸或12寸，包括有多个高深宽比的玻璃通孔。形成后玻璃通孔可以贯通玻璃转接板的两个表面(在本申请中，可以被称为第一表面和第二表面)。如图5的(a)所示，玻璃通孔531和玻璃通孔532连通玻璃转接板的第一表面520以及第二表面520。在一些实施例中，所述玻璃通孔可以是高深宽比的通孔。仅作为示例，相较于玻璃转接板150μm或300μm的宽度而言，玻璃通孔的直径在30μm-50μm之间。所述玻璃通孔的形状可以是双喇叭形的(如图5中所示)。例如，较宽开口位于玻璃转接板的表面，较窄开口位于玻璃转接板的内部。整个玻璃通孔的竖截面的形状可以是类似于沙漏形。返回图1，流程100可以包括以下操作。
步骤110，放置所述玻璃转接板于压膜设备之内。
在一些实施例中，所述压膜设备可以是用于对所述玻璃通孔进行填覆的设备。参考图2，图2是根据本申请一些实施例所示的压膜设备的示例性结构示意图。如图2所示，压膜设备200包括壳体(包括上壳体210以及下壳体220)内部的第一腔室211和第二腔室221，载台230以及挠性件240。上壳体210和下壳体220可以具有一敞口。例如，上壳体210和下壳体220的截面形状可以是如“凵”形。各自具有的开放式空腔则可以是第一腔室211和第二腔室221。上壳体210和下壳体220可以在敞口处相互匹配且合围，共同构成了压膜设备200的内部的封闭腔体。合围后，第一腔室211将位于第二腔室221的上方。在一些实施例中，为了保证封闭腔体的密闭性，上壳体210和下壳体220之间的接触面或交界面可以使用密封部件250，例如，密封圈。
载台230可以设置在第二腔室221内部。放置所述玻璃转接板于压膜设备之内可以是放置所述玻璃转接板(如图1中所示的GW)于载台230之上。示例性的，载台230可以是吸附平台，比如真空吸附平台或静电吸附平台等。玻璃转接板GW吸附在载台230之上后，将不易发生偏移，有益于后续的膜压过程。在一些实施例中，载台230是可升降的，能够在垂直方向上调整高度，从而改变放置于其上的玻璃转接板GW的高度。载台230还可以具有加热功能。例如，载台230可以是真空加热吸附平台。通过负压作用实现玻璃转接板GW的吸附固定，通过加热实现玻璃转接板GW的温度调节。
挠性件240可以与第一腔室211合围形成一个密闭空间。例如，挠性件240的外边缘可以与上壳体210的敞开面的边缘固定连接，作为密闭空间的底面。这样，所述密闭空间与第一腔室211的大小相当。又例如，挠性件240的外边缘可以与上壳体210的内侧壁固定连接，作为密闭空间的底面。如此，所述密闭空间可以是第一腔室211的一部分，由挠性件240分隔。在一些实施例中，所述密闭空间内可以被充气加压。例如，上壳体210上可开设有连通所述密闭空间和外界的通路。通过该通路，气体加压设备可以在受控制的情况下向所述密闭空间内通入高压气体。挠性件240受力后可以朝向载台230的方向膨胀，挤压设置在下方的用于膜压的膜F，使膜F贴附玻璃转接板GW，以填充玻璃通孔例如玻璃通孔531和玻璃通孔532。膜F可以包括干膜，例如光刻干膜等。
参考图2和图3，图2和图3是根据本申请的一些实施例所示的挠性件的示例性状态示意图。图2中，所述密闭空间并未通入气体，挠性件240不发生形变。图3中，当向所述密闭空间内通入气体后，挠性件240受力将朝向图3中的箭头所示方向膨胀。而箭头所指方向可以是膜F和承载有玻璃转接板GW的载台230所在方向。挠性件240膨胀后，将挤压膜F朝向载台230方向以贴附玻璃转接板GW。随着压力的增大(比如加入的气体量增多)，挠性件240的膨胀程度将增大，最终可以向玻璃转接板GW施加压力，将膜F压合至玻璃转接板GW之上，并填充其上的玻璃通孔。
在一些实施例中，挠性件240可以是由受力能够膨胀的材质的制备而成。例如，具备弹性的高分子材料比如软性硅胶等。
应当理解，载台230和挠性件240的位置设置最终是为了在所述密闭空间通入气体后，挠性件240可以向载台230上的玻璃转接板GW施加压力，以压合膜F。例如，随挠性件240在上壳体210内部的连接位置，调整载台230的高度，以保证挠性件240受力膨胀后能够较为轻易地向玻璃转接板GW施加稳定压力。
在一些实施例中，压膜设备200还可以包括加热组件(图2中未示出)，例如，感应线圈。加热组件可以对压膜设备200的内部进行加热，以实现膜压时所需的温度。压膜设备200还可以连接有冷却组件(图2中同样未示出)，例如，气体循环管路。在需要对压膜设备200的内部进行降温时，可以通过气体的循环加冷却(例如，使用冷凝设备等)实现。
步骤120，利用所述压膜设备对所述玻璃晶圆的第一表面进行第一膜压操作。
在一些实施例中，所述第一膜压操作可以是对所述第一表面(例如，图5中所示第一表面510)执行至少一次第一膜压流程。例如，所述第一膜压操作可以包括一次第一膜压过程。或者，所述第一膜压操作也可以包括两次或以上第一膜压过程。在一些实施例中，单次的第一膜压流程可以包括调温-真空-通气-稳压。调温可以是指实现压膜设备内部维持在第一目标温度。所述第一目标温度可以是50℃-80℃。例如，50℃、55℃、60℃、65℃、70℃、75℃、80℃等。在一个可行的实施方式中，所述第一目标温度可以是80℃。真空可以是指对所述压膜设备内部进行抽真空以实现第一目标真空度。结合前述的说明，压膜设备200内部的密闭空间和第二腔室221分别具有连通外界的通路(或通孔)。该通路(或通孔)可以连通气体流路(例如，进排气管路)。抽真空设备比如真空泵可以在受控制的情况下对所述密闭空间以及第二腔室221抽真空，以实现压膜设备内部实现第一目标真空度。所述第一目标真空度可以是0.1Torr-1Torr。例如，0.1Torr、0.2Torr、0.3Torr、0.4Torr、0.5Torr、0.6Torr、0.7Torr、0.8Torr、0.9Torr、1Torr等。在一个可行的实施方式中，所述第一目标真空度可以是0.1Torr。通气可以是指向所述密闭空间通入气体加压至第一目标压力。同样的，气体加压设备可以通过前述气体流路向所述密闭空间通入气体。挠性件240所受到的压力将随着气体的通入而增加。通过控制通入的气体的量，可以控制所述密闭空间的气压。所述第一目标压力可以是3kg/cm2-5kg/cm2。例如，3kg/cm2、3.3kg/cm2、3.6kg/cm2、4kg/cm2、4.3kg/cm2、4.6kg/cm2、5kg/cm2等。在一个可行的实施方式中，所述第一目标压力可以是5kg/cm2。稳压可以是指在维持密闭空间内的第一目标压力第一预定时间。所述第一预定时间可以是20s-120s。例如，20s、30s、40s、50s、60s、70s、80s、90s、100s、110s、120s等。在一个可行的实施方式中，所述第一预定时间可以是30s。应当注意的是，上述过程中的某些步骤可以同时进行。例如，调温和真空。
单次的第一膜压过程，可以是在对压膜设备进行加热后，通过气体流路对挠性件240与第一腔室211合围形成的密闭空间和第二腔室221进行抽真空。完毕后继续通过气体流路向密闭空间通入气体加压。在到达目标压力后，维持一段时间即完成一次第一膜压过程。在完成所述第一膜压操作后，膜F将被压覆在玻璃转接板GW的第一表面上，同时填覆部分玻璃通孔。例如，参考图5中(b)中表示膜F的灰色部分。
步骤130，翻转所述玻璃转接板，并利用所述压膜设备对所述玻璃转接板的第二表面进行第二膜压操作，实现所述玻璃通孔的完全填充。
在一些实施例中，所述玻璃转接板的翻转可以是通过自动实现，或外界干预实现。例如，压膜设备200的第二腔室221中设置有机械手。该机械手可以接受外部指令夹取完成第一膜压操作的玻璃转接板，随后翻转。又例如，在完成所述第一膜压操作后，压膜设备200的上壳体210和下壳体220可以打开，操作员可以手工对玻璃转接板进行翻转。
在一些实施例中，所述第二膜压操作可以是对所述第二表面(例如，图5中所示第二表面520)执行至少一次第二膜压流程。例如，所述第二膜压操作可以包括一次第二膜压过程。或者，所述第二膜压操作也可以包括两次或以上第二膜压过程。单次第二膜压操作可以与单次第一膜压操作相同或类似，也可以是调温-真空-通气-稳压。例如，在调温中，压膜设备内部的温度可以维持在第二目标温度。所述第二目标温度可以为50℃-100℃，可以与所述第一目标温度相同或不同。又例如，在真空中，在压膜设备内部实现第二目标真空度。所述第二目标真空度可以是0.1Torr-1Torr，可以与所述第一目标真空度相同或不同。再例如，在通气中，所述密闭空间在通入气体将被加压至第二目标压力。所述第二目标压力可以是3kg/cm2-5kg/cm2，可以与所述第一目标压力相同或不同。还例如，在稳压中，所述密闭空间内的第二目标压力可以被维持第二预定时间。所述第二预定时间可以是X-X，可以与所述第一预定时间相同或不同。
相同的或类似的，单次第二膜压过程，可以是在对压膜设备进行加热后，通过气体流路对挠性件240与第一腔室211合围形成的密闭空间和第二腔室221进行抽真空。完毕后继续通过气体流路向密闭空间通入气体加压。在到达目标压力后，维持一段时间即完成一次第二膜压过程。在完成所述第二膜压操作后，膜F将被压覆在玻璃转接板GW的第二表面上，同时完全填覆玻璃通孔。例如，参考图5中(c)中表示膜F的灰色部分。
在一些实施例中，所述第一膜压操作可以包括一次第一膜压过程，所述第二膜压操作可以包括一次第二膜压过程。所述第一膜压过程和所述第二膜压过程中涉及的工艺参数可以是相同的。例如，所述第一目标温度与所述第二目标温度相同，均为80℃；所述第一目标真空度与所述第二目标真空度相同，均为0.1Torr；所述第一目标压力与所述第二目标压力相同，均为5kg/cm2。所述第一预设时间和所述第二预设时间相同，均为30s。双面单次膜压，结合玻璃转接板的自动翻转，可以在一次膜压参数调节中完成玻璃通孔的完全填充，填充效率高。
以下对压膜设备相关的气体流路进行示例性说明。参考图6，图6是根据本申请一些实施例所示的气体流路的示例性示意图。如图6所示，气体流路600可以包括进排气管路610和抽真空管路620。进排气管路610可以包括进气端611、阀门612以及第一开关阀613。进气端611可以连接气源，例如，空气源、氮气源等。可以用于气体的进入。阀门612包括第一端a、第二端b和第三端c。第一端a连接进气端611，第二端b连接第一开关阀613，第三端c为排气端。当气体由进气端611进入第一端a时，气体由第一端a经阀门612的内部进入第二端b；当所述密闭空间310内的气体经第一开关阀613进入第二端b时，气体由第二端b经阀门612的内部进入第三端c以排出。
也就是说，阀门612可以为三通阀门，其连接于进气端611和第一开关阀613之间。在向所述密闭空间通入气体(例如，加压)和向外排出气体以改变密闭空间内的压力(例如，降压)的过程中，第一开关阀613都可以是处于开启状态。示例性的，加压过程可以是气体由进气端611进入后，经由阀门612从第一端a流向至第二端b，再流向至第一开关阀613，进而流入所述密闭空间内。降压过程可以是气体从所述密闭空间内流出通过第一开关阀613后，经由阀门612从第二端b流向至第三段c，从而排出。通过上述设置，可以实现快速排气降压，以及充放气过程的快速切换。
在一些可实现方式中，进气端611与阀门612之间还可以设置有电控比例阀614。通过电控比例阀614可以设定加压压力值，进而准确控制进气量。
抽真空管路420包括可以包括抽气端621、第二开关阀622以及第三开关阀623。第二开关阀622可以经管路连通所述密闭空间。当需对所述密闭空间抽真空时，可以开启第二开关阀622，抽气端621通过管路将所述密闭空间内的气体向外抽出。第三开关阀623的一端可以连接抽气端621，另一端连通第二腔室221。也就是说，抽真空管路620还可以对第二腔室221进行抽真空处理，且可通过第三开关阀623单独控制。例如，在前述真空操作阶段，可以开启第二开关阀622以及第三开关阀623同时单独地对所述密闭空间和第二腔室211进行抽真空。由于第二开关阀622以及第三开关阀623可以单独的开闭，因此，所述密闭空间和第二腔室211的抽真空过程可以单独地进行控制。
需要说明的是，第二开关阀622所连接的抽气端与第三开关阀所连接的抽气端可以是同一个(例如，图6中所示的抽气端621)，也可以是独立设置的两个。在实际应用中，对此不做绝对限制。
在一些可实现方式中，气体流路600还可以压力表630。该压力表设置在所述密闭空间直接连通的管路上，用于实时获知管路中的气体压力。
本申请所披露的高深宽比的玻璃通孔的填充方法，具有该玻璃通孔的玻璃转接板GW可以首先放置于压膜设备200的载台230的承载面上，膜F可以引导铺设在第二腔室221的上端敞口处。在铺设过程中，为了防止玻璃转接板GW与膜F的提前接触，载台230可以控制下降，以调整高度。随后，压膜设备200的上壳体210和下壳体220可以合闭，以将第一腔室211和第二腔室221合围成压膜设备200的封闭内腔。在放置好玻璃晶圆GW以及膜F之后，可控制外部设备(例如，真空泵)通过气体流路600(例如，抽真空管路620)对由挠性件240与第一腔室211合围形成的密闭空间以及第二腔室221进行抽真空，形成真空环境。在抽真空之前、同时、或之后，可以开启压膜设备200的加热部件，以对封闭内腔进行加热。在形成真空环境后，载台240可以被控制上升以靠近膜F，以便在后续的膜压过程中，挠性件240可以较为容易地将膜F挤压至玻璃晶圆GW之上。载台240的位置调整完毕后，可控制外部设备(例如，风机或增压泵)通过气体流路600(例如，进排气管路610)向所述密闭空间内通入气体，以增加密闭空间内的压力。挠性件240受到该压力的作用，将朝向载台230膨胀，以将膜F挤压至玻璃晶圆GW的表面。在恒压维持阶段，膜F将被持续挤压从而压覆在玻璃晶圆GW的表面，同时填充至玻璃通孔内。在完成一面压膜后，玻璃晶圆GW可以被翻转。与前述相同或相似的过程可以再次执行，以完成玻璃晶圆GW的另一面的压膜。
应当注意的是，上述有关图1中的各个步骤的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本说明书的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本说明书的指导下可以对图1中的各个步骤进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本说明书的范围之内。
本申请所公开的高深宽比的玻璃通孔的填充方法，可以对具有该玻璃通孔的玻璃转接板进行双面膜压，操作简单，且填充效果好，填充效率高。相较于单面膜压或单面的多次膜压，能够有效避免气泡的产生。
本申请另一方面公开了一种半导体芯片。所述半导体芯片可以是基于前述填充完毕后的玻璃转接板制备而成。例如，将填覆的玻璃转接板进行图案化(例如，曝光-显影-固化)，再通过化学电镀的方式将金属层线路沉积于通孔处，完成TGV的初步RDL制程。再经过后续步骤实现芯片制备。由于玻璃通孔的填充优良，可以提升芯片的产品性能和可靠性。
本文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。
应当注意的是，为了简化本说明书披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本说明书实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本说明书对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本说明书一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
最后，应当理解的是，本说明书中所述实施例仅用以说明本说明书实施例的原则。其他的变形也可能属于本说明书的范围。因此，作为示例而非限制，本说明书实施例的替代配置可视为与本说明书的教导一致。相应地，本说明书的实施例不仅限于本说明书明确介绍和描述的实施例。

Claims (10)

1.一种高深宽比的玻璃通孔的填充方法，所述玻璃通孔设置于半导体用玻璃转接板之上，贯通所述玻璃转接板的第一表面和第二表面；其特征在于，所述填充方法包括：
放置所述玻璃转接板于压膜设备之内；
利用所述压膜设备对所述玻璃转接板的第一表面进行第一膜压操作；
翻转所述玻璃转接板，并利用所述压膜设备对所述玻璃转接板的第二表面进行第二膜压操作，实现所述玻璃通孔的完全填充。
2.根据权利要求1所述的填充方法，其特征在于，所述压膜设备包括壳体内部的第一腔室、第二腔室、载台以及挠性件；所述第一腔室位于所述第二腔室上方，所述载台设置于所述第二腔室内，用于承载所述玻璃转接板；所述挠性件与所述第一腔室合围形成密闭空间，能够受力于所述密闭空间内的压力而朝向所述载台膨胀；
用于膜压的膜设置于所述挠性件下方，所述挠性件在受力后挤压所述膜贴附所述玻璃转接板以填充所述玻璃通孔。
3.根据权利要求2所述的填充方法，其特征在于，所述第一膜压操作包括对所述第一表面执行至少一次第一膜压流程；单次第一膜压流程包括：
调节温度实现所述压膜设备内部维持在第一目标温度；
对所述压膜设备内部抽真空实现第一目标真空度；
向所述密闭空间通入气体加压至第一目标压力，并维持第一预定时间。
4.根据权利要求3所述的填充方法，其特征在于，所述第二膜压操作包括对所述第二表面执行至少一次第二膜压流程；单次第二膜压流程包括：
调节温度实现所述压膜设备内部维持在第二目标温度；
对所述压膜设备内部抽真空实现第二目标真空度；
向所述密闭空间通入气体加压至第二目标压力，并维持第二预定时间。
5.根据权利要求4所述的填充方法，其特征在于，
所述第一目标温度和所述第二温度为50℃-100℃，所述第一目标温度和所述第二温度相同或不同。
6.根据权利要求4所述的填充方法，其特征在于，
所述第一目标真空度和所述第二目标真空度为0.1Torr-1Torr，所述第一目标真空度和所述第二目标真空度相同或不同。
7.根据权利要求4所述的填充方法，其特征在于，
所述第一目标压力和所述第二目标压力为3kg/cm2-5kg/cm2，所述第一目标压力和所述第二目标压力相同或不同。
8.根据权利要求4所述的填充方法，其特征在于，
所述第一目标温度和所述第二温度相同，为80℃；
所述第一目标真空度和所述第二目标真空度相同，为0.1Torr；
所述第一目标压力和所述第二目标压力相同，为5kg/cm2。
9.根据权利要求2所述的填充方法，其特征在于，所述玻璃通孔的竖截面的形状为双喇叭状；所述膜包括光刻干膜。
10.半导体芯片，所述半导体芯片基于如权利要求1-9中任一项所述方法制备的玻璃转接板制备。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN117650062A (zh) * 2023-10-27 2024-03-05 南京屹立芯创半导体科技有限公司 封装方法，以及半导体器件

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