JP2008288433A - 実装基板の樹脂モールド方法とその装置および樹脂モールド実装基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 実装基板の放熱性を向上させ、電気絶縁性を確保するとともにモールド表面のフラット性、寸法精度を向上させ、さらに実使用において十分な強度を確保する。
【解決手段】 本発明の樹脂モールド方法は、電子部品の表面へ樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程と、金型内に設置して注型用の樹脂をモールドするモールド工程とを有している。また、本発明の樹脂モールド装置は、樹脂槽から金型内に樹脂を充填してモールドする樹脂充填装置と、実装基板1を固定する固定治具6と、固定治具を装着し回転させる回転装置7と、固定された実装基板の電子部品の表面に樹脂を塗布する樹脂塗布装置と、塗布された樹脂を脱気する真空槽3とを有している。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明の樹脂モールド方法は、電子部品の表面へ樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程と、金型内に設置して注型用の樹脂をモールドするモールド工程とを有している。また、本発明の樹脂モールド装置は、樹脂槽から金型内に樹脂を充填してモールドする樹脂充填装置と、実装基板1を固定する固定治具6と、固定治具を装着し回転させる回転装置7と、固定された実装基板の電子部品の表面に樹脂を塗布する樹脂塗布装置と、塗布された樹脂を脱気する真空槽3とを有している。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子部品を搭載した実装基板の樹脂モールド方法およびその装置に関するものである。
従来、電気・電子機器分野において、外部環境からの保護や機密保持などを目的に電子部品の実装基板を樹脂モールドすることは広く実用化されており、その方法として、電子部品を実装した基板を金型内に設置し、樹脂材料を金型内に充填して成形する方法などが挙げられる(例えば、特許文献1参照)。
また、近年、電子機器の小形化、高機能化に伴い、電子部品のさらなる高密度実装化が要求されており、これに応えるため、電子部品が実装された基板の樹脂モールドにおいて、電子部品の発熱を速やかに外部へ放熱するための高熱伝導性や絶縁距離短縮のための電気絶縁性の高い樹脂が使用されている(例えば、特許文献2参照)。
また、近年、電子機器の小形化、高機能化に伴い、電子部品のさらなる高密度実装化が要求されており、これに応えるため、電子部品が実装された基板の樹脂モールドにおいて、電子部品の発熱を速やかに外部へ放熱するための高熱伝導性や絶縁距離短縮のための電気絶縁性の高い樹脂が使用されている(例えば、特許文献2参照)。
電子部品の周辺を樹脂で覆い、放熱特性の向上を図った従来技術として、電磁シールドのための板金製ケースにより形成される密閉空間を樹脂で充填し、ケース内部に実装された電子部品の発熱をケース外表面に逃がすようにしたものがある(特許文献3参照)。
また、樹脂モールドにより電子機器の小形化を図ったその他の技術として、複数の電子部品を熱可塑性樹脂でモールドして一体化することで回路基板を不要とし、さらに、熱可塑性樹脂による一次成形の後、金属粉などを混入した熱伝導性のよい樹脂により放熱層を二次成形したものがある(特許文献4参照)。
特開平9−92668号公報(第3頁、図1)
特開2002−343935号公報(第2−3頁、図1)
特開平5−67893号公報(第3頁、図1)
特開平7−202453号公報(第3頁、図3)
ところが、高熱伝導性の樹脂では、樹脂中のフィラー成分の配合率が高められているため、モールド樹脂の粘度が高くなり、電子部品の端子間などの微小間隔へのモールドが困難となる。これら微小間隔には熱伝導性、電気絶縁性が共に低い空気が残存したボイドが形成され、放熱性や、電気絶縁性など所望の機能を得ることができない。また、ボイドや、局部的陥没などの影響によって、樹脂モールド表面のフラット性や、寸法精度などが十分なものが得られないといった問題があった。そのため、電子部品の実装基板のモールド樹脂として高熱伝導性樹脂を適用することができなかった。
特に、特許文献3の発明の場合、ケース内部といった密閉された空間を樹脂モールドするため、樹脂の充填不良といった問題から樹脂粘度を高くすることができず、高熱伝導性樹脂を適用することができなかった。また、特許文献4の発明の場合、電子部品と放熱層が熱可塑性樹脂により分断されているため、熱可塑性樹脂での熱伝導が律速となり、電子部品の発熱を効率よく外部へ逃がすことができなかった。さらに、フィラー量が多くなるに従い、硬化後において非常に硬く、脆い材料になるため、放熱層の強度が十分に得られない。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、樹脂モールドの前に電子部品に樹脂を塗布し、実装基板の微小間隔に残存するボイドをなくすことにより、放熱性を向上させ、電気絶縁性を確保しさらにモールド表面のフラット性、寸法精度を向上させ、十分な強度を確保することを目的とする。
特に、特許文献3の発明の場合、ケース内部といった密閉された空間を樹脂モールドするため、樹脂の充填不良といった問題から樹脂粘度を高くすることができず、高熱伝導性樹脂を適用することができなかった。また、特許文献4の発明の場合、電子部品と放熱層が熱可塑性樹脂により分断されているため、熱可塑性樹脂での熱伝導が律速となり、電子部品の発熱を効率よく外部へ逃がすことができなかった。さらに、フィラー量が多くなるに従い、硬化後において非常に硬く、脆い材料になるため、放熱層の強度が十分に得られない。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、樹脂モールドの前に電子部品に樹脂を塗布し、実装基板の微小間隔に残存するボイドをなくすことにより、放熱性を向上させ、電気絶縁性を確保しさらにモールド表面のフラット性、寸法精度を向上させ、十分な強度を確保することを目的とする。
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項1に記載の発明は、電子部品が実装された実装基板を樹脂によりモールドする実装基板の樹脂モールド方法において、前記電子部品の表面へ樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程と、前記脱気工程の後、金型内に設置して前記樹脂と同種の注型用の樹脂をモールドするモールド工程とを有したものである。
請求項2に記載の発明は、電子部品が実装された実装基板を樹脂によりモールドする実装基板の樹脂モールド方法において、前記電子部品の表面へ高熱伝導性樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程と、前記脱気の後、金型内に設置して注型用の樹脂をモールドするモールド工程とを有したものである。
請求項3に記載の発明は、前記注型用の樹脂の注型時の粘度を10Pa・s以下にしたものである。
請求項4に記載の発明は、電子部品を実装した実装基板を設置する金型と、樹脂を貯留する樹脂槽と、前記樹脂槽から金型内に樹脂を充填してモールドする樹脂充填装置とを有する樹脂モールド装置において、前記実装基板を固定する固定治具と、前記固定治具を装着し回転させる回転装置と、前記固定された実装基板の電子部品の表面に樹脂を塗布する樹脂塗布装置と、前記塗布された樹脂を脱気する真空装置とを有するものである。
請求項5に記載の発明は、前記樹脂充填装置は、樹脂塗布装置を兼ねたものである。
請求項6に記載の発明は、前記真空装置の内部に前記金型、前記固定治具、前記回転装置、前記樹脂塗布装置が設置されたものである。
請求項7に記載の発明は、樹脂によりモールドされた電子部品の実装基板において、放熱構造を必要とする前記電子部品の少なくとも表面に、前記樹脂がモールドされる前に予め真空脱気した樹脂が塗布されたものである
請求項8に記載の発明は、前記予め塗布された樹脂を粉末状アルミナが配合された高熱伝導性樹脂としたものである。
請求項1に記載の発明は、電子部品が実装された実装基板を樹脂によりモールドする実装基板の樹脂モールド方法において、前記電子部品の表面へ樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程と、前記脱気工程の後、金型内に設置して前記樹脂と同種の注型用の樹脂をモールドするモールド工程とを有したものである。
請求項2に記載の発明は、電子部品が実装された実装基板を樹脂によりモールドする実装基板の樹脂モールド方法において、前記電子部品の表面へ高熱伝導性樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程と、前記脱気の後、金型内に設置して注型用の樹脂をモールドするモールド工程とを有したものである。
請求項3に記載の発明は、前記注型用の樹脂の注型時の粘度を10Pa・s以下にしたものである。
請求項4に記載の発明は、電子部品を実装した実装基板を設置する金型と、樹脂を貯留する樹脂槽と、前記樹脂槽から金型内に樹脂を充填してモールドする樹脂充填装置とを有する樹脂モールド装置において、前記実装基板を固定する固定治具と、前記固定治具を装着し回転させる回転装置と、前記固定された実装基板の電子部品の表面に樹脂を塗布する樹脂塗布装置と、前記塗布された樹脂を脱気する真空装置とを有するものである。
請求項5に記載の発明は、前記樹脂充填装置は、樹脂塗布装置を兼ねたものである。
請求項6に記載の発明は、前記真空装置の内部に前記金型、前記固定治具、前記回転装置、前記樹脂塗布装置が設置されたものである。
請求項7に記載の発明は、樹脂によりモールドされた電子部品の実装基板において、放熱構造を必要とする前記電子部品の少なくとも表面に、前記樹脂がモールドされる前に予め真空脱気した樹脂が塗布されたものである
請求項8に記載の発明は、前記予め塗布された樹脂を粉末状アルミナが配合された高熱伝導性樹脂としたものである。
請求項1、4〜6に記載の発明によると、電子部品の表面へ前記樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程との2段階の工程により、電子部品の端子間などの微小間隔へ樹脂を浸透させることができるので、高粘度樹脂によるモールドの課題であった、微小間隔の空気の残存によるボイドなどの欠陥を減少させることが可能となり、実装基板を高熱伝導性樹脂でモールドすることができる。
請求項2、3に記載の発明によると、電子部品の実装基板の樹脂モールドの工程として、高熱伝導性樹脂の基板表面へ塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する工程と、その後、金型内に設置して注型用の樹脂によりモールドを行なう2段階の工程により、電子部品の端子間などの微小間隔へ高熱伝導性樹脂を浸透させることができ、高熱伝導性樹脂によるモールドの課題であった、微小間隔の空気の残存によるボイドなどの欠陥を減少させることができる。
請求項7、8に記載の発明によると、放熱構造が必要な電子部品のみ高熱伝導性樹脂でモールドすることにより、電子部品から発生する熱を効果的に外部へ放出することができ、かつ、高熱伝導樹脂をモールド後、粘性の低い注型用の樹脂でモールドすることで、樹脂の充填不良なく、良好なモールド品を得ることができ、樹脂の充填不良に起因する強度低下をなくすことができる。
請求項2、3に記載の発明によると、電子部品の実装基板の樹脂モールドの工程として、高熱伝導性樹脂の基板表面へ塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する工程と、その後、金型内に設置して注型用の樹脂によりモールドを行なう2段階の工程により、電子部品の端子間などの微小間隔へ高熱伝導性樹脂を浸透させることができ、高熱伝導性樹脂によるモールドの課題であった、微小間隔の空気の残存によるボイドなどの欠陥を減少させることができる。
請求項7、8に記載の発明によると、放熱構造が必要な電子部品のみ高熱伝導性樹脂でモールドすることにより、電子部品から発生する熱を効果的に外部へ放出することができ、かつ、高熱伝導樹脂をモールド後、粘性の低い注型用の樹脂でモールドすることで、樹脂の充填不良なく、良好なモールド品を得ることができ、樹脂の充填不良に起因する強度低下をなくすことができる。
以下、本発明の方法の具体的実施例について、図に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施例1の第1工程である塗布工程と脱気工程を示すモールド装置の側断図である。図2はその装置内部の要部拡大図である。図において、1は実装基板、2は電子部品、3は真空槽、4はディスペンサ、5は樹脂、6は固定冶具、7は回転装置である。なお、2aははんだ付け部、10は端子である。
本実施例で用いた樹脂5は、エポキシ樹脂とし高熱伝導性セラミックスの粉末状アルミナがフィラーとして配合されたものである。熱伝導率が1.5から10W/m・Kのものを選定し、電子部品2で発生した熱を外部へ効果的に放熱することを狙いとしている。樹脂5はこのため、樹脂の粘度は高く、微小間隔に浸透させた樹脂が流れ出ることはない。
本実施例の第1工程について述べる。
(1)先ず、電子部品2が実装された実装基板1を、真空槽3内の固定冶具6に固定する。
(2)図示しない真空ポンプにより真空槽3内を真空雰囲気にする。
(3)図2に示すように、ディスペンサ4により電子部品2の周囲へ樹脂5を吐出させる。
ディスペンサ4は、図示しない駆動装置により二次元の方向に移動し樹脂5を吐出し塗布する。吐出された樹脂5は、真空槽3内が脱気されているため、速やかに電子部品2の端子間の微小間隔に浸透していく。
(4)つぎに、実装基板1が固定冶具6に固定された状態で回転装置7を作動させ回転させる。
(5)上記の(3)と同様にしてディスペンサ4により樹脂5を吐出させ樹脂5を電子部品2の微小間隔に浸透させる。
なお、この際、図示しない加熱装置を用いて樹脂5の粘度を下げれば微小間隔への樹脂5の浸透がさらに速やかになる。
(6)所定時間、実装基板を真空雰囲気に保持する。
(7)真空槽3内を大気圧に戻し実装基板1を取り出して、第1工程を終了する。
つぎに、本実施例の第2工程のモールド工程について図3を用いて説明する。
図3は、本発明のモールド装置の側断面図である。図において、8は注型用の金型、9は樹脂槽である。樹脂槽9には金型8と接続する樹脂供給管の導入口を有している。
(8)先ず、基板1を注型用の金型8に組立後、再び真空槽3内にセットする。その後、真空ポンプにより真空槽3、樹脂槽9内を真空雰囲気にする。そうすると、金型8および樹脂5が脱気される。
(9)脱気後、真空注型により金型内に樹脂を注型する。
(10)注型後、樹脂の硬化条件に従い、加熱硬化させる。
(11)第2工程が完了し、図4に示す樹脂モールド品が得られる。
このようにして得られた樹脂モールド品を図示しない超音波探傷装置により観察したところ、電子部品2の端子間の微小間隔にも樹脂5が浸透しており、空気の残存によるボイドなどの欠陥はほとんど見られなかった。さらに、実装した電子部品に通電して発熱させたところ、発明例の第2工程のみで樹脂モールドを行った比較例に比べ、温度上昇が低減されており、樹脂モールド内のボイドを低減することで放熱経路が拡大することを確認した。
なお、本発明例では、樹脂材料にエポキシ樹脂を用いたが、その他に不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂やアクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂などの熱可塑性樹脂を用いてもよく、フィラーとして粉末状アルミナの他に窒化アルミ、窒化ホウ素などの高熱伝導性セラミックスなどの粉末微粒子または繊維を用いてもよい。望ましくは、熱伝導率が1000W/m・Kを越えるダイヤモンドの粉末を配合した場合、放熱性が向上するのは言うまでもない。
また、本発明例の第1工程にて樹脂の加熱硬化工程がなかったが、これは本発明を限定するものではない。例えば、第1工程にて電子部品周囲に吐出した樹脂と、第2工程にて全体をモールドする樹脂で異なる機能を有する場合に、第1工程においても樹脂の加熱硬化工程が行われ、2つの樹脂の混在領域を作らない方法がとられる。この方法は、断熱性が求められる部品と放熱性が求められる部品が実装された場合などに適用される。なお、この場合、第1工程において真空雰囲気での樹脂の吐出を施す際、2種類以上の異なる特性の樹脂を吐出することができるディスペンサを導入することが望ましい。
さらに、本発明例の第2工程にて真空注型により樹脂モールドを行ったが、その他にもポッティング法、圧縮成形、射出成形など、種々の樹脂モールド方法においても同等の効果が得られる。
本実施例で用いた樹脂5は、エポキシ樹脂とし高熱伝導性セラミックスの粉末状アルミナがフィラーとして配合されたものである。熱伝導率が1.5から10W/m・Kのものを選定し、電子部品2で発生した熱を外部へ効果的に放熱することを狙いとしている。樹脂5はこのため、樹脂の粘度は高く、微小間隔に浸透させた樹脂が流れ出ることはない。
本実施例の第1工程について述べる。
(1)先ず、電子部品2が実装された実装基板1を、真空槽3内の固定冶具6に固定する。
(2)図示しない真空ポンプにより真空槽3内を真空雰囲気にする。
(3)図2に示すように、ディスペンサ4により電子部品2の周囲へ樹脂5を吐出させる。
ディスペンサ4は、図示しない駆動装置により二次元の方向に移動し樹脂5を吐出し塗布する。吐出された樹脂5は、真空槽3内が脱気されているため、速やかに電子部品2の端子間の微小間隔に浸透していく。
(4)つぎに、実装基板1が固定冶具6に固定された状態で回転装置7を作動させ回転させる。
(5)上記の(3)と同様にしてディスペンサ4により樹脂5を吐出させ樹脂5を電子部品2の微小間隔に浸透させる。
なお、この際、図示しない加熱装置を用いて樹脂5の粘度を下げれば微小間隔への樹脂5の浸透がさらに速やかになる。
(6)所定時間、実装基板を真空雰囲気に保持する。
(7)真空槽3内を大気圧に戻し実装基板1を取り出して、第1工程を終了する。
つぎに、本実施例の第2工程のモールド工程について図3を用いて説明する。
図3は、本発明のモールド装置の側断面図である。図において、8は注型用の金型、9は樹脂槽である。樹脂槽9には金型8と接続する樹脂供給管の導入口を有している。
(8)先ず、基板1を注型用の金型8に組立後、再び真空槽3内にセットする。その後、真空ポンプにより真空槽3、樹脂槽9内を真空雰囲気にする。そうすると、金型8および樹脂5が脱気される。
(9)脱気後、真空注型により金型内に樹脂を注型する。
(10)注型後、樹脂の硬化条件に従い、加熱硬化させる。
(11)第2工程が完了し、図4に示す樹脂モールド品が得られる。
このようにして得られた樹脂モールド品を図示しない超音波探傷装置により観察したところ、電子部品2の端子間の微小間隔にも樹脂5が浸透しており、空気の残存によるボイドなどの欠陥はほとんど見られなかった。さらに、実装した電子部品に通電して発熱させたところ、発明例の第2工程のみで樹脂モールドを行った比較例に比べ、温度上昇が低減されており、樹脂モールド内のボイドを低減することで放熱経路が拡大することを確認した。
なお、本発明例では、樹脂材料にエポキシ樹脂を用いたが、その他に不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂やアクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂などの熱可塑性樹脂を用いてもよく、フィラーとして粉末状アルミナの他に窒化アルミ、窒化ホウ素などの高熱伝導性セラミックスなどの粉末微粒子または繊維を用いてもよい。望ましくは、熱伝導率が1000W/m・Kを越えるダイヤモンドの粉末を配合した場合、放熱性が向上するのは言うまでもない。
また、本発明例の第1工程にて樹脂の加熱硬化工程がなかったが、これは本発明を限定するものではない。例えば、第1工程にて電子部品周囲に吐出した樹脂と、第2工程にて全体をモールドする樹脂で異なる機能を有する場合に、第1工程においても樹脂の加熱硬化工程が行われ、2つの樹脂の混在領域を作らない方法がとられる。この方法は、断熱性が求められる部品と放熱性が求められる部品が実装された場合などに適用される。なお、この場合、第1工程において真空雰囲気での樹脂の吐出を施す際、2種類以上の異なる特性の樹脂を吐出することができるディスペンサを導入することが望ましい。
さらに、本発明例の第2工程にて真空注型により樹脂モールドを行ったが、その他にもポッティング法、圧縮成形、射出成形など、種々の樹脂モールド方法においても同等の効果が得られる。
図5は、本発明の実施例2を示すモールド装置の要部拡大図である。
第1工程である塗布工程と脱気工程を示す概略図は、実施例1の図1と同じである。また、第1工程についても実施例1と同じである。異なるところは、樹脂に高熱伝導性樹脂5aを用いている点である。
高熱伝導性樹脂5aは,エポキシ樹脂に高熱伝導性セラミックスの粉末状アルミナがフィラーとして配合されている。このときのフィラーの配合比率は体積分率にして60vol%以上としている。このため、樹脂の粘度は高く、微小間隔に浸透させた樹脂が流れ出ることはない。高熱伝導性樹脂5aの熱伝導率は1.5から10W/m・Kとし、発熱素子で発生した熱を外部へ効果的に放熱することを狙いとしている。
第1工程である塗布工程と脱気工程を示す概略図は、実施例1の図1と同じである。また、第1工程についても実施例1と同じである。異なるところは、樹脂に高熱伝導性樹脂5aを用いている点である。
高熱伝導性樹脂5aは,エポキシ樹脂に高熱伝導性セラミックスの粉末状アルミナがフィラーとして配合されている。このときのフィラーの配合比率は体積分率にして60vol%以上としている。このため、樹脂の粘度は高く、微小間隔に浸透させた樹脂が流れ出ることはない。高熱伝導性樹脂5aの熱伝導率は1.5から10W/m・Kとし、発熱素子で発生した熱を外部へ効果的に放熱することを狙いとしている。
図5において、電子部品2を実装した基板1が真空槽3内においてディスペンサ4により高熱伝導性樹脂5aを発熱素子の上に吐出される様子が示されている。吐出の際、図示しない真空ポンプにより真空槽3内が脱気されており、吐出された高熱伝導性樹脂5aは速やかに端子間の微小間隔に浸透していく。吐出後、所定の時間基板2を真空雰囲気に放置後、真空槽3から取り出し、第1工程が終了する。
なお、両面実装された基板の両面に吐出する場合には、ディスペンサ4により片側の吐出が終了後、真空槽3内の基板1が固定冶具6に固定された状態で回転し、その後、再び吐出される。
また、ディスペンサ4、および固定冶具6に加熱装置を設けることにより、高熱伝導性樹脂5aの粘度が下がり、樹脂の微小間隔への浸透がさらに速やかになる。
なお、両面実装された基板の両面に吐出する場合には、ディスペンサ4により片側の吐出が終了後、真空槽3内の基板1が固定冶具6に固定された状態で回転し、その後、再び吐出される。
また、ディスペンサ4、および固定冶具6に加熱装置を設けることにより、高熱伝導性樹脂5aの粘度が下がり、樹脂の微小間隔への浸透がさらに速やかになる。
ここで、真空脱泡時に高熱伝導性樹脂5aがケースや注型用の金型などで密閉されておらず、外部雰囲気に開放されているので、樹脂内部の空気が移動して外部雰囲気に脱気されるまでの距離はケースや注形金型に組立てられて密閉された時に比べ短くなり、樹脂内部の空気を速やかに外部雰囲気まで逃がすことができる。
また、高熱伝導性フィラーとして絶縁体であるアルミナを使用したので、高熱伝導性樹脂5aで発熱素子を直接モールドすることができ、効率のよい放熱経路を形成することができる。
また、高熱伝導性フィラーとして絶縁体であるアルミナを使用したので、高熱伝導性樹脂5aで発熱素子を直接モールドすることができ、効率のよい放熱経路を形成することができる。
工程2では、基板1の注型用の樹脂5によるモールドを行なう。図6は、本発明の樹脂モールドされた電子モジュールの第2工程を示す概略図である。図6において、基板1を金型8に組立後、再び真空槽3にセットされた様子が示されている。その後、真空ポンプにより真空槽3、樹脂槽9内が真空雰囲気になり、金型8および、注型用の樹脂5が脱気される。脱気後、真空注型により金型内に樹脂が注型される。注型後、樹脂の硬化条件に従い、加熱硬化し図7に示す樹脂モールド品が得られた。
図7は、本発明の樹脂モールドされた電子モジュールの構造を説明する概略断面図である。図7において、電子部品2を実装した基板1が注型用の樹脂5、例えばエポキシ樹脂によってモールドされている。また、レギュレータやパワートランジスタなどの発熱素子の周囲については、高熱伝導性樹脂5aでモールドされており、モールド外表面まで接続されている。
図7は、本発明の樹脂モールドされた電子モジュールの構造を説明する概略断面図である。図7において、電子部品2を実装した基板1が注型用の樹脂5、例えばエポキシ樹脂によってモールドされている。また、レギュレータやパワートランジスタなどの発熱素子の周囲については、高熱伝導性樹脂5aでモールドされており、モールド外表面まで接続されている。
ここで、注型用の樹脂5の粘度は、注型時の樹脂の流動性を考慮して、より低粘度なものが望ましい。好適には、注型時の粘度が10Pa・s以下になるように材料の選定および樹脂の加熱を行なう。さらに、注型用の樹脂5は、硬化時において適度な可とう性を有するよう、材料選定を行なった。
このようにして得られた樹脂モールド品を図示しない超音波探傷装置により観察したところ、電子部品2の端子間の微小間隔にも高熱伝導性樹脂5aが浸透しており、空気の残存によるボイドなどの欠陥はほとんど見られなかった。さらに、実装した電子部品に通電して発熱させたところ、発明例の第1工程をせず、第2工程のみで樹脂モールドを行った比較例に比べ、温度上昇が低減されており、樹脂モールド内のボイドを低減することで放熱経路が拡大することを確認した。
また、本発明例により作製された電子モジュールの熱的強度を冷熱衝撃試験により評価した。試験は、モジュールを液相中にて温度−65℃に5分間と、温度150℃に5分間の繰り返し行なった。評価の結果、本発明例の第2工程の注型用の樹脂を第1工程で使用した高熱伝導性樹脂として作製した比較例では、100サイクル温度急変に晒したものでクラックが確認されたのに対し、本発明例のモジュールでは100サイクル温度急変に晒したものではクラックはなく、動作時においても所定の電気的特性を満足することを確認した。
また、本発明例の第1工程にて樹脂の加熱硬化工程がなかったが、これは本発明を限定するものではなく、第1工程においても高熱伝導性樹脂の加熱硬化工程が行われてもよい。例えば、基板上に断熱性が求められる領域と放熱性が求められる領域が隣接している場合などに樹脂の混在を抑えるため、この方法が適用される。なお、この場合、第1工程において真空雰囲気での樹脂の吐出を施す際、2種類以上の異なる特性の樹脂を吐出することができるディスペンサを導入することが望ましい。
また、本発明例の第1工程にて樹脂の加熱硬化工程がなかったが、これは本発明を限定するものではなく、第1工程においても高熱伝導性樹脂の加熱硬化工程が行われてもよい。例えば、基板上に断熱性が求められる領域と放熱性が求められる領域が隣接している場合などに樹脂の混在を抑えるため、この方法が適用される。なお、この場合、第1工程において真空雰囲気での樹脂の吐出を施す際、2種類以上の異なる特性の樹脂を吐出することができるディスペンサを導入することが望ましい。
このように、高粘度の樹脂を空気の残存によるボイドがないよう微小間隔にまで浸透させることができるので、耐ガス性、耐水性、耐熱性に対する信頼性向上を目的とした樹脂モールド製品にも適用することができる。
1 実装基板
2 電子部品
2a はんだ付け部
3 真空槽
4 ディスペンサ
5 樹脂
5a 高熱伝導性樹脂
6 固定冶具
7 回転装置
8 金型
9 樹脂槽
10 端子
2 電子部品
2a はんだ付け部
3 真空槽
4 ディスペンサ
5 樹脂
5a 高熱伝導性樹脂
6 固定冶具
7 回転装置
8 金型
9 樹脂槽
10 端子
Claims (8)
- 電子部品が実装された実装基板を樹脂によりモールドする実装基板の樹脂モールド方法において、
前記電子部品の表面へ樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程と、前記脱気工程の後、金型内に設置して前記樹脂と同種の注型用の樹脂をモールドするモールド工程とを有したことを特徴とする実装基板の樹脂モールド方法。 - 電子部品が実装された実装基板を樹脂によりモールドする実装基板の樹脂モールド方法において、
前記電子部品の表面へ高熱伝導性樹脂を塗布する塗布工程と、塗布時もしくは塗布後に真空雰囲気で脱気する脱気工程と、前記脱気の後、金型内に設置して注型用の樹脂をモールドするモールド工程とを有したことを特徴とする実装基板の樹脂モールド方法。 - 前記注型用の樹脂は、注型時の粘度が10Pa・s以下であることを特徴とする請求項1または2記載の実装基板の樹脂モールド方法。
- 電子部品を実装した実装基板を設置する金型と、樹脂を貯留する樹脂槽と、前記樹脂槽から金型内に樹脂を充填してモールドする樹脂充填装置とを有する樹脂モールド装置において、
前記実装基板を固定する固定治具と、前記固定治具を装着し回転させる回転装置と、前記固定された実装基板の電子部品の表面に樹脂を塗布する樹脂塗布装置と、前記塗布された樹脂を脱気する真空装置とを有することを特徴とする樹脂モールド装置。 - 前記樹脂充填装置は、樹脂塗布装置を兼ねていることを特徴とする請求項4記載の樹脂モールド装置。
- 前記真空装置の内部に前記金型、前記固定治具、前記回転装置、前記樹脂塗布装置が設置されることを特徴とする請求項4記載の樹脂モールド装置。
- 樹脂によりモールドされた電子部品の実装基板において、
放熱構造を必要とする前記電子部品の少なくとも表面に、前記樹脂がモールドされる前に予め真空脱気した樹脂が塗布されたものであることを特徴とする樹脂モールド実装基板。 - 前記予め塗布された樹脂は、粉末状アルミナが配合された高熱伝導性樹脂であることを特徴とする請求項7記載の樹脂モールド実装基板。
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JP2007132864A JP2008288433A (ja) | 2007-05-18 | 2007-05-18 | 実装基板の樹脂モールド方法とその装置および樹脂モールド実装基板 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011249530A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Murata Mfg Co Ltd | モジュール基板の製造方法 |
WO2015019769A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法 |
WO2016060073A1 (ja) * | 2014-10-16 | 2016-04-21 | 株式会社村田製作所 | 複合デバイス |
DE102015120109A1 (de) | 2015-11-19 | 2017-05-24 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse |
JP2017092426A (ja) * | 2015-11-17 | 2017-05-25 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
-
2007
- 2007-05-18 JP JP2007132864A patent/JP2008288433A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011249530A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Murata Mfg Co Ltd | モジュール基板の製造方法 |
WO2015019769A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法 |
JP2015035567A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法 |
WO2016060073A1 (ja) * | 2014-10-16 | 2016-04-21 | 株式会社村田製作所 | 複合デバイス |
US9960122B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-05-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite device with substrate and mounted component |
JP2017092426A (ja) * | 2015-11-17 | 2017-05-25 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
DE102015120109A1 (de) | 2015-11-19 | 2017-05-24 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse |
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