JP2007142346A - 金属ベース基板とそれを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱特性に優れ、しかも電気絶縁性に優れるコンパクトな樹脂封止型半導体装置を提供可能な金属ベース基板を提供する。
【解決手段】金属板上に絶縁層を設けてなる金属ベース基板であって、絶縁層がエポキシ樹脂、硬化剤および無機フィラーからなり、エポキシ樹脂が(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂と(b)エポキシ当量が１５００未満のエポキシ樹脂とからなり、かつ前記絶縁層がＢステージ状態であることを特徴とする金属ベース基板であり、好ましくは、(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂が、エポキシ樹脂の合計量に対して３〜３０質量％含有していることを特徴とする前記の金属ベース基板であり、更に好ましくは、硬化剤が、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂であることを特徴とする前記の金属ベース基板。
【選択図】なし

Description

本発明は、電気機器、通信機、自動車等に用いる半導体装置、特に半導体素子が樹脂により封止されている樹脂封止型半導体装置に関する。そして、その製造に用いて好適な金属ベース基板に関する。更に、前記金属ベース基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。

従来の電力用半導体装置では、パワーチップがリードフレーム上にダイボンドされ、更に、前記パワーチップは樹脂により封止されている。パワーチップは放熱量が大きいため、例えば、半導体装置の裏面に冷却フィンを取り付けて、放熱効率を高め、パワーチップ自体の温度上昇を防止している。パワーチップを搭載しているリードフレームは、樹脂に覆われ、裏面に取り付けられる冷却フィンから絶縁される構造を有している（特許文献１参照）。
特開２０００−１３８３４３号公報

しかし、前記構造を有する半導体装置では、放熱特性を向上させるためには、パワーチップを設置したフレームを覆う樹脂、特に、パワーチップを設置したフレーム裏面と半導体装置の裏面との間の樹脂に関して、その厚みを薄くしてパワーチップからの放熱を確保する必要があるが、この部分の樹脂を薄くすると、電気的な絶縁特性が低下してしまうという問題がある。

更に、前記樹脂の熱伝導率が必ずしも高くなく、十分に放熱性が達成されているとも言えない状況にあり、一層の改善が望まれている。

本発明は、半導体装置、特に樹脂封止型半導体装置に於いて、放熱特性に優れ、しかも電気絶縁性に優れ、その結果として、コンパクトな半導体装置となることを最終目的として、それに用いる金属ベース基板を提供することを目的としている。

より具体的には、本発明は放熱特性と電気絶縁性に優れた、樹脂封止半導体装置用の金属ベース基板を提供すると共に、それを用いた樹脂封止半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。

本発明は、金属板上に絶縁層を設けてなる金属ベース基板であって、絶縁層がエポキシ樹脂、硬化剤および無機フィラーからなり、エポキシ樹脂が(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂と(b)エポキシ当量が１５００未満のエポキシ樹脂とからなり、かつ前記絶縁層がＢステージ状態であることを特徴とする金属ベース基板であり、好ましくは、(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂が、エポキシ樹脂の合計量に対して３〜３０質量％含有していることを特徴とする前記の金属ベース基板であり、更に好ましくは、硬化剤が、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂であることを特徴とする前記の金属ベース基板であり、更に好ましくは、無機フィラーが、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムの１種以上からなり、しかも充填率が６０体積％以上８０体積％以下であることを特徴とする前記の金属ベース基板であり、更に好ましくは、金属板の厚みが０.０１３ｍｍ〜４ｍｍであることを特徴とする前記の金属ベース基板である。

本発明は、金属板上に絶縁層を設けてなる金属ベース基板であって、絶縁層がエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤および無機フィラーからなり、エポキシ樹脂が(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂と(b)エポキシ当量１５００未満のエポキシ樹脂からなり、かつ前記絶縁層がＣステージ状態であることを特徴とする金属ベース基板であり、好ましくは、(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂が、エポキシ樹脂の合計量に対して３〜３０質量％含有していることを特徴とする前記の金属ベース基板であり、更に好ましくは、硬化剤が、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂の１種以上であることを特徴とする前記の金属ベース基板であり、更に好ましくは、無機フィラーが、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムの１種以上からなり、しかも充填率が６０体積％以上８０体積％以下であることを特徴とする前記の金属ベース基板であり、更に好ましくは、金属板の厚みが０.０１３ｍｍ〜４ｍｍであることを特徴とする前記の金属ベース基板である。

本発明は、型内に、絶縁層がＢステージ状態である前記の金属ベース基板を配置し、半導体素子を配置したリードフレームを前記金属ベース基板の絶縁層側に配置し、熱硬化性樹脂を注入し硬化することで、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。

本発明は、型内に、絶縁層がＣステージ状態である前記の金属ベース基板を配置し、前記金属ベース基板の絶縁層側に、接着層を介して半導体素子を配置したリードフレームを配置し、熱硬化性樹脂を注入し硬化することで、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。

本発明は、前記の金属ベース基板の絶縁層上にリードフレームを配置していることを特徴とするリードフレーム付き金属ベース基板である。

本発明は、型内に、前記のリードフレーム付き金属ベース基板を配置し、更に半導体素子を配置した後、熱硬化性樹脂を注入し硬化することで、半導体素子とリードフレーム付き金属ベース基板とを一体化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。

本発明の金属ベース基板は、絶縁層が特定組成のエポキシ樹脂からなり、しかもＢステージ状態にあることから、前記絶縁層上に半導体素子を配置したリードフレームを配置するのみで直ぐに樹脂封止することができる特徴を有し、その結果、従来の製造条件のままに半導体装置を製造でき、しかも半導体からの放熱特性が良好で電気的絶縁性にも優れるという特性を有するので、従来よりも小型の半導体装置、特に樹脂封止型半導体装置を得ることができる。

本発明の金属ベース基板は、絶縁層が特定組成のエポキシ樹脂からなり、しかもＣステージ状態にあることから、前記絶縁層上に、接着層を介して半導体素子を配置したリードフレームを配置することで、樹脂封止することができるという特徴を有している。そして、従来の製造条件のままに半導体装置を製造でき、しかも半導体からの放熱特性が良好で電気的絶縁性にも優れるという特性を有するので、従来よりも小型の半導体装置、特に樹脂封止型半導体装置を得ることができる効果がある。

Ｂステージの絶縁層を有する金属ベース基板を用いる、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、前記特定の金属ベース基板を用いているので、従来の工程条件を変更することなく、半導体からの放熱特性が良好で電気的絶縁性にも優れる樹脂封止型半導体装置、或いは従来よりも小型の樹脂封止型半導体装置を容易に、安定して得ることができる。

Ｃステージの絶縁層を有する金属ベース基板を用いる、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、前記特定の金属ベース基板を用いているので、従来の工程条件を変更することなく、半導体からの放熱特性が良好で電気的絶縁性にも優れる樹脂封止型半導体装置、或いは従来よりも小型の樹脂封止型半導体装置を容易に、安定して得ることができる。

本発明のリードフレーム付き金属ベース基板は、前記放熱特性と電気絶縁特性に優れる絶縁層を有する金属ベース基板を用いているので、前記リードフレーム上に半導体素子を搭載し、樹脂封止することで、容易に安定して樹脂封止型半導体装置を得ることができる。

前記リードフレーム付き金属ベース基板を用いる、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、前記リードフレーム上に半導体素子を搭載し、樹脂封止することで容易に安定して、半導体からの放熱特性が良好で電気的絶縁性にも優れる樹脂封止型半導体装置、或いは従来よりも小型の樹脂封止型半導体装置を得ることができる。

まず、本発明の金属ベース基板について、詳述する。

本発明の金属ベース基板は、金属板上にエポキシ樹脂、硬化剤および無機フィラーからなる絶縁層を設けた構造を有するものであり、しかも、前記絶縁層を構成するエポキシ樹脂が (a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂と(b)エポキシ当量が１５００未満のエポキシ樹脂とからなり、しかも前記絶縁層がＢステージ状態であることを特徴としている。

ここで、絶縁層のＢステージ状態とは、絶縁層を構成するエポキシ樹脂が室温で乾いた状態を示し、高温に加熱するとで再び溶融する状態を言うが、より厳密には、ＤＳＣ（示差走査型熱量計）を用いて、硬化時に発生する熱量から計算した値である硬化度が４０％以上７０％未満の状態を示す。また、絶縁層のＣステージ状態とは、エポキシ樹脂の硬化がほぼ終了している状態を示し、高温に加熱しても再度溶融することはない状態を言い、硬化度が７０％以上の状態を示す。

本発明に於いては、エポキシ樹脂に、(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂と、(b)エポキシ当量が１５００未満のエポキシ樹脂とを共用することを特徴とする。
これにより、電気絶縁性が良好で、熱伝導率の高い絶縁層が、従来の金属ベース基板の製造条件の大幅な変更なく、容易に達成できる。

(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂としては、エポキシ当量が１５００以上であれば、化学構造に格別な制限はなく、一般的なビスフェールＡ型、ビスフェノールＦ型のエポキシ樹脂、または前記の水添化エポキシ樹脂が使用できる。

(b)エポキシ当量１５００未満エポキシ樹脂としては、一般的なビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、クレゾールノボラック型などの各種ノボラック型、ビフェニル型、ジシクロペンタジエン型、トリスフェニルメタン型、または前記のものの水素添加型のエポキシ樹脂が使用できる。

エポキシ樹脂については、絶縁層を製造する過程に於いて無機フィラーと均一に混合するが、その均一性を高める上で、室温で液状のものが好ましい。液状のエポキシ樹脂についても、化学構造上格別の制限はなく、ビスフェールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェールＡ型水素添加型、ビスフェノールＦ型水素添加型、ビフェニル型部分水素添加型等が用いることができる。

(a)と(b)との配合割合に関しては、(a)が(a)と(b)との合計量に対して３〜３０質量％含有していることが好ましい。(a)が３質量％以上であれば、熱伝導率が高く電気絶縁性に優れる絶縁層が得られるし、３０質量％以下であれば無機フィラーとの混合が容易に達成できる。

本発明に用いるエポキシ樹脂の硬化剤としては、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂等一般に知られているものが用いられるが、硬化特性、ポットライフ、ハンドリング性を考慮して、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂が好ましく選択される。特に、本発明のＢステージ状態の絶縁層を有する金属ベース基板については、樹脂封止型半導体装置を作製時に、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化し易いことから、フェノール系樹脂が好ましく選択される。

硬化促進剤はエポキシ樹脂と硬化剤の組み合わせによって用いられるが一般にイミダゾール化合物、有機リン酸化合物、第三級アミン、第四級アンモニウム等が使用され、いずれか1種類以上を選択することができる。

無機フィラーとしては、絶縁層の電気絶縁特性、熱伝導性が損なわれない限りどのようなものでも構わないが、前記特性を向上させるために、本発明では酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムのいずれか１種以上を選択することが好ましい。更に、ハンドリング性および流動性を向上させるため、前記無機フィラーの粒子形状はアスペクト比が1に近いものが好ましい。

本発明に於いて、無機フィラーの絶縁層中の配合割合としては、充填率で６０体積％以上８０体積％以下が好ましい。６０体積％以上であれば電気絶縁特性、熱伝導性に優れた絶縁層が得られるし、８０体積％以下であれば、絶縁層を容易に製造し得る。

さらに、本発明の目的を阻害しない限りにおいて、絶縁層中に、レベリング剤、消泡剤、分散剤等の添加剤、各種カップリング剤、顔料、硬化促進剤を適宜添加することができる。

本発明の金属ベース基板を構成する金属板については、アルミニウム、鉄、銅、又は前記金属の合金のいずれでも構わないが、熱放散性を考慮するとアルミニウム、銅、又はそれらの合金が好ましい。また、必要に応じて、絶縁層との密着性を改良するために、絶縁層との接着面側に、サンドブラスト、エッチング、各種メッキ処理、カップリング剤処理等の表面処理も適宜選択可能である。

前記金属板の厚さは０.０１３ｍｍ〜４ｍｍが好ましい。０．０１３ｍｍ以上であればハンドリング時にしわを生じることもない。上限値については技術的な制限はないが、４ｍｍ以上の金属板を必要とする金属ベース基板の用途が見いだせず、実用的でない。

本発明に用いるリードフレームについては、格別特定すべき事項は無いが、エポキシ樹脂からなる絶縁層との接着性を考慮し、材質面では、銅が９０質量％以上のものが好ましく、厚さとしては０．３〜３．０ｍｍが一般的である。また、リードフレームの絶縁層との接着面に関して、必要に応じて、ブラスト処理等の表面処理を行ってあることが好ましい。

次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、詳述する。

第１の方法は、本発明の絶縁層がＢステージ状態の金属ベース基板を用いる方法であり、金型等の型の中に、前記金属ベース基板を絶縁層を上面にして配置し、次に前記金属ベース基板上の絶縁層上に、半導体素子を予め配置したリードフレームを配置し、この状態の下、型内にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を注入し、硬化することで、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化する方法である。前記絶縁層のエポキシ樹脂も注入された熱硬化樹脂が硬化する際に硬化し、高い接着力をもって一体化される。この方法では、金属板、リードフレーム、半導体素子を型内で精密に位置付けすることで、一操作で一体化できるので、生産性高く樹脂封止型半導体装置を提供できる特徴がある。

第２の方法は、本発明の絶縁層がＣステージ状態の金属ベース基板を用いる方法であり、型内に、前記の金属ベース基板を絶縁層を上方に向けて配置し、前記絶縁層上に、接着層を介して、半導体素子を配置したリードフレームを配置し、熱硬化性樹脂を注入し硬化することで、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化することを特徴とする。ここで、半導体素子を予め配置したリードフレームを、金属ベース基板の絶縁層上の所定位置に、接着層を介して、配置したものを作成し、これを型内に配置して、熱硬化性樹脂を注入、硬化して、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化することもできる。この方法では、絶縁層が予め硬化しているので、熱放散性が高く電気絶縁性に優れその結果として信頼性の高い半導体装置が提供できる特徴がある。

第３の方法は、本発明のリードフレーム付き金属ベース基板を用いる方法であり、型内に、前記のリードフレーム付き金属ベース基板をリードフレームを上方に向けて配置し、リードフレーム上に半導体素子を配置した後、熱硬化性樹脂を注入し硬化することで、半導体素子とリードフレーム付き金属ベース基板とを一体化する。この方法では、予めリードフレーム付き基板上に半導体素子を搭載したものを作製し、これを型内に配置し、熱硬化性樹脂を注入、硬化して、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化することもできる。この方法では、絶縁層が予め硬化しているので、熱放散性が高く電気絶縁性に優れその結果として信頼性の高い半導体装置が提供できる特徴があると共に、予めリードフレームが金属ベース基板に設けられているので、リードフレームと半導体素子との電気的接続がより確実となる特徴がある。

（実施例1）
予めエポキシ当量２８１２のエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ１００９）とエポキシ当量１７８のエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ８２８）を１５：８５の割合（質量比）とを混合し、前記エポキシ樹脂１０質量部に対して、芳香族アミン系硬化剤（日本合成加工社製、Ｈ８９）を４質量部添加し、添加剤としてカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ４０３）を1質量部添加した。更にアルミナ（昭和電工社製、ＡＳ−４０）を硬化後の絶縁層中での充填率が６０体積％となるように充填して絶縁層組成物を作製した。

厚さ２．０ｍｍのアルミニウム板上に、前記絶縁層組成物を硬化後の厚さが０．２０ｍｍとなるように塗布し、１５０℃３０時間加熱して、Ｃステージ状態とした。室温まで冷却した後、ルーター加工し、金属ベース基板を作製した。

半導体素子を所定の位置に搭載し、電気的接続をしたリードフレームを用意し、これを１８０℃に加熱した樹脂封止用金型に配置した前記金属ベース基板の絶縁層上に接着剤層を介して固定し、金型内部に注入圧力１２ＭＰａでエポキシ樹脂を注入し、樹脂封止型半導体装置を作製した。

上記操作で得た樹脂封止型半導体装置について、絶縁破壊電圧および熱抵抗の評価を行った。これらの結果を表1に示した。尚、絶縁破壊電圧は、１０×１０ｍｍのリードフレームパターンを用い、アルミニウム板とリードフレームとの間に電圧を印可した。電圧印可は、０．５ｋＶで、３０秒ステップとした。

（実施例２）
エポキシ当量２４９０のエポキシ樹脂（東都化成社製、ＹＤ９０９Ｖ）とエポキシ当量１７８のエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ８２８）を１５：８５の割合（質量比）で混合し、前記エポキシ樹脂１０量部に対して、フェノールノボラック系硬化剤（明和化成社製、Ｈ−１）を５質量部添加し、添加剤としてカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ４０３）1質量部添加し、更に酸化アルミニウム（昭和電工社製、ＡＳ５０）を硬化した絶縁層中で６０体積％となるように充填して絶縁層組成物を作製した。

厚さ２．０ｍｍのアルミニウム板上に、絶縁層組成物を硬化後の厚さが０．２０ｍｍとなるように塗布し、１５０℃６分加熱して、Ｂステージ状態とした。室温まで冷却した後、ルーター加工して、金属ベース基板を作製した。

前記金属ベース基板を使用して、実施例1と同様の条件で樹脂封止型半導体装置を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表１に示した。

（実施例３）
エポキシ当量１９２５のエポキシ樹脂（東都化成社製、ＹＤ９２７Ｈ）、エポキシ当量２１０のエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＸ８０００）およびエポキシ当量２７０のエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＸ４０００）を２０：７０：２０の割合（質量比）で混合し、前記エポキシ樹脂１０質量部に対してフェノールノボラック系硬化剤（明和化成社製、Ｈ−１）を５質量部添加し、更に添加剤としてカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ４０３）を1質量部添加し、更に、酸化アルミニウム（アドマテック社製、ＡＯ８０２）および窒化アルミニウム（電気化学社製）を硬化後の絶縁層中に７０体積％となるように充填し、絶縁物組成物を作製した。

厚さ０．１４ｍｍの電解銅箔上に、前記絶縁層組成物を硬化後の厚さが０．２０ｍｍとなるように塗布し、１５０℃６分加熱して、前記絶縁層をＢステージ状態にした。室温まで冷却した後、ルーター加工し、金属ベース基板を作製した。

前記金属ベース基板を使用して、実施例1と同様の条件で樹脂封止型半導体装置を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表１に示した。

（実施例４）
実施例１と同様の方法で絶縁層組成物を作製し、実施例1と同様の方法で金属ベース基板を作製した。

金属ベース基板の絶縁層側に接着剤（電気化学社製、ラムダイトＡ１２０Ｈ）を介して半導体素子を所定の位置に搭載し、電気的接続をしたリードフレームを用意し、これを１８０℃に加熱した樹脂封止用金型に配置した前記金属ベース基板の絶縁層上に接着剤層を介して固定し、金型内部に注入圧力１２ＭＰａでエポキシ樹脂を注入し、樹脂封止型半導体装置を作製した

前記樹脂封止型半導体を使用して、実施例1と同様の条件で樹脂封止型半導体装置を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表１に示した。

（比較例）
厚さ２．０ｍｍのアルミニウム板上に、０．２ｍｍのクリアランスを設けて、半導体素子を搭載したリードフレームを配置し、これを金型中に配置して、実施例1と同様の条件で樹脂封止型半導体装置を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表１に示した。

本発明の金属ベース基板、リードフレーム付き金属ベース基板は、半導体装置、特に電源用途等に多く用いられている樹脂封止型半導体装置を製造する際に利用されて、熱放散性が良好で、電気絶縁性に優れるので、高信頼性のものを提供できる特徴があるし、また前記半導体装置の小型化に寄与することができるので、産業上有用である。

本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、前記特徴のある金属ベース基板を用いているので、熱放散性が良好で、電気絶縁性に優れるので、高信頼性の樹脂封止型半導体装置や、従来よりも小型の樹脂封止型半導体装置を安定して、確実に提供できるので、産業上極めて有用である。

Claims (13)

1. 金属板上に絶縁層を設けてなる金属ベース基板であって、絶縁層がエポキシ樹脂、硬化剤および無機フィラーからなり、エポキシ樹脂が(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂と(b)エポキシ当量が１５００未満のエポキシ樹脂とからなり、かつ前記絶縁層がＢステージ状態であることを特徴とする金属ベース基板。
2. (a) エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂が、エポキシ樹脂の合計量に対して３〜３０質量％含有されていることを特徴とする請求項１記載の金属ベース基板。
3. 硬化剤が、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の金属ベース基板。
4. 無機フィラーが、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムの１種以上からなり、しかも充填率が６０体積％以上８０体積％以下であることを特徴とする請求項1乃至３のいずれか１項に記載の金属ベース基板
5. 金属板の厚みが０.０１３ｍｍ〜４ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の金属ベース基板。
6. 金属板上に絶縁層を設けてなる金属ベース基板であって、絶縁層がエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤および無機フィラーからなり、エポキシ樹脂が(a)エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂と(b)エポキシ当量１５００未満のエポキシ樹脂からなり、かつ前記絶縁層がCステージ状態であることを特徴とする金属ベース基板。
7. (a) エポキシ当量１５００以上のエポキシ樹脂が、エポキシ樹脂の合計量に対して３〜３０質量％含有されていることを特徴とする請求項６記載の金属ベース基板。
8. (c) 硬化剤が、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、フェノール系樹脂の１種以上であることを特徴とする請求項６又は請求項７記載の金属ベース基板。
9. 金属板の厚みが０.０１３ｍｍ〜４ｍｍであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の金属ベース基板。
10. 型内に、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の金属ベース基板を配置し、半導体素子を配置したリードフレームを前記金属ベース基板の絶縁層側に配置し、熱硬化性樹脂を注入し硬化することで、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
11. 型内に、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の金属ベース基板を配置し、前記金属ベース基板の絶縁層側に、接着層を介して、半導体素子を配置したリードフレームを配置し、熱硬化性樹脂を注入し硬化することで、金属ベース基板とリードフレームと半導体素子とを一体化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
12. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の金属ベース基板の絶縁層上にリードフレームを配置していることを特徴とするリードフレーム付き金属ベース基板。
13. 型内に、請求項１２記載のリードフレーム付き金属ベース基板を配置し、更に半導体素子を配置した後、熱硬化性樹脂を注入し硬化することで、半導体素子とリードフレーム付き金属ベース基板とを一体化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。