DE102015120109A1 - Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse - Google Patents
Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse Download PDFInfo
- Publication number
- DE102015120109A1 DE102015120109A1 DE102015120109.7A DE102015120109A DE102015120109A1 DE 102015120109 A1 DE102015120109 A1 DE 102015120109A1 DE 102015120109 A DE102015120109 A DE 102015120109A DE 102015120109 A1 DE102015120109 A1 DE 102015120109A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power semiconductor
- glob
- semiconductor module
- potting compound
- top potting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004382 potting Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- HUWSZNZAROKDRZ-RRLWZMAJSA-N (3r,4r)-3-azaniumyl-5-[[(2s,3r)-1-[(2s)-2,3-dicarboxypyrrolidin-1-yl]-3-methyl-1-oxopentan-2-yl]amino]-5-oxo-4-sulfanylpentane-1-sulfonate Chemical compound OS(=O)(=O)CC[C@@H](N)[C@@H](S)C(=O)N[C@@H]([C@H](C)CC)C(=O)N1CCC(C(O)=O)[C@H]1C(O)=O HUWSZNZAROKDRZ-RRLWZMAJSA-N 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- MPDDTAJMJCESGV-CTUHWIOQSA-M (3r,5r)-7-[2-(4-fluorophenyl)-5-[methyl-[(1r)-1-phenylethyl]carbamoyl]-4-propan-2-ylpyrazol-3-yl]-3,5-dihydroxyheptanoate Chemical compound C1([C@@H](C)N(C)C(=O)C2=NN(C(CC[C@@H](O)C[C@@H](O)CC([O-])=O)=C2C(C)C)C=2C=CC(F)=CC=2)=CC=CC=C1 MPDDTAJMJCESGV-CTUHWIOQSA-M 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Leistungshalbleitermodul (10) mit einem Leistungshalbleiter (20), einem den Leistungshalbleiter (20) kontaktierenden elektrischen Leiter (30) und einer den Leistungshalbleiter (20) vollständig und den elektrischen Leiter (30) wenigstens teilweise bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse (40), dadurch gekennzeichnet, dass die Glob-Top-Vergussmasse (40) ein hochwärmeleitfähiges Polymer ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Leistungshalbleiter, einem den Leistungshalbleiter kontaktierenden elektrischen Leiter und einer die eine Hauptfläche des Leistungshalbleiters wenigstens teilweise und den elektrischen Leiter wenigstens teilweise bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse.
- In der Elektronik werden Vergussmassen häufig in Form eines sogenannten Glob-Top zum Schutz von Elektronikkomponenten vor Feuchtigkeit, Staub, Schmutz oder Lösemitteln eingesetzt. Gleichzeitig schützen die bekannten Glob-Tops empfindliche Bauteile auch gegen mechanische Belastung oder gegen Verkratzungen.
- In der Leistungselektronik besteht darüber hinaus das besondere Problem der Kühlung der elektrischen Komponenten, wobei die Wärmeabfuhr des vom Glob-Top bedeckten Leistungshalbleiter über die üblicherweise als Dickdrähte oder Bändchen ausgebildeten Kontaktierungen in Richtung einer am Boden des Leistungshalbleitermoduls angeordneten Kühlstruktur erfolgt.
- Nachteilig an diesem Aufbau ist, dass trotz hoher Sorgfalt bei der Fertigung von Leistungshalbleitermodulen bei Auftreten hoher dynamischer thermischer Lasten eine Materialermüdung der elektrischen Leiter im Bereich der Kontaktierung an den Halbleiterchip und damit Funktionsstörungen oder gar Ausfälle des gesamten Moduls nicht ausgeschlossen werden können.
- Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Leistungshalbleitermodul zu schaffen, dass gegen thermischen Stress unanfällig ist.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das Leistungshalbleitermodul mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung wieder.
- Grundgedanke der Erfindung ist es, ein hochwärmeleitfähiges Polymer als Glob-Top-Vergussmasse zu verwenden. Durch Verwendung eines hochwärmeleitfähigen Polymers mit hoher Wärmekapazität in Form eines Glob-Tops kann eine thermische Pufferwirkung für vom Halbleiter entwickelte Wärme und gleichzeitig eine Wärmespreizung erreicht werden, die den auf den Leistungshalbleiter und auf die elektrischen Leiter wirkenden thermomechanischen Stress reduziert. Dadurch sind die erfindungsgemäß ausgestalteten Leistungshalbleitermodule weniger stressanfällig und langlebiger.
- Erfindungsgemäß ist also ein Leistungshalbleitermodul mit einem Leistungshalbleiter, einem den Leistungshalbleiter kontaktierenden elektrischen Leiter und einer die eine Hauptfläche des Leistungshalbleiters wenigstens teilweise und den elektrischen Leiter wenigstens teilweise bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse vorgesehen, wobei die Glob-Top-Vergussmasse ein hochwärmeleitfähiges Polymer ist. Der elektrische Leiter ist dabei ein bevorzugt durch ein Bondverfahren mit dem Halbleiter verbundener Draht, Dick-Draht oder ein Bändchen.
- Bevorzugt ist das hochwärmeleitfähige Polymer zugleich ein elektrisch leitfähiges Polymer, wobei die elektrische Leitfähigkeit dadurch gegeben ist, dass das hochwärmeleitfähige Polymer entweder ein intrinsisch leitfähiges Polymer oder ein mit einem Metall gefülltes Polymer ist. Als Metall, speziell in Form eines Füllstoffs in der Art von im Polymer verteilten Metallflocken oder -partikeln, können bevorzugt Aluminium und/oder Kupfer verwendet sein.
- Hierbei ist zu beachten, dass das Metall gefüllte Polymer lediglich Flächen bedeckt, die das gleiche elektrische Potential tragen. Dies kann z.B. sehr vorteilhaft auf Dioden angewendet werden, die zugleich von einer thermischen Pufferfunktion wie von dem Schutz ihrer oberseitigen Kontakte profitieren. Neben der thermischen Pufferfunktion ermöglicht ein derartig elektrisch leitfähiges Polymer auch die gleichmäßige Verteilung des elektrischen Stroms über die Halbleiterfläche und sorgt insbesondere für einen gleichmäßigeren Übergang des elektrischen Stroms in die Kontakte.
- Im Fall von Leistungshalbleitern, deren Anschlussflächen mehrere elektrische Potentiale tragen, ist bei der Applikation derartig elektrisch leitfähiger Polymere darauf zu achten, dass das Polymer lediglich mit Anschlussflächen eines Potentials in Berührung kommt.
- Gegebenenfalls sind dann zwei oder mehr Glob-Top-Vergussbereiche zu applizieren. Alternativ wird jedoch vorgeschlagen, lediglich die von besonderem thermomechanischen Stress beeinflusster Hauptanschlussfläche mit der elektrisch leitfähigen Vergussmasse ganz oder teilweise zu bedecken und die Anschlussflächen der Steueranschlüsse von der Bedeckung mit der elektrisch leitfähigen Glob-Top-Vergussmasse auszunehmen.
- Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls ist gegeben, wenn das Leistungshalbleitermodul mit einer elektrisch nicht-leitenden Umhüllmasse vergossen ist, wobei einer erster Oberflächenabschnitt des vergossenen Leistungshalbleitermoduls von der Umhüllmasse und ein zweiter Oberflächenabschnitt des vergossenen Leistungshalbleitermoduls von der Glob-Top-Vergussmasse gebildet ist. Diese Ausgestaltung ermöglicht eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips bei vergossenem Halbleitermodul von außerhalb, indem die elektrische Leitfähigkeit der Glob-Top-Vergussmasse für die elektrische Kontaktierung des Leistungshalbleiters nach Außen genutzt wird.
- Bei thermoplastischen mit Füllstoffen gefüllten Polymeren bietet sich zur Herstellung der oben genannten Glob-Top-Vergussmassen ein Verfahren an, bei dem ein vorproduzierter Körper des thermoplastischen mit Füllstoffen gefüllten Polymers auf ein vorerhitztes Leistungsmodul appliziert wird, wobei der vorproduzierte Körper in einer geeigneten Größe der Berührfläche auf dem Leistungshalbleiter verwendet und durch ein ebenfalls beheiztes Werkzeug zugeführt wird. Auf diese Art kann sich der thermoplastische Körper festschmelzen und dabei gegebenenfalls auch die Kontakte umfließen. Durch das Festschmelzen entsteht eine stoffliche Verbindung zwischen dem mit Füllstoffen gefüllten Polymer und dem Leistungshalbleiter mit seinen Kontakten.
- In einem alternativen Verfahren wird der heiß verflüssigte mit Füllstoffen gefüllte Polymerwerkstoff tröpfchenweise (ähnlich einem hot Inkjet) oder als endlose Raupe (wie in einem 3-D-Druckverfahren) auf die vorgewärmte Baugruppe gezielt aufgebracht.
- Die Erfindung wird im Folgenden anhand eines in den beigefügten Zeichnungen dargestellten, besonders bevorzugt ausgestalteten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung; -
2 eine schematische Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung; und -
3 einen schematischen Ablaufplan eines besonders bevorzugten Verfahrens zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls nach der Erfindung. -
1 zeigt eine schematische Seitenansicht eines ersten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung. Das in1 dargestellte Leistungshalbleitermodul10 weist einen Leistungshalbleiter20 und einen den Leistungshalbleiter20 kontaktierenden elektrischen Leiter30 auf, wobei die obere Hauptfläche des Leistungshalbleiters20 nahezu vollständig und der elektrische Leiter30 wenigstens teilweise mit einer Glob-Top-Vergussmasse40 bedeckt ist. Gemäß der Erfindung ist die Glob-Top-Vergussmasse40 ein hochwärmeleitfähiges Polymer, das für eine Spreizung der vom Leistungshalbleiter20 erzeugten Wärme sorgt und als Wärmepuffer wirkt. - In dem Fall, dass der Leistungshalbleiter
20 lediglich eine elektrische Potentialfläche auf seiner Oberfläche hat, welche durch den elektrischen Leiter30 kontaktiert ist, ist sowohl der Einsatz eines elektrisch leitfähigen, als auch einer elektrisch nicht leitfähigen Glob-Top-Vergussmasse40 denkbar. -
2 zeigt eine schematische Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung. Das in2 gezeigte Leistungshalbleitermodul10 weist ebenfalls einen Leistungshalbleiter20 und einen den Leistungshalbleiter20 kontaktierenden elektrischen Leiter30 auf, wobei auch dieser Leistungshalbleiter20 nahezu vollständig und der elektrische Leiter30 wenigstens teilweise mit einer Glob-Top-Vergussmasse40 bedeckt ist. - Gegenüber dem in
1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Leistungshalbleitermodul10 zusätzlich mit einer elektrisch nicht-leitenden Umhüllmasse50 vergossen, wobei ein erster Oberflächenabschnitt des vergossenen Leistungshalbleitermoduls10 von der Umhüllmasse50 und ein zweiter Oberflächenabschnitt des vergossenen Leistungshalbleitermoduls10 von der Glob-Top-Vergussmasse40 gebildet ist. - Diese Ausgestaltung hat den Vorteil, dass der vergossene Leistungshalbleiter
20 über die leitfähige Glob-Top-Vergussmasse40 kontaktiert werden kann, auch wenn das gesamte Leistungshalbleitermodul10 mit einer elektrisch nicht-leitenden Vergussmasse50 vergossen ist. - Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls weist die in
3 gezeigten Schritte auf, nämlich100 : Fertigen eines eine Glob-Top-Vergussmasse40 aus einem hochwärmeleitfähigen Polymer aufweisenden Körpers,200 : Erwärmen des Körpers und/oder Erwärmen des Leistungshalbleiters20 ,300 : Verbinden der Glob-Top-Vergussmasse40 mit dem Leistungshalbleiter20 durch Einschmelzen des Leistungshalbleiters20 in die Glob-Top-Vergussmasse40 , und400 : Abkühlen des Leistungshalbleitermoduls10 . - Insbesondere ist der Körper dabei aus der Glob-Top-Vergussmasse
40 und einer elektrisch nicht-leitenden Umhüllmasse50 gebildet.
Claims (8)
- Leistungshalbleitermodul (
10 ) mit einem Leistungshalbleiter (20 ), einem den Leistungshalbleiter (20 ) kontaktierenden elektrischen Leiter (30 ) und einer die eine Hauptfläche des Leistungshalbleiters (20 ) wenigstens teilweise und den elektrischen Leiter (30 ) wenigstens teilweise bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse (40 ), dadurch gekennzeichnet, dass die Glob-Top-Vergussmasse (40 ) ein hochwärmeleitfähiges Polymer ist. - Leistungshalbleitermodul (
10 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das hochwärmeleitfähige Polymer ein intrinsisch elektrisch leitfähiges Polymer ist. - Leistungshalbleitermodul (
10 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das hochwärmeleitfähige Polymer ein mit einem Metall gefülltes Polymer ist. - Leistungshalbleitermodul (
10 ) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall Aluminium (Al) und/oder Kupfer (Cu) ist. - Leistungshalbleitermodul (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleitermodul (10 ) mit einer elektrisch nicht-leitenden Umhüllmasse (50 ) vergossen ist, wobei ein erster Oberflächenabschnitt des vergossenen Leistungshalbleitermoduls (10 ) von der Umhüllmasse (50 ) und ein zweiter Oberflächenabschnitt des vergossenen Leistungshalbleitermoduls (10 ) von der Glob-Top-Vergussmasse (40 ) gebildet ist. - Leistungshalbleitermodul (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leiter (30 ) ein Draht oder ein Bändchen ist. - Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Schritten: – Fertigen eines eine Glob-Top-Vergussmasse (40 ) aus einem hochwärmeleitfähigen Polymer aufweisenden Körpers, – Erwärmen des Körpers und/oder Erwärmen des Leistungshalbleiters (20 ), – Verbinden der Glob-Top-Vergussmasse (40 ) mit dem Leistungshalbleiter (20 ) durch Einschmelzen des Leistungshalbleiters (20 ) in die Glob-Top-Vergussmasse (40 ), und – Abkühlen des Leistungshalbleitermoduls (10 ). - Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Körper aus der Glob-Top-Vergussmasse (
40 ) und einer elektrisch nicht-leitenden Umhüllmasse (50 ) gebildet ist.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102015120109.7A DE102015120109B4 (de) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse |
| PCT/EP2016/077867 WO2017085131A1 (en) | 2015-11-19 | 2016-11-16 | Power semiconductor module having a glob top potting compound covering a power semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102015120109.7A DE102015120109B4 (de) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102015120109A1 true DE102015120109A1 (de) | 2017-05-24 |
| DE102015120109B4 DE102015120109B4 (de) | 2018-03-01 |
Family
ID=57321344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102015120109.7A Active DE102015120109B4 (de) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102015120109B4 (de) |
| WO (1) | WO2017085131A1 (de) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102020134563A1 (de) | 2020-12-22 | 2022-06-23 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls |
| DE102021116053A1 (de) | 2021-06-22 | 2022-12-22 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Elektrischer Leiter, elektronische Baugruppe mit elektrischem Leiter und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mit einem elektrischen Leiter |
| EP4270454A3 (de) * | 2022-04-28 | 2023-11-22 | Infineon Technologies AG | Leistungshalbleitermodul mit einem ersten und einem zweiten fach und verfahren zur herstellung davon |
| EP4270453A1 (de) * | 2022-04-28 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur herstellung eines leistungshalbleitermoduls mit einem verkapselungsmaterial mit hoher thermostabilität und leistungshalbleitermodul |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3415446A1 (de) | 1983-04-25 | 1984-10-25 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Gegossene harz-halbleitervorrichtung |
| US20020020923A1 (en) | 2000-08-10 | 2002-02-21 | Nec Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20070267737A1 (en) | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Packaged devices and methods for forming packaged devices |
| JP2008288433A (ja) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Yaskawa Electric Corp | 実装基板の樹脂モールド方法とその装置および樹脂モールド実装基板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866953A (en) * | 1996-05-24 | 1999-02-02 | Micron Technology, Inc. | Packaged die on PCB with heat sink encapsulant |
| US20050095410A1 (en) | 2001-03-19 | 2005-05-05 | Mazurkiewicz Paul H. | Board-level conformal EMI shield having an electrically-conductive polymer coating over a thermally-conductive dielectric coating |
| US7180169B2 (en) * | 2003-08-28 | 2007-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit component built-in module and method for manufacturing the same |
-
2015
- 2015-11-19 DE DE102015120109.7A patent/DE102015120109B4/de active Active
-
2016
- 2016-11-16 WO PCT/EP2016/077867 patent/WO2017085131A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3415446A1 (de) | 1983-04-25 | 1984-10-25 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Gegossene harz-halbleitervorrichtung |
| US20020020923A1 (en) | 2000-08-10 | 2002-02-21 | Nec Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20070267737A1 (en) | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Packaged devices and methods for forming packaged devices |
| JP2008288433A (ja) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Yaskawa Electric Corp | 実装基板の樹脂モールド方法とその装置および樹脂モールド実装基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102015120109B4 (de) | 2018-03-01 |
| WO2017085131A1 (en) | 2017-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102009040444B4 (de) | Leistungsmodul | |
| DE102006012429B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE102012206596B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE102008025705B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
| DE102014212376B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE102011077543B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE102012224355B4 (de) | Leistungsmodul | |
| DE112013007047B4 (de) | Halbleitermodul | |
| DE102009055691B4 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
| DE4036096C2 (de) | ||
| DE112014005694B4 (de) | Halbleitermodul | |
| DE112015005217B4 (de) | Halbleitervorrichtung und elektronisches Bauteil, welches diese verwendet | |
| DE102015120109B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse | |
| DE102015212831A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
| DE112008002559T5 (de) | Drahtlose Halbleiterbaugruppe für effiziente Wärmeabfuhr | |
| DE102006012665A1 (de) | Anschlussbox für ein Solarzellenpanel | |
| DE112014006142B4 (de) | Leistungshalbleiteranordnung | |
| DE102020109692A1 (de) | Quad-gehäuse mit an anschlüssen an der oberseite eines halbleiterchips angebrachten leitenden clips | |
| DE112016006331B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE102015216779B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
| DE112014006793B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE112013006402T5 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE112019002333T5 (de) | Leistungshalbleitermodul, Verfahren zum Herstellen desselben und Leistungswandlungsvorrichtung | |
| DE102015112451B4 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
| DE102019215259B4 (de) | Halbleitervorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R012 | Request for examination validly filed | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: LOBEMEIER, MARTIN LANDOLF, DR., DE |
|
| R020 | Patent grant now final |