JP3681636B2 - 電子部品の製造方法及び装置 - Google Patents
電子部品の製造方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3681636B2 JP3681636B2 JP2000396803A JP2000396803A JP3681636B2 JP 3681636 B2 JP3681636 B2 JP 3681636B2 JP 2000396803 A JP2000396803 A JP 2000396803A JP 2000396803 A JP2000396803 A JP 2000396803A JP 3681636 B2 JP3681636 B2 JP 3681636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid resin
- substrate
- electronic component
- chamber
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 147
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 147
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 99
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 14
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 73
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01055—Cesium [Cs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の製造方法及び装置に係り、特に携帯電話、腕時計、IC(Integrated Circuit)カード、電子式卓上計算機、ディジタルカメラ等の小型・軽量・堅牢性が求められる用途に使用される電子部品の製造方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話を代表として種々の情報端末装置の携帯性が重視され、小型化及び軽量化が図られている。また、現在一般的に用いられている銀行のクレジットカードや定期券等のカードは情報を磁気的に記録するものであるが、今後個人情報の漏洩や改竄を防止する観点から情報の盗用や改竄が困難なICカードが一般的に普及するものと考えられる。これらの情報端末装置やICカード内には各種の半導体素子が内蔵されているが、情報端末装置やICカードの外形形状が制限されるため、内蔵される半導体素子の外形寸法が重量も小型・軽量化される。また、使用者に携帯される上記情報端末装置やICカードは、単に小型・計量であるばかりではなく堅牢であることが求められる。更に、半導体素子一般について、経時変化が少なく高い信頼性を有することが求められる。
【0003】
半導体素子の高信頼化を実現する技術として、例えば特開平1−207935号公報に開示された技術が案出されている。この公報では、半導体素子を基板上に搭載し、半導体素子に形成された電極と基板に形成された電極とをボンディングにより接続し、塩素含有量が500ppm以下のエポキシ樹脂からなる液状樹脂で封止した後、0.1〜5.0kg/cm3程度に加圧しながら樹脂を硬化させることにより半導体チップを封止する技術を開示している。かかる工程を経ることにより、樹脂の硬化前又は硬化中に生ずる微少な気泡の発生を抑制するとともに、樹脂とフィラーの密着性を向上させることによって、水分の侵入による半導体チップのアルミ配線の腐食や絶縁性の低下を防止して信頼性を高めている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体チップを液状樹脂で封止する方法は様々な方法があるが、基板上に搭載された半導体チップの位置に応じて孔が形成された孔版と、孔版上を摺動するスキージとを用いた印刷封止法が同出願人等から案出されている。この方法は、孔版上に液状樹脂を滴下した状態でスキージを摺動させることにより、液状樹脂を孔版に形成された孔に充填して液状樹脂を基板上に印刷する方法である。孔版の孔は半導体チップの位置に応じて形成されているため、印刷により半導体チップは封止されることになる。
【0005】
上記印刷封止法を大気圧下で行う場合には、液状樹脂を孔へ充填させるためのスキージの移動時において液状樹脂中に空気を巻き込んでしまうことは避けられない。よって、孔内に充填された液状樹脂中には気泡が残存する。そのため、大気圧下で印刷封止法を用いる場合には、基板上に液状樹脂を印刷した後に、基板を真空容器内に配置して減圧することにより液状樹脂内に残存する気泡を除去する工程を必要としていた。
【0006】
上記の不具合を解消するために、同出願人は、真空雰囲気下(減圧下)において液状樹脂を印刷する技術を案出している。減圧下においてはスキージを移動させても液状樹脂内に空気を巻き込むことは無いため、大気圧下において印刷するときの不具合は解消できると考えられる。ところで、減圧下において印刷を行う場合には、液状樹脂中にボイドが発生することが考えられる。ここで、ボイドとは液状樹脂中の中空部分である。液状樹脂を硬化させる際に、ボイドが残存すると上記気泡と同様に半導体素子の信頼性を低下させる虞がある。ここで、ボイドを消滅させる方法の一つとして、印刷時における気圧と印刷後における気圧との差を利用する方法が挙げられる。つまり、減圧下で印刷した液状樹脂内にボイドが残存していても、印刷後に大気圧にすることで印刷された液状樹脂に圧力を加えてボイドを消滅させる方法である。
【0007】
しかしながら、高密度化が要求されている近年の半導体チップにはワイヤーが狭いピッチで高密度に接続されており、又フリップチップの場合でも電極のギャップが狭くなっているため、ボイドが残存することが分かってきた。かかる狭ピッチのワイヤーや狭いギャップに残存するボイドは、本来気圧差によりその体積を縮小する筈であるが、液状樹脂の粘度によって液状樹脂と板やチップとの濡れの抵抗によって、縮小できないものと推測される。しかも、減圧下から大気圧に戻した瞬間にはボイド内の圧力は低い状態であるが、前述の抵抗によって体積変化を伴わずに時間と共に常圧に近づいていく。従って、液状樹脂内にボイドが残存する場合にも上述の気泡が残存する場合と同様に半導体素子の信頼性を低下させるという問題がある。
【0008】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、小型の電子部品を製造する場合であっても、液状樹脂内に気泡やボイドを残存させることなく、且つ高い信頼性を有する電子部品を製造することができる電子部品の製造方法及び装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電子部品の製造方法は、基板に搭載された電子部品素子を液状樹脂で封止する封止工程と、前記液状樹脂で封止された電子部品素子を搭載する前記基板を加圧状態とする加圧工程と、前記加圧状態で前記基板を加熱することにより前記基板を加熱加圧状態として、前記液状樹脂内の残存ボイドを消滅させる加熱加圧工程と、前記基板を加熱状態として前記液状樹脂を硬化させる硬化工程とを有することを特徴としている。
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記硬化工程が、前記基板を前記加熱状態にするとともに加圧状態とした加熱加圧状態として前記液状樹脂を硬化させることを特徴としている。
ここで、本発明の電子部品の製造方法は、前記硬化工程における前記基板の加熱温度が、前記加熱加圧工程における前記基板の加熱温度以上に設定されることが好ましい。
更には、前記加熱加圧工程における前記基板の加熱温度が、前記液状樹脂の粘度を低下させる一次設定温度に設定され、前記硬化工程における前記基板の加熱温度が、前記液状樹脂がゲル化する温度以上の二次設定温度に設定されることが好適である。
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記封止工程が、前記基板に搭載された電子部品素子の位置に応じて孔が形成された孔版を用いて前記電子部品素子を封止することを特徴としている。
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記封止工程では、前記電子部品素子の封止を減圧下で行うことを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の電子部品の製造装置は、基板に搭載された電子部品素子の位置に応じて孔が形成された孔版と、当該孔版上を摺動するスキージとを少なくとも備え、前記電子部品素子を液状樹脂で封止する封止室と、前記封止室で前記電子部品素子が封止された基板を加熱加圧状態とし、前記液状樹脂に残存するボイドを消滅させるとともに、前記液状樹脂を硬化させる加熱加圧室とを備えることを特徴としている。
ここで、前記加熱加圧室における前記基板の加熱温度が、前記ボイドを消滅させる場合には前記液状樹脂の粘度を低下させる一次設定温度に設定され、前記液状樹脂を硬化させる場合には前記液状樹脂がゲル化する温度以上の二次設定温度に設定されることを特徴としている。
更には、前記封止室が、前記基板を封止する場合に減圧状態に設定されることを特徴としている。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による電子部品の製造方法及び装置について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態による電子部品の製造方法を示すフローチャートである。図1に示したように本発明の一実施形態による電子部品の製造方法は、封止工程S10、加圧工程S12、加熱加圧工程S14、及び硬化工程S16を含む。
【0011】
封止工程S10では、基板に搭載された半導体チップ等の電子部品素子を液状樹脂で封止する。この工程では液状樹脂の封止方法は特に制限はないが、例えば、基板に搭載された電子部品素子の位置に応じて孔が形成された孔版を用いて電子部品素子を封止することが好ましい。この際に、孔版上を摺動するスキージを用いて印刷により封止することが製造効率を向上させる上で好ましい。また、封止を行う場合には、真空雰囲気下(減圧下)であっても大気圧下であってもよいが、液状樹脂への気泡の混入を避ける観点からは真空下で行うことが好ましい。
【0012】
封止工程S10が終了すると、次に加圧工程S12が行われる。加圧工程S12は、封止された電子部品素子が搭載された基板を加圧状態に設定する。ここで、電子部品素子を封止した後に加圧状態とするのは、液状樹脂に残存する気泡の内、表面近くの気泡は液状樹脂を加圧状態とすることで、液状樹脂の表面から除去するためである。また、液状樹脂の表面近くのボイドも同様に除去することができる。
【0013】
次に、加熱加圧工程S14が行われる。この加熱加圧工程S14は、加圧状態で基板を加熱することにより基板を加熱加圧状態として、液状樹脂内の残存ボイドを消滅する。前述の加圧工程S12では液状樹脂を加圧することにより、液状樹脂の表面近くの気泡又はボイドを除去していたが、加熱加圧工程S14では、加圧状態を維持しながら温度を上昇させて液状樹脂の粘度を低下させることにより、気泡又はボイドの液状樹脂中の位置に拘わらず体積を減少させて事実上消滅させている。
【0014】
ここで、液状樹脂に残存する気泡又はボイドを除去することのみを考慮すると、封止工程S10を終了した後に、直ちに加熱加圧工程S14を行えば良いと考えられる。つまり、液状樹脂に残存する気泡又はボイドを除去するために、液状樹脂を加熱して粘度を低下させ、液状樹脂の粘度が最低になった時点で加圧すればボイドの体積を効率よく縮小させることができ、また気泡を効率良く除去することができると考えられる。しかしながら、液状樹脂は、加熱温度を徐々に上昇させていくと、図2に示すように、ある温度で液状樹脂の粘度が最低となった後、急激に粘度上昇を伴った硬化反応を起こす。図2は、加熱時間と液状樹脂の粘度変化との関係を示す図である。図2において、符号T1〜T6を付した曲線は、設定温度がそれぞれ、40℃、60℃、80℃、100℃、120℃、150℃にした場合の加熱時間と液状樹脂の粘度変化との関係を示している。図2を参照すると、加熱温度を上昇させるに伴い、短時間で粘度が上昇する様子が分かる。
【0015】
従って、温度を上昇させていき、液状樹脂の粘度が最低となったタイミングで加圧すると、表面に窪みが形成された状態で液状樹脂が増粘してゲル化してしまうことがある。つまり、液状樹脂を加熱すると粘度が低下し、更に加圧することで、液状樹脂の表面近くで抜けた気泡の体積分、又は液状樹脂に残存するボイドが押し潰されて減少した体積分だけ液状樹脂の表面が急激に窪むことになる。この窪みは時間が経つにつれて自然にレベリングされて平坦となるが、加熱しているが故にレベリングされる前に液状樹脂が増粘してゲル化してしまい窪んだままとなる。また、大気圧下で温度を上昇させて液状樹脂の粘度を下げると、液状樹脂が流動しやすくなって基板上に広がり、封止形状を留めなくなるという問題も生じる。従って、本実施形態では、加圧工程S12を経た後に加熱加圧工程S14を行っている。更に、液状樹脂の構成成分によっては、一次設定温度で沸点を持つものが存在する場合(例えば、粘度調整用の希釈剤や低分子のカップリング剤、或いは酸無水物硬化剤等)もあり、このような場合には、大気圧下で加熱すると沸騰状態となり、そのような状態で増粘、ゲル化してしまう虞がある。
【0016】
よって、加熱加圧工程S14では、工程開始の初期状態から加圧しておき、一次設定温度まで温度を上げていく。この一次設定温度は、60〜120℃の範囲であって、液状樹脂の急激な反応を起こさず緩やかに反応が進む温度である。この一次設定温度で液状樹脂を加熱すると、比較的長い時間液状樹脂の粘度が低くなる状態が続く。ここで、一次設定温度が60℃よりも低いと液状樹脂は反応を起こさないか、ゲル化するまでに長時間を有するため好ましくない。逆に、一次設定温度が120℃よりも高いと液状樹脂は急激に反応して、反応に伴う硬化発熱によって発泡する場合があり、また、粘度が十分低下する前に増粘するため好ましくない。一次設定温度までの昇温速度はさほど重要ではないが、2〜20℃/分程度である。2℃/分より遅いと時間的に効率が悪く、20℃/分以上では、一次設定温度以上に過界温しやすく制御が難しくなるため好ましくない。また、加える圧力は、9.8kPa(0.1kg/cm2)〜980kPa(10kg/cm2)であり、好ましくは、49kPa〜490kPaである。加えるある力を9.8kPa以下にすると、ボイドの消滅等の効果が見い出せず、980kPa以上は設備費用が嵩むだけで効果に対して不必要である。尚、一次設定温度で液状樹脂がゲル化した後は、ボイドが消滅し又は気泡が抜けたまま押し潰されて固まっているため大気圧に戻しても差し支えない。加熱加圧工程S14で圧力を加えておくことにより、液状樹脂の沸点が上昇し、一次設定温度で沸騰することなく、又、表面状態に悪い影響を及ぼすことなくボイドを消滅させることができる。
【0017】
このように、本実施形態では加圧工程S12において、加熱前の初期段階から液状樹脂に圧力をかけることにより、液状樹脂の表面近くの気泡を抜き、抜けた後の窪みをレベリングさせることができる。また、液状樹脂に残存するボイド又は気泡を封じ込めておき、加熱加圧工程S14において液状樹脂を加熱することにより液状樹脂の粘度を低下させることによりボイド又は気泡の体積を減少させて消滅させることができる。更に、本実施形態では、液状樹脂に残存するボイドの消滅又は気泡の除去による体積の減少分に起因する液状樹脂表面の窪みが加熱後に加圧した場合のように急激に生ずる訳ではないので、十分にレベリングさせることができる。また、液状樹脂全体に均一に圧力が加わるため、液状樹脂の粘度が低下しても、封止形状の広がりが抑えることができる。
【0018】
加熱加圧工程S14終了後には、硬化工程S14が行われる。この硬化工程は、硬化した液状樹脂の設計上の特性を引き出すために行われる工程である。硬化工程S14では、ゲル化した液状封止樹脂を二次設定温度まで加熱して硬化させる。この二次設定温度は120〜200℃である。硬化工程S14における二時設定温度が120℃以下の場合には、十分に官能基が反応し切れず硬化物の特性が十分とはならず、200℃以上の場合には、成分の一部が熱による分解を起こすことがあるため好ましくない。また、二次設定温度を200℃以上とすると、基板や半導体チップに悪影響を及ぼすことがある。この、硬化工程S16は、大気圧化で行ってもよく、また上述した加熱加圧工程S14に引き続き基板及びゲル化した液状樹脂を加圧した状態で行ってもよい。
【0019】
次に、上述した本発明の一実施形態による電子部品の製造方法を行う本発明の一実施形態による電子部品の製造装置について説明する。図3は、本発明の一実施形態による電子部品の製造装置の構成を示す図である。尚、図3に示した電子部品の製造装置は、ライン化して電子部品を製造する際に用いて好適な電子部品の製造装置の一例を示したものであり、封止される部品の形態によっては必ずしも図3に示した電子部品の製造装置を完全に備える必要はない。
【0020】
図3に示したように、本発明の一実施形態による電子部品の製造装置は、基板1を搬入する搬入室10と、基板2を印刷する封止室としての印刷室20と、印刷された基板3を搬出する搬出室30と、封止後の基板4に印刷された液状樹脂に残存するボイドの消滅及び気泡の除去並びに液状樹脂を硬化する加圧硬化炉70と、基板5を装置外に搬出する搬出室80とを備える。尚、図2中では基板に符号1〜5を付して区別しているが、これらには同一数の半導体チップが同一位置に形成されている。
【0021】
搬入室10は、外部から基板を搬入する運搬口11と、搬入した基板1を印刷室に搬出する運搬口12を備える。運搬口12によって搬入室10内部と印刷室20内部とが貫通している。また、この搬入室10は封止前の基板1の真空乾燥を行うための乾燥室としても兼用される。搬出室30は、印刷室20から基板2を搬入する運搬口31と封止後の基板3を加圧硬化炉70へ搬出する運搬口32とを備える。運搬口31によって搬出室30内部と印刷室20内部とが貫通している。
【0022】
運搬口11には、外部と搬入室10とを遮断(分離)又は開放するための開閉扉13が設けられ、運搬口12には、搬入室10と印刷室20とを遮断(分離)又は開放するための開閉扉14が設けられる。また、運搬口31には、印刷室20と搬出室30とを遮断(分離)又は開放するための開閉扉33が設けられ、運搬口32には、搬出30と加圧硬化炉70とを遮断(分離)又は開放するための開閉扉34が設けられる。また、加圧硬化炉70と搬出室80との間には開閉扉35が設けられ、搬出室80には開閉扉36が設けられる。開閉扉13,14,33,34,35,36は、内外部の気圧差に耐えられる構造となっている。例えば気密性を保持できるシーリングが施されている。開閉扉13,14,33,34,35,36が閉状態である場合、搬入室10、印刷室20、搬出室30、加圧硬化炉70、及び搬出室80は密封され、気密性を保持できる。本実施形態では、上述のように搬入室10を真空乾燥室として兼用しており、この搬入室が基板1の湿気や残存揮発性物質を除去するために用いられるので、0.1torr程度の真空度に耐える耐圧構造とすることが好ましい。
【0023】
また、搬入室10、印刷室20、搬出室30、加圧硬化炉70、及び搬出室80内、及び装置の外部には基板を搬送するためのベルトコンベア40,41,42,43,44、45,46が一直線状に配置され、基板1,2,3、4,5を搬送する。尚、上記基板1,2,3,4,5は基板そのものではなく、例えば基板を載置した治具板であってもよい。また、ベルトコンベア40,41,42,43,44、45,46は、例えばローラ回転機構を備えた送り装置であってもよい。尚、基板としては、液状樹脂が充填される孔を有する基板、液状樹脂で封止される半導体が搭載された基板、液状樹脂で封止される電子部品等がある。
【0024】
前述した搬入室10、印刷室20、搬出室30、及び搬出室80にはバルブ53を備えた吸気管50、バルブ54を備えた吸気管51、バルブ55を備えた吸気管52、バルブ82を備えた吸気管81がそれぞれ備えられている。搬入室10、印刷室20、搬出室30、及び搬出室80が真空状態にある場合、バルブ53,54,55,82を開状態とすることで、搬入室10、印刷室20、搬出室30、及び搬出室80内部の気圧を大気圧とすることができる。また、搬入室10、印刷室20、及び搬出室30には、バルブ57,58,59が設けられ、真空ポンプ60に接続された配管56が接続されてる。よって、真空ポンプ60が稼働状態である場合に、バルブ57,58,59を開状態とすることで、搬入室10、印刷室20、及び搬出室30それぞれを真空状態とすることができる。よってバルブ53,54,55,57,58,59の開度を調整することで搬入室10、印刷室20、及び搬出室30内の真空度を任意に設定することができる。
【0025】
特に、搬入室10は真空乾燥を行うためにも用いられているため、搬入室10の真空度を任意に設定できることは好適である。尚、図3では、真空ポンプ60がバルブ57,58,59を介して直接搬入室10、印刷室20、及び搬出室30に接続されているが、必要に応じて搬入室10、印刷室20、及び搬出室30と真空ポンプ60との間にタンクを設けて所定の真空度に到達するまでの時間短縮を図ってもよい。また、搬出室30及び加圧硬化炉70には、バルブ55,92が設けられ、コンプレッサ90に接続された配管52,91がそれぞれ接続されてる。尚、コンプレッサ90に代えて窒素ガスが封入された窒素ボンベを設けても良い。バルブ55,92を開状態とすることで、搬出室30及び加圧硬化炉70内の圧力各々を大気圧以上に調整することができる。加圧硬化炉70内には、基板4の移動方向に沿って所定間隔で間仕切り77が設けられている。この間仕切り77は、主として開閉扉34,35の開閉に伴う加圧硬化炉70内の急激な温度変動を緩和するために設けられる。また、加圧硬化炉70内にはヒーターブロック72が設けられている。このヒーターブロック72は、加圧乾燥炉70の上、下、左、右、上下、左右、又は周囲に設けられる。尚、コンプレッサ90から加圧乾燥炉70に通じる配管に熱源を取り付け、所定の温度に加熱された気体を加圧乾燥炉70内へ導入するようにしてもよい。また、ヒーターブロック72を分割してブロック化し、各々のブロックで所定の温度となるように制御しても良い。このように、本実施形態では、加圧硬化炉70内の基板4に加える圧力はバルブ92の開閉によって調整され、温度はヒーターブロック72による温度制御により調整される。
【0026】
次に、印刷室20の内部について詳細に説明する。図3において、21は、後述するテーブル22の昇降及び静止を行うテーブル昇降装置であり、必要に応じて昇降速度及び任意の位置で任意の時間静止できる機能を備えていても良い。また、テーブル昇降装置21の代わりに印刷孔版を昇降させる装置を用いることも可能である。この場合においても上記機構を備えることが可能である。22は印刷機のテーブルであり、基板2が治具板に搭載されている場合、又は基板自体を搬送する際には特に必要としない。また、必要に応じて基板2加温できるようにヒータ(図示せず)を内蔵したり、又はテーブル上面にヒータを設置しても良い。
23は印刷用の孔版であり、基板2の樹脂供給部分に対応する位置に供給寸法に対応した大きさ及び形状の孔が、供給部に対応する数で設けられている。図3においては、孔23a,23b,23cが設けられている。24はスキージ移動装置であり、印刷室20内に水平に設置された移動レール25に沿って図中符号H1が付された方向又は符号H2が付された方向に往復運動可能に構成され、スキージ26a,26bを符号、H1が付された方向又は符号H2が付された方向に往復運動させる。また、スキージ移動装置24は、スキージ26a,26bを符号V1が付された方向又は符号V2が付された方向に往復運動させ、スキージ16a,26bの垂直位置の調整を行うとともに、スキージ26a,26bと孔版23との距離の調整と接触圧の調整とを行うものである。
【0027】
次に、スキージ26a,26bと孔版23との関係について説明する。スキージ26a,26bと孔版23との接触角θは、基板の孔部へ液状樹脂を押し込み充填するために90゜より小さい角度にした方が好ましい。つまり、スキージ26a,26bの先端が鋭角でなく90°に近い場合には、スキージ26a,26b自体を傾斜させて接触角θを90°以下にする必要がある。また、スキージ26a,26bの先端が鋭角である場合には、スキージ26a,26bは垂直に配置されていても接触角θが90°以下になる。本実施形態においては、印刷はスキージ移動装置24が図中符号H1が付された方向へ移動する場合と、符号H2が付された方向へ移動する場合との両方においてなされるため、2本のスキージ26a,26bが対向して設けられている。
【0028】
27は、印刷室20内の孔版23上へ適宜液状樹脂を供給するための樹脂供給装置であり、印刷室20の外部において樹脂供給装置に液状樹脂が補充されるものである。この装置は必要に応じて液状樹脂を加温できるように加温装置(図示せず)を装備してもよい。また、樹脂供給装置27は、印刷室20外部に設けられているが、これは液状樹脂の供給は構造上必ず印刷室内の孔版上に供給する必要があり、当該印刷室が常時真空に近い状態であるため、印刷室外部において補充し、印刷室20内に送り込む樹脂供給が必要となるからである。28は、樹脂供給装置27に接続された樹脂供給ノズルであり、樹脂供給装置27から孔版23上へ液状樹脂を吐出する部分であって、必要に応じて液状樹脂を加温できる構成となっていてもよい。
【0029】
尚、樹脂供給ノズル28は、スキージ26aとスキージ26bとの間に複数個設けられていてもよい。また、樹脂供給ノズル28を移動可能な構成としてもよい。この場合、スキージ26a,26bが図3中符号H1が付された方向移動し、元の位置に帰還するまでの間に、樹脂供給ノズル28がスキージ26a,26bの移動範囲外から移動してきてスキージの前面に位置する孔版23上に液状樹脂を吐出した後、スキージ26a,26bの移動範囲外の元の位置に帰還するようになる。図3中29は孔版23上に樹脂供給ノズル28から吐出された液状樹脂である。吐出される位置は前進するスキージ26a,6bの前方に位置する孔版23の上である。
【0030】
次に、本発明の一実施形態による電子部品の製造装置の動作について説明する。まず、搬入室10に関して開閉扉14を閉状態とし、開閉扉13を開状態とし、搬出室30に関して開閉扉34を閉状態とし、開閉扉33を開状態とする。また、加圧硬化炉70及び搬出室80に関して開閉扉35,36を閉状態とする。更に、真空ポンプ60を稼働し、バルブ53,58,59は開状態とし、バルブ54,55,57を閉状態とする。このようにすることで、搬入室10内の圧力を大気圧とし、印刷室20及び搬出室30を所定の真空度に調整する。尚、バルブ82は閉状態、バルブ92は開状態としておく。
【0031】
この状態で、ベルトコンベア40,41を稼働し、基板1を運搬口11を介して搬入室10内部へ搬入する。次に、開閉扉13を閉状態とし、バルブ53を閉状態にするとともにバルブ57を開状態として真空ポンプ60の稼働により搬入室10の内部気圧を印刷室20の内部気圧と同等にする。尚、真空室10は真空乾燥室として用いられるため、乾燥時間短縮の観点から印刷室20よりも高い真空度に設定しても良い。
【0032】
搬入室10の内部気圧が印刷室20の内部気圧と同等になった後、開閉扉14を開状態とし、ベルトコンベア41,42を駆動して基板1を印刷室20内部に搬入する。基板1がベルトコンベア42によって移動し、テーブル昇降装置21上の所定の位置に達すると、テーブル昇降装置21がテーブル22を上昇させ基板1を所定の位置、つまり基板2の上面が印刷孔版23の裏面に接触する位置まで上昇させる。基板2が上記所定の位置まで上昇すると、樹脂供給位置27は孔版23上のスキージ26b前方、つまりスキージ26bに対して符号H1が付された方向に液状樹脂29を吐出する。液状樹脂29が吐出されると、スキージ移動装置24は、孔版23に接触するまでスキージ26bを下降させ、スキージ26bが孔版23に接触してから、図中符号H1が付された方向へ移動し、印刷を開始する。スキージ26bが移動することにより、液状樹脂29が孔版23に形成された孔23a〜23c中に充填される。
【0033】
往路印刷(スキージ26bを図中符号H1が付された方向へ移動させた場合の印刷)終了後から復路印刷(スキージ26aを図中符号H2が付された方向へ移動させた場合の印刷)の印刷開始までの間に印刷室20内の真空度を往路印刷時の真空度よりも30torr以上、所定の真空度までに降下させる。尚、10torr程度より高い真空度や10torrに満たない真空度で印刷した場合、液状樹脂中の気泡が抜けきらないことがある、例えば孔内、素子周縁、コイルの線間などに液状樹脂未充填部が残り、これら気泡や未充填部は10torrに満たない真空度の空気の残存部分であって、真空解除後(常圧に戻した後)にも数ミリ程度の空気の残存した空隙となる。この意味から好ましくは5torrより高く、特に好ましくは1torr程度までに真空度を高めたほうが良い。その後、印刷室20内の真空度を往路印刷時の真空度を超えない所定の真空度に調整、保持する。これは、バルブ54の開閉によって調整する。上記真空度の調整を行っている間、スキージ26bを上昇させるとともにスキージ26a下降させておく。
【0034】
続いて復路印刷をスキージ26aを用いて行う。このようにして、図1に示した封止工程S10が行われる。復路の印刷終了後、テーブル昇降装置21によりテーブル22を降下させ、基板2を孔版23から離脱させる。この際、液状樹脂のいとぎれによる形状不具合を防止するために、テーブル22の下降速度の調整又は任意位置での静止時間の調整を行う。次に、開閉扉33を開状態とする。そして、テーブル22が下降し、基板2がベルトコンベア42上に載置されると、ベルトコンベア42,43が駆動し、基板1を印刷室20から搬出室30へ搬入する。搬出室30への搬入が完了すると、開閉扉33を閉状態とし、バルブ59を閉状態にするとともに、バルブ55を開状態として搬出室30内の圧力を加圧硬化炉70内の圧力と同程度に加圧する。搬出室30の圧力が加圧硬化炉70と同程度になった後、開閉扉34を開状態とし、ベルトコンベア43,44を駆動して基板3を加圧硬化炉70内に搬入する。従って、搬出室30内が加圧硬化炉70と同程度に加圧された時点において、図1に示す加圧工程S12が行われる。
【0035】
基板3が加圧乾燥炉70内に搬入されると、ヒーターブロック72を加熱することにより、基板4が加熱加圧状態となる。尚、加圧乾燥炉70内の圧力は、コンプレッサ90からの配管91に設けられたバルブ92の開閉によって制御される。加圧乾燥炉70内に基板4が配置されている状態で、加圧乾燥炉70内の温度を一次設定温度に設定し、印刷された液状樹脂の粘度を低下させて残存するボイドを消滅させ又は気泡を除去し、その後液状樹脂がゲル化下した後、加圧状態を維持したまま加圧乾燥炉70内の温度を二次設定温度に設定し、ゲル状の液状樹脂を硬化させる。このようにして、加圧乾燥炉70内において図1に示した加熱化工程S14及び硬化工程S16が順に行われる。尚、加圧乾燥炉70内において、基板4の搬送方向に沿って徐々に温度が高くなる温度分布を形成しておき、ベルトコンベア44の速度制御によって、熱化工程S14及び硬化工程S16を順に行うことが製造効率を高める上で好ましい。液状樹脂を硬化させた後、開閉扉35を開状態として、基板4は搬出室80へ搬出し、バルブ82を開状態として搬出室80内を大気圧に戻した後に開閉扉36を開状態として、ベルトコンベア46で基板5を外部に搬出する。複数枚の基板を処理する場合には、以上の工程が繰り返し行われる。
【0036】
【実施例】
本出願人は、上述の電子部品の製造方法を用いて、種々の形態の電子部品を製造した。図4は、実際に製造した電子部品の形態を示す上面図及び断面図である。図4(a)、図4(b)はCOB(チップ・オン・ボード)の形態の電子部品、図4(c)はWBGA(ウインドウ・ボール・グリッド・アレイ)の形態の電子部品、図4(d)はBGA(ボール・グリッド・アレイ)の形態の電子部品、図4(e)は、フリップチップの形態の電子部品をそれぞれ示している。尚、図4(a)〜図4(e)において、符号100を付した部材は基板であり、符号101を付した部材は半導体チップである。また、図4(a)〜図4(d)において、符号102を付した部材は基板100と半導体チップ102とを電気的に接続するワイヤーであり、図4(e)において、符号103を付した部材は、基板100と半導体チップ102とを電気的に接続するバンプである。
【0037】
各電子部品の形態の詳細は以下の通りである。基板100は、FR−4(商品名:CS−3355,利昌工業株式会社製)を用い、回路パターンが形成されている。
(a)COB(チップ・オン・ボード)
ワイヤー(φ25μmの金線)
ワイヤー本数:4本
ワイヤーピッチ:2mm
(b)COB(チップ・オン・ボード)
ワイヤー(φ25μmの金線)
ワイヤー本数:256本
ワイヤーピッチ:62μm
チップサイズ:5×5mm
チップ厚み:600μm
(c)WBGA(ウインドウ・ボール・グリッド・アレイ)
ワイヤー(φ25μmの金線)
ワイヤー本数:60本
ワイヤーピッチ:130μm
チップサイズ:6×12mm
チップ厚み:400μm
(d)BGA(ボール・グリッド・アレイ)
ワイヤー(φ25μmの金線)
ワイヤー本数:504本
ワイヤーピッチ:60μm
チップサイズ:10×10mm
チップ厚み:400μm
(e)フリップチップ
バンプ数:256
ワイヤー本数:504本
バンプ高さ:25μm
チップサイズ:10×10mm
チップ厚み:600μm
【0038】
また、液状樹脂を印刷する際に用いる孔版は、基板に搭載された半導体チップの位置に孔を形成し、その径は半導体チップの外形寸法に応じて設定した。また、封止厚みに対応する厚みのSUS板を用いた。液状樹脂は、NPR−700(商品名:日本レック株式会社製)を用いた。上記の形態の電子部品を以下の条件で製造した。以下の比較例1〜比較例3は、本実施例を用いた場合と用いない場合との効果を比較するために行った例であり、図1に示す加圧工程S12及び加熱加圧工程S14を順に経ていない。比較例1〜比較例3及び実施例1〜実施例4の工程の詳細は以下の通りである。
【0039】
(比較例1)
印刷封止は常圧で行い、そのまま、100℃/1時間+150℃/3時間加熱加熱して硬化した。
(比較例2)
印刷封止は真空(0.13kPa)下で行い、常圧に戻してから、100℃/1時間+150℃/3時間加熱して硬化した。
(比較例3)
印刷封止は真空(0.13kPa)下で行い、常圧に戻してから、100℃/1時間+150℃/3時間加熱して硬化した。
【0040】
(実施例1)
印刷封止は常圧で行い、加圧乾燥機で、490kPaの加圧下で、100℃/1時間+150℃/3時間加熱して硬化した。
(実施例2)
印刷封止は常圧で行い、真空チャンバー内で0.4kPaの真空度で、3分脱泡した後、加圧乾燥機で、490kPaの加圧下で、100℃/1時間+150℃/3時間加熱して硬化した。(実施例3)
印刷封止は真空(0.13kPa)下で行い、常圧に戻してから、加圧乾燥機で、490kPaの加圧下で、100℃/1時間+150℃/3時間加熱して硬化した。
(実施例4)
印刷封止は真空(0.13kPa)下で行い、連接した加圧乾燥炉で、すぐに490kPaの加圧下で、100℃/1時間+150℃/3時間加熱して硬化した。
【0041】
上記の製造工程を経て製造された電子部品の外観、形状、並びに封止した樹脂中のボイドをSAT(超音波探傷装置:日立建機ファインテック株式会社製)製で10μm以上のものの数または、その程度を観察した。その結果を図5に示した図表にまとめて記す。図5は、本発明の実施例と比較例との製造結果を示す図表である。図5に示す結果から、ICカード、時計、電卓等に使用されるワイヤー本数が少なく且つ、そのピッチも狭くない(a)の形態のようなCOBに対しては、印刷後に脱泡することで十分である。
【0042】
また、(b)の形態のように同じCOBでもワイヤー本数が多く且つ、そのピッチも狭いものでは、真空下での印刷封止でもワイヤーの下にボイドが残存する。それに対して、常圧印刷封止を行った後、真空脱泡して大きな気泡を除去しておき、その後加圧硬化することでよくなることが分かる。(c)の形態のように封止エリアの外側に、基板の断面が存在する場合、ワイヤーピッチがさほど狭くなくても、加圧硬化しなければボイドが残存するのは、常圧で硬化している間に、基板断面より基板中から気泡が発生していることが考えられる。このように硬化時の熱によって基板中からの気泡の発生も加圧硬化することで抑制する効果が有る。
【0043】
更に(d)の形態のように封止エリアの外側に、基板の断面が存在し且つ、ワイヤーのワイヤー本数が多くピッチも狭いような場合、真空下での印刷と加圧硬化を組み合わせる方法がベストとなる。また、(e)のフリップチップの場合、脱泡では形状が乱れるので、やはり真空下での印刷と加圧硬化を組み合わせることが最良となる。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、封止された液状樹脂に対して加圧工程を行っているので、液状樹脂の表面近くの気泡を抜き、抜けた後の窪みをレベリングさせることができる。また、加熱加圧工程では、加熱により樹脂の粘度を低下させつつ加圧することにより、ボイド又は気泡の体積を減少させて消滅させることができる。このときに、加圧工程を経た後に加熱加圧工程を行っているために、ボイドの消滅又は気泡の除去により急激な体積減少を招かずに液状樹脂を十分にレベリングすることができるとともに、液状樹脂全体に均一に圧力が加わるため、液状樹脂の粘度が低下しても封止形状の広がりが抑えることができる。よって、液状樹脂内に気泡やボイドを残存させることなく、且つ高い信頼性を有する電子部品を製造することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態による電子部品の製造方法を示すフローチャートである。
【図2】 加熱時間と液状樹脂の粘度変化との関係を示す図である。
【図3】 本発明の一実施形態による電子部品の製造装置の構成を示す図である。
【図4】 実際に製造した電子部品の形態を示す上面図及び断面図である。
【図5】 本発明の実施例と比較例との製造結果を示す図表である。
【符号の説明】
1,2,3,4,5,100 基板
20 印刷室(封止室)
23 孔版
23a〜23c 孔
26a,26b スキージ
29 液状樹脂
70 加圧硬化炉(加熱加圧室)
101 半導体チップ(電子部品素子)
Claims (9)
- 基板に搭載された電子部品素子を液状樹脂で封止する封止工程と、
前記液状樹脂で封止された電子部品素子を搭載する前記基板を加圧状態とする加圧工程と、
前記加圧状態で前記基板を加熱することにより前記基板を加熱加圧状態として、前記液状樹脂内の残存ボイドを消滅させる加熱加圧工程と、
前記基板を加熱状態として前記液状樹脂を硬化させる硬化工程と
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記硬化工程は、前記基板を前記加熱状態にするとともに加圧状態とした加熱加圧状態として前記液状樹脂を硬化させることを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。
- 前記硬化工程における前記基板の加熱温度は、前記加熱加圧工程における前記基板の加熱温度以上に設定されることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の電子部品の製造方法。
- 前記加熱加圧工程における前記基板の加熱温度は、前記液状樹脂の粘度を低下させる一次設定温度に設定され、
前記硬化工程における前記基板の加熱温度は、前記液状樹脂がゲル化する温度以上の二次設定温度に設定される
ことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。 - 前記封止工程は、前記基板に搭載された電子部品素子の位置に応じて孔が形成された孔版を用いて前記電子部品素子を封止することを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記封止工程では、前記電子部品素子の封止を減圧下で行うことを特徴とする請求項1から請求項5記載の電子部品の製造方法。
- 基板に搭載された電子部品素子の位置に応じて孔が形成された孔版と、当該孔版上を摺動するスキージとを少なくとも備え、前記電子部品素子を液状樹脂で封止する封止室と、
前記封止室で前記電子部品素子が封止された基板を加熱加圧状態とし、前記液状樹脂に残存するボイドを消滅させるとともに、前記液状樹脂を硬化させる加熱加圧室と
を備えることを特徴とする電子部品の製造装置。 - 前記加熱加圧室における前記基板の加熱温度は、前記ボイドを消滅させる場合には前記液状樹脂の粘度を低下させる一次設定温度に設定され、前記液状樹脂を硬化させる場合には前記液状樹脂がゲル化する温度以上の二次設定温度に設定されることを特徴とする請求項7記載の電子部品の製造装置。
- 前記封止室は、前記基板を封止する場合に減圧状態に設定されることを特徴とする請求項7又は請求項8記載の電子部品の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000396803A JP3681636B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 電子部品の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000396803A JP3681636B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 電子部品の製造方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002198383A JP2002198383A (ja) | 2002-07-12 |
JP3681636B2 true JP3681636B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=18862036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000396803A Expired - Fee Related JP3681636B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 電子部品の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3681636B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098608A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4587881B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2010-11-24 | サンユレック株式会社 | 樹脂封止装置 |
JP4569605B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2010-10-27 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置のアンダーフィルの充填方法 |
JP2011048756A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Toshiba Corp | メモリモジュール |
JP2011249530A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Murata Mfg Co Ltd | モジュール基板の製造方法 |
JP2013157408A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Nitto Denko Corp | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
TWI525721B (zh) * | 2013-08-16 | 2016-03-11 | 印鋐科技有限公司 | 用於電子元件的製造方法與製造設備 |
CN109534281B (zh) * | 2018-10-19 | 2021-06-18 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 一种注胶件的气泡去除方法和气泡去除装置 |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000396803A patent/JP3681636B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098608A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002198383A (ja) | 2002-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100552095B1 (ko) | 범프 부품 실장체의 제조방법 및 그 제조장치 | |
US6326240B1 (en) | Apparatus for packaging semiconductor device and method for packaging the same | |
JP3681636B2 (ja) | 電子部品の製造方法及び装置 | |
US20110203762A1 (en) | Fill-head for full-field solder coverage with a rotatable member | |
KR20060058108A (ko) | 액체 사출 성형법을 사용하여 전자 부품을 제조하는 방법 | |
CN103109361B (zh) | 一种半导体封装中的底胶填充方法及设备 | |
KR102119992B1 (ko) | 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법 | |
JP3423912B2 (ja) | 電子部品、電子部品の樹脂封止方法、及び樹脂封止装置 | |
US6264862B1 (en) | Method for manufacturing a plug | |
JP4319759B2 (ja) | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 | |
JP2002110744A (ja) | 半導体実装装置、および半導体実装方法 | |
US20040211817A1 (en) | System for fabricating an integrated circuit package on a printed circuit board | |
JP3203345B2 (ja) | 真空印刷装置及び真空印刷方法 | |
JP2008068311A (ja) | ボイド除去装置、ボイド除去方法および電子機器の製造方法 | |
JP2004146556A (ja) | 樹脂封止方法、樹脂封止装置、及び樹脂シート | |
JP3308938B2 (ja) | 電子部品の製造装置及び製造方法 | |
JP2012200686A (ja) | ディスペンス方法及びディスペンス装置 | |
JP2001308510A (ja) | バンプ部品実装体の製造方法及びその製造装置 | |
KR20040080580A (ko) | 대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치 | |
JP3223298B2 (ja) | 電子部品の製造法 | |
JP6810355B2 (ja) | はんだ付け方法およびはんだ付け装置 | |
JP3292923B2 (ja) | 電子部品又はプリント配線板の樹脂封止方法 | |
JP2001267339A (ja) | 電子部品の製造装置及び製造方法 | |
JP3014989B2 (ja) | 電子部品の製造装置 | |
JP3956906B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止方法およびその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3681636 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080527 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090527 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120527 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130527 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |