KR20040080580A - 대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치 - Google Patents
대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040080580A KR20040080580A KR1020030015434A KR20030015434A KR20040080580A KR 20040080580 A KR20040080580 A KR 20040080580A KR 1020030015434 A KR1020030015434 A KR 1020030015434A KR 20030015434 A KR20030015434 A KR 20030015434A KR 20040080580 A KR20040080580 A KR 20040080580A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wire bonding
- plasma
- chip
- chip mounting
- plasma cleaner
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7801—Means for cleaning, e.g. brushes, for hydro blasting, for ultrasonic cleaning, for dry ice blasting, using gas-flow, by etching, by applying flux or plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/85013—Plasma cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
본 발명은 대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치에 관한 것이다. 기판에 반도체 칩이 실장된 칩 실장 프레임이 공급되어 이동이 안내되는 인덱스 레일과 그 인덱스 레일 상에서 칩 실장 기판을 지지하는 본딩 블록과 그 본딩블록에 의해 지지되는 칩 실장 기판의 리드와 반도체 칩을 도전성 금속선으로 연결시키는 캐필러리를 포함하는 와이어본딩부를 포함하는 와이어본딩 장치에 있어서, 와이어본딩부로의 전단의 인덱스 레일 상에 대기압 플라즈마 세정기가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 와이어본딩 장치와 그를 이용한 와이어본딩 방법을 제공함으로써, 와이어본딩 장치 내에서 플라즈마 세정 후에 즉시 와이어본딩이 이루어지기 때문에 대기시간이 필요 없다. 따라서, 작업 시간이 단축되며, 대기압 플라즈마를 이용함으로 진공 펌프가 불필요하게 된다.
Description
본 발명은 반도체 칩 패키지 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 칩 실장 기판에 대한 플라즈마 세정 후에 그 칩 실장 기판과 반도체 칩을 와이어본딩을 시키는 대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치에 관한 것이다.
반도체 칩 패키지는 패키지 종류에 따라 차이가 있으나 일반적으로 다이 어태치(die attach), 와이어본딩(wire bonding), 몰딩(molding), 마킹(marking) 등 여러 단위 공정을 단계별로 실행하는 과정을 거쳐 완성된다. 그리고, 각 단위 공정을 수행하는 과정에서 전후 공정 사이마다 전(前) 공정에서 가공된 반도체 부품 등의 피가공물 표면을 세정(cleaning)한 후에 다음 단계의 공정 작업을 실행하는 과정을 거치도록 하여 공정 신뢰도를 향상시키고 있다. 예를 들어, 반도체 제조 공정 중에서 와이어본딩 공정을 진행할 때 반도체 부품의 표면을 세정함으로써 와이어본딩에 사용되는 도전성 금속선의 접합강도를 상승시켜 신뢰성의 향상을 꾀할 수 있다.
현재 세정 방법으로서 플라즈마 세정(plasma cleaning)이 널리 사용되고 있다. 플라즈마 세정은 진공 쳄버(vacuum chamber) 안에 플라즈마 발생전극을 설치하고 이에 고압을 인가하면서 아르곤(Ar) 등과 같은 희유가스를 진공 쳄버 내에 투입하여 이온화 또는 활성화에 의해 플라즈마를 발생시켜 불순물이나 오염물을 기화 제거하여 세정하는 기술이다. 이와 같은 플라즈마 세정은 반도체 장치, 예를 들어 멀티 칩 패키지(MCP; Multi Chip Package)나 WBGA(Wafer level BGA) 패키지 및 FBGA(Fine pitch BGA) 패키지 등과 같은 칩 스케일 패키지(CSP; Chip Scale Package)의 와이어본딩 전에 실시되어 기판(리드프레임, 인쇄회로기판, 테이프 배선 기판 등등)의 리드와 도전성 금속선과의 접합 신뢰성을 향상시키고, 칩 패드와 도전성 금속선과의 접합신뢰성을 향상시킨다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 공정 중 다이 어태치 공정과 와이어본딩이 진행되는 과정을 나타낸 블록도이다. 도 1을 참조하면, 일반적으로 집적회로가 형성된 웨이퍼로부터 소잉(sawing)에 의해 분리된 반도체 칩이 폴리이미드 재질의 베이스 필름 상에 회로배선이 형성된 테이프 배선 기판이나 베이스 기판에 인쇄회로배선이 형성된 인쇄회로기판 등과 같은 기판에 실장되고(311), 그 칩 실장 기판이 반도체 칩과 기판간의 결합력 향상을 위하여 소정 온도조건을 인가하는 경화(cure) 공정을 거친다(312). 경화가 완료되면, 매거진(magazine) 단위로 작업자에 의해 진공 플라즈마 세정기로 이송되어 플라즈마 세정이 진행된다(313). 여기서, 플라즈마 세정은 진공 쳄버 내에서 플라즈마 발생전극 사이에 자재가 위치되도록 하고 반응가스로 아르곤(Ar)가스를 공급한 상태에서 RF전력을 플라즈마 발생전극에 공급하여 이루어진다. 플라즈마 세정에 의해 반도체 칩의 칩 패드 표면과 칩 실장 기판의 리드 표면에 자연적으로 발생되는 자연산화막이 제거된다. 그리고, 다시 매거진 단위로 작업자에 의해 와이어본딩 장치로 이송되어 와이어본딩이 진행된다(314). 복수의 반도체 칩이 적층되는 멀티 칩 패키지 제조의 경우 이와 같은 과정이 적층되는 반도체 칩의 수만큼 반복적으로 진행된다.
전술한 바와 같이 종래에는 와이어본딩 공정의 진행 전에 칩 실장 기판에 대한 플라즈마 세정을 진행한다. 그러나, 플라즈마 세정 장치가 독립적으로 설치되어 있기 때문에 설치 공간을 많이 차지하고, 각 장치간 작업자 핸들링(handling)에 의한 자재 이동이 필요하여 그에 따른 시간 지연이 발생되고 핸들링 인력이 필요하며, 비용이 상승되고, 각 장치간 자재 이동에 따른 파티클(particle)이 발생 및 작업자의 취급 부주의로 인한 손상 등의 문제를 일으킬 수 있다.
또한, 종래 플라즈마 세정기의 경우 공정 쳄버 내부를 진공으로 만들어 주어야 하기 때문에 자재의 대기시간이 길어지고, 플라즈마 세정 후 일정 시간이 지나면 플라즈마 세정을 다시 실시하여야 하고, 플라즈마의 세정의 효과를 얻을 수 있는 한계 플라즈마 세정 시간에 가까운 자재의 경우 리드와 도전성 금속선과의 접합력이 현저히 떨어져 불량 제품이 발생될 수 있다. 더욱이, 이와 같은 종래의 플라즈마 세정은 Ar과 같은 인체에 유해한 가스를 사용하기 때문에 누출 위험이 항상 잔존하며 가스 교체에 어려움이 있다.
본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 플라즈마 처리 후에 즉시 와이어본딩이 이루어지도록 하여 자재의 대기시간이 없도록 하고 핸들링시 발생되는 오염을 방지하는 와이어본딩 장치를 제공하는 데에 있다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 공정 중 다이 어태치 공정과 와이어 본딩이 진행되는 과정을 나타낸 블록도이고,
도 2는 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 세정기를 갖는 와이어본딩 장치의 실시예를 나타낸 구성도이며,
도 3은 본 발명에 따른 와이어본딩 장치에 의한 다이 어태치 공정과 와이어본딩이 진행되는 과정을 나타낸 블록도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10; 칩 실장 기판 11; 반도체 칩
13; 칩 패드 15; 기판
17; 리드 19; 도전성 금속선
20,21; 매거진 100; 와이어본딩 장치
101; 로딩부 103; 로딩 엘리베이터
105; 푸셔 111; 인덱스 레일
115; 이송 그립퍼 121; 대기압 플라즈마 세정기
123,124; 플라즈마 발생전극 125; 파워 서플라이
131; 와이어본딩부 133; 본딩블록
135; 캐필러리 141; 언로딩부
143; 언로딩 엘리베이터
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 세정기를 갖는 와이어본딩 장치는, 기판에 반도체 칩이 실장된 칩 실장 프레임이 공급되어 이동이 안내되는 인덱스 레일과 그 인덱스 레일 상에서 칩 실장 기판을 지지하는 본딩블록(bonding block)과 그 본딩블록에 의해 지지되는 칩 실장 기판의 리드와 반도체 칩을 도전성 금속선으로 연결시키는 캐필러리(capillary)를 포함하는 와이어본딩부를 포함하는 와이어본딩 장치에 있어서, 인덱스 레일의 와이어본딩부 전단에 대기압 플라즈마 세정기가 설치되어 있는 것을 특징으로 한다. 바람직하게는 대기압 플라즈마 세정기가 플라즈마 세정 시에 발생되는 오존을 흡입하여 배출시키는 배기 수단을 포함하도록 한다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 세정기를 갖는 와이어본딩 장치를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 세정기를 갖는 와이어본딩 장치의 실시예를 나타낸 구성도이다.
도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 와이어본딩 장치(100)는 로딩부(loading part; 101), 인덱스 레일(111), 이송 그립퍼(gripper; 115), 대기압 플라즈마 세정기(121), 와이어본딩부(131) 및 언로딩부(unloading part; 141)를 포함하여 구성된다.
인덱스 레일(111)은 반도체 칩(11)이 기판(15)에 실장된 칩 실장 기판(10)이 탑재되고 이동이 안내되는 마주보는 한 쌍의 레일로 구성된다. 그리고, 그 인덱스레일(111)에는 칩 실장 기판(10)을 작업 구간별로 이동시키는 복수의 이송 그립퍼(115)가 설치되어 있다.
로딩부(101)는 반도체 칩(11)이 기판(15)에 실장된 칩 실장 기판(10)이 수납된 매거진(20)이 탑재되는 로딩 엘리베이터(103)와 그 매거진(20)으로부터 칩 실장 기판(10)을 배출시키는 푸셔(pusher; 105)를 포함하며, 로딩 엘리베이터(103)의 승강 및 푸셔(105)의 동작에 의해 칩 실장 기판(10)이 매거진(20)으로부터 배출되어 순차적으로 인덱스 레일(111)로 공급된다.
대기압 플라즈마 세정기(121)는 인덱스 레일(111)에서 칩 실장 기판(10)의 최초 공급 위치로부터 후술되는 와이어본딩부(131) 전단에 칩 실장 기판(10)을 중심으로 상하로 유전체로서 플라즈마 발생전극들(123,124)이 위치하도록 설치되어 있다. 대기압 플라즈마 세정기(121)는 파워 서플라이(125)로부터 RF전력을 공급받아 동작된다. 대기압 상태에서 질소(N2) 가스가 플라즈마 발생전극 사이에 공급된다. 그리고, 플라즈마 세정 과정에서 발생되는 오존의 배출을 위한 배기 수단으로서 배기 덕트(127)가 설치되어 있다.
| 처리전 | 처리후 | |
| 글래스(glass) | 43 | 7 |
| 폴리이미드 | 81 | 16 |
| 폴리카보네이트 | 91 | 25 |
| Si 웨이퍼 | 40 | <5 |
| 고무(rubbr) | 102 | 14 |
대기압 플라즈마의 표면 처리에 의한 변화를 측정한 결과를 위의 표1에 정리하였다. 각 재료에 물방울을 떨어뜨린 상태에서 각 재료에 대한 플라즈마 처리 전과 처리 후의 결과로서, 표 1에서 나타나 것과 같이 대기압 플라즈마 세정에 의해서 그 각도 수치가 크게 낮아짐을 알 수 있다. 여기서, 대기압 플라즈마 세정에 의한 표면처리 효과가 있음이 입증된다.
와이어본딩부(131)는 대기압 플라즈마 세정기(121) 후단에 설치되며 인덱스 레일(111) 하부에 칩 실장 기판(10)이 놓여지는 본딩블록(135)과 인덱스 레일(111) 상부에 도전성 금속선(19), 예컨대 금선을 플라즈마 세정이 완료된 칩 실장 기판(10)의 리드(17)와 반도체 칩(11)의 칩 패드(13)를 접합시키는 캐필러리(133)를 포함한다.
언로딩부(141)는 와이어본딩부(131)의 후단에 설치되며, 와이어본딩이 완료된 칩 실장 기판(10)을 수납하는 매거진(21)이 탑재되어 승강되는 언로딩 엘리베이터(143)를 포함한다.
동작을 살펴보면, 로딩부(101)의 로딩 엘리베이터(103)에 칩 실장 기판(10)이 수납된 매거진(20)이 탑재되면, 로딩 엘리베이터(103)의 승강 운동과 더불어 푸셔(105)의 동작에 의해 칩 실장 기판(10)이 순차적으로 하나씩 인덱스 레일(111)에 공급된다. 인덱스 레일(111)에 이송된 칩 실장 기판(10)은 먼저 대기압 플라즈마 세정기(121)에 의해 대기압 플라즈마 세정이 이루어진다. 플라즈마 발생전극(123)에 RF전력이 공급되어 대기압 상태에서 질소 가스가 공급되는 대기압 플라즈마 세정기(121)를 통과하면서 기판(15)의 리드(17)와 반도체 칩(11)의 칩 패드(13)의 표면이 세정된다. 세정이 완료된 칩 실장 기판(10)은 대기시간 없이 곧바로 이송 그립퍼(115)에 의해 와이어본딩부(131)로 이송된다. 그리고, 본딩블록(135)이 칩 실장 기판(10)을 지지하는 상태에서 캐필러리(133)가 각각의 칩 패드(13)와 그에 대응되는 리드(17)를 도전성 금속선(19)으로 와이어본딩 시킨다. 와이어본딩이 완료된 칩 실장 기판(10)은 이송 그립퍼(115)에 의해 언로딩부(141)로 이송되는데, 언로딩 엘리베이터(143)의 승강과 함께 탑재된 매거진(21)에 순차적으로 수납된다. 만일 기판(15) 상에 복수의 반도체 칩이 실장될 경우 그 실장되는 반도체 칩의 수만큼 반복적으로 진행되도록 하면 된다. 예를 들어, 기판 상에 3개의 반도체 칩이 실장될 경우 "1차 다이 어태치-경화-플라즈마 세정-와이어본딩-2차 다이 어태치-경화-플라즈마 세정-와이어본딩-3차 다이 어태치-경화-플라즈마 세정-와이어본딩"의 과정을 거치면 된다.
도 3은 본 발명에 따른 와이어본딩 장치에 의한 다이 어태치 공정과 와이어본딩이 진행되는 과정을 나타낸 블록도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 와이어본딩 장치를 이용하여 다이 어태치 공정으로부터 와이어본딩까지의 과정은 먼저 집적회로가 형성된 웨이퍼가 소잉(sawing)에 의해 분리되어 테이프 배선 기판 등의 기판에 실장되는 단계와(211), 그 칩 실장 기판이 반도체 칩과 테이프 배선 기판간의 결합력 향상을 위하여 소정 온도 조건을 인가하는 경화(cure) 단계(212), 및 대기압 플라즈마 세정 및 와이어본딩 단계 순서로 진행된다(213).
전술한 실시예에서와 같은 본 발명의 와이어본딩 장치는 종래와 달리 별도의 진공 플라즈마 세정기에서 플라즈마 세정이 이루어지지 않고 와이어본딩 장치 내에 대기압 플라즈마 세정기를 구비하고 있고 대기압 플라즈마 세정기가 와이어본딩 직전에 대기압 플라즈마 세정이 이루어지도록 설치되어 있다. 따라서, 플라즈마 세정 후에 별도의 대기시간 없이 곧바로 와이어본딩이 진행될 수 있다. 한계 플라즈마 세정 시간을 초과 또는 임박하는 경우는 발생되지 않는다. 또한, 장치 내에 플라즈마 세정기가 설치되어 있으므로 별도의 플라즈마 세정기가 필요하지 않아 장치가 차지하는 면적이 감소되고, 공정 쳄버 내에 진공을 인가하기 위한 진공펌프도 불필요하다.
이상과 같은 본 발명에 의한 와이어본딩 장치에 의하면, 와이어본딩 장치 내에서 플라즈마 세정 후에 즉시 와이어본딩이 이루어지기 때문에 대기시간이 필요 없다. 따라서, 종래와 달리 플라즈마 세정 장치의 설치를 위한 설치 공간이 필요 없고, 작업자의 핸들링이 불필요하여 시간지연이 발생되지 않고 장치간 이송을 위한 핸들링 인력이 불필요하며 파티클이 발생되지 않고 작업자의 취급 부주의로 인한 손상 등이 없다. 비용 감소와 작업 시간 단축의 효과가 있는 것이다. 더욱이, 이와 같은 종래의 플라즈마 세정은 Ar과 같은 인체에 유해한 가스를 사용하지 않는다.
한편, 본 발명은 전술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 후술되는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주 내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형실시가 가능하다.
Claims (2)
- 기판에 반도체 칩이 실장된 칩 실장 프레임이 공급되어 이동이 안내되는 인덱스 레일과, 상기 인덱스 레일 상에서 칩 실장 기판을 지지하는 본딩블록(bonding block)과 상기 본딩블록에 의해 지지되는 칩 실장 기판의 리드와 반도체 칩을 도전성 금속선으로 연결시키는 캐필러리(capillary)를 포함하는 와이어본딩부를 포함하는 와이어본딩 장치에 있어서, 상기 인덱스 레일의 상기 와이어본딩부 전단에 대기압 플라즈마 세정기가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정기를 갖는 와이어본딩 장치.
- 제 1항에 있어서, 대기압 플라즈마 세정기가 플라즈마 세정 시에 발생되는 오존을 흡입하여 배출시키는 배기 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정기를 갖는 와이어본딩 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030015434A KR20040080580A (ko) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030015434A KR20040080580A (ko) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040080580A true KR20040080580A (ko) | 2004-09-20 |
Family
ID=37365208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030015434A KR20040080580A (ko) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040080580A (ko) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007043764A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Psm Inc. | Atmospheric pressure plasma shower unit, and equipment and method for manufacturing semiconductor package using the same |
| KR100787386B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-12-24 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 |
| KR100808505B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2008-03-03 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 |
| KR100864855B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2008-10-23 | (주)창조엔지니어링 | 반도체 소자의 실장을 위한 세정 및 본딩의 인라인 처리장치 |
| KR100910748B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2009-08-05 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 및 본딩 툴 선단부의 세정 방법 |
| US20140332583A1 (en) * | 2012-02-07 | 2014-11-13 | Shinkawa Ltd. | Wire bonding apparatus |
| KR102301223B1 (ko) | 2020-11-25 | 2021-09-09 | 박현배 | 대기압 플라즈마를 이용한 와이어 본딩 결합 구조체의 제조방법 |
-
2003
- 2003-03-12 KR KR1020030015434A patent/KR20040080580A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100787386B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-12-24 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 |
| KR100808505B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2008-03-03 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 |
| WO2007043764A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Psm Inc. | Atmospheric pressure plasma shower unit, and equipment and method for manufacturing semiconductor package using the same |
| KR100910748B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2009-08-05 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 및 본딩 툴 선단부의 세정 방법 |
| KR100864855B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2008-10-23 | (주)창조엔지니어링 | 반도체 소자의 실장을 위한 세정 및 본딩의 인라인 처리장치 |
| US20140332583A1 (en) * | 2012-02-07 | 2014-11-13 | Shinkawa Ltd. | Wire bonding apparatus |
| KR102301223B1 (ko) | 2020-11-25 | 2021-09-09 | 박현배 | 대기압 플라즈마를 이용한 와이어 본딩 결합 구조체의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9805980B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US6866182B2 (en) | Apparatus and method to prevent oxidation of electronic devices | |
| US7182793B2 (en) | System for reducing oxidation of electronic devices | |
| WO2006126390A1 (ja) | エネルギー線照射装置とその方法 | |
| KR20040080580A (ko) | 대기압 플라즈마 세정기를 포함하는 와이어본딩 장치 | |
| TW200504803A (en) | Apparatus for mounting semiconductors | |
| US11616042B2 (en) | Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems | |
| US7578423B1 (en) | Assembly for reducing oxidation of semiconductor devices | |
| JP2011181936A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20040066301A (ko) | 대기압 플라즈마 세정기를 갖는 반도체 칩 패키지 제조 장치 | |
| US6392286B1 (en) | Semiconductor chip packaging system and a semiconductor chip packaging method using the same | |
| JP5507725B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4769839B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US11705344B2 (en) | Method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| KR100192389B1 (ko) | 웨이퍼 뒷면 연삭공정 후의 웨이퍼 전면 보호용 테이프 제거장치 | |
| WO2001041963A9 (en) | Systems and methods for application of atmospheric plasma surface treatment to various electronic component packaging and assembly methods | |
| KR100417338B1 (ko) | 칩 실장시 플라즈마를 이용한 표면세정 및 개질방법 | |
| KR970077392A (ko) | 반도체소자 조립 공정용 멀티 칩 본딩 장치 | |
| KR20020066794A (ko) | 이중 버퍼영역을 갖는 웨이퍼링 핸들러 | |
| KR100293415B1 (ko) | 반도체 실장에 있어서 도전볼 고정 장치 | |
| KR0133388Y1 (ko) | 반도체 제조장비의 파티클 제거장치 | |
| KR20000025458A (ko) | 웨이퍼 시트의 열변형을 방지하기 위한 다이 본더 | |
| JPH05102234A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| KR19990030512A (ko) | 정전기 제거장치를 구비한 반도체 패키지 다이접착장치의 칩 이송부와 이를 이용한 칩 이송 방법 | |
| JPH05226535A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |