JPH05226535A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05226535A JPH05226535A JP2561292A JP2561292A JPH05226535A JP H05226535 A JPH05226535 A JP H05226535A JP 2561292 A JP2561292 A JP 2561292A JP 2561292 A JP2561292 A JP 2561292A JP H05226535 A JPH05226535 A JP H05226535A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- oxide film
- torr
- sealing resin
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅からなるリードフレームの表面処理方法を
改良した半導体装置の製造方法に関し、簡単且つ容易に
行えるリードフレームのクリーニング処理により、リー
ドフレームの表面を樹脂封止に適した状態にすることが
可能となる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 【構成】 樹脂封止型半導体装置の製造に用いる銅から
なるリードフレームを、このリードフレームの表面の脆
い酸化膜を除去し、リードフレームの母材との結合力が
強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密
着性の良好な酸化膜を形成することが可能な、空気の１
Torr〜10-3Torrの雰囲気中か或いはヘリウムガスの１To
rr〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ処理するように構成
する。
改良した半導体装置の製造方法に関し、簡単且つ容易に
行えるリードフレームのクリーニング処理により、リー
ドフレームの表面を樹脂封止に適した状態にすることが
可能となる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 【構成】 樹脂封止型半導体装置の製造に用いる銅から
なるリードフレームを、このリードフレームの表面の脆
い酸化膜を除去し、リードフレームの母材との結合力が
強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密
着性の良好な酸化膜を形成することが可能な、空気の１
Torr〜10-3Torrの雰囲気中か或いはヘリウムガスの１To
rr〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ処理するように構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅からなるリードフレ
ームの表面処理方法を改良した半導体装置の製造方法に
関するものである。
ームの表面処理方法を改良した半導体装置の製造方法に
関するものである。
【０００２】リードフレームの熱伝導向上対策として銅
からなるリードフレームが用いられているが、銅のリー
ドフレームの表面には脆い酸化膜が形成されるため、こ
のリードフレームを樹脂封止した場合に封止樹脂とリー
ドフレームとの密着力が低下し、実装不良や耐湿性不良
が発生している。
からなるリードフレームが用いられているが、銅のリー
ドフレームの表面には脆い酸化膜が形成されるため、こ
のリードフレームを樹脂封止した場合に封止樹脂とリー
ドフレームとの密着力が低下し、実装不良や耐湿性不良
が発生している。
【０００３】以上のような状況から、銅のリードフレー
ムと封止樹脂との密着力の低下を防止することが可能な
半導体装置の製造方法が要望されている。
ムと封止樹脂との密着力の低下を防止することが可能な
半導体装置の製造方法が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法について図
１により詳細に説明する。図１はバレル型プラズマクリ
ーニング装置を示す図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図
３はホルダーの詳細構造を示す図である。
１により詳細に説明する。図１はバレル型プラズマクリ
ーニング装置を示す図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図
３はホルダーの詳細構造を示す図である。
【０００５】図１に示すように石英からなるガラスチャ
ンバ１の一端は図示しない排気装置と接続され、側壁に
は複数の反応ガス供給口1aが設けられている。このガラ
スチャンバ１の排気装置と接続されていない他端の開口
部はステンレススチールからなる蓋３で覆われており、
この蓋３と一体となっている、ガラスチャンバ１の側壁
に設けたテフロンからなるガイド２によりガイドされて
移動可能なステンレススチールからなるホルダー４の上
に、図２に示すように被処理物であるリードフレーム８
が搭載されている。
ンバ１の一端は図示しない排気装置と接続され、側壁に
は複数の反応ガス供給口1aが設けられている。このガラ
スチャンバ１の排気装置と接続されていない他端の開口
部はステンレススチールからなる蓋３で覆われており、
この蓋３と一体となっている、ガラスチャンバ１の側壁
に設けたテフロンからなるガイド２によりガイドされて
移動可能なステンレススチールからなるホルダー４の上
に、図２に示すように被処理物であるリードフレーム８
が搭載されている。
【０００６】このガラスチャンバ１の上下にはそれぞれ
上部電極板５と下部電極板６とが設けられ、上部電極板
５は高周波電源７と接続され、下部電極板６は接地され
ており、周波数13.56MHz、出力 1,000Ｗの高周波電源７
による高周波電圧の印加によりガラスチャンバ１内にプ
ラズマを発生させている。
上部電極板５と下部電極板６とが設けられ、上部電極板
５は高周波電源７と接続され、下部電極板６は接地され
ており、周波数13.56MHz、出力 1,000Ｗの高周波電源７
による高周波電圧の印加によりガラスチャンバ１内にプ
ラズマを発生させている。
【０００７】このホルダー４は図３に示すように、リー
ドフレーム８の封止樹脂に埋め込まれない周囲の部分で
リードフレーム８を保持する構造を有している。このよ
うなプラズマクリーニング装置を用いてリードフレーム
８のクリーニング処理を行う場合には、まずリードフレ
ーム８をこのホルダー４の保持部に搭載し、このホルダ
ー４をガイド２に沿ってガラスチャンバ１内に挿入して
蓋３でガラスチャンバ１を密閉する。
ドフレーム８の封止樹脂に埋め込まれない周囲の部分で
リードフレーム８を保持する構造を有している。このよ
うなプラズマクリーニング装置を用いてリードフレーム
８のクリーニング処理を行う場合には、まずリードフレ
ーム８をこのホルダー４の保持部に搭載し、このホルダ
ー４をガイド２に沿ってガラスチャンバ１内に挿入して
蓋３でガラスチャンバ１を密閉する。
【０００８】つぎに図示しない排気装置によりガラスチ
ャンバ１内の空気を排気し、室内圧を10-1Torr〜10-2To
rrにした後、この室内圧を保持するように反応ガス供給
口1aから下記の条件で反応ガスを供給し、高周波電源７
を用いる高周波電圧の印加によりガラスチャンバ１内に
プラズマを発生させる。
ャンバ１内の空気を排気し、室内圧を10-1Torr〜10-2To
rrにした後、この室内圧を保持するように反応ガス供給
口1aから下記の条件で反応ガスを供給し、高周波電源７
を用いる高周波電圧の印加によりガラスチャンバ１内に
プラズマを発生させる。
【０００９】反応ガスとしては、500sccm のアルゴンガ
スを３分間、或いは 500sccmのアルゴンガスと水素の混
合気体を２分間供給する。この反応ガスの供給によりガ
ラスチャンバ１内の室内圧は１Torr〜３Torrになってい
る。
スを３分間、或いは 500sccmのアルゴンガスと水素の混
合気体を２分間供給する。この反応ガスの供給によりガ
ラスチャンバ１内の室内圧は１Torr〜３Torrになってい
る。
【００１０】このようなリードフレーム８のクリーニン
グ処理を行った直後に、リードフレーム８が再汚染しな
い間に樹脂封止を行っている。
グ処理を行った直後に、リードフレーム８が再汚染しな
い間に樹脂封止を行っている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置の製造方法により銅からなるリードフレームの
クリーニング処理を行うと、リードフレームの表面に形
成されている脆い酸化膜を除去し、リードフレームの母
材との結合力が強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で
封止樹脂との密着性の良好な酸化膜を形成することが困
難であり、またアルゴン或いは水素などのガスを用いる
ので、コストアップになり、水素に対する安全対策も必
要になるという問題点があった。
導体装置の製造方法により銅からなるリードフレームの
クリーニング処理を行うと、リードフレームの表面に形
成されている脆い酸化膜を除去し、リードフレームの母
材との結合力が強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で
封止樹脂との密着性の良好な酸化膜を形成することが困
難であり、またアルゴン或いは水素などのガスを用いる
ので、コストアップになり、水素に対する安全対策も必
要になるという問題点があった。
【００１２】本発明は以上のような状況から、簡単且つ
容易に行えるリードフレームのクリーニング処理によ
り、リードフレームの表面を樹脂封止に適した状態にす
ることが可能となる半導体装置の製造方法の提供を目的
としたものである。
容易に行えるリードフレームのクリーニング処理によ
り、リードフレームの表面を樹脂封止に適した状態にす
ることが可能となる半導体装置の製造方法の提供を目的
としたものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、樹脂封止型半導体装置の製造に用いる銅から
なるリードフレームを、このリードフレームの表面の脆
い酸化膜を除去し、リードフレームの母材との結合力が
強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密
着性の良好な酸化膜を形成することが可能なように、空
気の１Torr〜10 -3Torrの雰囲気中か或いはヘリウムガス
の１Torr〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ処理するよう
に構成する。
造方法は、樹脂封止型半導体装置の製造に用いる銅から
なるリードフレームを、このリードフレームの表面の脆
い酸化膜を除去し、リードフレームの母材との結合力が
強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密
着性の良好な酸化膜を形成することが可能なように、空
気の１Torr〜10 -3Torrの雰囲気中か或いはヘリウムガス
の１Torr〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ処理するよう
に構成する。
【００１４】
【作用】即ち本発明においては樹脂封止型半導体装置の
製造に用いる銅からなるリードフレームを、空気の１To
rr〜10-3Torrの雰囲気中か或いはヘリウムガスの１Torr
〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ処理するので、銅から
なるリードフレームの表面に形成されている脆い酸化膜
を除去し、リードフレームの母材との結合力が強固で、
かつ封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密着性の良
好な酸化膜を形成することが可能である。
製造に用いる銅からなるリードフレームを、空気の１To
rr〜10-3Torrの雰囲気中か或いはヘリウムガスの１Torr
〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ処理するので、銅から
なるリードフレームの表面に形成されている脆い酸化膜
を除去し、リードフレームの母材との結合力が強固で、
かつ封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密着性の良
好な酸化膜を形成することが可能である。
【００１５】
【実施例】以下図１〜図３により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１はバレル型プラズマクリーニ
ング装置を示す図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は
ホルダーの詳細構造を示す図である。
いて詳細に説明する。図１はバレル型プラズマクリーニ
ング装置を示す図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は
ホルダーの詳細構造を示す図である。
【００１６】本発明による一実施例に用いるプラズマク
リーニング装置は図１に示すプラズマクリーニング装置
と同じであるが、本発明においてはガラスチャンバ１内
の室内圧を従来の１Torr〜３Torrに比してはるかに低い
１Torr〜10-3Torrに保ってプラズマ処理を行っている。
リーニング装置は図１に示すプラズマクリーニング装置
と同じであるが、本発明においてはガラスチャンバ１内
の室内圧を従来の１Torr〜３Torrに比してはるかに低い
１Torr〜10-3Torrに保ってプラズマ処理を行っている。
【００１７】ガラスチャンバ１内の室内圧が１Torrより
も高いと、残留ガスが多く良好なプラズマクリーニング
処理を行うことができず、10-3Torrよりも低いと、放電
を発生させるのに必要な電圧が大きくなるので、ガラス
チャンバ１の室内圧を１Torr〜10-3Torrに保ってプラズ
マ処理を行っている。
も高いと、残留ガスが多く良好なプラズマクリーニング
処理を行うことができず、10-3Torrよりも低いと、放電
を発生させるのに必要な電圧が大きくなるので、ガラス
チャンバ１の室内圧を１Torr〜10-3Torrに保ってプラズ
マ処理を行っている。
【００１８】このように室内圧を減圧したガラスチャン
バ１内にリードフレーム８を載置し、このガラスチャン
バ１内にプラズマを発生させるので、銅からなるリード
フレーム８の表面に形成されている脆い酸化膜を除去
し、リードフレーム８の母材との結合力が強固で、かつ
封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密着性の良好な
酸化膜を形成することが可能となり、実装不良や耐湿性
不良の発生を防止することが可能となる。
バ１内にリードフレーム８を載置し、このガラスチャン
バ１内にプラズマを発生させるので、銅からなるリード
フレーム８の表面に形成されている脆い酸化膜を除去
し、リードフレーム８の母材との結合力が強固で、かつ
封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密着性の良好な
酸化膜を形成することが可能となり、実装不良や耐湿性
不良の発生を防止することが可能となる。
【００１９】11mm□のＴＥＧを、銅からなるＰＬＣＣ型
800ピンのリードフレーム８に搭載し、ワイヤ付けした
後樹脂封止したリードフレーム８を、温度85℃、湿度85
％の雰囲気内に48時間放置した後最高温度 215℃で赤外
線によるリフローを行い、封止樹脂に発生したクラック
を調査した結果、表１に示すように従来の無処理のリー
ドフレーム８においては大量のクラック不良が発生して
いる。
800ピンのリードフレーム８に搭載し、ワイヤ付けした
後樹脂封止したリードフレーム８を、温度85℃、湿度85
％の雰囲気内に48時間放置した後最高温度 215℃で赤外
線によるリフローを行い、封止樹脂に発生したクラック
を調査した結果、表１に示すように従来の無処理のリー
ドフレーム８においては大量のクラック不良が発生して
いる。
【００２０】
【表１】
【００２１】また10mm□のＴＥＧを、銅からなるＰＬＣ
Ｃ型64ピンのリードフレーム８に搭載し、ワイヤ付けし
た後樹脂封止したリードフレーム８を、温度85℃、湿度
85％の雰囲気内に48時間放置した後最高温度 240℃の蒸
気によるリフローを行い、封止樹脂とリードフレーム８
との封止部に発生した耐湿性不良を、放射能を有するク
リプトンを用いるラジフロー試験により調査した結果、
表２に示すようになった。
Ｃ型64ピンのリードフレーム８に搭載し、ワイヤ付けし
た後樹脂封止したリードフレーム８を、温度85℃、湿度
85％の雰囲気内に48時間放置した後最高温度 240℃の蒸
気によるリフローを行い、封止樹脂とリードフレーム８
との封止部に発生した耐湿性不良を、放射能を有するク
リプトンを用いるラジフロー試験により調査した結果、
表２に示すようになった。
【００２２】
【表２】
【００２３】この表２から明らかなように、このラジフ
ロー試験に合格したのは本発明による反応ガスを用いな
いクリーニング処理を行ったリードフレーム８と、ヘリ
ウムを用いたクリーニング処理を行ったリードフレーム
８のみであり、無処理或いは従来のクリーニング処理を
行ったものと比較すると、このクリーニング処理の優位
性が明らかである。
ロー試験に合格したのは本発明による反応ガスを用いな
いクリーニング処理を行ったリードフレーム８と、ヘリ
ウムを用いたクリーニング処理を行ったリードフレーム
８のみであり、無処理或いは従来のクリーニング処理を
行ったものと比較すると、このクリーニング処理の優位
性が明らかである。
【００２４】なお、少量のヘリウムを反応ガスとして反
応ガス供給口1aから供給すると、ガラスチャンバ１内の
プラズマ分布が均一な領域を広くすることができるの
で、同じガラスチャンバ１を用いた場合には、ヘリウム
を用いない場合に比してより大量のリードフレーム８の
プラズマクリーニング処理を行うことが可能となる。
応ガス供給口1aから供給すると、ガラスチャンバ１内の
プラズマ分布が均一な領域を広くすることができるの
で、同じガラスチャンバ１を用いた場合には、ヘリウム
を用いない場合に比してより大量のリードフレーム８の
プラズマクリーニング処理を行うことが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体装置の製造方法によれば従来と同じプラズマク
リーニング装置を用い、処理条件を変更したリードフレ
ームのクリーニング処理を行うことにより、リードフレ
ームと封止樹脂との密着力を向上させることが可能とな
る利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が
期待できる半導体装置の製造方法の提供が可能である。
の半導体装置の製造方法によれば従来と同じプラズマク
リーニング装置を用い、処理条件を変更したリードフレ
ームのクリーニング処理を行うことにより、リードフレ
ームと封止樹脂との密着力を向上させることが可能とな
る利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が
期待できる半導体装置の製造方法の提供が可能である。
【図１】 バレル型プラズマクリーニング装置を示す
図、
図、
【図２】 図１のＡ−Ａ断面図、
【図３】 ホルダーの詳細構造を示す図、
１はガラスチャンバ、1aは反応ガス供給口、２はガイ
ド、３は蓋、４はホルダー、５は上部電極板、６は下部
電極板、７は高周波電源、８はリードフレーム、
ド、３は蓋、４はホルダー、５は上部電極板、６は下部
電極板、７は高周波電源、８はリードフレーム、
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置の製造に用いる銅
からなるリードフレーム(8) を、該リードフレーム(8)
の表面の脆い酸化膜を除去し、リードフレームの母材と
の結合力が強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で封止
樹脂との密着性の良好な酸化膜を形成することが可能な
ように、空気の１Torr〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ
処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 樹脂封止型半導体装置の製造に用いる銅
からなるリードフレーム(8) を、該リードフレーム(8)
の表面の脆い酸化膜を除去し、リードフレームの母材と
の結合力が強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で封止
樹脂との密着性の良好な酸化膜を形成することが可能な
ように、ヘリウムガスの１Torr〜10-3Torrの雰囲気中で
プラズマ処理することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2561292A JPH05226535A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2561292A JPH05226535A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226535A true JPH05226535A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12170716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2561292A Withdrawn JPH05226535A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226535A (ja) |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP2561292A patent/JPH05226535A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |