JPH0244738A - 電子装置作製方法 - Google Patents

電子装置作製方法

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JPH0244738A
JPH0244738A JP63195685A JP19568588A JPH0244738A JP H0244738 A JPH0244738 A JP H0244738A JP 63195685 A JP63195685 A JP 63195685A JP 19568588 A JP19568588 A JP 19568588A JP H0244738 A JPH0244738 A JP H0244738A
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JP
Japan
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die
chip
lead frame
protective film
plasma
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JP63195685A
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English (en)
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Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Kazuo Urata
一男 浦田
Itaru Koyama
小山　到
Noriya Ishida
石田　典也
Mari Sasaki
佐々木　麻里
Shinji Imato
今任　慎二
Kazuhisa Nakashita
中下　一寿
Naoki Hirose
直樹 広瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は半導体装置等の電子装置のワイヤボンディン
グ後、これら全体に非生成物気体、（分解して固体の反
応生成物を成膜しない気体）を用いてプラズマ処理を施
し、リードフレーム上の不要酸化物、吸着水の除去を行
うことにより、それと密着する保護膜または有機樹脂の
密着性を向上させんとしたものである。
この発明は、プラスチック・モールド封止に関し、ファ
イナルコーティング用保護膜形成を半導体チップ（トラ
ンジスタまたはそれが複数個集積化された半導体装置を
以下チップという）の表面のみならず、ワイヤボンド用
パッドにボンディングされた金属細線（２５μφ）の少
なくともパ・ンド近傍にコーティングすることにより、
コロ−ジョン（腐食）を防ぎ、ひいては高信頼性を得る
ことを目的としている。
プラスチック・モールド・パッケージは一般に信頼性を
低下させる水等がリードフレームのダイの裏面に集まり
、半田付（一般に２６０°Ｃ１３〜１０秒の溶融半田中
への浸漬を行う）の際、急激に気化し、その結果モール
ド剤が、膨張してクランクを誘発する。この発明は、こ
のクラックの発生を防ぐため、ダイとそれに密着するモ
ールド剤または保護膜との密着性を向上させることによ
り、クラック、ふくれ（ダイの裏面側のモールド剤が半
田付の際、温度上昇のためダイ近傍の水の気化により膨
れてしまう現象をいう）の発生を防がんとしたものであ
る。
この発明は、アルゴンガス等の不活性気体のプラズマ処
理またはその後工程の窒化珪素等の劣化防止用の保護膜
形成（ファイナル・コーティング）をウェハ・レベルに
て行うのではなく、電子部品である半導体チップをリー
ドフレームのダイ上にダイボンディング（ダイアタッチ
ともいう）し、さらにワイヤ・ポンディングを完了した
後に行わんとしたものである。そして、チップ表面のみ
ならず、特にリードフレームのダイの裏面の１００〜３
５０°Ｃの加熱処理を伴うダイアタッチの際生ずる低級
酸化物を、アルゴン等の非生成物気体によりプラズマ処
理を行うことにより除去し、ダイを構成する銅、４２７
０イ等の金属表面を露呈させることを特徴とする。さら
に必要に応じて、この後同じ反応炉にし同時に外部加熱
をすることなく、好ましくは室温（プラズマによる自己
発熱は若干ある）でプラズマ気相法により行い、この金
属表面を含めてこれら全ての表面に保護膜コーティング
を施し、その後にプラスチック・モールド処理による封
止を行うことを特徴としている。
「従来の技術」 従来、本発明人による特許側（半導体装置作製方法　昭
和５８年特許願第１０６４５２号　昭和５８年６月１４
日出願）が知られている。
しかし従来は第４図にその概要を示すが、リードフレー
ム（３５）　、　（３５’　）特にＩＣチップがダイア
タッチされるダイ（３５″）は銅、４２７０イ等の金属
よりなり、この表面（裏面）には電子部品をダイアタッ
チ（２４）させる際の１００〜３５０°Ｃの熱処理の時
、低級酸化物（３２）が形成されてしまう。このため、
この後、ただちに有機樹脂のモールド（４１）処理を行
うと、このモールド剤と銅または４２７０イとの間にき
わめてはがれやすい酸化物層（３２）が残存してしまう
。そのため、その後工程の２６０°Ｃ１３〜１０秒の半
田付の際の急激な熱衝撃に耐えることができず、ダイの
周辺部のモールド剤にクラック（３３）　、　（３３’
）が発生したり、またダイの裏面にたまった水分が蒸気
化して穴（４２）ができ、裏面のモールド剤にふくれ（
４１″）が発生してしまった。そしてＰＣＢ上にマウン
トされた後における長期間の使用に対し、半導体装置の
特性劣化、信頼性低下を誘発してしまっていた。
「発明の構成」 本発明はかかる従来のＤＩＰにおきる信頼性の低下を防
ぐため、金属のリードフレーム上に存在するナチュラル
オキサイド、低級酸化物をアルゴン等のプラズマ処理に
より除去し、さらに好ましくは、きわめて吸湿しやすい
モールド樹脂と金属との間に耐湿性の保護膜を形成させ
ることを特徴としている。
第１図は本発明構造のプラスチックＤＩＰ（デュアルイ
ンライン型パッケイジ）またはフラットバックパッケイ
ジの縦断面図を示す。
図面において、リードフレームのダイ（３５’）に銀ペ
ース）　（２４）等で密着させたチップ（２８）と、こ
のチップのアルミニューム・パッド（３８）とステム（
３５）との間に金線（３９）のワイヤボンドを行い、さ
らにこのチップ（２８）表面、パッド（３８）表面、ワ
イヤ（３９）表面およびダイ（３５”）の裏面に対し、
非生成物気体のプラズマ処理により、ダイアタッチの際
発生した低級酸化物およびナチュラルオキサイドを除去
し、金属表面を露呈（３０）させ、この後、さらに好ま
しくは劣化防止用保護膜、特に窒化珪素膜（２７）　、
　（２７’　）のプラズマＣＶＤ法によるコーティング
を行う。
この本発明のプラズマ処理方法はアルゴン、ネオン、ヘ
リウム、クリプトン等の不活性物気体、または水素、窒
素を用いてもよい。しかし質量が大きくかつ比較的安価
なプラズマ化しやすい気体であるアルゴンが好ましい。
これを後述の第２図の如きプラズマ処理装置を用いて、
プラズマ処理を行った。さらにこの上面にプラスチック
モールド（４１）をしたり、また保護膜（２７”）を形
成した。
そしてこの保護膜上に必要に応じて樹脂モールド（４１
）を行った。
この窒化珪素膜の如き保護膜は室温において、珪化物気
体とアンモニアまたは窒素とをプラズマ反応炉に導入し
、そこに電気エネルギを供給するいわゆるプラズマ気相
法により形成せしめた。
かくの如くして、窒化珪素膜の如き劣化防止用保護膜を
３００〜５０００人、一般には約１０００人の厚さに形
成した後、公知のインジェクション・モールド法により
有機樹脂例えばエポキシ（例えば４１０Ｂ）モールド法
により注入・封止させた。さらにフレムをリード部（３
７）にて曲げ、かつタイバーを切断する。さらにリード
部を酸洗いを行った後、リドにハンダメツキを行った。
第２図は、本発明のチップがフレームにボンディングさ
れた構造の基板およびそれを複数個集合させた基体（２
）（基板および基体をまとめて基体とも以下では略記す
る）を複数配設させ、プラズマ処理方法により低級酸化
物の除去およびプラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜のコ
ーティングを行うための装置の概要を示す。
図面において、反応系（６）、ドーピング系（５）を有
している。
反応系は、反応室（１）と予備室（７）とを有し、ゲー
ト弁（８）　、　（９）とを有している。反応室（１）
は内側に供給側フード（１３）を有し、入口側（３）よ
りの反応性気体をフード（１４）のノズル（１３）より
下方向に吹き出し、プラズマ反応をさせ、基板または基
体（２）上での低級酸化物の除去および保護膜形成を行
った。プラズマ処理または反応後は排出側フード（１４
’）のノズル（１３’）より排気口（４）を経てバルブ
（２１）、真空ポンプ（２０）に至る。高周波電源（１
０）よりの電気エネルギは、マツチングトランス（２６
）をへて、１〜５００ＭＨｚ例えば１３．５６ＭＨｚの
周波数を上下間の一対の同じ大きさの網状電極（１１）
（１１”）に加える。さらにマツチングトランスの中点
（２５’）は接地レベル（２５）とした。また周辺の枠
構造のホルダ（４０）は導体の場合は接地レベル（２２
）とし、また絶縁体であってもよい。そして反応性気体
は、一対の電極（１１）、　（１２）により供給された
高周波エネルギにより励起させている。またプラズマ処
理およびプラズマＣＶＤ法において、被形成体（２）（
以下基体（２）という）はサポータ（４０’）上に配設
された枠構造のホルダ（４０）内に一対の電極間の電界
の方向に平行に、さらに、いずれの電極（１１）、（１
２）からも離間させている。そして複数の基体（２）は
互いに一定の間隔（２〜１３ｃｍ例えば６ｃｍ）または
概略一定の間隔を有して配設されている。
この多数の基体（２）は、グロー放電により作られるプ
ラズマ中の陽光柱内に配設される。さらにこの基体の要
部を第３図（Ｃ）に示す。
第３図（Ａ）は基体（２）において基体（３５）　、　
（３５’　）を複数個一体化したリードフレーム上（４
５）に半導体装置（２８’）がボンディングされた電子
装置（２９）を５〜２５ケ、ユニット化した基体（４５
）を有する。
そして複数の半導体チップがボンディングされた１本の
リードフレーム（４５）における１つのリードフレーム
（基板）を第３図（Ｂ）に示す。図面ではリードを左側
のみ　　のため示す。そしてこのＡ−八゛での縦断面図
を第３図（Ｃ）の（２９）に示す。第３図（Ｃ）におい
て、リードフレーム（３５）、グイ（３５′）半導体チ
ップ（２８）、金属線（３９）よりなる基板（４５）を
さらに５〜３００本集め、ジグ（４４）により一体化し
、基体（２）として構成させている。この基体（２）が
第２図における基体（２）に対応している。そしてこれ
をさらに５〜５０枚（図面では７枚）陽光柱内に第２図
では配設している。
第２図における反応性気体は、フード（１３）より枠構
造のホルダ（４０）の内側およびフード（１３’）によ
り囲まれた内側にてプラズマ活性状態を呈し、基体上を
プラズマ処理する。さらに基体上に保護膜としての被膜
形成がなされる。
第２図に示すごとき本発明方法におけるプラズマ処理方
法は、室温のアルゴンプラズマ陽光柱内に保持され、か
つ窒化珪素膜を形成するに際し、外部より加熱をしなく
ても充分に緻密な絶縁膜を作ることができる。
そのプロセス上の１例を以下に示す。
「実施例１」 第２図のプラズマ処理装置およびＣｖＤ装置において、
ドーピング系（５）は珪化物気体であるジシラン（Ｓｉ
ｚｌ１６）を（１７）より、また窒化物気体であるアン
モニアまたは窒素を（１６）より、プラズマ処理用の非
生成物気体であるアルゴンを（１５）より供給している
。それらは流量計（１Ｂ）　、バルブ（１９）により制
御されている。
例えば、基板温度は外部加熱を特に積極的に行わない室
温（プラズマによる自己加熱を含む）とした。そしてま
ず反応空間（１）にアルゴンを導入し、基体（２）の表
面のプラズマ処理を行った。即ちこれらアルゴンに対し
、１３．５６　ＭＨｚの周波数によりＩＫＨの出力を一
対の電極（１１）、　（１１’）に１０〜３０分供給し
てプラズマ化した。するとこのダイの裏面に付着してい
る水分、低級酸化物を除去し、新たな金属面を露呈させ
ることができ、成膜する被膜の密着性を向上させること
ができた。
次にこのプラズマ処理がなされた被形成面上に保護膜を
形成する。即ち窒化珪素膜を形成する場合、反応性気体
は例えば、ＮＨｓ／５ｉＪｉ、／Ｎｚ　＝　１／３１５
とした。即ちこれらアルゴンに対し、１３．５６　Ｍｌ
ｌｚの周波数によりＩＫＨの出力を一対の電極（１１）
、（１１″）に供給した。か（して平均１０００人（１
０００人±２００人）に約１０分（平均速度３Ａ／秒）
の被膜形成を行った。
窒化珪素膜はその絶縁耐圧８　Ｘ１０’Ｖ／ｃｍ以上を
有し、比抵抗は２Ｘ１０”０ｃｍであった。赤外線吸収
スペクトルでは８６４ｃｍ　−’の５ｉ−Ｎ結合の吸収
ピクを有し、屈折率は２．０であった。
５χＮａＣ１で熔解させた塩水中（９５°Ｃ）に保存し
てところ、２０時間を経ても何らの劣化も見られなかっ
た。このため、本発明の劣化防止用保護膜として用いる
ことを証明することができた。
かかる本発明方法で作られた電子装置に対し、８５°Ｃ
／８５χ（相対温度）で１０００時間放置して、その後
、半田付けを２６０°Ｃ５秒行った。しかしこのモルト
には何らのクラックもまたふくれも発生しなかった。
さらに８５°Ｃ／８５％で５００ケ放置し信顛性テスト
を行ったところ、本発明のプラズマ処理を行い、ただち
に有機樹脂モールドを行った場合、３ケの不良があった
。これはアルミニウムパッドでのコロ−ジョンが要因で
あった。さらに本発明方法のプラズマ処理を行った後、
窒化珪素膜を形成した場合、不良はＯ（零）であった。
しかし本発明方法をまった（用いない場合、この長期の
保護膜でも不良は３０ケ以上発生していたが、その前に
第４図の如き初期不良が８０ケも存在してしまった。
さらに本発明方法を用いた電子装置において、特にアル
ミニューム・パ・ンド（３８）の全ての表面が直接モー
ルド材に露呈・接触していない。加えて窒化珪素膜は水
、塩素に対するブロッキング効果（マスク効果）が大き
い。このため本発明構造の半導体においては、ＰＣＴ　
　（プレッシャー・クツカー・テスト）　２ａｔｏｍ、
１００時間、１５０　’Ｃの条件下においても、まった
く不良が観察されず、従来のＩＣチップが５０〜１００
フイツトの不良率を有していたが、５〜１０フイツトに
までその不良率を下げることが可能になった。
ホルダ（４０）は枠の内側の大きさ６０ｃｍ　Ｘ　６０
ｃｍを有し、電極間距離は３０ｃｍ　（有効２０ｃｍ　
）としている。
また第２図の基体（２）の部分を拡大した図面を第３図
に示す。
なお本発明においては、プラズマ処理方法およびｐｃｖ
ｏ法において、電気エネルギのみならず、１０〜１５μ
の波長の遠赤外線または３００ｒ＋ｍ以下の紫外光を同
時に加えた光エネルギを用いるフォ１−ＣＶＤ（または
フォｌ−ＦＰＣＶＤ）法を併用することは有効である。
「効果」 本発明において、プラズマ処理は室温で行ったため、ダ
イにチップをアタッチした時に用いた有機樹脂を加熱し
て劣化させることがない。また加熱に必要な電力、時間
がいらず、生産性に優れている。加えて、ダイの裏面に
対しても、低級酸化物を除去しているため、有機樹脂の
密着性を向上させることができた。また保護膜を形成す
ると、長期間たっても、有機樹脂中の水分、塩素とダイ
の金属との間で反応を起こして低級酸化物ができ、信頼
性を低下させるという欠点がない。そして裏面からの水
分の侵入を防ぐことができる。またこの電子装置のＰＣ
Ｂへの半導体による装着の際、従来例に示す如く、モー
ルド材が加熱により膨れてしまうことを防ぐことができ
た。
本発明における保護膜は窒化珪素膜とした。しかしこれ
をＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜、酸化
珪素膜、その他の絶縁膜の単層または多層膜であっても
よい。
ＤＬＣ，酸化珪素は本来吸水性を有するため、窒化珪素
との長期間の耐水信顛性を期待できない。また酸化珪素
の場合は、この成膜時にダイの裏面に低級酸化物を作っ
てしまう可能性をも有する。
さらに本発明において、電子部品チップは半導体素子と
して示したが、その他、抵抗、コンデンサであってもよ
く、ボンディングもワイヤボンディングのみならずフリ
ップチップボンディング、ハンダバンプボンディングで
もよい。
本発明において、チップの大きさが大きくなって、ダイ
を用いることなしにモールドする場合がある。しかしそ
の場合も基体としてのリードフレム、チップのすべてを
覆って保護膜を設けることは有効である。
上述した説明においては、リードフレーム上に半導体チ
ップを載置した場合について述べているが、本発明は特
にデュアルインライン型のリードフレームに限るもので
はなく、フラットパック型のリードフレームおよびその
他のリードフレームに対しても同様の機能を持つもので
あっても、同様の効果が期待できるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の耐ンＷテストおよび半田付はテストを
した後のプラスチック・パッケージ半導体装置の縦断面
部の要部を示す。 第２図は本発明方法を実施するためのプラズマ気相反応
装置の概要を示す。 第３図は第２図の装置のうちの基体部の拡大図を示す。 第４図は従来例のプラスチックパッケージを耐湿テスト
および半田付はテストをした後の縦断面図の要部を示す
。 ′ｉＡｔの （８ノ 箪３（２）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リードフレームと電子部品との間にボンディングし
    た電子装置を有する基板または該基板を集合させた基体
    の表面または裏面に非生成物気体によりプラズマ処理を
    施した後、保護膜形成を行うことを特徴とする電子装置
    作製方法。 ２、リードフレームと電子部品との間にボンディングし
    た電子装置を有する基板または該基板を集合させた基体
    の表面または裏面にプラズマ処理を施した後、保護膜形
    成を施し、該工程の後、樹脂封止処理を行うことを特徴
    とする電子装置作製方法。 ３、リードフレームと電子部品との間にボンディングを
    することにより設けられた基板または該基板を集合させ
    た基体の表面または裏面にプラズマ処理を施した後、樹
    脂封止処理を行うことを特徴とする電子装置作製方法。
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US07/385,155 US5013688A (en) 1988-08-05 1989-07-26 Method of manufacturing a semiconductor using plasma processing
EP19890307955 EP0354056A3 (en) 1988-08-05 1989-08-04 Coated electric devices and methods of manufacturing the same
CN89106675A CN1019250B (zh) 1988-08-05 1989-08-05 制造电子器件的方法
KR1019890011183A KR940000259B1 (ko) 1988-08-05 1989-08-05 전자장치 제조방법

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02102567A (ja) * 1988-10-12 1990-04-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置作製方法
US6852567B1 (en) 1999-05-31 2005-02-08 Infineon Technologies A.G. Method of assembling a semiconductor device package
US7138328B2 (en) * 2002-12-18 2006-11-21 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged IC using insulated wire

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5192995A (en) * 1988-08-26 1993-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric device utilizing antioxidation film between base pad for semiconductor chip and organic encapsulating material
DE69218630T2 (de) * 1991-01-08 1997-09-11 Texas Instruments Inc Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf einen IC-Chip und auf Leiterrahmen zur Verbesserung der Adhäsion mit Formgussmischung, und Gerät
US5310702A (en) * 1992-03-20 1994-05-10 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method of preventing short-circuiting of bonding wires
US5254501A (en) * 1992-09-11 1993-10-19 Cypress Semiconductor Corporation Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices
US5455745A (en) * 1993-07-26 1995-10-03 National Semiconductor Corporation Coated bonding wires in high lead count packages
US5685071A (en) * 1995-06-05 1997-11-11 Hughes Electronics Method of constructing a sealed chip-on-board electronic module
US5674357A (en) * 1995-08-30 1997-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor substrate cleaning process
KR100202668B1 (ko) * 1996-07-30 1999-07-01 구본준 크랙 방지를 위한 반도체 패키지와 그 제조방법 및 제조장치
DE19736090B4 (de) * 1997-08-20 2005-04-14 Daimlerchrysler Ag Bauelement mit Schutzschicht und Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht für ein Bauelement
US20020113322A1 (en) * 2000-06-12 2002-08-22 Shinichi Terashima Semiconductor device and method to produce the same
US6826829B2 (en) * 2002-03-07 2004-12-07 Visteon Global Technologies, Inc. Method for attaching a die with a low melting metal
US8808457B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7049683B1 (en) * 2003-07-19 2006-05-23 Ns Electronics Bangkok (1993) Ltd. Semiconductor package including organo-metallic coating formed on surface of leadframe roughened using chemical etchant to prevent separation between leadframe and molding compound
JP2007012831A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Hitachi Ltd パワー半導体装置
US7956445B2 (en) * 2006-08-15 2011-06-07 Texas Instruments Incorporated Packaged integrated circuit having gold removed from a lead frame
US8674462B2 (en) 2007-07-25 2014-03-18 Infineon Technologies Ag Sensor package
TWI826650B (zh) * 2012-11-26 2023-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理
DE102016106137B4 (de) * 2016-04-04 2023-12-28 Infineon Technologies Ag Elektronikvorrichtungsgehäuse umfassend eine dielektrische Schicht und ein Kapselungsmaterial
KR20190000213A (ko) * 2017-06-22 2019-01-02 최용규 반도체소자의 접합 구조
CN108401367B (zh) * 2018-02-26 2020-08-14 广州致远电子有限公司 塑封电子模块及其制作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57202744A (en) * 1981-06-05 1982-12-11 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
JPS57210646A (en) * 1981-06-19 1982-12-24 Seiko Epson Corp Resin-sealed semiconductor device
JPS60119784A (ja) * 1983-12-01 1985-06-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 絶縁金属基板の製法およびそれに用いる装置
JPS59158531A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子の表面安定化法
JPS59231840A (ja) * 1983-06-14 1984-12-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作成方法
US4579609A (en) * 1984-06-08 1986-04-01 Massachusetts Institute Of Technology Growth of epitaxial films by chemical vapor deposition utilizing a surface cleaning step immediately before deposition
CH664768A5 (de) * 1985-06-20 1988-03-31 Balzers Hochvakuum Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer.
JPS6353929A (ja) * 1986-08-22 1988-03-08 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4758775A (en) * 1987-04-10 1988-07-19 Eip Microwave, Inc. Broad band coupler

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02102567A (ja) * 1988-10-12 1990-04-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置作製方法
US6852567B1 (en) 1999-05-31 2005-02-08 Infineon Technologies A.G. Method of assembling a semiconductor device package
US7138328B2 (en) * 2002-12-18 2006-11-21 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged IC using insulated wire

Also Published As

Publication number Publication date
CN1040461A (zh) 1990-03-14
EP0354056A3 (en) 1991-03-06
KR900004010A (ko) 1990-03-27
CN1019250B (zh) 1992-11-25
US5013688A (en) 1991-05-07
EP0354056A2 (en) 1990-02-07
KR940000259B1 (ko) 1994-01-12

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