JP2018006569A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁基板上に設けられた電極の上側角部における放電を抑制することが可能な絶縁信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板2に接合された電極3の上面端部に沿って、固形の絶縁物で構成された流動制御部材11を設置し、流動制御部材11の側面11c、電極3の側面3c、および絶縁基板2の沿面に、液状の絶縁樹脂10を塗布する。絶縁樹脂10には、絶縁耐圧が高く、且つ未硬化時の粘度が比較的低いエポキシ系やポリイミド系等の樹脂材料が用いられる。流動制御部材11は、電極3の上側角部3b付近の液状の絶縁樹脂10の流動を抑制するため、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10を塗布することができ、電極3の下側角部3aのみならず上側角部3bにおける放電を抑制することが可能である。【選択図】図2
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に半導体装置の絶縁信頼性の向上を図るための構造に関する。
電力変換機器等に広く用いられている半導体パワーモジュールは、絶縁基板に接合された電極上に半導体素子が搭載され、シリコーンゲル等の封止材によって絶縁封止されている。半導体パワーモジュールの電極に高電圧が印加される場合、高電界部位である電極端部周辺から部分放電が発生し、絶縁部の劣化や絶縁破壊を引き起こすことがあり、機器の故障の要因となっていた。
このような部分放電による絶縁破壊を抑制するための従来技術として、絶縁基板上の電極の端部を含む沿面を、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の絶縁樹脂で覆うことが知られている。また、特許文献1には、高電界部位である電極端部周辺を、高耐圧の無機系ガラス材で被覆したパワー半導体装置が開示されている。
上述のように、従来の半導体装置においては、絶縁耐圧の高い樹脂を高電界部位である電極の端部および絶縁基板の沿面に塗布することで、部分放電の発生を抑制している。ただし、塗布される絶縁樹脂の厚さが十分でない場合、樹脂表面の電界が高くなり、その樹脂を覆う封止材との界面で放電を引き起こし易くなる。このため、高耐圧樹脂を高電界部位に塗布する際は、十分な厚さに厚塗りすることが求められている。
シリコーンゴムのように未硬化時に比較的粘度が高い樹脂は、厚塗りに適しているが、硬化時にボイドが抜けきらずに樹脂内部にボイドが残留することがある。ボイドが電界集中部の近傍に存在する場合、ボイド内部で部分放電が発生し、絶縁劣化や絶縁破壊を引き起こす可能性がある。一方、未硬化時に低粘度の樹脂を用いた場合、ボイドの残留によるリスクを低減することはできるが、硬化する前に流動してしまうため厚塗りすることが難しい。
半導体装置の内部構造において、絶縁基板、電極、および封止材の3つが重なる点が電界集中部となり、放電による絶縁破壊の起点となる可能性が最も高い。従って、この電界集中部に対する絶縁対策が最も重要であるが、電極の上側角部においても放電が発生し易く、塗布された高耐圧樹脂に沿って沿面放電による絶縁破壊に至る場合がある。このため、電極の上側角部にも高耐圧樹脂を厚塗りする必要があるが、低粘度の樹脂を用いた場合、電極の上側角部に対して厚みを持たせることが難しいという課題があった。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、絶縁基板上に設けられた電極の上側角部における放電を抑制することが可能な絶縁信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、絶縁基板の一方の主面に接合された電極と、電極の上面に搭載された半導体素子と、電極の上面端部に沿って配設された流動制御部材と、少なくとも、流動制御部材の一部、電極の絶縁基板との接合面と上面とを繋ぐ側面、および絶縁基板の一部を被覆するように設けられた絶縁樹脂とを備えたものである。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁基板の一方の主面に接合された電極の上面端部に沿って流動制御部材を設置する流動制御部材設置工程と、流動制御部材設置工程の後、少なくとも、流動制御部材の一部、電極の絶縁基板との接合面と上面とを繋ぐ側面、および絶縁基板の一部を被覆するように、液状の絶縁樹脂を塗布する液状樹脂塗布工程と、液状樹脂塗布工程の後、液状の絶縁樹脂を硬化させる液状樹脂硬化工程とを含み、液状樹脂塗布工程において、流動制御部材は、塗布された液状の絶縁樹脂が電極の上面と側面の間の上側角部に留まるように液状絶縁樹脂の流動を抑制するものである。
本発明に係る半導体装置によれば、電極の上面端部に沿って配設された流動制御部材の一部、電極の側面、および絶縁基板の一部を被覆するように絶縁樹脂を設けることにより、電極の上側角部に十分な厚さの絶縁樹脂を設けることができるので、電極の下側角部のみならず上側角部における放電を抑制することが可能であり、絶縁信頼性の向上が図られる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、電極の上面端部に沿って流動制御部材を設置し、電極の上側角部付近の液状の絶縁樹脂の流動を流動制御部材により抑制するようにしたので、電極の上側角部に十分な厚さの絶縁樹脂を塗布することができ、電極の下側角部のみならず上側角部における放電を抑制することが可能な絶縁信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
実施の形態1.
以下に、本発明の実施の形態1に係る半導体装置である半導体パワーモジュールおよびその製造方法について、図面に基づいて説明する。図1は、本実施の形態1に係る半導体パワーモジュールの全体構成を示す断面図、図2は、図1中、破線Aで示す部分の部分拡大図である。なお、各図において、図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
以下に、本発明の実施の形態1に係る半導体装置である半導体パワーモジュールおよびその製造方法について、図面に基づいて説明する。図1は、本実施の形態1に係る半導体パワーモジュールの全体構成を示す断面図、図2は、図1中、破線Aで示す部分の部分拡大図である。なお、各図において、図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
本実施の形態1に係る半導体パワーモジュール1は、図1に示すように、セラミック基板等の絶縁基板2の一方の主面に電極3が接合されており、この電極3の上面に半導体素子4が搭載されている。なお、図1では電極3と半導体素子4を1つずつ示しているが、それらは複数であっても良い。
絶縁基板2の他方の主面には下部電極5が設けられ、下部電極5は、はんだ6を介してベース板7と接合されている。これらは樹脂製のケース8に収納され、絶縁性の封止材であるシリコーンゲル9によって封止されている。図1に示す例では、ケース8は、絶縁基板2を囲むようにベース板7上に設けられ、その内部にシリコーンゲル9が充填されている。
このように構成された半導体パワーモジュール1においては、電極3に高電圧が印加される場合、図1中、破線Aで示す箇所が高電界部位となる。特に、絶縁基板2、電極3、およびシリコーンゲル9の3つが重なる点、すなわち電極3の下側角部3aが電界集中部となり、部分放電が発生し易い。また、電極3の上側角部3bも電界が集中し易く、部分放電が発生し易い。
そこで、本実施の形態1に係る半導体パワーモジュール1は、固形の絶縁物で構成された流動制御部材11を電極3の上面端部に沿って配設し、少なくとも流動制御部材11の一部、電極3の一部、および絶縁基板2の一部を絶縁樹脂10で被覆することにより、高電界部位の絶縁耐圧を向上させている。
ただし、高電界部位を被覆する絶縁樹脂10の厚さが十分でない場合、絶縁樹脂10の表面の電界が高くなり、絶縁樹脂10を覆うシリコーンゲル9との界面で沿面放電を引き起こし易くなる。このため、半導体パワーモジュール1における部分放電および沿面放電を抑制するためには、十分な厚さの絶縁樹脂10を塗布する必要がある。すなわち、「十分な厚さ」とは、部分放電および沿面放電の発生を抑制するために必要な厚さのことであり、その具体的な寸法は、絶縁樹脂10の種類によって適宜決定される。
本実施の形態1における流動制御部材11は、図2に示すように、その断面形状は矩形であり、対向する上面と下面およびそれらを繋ぐ側面11cを有している。また、電極3は、絶縁基板2との接合面と上面とを繋ぐ側面3cが、絶縁基板2の主面に対して略垂直に設けられ、電極3の側面3cと流動制御部材11の側面11cは、ほぼ同一平面上に位置している。
絶縁樹脂10は、流動制御部材11の側面11c、電極3の側面3c、および絶縁基板2の沿面(電極3の端部と絶縁基板2の外周端部との間の領域)に連続的に塗布され、電極集中部である電極3の下側角部3aと上側角部3bを被覆している。本実施の形態1では、同一平面上にある流動制御部材11の側面11cと電極3の側面3cに絶縁樹脂10を塗布することにより、電極3の上側角部3bの絶縁樹脂10が流動して薄くなることを抑制している。
絶縁樹脂10には、絶縁耐圧が高く、且つ未硬化時の粘度が比較的低いエポキシ系やポリイミド系等の樹脂材料が用いられる。低粘度の樹脂を用いることにより、樹脂内部にボイドが残留し難く、ボイドに起因する放電を抑制することができる。また、封止材であるシリコーンゲル9よりも絶縁耐圧の高い樹脂を用いることにより、高電界部位の絶縁耐圧を向上させることができる。
さらに、絶縁樹脂10は、流動制御部材11との熱膨張係数の差が小さい樹脂であることが望ましい。これにより、半導体パワーモジュール1の温度変化時に絶縁樹脂10と流動制御部材11の間で生じる応力が抑制され、絶縁樹脂10の剥離を防止することができる。流動制御部材11を絶縁樹脂10の硬化物で構成した場合、両者の間の接着力も高く、且つ熱膨張係数差に起因する応力も発生しなくなるため、欠陥の発生が抑制され、絶縁信頼性が向上する。
本実施の形態1に係る半導体パワーモジュール1の製造方法について、図2から図6を用いて説明する。なお、図5および図6は、本実施の形態1に係る半導体装置の製造方法の比較例として、従来の半導体装置における高電界部位に対する絶縁樹脂の塗布方法を示している。
まず、図3および図4に示すように、絶縁基板2の一方の主面に接合された電極3の上面端部に沿って、流動制御部材11を設置する(流動制御部材設置工程)。本実施の形態1では、流動制御部材11の側面11cが電極3の側面3cと段差なく連続した面となるように流動制御部材11を設置する。流動制御部材11は、単体であっても複数の部材から構成されたものであっても良い。
図3に示す例では、電極3の外周形状と合致する枠状の流動制御部材11を用意し、電極3の上面に設置している。この場合、流動制御部材11の位置合わせが容易であり、作業効率が良い。また、図4に示す例では、矩形の電極3の各辺に対応する4つの棒状の流動制御部材11を用意し、電極3の上面で組み合わせている。この場合、作業効率は低下するが、電極3の形状や大きさが変更になった場合の対応が容易となる。
流動制御部材設置工程の後、少なくとも、流動制御部材11の一部、電極3の側面3c、および絶縁基板2の一部を被覆するように、ディスペンサ等を用いて液状の絶縁樹脂10を塗布する(液状樹脂塗布工程)。本実施の形態1では、図2に示すように、流動制御部材11の側面11c、電極3の側面3c、および絶縁基板2の沿面に液状の絶縁樹脂10を塗布する。
この時、流動制御部材11は、電極3の上側角部3b付近に塗布された低粘度の液状の絶縁樹脂10が電極3の上側角部3b付近に留まるように、液状の絶縁樹脂10の流動を抑制している。なお、液状樹脂塗布工程において、絶縁樹脂10は、流動制御部材11の上面に塗布されていても良い。液状樹脂塗布工程の後、オーブンまたはホットプレートにより加熱し、液状絶縁樹脂を硬化させる(液状樹脂硬化工程)。この時の加熱温度は、絶縁樹脂10の種類によって適宜決定される。
一方、図5に示す従来方法では、流動制御部材11を設置せずに、未硬化時に低粘度の絶縁樹脂10を電極3の側面3cに塗布している。未硬化時に低粘度の絶縁樹脂10は、塗布した後に流動するため厚塗りすることが難しく、特に電極3の上側角部3bに液状の絶縁樹脂10を留めることは困難である。このため、図5に示す従来の塗布方法では、上側角部3bを起点として絶縁樹脂10上に発生する沿面放電を抑制することができず、絶縁破壊に至る可能性があった。
また、図6に示す従来方法では、未硬化時に高粘度のシリコーンゴム等の絶縁樹脂12を、電極3の側面3cに塗布している。未硬化時に高粘度の絶縁樹脂12は、塗布した後に流動し難く、電極3の上側角部3bを覆うように厚塗りすることが可能である。ただし、塗布時に絶縁樹脂12中にボイド13が混入していた場合、ボイド13が外部へ抜け難く、内部に残留することがある。図6に示すように、ボイド13が電極3の下側角部3aの近傍に存在する場合、ボイド13内部で部分放電が発生する可能性があった。
本実施の形態1に係る半導体パワーモジュール1によれば、電極3の上面端部に沿って配設された流動制御部材11の側面11c、電極3の側面3c、および絶縁基板2の沿面を被覆するように絶縁樹脂10を設けることにより、電極3の上側角部3b付近に十分な厚さの絶縁樹脂10を設けることができるので、電極3の下側角部3aのみならず上側角部3bにおける放電を抑制することが可能であり、絶縁信頼性の向上が図られる。
また、本実施の形態1に係る半導体パワーモジュール1の製造方法によれば、電極3の上面端部に沿って流動制御部材11を設置し、電極3の上側角部3b付近の液状の絶縁樹脂10の流動を流動制御部材11により抑制するようにしたので、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10を塗布することができ、電極3の下側角部3aのみならず上側角部3bにおける放電を抑制することが可能な絶縁信頼性の高い半導体パワーモジュール1を製造することができる。
また、本実施の形態1によれば、未硬化時に低粘度の絶縁樹脂10を電極3の上側角部3b付近に十分な厚さに塗布することができるため、従来方法のように未硬化時に高粘度の絶縁樹脂12(図6)を用いる必要がない。よって、高粘度の絶縁樹脂12を用いた場合に発生し易いボイド13内部の部分放電を抑制することができ、従来方法の課題を解消することが可能である。
以下に示す実施の形態2から実施の形態7では、本実施の形態1で説明した流動制御部材11の形状や設置位置についての様々な変形例について説明する。
実施の形態2.
図7は、本発明の実施の形態2に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図である。なお、本実施の形態2に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。また、本実施の形態2に係る半導体パワーモジュール1の製造方法は、上記実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
図7は、本発明の実施の形態2に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図である。なお、本実施の形態2に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。また、本実施の形態2に係る半導体パワーモジュール1の製造方法は、上記実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
本実施の形態2では、固形の絶縁物で構成された流動制御部材11を電極3の上面端部に沿って配設する際、流動制御部材11の側面11cを、電極3の側面3cよりも電極3の内側に配置している。このため、流動制御部材11の側面11cと電極3の側面3cの間には段差部ができ、電極3の上面3dの端部が露出するが、流動制御部材11の側面11cおよび電極3の側面3cと共に絶縁樹脂10に被覆されている。
すなわち、流動制御部材11の側面11cと電極3の側面3cの間隔が離れ過ぎていな
ければ、未硬化の絶縁樹脂10に働く表面張力により、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10を塗布することができる。よって、本実施の形態2に係る半導体パワーモジュール1によれば、上記実施の形態1と同等あるいはそれ以上に、絶縁信頼性の向上が図られる。
ければ、未硬化の絶縁樹脂10に働く表面張力により、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10を塗布することができる。よって、本実施の形態2に係る半導体パワーモジュール1によれば、上記実施の形態1と同等あるいはそれ以上に、絶縁信頼性の向上が図られる。
実施の形態3.
図8、図9および図10は、本発明の実施の形態3に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図である。なお、本実施の形態3に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。また、本実施の形態3に係る半導体パワーモジュール1の製造方法は、上記実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
図8、図9および図10は、本発明の実施の形態3に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図である。なお、本実施の形態3に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。また、本実施の形態3に係る半導体パワーモジュール1の製造方法は、上記実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
本実施の形態3では、固形の絶縁物で構成された流動制御部材11を電極3の上面端部に沿って配設する際、流動制御部材11の側面11cを、電極3の側面3cよりも電極3の外側に配置している。このため、流動制御部材11の側面11cと電極3の側面3cの間には段差部ができ、流動制御部材11の下面11dが露出するが、流動制御部材11の側面11cおよび電極3の側面3cと共に絶縁樹脂10に被覆されている。
流動制御部材11の側面11cに塗布された液状の絶縁樹脂10は、未硬化時に低粘度であるため、重力により流動制御部材11の下面11dを伝って電極3の側面3cへ流れ、絶縁基板2の沿面に達する。この時、流動制御部材11の下面11dと電極3の側面3cの間に塗布された絶縁樹脂10には表面張力が働くため、電極3の上側角部3b付近には他の部分よりも厚く絶縁樹脂10が留まる。すなわち、流動制御部材11の側面11cと電極3の側面3cの間隔が離れ過ぎていなければ、液状の絶縁樹脂10に働く表面張力により、電極3の上側角部3b付近に十分な厚さの絶縁樹脂10を塗布することができる。
ただし、流動制御部材11の側面11cと電極3の側面3cの間隔が離れ過ぎると、流動制御部材11の側面11cに塗布された絶縁樹脂10が電極3の上側角部3bに到達しない恐れがある。図8に示すように、流動制御部材11の下側角部11aが直角の場合、液状の絶縁樹脂10の流れの方向が90度変わるため、重力による流れが止まり易い。
また、本実施の形態3では、流動制御部材11は絶縁物であるが、後述の実施の形態6のように導電物で構成された流動制御部材を用いた場合、流動制御部材は電極3と同電位となるため、流動制御部材の下側角部に電界が集中し、十分な厚さの絶縁樹脂10が設けられていない場合、放電が発生する可能性がある。
このような課題を解決するためには、流動制御部材11の下側角部を、図9に示すような曲面11eを含む形状や、図10に示すような鈍角11fを含む形状とすることが有効である。流動制御部材11の下側角部を曲面11eあるいは鈍角11fを含む形状とすることにより、液状の絶縁樹脂10は、流動制御部材11の側面11cから下面11dへ流れ易くなるため、電極3の上側角部3bに到達することができる。その結果、電極3の上側角部3b付近に十分な厚さの絶縁樹脂10を設けることができる。
また、導電物で構成された流動制御部材を用いた場合には、流動制御部材の下側角部を曲面11eあるいは鈍角11fを含む形状とすることにより、流動制御部材の下側角部の電界集中を緩和することができる。よって、本実施の形態3に係る半導体パワーモジュール1によれば、上記実施の形態1と同等あるいはそれ以上に、絶縁信頼性の向上が図られる。
なお、図8から図10に示す例では、流動制御部材11の側面11cに絶縁樹脂10が塗布されているが、絶縁樹脂10は、流動制御部材11の下面11dと電極3の側面3cに塗布されていれば良く、流動制御部材11の側面11cは必ずしも塗布されていなくても良い。
実施の形態4.
図11および図12は、本発明の実施の形態4に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図である。なお、本実施の形態4に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。また、本実施の形態4に係る半導体パワーモジュール1の製造方法は、上記実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
図11および図12は、本発明の実施の形態4に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図である。なお、本実施の形態4に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。また、本実施の形態4に係る半導体パワーモジュール1の製造方法は、上記実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
上記実施の形態1から実施の形態3では、流動制御部材11の上側角部11bが略直角である場合について述べたが、直角の場合、液状樹脂塗布工程において、液状の絶縁樹脂10を流動制御部材11の側面11cに対して塗布し難い。
そこで、本実施の形態4では、図11に示すように、流動制御部材11の上面角部を、曲面11eを含む形状としている。あるいは、図12に示すように、流動制御部材11の上側角部の直角部分をカットし、鈍角11fを含む形状としている。
このように、流動制御部材11の上側角部を曲面11eあるいは鈍角11fを含む形状とすることにより、液状の絶縁樹脂10を流動制御部材11の側面11cに塗布し易くなり、その結果、電極3の上側角部3bに対して絶縁樹脂10を塗布し易くなる。よって、本実施の形態4に係る半導体パワーモジュール1によれば、上記実施の形態1と同等あるいはそれ以上に、絶縁信頼性の向上が図られる。
実施の形態5.
図13は、本発明の実施の形態5に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図、図14は、本実施の形態5に係る半導体パワーモジュールの製造方法を示す部分拡大断面図である。なお、本実施の形態5に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。
図13は、本発明の実施の形態5に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図、図14は、本実施の形態5に係る半導体パワーモジュールの製造方法を示す部分拡大断面図である。なお、本実施の形態5に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。
上記実施の形態1から実施の形態4では、電極3の上面端部に流動制御部材11を直接設置しているため、流動制御部材11の下面に歪みがあった場合、設置が不安定になり、絶縁樹脂10を均一に塗布することができない可能性がある。また、この歪みにより流動制御部材11と電極3の間に隙間が生じ、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10が塗布されない可能性もある。
そこで、本実施の形態5では、図13に示すように、電極3の上面と流動制御部材11との間に、樹脂層として絶縁樹脂10の層を設けたものである。このように、電極3と流動制御部材11の間に予め絶縁樹脂10を塗布しておくことにより、流動制御部材11の下面に多少の歪みがある場合も、歪みが吸収され、流動制御部材11を安定して設置することができる。
本実施の形態5に係る半導体パワーモジュールの製造方法について、図14を用いて説明する。図14(a)に示すように、流動制御部材11を設置する前に、電極3の上面端部、側面3c、および絶縁基板2の沿面の一部に液状の絶縁樹脂10aを塗布し、電極3の上面端部に樹脂層を形成する。続いて、図14(b)に示す流動制御部材設置工程において、電極3の上面端部に、絶縁樹脂10aからなる樹脂層を介して流動制御部材11を設置する。
続いて、図14(c)に示す液状樹脂塗布工程において、流動制御部材11の側面11cに液状の絶縁樹脂10を塗布する。なお、樹脂層を形成する絶縁樹脂10aと、後から塗布される絶縁樹脂10は、同じ樹脂材料であることが望ましいが、別の材料を用いることもできる。また、図14(c)では、流動制御部材11の上面に絶縁樹脂10を塗布しているが、上面には塗布しなくても良い。
本実施の形態5に係る半導体パワーモジュール1によれば、流動制御部材11を設置する前に、電極3の上面端部に絶縁樹脂10aを塗布する工程が必要となるが、流動制御部材11を安定して設置することが可能となり、上記実施の形態1と同等あるいはそれ以上に、絶縁信頼性の向上が図られる。
実施の形態6
図15は、本実施の形態6に係る半導体パワーモジュールの製造方法を示す部分拡大断面図である。なお、本実施の形態6に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。
図15は、本実施の形態6に係る半導体パワーモジュールの製造方法を示す部分拡大断面図である。なお、本実施の形態6に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。
上記実施の形態1から実施の形態5では、固形の絶縁物で構成された流動制御部材11を電極3の上面端部に沿って配設することにより、電極3の上側角部3bに対して十分な厚さの絶縁樹脂10を設けるようにしていた。しかし、製造ばらつきや条件によっては、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10が設けられていない可能性がある。
そこで、本実施の形態6では、絶縁物で構成された流動制御部材11に代えて、導電物で構成された流動制御部材11Aを用いる。流動制御部材11Aは、電極3と同電位となるため、電極3の上側角部3bの電界は大幅に緩和される。このため、電極3の上側角部3bを被覆する絶縁樹脂10が十分な厚さを有していなくても、絶縁を保つことができる。
ただし、流動制御部材11Aの上側角部に電界が集中することになるため、この部分に十分な厚さの絶縁樹脂10を被覆する必要がある。本実施の形態6では、導電物の流動制御部材11Aの形状を、対向する上面と下面、およびそれらを繋ぐ側面11cを有すると共に、上面と側面11cの間の上側角部が鈍角11fあるいは曲面11e(図11参照)を含む形状とし、且つ、上側角部および側面11cを、予め絶縁樹脂10bで被覆している。
固形の導電物で構成された流動制御部材11Aを電極3の上面端部に設置することは、構造的には電極3が厚くなったようなものであるが、電極3の上側角部3bを鈍角や曲面を含む形状に加工するためには、エッチング工程等を追加する必要があり、高精度に加工することが難しい。これに対し、電極3とは別部材の流動制御部材11Aに対し、上側角部をカットして鈍角11fを含む形状や曲面11eを含む形状に加工することは容易である。また、流動制御部材11Aの上側角部に十分な厚さの絶縁樹脂10bを塗布することも容易である。
本実施の形態6に係る半導体パワーモジュールの製造方法について、図15を用いて説明する。図15(a)に示すように、導電物で構成された流動制御部材11Aの上側角部には、予め絶縁樹脂10bが塗布されている。流動制御部材11Aは、独立した部材であるため、絶縁樹脂10bで被覆する際には、流動制御部材11Aを傾けたり、絶縁樹脂10bの流動を防止する壁を設ける道具を用いたりすることができる。
続いて図15(b)に示すように、電極3の上面端部に流動制御部材11Aを設置する
。ここでは、流動制御部材11Aの側面11cが電極3の側面3cと段差なく連続した面となるように設置している。その後、図15(c)に示すように、流動制御部材11Aの側面11cおよび電極3の側面3cに対して絶縁樹脂10を塗布する。なお、絶縁樹脂10bと絶縁樹脂10は、同じ樹脂材料であることが望ましいが、別の材料を用いることもできる。
。ここでは、流動制御部材11Aの側面11cが電極3の側面3cと段差なく連続した面となるように設置している。その後、図15(c)に示すように、流動制御部材11Aの側面11cおよび電極3の側面3cに対して絶縁樹脂10を塗布する。なお、絶縁樹脂10bと絶縁樹脂10は、同じ樹脂材料であることが望ましいが、別の材料を用いることもできる。
本実施の形態6に係る半導体パワーモジュール1によれば、固形の導電物で構成された流動制御部材11Aの上側角部に予め十分な厚さの絶縁樹脂10bを設けることにより、安定して絶縁信頼性の向上が図られる。
実施の形態7.
図16は、本発明の実施の形態7に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図である。なお、本実施の形態7に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。
図16は、本発明の実施の形態7に係る半導体パワーモジュールの部分拡大断面図である。なお、本実施の形態7に係る半導体パワーモジュール1の全体構成は、上記実施の形態1と同様であるので図1を流用し、各部の説明は省略する。
上記実施の形態1から実施の形態6では、電極3の上面端部に固形の絶縁物である流動制御部材11または固形の導電物である流動制御部材11Aを設置したが、固形の流動制御部材11、11Aの場合、電極3のパターン形状毎に対応する流動制御部材11、11Aを用意する必要がある。また、電極3のパターン形状が複雑であるほど、設置の際の位置決めが難しくなり、作業効率が低下する。
そこで、本実施の形態7では、図16に示すように、未硬化状態の高粘度の絶縁樹脂、例えばシリコーンゴム等から構成された流動制御部材11Bを電極3の上面端部に設置した後、硬化させる。その製造方法は、流動制御部材設置工程において、既存のコーティング装置を用い、ディスペンサの機械制御によって流動制御部材11Bを任意の箇所に塗布する。このような方法により、流動制御部材11Bを電極3の上面端部の外周形状に合わせて設置することができる。
さらに、液状樹脂塗布工程において、流動制御部材11Bの上部から未硬化時に低粘度の絶縁樹脂10を塗布し、電極3の側面3cおよび絶縁基板2の沿面まで被覆することにより、電極3の上側角部3bに十分な厚さの絶縁樹脂10を設けることができ、上記実施の形態1と同様の効果が得られる。なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
本発明は、半導体パワーモジュールの絶縁信頼性の向上を図るための構造およびその製造方法として利用することができる。
1 半導体パワーモジュール、2 絶縁基板、3 電極、3a 下側角部、3b 上側角部、3c 側面、3d 上面、4 半導体素子、5 下部電極、6 はんだ、7 ベース板、8 ケース、9 シリコーンゲル、10、10a、10b 絶縁樹脂、11、11A、11B 流動制御部材、11a 下側角部、11b 上側角部、11c 側面、11d 下面、11e 曲面、11f 鈍角、12 絶縁樹脂、13 ボイド
Claims (17)
- 絶縁基板の一方の主面に接合された電極と、
前記電極の上面に搭載された半導体素子と、
前記電極の上面端部に沿って配設された流動制御部材と、
少なくとも、前記流動制御部材の一部、前記電極の前記絶縁基板との接合面と前記上面とを繋ぐ側面、および前記絶縁基板の一部を被覆するように設けられた絶縁樹脂とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁基板の他方の主面に配設された下部電極と、前記下部電極とはんだを介して接合されたベース板と、前記絶縁基板を囲むように前記ベース板上に設けられたケースと、前記ケース内に前記半導体素子を覆うように設けられた封止材と、を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材は、対向する上面と下面、およびそれらを繋ぐ側面を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材の前記側面は、前記電極の前記側面と段差なく連続した面となるように配置され、前記絶縁樹脂に被覆されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材の前記側面は、前記電極の前記側面よりも前記電極の内側に配置され、前記流動制御部材の前記側面と前記電極の前記側面の間の段差部である前記電極の前記上面は、前記絶縁樹脂に被覆されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材の前記側面は、前記電極の前記側面よりも前記電極の外側に配置され、前記流動制御部材の前記側面と前記電極の前記側面の間の段差部である前記流動制御部材の前記下面は、前記絶縁樹脂に被覆されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材の前記側面と前記下面の間の下側角部は、鈍角あるいは曲面を含む形状であり、前記絶縁樹脂に被覆されていることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材の前記上面と前記側面の間の上側角部は、鈍角あるいは曲面を含む形状であり、前記絶縁樹脂に被覆されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記電極の前記上面と前記流動制御部材との間に、樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材は絶縁物であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材は、前記絶縁樹脂の硬化物であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。
- 前記流動制御部材は導電物であることを特徴とする請求項8記載の半導体装置。
- 前記絶縁基板は、前記電極の端部と前記絶縁基板の外周端部との間の領域である沿面を前記絶縁樹脂に被覆されていることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 絶縁基板の一方の主面に接合された電極の上面端部に沿って流動制御部材を設置する流動制御部材設置工程、
前記流動制御部材設置工程の後、少なくとも、前記流動制御部材の一部、前記電極の前記絶縁基板との接合面と上面とを繋ぐ側面、および前記絶縁基板の一部を被覆するように、液状の絶縁樹脂を塗布する液状樹脂塗布工程、
前記液状樹脂塗布工程の後、前記液状の絶縁樹脂を硬化させる液状樹脂硬化工程を含み、前記液状樹脂塗布工程において、前記流動制御部材は、塗布された前記液状の絶縁樹脂が前記電極の前記上面と前記側面の間の上側角部に留まるように、前記液状の絶縁樹脂の流動を抑制することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記流動制御部材設置工程において、前記流動制御部材を設置する前に、少なくとも前記電極の前記上面端部に樹脂層を形成し、前記電極の前記上面端部に前記樹脂層を介して前記流動制御部材を設置することを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製造方法。
- 前記流動制御部材設置工程において、前記流動制御部材として、対向する上面と下面、およびそれらを繋ぐ側面を有すると共に前記上面と前記側面の間の上側角部が鈍角あるいは曲面を含む形状であり、且つ、前記上側角部および前記側面を予め前記絶縁樹脂で被覆された導電物を用いることを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製造方法。
- 前記流動制御部材設置工程において、前記流動制御部材として未硬化状態の樹脂を用い、前記電極の前記上面端部の外周形状に合わせて前記未硬化状態の樹脂を塗布した後、前記未硬化状態の樹脂を硬化させることを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製造方法。
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JP2016131289A JP2018006569A (ja) | 2016-07-01 | 2016-07-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
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2016
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