JP6101507B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
半導体装置の構成の一例
まず、図8を参照して、後述する本発明の一実施形態における製造方法が適用された半導体装置の構成について説明する。なお、以下においては、半導体装置の一例として、特に高耐圧が要求されるパワー半導体モジュールの場合について説明する。
[1]事前工程(1次脱泡):注入前のゲルの減圧脱泡を行う(数分〜3時間)。
[2]第1工程(注型工程):微小リークさせながらゲルを注入する。
[3]第2工程(脱泡工程):再度減圧した後、大気圧までパージする。
[4]第3工程(硬化工程):恒温槽で100℃程度で1時間加熱する。
<第1工程>
以下、図1を参照して、本実施形態における半導体装置(パワー半導体モジュール)の製造方法のうち、第1工程(注型工程)について説明する。
<第2工程>
以下、図2を参照して、本実施形態における半導体装置(パワー半導体モジュール)の製造方法のうち、第2工程(脱泡工程)について説明する。
<第3工程>
以下、図3を参照して、本実施形態における半導体装置(パワー半導体モジュール)の製造方法のうち、第3工程(硬化工程)について説明する。
半導体装置の他の構成例
以下、図10ないし図17を参照して、本実施形態の製造方法が適用される半導体装置(パワー半導体モジュール)の他の構成例について説明する。
2 スイッチ
3 封止材
3’ 封止材(硬化後)
4 気泡
5 真空チャンバ
6 加熱炉
7 加圧ガス
8 エポキシ樹脂
9 パワー半導体モジュール(半導体装置)
51 真空ポンプ(ロータリーポンプ)
52 ガスボンベ
53、54 減圧弁
55 流量計
56、57、61、62 配線導入端子
90 金属ベース(銅ベース)
91 下部電極パターン
92 絶縁基板(セラミック基板)
93 上部電極パターン
94 パワー半導体素子
95 ボンディングワイヤ
96 ケース(パッケージ)
96a 上蓋
97 外部導出端子
98 フィン
99 ベースカバー
950 ピン
951 銅ピン
952 パワー基板
TP1 3重点
Claims (7)
- 表面に電極パターンが設けられた絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に実装される半導体素子と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくとも前記絶縁基板の表面および前記半導体素子を封止材により封止する封止工程において、前記絶縁基板と前記電極パターンとの界面に残存する前記封止材中の気泡が除去されるように、前記電極パターンに前記気泡の比誘電率よりも高い比誘電率を有する前記封止材を引き寄せるための電界を印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記封止工程のうち、前記封止材を注型する注型工程において、前記電極パターンに前記封止材を引き寄せるための電界を印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記封止工程のうち、注型された前記封止材中の気泡を除去する脱泡工程において、前記電極パターンに前記封止材を引き寄せるための電界を印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記脱泡工程は、減圧脱泡を行って、注型された前記封止材中の気泡を除去する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記封止工程のうち、注型された前記封止材を硬化させる硬化工程において、前記電極パターンに前記封止材を引き寄せるための電界を印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記硬化工程は、恒温槽で100℃程度で加熱して、注型された前記封止材を硬化させる工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし請求項6の何れかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記封止工程において、前記電極パターンに前記半導体素子の耐圧を上限とする電圧を印加して、前記封止材を引き寄せるための電界を印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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