JP6167535B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 206
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 211
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 16
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 34
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 19
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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Description
実施の形態にかかる半導体装置の構成について、炭化珪素(SiC)からなるSiC半導体素子を備えたSiC半導体装置を例に説明する。図1は、実施の形態にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、SiC半導体装置10は、絶縁基板(第1基板)1、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)やMOSFET(絶縁ゲート型電界効果トランジスタ)などのSiC半導体素子を有する半導体チップ6、インプラントピン8などの導電性ポストを有するインプラント方式のプリント基板(第2基板)9、および外部電極用端子11,12を備える。絶縁基板1は、絶縁層2の両面にそれぞれ例えば略直方体状の第1,2銅ブロック3,4が接合されてなる。
2 絶縁層
3 第1銅ブロック
4 第2銅ブロック
4a 第2銅ブロックの表面
5,7 導電接合層
6 半導体チップ
8 インプラントピン
9 プリント基板
10 SiC半導体装置
11,12 外部電極用端子
11a 外部電極用端子の第1銅ブロックとの接合端部に対して反対側の端部
12a 外部電極用端子のプリント基板との接合端部に対して反対側の端部
21 第1封止材
22 第2封止材
23 第3封止材
24 取付け金具
Claims (13)
- 半導体チップの裏面に接合された第1基板と、
前記半導体チップのおもて面に接合された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に封入され前記半導体チップを封止する第1封止材と、
第2封止材によって前記第1基板、前記第2基板および前記第1封止材を封止してなる成形体と、
前記成形体の表面を覆う第3封止材と、
を備え、
前記第1封止材は、前記半導体チップの発熱に耐え得る耐熱性を有し、
前記第2封止材は、前記第1封止材および前記第3封止材よりも耐熱性が低く、
前記第3封止材は、耐酸化性を有し、300℃以上の耐熱性を有し、ポリパラキシリレンからなることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1基板の前記半導体チップ側に対して反対側の面は前記成形体の表面に露出されており、
前記第3封止材は、前記成形体の、前記第1基板の前記半導体チップ側に対して反対側の面以外の表面を覆うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップに電気的に接続される外部電極用端子をさらに備え、
前記外部電極用端子の外部接続される側の端部は露出されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1封止材の熱変形温度は200℃以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1封止材の前記第1基板に対する接着強さは10MPa以上30MPa以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1封止材の熱膨張係数は10×10 -6 /℃以上18×10 -6 /℃以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1封止材は、エポキシ樹脂系材料からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第2封止材の熱変形温度が100℃以上200℃以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第2封止材の熱膨張係数が10×10 -6 /℃以上18×10 -6 /℃以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第2封止材の前記第1基板に対する接着強さは10MPa以上30MPa以下であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第2封止材は、エポキシ樹脂系材料からなることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 半導体チップの裏面を第1基板に接合する第1接合工程と、
前記第1基板の前記半導体チップ側の面に対向するように第2基板を配置し、前記第2基板に前記半導体チップのおもて面を接合する第2接合工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間に第1封止材を封入し、前記第1封止材によって前記半導体チップを封止する第1封止工程と、
第2封止材によって前記第1基板、前記第2基板および前記第1封止材を封止してなる成形体を形成する第2封止工程と、
第3封止材によって前記成形体を覆う第3封止工程と、
を含み、
前記第1封止材は、前記半導体チップの発熱に耐え得る耐熱性を有し、
前記第2封止材は、前記第1封止材および前記第3封止材よりも耐熱性が低く、
前記第3封止材は、耐酸化性を有し、300℃以上の耐熱性を有し、ポリパラキシリレンからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2封止工程では、前記第1基板の前記半導体チップ側に対して反対側の面が露出されるように前記成形体を形成し、
前記第3封止工程では、前記第1基板の前記半導体チップ側に対して反対側の面以外の前記成形体の表面を前記第3封止材によって覆うことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013016137A JP6167535B2 (ja) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013016137A JP6167535B2 (ja) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014146774A JP2014146774A (ja) | 2014-08-14 |
JP6167535B2 true JP6167535B2 (ja) | 2017-07-26 |
Family
ID=51426765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013016137A Active JP6167535B2 (ja) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6167535B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015037349A1 (ja) | 2013-09-13 | 2015-03-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6655436B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-02-26 | アルプスアルパイン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2019054296A (ja) * | 2019-01-10 | 2019-04-04 | 京セラ株式会社 | パワー半導体モジュール |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04365360A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Sony Corp | 半導体装置、その製造方法及びその製造に用いる半導体装置載置トレー |
JP2000077603A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5072948B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2012-11-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5857464B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2016-02-10 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 |
-
2013
- 2013-01-30 JP JP2013016137A patent/JP6167535B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014146774A (ja) | 2014-08-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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