TWI522015B - 印刷電路板及其製造方法 - Google Patents

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南明和
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Description

印刷電路板及其製造方法
本發明係主張關於2010年07月08日申請之韓國專利案號10-2010-0065775、以及2010年12月24日申請之韓國專利案號10-2010-0134482之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種印刷電路板及其製造方法。
印刷電路板(printed circuit board，PCB)代表一種安裝電子零件前的基板。在此種印刷電路板中，電路線圖案藉由使用如銅的導電材料而印製在一絕緣板上。亦即，印刷電路板代表一種電路板，其每一元件的安裝位置已設定，且將該些元件彼此連接的一電路圖案印製且固定在該平板的表面上，以密集安裝各類電子裝置在該平板上。
特別是，多層印刷電路板(multi-layer PCB，MLB)可用於內建在近年來需要高度整合及小型化的手機、攝影機、筆記型電腦等等。多層印刷電路板藉由逐一增加印刷電路板而製成。在增加的過程中，可製造該基板且逐一評估以改善該多層印刷電路板的良率(yield)。同時，該些層可藉使用導線而精確的彼此連接以實現小尺寸的印刷電路板。以下，嵌入在多層印刷電路板的印刷電路板將以內層印刷電路板稱之。
舉例而言，在印刷電路板包括10層的例子中，可提供8個內層印刷電路板。
同時，一絕緣層可設置在該些多層印刷電路板之間。在該絕緣層的一表面上設置一電路圖案金屬部、一貫孔金屬部連接至該內層印刷電路板、以及一墊片金屬部設置在該貫孔金屬部上。使用雷射進行凹槽製程(trench process)作為形成雕刻圖案(亦即，電路圖案、貫孔、和墊片部)的製程，其中該金屬部、貫孔金屬部、以及墊片金屬部設置在該絕緣層上。
然而，根據相關技術在使用雷射的製程中，需要至少二次或更多次的雷射製程。舉例而言，當該電路圖案和該墊片部設置在多層印刷電路板內部時，可進行一準分子雷射(excimer laser)製程。同時，為形成一貫孔，應額外進行一次或更多次二氧化碳雷射或準分子雷射製程。因此，需要二項或更多項昂貴的雷射裝置，且亦增加了製程的次數。因此，降低了產量和品質。
本發明實施例提供印刷電路板的製造方法，其中二次或更多次的雷射製程將可減少為一次雷射製程以改善生產量和品質，以及提供由上述製程所製成的印刷電路板。
在一實施例中，印刷電路板的製造方法包括：疊層一第二絕緣層於一第一絕緣層上，而一內層設置在其表面以填充該內層；使用一多段式調整光罩(multi tone mask)形成一電路圖案和一開口，其中該內層透過該開口而暴露出在該第二絕緣層的一表面；以及在該電路圖案和該開口形成一導電材料。
在另一實施例中，一印刷電路板包括：一絕緣板；一基底電路圖案圖案化在該絕緣板上；一絕緣層，在該絕緣層中複數個電路圖案凹槽、每一凹槽在剖面上具有一彎曲形、以及暴露出該基底電路圖案的一貫孔界定在該絕緣層的表面，該絕緣層掩蓋在該絕緣板上的該基底電路圖案；複數個埋藏式電路圖案(buried circuit patterns)填充在該絕緣層的電路圖案凹槽且每一埋藏式電路圖案在剖面上具有一彎曲形；以及一導電孔填充該貫孔。
以下將伴隨附圖和解說敘述本發明一或多個實施例的細節。從解說和附圖、以及申請專利範圍中，其它特色將顯而易見。
以下將參照附圖、以具有與本發明相關的一般技術之個人都可實踐本發明技術觀念的方式更完整敘述本發明示範實施例；然而，本發明可以多種不同形式實施且不應被理解為受限於所闡述的實施例。
在本說明書中，當描述一包含(或包括或具有)某些元件時，應理解其可包含(或包括或具有)只有該些元件，或者如果沒有特定限制，其可包含(或包括或具有)其它元件及該些元件。
在附圖中，為求清晰將省略任何對本發明不必要的描述，而且為了清楚繪示層和區域將放大其厚度。圖形中相同的參考號碼表示相同的元件，因此將省略其敘述。
在本說明書中，必須說明當指明一層、膜、區域、或是一基板是「在」另一個基板、薄膜、區域、或基板之上，則其可以是直接在這另一個層、區域或基板上，或者亦可呈現中間的層、薄膜、區域、或基板。反之，亦必須說明，當指明一層、膜、區域、或是一基板是「直接在」另一個之上，則可能不會呈現該些中間的層、膜、區域、以及基板。
圖1為繪示根據實施例印刷電路板製造方法之過程的剖視圖。
參閱圖1，一第二絕緣層130堆疊或壓合在第一絕緣層110上(步驟S1)。一內層120形成在該第一絕緣層110上。內層120包括一內層線路及/或一內墊。堆疊或壓合第二絕緣層]30以填充內層120。在該堆疊或壓合中，第一絕緣層110或第二絕緣層130可以片狀(sheet shape)堆疊，且接著以衝壓機(press)熱加壓或使用一真空壓模機(vacuum laminator)疊層且接著固化(cured)。必要時，可透過上述製程進一步疊層第三和第四絕緣層(未顯示)。在此，每一絕緣層110、130可由熱固性(thermosetting)或熱塑性(thermoplastic)的高分子化合物材料、陶瓷材料、有機/無機複合材料、以及玻璃纖維浸漬材料(impregnated material)的之一者所形成。
之後，使用一多段式調整光罩50而同時形成一電路圖案30和一開口20在第二絕緣層130的一表面上(步驟S2)。多段式調整光罩50為一種雷射光或能量可由二種或更多段式(tone)所控制的光罩。多段式調整光罩50包括二個或更多的透光部，其除了擋光部之外彼此具有不同的透光性。
同時，一準分子雷射從多段式調整光罩50的上方照射以同時處理第二絕緣層130的表面、電路圖案30、以及開口20。在此，開口20由一貫孔70和一墊部40所構成。詳細而言，開口20由往上連接至內層120的貫孔70和形成在開口20入口(inlet)且具有一寬度大於貫孔70寬度的墊部40所構成。同時，多段式調整光罩50形成在一透明底基板50a上且包括複數個透光部50b彼此具有不同的透光性以對應形成在第二絕緣層130的電路圖案30、貫孔70、和墊部40的位置。
透明底基板50a可由石英或玻璃所形成。透光部可由鉻(Cr)和氧化鉻(CrxOy)中之一者、或其組合所形成。可調整透光部50b的厚度以調整透光度。如上所述，形成彼此具有不同圖案透光度(pattern transmittance)的電路圖案30、貫孔70、和墊部40所在的多段式調整光罩50可安裝在一雷射製程設備上。接著該準分子雷射可透過多段式調整光罩50而照射至第二絕緣層130。在此，XeCl(308 nm)、KrF(248 nm)、ArF(193 nm)中的一者可作為該準分子雷射的光源。
特別是，使用該準分子雷射而形成在第二絕緣層130的每一雕刻圖案(engraved pattern)，亦即電路圖案30、貫孔70、和墊部40，可有一特定寬度和深度。舉例而言，電路圖案30可具有雕刻寬度約3 μm至約25 μm以及一雕刻深度約3 μm至約25 μm。同時，貫孔70可具有一雕刻直徑約30 μm至約80 μm或更少以及一雕刻深度約20 μm至100μm或更少。同時，墊部40可具有一雕刻直徑約30 μm至約200 μm以及一雕刻深度約1 μm至20 μm或更少。
如此一來，該雷射製程在彼此不同的深度進行以同時形成電路圖案30、貫孔70、和墊部40在第二絕緣層130中。如上所述，使用該多段式調整光罩50只需執行一次的雷射製程就可實現所需的雕刻圖案。
之後，進行除膠渣製程(desmear process)(步驟S3)。因為在一絕緣層內的樹脂，由於當執行一孔洞加工(hole processing)時，由於轉動的鑽頭和內壁之間的磨擦產生的熱而導致樹脂熔化。該除膠渣製程為一種化學性移除膠渣的製程，來用防止內部的印刷電路板因黏著而附著至孔洞的內壁。在此製程中，進行雷射蝕刻製程之後移除膠渣。同時，一粗糙結構可形成在第二絕緣層130的表面以改善當電鍍一金屬時的附著力。同時，該除膠渣製程可以三個階段進行。舉例而言，可依序進行膨脹劑(sweller)階段、高錳酸鹽(permanganate)階段、中和劑階段。
接著，一導電材料形成在電路圖案30和開口20中。特別是，這製程包括步驟S4製程以將該金屬電鍍在或將一導電材料填入電路圖案30和開口20，以及步驟5製程，蝕刻或拋光第二絕緣層130的頂部表面以在電路圖案30和開口20中形成的該導電材料均勻形成一表面以及均勻的形成第二絕緣層130的表面。
特別是在步驟S4製程中，可使用電鍍該金屬的步驟S4-1製程或可使用填充該導電材料的步驟S4-2製程。同時，該電鍍製程可包括步驟S4-1-1製程以使用化學銅(electroless copper)電鍍而形成一種子層170在第二絕緣層130的整個表面上，以及步驟S4-1-2製程以進行電鍍銅(electro copper)電鍍在導電種子層170上以形成一電鍍銅電鍍層180。
在步驟S4-1-1的製程中，導電種子層170可使用無電(化學)電鍍而形成。進行該製程可使用活化劑萃取(catalyst extraction)製程包括清洗處理(cleanet process)、軟蝕刻處理、預活化劑處理(precatalyst process)、活化劑處理製程、加速劑處理、化學銅電鍍處理、以及預防氧化處理製程。
同時，電路圖案30、貫孔70、和墊部40可使用無電電鍍同時形成而無需進行形成電鍍銅電鍍層的製程。
或者，形成化學銅電鍍層的製程，亦即導電種子層170，可使用濺鍍處理(sputtering process)而進行，該濺鍍處理為由電漿所產生氣體的離子粒子(ion particle)(例如Ar+)與一銅靶材(copper target)碰撞以形成一金屬層在該基板上。同時，導電種子層170可使用無電電鍍或濺鍍製程由銅所形成。或者，導電種子層170可由鎳-鈀(Ni-Pd)合金或鎳-鉻(Ni-Cr)合金使用無電電鍍或濺鍍製程而形成。同時，在步驟S4-1-2的製程中，可使用電鍍製程填充電路圖案30、貫孔70、和墊部40的全部表面。同時，在形成電鍍銅電鍍層180的製程中，第二絕緣層130可浸入一銅電鍍箱，且接著使用一DC整流器而進行電鍍銅電鍍製程。在電鍍銅電鍍製程中，可計算被電鍍的區域以施加適當的電流至該DC整流器，藉此萃取銅。
同時，在步驟S4-2的製程中，可進行填充導電漿料190的製程。在該製程中，必需進行步驟S4-1-1的製程以形成導電種子層170。導電漿料190可具有一基本組合物包括一導電金屬粉末、黏合劑樹脂(binder resin)、以及一溶劑。可使用具有次微米或奈米尺寸的一個或多個銀(Ag)和銅(Cu)作為導電金屬粉末。同時，可使用熱固性、熱塑性、或紫外光的固化樹脂作為該黏合劑樹脂。
在步驟S5的製程中，可蝕刻或拋光包括導電種子層170和電鍍銅電鍍層180或導電漿料190鍍銅層(copper plating layer)的表面，直至第二絕緣層130的表面暴露出以移除不必要的鍍銅層。因此，該鍍銅層可只填進電路圖案30、貫孔70、以及墊部40。在此，可使用閃蝕(flash etching)和表面拋光製程之一者而進行蝕刻或拋光的製程。特別是，最好進行閃蝕。當要被移除的電鍍層較厚，必要時，可在進行閃蝕製程之後額外進行半蝕刻製程。
如此一來，內部線路和內層120填進最後製成的印刷電路板的第二絕緣層130。同時，電路圖案金屬部240形成在第二絕緣層130的表面上。同時，內層120和形成在第二絕緣層130表面的一墊片金屬部透過一貫孔金屬部270而彼此電性連接。
以下，參照圖2至圖10將描述根據另一實施例的印刷電路板。
圖2為根據另一實施例印刷電路板的剖視圖。
參閱圖2，根據另一實施例的印刷電路板100包括一第一絕緣板110、一第一電路圖案120設置在該第一絕緣板110上、一絕緣層130、以及複數個第二電路圖案150。
第一絕緣板110可以為一熱固性(thermosetting)或熱塑性(thermoplastic)的高分子化合物基板、陶瓷基板、有機/無機複合基板、或一玻璃纖維浸漬基板。當第一絕緣板110由該高分子化合物樹脂所形成時，第一絕緣板110可由一環氧基絕緣樹脂所形成。或者，第一絕緣板110可由一聚亞胺基樹脂(polyimide-based resin)所形成。
複數個第一電路圖案120可設置在第一絕緣板110上作為一基本電路圖案。
第一電路圖案120可由具有高導電性和低電阻的材料所形成。舉例而言，一薄銅層的銅膜可圖案化為一導電層。當第一電路圖案120由該銅膜所形成且第一絕緣板110由該樹脂所形成時，第一電路圖案120和第一絕緣板110可為一般的銅箔基板(copper clad laminate，CCL)。
第一電路圖案120可填入至第一絕緣板110以形成一絕緣層130。
可提供複數個絕緣層130。每一絕緣層130可由一高分子化合物樹脂所形成。
絕緣層130具有一貫孔135，第一電路圖案120透過該貫孔而暴露出，以及一電路圖案凹槽131以形成複數個第二電路圖案150。
在此，電路圖案凹槽131剖面上具有一彎曲形狀。亦即，電路圖案凹槽131剖面上可具有一U形狀。
電路圖案凹槽131可具有一圖案寬度約3 μm至約25 μm以及一圖案深度約3 μm至25 μm。該貫孔可具有一雕刻直徑約80 μm或更少以及一深度約100 μm或更少。
一金屬層140可沿著電路圖案凹槽131之U形狀而設置在每一貫孔135和絕緣層130的電路圖案凹槽131之內。
金屬層140可作為一種子層。金屬層140可由銅、鎳、或其合金所形成。
用來填充每一電路圖案凹槽131和貫孔135以及一貫孔151的第二電路圖案150可界定在該金屬層140中。
第二電路圖案150和貫孔151可同時形成。每一第二電路圖案150和貫孔151可由鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、和鈀(Pd)中的至少一者所形成。使用該金屬層為一種子層而進行一電鍍製程以形成第二電路圖案150和貫孔151。
在圖2的印刷電路板100的情況中，絕緣層130的電路圖案凹槽131具有一彎曲形狀。因此，具有彎曲形狀的電路圖案凹槽131可以一金屬填充以形成第二電路圖案150。
如上所述，第二電路圖案150係形成為彎曲狀而未形成有一邊緣以防止電阻被集中至該邊緣。因此，可防止訊號雜訊的發生以及可減少在邊緣產生熱。
以下，參照圖3至圖10將描述圖2的印刷電路板100之製造方法。
圖3為解釋圖2印刷電路板的製造方法之流程圖。圖4至10為繪示根據實施例的印刷電路板製造方法之剖視圖。
當一製程起始於在步驟S10時，一第一電路圖案120形成在圖4的第一絕緣板110中。
具有銅箔基板結構的一銅層可沿著第一電路圖案120的輪廓而蝕刻以形成第一絕緣板110和第一電路圖案120的結構。或者，一銅層可疊層在一陶瓷基板上且接著蝕刻以形成第一絕緣板110和第一電路圖案120的結構。
在此，第一電路圖案120可包括一圖案透過圖2的貫孔135而連接至第二電路圖案150。
在步驟S20中，絕緣層130可形成在絕緣板110上以掩蓋第一電路圖案120以準備一絕緣基板。
絕緣層130可由一熱固性樹脂所形成。同時，一未完全固化的半熱固性樹脂可以一預定的厚度塗佈在絕緣板110上以施加熱和壓力，藉此固化該半熱固性樹脂。如此一來，絕緣層130可形成，且可具有一多層結構。
如圖5所示，在步驟S30中，用來露出第一電路圖案120的一貫孔135和一電路圖案凹槽131可同時形成在絕緣層130中。
為形成貫孔135和電路圖案凹槽131的製程可藉由使用一灰階光罩(graytone mask)來照射準分子雷射。
該準分子雷射可包括一KrF準分子層(KrF，質心波長(centroid wavelength)約248 nm)或一ArF準分子層(ArF，質心波長約193 nm)。
參閱圖6，將詳述灰階光罩200。灰階光罩200可具有一第一區210以形成貫孔135的外圍以及電路圖案凹槽131在一玻璃基板中、一第二區220以形成貫孔135的一中央區、以及一第三區230界定在未蝕刻的一區。
灰階光罩200可包括由如鉻的材料所形成的光罩圖案且具有第一至第三區210、220、230。
鉻可形成在整個第三區230而準分子雷射無法再穿過該第三區230，因此而未形成一凹槽。在界定貫孔135中央區的第二區220中，不再形成鉻光罩圖案，因此準分子雷射可通過。灰階光罩圖案可形成在第一區210中。亦即，細微的圖案可形成在第一區210以形成部份露出的區域，因此僅部份的該準分子層可被選擇性照射。
亦即，如圖5所示，每個細微圖案可具有一薄的厚度，且該些細微圖案以梳子狀彼此分隔在第一區210中。如圖6A所示，具有梳子狀的光罩圖案可相對於第一區210a而垂直設置。或者，如圖6B所示，該光罩圖案可相對於第一區210b而水平設置。
如圖6C所示，在界定貫孔135外圍的第一區210的光罩圖案中，具有複數個環狀的細微圖案可以沿著貫孔135的外表、以同心圓的形狀形成。
如上所述，可形成灰階光罩200的細微圖案以部份散射(scatter)或反射雷射光。因此，照射至絕緣層130的光能量可不同於貫孔135區域的光能量。據此，貫孔135和電路圖案凹槽131可具有彼此不同的深度。
圖6的光罩200和由準分子雷射同時形成的貫孔135及電路圖案凹槽131可具有與圖5中的貫孔及電路圖案凹槽相同的形狀。
亦即，貫孔135可具有一側表面相對於第一絕緣板110的一平面傾斜一預定角度。另一方面，貫孔135可具有一側表面垂直於第一絕緣板110的該平面。
在此，貫孔135的一外圍可有一深度等於電路圖案凹槽131的深度。
如圖5所示，由於使用灰階光罩200的該準分子層被照射一次以同時形成電路圖案凹槽131和貫孔135，因此可減少製程的次數和製造成本。
雖然貫孔135的外圍與圖5中的電路圖案凹槽131具有相同的深度，根據實施例的電路圖案凹槽131和貫孔135的外圍可具有彼此不同的深度。電路圖案凹槽131的深度和貫孔135的深度可根據灰階的濃度(concentration)，亦即空穴的強度(intensity of the tomb)，來控制。
如圖5所示，當電路圖案凹槽131藉由灰階光罩200使用準分子雷射而形成時，電路圖案凹槽131可具有一邊緣在剖面上具有梯形或長方形。
如圖7所示，在步驟S40中，具有絕緣層130邊緣的電路圖案凹槽131可加工且變形為一彎曲形狀。
亦即，可膨脹帶著邊緣的電路圖案凹槽131之絕緣層130以使用高錳酸鹽(permanganate)來移除膨脹的絕緣層130。接著，為中和絕緣層130的表面可進行一濕蝕刻製程至電路圖案凹槽131的邊緣以形成具有彎曲形狀的電路圖案凹槽131。
或者，可在低真空狀態下執行使用電漿的一乾電漿製程以移除電路圖案凹槽131的邊緣。
如上所述，當電路圖案凹槽131的邊緣移除時，一粗糙結構可形成在絕緣層130的表面上。
接著，如圖8所示，在步驟S50中，一金屬層140形成在該絕緣層上。
進行一無電電鍍製程以形成金屬層140。
可藉由依序進行一清洗處理(cleanet process)、軟蝕刻處理、預活化劑處理(precatalyst process)、活化劑處理製程、加速劑處理、化學銅電鍍處理、以及預防氧化處理製程而進行無電電鍍製程。同時，使用電漿濺鍍金屬粒子以形成金屬層140。
金屬層140可由銅(Cu)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉻(Cr)、或其合金所形成。
在步驟S60中，可使用金屬層140為一種子層而進行一電鍍製程在一導電材料上以形成電鍍層155。
電鍍層155可完全填充在電路圖案凹槽131和貫孔135。同時，該電鍍層的最上面可具有一致的高度。
在此，電鍍層155可由具有高導電性的銅所形成。
如圖10所示，可蝕刻掉不必要的電鍍層155和金屬層140。亦即，蝕刻電鍍層155和金屬層140直至絕緣層130的表面暴露出，電鍍層155因此只存留在電路圖案凹槽131和貫孔135內以形成第二電路圖案150和貫孔151。
在此，為暴露出絕緣層130表面的製程可選擇性地使用--閃蝕製程或一表面拋光製程。當電鍍層155具有一較厚的厚度時，可在進行半蝕刻製程之後進行一閃蝕製程。
如上所述，可進行該蝕刻製程至絕緣層130暴露出形成僅在電路圖案凹槽131和貫孔135內的電鍍層155，藉此形成第二電路圖案150和貫孔151。因此，第二電路圖案150可被絕緣。
同時，由於使用準分子雷射同時形成電路圖案凹槽131和貫孔135，因此可降低製造成本。
不同於圖4至圖10，在步驟S80中，可形成具有彎曲形狀的電路圖案凹槽和貫孔135，且接著導電漿料190可填充在電路圖案凹槽155和貫孔135之內，藉此形成圖11的第二電路圖案150和貫孔151。
在此，導電漿料155可含有一導電性金屬粉末、黏合劑樹脂、以及一溶劑。該導電金屬粉末可含有具有次微米或奈米尺寸的銀或銅。同時，可使用熱固性、熱塑性、或紫外光的固化樹脂作為該黏合劑樹脂。
亦即，雖然進行與圖4至圖7相同的製程，如圖12所示，導電漿料155可填入電路圖案凹槽131並施加熱或紫外光，藉此形成第二電路圖案150。接著，在步驟S90中，結束製造過程。在此，圖2的金屬層140可為不必要的。
如上所述，電路圖案凹槽131具有彎曲的形狀，且該電路圖案形成在電路圖案凹槽131成為埋藏式細微圖案(buried-type fine patterns)。因此，可防止在邊緣產生的訊號雜訊以及熱。
根據實施例，只需執行一次的雷射製程以同時形成該電路圖案、貫孔、以及墊片部，藉此改善製程時間和線路缺陷。
同時，根據實施例，該電路圖案可埋藏在基板中且其剖面具有彎曲形狀。因此，可防止電阻被集中至邊緣以減少訊號雜訊。
同時，由於該邊緣未提供電路圖案，因此可減少在邊緣產生的熱以實現高製程速度和高整合度。
同時，由於電路圖案凹槽和貫孔為使用灰階光罩而同時形成而無需有形成貫孔151的單獨製程，因此可簡化製造製程且可降低製造成本。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技藝者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟習此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
20．．．開口
30．．．電路圖案
40．．．墊部
50．．．多段式調整光罩
50a．．．透明底基板
50b．．．透光部
70．．．貫孔
100．．．印刷電路板
110．．．第一絕緣層
120．．．內層/第一電路圖案
130．．．第二絕緣層
131．．．電路圖案凹槽
135．．．貫孔
140．．．金屬層
150．．．第二電路圖案
151．．．貫孔
155．．．電鍍層
170．．．導電性種子層
180．．．電銅電鍍層
190．．．導電漿料
200．．．灰階光罩
210、210a、210b．．．第一區
220．．．第二區
230．．．第三區
240．．．電路圖案金屬部
250．．．墊片金屬部
270．．．貫孔金屬部
S1~S5．．．步驟
S10~S90．．．步驟
圖1為繪示根據實施例印刷電路板製造方法之過程的剖視圖。
圖2為根據另一實施例印刷電路板的剖視圖。
圖3為解釋圖2印刷電路板的製造方法之流程圖。
圖4至圖10為繪示根據實施例的印刷電路板製造方法的範例之剖視圖。
圖11和圖12為繪示根據另一實施例的印刷電路板及其製造方法的剖視圖。
20．．．開口
30．．．電路圖案
40．．．墊部
50．．．多段式調整光罩/墊部
50a．．．透明底基板
50b．．．透光部
70．．．貫孔
110．．．第一絕緣層
120．．．內層
130．．．第二絕緣層
170．．．導電性種子層
190．．．導電漿料
240．．．電路圖案金屬部份
250．．．墊片金屬部
270．．．貫孔金屬部份
S1~S5．．．步驟

Claims (8)

  1. 一種印刷電路板的製造方法，該方法包括：準備一絕緣板；照射光到一多段式調整光罩(multi tone mask)或一灰階光罩(graytone mask)上至該絕緣板的每一表面，藉此同時形成具有一邊緣的一電路圖案凹槽和一貫孔；移除該電路圖案凹槽的該邊緣以形成剖面上具有一曲線形狀的該電路圖案凹槽；以及填充該電路圖案凹槽和該貫孔以形成一埋藏式電路圖案和該貫孔，其中該電路圖案凹槽和該貫孔的形成包括：形成一第一光罩圖案對應該貫孔、一第二光罩圖案對應該電路圖案凹槽、以及一第三光罩圖案設置在除了該第一光罩圖案和該第二光罩圖案區域之外的一區域；以及照射一雷射穿越該第一光罩圖案至該第三光罩圖案，其中該第一光罩圖案具有讓該雷射完全穿越之一孔洞區域，該第三光罩圖案具有阻擋該雷射穿越之一非穿透區域，以及該第二光罩圖案具有選擇性讓該雷射穿越之一低穿透區域，其中該貫孔具有一中央區域對應該孔洞區域和一外圍區域圍繞該中央區域，以及該第一光罩圖案更包括一外圍光罩圖案以選擇性讓該雷射在該孔洞區域周圍穿越，其中該外圍光罩圖案具有一精細圖案包含複數個環狀以同心圓狀圍繞在該孔洞區域的外部表面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該雷射為一準分子雷射。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之製造方法，其中使用XeCl、KrF、和ArF中之一者作為該準分子層的來源。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該多段式調整光罩包括：一透明底基板由石英或玻璃材料所形成；以及複數個光穿透部形成在該透明底基板上，該複數個光穿透部由一或多個鉻或氧化鉻的材料所形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該埋藏式電路圖案的形成包括：電鍍一第一金屬層在該電路圖案凹槽的一表面；電鍍該第一金屬層作為一種子層以形成一第二金屬層填充該電路圖案凹槽；以及蝕刻該第一金屬層和該第二金屬層除了該電路圖案凹槽之外以露出該絕緣基板的該表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該埋藏式電路圖案的形成包括：填充一導電性漿料至該電路圖案凹槽；以及烘乾該填充的導電性漿料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該絕緣基板的準備包括： 準備一絕緣板；圖案化在該絕緣板上的一銅膜層以形成一基底電路圖案；以及形成一絕緣層掩蓋在該絕緣板上的該基底電路圖案，其中該電路圖案凹槽形成在該絕緣層的一表面中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中在形成該絕緣層後，在該絕緣層上形成用以暴露出該基底電路圖案的該貫孔。
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