TWI483333B - 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5854668B2 (ja) * 2011-07-07 2016-02-09 芝浦メカトロニクス株式会社 気液混合流体生成装置、気液混合流体生成方法、処理装置及び処理方法
JP5996329B2 (ja) * 2012-08-20 2016-09-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および基板処理方法
TWI576938B (zh) 2012-08-17 2017-04-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6100487B2 (ja) * 2012-08-20 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6017262B2 (ja) 2012-10-25 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5951444B2 (ja) 2012-10-25 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20150122902A (ko) * 2014-04-23 2015-11-03 주식회사 제우스 기판 처리온도 모니터링장치와 기판 처리온도 모니터링방법
JP6329428B2 (ja) * 2014-05-09 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体
CN104183524A (zh) * 2014-08-27 2014-12-03 上海华力微电子有限公司 一种晶圆边缘的刻蚀装置
JP6392035B2 (ja) * 2014-09-02 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
WO2016121023A1 (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 三菱電機株式会社 周辺露光装置
CN106252258B (zh) 2015-06-15 2018-12-07 株式会社思可林集团 基板处理装置
JP6845696B2 (ja) * 2016-02-25 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板の製造方法
US10882141B2 (en) * 2016-03-10 2021-01-05 Mitsubishi Electric Corporation Substrate suction stage, substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
JP6784546B2 (ja) * 2016-09-08 2020-11-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10497667B2 (en) * 2017-09-26 2019-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for bond wave propagation control
CN109955420B (zh) * 2017-12-14 2021-05-18 奇景光电股份有限公司 模具分离装置及其分离方法
JP2021036061A (ja) * 2017-12-15 2021-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
US10612151B2 (en) 2018-02-28 2020-04-07 Lam Research Corporation Flow assisted dynamic seal for high-convection, continuous-rotation plating
JP7082514B2 (ja) * 2018-04-04 2022-06-08 株式会社Kelk 流体加熱装置
JP6813816B2 (ja) * 2018-04-05 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 接合システムおよび接合方法
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
JP7110053B2 (ja) * 2018-09-27 2022-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7242392B2 (ja) * 2019-04-16 2023-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP7390837B2 (ja) 2019-09-27 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN112670207B (zh) * 2020-12-21 2023-10-31 长江存储科技有限责任公司 晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法
JP7719651B2 (ja) * 2021-07-15 2025-08-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板処理システム、基板洗浄方法および基板処理方法
JP7778016B2 (ja) * 2022-03-23 2025-12-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2024044286A (ja) * 2022-09-21 2024-04-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6203622B1 (en) * 1995-09-01 2001-03-20 Asm America, Inc. Wafer support system
TW513751B (en) * 1998-11-30 2002-12-11 Applied Materials Inc Electro-chemical deposition system
JP2003115474A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Ebara Corp 基板処理装置及び方法
TW200804619A (en) * 2006-05-16 2008-01-16 Applied Materials Inc In situ cleaning of CVD system exhaust
TW200807522A (en) * 2006-07-07 2008-02-01 Accretech Usa Inc Wafer processing apparatus and method
JP2010028059A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Tokyo Electron Ltd 液処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3438658B2 (ja) * 1999-07-22 2003-08-18 ウシオ電機株式会社 ランプユニット及び光照射式加熱装置
JP2002064069A (ja) * 2000-08-17 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP3745214B2 (ja) 2000-09-27 2006-02-15 大日本スクリーン製造株式会社 ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法
JP3727602B2 (ja) * 2002-03-11 2005-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2009010144A (ja) 2007-06-27 2009-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4950786B2 (ja) * 2007-07-11 2012-06-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4943382B2 (ja) 2008-06-05 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP4943381B2 (ja) * 2008-06-05 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6203622B1 (en) * 1995-09-01 2001-03-20 Asm America, Inc. Wafer support system
TW513751B (en) * 1998-11-30 2002-12-11 Applied Materials Inc Electro-chemical deposition system
JP2003115474A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Ebara Corp 基板処理装置及び方法
TW200804619A (en) * 2006-05-16 2008-01-16 Applied Materials Inc In situ cleaning of CVD system exhaust
TW200807522A (en) * 2006-07-07 2008-02-01 Accretech Usa Inc Wafer processing apparatus and method
JP2010028059A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Tokyo Electron Ltd 液処理装置

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Publication number Publication date
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