CN117059526A - 基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的基板处理方法，其包括：基板保持工序，通过从基座的上表面向上方隔开间隔而水平地保持基板的基板夹具来保持基板；第一处理液供应工序，向被所述基板夹具保持的基板的上表面供应第一处理液；清洗液供应工序，向所述基座的上表面供应用于冲洗附着在所述基座上表面的第一处理液的清洗液，并且以使所述基座上的所述清洗液不与被所述基板夹具保持的基板的下表面相接触的方式，向所述基座的上表面供应所述清洗液；排除工序，从所述基座的上表面排除所述清洗液。

Description

基板处理方法
本申请是申请日为2017年9月15日、申请号为201710834416.7、发明名称为“基板处理方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理方法。在成为处理对象的基板中，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示用基板、FED(Field Emission Display；场致发射显示装置)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
例如在对基板一张一张地进行处理的单张式基板处理装置的基板处理中，通过向被保持销保持于旋转基座上方的基板供应药液等的处理液，来对基板进行处理。此时，供应到基板的药液的一部分从基板掉落并附着在旋转基座的上表面，由此有时会污染旋转基座。因此，需要清洗旋转基座。
作为清洗旋转基座的方法，从清洗便利性的观点出发，可以考虑在结束基板处理之后从保持销卸下基板，然后清洗旋转基座的方法。然而，在该清洗方法中，有时在清洗旋转基座之前，附着在旋转基座上面的药液干燥，由此在旋转基座的上面产生晶体等微粒(particle)。在该情况下，微粒在基板处理装置内浮游，并且在基板处理装置内浮游的微粒会附着在基板，从而存在基板会被污染的忧虑。
另外，作为清洗旋转基座的方法，还可以考虑在进行处理的过程中中断基板处理，并从保持销暂时卸下基板，在清洗基座之后再次将基板保持在保持销，然后重新开始进行基板处理的方法。然而，在该清洗方法中，在保持和卸下基板上会需要时间。因此，会存在由基板处理装置进行基板处理的装卸效率(每单位时间内的基板的处理张数)降低的忧虑。
于是，提出了如下方法：通过从设置于旋转基座的喷嘴向基板的下表面供应药液，来在基板保持于保持销的状态下对旋转基座的上表面进行清洗的方法。例如，在美国专利申请公开第2007/113872号说明书中记载的基板处理方法中，从在旋转基座的上表面的中心部开口的喷出口向基板的下表面和旋转基座的上表面之间供应清洗液。据此，形成清洗液的液膜，使得基板的下表面和旋转基座的上表面之间的间隙形成液体密封。通过该清洗液的液膜来对旋转基座的上表面实施冲洗处理。
发明内容
在美国专利申请公开第2007/113872号说明书中记载的基板处理方法中，在对旋转基座的上表面实施冲洗处理时，在旋转基座的上表面形成清洗液的液膜，并且使该液膜和基板的下表面相接触。这样，会存在附着于旋转基座的污垢经由清洗液而附着在基板的下表面(转印)的忧虑。
于是，本发明的一个目的在于提供一种基板处理方法，其能够抑制装卸效率的低下，并且能够抑制由基板夹具所保持的基板被污染的同时能够清洗基座。
本发明提供一种基板处理方法，包括：基板保持工序，通过从基座的上表面向上方隔开间隔而水平地保持基板的基板夹具来保持基板；第一处理液供应工序，向被所述基板夹具保持的基板的上表面供应第一处理液；清洗液供应工序，向所述基座的上表面供应用于冲洗附着在所述基座上表面的第一处理液的清洗液，并且以使所述基座上的所述清洗液不与被所述基板夹具保持的基板的下表面相接触的方式，向所述基座的上表面供应所述清洗液；以及排除工序，从所述基座的上表面排除所述清洗液。
根据该方法，将第一处理液供应到被基板夹具从基座的上表面向上方隔开间隔而水平保持的基板的上表面，由此对基板的上表面进行处理。即使第一处理液从基板的上表面掉落并附着于基座的上表面，通过向基座的上表面供应清洗液后从基座的上表面排除清洗液，来能够用清洗液对附着有第一处理液的基座的上表面进行冲洗。因此，能够在附着于基座的第一处理液干燥之前冲洗基座。因此，能够抑制微粒的产生。
另外，根据该方法，在使基板保持于基板夹具的状态下对基座的上表面进行清洗。因此，能够抑制因清洗基座而导致的基板处理的装卸效率的低下。当清洗基座的上表面时，以基座上的清洗液不与被基板夹具保持的基板的下表面相接触的方式向基座的上表面供应清洗液。因此，能够抑制附着于基座的污垢经由清洗液而附着于基板的下表面。
如上所述，能够抑制装卸效率的低下，并且能够抑制基板的污染的同时清洗基座。
在本发明一实施方式中，所述基板处理方法还包括：液膜形成工序，通过向所述基座的上表面供应所述清洗液，来在所述清洗也不与被所述基板夹具保持的基板的下表面相接触的情况下形成覆盖所述基座的上表面的所述清洗液的液膜。
根据该方法，通过向基座的上表面供应清洗液，来在基座的上表面形成清洗液的液膜。由于基座的上表面被该液膜覆盖，因此能够无遗漏地清洗基座的上表面。另外，根据该方法，液膜不与被基板夹具保持的基板的下表面相接触。因此，能够抑制附着于基座的污垢经由清洗液而附着于基板的下表面。因此，能够抑制基板的污染的同时能够充分地清洗基座。
在本发明一实施方式中，所述清洗液供应工序包括：以不使所述清洗液附着于被所述基板夹具保持的基板的下表面的暗示，向所述基座的上表面供应所述清洗液的工序。根据该方法，由于清洗液未附着于被基板夹具保持的基板的下表面，因此能够进一步抑制基板的下表面的污染。
在本发明一实施方式中，所述基板处理方法还包括：旋转工序，与所述第一处理液供应工序和所述清洗液供应工序并行地，使所述基板与所述基座一起以沿铅垂方向延伸的旋转轴线为中心进行旋转。而且，所述清洗液供应工序中的所述基板的旋转速度低于所述第一处理液供应工序中的所述基板的旋转速度。
根据该方法，在第一处理液供应工序中，由于基板以较高的速度进行旋转，因此能够用第一处理液对基板的上表面迅速地进行处理。
此处，在基座上表面的边缘附近的作用于清洗液的离心力，大于基座上表面的旋转轴线附近的作用于清洗液的离心力。因此，清洗液在基座上表面的边缘附近的移动速度，大于清洗液在基座上表面的旋转轴线附近的移动速度。因此，基座上表面的边缘附近的部分与基座上表面的旋转轴线附近的部分相比，更难以被清洗。
于是，在清洗液供应工序中，由于基座以较低的速度进行旋转，因此在清洗液到达基座上表面的边缘附近时，作用于基座上的清洗液的离心力会降低。因此，基座上的边缘附近的清洗液的移动速度会降低。从而，能够充分地清洗基座上表面的边缘。
因此，能够进一步抑制装卸效率的低下，并且能够进一步抑制基板的污染。
在本发明一实施方式中，所述清洗液供应工序包括：从露出于所述基座的上表面的喷嘴向所述基座的上表面供应所述清洗液的工序。
根据该方法，从露出于基座的上表面的喷嘴向基座的上表面供应清洗液。因此，无需从基座的外侧对准基座和基板之间供应清洗液。因此，能够较简单地清洗基座。因此，能够减少清洗基座所需的时间。据此，能够进一步抑制装卸效率的低下。
在本发明一实施方式中，所述基板处理方法还包括：第二处理液供应工序，在所述排除工序之后，向所述基板的上表面供应第二处理液，所述第二处理液通过与所述第一处理液供应工序中向所述基板上表面供应的第一处理液进行混合来形成盐。
根据该方法，在第一处理液与清洗液一起从基座被排除之后，向被基板夹具保持的基板的上表面供应第二处理液。因此，在向基板供应第二处理液时，第一处理液已从基座上被排除。因此，即使向基板的上表面供应的第二处理液的一部分附着于基座的上表面，也难以产生由基座上的第一处理液与第二处理液混合而形成的盐(微粒)。因此，对于在用第一处理液对基板的上表面进行处理之后用第二处理液对基板的上表面进行处理的方法而言，能够抑制基板的污染。
在本发明一实施方式中，所述第一处理液是酸性水溶液和碱性水溶液中的一种，所述第二处理液是酸性水溶液和碱性的水溶液中的另一种。
根据该方法，第一处理液是酸性水溶液和碱性水溶液中的一种，而第二处理液是酸性水溶液和碱性水溶液中的另一种。当酸性水溶液与碱性水溶液进行混合时，容易形成盐。因此，根据该方法，在向基板的上表面供应第二处理液之前，第一处理液已从基座被排除。因此，即使向基板上表面供应的第二处理液的一部分附着于基座的上表面，也能够抑制在基座上产生由酸性水溶液与碱性水溶液混合而形成的盐。
以下，通过参照附图进行描述的实施方式的说明，明确本发明中的上述或进一步的其它目的、特征及效果。
附图说明
图1是用于说明本发明一实施方式的基板处理装置的内部布局的图解俯视图。
图2是用于说明所述基板处理装置的处理单元的结构例的图解纵剖视图。
图3是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图4是用于说明所述基板处理装置的基板处理的一个例子的流程图。
图5是用于说明第一药液处理(图4的S3)的详细内容的图解剖视图。
图6是用于说明第一冲洗处理(图4的S4)的详细内容的图解剖视图。
图7是用于说明防护装置(guard)清洗(图4的S5)的详细内容的图解剖视图。
图8A至图8C是用于说明基座清洗(图4的S6)的详细内容的图解剖视图。
图9是用于说明第二药液处理(图4的S7)的详细内容的图解剖视图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明一实施方式的基板处理装置1的内部布局的图解俯视图。基板处理装置1是对硅片等的基板W一张一张地进行处理一张的单张式装置。在本实施方式中，基板W是圆形的基板。
基板处理装置1包括：多个处理单元2，其用于对基板W进行处理；多个装载口LP，其分别用于保持托板C，所述托板C用于容纳将在处理单元2中被处理的多张基板W；搬运机械手IR和CR，其在装载口LP和处理单元2之间搬运基板W；以及控制器3，其用于控制基板处理装置1。搬运机械手IR用于在托板C和搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR和处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有相同的结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的图解纵剖视图。
处理单元2包括旋转卡盘5和筒状排气桶6。旋转卡盘5以水平姿势保持一张基板W，同时使基板W以经过基板W中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心进行旋转。排气桶6包围旋转卡盘5。处理单元2还包括用于容纳排气桶6的腔室7(参照图1)。在腔室7形成有用于搬入和搬出基板W的搬入搬出口(未图示)。在腔室7具备用于开闭该搬入搬出口的闸门单元(未图示)。
旋转卡盘5包括于基板保持旋转单元，所述基板保持旋转单元用于使水平保持的基板W以旋转轴线A1为中心进行旋转。旋转卡盘5包括旋转基座21、多个卡盘销20、旋转轴22以及电动马达23。
旋转轴22结合于旋转基座21的下表面中央。旋转轴22与旋转基座21一体地可进行旋转。旋转轴22沿着旋转轴线A1在铅垂方向上延伸。在本实施方式中，旋转轴22是中空轴。旋转基座21具有沿水平方向的圆盘形状。在旋转基座21的上表面的边缘部，配置有沿圆周方向隔开间隔的多个卡盘销20。旋转基座21的上表面与被旋转卡盘5保持的基板W的下表面之间的间隔为10mm-11mm(优选为10.4mm)。
多个卡盘销20被旋转基座21支撑。多个卡盘销20从旋转基座21的上表面向上方隔开间隔而水平地保持基板W。多个卡盘销20在关闭状态和打开状态之间可进行开闭。多个卡盘销20在关闭状态下，与基板W的边缘端接触并把持基板W。多个卡盘销20在打开状态下，从基板W的边缘端退避。旋转基座21和卡盘销20包括在水平地保持基板W的基板保持单元中。多个卡盘销20包括在基板夹具，所述基板夹具从旋转基座21(基座)的上表面向上方隔开间隔而水平地保持基板W。
电动马达23向旋转轴22传递旋转力。通过电动马达23使旋转轴22进行旋转，来使基板W以旋转轴线A1为中心进行旋转。以下，将基板W的旋转半径方向内侧简称为“径向内侧”。另外，将基板W的旋转半径方向外侧简称为“径向外侧”。旋转轴22和电动马达23包括在基板旋转单元，所述基板旋转单元用于使基板W以旋转轴线A1为中心进行旋转。
处理单元2还包括下方冲洗液喷嘴9、上方第一冲洗液喷嘴10以及上方第二冲洗液喷嘴11。下方冲洗液喷嘴9设置于比基板W更靠下方的位置，用于将DIW等冲洗液向旋转基座21的上表面供应。上方第一冲洗液喷嘴10和上方第二冲洗液喷嘴11设置于比基板W更靠上方的位置，向基板W的上表面供应DIW等冲洗液。从这些喷嘴9-喷嘴11供应的冲洗液不限于DIW。从喷嘴9-喷嘴11供应的冲洗液也可以是碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如，10ppm至100ppm左右)的盐酸水、还原水(富氢水)等。
下方冲洗液喷嘴9插通于中空的旋转轴22。下方冲洗液喷嘴9在其上端具有从旋转基座21的上表面露出的喷出口9a。喷出口9a配置于俯视时与旋转轴线A1重叠的位置。喷出口9a的上端面和基板W的下面之间的距离为5mm-6mm(优选为5.4mm)。
在下方冲洗液喷嘴9结合有下方冲洗液供应管30。冲洗液从下方冲洗液供应源经由下方冲洗液供应管30而供应到下方冲洗液喷嘴9。在下方冲洗液供应管30插入安装有：下方冲洗液阀40，其用于开闭下方冲洗液供应管30内的流路；下方冲洗液流量调节阀45，其用于调节从下方冲洗液喷嘴9向旋转基座21的上表面供应的冲洗液的流量。
在本实施方式中，上方第一冲洗液喷嘴10是配置成朝向基板W的上表面的旋转中心喷出DIW等冲洗液的固定喷嘴。上方第一冲洗液喷嘴10并非必须是固定喷嘴。上方第一冲洗液喷嘴10也可以是至少在水平方向上进行移动的移动喷嘴。
在上方第一冲洗液喷嘴10连结有上方第一冲洗液供应管31。冲洗液从上方第一冲洗液供应源经由上方第一冲洗液供应管31而供应到上方第一冲洗液喷嘴10。在上方第一冲洗液供应管31插入安装有上方第一冲洗液阀41、上方冲洗液流量调节阀46以及冲洗液温度调节器47。
上方第一冲洗液阀41用于开闭在上方第一冲洗液供应管31中流动的冲洗液的流路。上方冲洗液流量调节阀46用于调节从上方第一冲洗液喷嘴10向基板W的上面供应的冲洗液的流量。冲洗液温度调节器47调节向上方第一冲洗液喷嘴10供应的冲洗液的温度，并且使所述温度提高到高于室温(通常为15℃-30℃范围内的温度)的温度。
也可以在上方第一冲洗液供应源中预先调节从上方第一冲洗液供应源向上方第一冲洗液喷嘴10供应的冲洗液的温度。也可以通过冲洗液温度调节器47来调节从上方第一冲洗液供应源向上方第一冲洗液喷嘴10供应的冲洗液。
在本实施方式中，上方第二冲洗液喷嘴11是配置成朝向基板W的上表面的旋转中心喷出DIW等冲洗液的固定喷嘴。上方第二冲洗液喷嘴11并非必须是固定喷嘴。上方第二冲洗液喷嘴11也可以是至少在水平方向上进行移动的移动喷嘴。
在上方第二冲洗液喷嘴11连结有上方第二冲洗液供应管32。室温(温度未被控制)的冲洗液从上方第二冲洗液供应源经由上方第二冲洗液供应管32而供应到上方第二冲洗液喷嘴11。在上方第二冲洗液供应管32插入安装有用于开闭上方第二冲洗液供应管32内的流路的上方第二冲洗液阀42。
处理单元2还包括向基板W的上表面供应药液的第一药液喷嘴12和第二药液喷嘴13。处理单元2还包括用于加热向基板W的上表面供应的药液的红外线加热器17。
第一药液喷嘴12具有：将用于对基板W的上表面进行处理的药液等的第一处理液，供应到基板W的上表面的第一处理液供应单元的功能。第二药液喷嘴13具有：将用于对基板W的上表面进行处理的药液等的第二处理液，供应到基板W的上表面的第二处理液供应单元的功能。
药液是用于对基板W的上表面进行的液体。药液例如是，从基板W的上面去除形成于基板W的上表面的薄膜，或附着于基板W的上表面的微粒等杂质的去除液等。在本实施方式中，从第一药液喷嘴12向基板W的上表面供应的药液和从第二药液喷嘴13向基板W的上表面供应的药液是彼此不同的种类。具体而言，第一药液喷嘴12用于供应磷酸水溶液等酸性药液。另外，第二药液喷嘴13供应SC1(氨水、过氧化氢水以及水的混合液)等碱性药液。
磷酸水溶液是以磷酸(H3PO4)为主要组分的水溶液。磷酸水溶液中的磷酸的质量％浓度，例如为50％-100％(不包括100％)的范围。磷酸水溶液中的磷酸的质量百分比浓度优选为90％左右。另外，磷酸水溶液的硅浓度优选小于饱和浓度。从第一药液喷嘴12供应的酸性药液并不限于磷酸水溶液。即，从第一药液喷嘴12供应的酸性药液，例如也可以是硫酸、SPM(硫酸和过氧化氢水的混合液)、氢氟酸(氟化氢)等。从第一药液喷嘴12供应的酸性药液，尤其对只要在基板W的上表面或下表面附着一次就难以去除的、粘性高的药品发挥效果。
从第二药液喷嘴13供应的碱性药液并不限于SC1。从第二药液喷嘴13供应的碱性药液，例如也可以是胆碱水溶液、甲硅烷基化剂等。作为甲硅烷基化剂，可以举出丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)和六甲基二硅氮烷(HMDS；hexamethyldisilazane)的混合液等。
通过将从第一药液喷嘴12供应的酸性药液(第一处理液)和从第二药液喷嘴13供应的碱性药液(第二处理液)互相混合来形成盐。除了上述药液以外，药液也可以是SC2(盐酸过氧化氢水混合液)、缓冲氢氟酸(氢氟酸和氟化铵的混合液)等。
在第一药液喷嘴12结合有第一药液供应管33。磷酸水溶液等酸性药液从第一药液供应源经由第一药液供应管33而供应到第一药液喷嘴12。在第一药液供应管33插入安装有第一药液阀43和药液温度调节器48。第一药液阀43能够开闭第一药液供应管33内的流路。药液温度调节器48能够使向第一药液喷嘴12供应的药液的温度提高至高于室温(通常为15℃-30℃范围内的温度)的温度。药液温度调节器48也可以使向第一药液喷嘴12供应的药液的温度提高至100℃以上。也可以在第一药液供应源中预先调节从第一药液供应源向第一药液喷嘴12供应的药液的温度。也可以通过药液温度调节器48来调节从第一药液供应源供应至第一药液喷嘴12的药液。
第一药液喷嘴12通过第一喷嘴移动机构15在水平方向和铅垂方向上进行移动。第一药液喷嘴12通过在水平方向上的移动来能够在中心位置和起始位置(退避位置)之间进行移动。当第一药液喷嘴12位于中心位置时，将会面向基板W上表面的旋转中心。基板W的上表面的旋转中心是，该基板W与基板W的上表面的旋转轴线A1相交的位置。当第一药液喷嘴12位于起始位置时，不会面向基板W的上表面。在俯视时，第一药液喷嘴12的起始位置是旋转基座21外侧的位置。更具体而言，起始位置也可以是排气桶6外侧的位置。第一药液喷嘴12通过在铅垂方向上的移动来能够接近基板W的上表面或者从基板W的上表面向上方退避。
第一喷嘴移动机构15例如包括：沿铅垂方向延伸的转动轴、与转动轴结合且沿水平延伸的臂、用于使臂驱动的臂驱动机构。臂驱动机构通过使转动轴以铅垂的转动轴线为中心进行转动来使臂摇动。臂驱动机构通过使转动轴沿着铅垂方向进行升降来使臂上下移动。第一药液喷嘴12固定于臂。与臂的摇动和升降相对应地，第一药液喷嘴12在水平方向和铅垂方向上进行移动。臂驱动机构包括：用于使臂转动的第一马达(未图示)、使臂上下移动的滚珠螺杆(未图示)以及驱动该滚珠螺杆的第二马达(未图示)。
在第二药液喷嘴13结合有第二药液供应管34。SC1等碱性药液从第二药液供应源经由第二药液供应管34而供应到第二药液喷嘴13。在第二药液供应管34插入安装有用于开闭第二药液供应管34内的流路的第二药液阀44。
第二药液喷嘴13通过第二喷嘴移动机构16来在水平方向和铅垂方向上进行移动。第二药液喷嘴13通过在水平方向上的移动来能够在中心位置和起始位置(退避位置)之间进行移动。当第二药液喷嘴13位于中心位置时，将会面向基板W的上表面的旋转中心。当第二药液喷嘴13位于起始位置时，不会面向基板W的上表面。在俯视时，起始位置是旋转基座21外侧的位置。更具体而言，起始位置也可以是排气桶6外侧的位置。第二药液喷嘴13通过在铅垂方向上的移动来能够接近基板W的上表面或者从基板W的上表面向上方退避。
第二喷嘴移动机构16例如包括：沿铅垂方向延伸的转动轴、与转动轴结合且沿水平延伸的臂、用于使臂驱动的臂驱动机构。臂驱动机构通过使转动轴以铅垂的转动轴线为中心进行转动来使臂摇动。臂驱动机构通过使转动轴沿着铅垂方向进行升降来使臂上下移动。第二药液喷嘴13固定于臂。与臂的摇动和升降相对应地，第二药液喷嘴13在水平方向和铅垂方向上进行移动。臂驱动机构包括：用于使臂转动的第一马达(未图示)、用于使臂上下移动的滚珠螺杆(未图示)以及驱动该滚珠螺杆的第二马达(未图示)。
红外线加热器17包括：发射红外线的红外线灯17A；用于容纳红外线灯17A的灯箱(lamp housing)17B。红外线灯17A配置于灯箱17B内。
例如，红外线灯17A包括灯丝和用于容纳灯丝的石英管。红外线灯17A发射包含红外线的光。该包含红外线的光穿透灯箱17B并从灯箱17B的外表面放射，或者加热灯箱17B而从其外表面放射辐射光。
红外线加热器17通过加热器移动机构18来在水平方向和铅垂方向上进行移动。红外线加热器17通过在水平方向上的移动来能够在中心位置和起始位置(退避位置)之间进行移动。当红外线加热器17位于中心位置时，针对基板W上表面的红外线的照射区域位于基板W的上表面的、包括旋转中心的中央区域。当红外线加热器17位于起始位置时，不会面向基板W的上表面。在俯视时，起始位置是旋转基座21外侧的位置。更具体而言，起始位置也可以是排气桶6外侧的位置。红外线加热器17通过在铅垂方向上的移动来能够接近基板W的上表面，或者从基板W的上表面向上方退避。
第二喷嘴移动机构18例如包括：沿铅垂方向延伸的转动轴、与转动轴结合且沿水平延伸的臂、用于使臂驱动的臂驱动机构。臂驱动机构通过使转动轴以铅垂的转动轴线为中心进行转动来使臂摇动。臂驱动机构通过使转动轴沿着铅垂方向进行升降来使臂上下移动。红外线加热器17固定于臂。与臂的摇动和升降相对应地，红外线加热器在水平方向和铅垂方向上进行移动。臂驱动机构包括：用于使臂转动的第一马达(未图示)、用于使臂上下移动的滚珠螺杆(未图示)以及驱动该滚珠螺杆的第二马达(未图示)。
处理单元2还包括：多个杯(cup)51-53(第一杯51、第二杯52以及第三杯53)，其配置在旋转卡盘5和排气桶6之间；以及多个防护装置61-64(第一防护装置61、第二防护装置62、第三防护装置63以及第四防护装置64)，其接收从被旋转卡盘5保持的基板W向基板W外排除的冲洗液或药液。
处理单元2还包括分别用于驱动多个防护装置61-64的升降的多个防护装置升降机构71-74(第一防护装置升降机构71、第二防护装置升降机构72、第三防护装置升降机构73以及第四防护装置升降机构74)。
多个杯51-53在比排气桶6更靠近径向内侧的位置围绕旋转卡盘5。各个杯51-53具有向上敞开的环状沟槽。第二杯52配置于比第一杯51更靠近径向外侧的位置。第三杯53配置于比第二杯52更靠近径向外侧的位置。第三杯53例如与第二防护装置62形成一体，并且与第二防护装置62一起进行升降。在各个杯51-53的沟槽连接有回收配管(未图示)或废液配管(未图示)。引导至各个杯51-53的底部的药液或冲洗液经由回收配管或废液配管而被回收或废弃。
多个防护装置61-64在比排气桶6更靠近径向内侧的位置围绕旋转卡盘5。第一防护装置61包括上下延伸的第一筒状部61A和从第一筒状部61A的上端朝向径向内侧延伸的第一延伸设置部61B。第二防护装置62包括：筒状的第二筒状部62A，其在比第一防护装置61的第一筒状部61A更靠近径向外侧的位置围绕旋转卡盘5；以及第二延伸设置部62B，其从第二筒状部62A的上端向径向内侧延伸。第三防护装置63包括：筒状的第三筒状部63A，其在比第二防护装置62的第二筒状部62A更靠近径向外侧的位置围绕旋转卡盘5；以及第三延伸设置部63B，其从第三筒状部63A的上端向径向内侧延伸。第四防护装置64包括；第四筒状部64A，其在比第三防护装置63的第三筒状部63A更靠近径向外侧的位置围绕旋转卡盘5；以及第四延伸设置部64B，其从第四筒状部64A的上端向径向内侧延伸。
各个防护装置61-64通过相对应的防护装置升降机构71-74来在下位置和上位置之间进行升降。当第一防护装置61位于下位置时，第一防护装置61的上端(径向内侧端)位于比基板W更靠下方的位置。当第一防护装置61位于上位置时，第一防护装置61的上端(径向内侧端)位于比基板W更靠上方的位置。当第二防护装置62位于下位置时，第二防护装置62的上端(径向内侧端)位于比基板W更靠下方的位置。当第二防护装置62位于上位置时，第二防护装置62的上端(径向内侧端)位于比基板W更靠上方的位置。当第三防护装置63位于下位置时，第三防护装置63的上端(径向内侧端)位于比基板W更靠下方的位置。当第三防护装置63位于上位置时，第三防护装置63的上端(径向内侧端)位于比基板W更靠上方的位置。当第四防护装置64位于下位置时，第四防护装置64的上端(径向内侧端)位于比基板W更靠下方的位置。当第四防护装置64位于上位置时，第四防护装置64的上端(径向内侧端)位于比基板W更靠上方的位置。
防护装置61-64能够位于下位置和上位置之间的面向基板的位置。当第一防护装置61位于面向基板的位置时，第一延伸设置部61B(的径向内侧端)从径向外侧面向基板W的边缘。当第二防护装置62位于面向基板的位置时，第二延伸设置部62B(的径向内侧端)从径向外侧面向基板W的边缘。当第三防护装置63位于面向基板的位置时，第三延伸设置部63B(的径向内侧端)从径向外侧面向基板W的边缘。当第四防护装置64位于面向基板的位置时，第四延伸设置部64B(的径向内侧端)从径向外侧面向基板W的边缘。
图3是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制器3具备微型电子计算机，根据规定的控制程序而控制基板处理装置1所具有的控制对象。更具体而言，控制器3包括处理器(CPU)3A和存储有控制程序的存储器3B，并且构成为通过处理器3A执行控制程序来执行用于进行基板处理的各种控制。尤其，控制器3用于控制搬运机械手IR、CR、电动马达23、喷嘴移动机构15、16、防护装置升降机构71-74、红外线加热器17、加热器移动机构18、温度调节器47、48以及阀体类40-46等的动作。
图4是用于说明基板处理装置1的基板处理的一个例子的流程图，主要表示了通过控制器3执行动作程序来得以实现的处理。
如图4所示，例如在基板处理装置1进行的基板处理中，搬入基板S1、预湿处理S2、第一药液处理S3、第一冲洗处理S4、防护装置清洗S5、基座清洗S6、第二药液处理S7、第二冲洗处理S8、干燥S9以及搬出基板S10以该顺序实施。
首先，在基板处理装置1的基板处理中，未进行处理的基板W通过搬运机械手IR、CR从托板C搬入到处理单元2，并交接到旋转卡盘5(S1)。其后，基板W在被搬运机械手CR搬出为止的期间，被卡盘销20从旋转基座21的上面向上方隔开间隔而水平地保持(基板保持工序)。在基板W被旋转卡盘5水平保持的状态下，基板W的下表面会面向旋转基座21的上表面。控制器3驱动电动马达23，由此使基板W与旋转基座21一起进行旋转(基板旋转工序)。
接着，在搬运机械手CR退避到处理单元2外之后，实施将作为预湿液的一个例子的温水(高于室温的温度(例如，60℃)的DIW)供应到基板W的预湿处理(S2)。预湿液是，在用药液对基板W进行处理之前用于预先润湿基板W的上表面的液体。
具体而言，控制器3打开上方第一冲洗液阀41，由此从上方第一冲洗液喷嘴10朝向进行旋转着的基板W的上表面的中央区域喷出温水。从上方第一冲洗液喷嘴10喷出的温水在其附着于基板W的上表面之后，沿着基板W的上表面流向外侧。因此，温水供应到基板W上表面的整个区域。据此，在基板W上形成覆盖基板W的整个上表面的温水的液膜。
如此地，上方第一冲洗液喷嘴10起到将作为预湿液的冲洗液供应到基板W的上表面的预湿液供应单元的功能。
然后，在实施一定时间的预湿处理S2之后，实施第一药液处理S3。在第一药液处理S3中，在基板W的上表面形成高温的磷酸水溶液等药液的液膜，同时对基板W的上表面进行蚀刻处理。图5是用于说明第一药液处理(图4的S3)的详细内容的图解剖视图。
在第一药液处理期间中，基板W的旋转速度例如为200rpm。另一方面，控制器3控制防护装置升降机构71-74。由此，第一防护装置61的上端(径向内侧端)配置于比基板W更靠下方的位置。另外，第二防护装置62、第三防护装置63以及第四防护装置64的上端(径向内侧端)配置于比基板W更靠上方的位置。
然后，控制器3控制第一喷嘴移动机构15，由此将第一药液喷嘴12配置于基板W上方的药液处理位置。当第一药液喷嘴12位于药液处理位置时，从第一药液喷嘴12喷出的磷酸水溶液附着在基板W的上表面的旋转中心。控制器3也可以使第一药液喷嘴12在中心位置和外周位置之间进行移动。当第一药液喷嘴12位于外周位置时，第一药液喷嘴12面向基板W的边缘。之后，控制器3关闭上方第一冲洗液阀41，由此停止从上方第一冲洗液喷嘴10供应温水。
另一方面，控制器3打开第一药液阀43，由此开始从第一药液喷嘴12供应磷酸水溶液等药液。据此，磷酸水溶液从第一药液喷嘴12向处于旋转状态的基板W的上表面的中央区域喷出。从第一药液喷嘴12喷出的磷酸水溶液的温度例如为160℃-195℃。来自第一药液喷嘴12的磷酸水溶液的供应量例如为1升/分钟。
从第一药液喷嘴12喷出的磷酸水溶液附着在处于旋转状态的基板W的上表面后，因离心力沿着基板W的上表面流向径向外侧。由此，磷酸水溶液遍布基板W的整个上表面。因此，基板W上的温水的液膜替换成覆盖基板W的整个上表面的磷酸水溶液的液膜。基板W的上表面被液膜中的磷酸水溶液蚀刻，由此选择性地去除形成于基板W上表面的氮化硅膜(SiN)和二氧化硅膜(SiO2)中的二氧化硅膜。
处于旋转状态的基板W上的冲洗液和磷酸水溶液，因离心力的作用从基板W的边缘向径向外侧飞散，并且穿过第一防护装置61的第一延伸设置部61B和第二防护装置62的第二延伸设置部62B之间，并被第二筒状部62A接收。被第二筒状部62A接收的磷酸水溶液又被第二杯52接收(参照图2)。在基板W上的冲洗液完全被磷酸水溶液替换掉之后被第二杯52接收的磷酸水溶液，也可以被回收并再次供应到基板W。由此，磷酸水溶液的使用量将会减少。
在第一药液处理S3中，当处于旋转状态的基板W上的磷酸水溶液因离心力而从基板W的边缘朝向径向外侧飞散时，有时会附着在多个防护装置61-64(的延伸设置部61B-64B)。另外，在第一药液处理S3中，有时处于旋转状态的基板W上的磷酸水溶液的一部分从基板W的边缘掉落，并附着在旋转基座21的上表面。
在第一药液处理S3中，控制器3也可以使红外线加热器17开始发射光，由此加热基板W的上表面的磷酸水溶液的液膜(药液加热工序)。具体而言，控制器3控制加热器移动机构18，使得红外线加热器17从退避位置移动到处理位置。此时，控制器3也可以使红外线加热器17水平移动，使得其在中心位置和外周位置之间进行移动。或者，控制器3也可以控制加热器移动机构18，使得红外线的照射区域静止在基板W的中央区域。当红外线加热器17位于外周位置时，针对基板W上表面的红外线的照射区域位于包括基板W边缘的外周区域。通过使红外线加热器17在中心位置和外周位置之间进行移动，来均匀地加热覆盖基板W的整个上表面的磷酸水溶液的液膜。
基于红外线加热器17的基板W的加热温度，设定为磷酸水溶液的其浓度下的沸点附近的温度(100℃以上。例如，140℃-195℃内的规定温度)。因此，基板W上的磷酸水溶液被加热至其浓度下的沸点为止，并保持为沸腾状态。尤其，当基于红外线加热器17的基板W的加热温度设定为比磷酸水溶液的其浓度下的沸点高的温度的情况下，基板W和磷酸水溶液之间界面的温度保持在高于沸点的温度，从而促进基板W的蚀刻。
在基于红外线加热器17的基板W的加热经过规定时间之后，控制器3使红外线加热器17从基板W的上方退避，并停止红外线加热器17的发射光。
另外，在第一药液处理S3中，也可以减少基板W上的磷酸水溶液的量(液量减少工序)。具体而言，控制器3停止从第一药液喷嘴12向处于旋转状态的基板W供应磷酸水溶液。据此，基板W上的磷酸水溶液的一部分因离心力的作用而从基板W的上表面被排除，由此基板W上的磷酸水溶液的量将会减少。因此，磷酸水溶液的液膜的厚度减小。即，在基板W的整个上表面被磷酸水溶液的液膜覆盖的状态下，基板W上的磷酸水溶液的量减少。
接着，在实施一定时间的第一药液处理S3之后，实施第一冲洗处理S4。在第一冲洗处理S4中，通过将基板W上的磷酸水溶液等药液替换为DIW等冲洗液，来从基板W上排除药液。图6是用于说明第一冲洗处理(图4的S4)的详细内容的图解剖视图。
具体而言，控制器3关闭第一药液阀43，并再次打开上方第一冲洗液阀41。由此，从上方第一冲洗液喷嘴10向处于旋转状态的基板W的上面供应温水等冲洗液(温水供应工序)。
在第一冲洗处理S4期间中，基板W的旋转速度例如保持为与第一药液处理S3期间中的基板W的旋转速度相同的速度(200rpm)。另外，从上方第一冲洗液喷嘴10供应的冲洗液的量为2升/分钟。
从上方第一冲洗液喷嘴10喷出的温水在附着于处于旋转状态的基板W的上表面的中央区域之后，因离心力的作用沿着基板W的上表面流向径向外侧。因此，基板W上的磷酸水溶液的液膜被替换为温水的液膜。由此，基板W的上表面被温水等冲洗液清洗(基板清洗工序)。在此期间，控制器3控制第一喷嘴移动机构15，使得第一药液喷嘴12从基板W的上方退避到排气桶6的侧方。
接着，在实施一定时间的第一冲洗处理S4之后，实施防护装置清洗S5。在防护装置清洗S5中，继续向处于旋转状态的基板W的上表面供应DIW等的冲洗液，由此通过从基板W飞散的冲洗液来清洗防护装置61-64。图7是用于说明防护装置清洗(图4的S5)的详细内容的图解剖视图。
具体而言，控制器3控制电动马达23而使旋转基座21的旋转速度降低，从而使基板W的旋转速度例如形成为100rpm-150rpm。
控制器3控制多个防护装置升降机构71-74，由此在使多个防护装置61-64互相上下接近的状态下，将多个防护装置61-64配置于面向基板的位置。另一方面，继续从上方第一冲洗液喷嘴10供应冲洗液。由此，从上方第一冲洗液喷嘴10向处于旋转状态的基板W的上表面供应的冲洗液，向基板W的径向外侧飞溅。防护装置61-64的延伸设置部61B-64B被从基板W向径向外侧飞散的冲洗液冲洗(防护装置清洗工序)。
由此，在实施第一药液处理S3时，附着在防护装置61-64的延伸设置部61B-64B的磷酸水溶液从延伸设置部61B-64B被排除。如此地，上方第一冲洗液喷嘴10通过将冲洗液供应到基板W的上面来起到清洗防护装置61-64的防护装置清洗单元的功能。
接着，在实施一定时间的防护装置清洗S5之后，实施清洗旋转基座21的基座清洗S6。在基座清洗S6中，从下方冲洗液喷嘴9向旋转基座21的上表面供应DIW等冲洗液，由此清洗旋转基座21。图8A至图8C是用于说明基座清洗(图4的S6)的详细内容的图解剖视图。
参照图8A，控制器3打开下方冲洗液阀40，由此从下方冲洗液喷嘴9向旋转基座21的上表面供应DIW等冲洗液(冲洗液供应工序)。在冲洗液供应工序中，从下方冲洗液喷嘴9向旋转基座21的上表面供应冲洗液，使得旋转基座21上的冲洗液不与基板W的下表面相接触。在冲洗液供应工序中，优选向旋转基座21的上表面供应冲洗液，使得冲洗液不附着在基板W的下表面。但是，也可以从下方冲洗液喷嘴9的喷出口9a喷出的冲洗液在基板W的下表面附着一次之后掉落在旋转基座21上。另外，从下方冲洗液喷嘴9的喷出口9a喷出且在旋转基座21上表面附着一次的冲洗液，也可以从旋转基座21的上面反弹并附着在基板W的下表面。
当从下方冲洗液喷嘴9向旋转基座21的上表面供应冲洗液时，控制器3也可以控制下方冲洗液流量调节阀45，由此调节来自下方冲洗液喷嘴9的冲洗液的供应量(流量调节工序)。由此，能够调节冲洗液的流量，使得从旋转基座21的上表面反弹的冲洗液不会附着在基板W的下表面。另外，还能够将冲洗液的流量调节成，从下方冲洗液喷嘴9的喷出口9a喷出的冲洗液不直接附着在基板W下表面的程度。
控制器3控制电动马达23而使旋转基座21的旋转速度降低，使得冲洗液供应工序中的基板W的旋转速度低于第一药液供应工序中的基板W的旋转速度(旋转减速工序)。减速后的旋转基座21的旋转速度例如为10rpm。
参照图8B，通过持续地从下方冲洗液喷嘴9向旋转基座21的上表面供应冲洗液，来形成覆盖旋转基座21的整个上表面的冲洗液的液膜100而不与基板W的下表面相接触(液膜形成工序、持续供应工序)。控制器3也可以通过控制下方冲洗液流量调节阀45来调整来自下方冲洗液喷嘴9的冲洗液的供应量，使得液膜100不与基板W的下表面相接触(流量调节工序)。由基板W的旋转产生的离心力作用于旋转基座21上表面的冲洗液。因此，在形成覆盖旋转基座21的整个上表面的液膜100之后，旋转基座21上表面的冲洗液的一部分向基板W的径向外侧飞散。例如，当将下方冲洗液喷嘴9的喷出口9a的冲洗液的流量调整为400cc/分钟左右，并且使旋转基座21以10rpm左右进行旋转时，在基板W的下表面和液膜100之间形成间隔，由此液膜100不与基板W的下表面相接触。
在液膜形成工序中，控制器3控制防护装置升降机构71-74。由此，第一防护装置61的上端(径向内侧端)配置于比旋转基座21更靠下方的位置。另外，第二防护装置62、第三防护装置63以及第四防护装置64的上端(径向内侧端)配置于面向基板的位置或比基板W更靠上方的位置。
处于旋转状态的旋转基座21上的冲洗液，因离心力从基板W的边缘向径向外侧飞散，并且穿过第一防护装置61的第一延伸设置部61B和第二防护装置62的第二延伸设置部62B之间，由此被第二筒状部62A接收。被第二筒状部62A接收的冲洗液被第二杯52(参照图2)接收。
参照图8C，控制器3关闭下方冲洗液阀40，由此停止从下方冲洗液喷嘴9向处于旋转状态的旋转基座21供应冲洗液(停止供应冲洗液工序)。由基板W的旋转产生的离心力作用于旋转基座21的上表面的冲洗液，因此旋转基座21上表面的液膜100的厚度逐渐变薄，最终，冲洗液的液膜100从旋转基座21的上表面被排除(液膜排除工序)。当从旋转基座21的上表面排除液膜100时，控制器3也可以控制电动马达23而提高基板W的旋转速度，使得液膜排除工序中的基板W的旋转速度高于冲洗液供应工序中的基板W的旋转速度。液膜排除工序中的基板W的旋转速度例如为200rpm。也可以通过调整液膜排除工序中的基板W的旋转速度，来使冲洗液从旋转基座21的边缘慢慢掉落，而不是使冲洗液从旋转基座21向径向外侧飞散。通过使冲洗液从旋转基座21的边缘慢慢掉落，也能够从旋转基座21排除冲洗液。
如此地，下方冲洗液喷嘴9通过冲洗液来冲洗附着于旋转基座21上表面的磷酸水溶液等药液(第一处理液)，由此起到清洗旋转基座21的上表面的基座清洗单元的功能。因此，从下方冲洗液喷嘴9供应到旋转基座21的冲洗液，是用于冲洗附着于旋转基座21上表面的药液的清洗液。另外，冲洗液供应工序相当于，以使旋转基座21上的清洗液不与基板W的下表面相接触的方式将清洗液供应到旋转基座21的上表面的清洗液供应工序。
此外，在基座清洗S6中，持续地从上方第一冲洗液喷嘴10向基板W的上表面供应冲洗液。由此，能够防止基座清洗S6中的基板W上表面的干燥。另外，在冲洗液供应工序和液膜形成工序中，基板W以较低的速度进行旋转，因此从基板W向径向外侧飞散的冲洗液的量比较少。因此，控制器3也可以控制上方冲洗液流量调节阀46，由此伴随降低冲洗液供应工序中的基板W的旋转速度而降低来自上方第一冲洗液喷嘴10的冲洗液的流量(参照图8A和图8B)。另外，在液膜排除工序中，基板W以较高的速度进行旋转，因此从基板W向径向外侧飞散的冲洗液的量比较多。因此，控制器3也可以控制上方冲洗液流量调节阀46，由此伴随提高液膜排除工序中的基板W的旋转速度而增加来自上方第一冲洗液喷嘴10的冲洗液的流量(参照图8C)。由此，在冲洗液供应工序和液膜形成工序中，能够抑制向基板W的上表面供应的冲洗液的使用量。另一方面，在液膜排除工序中，能够向基板W的上表面供应足够量的冲洗液。
另外，由于离心力作用于基板W上的冲洗液，并且冲洗液从基板W的边缘向径向外侧飞散，因此在基座清洗S6中，通过持续地从上方第一冲洗液喷嘴10向基板W的上表面供应冲洗液，来能够持续地清洗防护装置61-64。即，能够与冲洗液供应工序(清洗液供应工序)、液膜形成工序及液膜排除工序并行地实施防护装置清洗工序。此时，在防护装置61-64位于面向基板的位置的情况下，从基板W的边缘向径向外侧飞散的冲洗液对防护装置61-64进行清洗，并且从旋转基座21的边缘向径向飞散的冲洗液被防护装置61的第一筒状部61A接收。被第一筒状部61A接收的冲洗液又被第一杯51(参照图2)接收。在图8A至图8C所示的基座清洗S6的冲洗液供应工序中，位于面向基板的位置的防护装置61-64被清洗，而在图8A-图8C所示的基座清洗S6的液膜形成工序和液膜排除工序中，位于面向基板的位置的防护装置62-64被清洗。
接着，在旋转基座21被冲洗液清洗之后，实施第二药液处理S7。在第二药液处理S7中，利用作为药液的一个例子的SC1来对基板W的上表面进行处理。图9是用于说明第二药液处理(图4的S7)的详细内容的图解剖视图。
具体而言，控制器3控制电动马达23，由此将基板W的旋转速度例如保持为200rpm。另一方面，控制器3控制防护装置升降机构71-74，由此将第一防护装置61、第二防护装置62以及第三防护装置63的上端(径向内侧端)配置于比基板W更靠下方的位置，并且将第四防护装置64的上端(径向内侧端)配置于比基板W更靠上方的位置。
然后，控制器3控制第二喷嘴移动机构16，由此将第二药液喷嘴13配置于基板W的上方的药液处理位置。当第二药液喷嘴13位于药液处理位置时，从第二药液喷嘴13喷出的SC1附着在基板W的上表面的旋转中心。控制器3也可以使第二药液喷嘴13在中央位置和外周位置之间进行移动。当第二药液喷嘴13位于外周位置时，第二药液喷嘴13面向基板W的边缘。
之后，控制器3打开第二药液阀44。由此，SC1从第二药液喷嘴13向处于旋转状态的基板W的上表面喷出。来自第二药液喷嘴13的SC1的供应量例如为1升/分钟。从第二药液喷嘴13喷出的SC1在附着于被温水液膜覆盖的基板W上表面的中央区域之后，因离心力而沿着基板W的上表面流向径向外侧。由此，SC1遍布基板W的整个上表面，基板W上的温水的液膜被覆盖基板W整个上表面的SC1的液膜替换掉。
基板W上的冲洗液和SC1因离心力而从基板W的边缘向径向外侧飞散，并且穿过第三防护装置63的第三延伸设置部63B和第四防护装置64的第四延伸设置部64B之间，并被第四筒状部64A接收。被第四筒状部64A接收的SC1又被第三杯53接收(参照图2)。在基板W上的冲洗液被SC1替换掉之后被第三杯53接收的SC1，也可以被回收并再次供应到基板W。由此，SC1的使用量将会减少。
接着，实施第二冲洗处理S8。在第二冲洗处理S8中，将作为冲洗液的一个例子的DIW等冲洗液供应到基板W，从而基板W上的SC1的液膜被冲洗液替换掉。
具体而言，控制器3打开上方第二冲洗液阀42，由此从上方第二冲洗液喷嘴11向处于旋转状态的基板W上表面的中央区域供应DIW等冲洗液。由此，基板W上的SC1被冲洗液向外侧排挤，由此被喷出到基板W的周围。因此，基板W上的SC1的液膜替换为覆盖基板W上表面的整个区域的冲洗液的液膜。然后，若在打开上方第二冲洗液阀42之后经过规定时间，则控制器3关闭上方第二冲洗液阀42而停止喷出冲洗液。
接着，进行使基板W干燥的干燥处理S9。
具体而言，控制器3通过旋转卡盘5来使基板W在旋转方向上进行加速，从而使基板W以比预湿处理S2至第二冲洗处理S8的基板W的旋转速度高的高旋转速度(例如为500-3000rpm)进行旋转。由此，较大的离心力作用于基板W上的冲洗液，从而基板W上的冲洗液甩向基板W的周围。如此地，从基板W去除冲洗液，从而对基板W进行干燥。然后，若从基板W进行高速旋转开始经过规定时间，则控制器3停止基于旋转基座21的基板W的旋转。
之后，搬运机械手CR进入处理单元2，从旋转卡盘5取出已处理的基板W，并搬出到处理单元2外(S10)。该基板W从搬运机械手CR交接到搬运机械手IR，并且通过搬运机械手IR容纳于托板C。然后，在将与刚才不同的其他基板W搬入至处理单元2为止的期间，从下方冲洗液喷嘴9向旋转基座21的上表面供应冲洗液，由此清洗旋转基座21的上表面也可。
根据本实施方式，通过向被卡盘销20从旋转基座21的上表面向上方隔着间隔而水平地保持的基板W的上表面供应磷酸水溶液等药液(第一处理液)，来对基板W的上表面进行蚀刻(处理)。即使第一处理液从基板的上表面掉落并附着在旋转基座21的上表面，通过向旋转基座21的上表面供应DIW等冲洗液(清洗液)，之后从旋转基座21的上表面排除冲洗液，来也能够用冲洗液对附着有药液的旋转基座21的上表面进行冲洗。因此，在附着于旋转基座21上的药液干燥之前，能够清洗旋转基座21。从而，能够抑制微粒的产生。
另外，根据本实施方式，在基板W保持于卡盘销20的状态下对旋转基座21的上表面进行清洗。因此，能够抑制因清洗旋转基座21引起的基板处理的装卸效率的低下。当清洗旋转基座21时，以旋转基座21上的冲洗液不与基板W的下表面相接触的方式将冲洗液供应到旋转基座21的上表面。因此，能够抑制附着在旋转基座21上的污垢经由冲洗液而附着在基板W的下表面。
如上所述，能够抑制装卸效率的低下，并且能够抑制基板W的污染的同时清洗基座。
另外，根据本实施方式，通过向旋转基座21的上表面供应冲洗液，来在旋转基座21的上表面形成冲洗液的液膜100。由于旋转基座21的上表面被该液膜100覆盖，因此能够无遗漏地清洗旋转基座21的上表面。尤其，通过使液膜100覆盖旋转基座21上表面的边缘，来与在旋转基座21的上表面没有形成液膜100的基板处理相比，能够充分地清洗旋转基座21的上表面的边缘。另外，根据本实施方式，液膜100不与基板W的下表面相接触。因此，能够抑制附着于旋转基座21的污垢经由冲洗液而附着在基板W的下表面。从而，能够在抑制基板W的污染的同时充分地清洗旋转基座21。
另外，根据本实施方式，能够以不使冲洗液附着于基板W的下表面的方式向旋转基座21的上表面供应冲洗液。由于冲洗液不会附着于基板W的下表面，因此能够进一步抑制基板W下表面的污染。
另外，根据本实施方式，基板W与旋转基座21一起进行旋转。冲洗液供应工序(清洗液供应工序)中的基板W的旋转速度，低于第一药液供应工序(第一处理液供应工序)中的基板W的旋转速度。因此，在第一药液供应工序中，基板W以较高的速度进行旋转，因此能够用磷酸水溶液等药液对基板W的上面迅速地进行蚀刻(处理)。
另一方面，在清洗液供应工序中，旋转基座21以较低的速度进行旋转，因此在冲洗液到达旋转基座21上表面的边缘附近时，作用于旋转基座21上的清洗液的离心力将会降低。因此，能够降低冲洗液在旋转基座21上表面的边缘附近的移动速度。从而，能够充分地清洗旋转基座21上表面的边缘。
因此，能够进一步抑制装卸效率的低下，并且能够进一步抑制基板W的污染。
另外，根据本实施方式，从露出于旋转基座21的上表面的下方冲洗液喷嘴9向旋转基座21的上表面供应冲洗液。因此，无需从旋转基座21的外侧对准旋转基座21和基板W之间供应冲洗液，从而能够较简单地清洗旋转基座21。从而，能够减少清洗旋转基座21所需的时间。据此，能够进一步抑制装卸效率的低下。
另外，根据本实施方式，在磷酸水溶液等药液(第一处理液)与冲洗液(清洗液)一起从旋转基座21排除之后，向基板W的上表面供应SC1等药液(第二处理液)。因此，在向基板W供应SC1(第二处理液)时，已经从旋转基座21上排除了磷酸水溶液(第一处理液)。因此，即使供应到基板W的SC1的一部分附着于旋转基座21的上表面，也难以产生因旋转基座21上的磷酸水溶液(酸性水溶液)和SC1(碱性水溶液)的混合而形成的盐(微粒)。
因此，通过在用磷酸水溶液等酸性药液(第一处理液)对基板W的上表面进行处理之后，用能够与该药液形成盐的SC1等碱性药液(第二处理液)对基板W的上表面进行处理的方法，来能够抑制基板W的污染。
本发明不限于以上说明的实施方式，可以进一步以其它方式实施。
例如，在上述实施方式中，第一药液喷嘴12供应磷酸水溶液等的酸性药液，而第二药液喷嘴13供应SC1等的碱性药液，但是，各个喷嘴12、13所供应的药液的性质也可以与上述实施方式相反。即，也可以构成为第一药液喷嘴12供应SC1等的碱性药液，而第二药液喷嘴13供应磷酸水溶液等的酸性药液。在该情况下，也能起到与上述实施方式相同的效果。
另外，与上述实施方式不同，从第一药液喷嘴12供应的药液和从第二药液喷嘴13供应的药液可以是相同的种类，也可以省略掉基板处理中的第二药液处理S7和第二冲洗处理S8(参照图4)。即使在省略第二药液处理S7和第二冲洗处理S8的情况下，以将基板W保持于卡盘销20的状态、即在用第一处理液对基板W进行处理之后立即实施防护装置清洗S5和基座清洗S6。因此，能够抑制因第一处理液长时间放置于旋转基座21的上面发生干燥而产生微粒的情况。
另外，在上述实施方式中的预湿处理S2和第一冲洗处理S3中，从上方第一冲洗液喷嘴10向基板W的上表面供应冲洗液。另外，在第二冲洗处理S8中，从上方第二冲洗液喷嘴11向基板W的上表面供应冲洗液。但是，在预湿处理S2、第一冲洗处理S3以及第二冲洗处理S8的各个处理中，也可以从上方第一冲洗液喷嘴10和上方第二冲洗液喷嘴11中的任意一个向基板W的上表面供应冲洗液。
另外，在上述实施方式的基板处理中，在防护装置清洗S5之后实施了基座清洗S6，但是也可以并行地实施防护装置清洗S5和基座清洗S6。由此，能够进一步抑制装卸效率的低下。
以上详细说明了本发明的实施方式，但是这些只不过是为明确本发明的技术内容而采用的具体例，不应解释本发明被这些具体例限定，本发明的范围仅被所附的权利要求书限定。
本申请对应于2016年9月26日向日本特许厅提交的专利申请2016-187249号，本申请的全部公开内容以引用的方式纳入本文中。

Claims (9)

1.一种基板处理方法，其包括：
基板保持工序，通过从基座的上表面向上方隔开间隔而水平地保持基板的基板夹具来保持基板；
旋转工序，使所述基板夹具保持的基板与所述基座一起以沿铅垂方向延伸的旋转轴线为中心进行旋转；
处理液供应工序，向所述基板夹具保持的基板的上表面供应处理液；
基板上表面清洗工序，在所述处理液供应工序之后执行，向所述基板夹具保持的所述基板的上表面供应清洗液，来冲洗所述基板的上表面的所述处理液；
清洗液供应工序，在所述基板上表面清洗工序之后执行，在所述基板夹具保持所述基板的状态下，向所述基座的上表面供应用于冲洗附着在所述基座上表面的处理液的清洗液，并且以使所述基座上的所述清洗液不与所述基板的下表面相接触的方式，向所述基座的上表面供应所述清洗液；
基板清洗持续工序，与所述清洗液供应工序并行执行，持续所述基板上表面清洗工序中的向所述基板的上表面的所述清洗液的供应；
液膜形成工序，以所述清洗液供应工序中的所述基板的旋转速度低于所述处理液供应工序中的所述基板的旋转速度的方式，对所述基座的旋转进行减速，来在所述清洗液不与所述基板的下表面相接触的情况下形成覆盖所述基座的上表面的所述清洗液的液膜；
流量调整工序，调整向所述基板的上表面供应的所述清洗液的流量，使得在所述基板清洗持续工序中向所述基板的上表面供应的所述清洗液的流量小于在所述基板上表面清洗工序中向所述基板的上表面供应的所述清洗液的流量；以及
排除工序，持续所述基板上表面清洗工序中的向所述基板的上表面的清洗液的供应，并停止所述清洗液供应工序中的向所述基座的上表面的所述清洗液的供应，从所述基座的上表面排除所述清洗液；以及
所述旋转工序包括对所述基座的旋转进行加速，使得所述排除工序中的所述基座的旋转速度比所述清洗液供应工序中的所述基座的旋转速度高的工序，
所述流量调整工序包括调整向所述基板的上表面供应的所述清洗液的流量，使得在所述排除工序的执行中在所述基板清洗持续工序中向所述基板的上表面供应的所述清洗液的流量大于在所述清洗液供应工序的执行中在所述基板清洗持续工序中向所述基板的上表面供应的所述清洗液的流量的工序。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，还包括：
在所述排除工序之后，持续所述旋转工序，从所述基板去除所述清洗液，使所述基板干燥的工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述旋转工序包括：对所述基座的旋转进行减速，使得所述清洗液供应工序中的所述基座的旋转速度比所述基板上表面清洗工序中的所述基座的旋转速度低的工序，以及，对所述基座的旋转进行加速，使得在使所述基板干燥的工序中的所述基座的旋转速度比在使所述基板干燥的工序之前执行的工序中的所述基座的旋转速度高的工序。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述清洗液供应工序包括：从露出在所述基座的上表面的喷嘴向所述基座的上表面供应所述清洗液的工序。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述清洗液供应工序包括：以不使所述清洗液附着于所述基板的下表面的方式，向所述基座的上表面供应所述清洗液，冲洗附着在所述基座的上表面的所述第一处理液而不清洗所述基板的下表面的工序。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述处理液是第一处理液，
该基板处理方法还包括：第二处理液供应工序，在所述排除工序之后，向所述基板的上表面供应与所述第一处理液不同的第二处理液。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
所述第一处理液是酸性水溶液和碱性水溶液中的一种，而所述第二处理液是酸性水溶液和碱性水溶液中的另一种。
8.一种基板处理方法，其包括：
基板保持工序，通过从基座的上表面向上方隔开间隔而水平地保持基板的基板夹具来保持基板；
处理液供应工序，向被所述基板夹具保持的基板的上表面供应处理液；
清洗液供应工序，在所述处理液供应工序之后执行，在所述基板夹具保持所述基板的状态下，向所述基座的上表面供应用于冲洗附着在所述基座上表面的处理液的清洗液，并且以使所述基座上的所述清洗液不与被所述基板夹具保持的基板的下表面相接触的方式，向所述基座的上表面供应所述清洗液；
排除工序，从所述基座的上表面排除所述清洗液；
基板上表面清洗工序，在所述处理液供应工序之后且所述清洗液供应工序之前执行，向被所述基板夹具保持的所述基板的上表面供应清洗液，来冲洗所述基板的上表面的所述处理液；
防护装置配置工序，在所述处理液供应工序中，在由具有俯视时包围所述基板的筒状部和从所述筒状部向径向内侧延伸的延伸设置部的多个防护装置中的任意一个接收从所述基板飞散的液体的位置，配置多个所述防护装置；以及
防护装置清洗工序，在所述基板上表面清洗工序的执行中，通过使多个所述防护装置的所述延伸设置部在上下方向上相互接近，从而利用从所述基板飞散的液体清洗多个所述防护装置的所述延伸设置部。
9.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，还包括：
基板清洗持续工序，与所述清洗液供应工序并行执行，持续所述基板上表面清洗工序中的向所述基板的上表面的所述清洗液的供应；
所述基板清洗持续工序包括在所述排除工序开始后也持续向所述基板的上表面的清洗液的供应的工序。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7149087B2 (ja) 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102454447B1 (ko) * 2018-05-25 2022-10-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7175119B2 (ja) * 2018-07-25 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
KR102099433B1 (ko) * 2018-08-29 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7126927B2 (ja) * 2018-11-16 2022-08-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7360849B2 (ja) * 2019-08-30 2023-10-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法
KR102326012B1 (ko) * 2019-12-13 2021-11-15 세메스 주식회사 박막 식각 방법 및 장치
KR102624576B1 (ko) * 2020-11-23 2024-01-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3414916B2 (ja) 1996-02-27 2003-06-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および方法
JPH10137664A (ja) 1996-11-15 1998-05-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置および処理方法
JP3739220B2 (ja) 1998-11-19 2006-01-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法及びその装置
JP2002009035A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Toshiba Corp 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
EP1233441A1 (en) * 2001-02-19 2002-08-21 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Arrangement and a method for reducing contamination with particles on a substrate in a process tool
TWI261875B (en) 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
JP3958594B2 (ja) 2002-01-30 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007523463A (ja) * 2004-02-24 2007-08-16 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び方法
CN1921955A (zh) * 2004-02-24 2007-02-28 株式会社荏原制作所 衬底处理设备和方法
KR20070035476A (ko) 2004-02-24 2007-03-30 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4047325B2 (ja) 2004-10-26 2008-02-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7767026B2 (en) 2005-03-29 2010-08-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4446917B2 (ja) 2005-03-29 2010-04-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US7914626B2 (en) 2005-11-24 2011-03-29 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus
JP5975563B2 (ja) 2012-03-30 2016-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6017338B2 (ja) 2012-07-11 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、洗浄用治具および洗浄方法
JP2014203906A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 株式会社荏原製作所 基板処理方法
JP6255650B2 (ja) 2013-05-13 2018-01-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6250973B2 (ja) * 2013-08-08 2017-12-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6242135B2 (ja) 2013-09-27 2017-12-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI597770B (zh) * 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6229933B2 (ja) 2013-09-27 2017-11-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
JP6320762B2 (ja) 2014-01-15 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6440111B2 (ja) 2014-08-14 2018-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法

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