JP6385466B2 - 周辺露光装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板の外周部に対して露光をするための周辺露光装置に関する。

半導体デバイスの製造工程において、一般に半導体基板に対し複数回のフォトリソグラフィ工程が実施される。フォトリソグラフィ工程では、半導体基板上の特定の箇所をエッチングやイオン注入するためのマスクパターンが形成される。当該マスクパターンはたとえばレジストなどの感光性材料を用いて形成される。

感光性材料は、一般にスピンコート法により半導体基板上に塗布される。スピンコート法では、たとえば回転している半導体基板の中心上に塗布材料を滴下し、遠心力により塗布材料を塗り広げる。そのため、半導体基板の外周部にも塗布材料が塗布される。このとき、半導体基板の外周部にべベル部（面取りされた傾斜部）が形成されている場合には、べベル部上にも塗布材料が塗布される。

このようにして外周部やべベル部上に形成された感光性材料からなるマスクパターンは、半導体基板を収納するカセット内や半導体製造装置内において接触等により破壊されてパーティクルの発生源となる。

こうした問題に対し、特願昭６０−２８３６１３号（特開昭６２−１４２３２１号公報）には、レジストが盛り上がった部分が端部に形成された半導体基板に対し、当該端部のみに露光を行う露光装置が記載されている。また、特願平１０−０２５１８３号（特開平１１−２１４２９４号公報）には、ＳＯＩウエハ等の段差付ウエハの周辺部にのみ露光を行う周辺露光装置が記載されている。

また、半導体基板の内周部が薄肉化処理されることにより外周部に段差部（裏面側において内周部に対し凸状のリブ部）が形成されている段差部付基板に対し、当該裏面上に塗布材料を塗布する場合には、当該段差部上にも塗布材料が塗布される。すなわち、段差部において内周側に位置する内周端面およびテラス面（段差部の頂面）上にも塗布材料が塗布される。

特願昭６０−２８３６１３号（特開昭６２−１４２３２１号公報） 特願平１０−０２５１８３号（特開平１１−２１４２９４号公報）

しかしながら、上述した従来技術は、段差部付基板に対して適用することが困難である。具体的には段差部の内周端面上に形成されている感光性膜に対して十分な露光を行うことができないため、当該感光性膜を現像により十分に除去することができないという問題があった。その結果、当該感光性膜がその後工程においてパーティクル発生源となり、段差部付基板自身や半導体製造装置などを汚染するという問題があった。

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、段差部が形成されている半導体基板の当該段差部の内周端面に対し、該内周端面上に形成されている感光性膜を現像により除去可能な程度に十分に露光可能な周辺露光装置を提供することにある。

本発明に係る周辺露光装置は、半導体基板の外周部を露光するための周辺露光装置であって、前記外周部に対して光を照射可能に設けられている光源と、前記光源から照射される前記光の光軸と交差する方向に延びるように形成されている反射面を有するミラーとを備える。前記ミラーは、前記半導体基板の前記外周部を露光するときに、前記半導体基板の径方向において前記外周部と前記半導体基板の中心との間に位置するように設けられている。

本発明によれば、段差部が形成されている半導体基板の当該段差部の内周端面に対し、ミラーによる反射光を照射することができるため、該内周端面上に形成されている感光性膜を現像により除去可能な程度に十分に露光可能な周辺露光装置を提供することができる。

本実施の形態に係る周辺露光装置を説明するための断面図である。 本実施の形態に係る周辺露光装置を説明するためのブロック図である。 本実施の形態に係る周辺露光装置を説明するための上面図である。 本実施の形態に係る周辺露光装置により露光された半導体基板を説明するための断面図である。 本実施の形態に係る周辺露光装置により露光され、現像された半導体基板を説明するための断面図である。 本実施の形態に係る周辺露光装置の変形例を説明するための断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。

はじめに、図１を参照して、本実施の形態に係る周辺露光装置１０が処理対象とする半導体基板１００について説明する。図１は、本実施の形態に係る周辺露光装置１０およびその露光対象である半導体基板１００の構成を説明するための断面図である。

周辺露光装置１０が露光対象とする半導体基板１００は、第１の主面１００Ａを有し、第１の主面１００Ａの外周に凸状である段差部１０２を有している。言い換えると、半導体基板１００は、第１の主面１００Ａを有する内周部（平坦部）１０１と、平坦部１０１を外周側において囲むように形成されている外周部（段差部）１０２とを有している。

半導体基板１００は、第１の主面１００Ａの反対側に位置し、平坦部１０１から段差部１０２まで連なる第２の主面１００Ｂをさらに有している。半導体基板１００は、段差部１０２において第２の主面１００Ｂの反対側に位置する頂面１００Ｄを有している。半導体基板１００は、さらに段差部１０２の内周側に位置し第１の主面１００Ａと交差する方向に延び、第１の主面１００Ａおよび頂面１００Ｄと連なっている内周端面１００Ｃを有している。また、内周端面１００Ｃは、半導体基板１００を平面視したときに、周方向に連なるように形成されている。第１の主面１００Ａに垂直な方向における第１の主面１００Ａと頂面１００Ｄとの距離は、たとえば６８０μｍである。

半導体基板１００の第１の主面１００Ａ、内周端面１００Ｃ、および頂面１００Ｄ上には、感光性を有する膜としてたとえばレジスト１１０が形成されている。レジスト１１０は、半導体基板１００の平坦部１０１上において第１の主面１００Ａと略平行に形成されている第３の主面１１０Ａと、第３の主面１１０Ａと連なるとともに第３の主面１１０Ａと交差する方向に延びる端面１１０Ｃと、端面１１０Ｃと連なるとともに第３の主面１１０Ａに対して所定の高さにある頂面１１０Ｄとを有している。なお、半導体基板１００やレジスト１１０の各面は、平面に限られず曲面であってもよい。

次に、図１および図２を参照して、本実施の形態に係る周辺露光装置１０について説明する。図２は、本実施の形態に係る周辺露光装置１０を説明するためのブロック図である。周辺露光装置１０は、周辺露光装置１０と半導体基板１００との相対的な位置関係を制御する制御部２０と、周辺露光装置１０または半導体基板１００を搭載しているチャックテーブル６を駆動する駆動部３０とを備えている。周辺露光装置１０は、光源１とミラー２とをさらに備えている。さらに、周辺露光装置１０は半導体基板１００を搭載可能に設けられているチャックテーブル６と、チャックテーブル６を回転可能に設けられている回転軸７とをさらに備えている。

光源１およびミラー２は、露光対象のレジスト１１０部分（段差部１０２上に形成されているレジスト１１０）に対し、当該レジスト１１０を現像によりムラなく除去可能とすることができる条件で露光可能に設けられている。

光源１は、半導体基板１００の段差部１０２に対して第１の主面１００Ａ側から光を照射可能に設けられている。光源１は、塗布されたレジスト１１０（感光性膜）の感光波長や感度等に合わせて適宜選択すればよく、たとえば、高圧水銀灯のｇ線（波長：４３６ｎｍ）、高圧水銀灯のｈ線（波長：４０５ｎｍ）、高圧水銀灯のｉ線（波長：３６５ｎｍ）などを照射可能な光源であってもよい。または光源１は、半導体レーザー（波長：８３０ｎｍ、５３２ｎｍ、４８８ｎｍ、４０５ｎｍ等）、ＹＡＧレーザー（波長：１０６４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマーレーザー（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマーレーザー（波長：１５７ｎｍ）等であってもよい。光源１は、照射する光の光軸Ｌ１が第１の主面１００Ａおよび頂面１００Ｄに対して交差する方向に延びるように設けられているが、たとえば光軸Ｌ１が第１の主面１００Ａおよび頂面１００Ｄに対し垂直となるように設けられている。

光源１は、半導体基板１００の径方向における段差部１０２上に形成されているレジスト１１０の幅ｗ１（半導体基板１００の外周端面１００Ｅと端面１１０Ｃとの最大距離）よりも幅広の領域に投光可能に設けられている。具体的には、段差部１０２上のレジスト１１０を露光するときにおける、ミラー２の反射面２Ａの端部（半導体基板１００の外周側に位置する端部）と、第３の主面１１０Ａと端面１１０Ｃとの交点との上記径方向における距離（ミラー２の反射面２Ａと端面１１０Ｃとの最短距離）ｌ１を考慮して、光源１により投光可能な領域幅は、当該幅ｗ１よりも少なくとも距離ｌ１以上に幅広である。光源１により投光可能な領域幅は、当該幅ｗ１に対して、たとえば反射面２Ａの端部（半導体基板１００の内周側に位置する端部）と第３の主面１１０Ａと端面１１０Ｃとの交点との上記径方向における距離ｌ２程度に幅広である。なお、距離ｌ１は、第１の主面１００Ａ上においてレジスト１１０を残存させておく領域の広さに応じて任意に決めることができる。

ミラー２は、光源１から照射される光の光軸Ｌ１と交差する方向に延びるように配置されている反射面２Ａを含む。ミラー２は、段差部１０２の内周側に配置される。ミラー２は、光源１から照射された光を反射面２Ａにより内周端面１００Ｃに向けて反射可能に設けられている。異なる観点から言えば、ミラー２は、半導体基板１００の外周部を露光するときに、半導体基板１００の径方向において段差部１０２と半導体基板１００の中心Ｃとの間に位置するように設けられている。反射面２Ａは、光軸Ｌ１に対して傾斜角θ１を成すように設けられている。ミラー２は、反射面２Ａと端面１１０Ｃおよび内周端面１００Ｃとが対向するように配置される。ミラー２は、ミラー支持台３に支持されている。ミラー２の反射面２Ａは、端面１１０Ｃの広い領域（光源１から照射された光軸Ｌ１の光では直接露光され難い領域）に対して、光源１から照射された光を反射光として照射可能に設けられているのが好ましい。反射面２Ａは、光源１から照射された光を所定の領域にのみ反射可能に設けられている限りにおいて、散乱機能を有する面（たとえば凹凸部を含む面）であってもよいが、好ましくは鏡面である。反射面２Ａは、平面であってもよいし曲面部を有していてもよい。

ミラー支持台３は、段差部１０２の内周側に位置し、反射面２Ａと端面１１０Ｃおよび内周端面１００Ｃとが対向するように、半導体基板１００に対してミラー２を位置決め可能に設けられている。つまり、ミラー支持台３は、第１の主面１００Ａに垂直な方向において、段差部１０２の頂面１００Ｄと第１の主面１００Ａとの間に位置する領域内でミラー２を支持可能である。また、ミラー支持台３は、半導体基板１００の径方向において、段差部１０２の内周端面１００Ｃと半導体基板１００の中心Ｃとの間に位置する領域内でミラー２を支持可能である。ミラー支持台３は、駆動部３０に接続されており、駆動部３０からの信号に基づいて、チャックテーブル６に対して相対的に移動可能に設けられている。

このとき、光軸Ｌ１に対する反射面２Ａの傾斜角θ１は、端面１１０Ｃに対して効果的に露光する観点から、端面１１０Ｃと第１の主面１００Ａとの成す角度に応じて決定される。好ましくは、ミラー２は傾斜角θ１を変更可能にミラー支持台３に支持されている。つまり、ミラー支持台３は、光の光軸Ｌ１に対する反射面２Ａの角度θ１を変更可能にミラー２を支持可能に設けられているのが好ましい。異なる観点から言えば、ミラー支持台３は、反射面２Ａにより反射された反射光の光軸Ｌ２が延びる方向を変更可能に設けられているのが好ましい。この場合、ミラー２は、ミラー支持台３上に設けられているミラー可動部４に搭載されている。ミラー可動部４は、たとえば傾斜角θ１が３０度以上８０度以下となるようにミラー２を回動可能に設けられている。ミラー可動部４は、従来周知の任意の構成を利用することができる。

周辺露光装置１０は、ミラー２またはミラー支持台３と半導体基板１００との距離を検出可能な検出部をさらに備えているのが好ましい。検出部は、半導体基板１００の厚み方向におけるミラー２と半導体基板１００の内周部（第１の主面１００Ａまたは第３の主面１１０Ａ）との距離を検出可能な第１センサ５を含む。

第１センサ５は、非接触式の任意のセンサであればよいが、たとえば光学式センサや超音波式センサなどである。センサ５が光学式センサの場合、センサ５はレーザダイオードやＬＥＤなどの発光素子を有する投光部とフォトダイオード、ＣＭＯＳ、ＣＣＤなどの受光素子を有する受光部とを含む。センサ５は、たとえばミラー支持台３と一体として設けられている。この場合、第１センサ５の受光部（検出部）は、ミラー支持台３の下面と同一面上に配置されている。つまり、センサ５は、たとえばミラー支持台３において第１の主面１００Ａと最も近接する部分、あるいはミラー支持台３と一体として設けられている部材において当該最も近接する部分と第１の主面１００Ａに対して同等の距離を有する部分上に設けられている。第１センサ５は、制御部２０と接続されている。制御部２０は、第１センサ５の検出結果に基づいて、駆動部３０による駆動を制御している。

なお、センサ５は、ミラー２と一体として設けられていてもよい。センサ５は、たとえば第１の主面１００Ａに垂直な方向におけるミラー２と第１の主面１００Ａまたは第３の主面１１０Ａとの距離を検出可能に設けられている。

チャックテーブル６は、半導体基板１００の第２の主面１００Ｂを真空チャック可能に設けられている。第２の主面１００Ｂに沿った方向におけるチャックテーブル６の中心は、回転軸７と接続されている。つまり、チャックテーブル６は、回転軸７により半導体基板１００を真空チャックした状態で回転可能に設けられている。

ミラー支持台３とチャックテーブル６とは、少なくともいずれか一方が他方に対して相対的に移動可能に設けられている。たとえば、周辺露光装置１０において、チャックテーブル６が半導体基板１００を真空チャックした状態で第１の主面１００Ａに垂直な方向において固定される場合には、ミラー支持台３は半導体基板１００に対して少なくとも第１の主面１００Ａに垂直な方向に移動可能に設けられている。ミラー支持台３は、たとえばセンサ５により検出されるミラー２と半導体基板１００の第３の主面１１０Ａとの距離が１ｍｍ以下となるように、チャックテーブル６に対し移動可能に設けられているのが好ましい。

また、図１に示すように、光源１とミラー支持台３とは一体として設けられていてもよい。この場合、光源１とミラー支持台３とは一体として半導体基板１００に対して移動可能に設けられていてもよい。なお、チャックテーブル６が回転軸７により回転可能に設けられていない場合には、光源１およびミラー支持台３を半導体基板１００の中心を回転中心として第１の主面１００Ａと平行な面内において回転可能に設けられていてもよい。

図３は、本実施の形態に係る周辺露光装置を説明するための上面図である。図３を参照して、半導体基板１００の第１の主面１００Ａ側に位置する光源１、ミラー２、ミラー支持台３、ミラー可動部４、第１センサ５は、半導体基板１００の周方向に連なるように形成されている内周端面１００Ｃの少なくとも一部と対向可能に設けられていればよい。このようにしても、チャックテーブル６を当該周方向に回転することによって、チャックテーブル６に搭載された半導体基板１００の内周端面１００Ｃ全面に対し露光することができる。なお、光源１、ミラー２、ミラー支持台３、ミラー可動部４、第１センサ５は、半導体基板１００の周方向に連なるように形成されている内周端面１００Ｃの全面と対向可能に設けられていてもよい。

次に、本実施の形態に係る周辺露光装置１０の作用効果について説明する。
本実施の形態に係る周辺露光装置１０は、半導体基板１００の外周部を露光するための周辺露光装置であって、外周部に対して光を照射可能に設けられている光源１と、光源１から照射される光の光軸と交差する方向に延びるように形成されている反射面２Ａを有するミラー２とを備える。ミラー２は、半導体基板１００の外周部を露光するときに、半導体基板１００の径方向において外周部と半導体基板１００の中心Ｃとの間に位置するように設けられている。

このような周辺露光装置１０は、半導体基板１００の外周部に設けられている段差部１０２の頂面１００Ｄに対して光を照射可能であるとともに、段差部１０２の内周端面１００Ｃに対して光源１からミラー２に照射された光を反射光として照射可能である。そのため、周辺露光装置１０によれば、頂面１００Ｄ上に形成されているレジスト１１０のみならず、内周端面１００Ｃ上に形成されて端面１１０Ｃを有している感光性膜（レジスト１１０）に対しても露光することができる。つまり、周辺露光装置１０は、段差部１０２上に形成されておりパーティクル発生源となり得るレジスト１１０部分全体を露光することができる。その結果、現像により当該レジスト１１０部分を除去することができ、後工程において半導体基板１００自身や半導体製造装置などを汚染するという問題の発生を抑制することができる。

図４は、本実施の形態に係る周辺露光装置１０により露光された半導体基板１００を説明するための断面図である。図４を参照して、周辺露光装置１０は、段差部１０２上（内周端面１００Ｃおよび頂面１００Ｄ）に形成されたレジスト１１０と、平坦部１０１の第１の主面１００Ａ上に形成されたレジスト１１０における外周側の一部分とを露光することができる。このように露光されたレジスト領域１１１は、段差部１０２上に形成されておりパーティクル発生源となり得るレジスト１１０部分全体を含んでいる。

図５は、本実施の形態に係る周辺露光装置１０により露光された後現像された半導体基板１００を説明するための断面図である。図５を参照して、周辺露光装置１０により露光された後現像された半導体基板１００は、露光されたレジスト領域１１１が現像により除去されている。そのため、当該半導体基板１００は、後工程において第１の主面１００Ａ上に残存しているレジスト１１０を用いて加工され得るとともに、段差部１０２上に形成されたレジスト１１０に起因したパーティクルの発生が抑制されている。その結果、当該半導体基板１００を用いることにより、高い歩留りで半導体装置を製造することができる。

周辺露光装置１０は、ミラー２と半導体基板１００との距離を検出可能な検出部（第１センサ５を有する）をさらに備えているのが好ましい。

このようにすれば、検出部での検出結果に基づきミラー支持台３またはチャックテーブル６の位置決めを行うことで、ミラー２と半導体基板１００とが接触することを防止することができるとともに、ミラー２と半導体基板１００との当該距離を十分に短くすることができる。具体的には、第１センサ５により検出された第１の主面１００Ａに垂直な方向におけるミラー２と半導体基板１００との距離に基づいてミラー２と半導体基板１００との相対的な位置関係を変更することにより、ミラー２と半導体基板１００とが接触しないようにしつつ、ミラー２と半導体基板１００とを第１の主面１００Ａに垂直な方向において十分に近づけることができる。そのため、段差部１０２の内周端面１００Ｃからの反射光やミラー２の反射面２Ａからの反射光が、たとえば光軸Ｌ１に沿った方向においてミラー２やミラー支持台３と重なる領域に形成されているレジスト１１０など、残存させておく必要がある領域のレジスト１１０に対しても露光してしまうことを抑制することができる。

また、周辺露光装置１０は反射面２Ａが内周端面１００Ｃと対向するようにミラー２を支持可能なミラー支持台３をさらに備えている。ミラー支持台は、光源１から照射された光の光軸Ｌ１に対する反射面２Ａの角度を変更可能なミラー可動部４を有している。

このようにすれば、ミラー２により反射された光が内周端面１００Ｃ上に形成されているレジスト１１０に達するまでに遮られないように半導体基板１００に対しミラー２を配置することができる。その結果、周辺露光装置１０は、段差部１０２上に形成されておりパーティクル発生源となり得るレジスト１１０部分全体を露光することができる。さらに、レジスト１１０の端面１１０Ｃの傾斜角θ２（図１参照）に応じてミラー２の反射面２Ａの角度θ１を変更することにより、端面１１０Ｃを含む露光対象のレジスト１１０部分の全体に対する露光条件を最適化することができる。その結果、角度θ１が変更可能でなく露光条件が最適でない場合と比べて、現像により除去可能とするために必要な露光量を当該レジスト１１０部分全体に露光するために必要な露光時間を短縮することができる。

検出部に含まれる第１センサ５は、ミラー支持台３の下面と同一面上に配置されていてもよい。このようにすれば、ミラー支持台３と半導体基板１００とが接触することを防止することができるとともに、ミラー２およびミラー支持台３と半導体基板１００とを第１の主面１００Ａに垂直な方向において十分に近づけることができる。

周辺露光装置１０において、光源１とミラー支持台３とは一体として半導体基板１００に対して移動可能に設けられていてもよい。

このようにすれば、光源１とミラー支持台３とがそれぞれ駆動機構を有する場合と比べて、装置構成を簡略化することができ、周辺露光装置１０の製造コストを低減することができる。また、光源１とミラー２との相対的な位置関係に関する制御パラメータを減らすことができる。

検出部は、半導体基板１００の厚み方向におけるミラー２と半導体基板１００において外周部に囲まれる内周部との距離を検出可能な第１センサ５を含んでいるのが好ましい。

このようにすれば、上述のように第１センサ５により検出された距離に基づいて、ミラー２と半導体基板１００とを第１の主面１００Ａに垂直な方向において十分に近づけることができる。そのため、段差部１０２の内周端面１００Ｃからの反射光やミラー２の反射面２Ａからの反射光が、たとえば光軸Ｌ１に沿った方向においてミラー２やミラー支持台３と重なる領域に形成されているレジスト１１０など、残存させておく必要がある領域のレジスト１１０に対しても露光してしまうことを抑制することができる。

周辺露光装置１０は、半導体基板１００を回転可能に支持する基板支持台（チャックテーブル６）をさらに備えているのが好ましい。

このようにすれば、光源１およびミラー２をたとえば半導体基板１００の周方向に沿って回転させることなく、当該周方向に連なるように形成されている段差部１０２上に形成されたレジスト１１０を露光させることができる。

図６は、本実施の形態に係る周辺露光装置１０の変形例を示す断面図である。図６を参照して、検出部は、基本的には図１に示した周辺露光装置１０と同様の構成を備えるが、半導体基板１００の径方向におけるミラー２と外周部との距離を検出可能な第２センサ８を含んでいてもよい。第２センサ８は、第１の主面１００Ａに沿った方向におけるミラー２もしくはミラー支持台３と半導体基板１００の内周端面１００Ｃもしくは端面１１０Ｃとの距離（たとえば上記最短距離ｌ１）、またはミラー２と内周端面１００Ｃまたは端面１１０Ｃとの接触を検出可能に設けられている。このようにすれば、第２センサ８により検出された半導体基板１００の径方向におけるミラー２と外周部（段差部１０２）との距離に基づいてミラー２と半導体基板１００との相対的な位置関係を変更することにより、上述した距離ｌ１を制御することができ、ミラー２と端面１１０Ｃとを上記径方向において十分に近づけることができる。そのため、第１の主面１００Ａ上において残存させておく必要がある領域のレジスト１１０に対しても露光してしまうことを抑制することができる。第２センサ８は、第１センサ５と同様に、非接触式の任意のセンサであればよいが、たとえば光学式センサや超音波式センサなどである。

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲のすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、外周部に段差部を有する半導体基板の当該外周部を露光するための露光装置に特に有利に適用される。

１ 光源、２ ミラー、２Ａ 反射面、３ ミラー支持台、４ ミラー可動部、５ 第１センサ、６ チャックテーブル、７ 回転軸、８ 第２センサ、１０ 周辺露光装置、１００ 半導体基板、１００Ａ 第１の主面、１００Ｂ 第２の主面、１００Ｃ 内周端面、１００Ｄ，１１０Ｄ 頂面、１００Ｅ 外周端面、１０１ 平坦部、１０２ 段差部、１１０ レジスト、１１０Ａ 第３の主面、１１０Ｃ 傾斜面。

Claims (9)

1. 半導体基板の外周部を露光するための周辺露光装置であって、
   前記外周部に対して光を照射可能に設けられている光源と、
   前記光源から照射される前記光の光軸と交差する方向に延びるように配置されている反射面を有するミラーとを備え、
   前記ミラーは、前記半導体基板の前記外周部を露光するときに、前記半導体基板の径方向において前記外周部と前記半導体基板の中心との間に位置するように設けられており、かつ前記外周部に対して、前記反射面により反射された反射光を前記光源から前記外周部に照射される前記光の光軸とは異なる方向に照射するように設けられている、周辺露光装置。
2. 前記ミラーと前記半導体基板との距離を検出可能な検出部をさらに備える、請求項１に記載の周辺露光装置。
3. 前記ミラーを支持可能なミラー支持台をさらに備え、
   前記ミラー支持台は、前記光の前記光軸に対する前記反射面の角度を変更可能なミラー可動部を有している、請求項２に記載の周辺露光装置。
4. 前記検出部は、前記ミラー支持台の下面と同一面上に配置されている、請求項３に記載の周辺露光装置。
5. 前記検出部は前記ミラー支持台と接続されている、請求項３または請求項４に記載の周辺露光装置。
6. 前記光源と前記ミラー支持台とは一体として前記半導体基板に対し移動可能に設けられている、請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載の周辺露光装置。
7. 前記検出部は、前記半導体基板の厚み方向における前記ミラーと前記半導体基板において前記外周部に囲まれる内周部との距離を検出可能な第１センサを含む、請求項２〜請求項６のいずれか１項に記載の周辺露光装置。
8. 前記検出部は、前記半導体基板の径方向における前記ミラーと前記外周部との距離を検出可能な第２センサを含む、請求項２〜請求項７のいずれか１項に記載の周辺露光装置。
9. 前記半導体基板を回転可能に支持する基板支持台をさらに備える、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の周辺露光装置。

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