JPH09115816A - 基板の周辺露光方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の周辺領域にアライメント用のマークを
形成した場合に、当該マークの形状を維持すること。 【解決手段】 基板（Ｗ）上の周辺領域内にアライメン
ト用のマーク（１１０）を形成した場合に、基板（Ｗ）
の後処理工程に応じて、マーク（１１０）を覆う感光層
の露光の要否を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板の周辺露光方法
及び装置に関し、特に、基板の周辺領域に位置合わせ用
のマークを形成した際の周辺露光方法及び装置に関す
る。

【０００２】

【背景技術】周辺露光は、マスク上のパターンが転写さ
れる感光性の基板の周辺領域を露光するものである。こ
のような周辺露光は、主に基板の周辺領域を保護するた
めに行われる。すなわち、マスク上のパターンを基板に
転写露光する場合、先ず、基板の表面全体にフォトレジ
ストを塗布し、基板の周辺領域を露光する。その後、基
板のパターン露光領域にマスクのパターンを転写露光
し、現像、エッチング等の後処理が行われる。周辺露光
により、エッチング等の後処理により基板の周辺領域の
レジストが露光領域に侵入すを防止することができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板の
周辺領域に位置合わせ用のマーク等を形成した場合、パ
ターン露光後の後処理によって、マーク形状が崩れ、又
は消滅してしまう可能性がある。このように位置合わせ
用のマークの形状が崩れ、又は消滅してしまうと、後に
マークの位置を検出して基板の位置合わせを行うような
場合に、マーク位置を正確に検出できなくなるという不
都合が生じる。

【０００４】従って、本発明の目的は、基板の周辺領域
にアライメント用のマークを形成した場合に、当該マー
クの形状を維持できる周辺露光方法及び装置を提供する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による周辺露光方法においては、基板上の周
辺領域内にアライメント用のマークを形成した場合に、
基板の後処理工程に応じて、マークを覆う感光層の露光
の要否を決定している。

【０００６】

【発明の実施の態様】本発明の実施の態様を以下に示す
実施例に基づいて詳細に説明する。本実施例を露光シス
テムに適用したものである。

【０００７】

【実施例】図１は、本実施例の露光システムを示す。こ
のシステムは、本発明に係る周辺露光装置６００と、周
辺露光装置６００を組み込んだプリアライメント用の位
置合わせ装置１００と、ウエハ搬送装置２００と、露光
装置３００とから構成されており、各装置は主制御部４
００により統括的に制御される。

【０００８】プリアライメント用の位置合わせ装置１０
０は、ウエハＷを載置固定するプリアライメント用のウ
エハホルダ１０２と、このウエハホルダ１０２を回転駆
動するモータ１０６等の回転機構とを備えている。回転
機構１０６の動作は、主制御部４００からの指令に応じ
て、回転制御部１０８を介して制御される。なお、回転
機構１０６、又はウエハホルダ１０２には、ロータリー
エンコーダ等の位置計測装置（不図示）が設けられてお
り、ウエハＷの回転量（回転角）を計測できるように構
成されている。また、ウエハホルダ１０２の周囲には、
図２（Ａ）に示すようなプリアライメントピン１０４
ａ、１０４ｂ、１０４ｃが略同心円上に配置されてい
る。これらのピン１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃを半径
方向に駆動することによって、ウエハＷの中心Ｏとウエ
ハホルダ１０２の中心Ｏ’とが一致するように位置合わ
せされる。その際、図２（Ｂ）に示すように、ウエハＷ
に配置合わせすべき所定の位置に対する微少なオフセッ
ト（２次元方向の位置ずれＯ−Ｏ’）と回転ずれ△θと
が残存している。

【０００９】ウエハＷ（ウエハホルダ１０２）の上方に
は、アライメント光学系５００が設置されている。アラ
イメント光学系５００は、図３に示すように、光照射部
（５０３、５０６、５０８、５１０、５１２）と受光部
（５１２、５１０、５１４、５１６、５１８、５２０）
とを備えている。ウエハＷの表面外周部には、図４に示
す基準マーク１１０が形成されており、この基準マーク
１１０がアライメント光学系５００の光照射部（５０
３、５０６、５０８、５１０、５１２）からの照明光５
０４で照射され、同基準マーク１１０によって回折され
た光５２２が受光部（５１２、５１０、５１４、５１
６、５１８、５２０）によって検出される。

【００１０】図３は、レーザスポット５０４の長手方向
から見た構成図であり、実線はレーザビームの広がりを
示し、破線はその瞳像を示している。アライメント光学
系５００は、レーザビーム光源５０３を備え、レーザ光
源５０３から射出されたレーザビーム５０４は、ビーム
エキスパンダ５０６、５０８によって広げられる。ビー
ムエキスパンダ５０６、６０８を透過したレーザビーム
５０４は、ハーフミラー５１０で偏向され、シリンドリ
カルレンズ５１２によって集光されてウエハＷの表面
（基準マーク１１０）を照射する。ウエハＷの表面（基
準マーク１１０）において反射された光は、シリンドリ
カルレンズ５１２を経て、ハーフミラー５１０を透過
後、リレーレンズ５１４、５１６によってアパーチャ５
１８に達する。そして、アパーチャ５１８により選択さ
れた回折光又は散乱光のみが、受光器５２０に達するよ
うに構成されている。

【００１１】主制御部４００は、回転制御部１０８から
出力されるウエハＷ（ウエハホルダ１０２）の回転角度
を示す信号に同期して、アライメント光学系５００の制
御部に同期信号を出力する。アライメント光学系５００
の制御部５０２は、この同期信号に合わせて、受光器５
２０により受光された回折光又は散乱光を取り込むよう
に構成されている。

【００１２】ウエハ搬送装置２００は、ウエハを搬送す
るウエハ搬送アーム２０２と、ウエハ搬送アーム２０２
を駆動するローダ駆動部２０４と、ウエハローダ制御部
２０６とから主に構成される。そして、主制御部４００
からの指令に応じて、位置合わせ装置１００によりプリ
アライメンとされたウエハＷを露光装置３００のウエハ
ホルダ３０２上に搭載するようになっている。

【００１３】露光装置３００は、投影光学系３０４を備
えており、レチクルステージ３０６上に載置されたレチ
クル又はマスク３０８に形成された回路パターンを投影
光学系３０４を介して、ウエハホルダ３０２上に載置さ
れたウエハＷ上に投影露光する。ウエハホルダ３０２
は、ウエハステージ３１０上に載置され、ＸＹ方向及び
θ方向に高精度にアライメントされる。図中、３１２
ａ、３１２ｂはレーザ干渉計であり、ウエハステージ３
１０の位置を検出する。ウエハステージ制御部３１４
は、レーザ干渉計３１２ｂの出力を受けて、不図示の駆
動装置により、ウエハステージ３１０を精密にアライメ
ントする。

【００１４】次に、図４を参照してウエハＷの表面に形
成される基準マーク１１０の配置について説明する。基
準マーク１１０は、レーザアライメント光学系５００に
より照射されるレーザ照明スポット５０４の長手方向に
格子状に形成されたマークである。基準マーク１１０
は、回路パターンが形成されるパターン形成領域１１４
の外側（周辺領域）に設けられ、ウエハを回転させた時
にアライメント光学系５００からのレーザスポット５０
４を横切るように配置されている。

【００１５】図５（Ａ）、（Ｂ）に、プリアライメント
装置１００において、ウエハＷの表面に形成された基準
マーク１１０にレーザスポット５０４を照射する様子を
示す。なお、図５（Ａ）はレーザスポット５０４の長手
方向から見た様子であり、図５（Ｂ）はレーザスポット
５０４の幅方向から見た様子である。レーザスポット５
０４を照射しながら、モータ１０６によってウエハＷを
任意の位置から図４の矢印で示すように回転させなが
ら、回折光５２２を受光することにより、図６に示すよ
うな回折光の強度と回転角度θとの関係を得ることがで
きる。

【００１６】次に、周辺露光装置６００について説明す
る。周辺露光装置６００は、周辺露光用の光を射出する
水銀ランプ６０２と、水銀ランプ６０２から出力された
光をウエハＷの周辺領域に導く光ファイバ６０４と、光
ファイバ６０４をＸＹ平面内で移動可能に支持する露光
位置制御機構６０６と、露光位置制御機構６０６を駆動
する駆動装置６０８と、ウエハＷに達する周辺露光用の
光を必要に応じて遮光するシャッタ６１０と、シャッタ
６１０を駆動する駆動装置６１２と、周辺露光用の光の
うちウエハＷから外れた光を検出するディテクタ６１４
と、主制御部４００に接続され、周辺露光装置６００全
体の制御を行う周辺露光制御部６１８と、主制御部４０
０からの情報を記憶する記憶部６２０とを備えている。

【００１７】上記のように構成された周辺露光装置６０
０において、シャッタ６１０はウエハＷ上に形成された
基準マーク１１０への露光光の照射を選択的に制御する
ものであり、周辺露光制御部６１８からの指令により、
駆動装置６１２を介して制御される。そして、基準マー
ク１１０を露光する場合には、シャッタ６１０を解放状
態にしておく。この時、基準マーク１１０の回転位置
（角度）は、上述したようにプリアライメント装置１０
０の回転機構１０６及び回転制御部１０８によって検出
される。一方、基準マーク１１０を露光しない場合に
は、回転制御部１０８によって検出される基準マーク１
１０の回転位置に基づいて、基準マーク１１０が周辺露
光用の光の光路上にあるときにのみシャッタ６１０を閉
じるようにする。

【００１８】基準マーク１１０を露光するか、否かの判
断は主制御部４００又は不図示の入力装置によってなさ
れ、その露光制御情報がウエハＷの各層（レイヤー）毎
に記憶部６２０に記憶される。周辺露光制御部６１８、
記憶部６２０に記憶された露光制御情報に基づいて、駆
動装置６１２を介してシャッタ６１０を制御する。基準
マーク１１０の露光、非露光は、露光装置３００による
ウエハＷの本露光後のプロセス処理等に基づき、基準マ
ーク１１０が後処理中に崩れたり、消滅したりしないよ
うに決定される。すなわち、ウエハＷ上に塗布されたレ
ジストがポジレジストであり、基準マーク１１０上のレ
ジストを除去した方がよい場合には、基準マーク１１０
を露光し、逆に、基準マーク１１０上のレジストを残し
ておいた方が良い場合には、基準マーク１１０を露光し
ないようにする。他方、ウエハＷ上に塗布されたレジス
トがネガレジストであり、基準マーク１１０上のレジス
トを除去した方がよい場合には、基準マーク１１０を露
光せず、逆に、基準マーク１１０上のレジストを残して
おいた方が良い場合には、基準マーク１１０を露光する
ようにする。なお、常に基準マーク１１０上のレジスト
を露光した方が良い、又は露光しない方が良いというよ
うに一定の場合には、記憶部６２０に記憶される基準マ
ーク１１０に対する露光制御情報は、ウエハＷの各層
（レイヤー）毎でなく、装置定数として設定しておいて
も良い。

【００１９】ディテクタ６１４は、周辺露光用の光のう
ちウエハＷから外れた光を検出し、検出信号を周辺露光
制御部６１８に供給する。周辺露光制御部６１８は、デ
ィテクタ６１４からの信号に基づき、駆動装置６０８を
介して露光位置制御機構６０６をフィードバック制御す
る。そして、露光位置制御機構６０６により、ウエハＷ
からずれた露光光の漏れ量に応じて、光ファイバ６０４
の出力端の向きを調整する。これにより、ウエハＷの適
切な位置に周辺露光用の光が照射される。

【００２０】次に、図１に示すシステムの動作について
説明する。予め、ウエハＷの表面の周辺領域の一部に基
準マーク１１０を形成し、基準マーク１１０を含めたウ
エハ表面全体にフォトレジストを塗布しておく。次に、
ウエハＷをウエハホルダ１０２上に載置し、プリアライ
メントピン１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃにより位置合
わせを行う。なお、ここでは接触式のプリアライメント
系で説明したが、光電検出により非接触でウエハＷの外
形位置を検出する方式でＸＹの位置を求めても良い。次
に、レーザ光源５０３を起動してレーザビーム５０４を
射出する、射出されたレーザビーム５０４は、ビームエ
キスパンダ５０６、５０８により拡張された後、ハーフ
ミラー５１０によりウエハＷ方向に偏向され、シリンド
リカルレンズ５１２により集光されてウエハＷの表面
（基準マーク１１０）を照射する。

【００２１】このように、レーザビーム５０４によりウ
エハＷの表面を照射した様子を図７に示す。なお、図７
は図３の視野方向に直交した方向、すなわちレーザビー
ム５０４の幅方向から基準マーク１１０を見た様子を示
す。所定間隔をあけて配置された格子状の基準マーク１
１０に平行なレーザビーム５０４を照射することによ
り、格子状の基準マーク１１０からの反射光は、同じ方
向を戻る０次光５２２ａと、±１次光５２２ｂ、±２次
光５２２ｃ等に分散された回折光５２２を構成する。

【００２２】基準マーク１１０からの回折光５２２ａ、
５２２ｂ、５２２ｃは、再びシリンドリカルレンズ５１
２を経て、ハーフミラー５１０を透過後、リレーレンズ
５１４、５１６によってアパーチャ５１８に達する。ア
パーチャ５１８は、瞳位置に対応して配置されると共
に、図８に示すように、中央部に遮光帯５１８ａを有
し、その両側に開口部５１８ｂを備えている、従って、
アパーチャ５１８に到達した回折光のうち、０次光５２
２ａは遮光帯５１８ａで遮光され、±１次光５２２ｂと
±２次光５２２ｃとが開口部５１８ｂを透過し、受光器
５２０に達することになる。

【００２３】そして、ウエハＷが回転すると、その回転
角度θに同期して、受光器５２０からのアナログ信号
は、アライメント光学系５００の制御器５０２によりデ
ジタル変換され、メモリ上に記憶される。その時得られ
る信号波形が図６に示されている。図６において、出力
信号θ１はウエハＷが０°地点よりθ１度回転したとき
にレーザスポット５０４をマーク１１０が通過したこと
を表している。従って、主制御系４００は、θ１の角度
に基づいてウエハの回転位置を知ることができる。

【００２４】次に、ウエハＷの周辺露光を行う。主制御
系４００から記憶装置６２０に記憶された露光制御情報
が、基準マーク１１０を露光するという情報の場合に
は、周辺露光制御部６１８が駆動装置６１２を介してシ
ャッタ６１０を解放状態にする。この状態で、ウエハＷ
を回転機構１０６により回転しつつ、水銀ランプ６０２
からの光をウエハＷの周辺露光領域に照射する。この
時、ディテクタ６１４は、周辺露光用の光のうちウエハ
Ｗから外れた光を検出する。周辺露光制御部６１８は、
ディテクタ６１４からの信号に基づき、駆動装置６０８
を介して露光位置制御機構６０６を制御して、水銀ラン
プ６０２から射出される周辺露光用の光がウエハＷ上の
適切な位置に照射されるようにする。

【００２５】記憶装置６２０に記憶された露光制御情報
が、基準マーク１１０を露光しないという情報の場合に
は、回転制御部１０８から出力される回転角度信号に基
づいてウエハＷの回転位置（基準マーク１１０の位置）
を主制御部４００により常時モニタする。周辺露光開始
後、基準マーク１１０が露光光の光路上に達すると、周
辺露光制御部６１８が駆動装置６１２を介してシャッタ
６１０を露光光の光路を遮るように移動させる。そし
て、基準マーク１１０が露光光の光路から外れると、周
辺露光制御部６１８が駆動装置６１２を介してシャッタ
６１０を露光光の光路の外側に移動させる。

【００２６】ウエハＷの周辺露光が終了した後、ウエハ
回転制御部１０８は、θ１の角度に基づいてウエハを受
け渡し位置にまで回転させる。そして、この受け渡し位
置において、ウエハＷをウエハ搬送アーム２０２に受け
渡すことで、プリアライメント動作が終了する。

【００２７】次に、ウエハＷをウエハ搬送アーム２０２
によって露光装置３００のウエハステージ３０２に搭載
する。そして、ウエハＷの各ショット領域に付設された
ウエハマーク（図示せず）により、ＥＧＡ（エンハンス
ト・グローバル・アライメント）方式や、ダイ・バイ・
ダイ方式等によってウエハＷのファインなアライメント
を行って、各ショット領域にレチクル３０８のパターン
像を露光する。なお、ウエハステージ３０２上のウエハ
Ｗのアライメントは、上述したＥＧＡ及びダイ・バイ・
ダイ方式に限定されない。ウエハＷの各露光領域（ショ
ット領域）へのパターン露光が終了した後は、ウエハＷ
を図示しないプロセス処理装置に搬送して、現像等のプ
ロセス処理が行われる。本実施例においては、予めウエ
ハＷの周辺領域に形成された基準マーク１１０が保護さ
れるように、基準マーク１１０上のレジストの露光制御
が行われているため、基準マーク１１０が潰れ、又は消
滅することがない。

【００２８】次に、ウエハＷの次の層に新たなパターン
を露光する場合には、新たなフォトレジストが塗布され
たウエハＷを再びプリアライメント装置１００のウエハ
ホルダ１０２上に載置し、上述したと同様の作業により
ウエハＷの周辺露光を行う。この時、ウエハのプロセス
処理が前回の露光の場合と変わる場合には、そのプロセ
ス処理に応じて基準マーク１１０の露光、非露光を決定
する。その後は、基準マーク１１０を用いてプリアライ
メントを行い、上述したのと同様の作業によりパターン
露光を行う。

【００２９】上述した実施例においては、ウエハＷをウ
エハホルダ１０２に載置した後、プリアライメントピン
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃが当接するウエハＷの外
形を基準として仮のウエハ中心Ｏを検出している。この
ため、ウエハの外形誤差分（例えば、約５０μｍ程度）
だけ、図２（Ｂ）に示すように、ウエハＷの中心Ｏと回
転中心Ｏ’にずれ（回転誤差△θ）が生じる場合があ
る。

【００３０】そこで、この点を改良した本発明の別の実
施例を図９に示す。この実施例によれば、図９（Ａ）に
示すように、２系統のアライメント光学系を設置して、
約１８０度離隔した２つのレーザスポット光５３０、５
３２により基準マーク１１０からの回折光を検出するよ
うに構成することができる。この場合、ウエハ中心Ｏと
回転中心Ｏ’がＹ方向に△Ｙだけずれていると、レーザ
スポット光５３０、５３２の検出角度が 2×arcsin(△Y
/Y) だけ変化することになる。また、回転誤差△θ、
検出された回転角度θを arcsin(△Y/Y) で補正した
値として認識することができる。従って、本実施例によ
れば、Ｙほうこうのずれ△Ｙと、回転誤差△θについて
も正確に認識することが可能となり、より精度の高いア
ライメントを行うことができる。尚、本実施例におい
て、ウエハＷの上下を認識可能にするためには、図示の
ように、レーザスポット光５３０、５３２の検出位置を
中心より△ａだけずらすか、左右対称なマークは位置形
状にしておく必要がある。

【００３１】また、図９（Ｂ）に示すように、２つの基
準マーク１１０ａ、１１０ｂを、例えば１８０度離して
配置し、これらの基準マーク１１０ａ、１１０ｂを単一
のレーザスポット光５３４により検出する構成により、
同図（Ａ）と同様の効果を得ることができる。なお、本
実施例において、ウエハＷの上下を認識可能にするため
には、基準マーク１１０ａ、１１０ｂの互いのマーク形
状やマルチマークピッチを変えることにより、双方のマ
ークの識別ができるように構成する必要がある。

【００３２】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特
許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想としての
要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。

【００３３】上記実施例においては、シャッタ６１０で
マーク１１０上のフォトレジストに与えられる露光量を
１００％、または０％という、ディジタルな切り替えで
ウエハＷの周辺領域への露光光５０４の照射制御をして
いるが、必ずしもこのような方式である必要はない。す
なわち、実際には、ウエハＷ上のフォトレジストが後処
理（現像工程）で除去されるか、残るかの閾値以上の露
光量を与えるか否かを調整すれば良い。従って、例え
ば、減光部材を露光光５０４の光路中に配置して、周辺
領域への露光量を調整することもできる。また、光源６
０２の発光強度を制御し、マーク１１０上のフォトレジ
ストに与えられる露光量を所定量（閾値）よりも多く、
又は少なくすることもできる。更に、ウエハＷを回転し
つつ周辺露光を行う場合で、マーク１１０上のフォトレ
ジストに露光光５０４を閾値以下にする場合には、露光
光５０４がマーク１１０を通過するときのウエハＷの回
転速度を速くするか、又は視野絞り等によってウエハＷ
上での露光光５０４の照射領域の移動方向の幅を狭くし
て、マーク１１０上のレジストに与えれられる露光量を
所定値（閾値）よりも少なくする方法もある。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、基板上の周辺領域内にアライメント用のマークを形
成した場合に、基板の後処理工程に応じて、マークを覆
う感光層の露光の要否を決定しているため、基板を多層
に渡って露光を行った場合にも、マークの形状が崩れた
り、消滅したりすることがない。その結果、基板１枚に
つきアライメント用のマークを一回形成すれば良く、ス
ループットの向上にもつながる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明を適用した露光システムの一実
施例の概略を示す構成図である。

【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ図１に示した
本発明の実施例の動作を示す説明図である。

【図３】図３は、図１に示した本発明の実施例のシステ
ムの要部の詳細をを示す側面図である。

【図４】図４は、図１に示した本発明の実施例のシステ
ムの動作を示す説明図（平面図）である。

【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ図１に示した
本発明の実施例のシステムの動作を示す正面図である。

【図６】図６は、図１に示した本発明の実施例のシステ
ムの作用を示すグラフである。

【図７】図７は、図１に示した本発明の実施例のシステ
ムの動作を示す拡大正面図である。

【図８】図８は、図１に示した本発明の実施例のシステ
ムの要部の詳細を示す拡大平面図である。

【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ本発明の他の
実施例を示す説明図（平面図）である。

【符号の説明】

１００・・・プリアライメント装置 １０６・・・回転機構 １０８・・・回転制御部 １１０・・・基準マーク ２００・・・搬送装置 ３００・・・露光装置 ４００・・・主制御部 ６００・・・周辺露光装置 ６０２・・・水銀ランプ ６１０・・・シャッタ ６１８・・・周辺露光制御部 ６２０・・・記憶部 Ｗ・・・ウエハ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスク上のパターンが転写される感光性
   の基板の周辺領域を露光する方法において、 前記基板上の周辺領域内にアライメント用のマークを形
   成するとともに、前記パターンが転写された基板の後処
   理工程に応じて、前記マークを覆う感光層の露光の要否
   を決定し、前記後処理工程で前記マークを保護すること
   を特徴とする周辺露光方法。
2. 【請求項２】 前記基板にはその外周部に切欠きが形成
   されていないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 感光層で覆われた基板をマスク上のパタ
   ーンの像で露光する方法において、 前記基板上の周辺領域内にアライメント用のマークを形
   成し、前記感光層を介して前記マークを光電検出して前
   記基板のアライメントを実行するとともに、前記パター
   ン像で前記基板を露光し、 前記パターン像で露光される基板の後処理工程に応じ
   て、前記マークを覆う感光層の露光の要否を決定し、該
   要否に従って前記基板上の周辺領域を露光することを特
   徴とする露光方法。
4. 【請求項４】 前記基板にはその外周部に切欠きが形成
   されていないことを特徴とする請求項３に記載の方法。
5. 【請求項５】 周辺領域が露光される、外周部に切欠き
   が形成されていない感光性の基板上の複数の領域の各々
   を、該基板の移動位置を規定する座標系上の所定点にア
   ライメントする方法において、 前記基板上の周辺領域内にアライメント用の第１マーク
   を形成するとともに、該第１マークを光電検出して前記
   基板のプリアライメントを実行し、 前記複数の領域にそれぞれ付設されるアライメント用の
   第２マークを光電検出して前記領域の前記座標系上での
   位置を検出するとともに、該検出された位置を利用して
   前記基板を移動し、前記領域を前記所定点にアライメン
   トすることを特徴とするアライメント方法。
6. 【請求項６】 マスク上のパターンが転写される感光性
   の基板の周辺領域を露光する装置において、 前記パターンが転写された基板の後処理工程に応じて選
   択される、前記周辺領域内のアライメントマークを覆う
   感光層の露光の要否に関する情報を記憶する記憶手段
   と；前記記憶された情報に基づき、前記後処理工程で前
   記マークが保護されるように前記周辺領域内の露光領
   域、又は露光量を調整する露光調整手段とを備えたこと
   を特徴とする周辺露光装置。
7. 【請求項７】 前記露光調整手段は、前記周辺領域に照
   射される露光光を遮光、又は減光する光学部材を含むこ
   とを特徴とする請求項６に記載の装置。
8. 【請求項８】 感光層で覆われた基板をマスク上のパタ
   ーンの像で露光する装置において、 前記基板上の周辺領域内に形成されたアライメント用の
   マークを前記感光層を介して光電検出し、前記基板のプ
   リアライメントを実行するプリアライメント手段と；前
   記パターン像で露光された基板の後処理工程に応じて選
   択される、前記マークを覆う感光層の露光の要否に関す
   る情報を記憶する記憶手段と；前記記憶された情報に基
   づき、前記後処理工程で前記マークが保護されるように
   前記周辺領域を露光する周辺露光手段とを備えたことを
   特徴とする露光装置。