CN107799389B - 基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理方法，其包括：将基板水平保持的基板保持工序；在前述被保持为水平的基板的上表面相向配置相向部件的相向配置工序；由前述被保持为水平的基板、前述相向部件、以及在俯视下包围前述被保持为水平的基板及前述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间的空间形成工序；向前述空间供给非活性气体的非活性气体供给工序；通过一边维持前述空间一边使前述相向部件相对于前述被保持为水平的基板升降从而对前述基板的上表面与前述相向部件之间的间隔进行调整的间隔调整工序；在前述间隔调整工序之后向前述被保持为水平的基板的上表面供给处理液的处理液供给工序。

Description

基板处理方法
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理方法。成为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等基板。
背景技术
在由每次处理一张基板的单张式基板处理装置进行的基板处理中，例如，对被旋转卡盘大致保持水平的基板供给药液。其后，给基板供给冲洗液，由此将基板上的药液替换为冲洗液。其后，进行旋转干燥工序用于排除基板上的冲洗液。
如图9所示，当在基板表面形成有微细的图案的情况下，在旋转干燥工序中因无法去除进入图案(pattern)内部的冲洗液，而有可能会产生干燥不良。进入图案内部的冲洗液在图案的内部形成液面(空气与液体之间的界面)。因此，液体表面张力作用在液面与图案之间的接触位置。在该表面张力较大的情况下，容易发生图案的坍塌。水作为典型的冲洗液，表面张力很大。因此，不能忽视旋转干燥工序中的图案的坍塌。
此种情况下可以考虑，供给异丙醇(Isopropyl Alcohol：IPA)，其是比水的表面张力更低的低表面张力液体，将进入图案内部的水替换为IPA，之后通过去除IPA使基板的上表面干燥。
为了将IPA去除以使基板的上表面迅速干燥，需要降低基板的上表面附近的环境气体的湿度。另外，因为溶解于IPA的氧会使图案氧化，所以需要事先降低基板的上表面附近的环境气体的氧浓度，以使溶解于IPA的氧的量降低。然而，因为处理腔体的内部空间收纳有旋转卡盘等部件，所以很难充分地降低处理腔体内的环境气体整体的氧浓度及湿度。
在美国专利申请公开第2011/240601号说明书中揭示了一种基板处理装置，其能够向被水平保持在收纳部分旋转卡盘的密闭腔体内的晶片表面供给处理液。密闭腔体具备带有开口的腔体本体和用于对开口进行开关的盖部件。腔体本体与盖部件之间由液体密封构造密封，从而将密闭腔体的内部空间与密闭腔体的外部环境气体隔开。
在腔体本体的隔挡壁上形成插入孔，在该插入孔中插入喷嘴臂。在喷嘴臂上安装有处理液喷嘴。通过使喷嘴臂移动，从而能够使处理液喷嘴在晶片的表面上移动。另外，在盖部件上固定着中空旋转轴。在旋转轴中插入着处理液上喷嘴。在密闭腔体的内部空间与密闭腔体的外部的环境气体隔开的状态下，能够从处理液喷嘴或处理液上喷嘴给晶片供给处理液。
在美国专利申请公开第2011/240601号说明书的基板处理装置中，通过对腔体本体的上部开口进行封闭，从而将密闭腔体的内部空间与密闭腔体的外部的环境气体隔开。但是，在腔体本体的上部开口被封闭的状态下，基板与腔体本体的隔挡壁的相对位置在上下方向被固定。
因此，假设有无需从处理液喷嘴向基板供给处理液的旋转干燥等时，想要将盖部件与基板之间的距离变小的情况，或者为了防止处理液反弹并附着在盖部件想要将盖部件与基板之间的距离变大的情况。美国专利申请公开第2011/240601号说明书的基板处理装置无法应对这些情况。
正因如此，美国专利申请公开第2011/240601号说明书中记载的基板处理装置，无法适应基板处理的内容来适当地改变基板与盖部件之间的距离。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种基板处理方法，其在降低水平保持的基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度，并且将基板与相向部件之间保持在适当间隔的状态下，能够对基板进行处理。
本发明提供一种基板处理方法，包含：将基板保持为水平的基板保持工序；在前述被保持为水平的基板的上表面相向配置相向部件的相向配置工序；由前述被保持为水平的基板、前述相向部件、以及在俯视下包围前述被保持为水平的基板及前述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间的空间形成工序；向前述空间供给非活性气体的非活性气体供给工序；通过一边维持前述空间一边使前述相向部件相对于前述被保持为水平的基板升降，来对前述基板的上表面与前述相向部件之间的间隔进行调整的间隔调整工序；在前述间隔调整工序之后向前述被保持为水平的基板的上表面供给处理液的处理液供给工序。
根据本方法，由被保持为水平的基板、在基板的上表面相向配置的相向部件、以及在俯视下包围基板及相向部件的挡板，形成与外部的环境气体往来被限制的空间。通过向该空间供给非活性气体以非活性气体置换环境气体，从而迅速降低基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度。通过一边维持该空间一边使相向部件相对于基板升降，从而在降低了基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度的状态下适当调整基板的上表面与相向部件之间的间隔。因此，在降低了基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度且适当保持基板与相向部件之间间隔的状态下，能够向基板供给处理液。
在本发明的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括维持前述相向部件的外缘部与前述挡板的内缘部相向状态的工序。根据本方法，在对基板的上表面与相向部件之间的间隔进行调整的过程中维持了相向部件的外缘部与挡板的内缘部相向的状态。因此，能够进一步限制由基板、相向部件和挡板形成的空间与空间的外部之间的环境气体往来。
在本发明的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括使前述挡板与前述相向部件一起相对于前述被保持为水平的基板升降的工序。根据本方法，通过使挡板随着相向部件一起相对于基板升降，从而使对由基板、相向部件和挡板形成的空间的维持变得更容易。因此，提高了基板的上表面与相向部件之间的间隔的调整的自由度。
在本发明的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括使前述相向部件与前述挡板以相同的速度相对于前述被保持为水平的基板升降的工序。根据本方法，通过使相向部件与挡板以相同的速度相对于基板升降，由此在基板的上表面与相向部件之间的间隔调整中，能够抑制相向部件与挡板之间的间隙变大的情况。因此，能够更进一步制限由基板、相向部件和挡板形成的空间与空间外部之间的环境气体往来。
在本发明的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括使前述相向部件与前述挡板同时相对于前述被保持为水平的基板升降的工序。基于本方法，因为相向部件和挡板同时相对于基板升降，所以能够更进一步制限由基板、相向部件和挡板形成的空间与空间外部之间的环境气体往来。
在本发明的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括调整前述被保持为水平的基板的上表面与相向部件之间的间隔，使得从前述挡板延伸至前述空间的内侧的处理液供给喷嘴能够在前述被保持为水平的基板与前述相向部件之间移动的工序。
基于本方法，对基板的上表面与相向部件之间的间隔进行了调整，使得从前述挡板延伸至前述空间的内侧的处理液供给喷嘴能够在前述被保持为水平的基板与前述相向部件之间移动。因此，处理液供给喷嘴能够在将该空间内的环境气体置换为非活性气体的状态下，即在环境气体中的氧浓度及湿度被降低的状态下，向基板的上表面供给处理液。
在本发明的一个实施方式中，前述非活性气体供给工序开始于前述间隔调整工序结束之前。因此，在基板处理中，在基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度已降低，并且基板的上表面与相向部件之间的间隔已适当调整的状态下，缩短了到开始向基板的上表面供给处理液为止的时间。
通过参照附图描述的以下的实施方式的说明，将使本发明的上述的或进一步的其他的目的、特点和效果更清楚。
附图说明
图1是用于说明本发明的一实施方式的基板处理装置的内部布局的图解性俯视图。
图2是用于说明前述基板处理装置具备的处理单元的构成例的图解性横向剖面图。
图3是相当于沿图2的III-III线的纵向剖面图，用于说明前述处理单元的构成例的示意图。
图4是相向部件的外缘部周边的示意性放大图。
图5是用于说明前述基板处理装置的主要部件的电学结构的方框图。
图6是用于说明基于前述基板处理装置的基板处理的一个示例的流程图。
图7是用于说明基板处理详情的时序图。
图8A～图8G是用于说明基板处理的详情的图解性剖面图。
图9是用于说明表面张力引起的图案倒塌原理的图解性剖面图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明的一实施方式的基板处理装置1的内部布局的图解性俯视图。基板处理装置1是用处理液每次处理一张硅晶片等基板W的单张式装置。处理液可举出药液、冲洗液及有机溶剂等。在本实施方式中，基板W是圆形的基板。在基板W的表面形成有微细的图案(图9参照)。
基板处理装置1包括：用处理液处理基板W的多个处理单元2；分别保持对处理单元2处理过的多张基板W进行收纳的托架C的多个加载台LP；在加载台LP与处理单元2之间搬运基板W的搬运机械手IR和CR；和控制基板处理装置1的控制器3。搬运机械手IR在托架C与搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2，例如，具有同样的结构。
图2是用于说明处理单元2的构成例的图解性横向剖面图。图3相当于沿图2的III-III线的纵向剖面图。图3是用于说明处理单元2的构成例的示意图。
处理单元2包括旋转卡盘5，其一边将一张基板W保持为水平姿势，一边使基板W围绕穿过基板W中心的铅垂的旋转轴线C1旋转。旋转卡盘5是将基板W保持水平的基板保持单元的一个示例。处理单元2还包括：遮挡板6和腔体7，该遮挡板6具有与基板W的上表面(上方侧的主面)相向的相向面6a，该腔体7收纳基板W，以使基板W被处理液处理。遮挡板6是相向部件的一个示例。在腔体7中形成用于搬入/搬出基板W的搬入/搬出口7A。在腔体7中具备开关搬入/搬出口7A的闸单元7B。
旋转卡盘5包括：卡盘销20、旋转基座21、旋转轴22和使旋转轴22绕着旋转轴线C1旋转的电动马达23。
旋转轴22沿旋转轴线C1在铅垂方向(也称为上下方向Z)延伸。旋转轴22在本实施方式中为中空轴。旋转轴22的上端结合于旋转基座21的下表面的中央。旋转基座21具有沿水平方向的圆盘形状。在旋转基座21的上表面的周缘部在周向隔开间隔配置有多个用于抓持基板W的卡盘销20。电动马达23使旋转轴22旋转，从而使基板W围绕旋转轴线C1旋转。以下仅将基板W的旋转径向内侧称为“径向内侧”，仅将基板W的旋转径向外方称为“径向外侧”。
遮挡板6形成为具有与基板W大致相同的直径或其以上的直径的圆板状。遮挡板6大致水平配置在旋转卡盘5的上方。在遮挡板6的与相向面6a相反侧的面上固定有中空轴30。从俯视图看，遮挡板6中，在包含与旋转轴线C1重合的位置的一部分，形成有上下穿过遮挡板6而与中空轴30内部空间连通的连通孔6b。
处理单元2还包括遮挡板支撑部件31、遮挡板升降机构32和遮挡板旋转机构33。遮挡板支撑部件31水平延伸，并经由中空轴30支撑遮挡板6。遮挡板升降机构32经由遮挡板支撑部件31连接于遮挡板6，驱动遮挡板6的升降。遮挡板旋转机构33使遮挡板6绕着旋转轴线C1旋转。
遮挡板升降机构32能够使遮挡板6位于在从下位置(后述图8G所示的位置)直至上位置(后述图8A所示的位置)的任意位置(高度)。下位置是在遮挡板6的可动范围内，遮挡板6的相向面6a与基板W最接近的位置。在遮挡板6位于下位置的状态下，基板W的上表面与相向面6a之间的距离，例如是0.5mm。上位置是在遮挡板6的可动范围内，遮挡板6的相向面6a最远离基板W的位置。在遮挡板6位于上位置的状态下，基板W的上表面与相向面6a之间的距离例如是80mm。
遮挡板旋转机构33包含内置于遮挡板支撑部件31前端的电动马达。电动马达与内置于遮挡板支撑部件31内的多根配线34连接。多根配线34包括用于给该电动马达送电的电源线，和用于输出遮挡板6的旋转信息的编码线。通过检测遮挡板6的旋转信息，从而能够准确地控制遮挡板6的旋转。
处理单元2还包括：包围旋转卡盘5的排气桶40；配置于旋转卡盘5与排气桶40之间的多个杯41,42(第一杯41和第二杯42)；和对从保持在旋转卡盘5上的基板W排除至基板W外的处理液进行接收的多个挡板43～45(第一挡板43、第二挡板44和第三挡板45)。
处理单元2还包括：分别驱动多个挡板43～45升降的多个挡板升降机构46～48(第一挡板升降机构46、第二挡板升降机构47和第三挡板升降机构48)。在本实施方式中，从俯视图看，各挡板升降机构46～48以与基板W的旋转轴线C1为中心点对称的方式成对设置。借此，能够使多个挡板43～45分别稳定地升降。
排气桶40包括：圆筒状的筒部40A、从筒部40A朝筒部40A的径向外侧凸出的多个(在本实施方式中是两个)凸出部40B、和安装于多个凸出部40B上端的多个盖部40C。多个挡板升降机构46～48配置在筒部40A的周方向与凸出部40B相同的位置，且比凸出部40B更靠径向内侧。详细来讲，在筒部40A的周方向上与各凸出部40B相同的位置处，配置一组由第一挡板升降机构46、第二挡板升降机构47和第三挡板升降机构48构成的组。
各杯41,42具有向上敞开的环状的槽。各杯41,42在比排气桶40的筒部40A更靠径向内侧的位置包围旋转卡盘5。第二杯42配置在比第一杯41更靠径向外侧的位置。第二杯42，例如与第三挡板45是一个整体。第二杯42与第三挡板45一起升降。各杯41,42的槽与回收配管(图中未示出)或排出配管(图中未示出)连接。从各杯41,42的底部导出的处理液通过回收配管或排出配管并被回收或废弃。
从俯视图看，挡板43～45以包围旋转卡盘5和遮挡板6的方式被配置。
第一挡板43包括第一筒状部43A和从第一筒状部43A朝径向内侧延伸的第一延伸部43B，该第一筒状部43A在比排气桶40的筒部40A更靠径向内侧的位置包围旋转卡盘5。
第一挡板43在第一挡板升降机构46的作用下在下位置和上位置之间升降。当第一挡板43位于下位置时，第一挡板43上端位于比基板W更靠下方的位置。当第一挡板43位于上位置时，第一挡板43的上端位于比基板W更靠上方的位置。通过第一挡板升降机构46使第一挡板43升降，能够使第一挡板43位于在下位置和上位置之间的与遮挡板相向的位置和与基板相向的位置。当第一挡板43位于与基板相向的位置时，第一延伸部43B从水平方向与基板W相向。
图4是遮挡板6的外缘部6c的周边的示意性放大图。参照图4，当第一挡板43位于与遮挡板相向的位置时，第一挡板43位于第一延伸部43B的内缘部43a从水平方向与遮挡板6的外缘部6c的上端相向的位置(图4中双点划线所示的位置)、和第一延伸部43B的内缘部43a从水平方向与遮挡板6的外缘部6c的下端相向的位置(图4中实线所示的位置)之间的位置。当第一挡板43位于与遮挡板相向的位置时，第一延伸部43B的内缘部43a与遮挡板6的外缘部6c之间在水平方向的距离，例如是2mm～5mm。
当第一挡板43位于与遮挡板相向的位置时，第一挡板43和保持在旋转卡盘5上的基板W和遮挡板6一起形成与外部的环境气体往来被限制的空间A。空间A的外部是比遮挡板6更靠上方的空间和比第一挡板43更靠径向外侧的空间。空间A只要形成限制空间A内的环境气体与空间A的外部的环境气体的流体流动即可。空间A的形成，无需绝对地完全隔绝空间A内的环境气体与空间A的外部的环境气体。
参照图2和图3，第二挡板44包括第二筒状部44A和从第二筒状部44A朝径向内侧延伸的第二延伸部44B，该第二筒状部44A在比第一挡板43的第一筒状部43A更靠径向内侧的位置包围旋转卡盘5。第二延伸部44B以随着朝向径向内侧而朝向上方的方式相对于水平方向倾斜。第二延伸部44B从下方与第一延伸部43B相向。
第二挡板44在第二挡板升降机构47的作用下在下位置和上位置之间升降。当第二挡板44位于下位置时，第二挡板44的上端位于比基板W更靠下方的位置。当第二挡板44位于上位置时，第二挡板44的上端位于比基板W更靠上方的位置。通过第二挡板升降机构47使第二挡板44升降，第二挡板44能够位于下位置和上位置之间的与基板相向的位置。当第二挡板44位于与基板相向的位置时，第二延伸部44B(的上方端)从水平方向与基板W相向。当第二挡板44位于与基板相向的位置时，第二挡板44从下方划分空间A。
第三挡板45包括第三筒状部45A和从第三筒状部45A朝径向内侧延伸的第三延伸部45B，该第三筒状部45A在比第二挡板44的第二筒状部44A更靠径向内侧的位置包围旋转卡盘5。第三延伸部45B从下方与第二延伸部44B相向。
第三挡板45在第三挡板升降机构48(图2参照)的作用下下位置和上位置之间升降。当第三挡板45位于下位置时，第三挡板45的上端位于比基板W更靠下方的位置。当第三挡板45位于上位置时，第三挡板45的上端位于比基板W更靠上方的位置。通过第三挡板升降机构48使第三挡板45升降，从而第三挡板45能够位于下位置和上位置之间的与基板相向的位置。当第三挡板45位于与基板相向的位置时，第三延伸部45B(的上方端)从水平方向与基板W相向。
处理单元2包含向基板W的下表面供给加热流体的下表面喷嘴8和向基板W的上表面供给氢氟酸等药液的药液喷嘴9。
下表面喷嘴8插入旋转轴22。下表面喷嘴8在上端具有朝着基板W的下表面中央的喷出口。经由加热流体供给管50从加热流体供给源向下表面喷嘴8供给温水等加热流体。在加热流体供给管50上安装着用于开关该流路的加热流体阀51。温水是比室温更高的高温水，例如是80℃～85℃的水。加热流体不限于温水，可以是高温的氮气等气体，只要是能加热基板W的流体即可。
经由药液供给管53从药液供给源给药液喷嘴9供给药液。在药液供给管53上安装着用于开关药液供给管53内的流路的药液阀54。
药液不限于氢氟酸，也可以是包含硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢溶液、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐蚀剂中的至少一种的液体。作为它们混合而成的药液的示例可举出：SPM(sulfuricacid/hydrogen peroxide mixture：硫酸过氧化氢溶液混合液)、SC1(ammonia-hydrogenperoxide mixture：氨过氧化氢溶液混合液)等。
药液喷嘴9在药液喷嘴移动机构52(图2参照)的作用下在铅直方向及水平方向移动。通过朝水平方向的移动，药液喷嘴9在中央位置和退避位置之间移动。当药液喷嘴9位于中央位置时，药液喷嘴9与基板W的上表面的旋转中心位置相向。当药液喷嘴9位于退避位置时，药液喷嘴9不与基板W的上表面相向。基板W的上表面的旋转中心位置是指在基板W的上表面中的与旋转轴线C1交差的位置。退避位置是指，在平面视图中旋转基座21的外侧的位置。
药液喷嘴9也可以具有台阶式曲折的形状。药液喷嘴9包括喷嘴前端部9A、第一水平部9B、第二水平部9C和连结部9D。喷嘴前端部9A向下方延伸，并喷出药液。第一水平部9B从喷嘴前端部9A的上端开始水平延伸。第二水平部9C在比第一水平部9B更靠上方的位置水平延伸。连接部9D向相对于水平方向倾斜的方向延伸，并与第一水平部9B和第二水平部9C连接。
处理单元2还包括DIW喷嘴10、中央IPA喷嘴11和非活性气体喷嘴12。DIW喷嘴10向基板W的上表面的中央区域供给去离子水(DIW：Deionized Water)作为冲洗液。中央IPA喷嘴11向基板W的上表面的中央区域供给IPA作为有机溶剂。非活性气体喷嘴12向基板W的上表面的中央区域供给氮气(N2)等非活性气体。基板W的上表面的中央区域是包括基板W的上表面的与旋转轴线C1的交差位置在内的基板W的上表面的中央周围的区域。
在本实施方式中，喷嘴10～12被共同收纳于喷嘴收纳部件35，该喷嘴收纳部件35插入在中空轴30的内部空间和遮挡板6的连通孔6b中。喷嘴10～12可以分别喷出DIW、IPA和非活性气体。各喷嘴10～12的前端配置在与遮挡板6的相向面6a略相同的高度。各喷嘴10～12即使在空间A形成的状态下，也能够分别向基板W的上表面的中央区域供给DIW、IPA和非活性气体。
经由DIW供给管55从DIW供给源向DIW喷嘴10供给DIW。在DIW供给管55上安装着DIW阀56，用于开关DIW供给管55内的流路。
DIW喷嘴10也可以作为供给DIW以外的冲洗液的冲洗液喷嘴。冲洗液能够举例为：DIW、以及其他的碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如，10～100ppm左右)的盐酸水、还原水(富氢水)等。
经由中央IPA供给管57从IPA供给源向中央IPA喷嘴11供给IPA。在中央IPA供给管57上安装着中央IPA阀58，用于开关中央IPA供给管57内的流路。
在本实施方式中，中央IPA喷嘴11的结构是供给IPA。中央IPA喷嘴11只要作为中央低表面张力液体喷嘴而发挥功能即可，即向基板W的上表面的中央区域供给比水的表面张力更小的低表面张力液体。
低表面张力液体还能够使用与基板W的上表面及在基板W上形成的图案(图9参照)不发生化学反应(反应性差)的IPA以外的有机溶剂。更具体而言，能够使用包含IPA、HFE(氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮和反式-1,2二氯乙烯中的至少一种液体作为低表面张力液体。另外，低表面张力液体无需是仅由单组分组成的，也可以是与其他组分混合成的液体。例如，既可以是IPA液体与纯水的混合液，又可以是IPA液体与HFE液体的混合液。
经由第一非活性气体供给管59从非活性气体供给源向非活性气体喷嘴12供给氮气等非活性气体。在第一非活性气体供给管59上安装着对第一非活性气体供给管59的流路进行开关的第一非活性气体阀60。非活性气体是相对于基板W的上表面及图案的不活性的气体。非活性气体不限于氮气，也可以是例如氩等稀有气体类。
通过喷嘴收纳部件35的外周面与中空轴30的内周面及在遮挡板6中划分连通孔6b的面之间的空间，形成向基板W的中央区域供给非活性气体的非活性气体流路18。经由第二非活性气体供给管66从非活性气体供给源向非活性气体流路18供给氮气等非活性气体。在第二非活性气体供给管66上安装着对第二非活性气体供给管66的流路进行开关的第二非活性气体阀67。供给至非活性气体流路18的非活性气体从连通孔6b的下端向基板W的上表面喷出。
处理单元2还可以包括向基板W的上表面供给处理液的移动喷嘴17(参照图2)。移动喷嘴17在移动喷嘴移动机构65的作用下在铅直方向及水平方向移动。从移动喷嘴17供给至基板W的处理液，例如是药液、冲洗液或低表面张力液体等。
处理单元2还包括IPA喷嘴13和IPA喷嘴移动机构14。IPA喷嘴13以在形成有空间A的状态下被配置在空间A内的方式从第一挡板43的内壁开始延伸并向基板W的上表面供给IPA。IPA喷嘴移动机构14连接于第一挡板43，使IPA喷嘴13在基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间移动。
IPA喷嘴13在空间A形成的状态下从第一挡板43的内壁延伸至空间A的内侧。IPA喷嘴13是向基板W的上表面供给处理液的处理液供给喷嘴的一个示例。
经由IPA供给管61从IPA供给源向IPA喷嘴13供给IPA。在IPA供给管61上安装着IPA阀62，用于开关IPA供给管61内的流路。
IPA喷嘴13在水平方向延伸，从俯视图看是弯曲的。详细来讲，IPA喷嘴13具有沿第一挡板43的第一筒状部43A弯曲的圆弧形状。在IPA喷嘴13的前端设置着喷出口13a，其向基板W的上表面朝铅直方向(朝下方)喷出IPA。
通过向水平方向的移动，IPA喷嘴13在中央位置和退避位置之间移动。当IPA喷嘴13位于中央位置时，IPA喷嘴13与基板W的上表面的旋转中心位置相向。当IPA喷嘴13位于退避位置时，IPA喷嘴13不与基板W的上表面相向。在平面视图中，退避位置是旋转基座21的外侧的位置。更具体而言，当IPA喷嘴13位于退避位置时，IPA喷嘴13也可以从径向内侧与第一挡板43的第一筒状部43A邻接。
IPA喷嘴移动机构14是使IPA喷嘴13(处理液供给喷嘴)在基板W的上表面和相向面6a之间移动的喷嘴移动单元的一个示例。IPA喷嘴移动机构14包括喷嘴支撑部件15、驱动机构16和罩73。喷嘴支撑部件15支撑IPA喷嘴13。驱动机构16连接于第一挡板43，驱动喷嘴支撑部件15。罩73至少覆盖部分的驱动机构16。驱动机构16包括旋转轴(图中未示出)和使该旋转轴旋转的驱动马达(图中未示出)。喷嘴支撑部件15具有转动轴的形态，即被该驱动马达驱动而绕着指定的中心轴线转动的形态。
喷嘴支撑部件15的上端位于比罩73更靠上方的位置。IPA喷嘴13及喷嘴支撑部件15也可以一个整体式地形成。喷嘴支撑部件15及IPA喷嘴13具有中空轴的形态。喷嘴支撑部件15的内部空间连通着IPA喷嘴13的内部空间。IPA供给管61中从上方插入喷嘴支撑部件15。
第一挡板43的第一延伸部43B包括相对于水平方向倾斜的倾斜部43C和在水平方向平坦的平坦部43D。平坦部43D和倾斜部43C在基板W的旋转方向排列配置。平坦部43D随着朝向径向外侧而以比倾斜部43C更靠上方的方式凸出至比倾斜部43C更靠上方的位置。平坦部43D被配置为，从俯视图看，与喷嘴支撑部件15和处于旋转基座21的外方位置状态下的IPA喷嘴13重合。平坦部43D只要以从俯视图看，至少与位于退避位置的IPA喷嘴13及喷嘴支撑部件15重合的方式配置平坦部43D即可。
第二挡板44的第二延伸部44B从下方与平坦部43D相向。第二延伸部44B相对于水平方向倾斜并延伸，是从下方与平坦部43D相向的相向部的一个示例。
在第一挡板43和第二挡板44之间形成可收纳IPA喷嘴13的收纳空间B。收纳空间B沿着第一挡板43的第一筒状部43A朝基板W的旋转方向延伸，从俯视图看具有圆弧形状。收纳空间B是由第一筒状部43A、平坦部43D和第二延伸部44B划分出的空间。详细来讲，收纳空间B是由第一筒状部43A从径向外侧划分、由平坦部43D从上方划分、由第二延伸部44B从下方划分而成的。当IPA喷嘴13位于退避位置时，IPA喷嘴13处于被收纳于收纳空间B中的状态且从下方与平坦部43D接近。
平坦部43D在水平方向是平坦的，第二延伸部44B随着朝向径向内侧而以朝向上方的方式相对于水平方向倾斜。因此，即使在使第二延伸部44B的径向内侧端与第一挡板43的第一延伸部43B的径向内侧端最接近的状态下，在第一挡板43和第二挡板44之间也能形成收纳空间B。
在第一挡板43的平坦部43D上形成有在上下方向Z贯穿平坦部43D的貫通孔43b。喷嘴支撑部件15插入貫通孔43b。在喷嘴支撑部件15和貫通孔43b的内壁之间配置着橡胶等密封部件(图中未示出)。据此，喷嘴支撑部件15和貫通孔43b的内壁之间被密封。驱动机构16配置在空间A外。
处理单元2还包括第一支架70、台座71和第二支架72。第一支架70安装在第一挡板升降机构46上，其将IPA喷嘴移动机构14固定在第一挡板43上。台座71被第一支架70支撑，其载放固定驱动机构16。第二支架72连接于第一挡板43，在比第一支架70更靠基板W的径向内侧的位置支撑台座71。在IPA喷嘴移动机构14中被第一支架70固定的部分14a，从俯视图看，与第一挡板升降机构46重合。
图5是用于说明基板处理装置1的主要部件的电学结构的方框图。控制器3具备微型计算机，按照指定的程序对基板处理装置1具备的控制对象进行控制。更具体而言，控制器3的构成是，包括处理器(CPU)3A和存储程序的存储器3B，通过处理器3A执行程序从而执行用于基板处理的各种控制。特别是，控制器3控制搬运机械手IR、CR，IPA喷嘴移动机构14，电动马达23，遮挡板升降机构32，遮挡板旋转机构33，挡板升降机构46～48，药液喷嘴移动机构52及阀類51、54、56、58、60、62、67等的动作。
图6是用于说明基板处理装置1的基板处理的一个示例的流程图，主要给出了通过控制器3执行程序而实现的处理。图7是用于说明基板处理的详情的时序图。图8A～图8G是用于说明基板处理的详情的处理单元2的主要部分的图解性的剖面图。
在基于基板处理装置1的基板处理中，例如，按照如图6所示的基板搬入(S1)、药液处理(S2)、DIW冲洗处理(S3)、有机溶剂处理(S4)、干燥处理(S5)和基板搬出(S6)这个顺序执行。
首先，在基板处理装置1的基板处理中，通过搬运机械手IR、CR将未处理的基板W从托架C搬入处理单元2，传递给旋转卡盘5(S1)。其后，直至通过搬运机械手CR搬出基板W为止，基板W被水平保持在旋转卡盘5上(基板保持工序)。在基板W被水平保持在旋转卡盘5上的状态下，基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a相向。直至通过搬运机械手CR将基板W搬出为止，都维持着遮挡板6的相向面6a被相向配置在基板的上表面的状态(相向配置工序)。
接着，参照图7和图8A，说明药液处理(S2)。在搬运机械手CR退避至处理单元2外以后，执行用药液洗涤基板W的上表面的药液处理(S2)。
具体而言，首先，控制器3控制IPA喷嘴移动机构14，使IPA喷嘴13位于退避位置。在IPA喷嘴13位于退避位置的状态下，控制器3控制第一挡板升降机构46和第二挡板升降机构47，使第一挡板43和第二挡板44在上下方向Z相互靠近，将第一挡板43配置在上位置，并且将第二挡板44配置在比与基板相向的位置更靠上方的位置。由此，IPA喷嘴13被收纳于由第一挡板43的第一延伸部43B的平坦部43D、第一挡板43的第一筒状部43A和第二挡板44的第二延伸部44B划分出的收纳空间B内。
进而，控制器3控制第三挡板升降机构48，将第三挡板45配置在比与基板相向的位置更靠上方的位置。另外，控制器3控制遮挡板升降机构32将遮挡板6配置在上位置。
进而，控制器3驱动电动马达23使旋转基座21例如以800rpm旋转。控制器3控制遮挡板旋转机构33，使遮挡板6旋转。此时，也可以使遮挡板6与旋转基座21同步旋转。同步旋转是指在相同的方向以相同的旋转速度旋转。
进而，控制器3控制药液喷嘴移动机构52，将药液喷嘴9配置于基板W的上方的药液处理位置。药液处理位置也可以是从药液喷嘴9喷出的药液落在基板W的上表面的旋转中心的位置。进而，控制器3打开药液阀54。借此，从药液喷嘴9向旋转状态的基板W的上表面供给药液。供给的药液在离心力作用下遍布基板W的上表面整体。此时，从药液喷嘴9供给的药液的量(药液供给量)例如是2升/min。
在离心力作用下飞散到基板外的药液(参照基板W侧方的粗线箭头)，穿过第三挡板45的第三延伸部45B的下方，被第三挡板45的第三筒状部45A接收。被第三筒状部45A接收的药液流入第一杯41(参照图3)。
此时，IPA喷嘴13收纳在收纳空间B中。因此，能够抑制或防止从基板W的上表面飞散出的药液引起的IPA喷嘴13的污染。
另外，在本实施方式中，在离心力作用下飞散到基板外的药液被第三挡板45的第三筒状部45A接收。但是，与本实施方式不同地，在离心力作用下飞散到基板W外的药液也可以被第二挡板44的第二筒状部44A接收。此种情况下，控制器3控制挡板升降机构46～48使挡板43～45移动，使得在离心力作用下飞散到基板W外的药液穿过第二挡板44的第二延伸部44B与第三挡板45的第三延伸部45B之间而被第二挡板44的第二筒状部44A接收。具体而言，将第二挡板44配置在比与基板相向的位置更靠上方的位置，将第三挡板45被配置在比与基板相向的位置更靠下方的位置。被第二筒状部44A接收的药液流入第二杯42(参照图3)。
接着，参照图7、图8B和图8C，说明DIW冲洗处理(S3)。
在进行一定时间的药液处理(S2)后，执行用于通过将基板W上的药液置换为DIW从而从基板W的上表面排除药液的DIW冲洗处理(S3)。
具体而言，首先，参照图7和图8B，控制器3关闭药液阀54。进而，控制器3控制药液喷嘴移动机构52使药液喷嘴9从基板W的上方退避至旋转基座21的侧方。
进而，控制器3打开DIW阀56。借此，从DIW喷嘴10向旋转状态的基板W的上表面供给DIW。向基板W的上表面供给的DIW在离心力作用下遍布基板W的上表面整体。该DIW冲洗基板W上的药液。此时，从DIW喷嘴10供给的DIW的量(DIW供给量)，例如是2升/min。
进而，控制器3控制挡板升降机构46～48，在将第二挡板44配置在比与基板相向的位置更靠上方的状态下维持收纳空间B，并且，将第三挡板45维持在比与基板相向的位置更靠上方的位置。在该状态下，位于退避位置的IPA喷嘴13被收纳于收纳空间B内。另外，控制器3控制遮挡板升降机构32并将遮挡板6维持在上位置。
进而，控制器3驱动电动马达23使旋转基座21例如以800rpm旋转。控制器3控制遮挡板旋转机构33使遮挡板6旋转。此时，也可以使遮挡板6与旋转基座21同步旋转。
在离心力作用下飞散到基板W外的药液及DIW(参照基板W侧方的粗线箭头)，穿过第三挡板45的第三延伸部45B的下方，被第三挡板45的第三筒状部45A接收。被第三筒状部45A接收的DIW流入第一杯41(参照图3)。此时，IPA喷嘴13被收纳于收纳空间B。因此，能够抑制或防止从基板W的上表面飞散的药液及DIW对IPA喷嘴13产生的污染。
进而，参照图7和图8C，在正在从DIW喷嘴10向旋转状态的基板W的上表面供给DIW的状态下，控制器3控制遮挡板升降机构32使遮挡板6从上位置移动至第一接近位置。第一接近位置是遮挡板6的相向面6a与基板W的上表面接近的遮挡板6的位置。当遮挡板6位于第一接近位置时，基板W的上表面和相向面6a之间的距离，例如是7mm。
进而，控制器3控制第一挡板升降机构46使第一挡板43下降，从而使第一挡板43配置在与遮挡板相向的位置。据此，通过基板W、遮挡板6和第一挡板43从而形成空间A(空间形成工序)。另外，控制器3控制第二挡板升降机构47使第二挡板44下降，从而将第二挡板44配置在与基板相向的位置。由此，由第二挡板44的第二延伸部44B从下方划分空间A。
进而，控制器3控制第二非活性气体阀67并将从非活性气体流路18供给的非活性气体的流量设为例如300升/min。由此，由非活性气体流路18向空间A供给非活性气体(非活性气体供给工序)，并用非活性气体置换空间A内的环境气体(非活性气体置换工序)。非活性气体流路18作为非活性气体供给单元发挥功能，即向空间A供给非活性气体用于以非活性气体置换空间A内的环境气体置换的功能。
进而，通过控制器3打开加热流体阀51从下表面喷嘴8供给加热流体，而加热基板W(基板加热工序)。
控制器3控制电动马达23使旋转基座21例如以1200rpm旋转并维持规定的时间，其后，使旋转基座21的旋转加速至例如2000rpm(高速旋转工序)。
控制器3控制遮挡板旋转机构33使板6以与旋转基座21不同的速度旋转。具体而言，遮挡板6例如以800rpm旋转。
在离心力作用下飞散到基板W外的药液及DIW(参照基板W侧方的粗线箭头)穿过第一挡板43的第一延伸部43B与第二挡板44的第二延伸部44B之间，而被第一挡板43的第一筒状部43A接收。
如前所述，从上方划分收纳空间B的平坦部43D比倾斜部43C更靠上方凸出。另外，如前所述，位于退避位置的IPA喷嘴13从下方与平坦部43D邻接。因此，与位于退避位置的IPA喷嘴13从下方与倾斜部43C邻接的构造相比较，能防止从基板W的上表面飞散出的药液及DIW穿过第一延伸部43B与第二延伸部44B之间而产生的IPA喷嘴13的污染。
另外，在本实施方式中，在离心力作用下飞散到基板外的药液及DIW被第一挡板43的第一筒状部43A接收。但是，与本实施方式不同地，在离心力作用下飞散到基板外的药液及DIW也可以被第二挡板44的第二筒状部44A被接收。此种情况下，控制器3控制挡板升降机构46～48，将第二挡板44配置在比与基板相向的位置更靠上方的位置，并将第三挡板45配置在比与基板相向的位置更靠下方的位置。
接着，参照图7和图8D～图8F，说明有机溶剂处理(S4)。在进行一定时间的DIW冲洗处理(S3)后，执行有机溶剂处理(S4)，即将基板W上的DIW置换为有机溶剂(例如IPA)，该有机溶剂是具有比水的表面张力更低的低表面张力液体。在执行有机溶剂处理的期间，可以加热基板W。具体而言，控制器3在维持加热流体阀51打开的状态下，通过从下表面喷嘴8供给加热流体从而继续加热基板W。
参照图7和图8D，在有机溶剂处理中，首先，执行高速IPA置换步骤S4a，即在使基板W以高速旋转的状态下用IPA置换基板W的上表面的DIW。
一旦开始高速IPA置换步骤S4a，控制器3关闭DIW阀56。借此，停止来自DIW喷嘴10的DIW的供给。控制器3打开中央IPA阀58。由此，从中央IPA喷嘴11向旋转状态的基板W的上表面供给IPA，在基板W的上表面形成IPA的液膜110(液膜形成工序)。
控制器3控制遮挡板升降机构32，并维持遮挡板6被配置在第一接近位置的状态。控制器3控制第一挡板升降机构46并维持第一挡板43被配置在与遮挡板相向的位置的状态。控制器3控制第二挡板升降机构47并维持第二挡板44被配置在与基板相向的位置的状态。由此，由基板W、遮挡板6和第一挡板43形成空间A，并维持第二挡板44的第二延伸部44B从下方划分空间A的状态。与本实施方式不同地，在DIW冲洗处理(S3)结束时当第二挡板44位于比与基板相向的位置更靠上方的位置时，控制器3控制第二挡板升降机构47使第二挡板44移动至与基板相向的位置直至开始高速IPA置换步骤S4a。
控制器3控制第二非活性气体阀67将从非活性气体流路18供给的非活性气体的流量设为例如50升/min。
控制器3驱动电动马达23使旋转基座21例如以2000rpm高速旋转(高速旋转工序)。即执行从DIW冲洗处理(S3)开始持续的高速旋转工序。供给的IPA在离心力作用下迅速地遍及基板W的上表面整体，基板W上的DIW被IPA置换。
控制器3控制遮挡板旋转机构33使遮挡板6例如以1000rpm旋转。
在离心力作用下飞散到基板外的DIW及IPA(参照基板W侧方的粗线箭头)穿过第一挡板43的第一延伸部43B和第二挡板44的第二延伸部44B之间，而被第一挡板43的第一筒状部43A接收。
如前所述，从上方划分收纳空间B的平坦部43D在比倾斜部43C更靠上方的位置凸出。另外，如前所述，位于退避位置的IPA喷嘴13从下方与平坦部43D邻接。因此，与位于退避位置的IPA喷嘴13从下方与倾斜部43C邻接的构造相比较，能够抑制从基板W的上表面飞散出的DIW及IPA穿过第一延伸部43B与第二延伸部44B之间而引起的IPA喷嘴13的污染。
参照图8E，在有机溶剂处理(S4)中，接着高速IPA置换步骤S4a，执行间隔调整步骤S4b，即通过使遮挡板6移动(上升)从而调整基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔。
控制器3控制电动马达23，并维持使旋转基座21例如以2000rpm高速旋转的状态(高速旋转工序)。另外，控制器3控制遮挡板旋转机构33，并维持使遮挡板6例如以1000rpm旋转的状态。
控制器3控制遮挡板升降机构32，通过一边维持空间A一边使遮挡板6从第一接近位置向第二接近位置移动(上升)，从而对基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔进行调整(间隔调整步骤S4b)。第二接近位置是遮挡板6的相向面6a与基板W的上表面接近的挡板6的位置。第二接近位置是比第一接近位置更靠上方的位置。遮挡板6位于第二接近位置时的遮挡板6的相向面6a，其比遮挡板6位于第一接近位置时的遮挡板6的相向面6a更靠上方。位于第二接近位置的遮挡板6的相向面6a与基板W的上表面的距离是15mm左右。
在间隔调整步骤S4b的过程中，控制器3控制第一挡板升降机构46，使第一挡板43随着遮挡板6一起以相同的速度同时相对于基板W移动(上升)，并位于与遮挡板相向的位置。由此，在间隔调整步骤S4b的前后，维持着已形成的空间A的状态。进而，控制器3控制第二挡板升降机构47，维持第二挡板44被配置在与基板相向的位置的状态。
在间隔调整步骤S4b中，只要能够维持空间A与外部的环境气体往来被限制的状态即可。即，在间隔调整步骤S4b中，不一定要持续维持第一挡板43位于与遮挡板相向的位置的状态。只要能够维持空间A与空间A外部之间的环境气体往来被制限的状态，在间隔调整步骤S4b的过程中第一挡板43也可以处于被配置在上下方向Z略微偏离与遮挡板相向的位置的状态。另外，只要能够维持空间A与空间A外部之间的环境气体往来被制限的状态，就无需使第一挡板43随遮挡板6一起以相同的速度升降，也无需使遮挡板6和第一挡板43同时升降。
通过使遮挡板6位于第二接近位置，从而使得IPA喷嘴13能够在基板W与遮挡板6之间移动。也就是说，间隔调整步骤S4b包括调整基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔的工序，使得IPA喷嘴13能够在基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间移动。
在基板W上保持着IPA的液膜110的期间，执行喷嘴移动步骤S4c即控制器3控制IPA喷嘴移动机构14使IPA喷嘴13向处理位置移动。处理位置是指从基板W的中央区域略微偏向基板W的周缘侧的位置(例如40mm左右)。
控制器3与开始喷嘴移动步骤S4c同时，使基板W的旋转速度降低至300rpm。由此，从基板W飞散出的IPA的液量将減少。另一方面，控制器3将遮挡板6的旋转速度维持在例如1000rpm。
在本实施方式中，当遮挡板6至少位于比第二接近位置更靠上方的位置时，IPA喷嘴13可以在遮挡板6的相向面6a与基板W的上表面之间移动。但是，与本实施方式不同地，当遮挡板6位于比第二接近位置更靠下方的第一接近位置时，IPA喷嘴13也可以在遮挡板6的相向面6a与基板W的上表面之间移动。此种情况下，在遮挡板6移动至第一接近位置并形成空间A的同时，调整基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔，使得IPA喷嘴13能够在基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间移动。即，同时执行空间形成工序和间隔调整步骤S4b(间隔调整工序)。
有机溶剂处理(S4)维持着从DIW冲洗处理(S3)开始的来自非活性气体流路18的非活性气体的供给。因此，由于在DIW冲洗处理(S3)中就已经开始了非活性气体供给工序，非活性气体供给工序开始于间隔调整步骤S4b(间隔调整工序)结束之前。
参照图8F，一旦喷嘴移动步骤S4c结束并且IPA喷嘴13移动至处理位置，就执行排除基板W的上表面的IPA的液膜110的液膜排除步骤S4d，。
首先，控制器3关闭中央IPA阀58，使从中央IPA喷嘴11向基板W的上表面的IPA的供给停止。进而，控制器3控制第二非活性气体阀67，从非活性气体流路18向基板W的上表面的中央区域垂直地例如以100升/min吹出非活性气体(例如N2气体)。由此，在液膜110的中央区域打开小开口111(例如直径30mm左右)，使基板W的上表面的中央区域露出。
在液膜排除步骤S4d中，也可以通过吹非活性气体以外的方法来形成开口111。例如，也可以通过向基板W的下表面的中央区域供给来自下表面喷嘴8的加热流体从而加热基板W，使中央区域的IPA蒸发，从而在液膜110的中央区域形成开口111。另外，也可以通过向基板W的上表面吹非活性气体和基于加热流体的基板W的下表面的中央区域的加热这两者，从而在液膜110形成开口111。
在基于基板W的旋转产生的离心力的作用下开口111扩大，IPA液膜从基板W的上表面被逐渐排除。在直至液膜110从基板W的上表面被排除为止的期间，可以继续从非活性气体流路18吹出非活性气体。即，非活性气体的吹出可以持续直至液膜排除步骤结束。非活性气体的吹出力向IPA的液膜110附加作用力以促进开口111的扩大。该过程中，也可以阶段性地增大非活性气体的流量。例如，在本实施方式中，将非活性气体的流量在100升/min维持指定的时间，其后，使流量增大至200升/min并维持指定的时间，其后，使流量增大至300升/min并维持指定的时间。
此时，控制器3控制第一非活性气体阀60，也可以从非活性气体喷嘴12向基板W的上表面的中央区域供给非活性气体。由此，进一步促进开口111的扩大。
使开口111扩大的过程中，控制器3控制IPA阀62，开始从IPA喷嘴13向基板W的上表面供给IPA。从IPA喷嘴13供给的IPA的温度优选高于室温，例如是50℃。该过程中，控制器3将从IPA喷嘴13供给的IPA的着液点设定在开口111的外侧。开口111的外侧是相对于开口111的周缘与旋转轴线C1相反侧。
伴随开口111的扩大，控制器3控制IPA喷嘴移动机构14，使IPA喷嘴13向基板W的周缘移动。由此，给液膜110供给充足的IPA。因此，能够抑制在蒸发或在离心力作用下导致比开口111的周缘更靠外侧的IPA局部消失。有机溶剂处理(S4)(液膜排除步骤S4d)例如在IPA喷嘴13到达外周位置的时间点结束。当IPA喷嘴13位于外周位置时，基于IPA喷嘴13向液膜110的IPA供给位置到达基板W的周缘。当IPA喷嘴13位于外周位置时，IPA供给位置从基板W的中央区域偏向基板W的周缘侧，例如140mm。或者，有机溶剂处理(S4)也可以在开口111的周缘到达基板W的周缘的时间点结束。
接着，参照图8G，说明干燥处理(S5)。在有机溶剂处理(S4)结束后，执行用于通过离心力甩掉基板W的上表面的液成分的干燥处理(S5：旋转干燥)。
具体而言，控制器3关闭加热流体阀51、IPA阀62和第一非活性气体阀60。控制器3控制IPA喷嘴移动机构14使IPA喷嘴13退避至退避位置。
进而，控制器3控制遮挡板升降机构32使遮挡板6朝下位置移动。进而，控制器3控制第二挡板升降机构47和第三挡板升降机构48，将第二挡板44和第三挡板45配置在比与基板相向的位置更靠下方的位置。进而，控制器3控制第一挡板升降机构46使第一挡板43下降。由此，第一挡板43被配置在比下位置略微更靠上方且比与基板相向的位置略微更靠上方的位置。
进而，控制器3控制电动马达23，使旋转基座21的旋转阶段性地加速。具体而言，将旋转基座的旋转在例如以500rpm维持指定的时间，其后加速至750rpm并维持指定的时间，其后加速至1500rpm并维持指定的时间。由此，在离心力作用下基板W上的液成分被甩掉。
进而，控制器3控制遮挡板旋转机构33，使遮挡板6例如以1000rpm旋转。控制器3控制遮挡板旋转机构33，在基板W的旋转速度变成1500rpm的时刻使遮挡板6的旋转加速至1500rpm。由此，旋转基座21和遮挡板6同步旋转。
另外，在干燥处理(S5)中，维持来自非活性气体流路18的非活性气体的供给。非活性气体的流量，例如是与液膜排除步骤结束时的相同(300升/min)。一旦基板W的旋转加速至1500rpm，控制器3就控制第二非活性气体阀67，使从非活性气体流路18供给的非活性气体的流量降低至200升/min。
其后，控制器3控制电动马达23使旋转卡盘5的旋转停止。进而，控制器3控制遮挡板升降机构32使遮挡板6退避至上位置。进而，控制器3控制挡板升降机构46～48，使挡板43～45向下位置移动。
其后，搬运机械手CR进入处理单元2，从旋转卡盘5铲取处理完毕的基板W，搬出至处理单元2外(S6)。该基板W从搬运机械手CR被传递至搬运机械手IR，被搬运机械手IR收纳于托架C。
基于该实施方式，由基板W、遮挡板6和第一挡板43形成的空间A与空间A的外部之间的环境气体往来被制限。从非活性气体流路18向该空间A供给非活性气体，以将空间A内的环境气体置换为非活性气体，从而使基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的环境气体的氧浓度及湿度迅速降低。通过维持该空间A的同时，遮挡板升降机构32使遮挡板6相对于基板W升降，从而在已降低了基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的环境气体的氧浓度及湿度的状态下，适当调整了基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔。因此，能够在降低了基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的环境气体的氧浓度及湿度，并保持基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间具有适当的间隔的状态下，从IPA喷嘴13向基板W的上表面供给IPA来处理基板W。
另外，因为在调整基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔的过程中，维持着遮挡板6的外缘部6c与第一挡板43的第一延伸部43B的内缘部43a相向的状态，所以能够进一步限制空间A与外部的环境气体往来。
另外，通过使第一挡板43随遮挡板6一起相对于基板W升降，从而使空间A的维持更容易。因此，提高了基板W的上表面与遮挡板6之间的间隔调整的自由度。
由于遮挡板6和第一挡板43以相同的速度相对于基板W升降，所以能够在基板W的上表面与遮挡板6之间的间隔调整中抑制遮挡板6与第一挡板43之间的间隙增大。因此，能够更进一步制限由基板W、遮挡板6和第一挡板43形成的空间A与空间A的外部之间的环境气体往来。另外，因为遮挡板6和第一挡板43同时相对于基板W相对地升降，所以能够更进一步制限空间A与空间A的外部之间的环境气体往来。
另外，调整了基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔，而使得从第一挡板43延伸至空间A的内侧的IPA喷嘴13能够在基板W与遮挡板6的相向面6a之间移动。因此，在用非活性气体置换了空间A内的环境气体的状态下，即在降低了环境气体中的氧浓度及湿度的状态下，IPA喷嘴13能够向基板W的上表面供给处理液。
另外，非活性气体供给工序开始于间隔调整工序(间隔调整步骤S4b)结束之前。因此，在降低了基板W与遮挡板6的相向面6a之间的环境气体的氧浓度及湿度，并且适当地调整了基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔状态下，到开始向基板W的上表面供给IPA为止的时间被缩短。
本发明并不受以上说明过的实施方式的限定，进一步还能够用其他的方式实施。
例如，在本实施方式中，在间隔调整步骤S4b中对第一挡板43进行了升降。但是，只要遮挡板6具有在上下方向Z的厚度，且该厚度的程度使得在间隔调整步骤S4b之前或之后第一挡板43的第一延伸部43B的内缘部43a从水平方向与遮挡板6的外缘部6c能够相向，就可以与本实施方式不同地在间隔调整步骤S4b中不升降第一挡板43。
另外，在间隔调整步骤S4b中，只要遮挡板6和第一挡板43相对于基板W相对地升降即可。因此，与本实施方式不同地，也可以通过升降基板W来调整基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔。另外，也可以通过升降遮挡板6、第一挡板43和基板W中的任一个来调整基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔。
另外，在本实施方式中，IPA喷嘴13围绕喷嘴支撑部件15的旋转轴线移动。但是，与本实施方式不同地，IPA喷嘴13也可以在其延伸方向直线移动。
另外，在本实施方式中，药液喷嘴9是水平方向移动的移动喷嘴。但是，与本实施方式不同地，药液喷嘴9也可以是以向基板W的上表面的旋转中心喷出药液的方式配置的固定喷嘴。详细来讲，药液喷嘴9也可以随DIW喷嘴10、非活性气体喷嘴12和中央IPA喷嘴11一起插入喷嘴收纳部件35，该喷嘴收纳部件35插入在中空轴30中。
另外，处理单元2还可以包括在有机溶剂处理中加热基板W的加热器。加热器既可以内置于旋转基座21，又可以内置于遮挡板6，还可以内置于旋转基座21和遮挡板6这两者。在用有机溶剂处理对基板W加热的情况下，至少使用内置于下表面喷嘴8、旋转基座21的加热器以及内置于遮挡板6的加热器中的一个。
另外，处理液供给喷嘴不限于向基板W的上表面供给例如IPA等有机溶剂的IPA喷嘴13，也可以作为向基板W的上表面供给IPA以外的处理液的喷嘴。即，处理液供给喷嘴既可以作为向基板W的上表面供给具有比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体喷嘴，又可以作为向基板W的上表面供给药液的药液喷嘴，也可以作为向基板W的上表面供给DIW等冲洗液的冲洗液喷嘴。
另外，与本实施方式不同地，处理单元2也可以包括供给将基板W的上表面疎水化的疏水化试剂的疏水化试剂供给喷嘴，并将其收纳于喷嘴收纳部件35。
疏水化试剂，例如是使硅自身及含硅化合物疎水化的硅系疏水化试剂，或者使金属自身及含金属的化合物疎水化的金属系疏水化试剂。金属系疏水化试剂，例如包含有疎水基的胺和有机硅化合物中的至少一种。硅系疏水化试剂例如是硅烷偶联剂。硅烷偶联剂，例如包含HMDS(六甲基二硅氮烷)、TMS(四甲基硅烷)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氮烷和非氯类疏水化试剂中的至少一种。非氯类疏水化试剂，例如包含二甲硅基二甲胺、二甲基硅基二乙胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲基氨)二甲基硅烷、N,N-二甲基氨基三甲基硅烷、N-(三甲基硅基)二甲胺和有机硅烷化合物中的至少一种。
从疏水化试剂供给喷嘴向基板W的上表面供给疏水化试剂的过程中，为了防止引起来自基板W的上表面的疏水化试剂的弹回而使遮挡板6污染，也可以执行间隔调整工序，即通过使遮挡板6上升来调整基板W的上表面与遮挡板6的相向面6a之间的间隔。进而，在间隔调整工序后，通过从疏水化试剂供给喷嘴向基板W的上表面供给疏水化试剂来进行基板处理(处理液供给工序)。
另外，在本实施方式的基板处理中，也可以调整来自与第一挡板43的第一筒状部43A连接着的排气管(图中未示出)的气体的排气量。具体而言，在如图8C～图8F所示地在形成空间A的状态下，通过减弱从排气管的排气量从而能够防止空间A内的压力降低，还能够防止空间A的外部的环境气体被卷入空间A内。由此，空间A内的湿度及氧浓度被降低的状态将更容易维持。反之，在如图8A、图8B和图8G所示地没有形成空间A的状态下，通过增强来自排气管的排气，从而因为能够极力排除基板W的上表面的周边的气体，所以能够防止基板W的上表面的污染。
至此详细地说明了本发明的实施方式，这些只不过是为了使本发明的技术内容更清楚而使用的具体例，本发明不应该被解释成仅限于这些具体例，本发明的范围仅受权利要求保护范围的限定。
本申请对应于2016年8月31日向日本专利厅提出的日本特愿2016-170170号，并通过将该申请的全部公开内容引用至此而组合成本申请。

Claims (5)

1.一种基板处理方法，包含：
基板保持工序，将基板保持为水平；
相向配置工序，在被保持为水平的所述基板的上表面相向配置相向部件；
空间形成工序，由被保持为水平的所述基板、所述相向部件、以及在俯视下包围被保持为水平的所述基板及所述相向部件的多个挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间；
非活性气体供给工序，向所述空间供给非活性气体；
间隔调整工序，通过一边维持所述空间一边使所述相向部件相对于被保持为水平的所述基板升降，来调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔；
处理液供给工序，在所述间隔调整工序之后向被保持为水平的所述基板的上表面供给处理液，
多个所述挡板具有第一挡板、从下方与所述第一挡板相向的第二挡板，
所述空间形成工序包括如下工序：使所述第一挡板的内缘部与所述相向部件的外缘部相向，并且，使所述第二挡板的内缘部与所述基板的外缘部相向，从而形成所述空间，
所述间隔调整工序包括如下工序：一边维持所述相向部件的外缘部与所述第一挡板的内缘部相向且所述第二挡板的内缘部与所述基板的外缘部相向的状态，一边调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述间隔调整工序包括：
使所述相向部件与所述第一挡板以相同的速度相对于所述基板升降的工序。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述间隔调整工序包括：
使所述相向部件与所述第一挡板同时相对于所述基板升降的工序。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还包括：第一处理液供给工序，在形成有所述空间且将所述相向部件配置于第一位置的状态下，从所述相向部件的与被保持为水平的所述基板的上表面相向的相向面向所述基板的上表面供给处理液，
所述间隔调整工序包括如下工序：持续从与被保持为水平的所述基板相向的所述相向面供给所述处理液，并且，一边维持所述空间，一边使所述相向部件上升到比所述第一位置更位于上方的第二位置，从而调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔，使得从所述第一挡板的内壁水平延伸至所述空间的内侧的处理液供给喷嘴能够在所述基板与所述相向部件之间移动，
所述基板处理方法还包括：第二处理液供给工序，在所述第一处理液供给工序和所述间隔调整工序之后执行，在将所述相向部件配置于所述第二位置的状态下，一边使所述处理液供给喷嘴在所述基板和所述相向部件之间水平移动，一边从所述处理液供给喷嘴向所述基板的上表面供给所述处理液。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述非活性气体供给工序在所述间隔调整工序结束之前开始。
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