TWI461554B - 有機薄膜的成膜裝置及有機材料成膜方法 - Google Patents

有機薄膜的成膜裝置及有機材料成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI461554B
TWI461554B TW099143035A TW99143035A TWI461554B TW I461554 B TWI461554 B TW I461554B TW 099143035 A TW099143035 A TW 099143035A TW 99143035 A TW99143035 A TW 99143035A TW I461554 B TWI461554 B TW I461554B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vapor
film forming
organic material
film
organic
Prior art date
Application number
TW099143035A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201132776A (en
Inventor
Toshio Negishi
Hiroshi Fujimoto
Hideyuki Hiraiwa
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of TW201132776A publication Critical patent/TW201132776A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI461554B publication Critical patent/TWI461554B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

有機薄膜的成膜裝置及有機材料成膜方法
本發明係關於有機薄膜的成膜裝置,尤其關於每次以少量來加熱材料並使其蒸發之成膜裝置及有機材料成膜方法。
添加有由有機物所構成之發光材料之有機薄膜,當電流在膜厚方向上流動時,會發出因應發光材料種類之色彩的光,故近來使用有機薄膜之顯示裝置和照明裝置達到實用化,並且達到量產化。
然而,當加熱多量的有機材料時,雖然加熱中的一部分有機材料會於短時間內蒸發,但大部分有機材料會經過長時間加熱,導致有機材料的變質而無法獲得品質高的有機薄膜。
相對於此,若針對每片基板,每次將一定量的有機材料少量供給至加熱裝置,並且每次以少量來加熱有機材料並產生蒸氣,則從開始對一片基板供給一定量的有機材料至結束為止之間,會使供給量變動,且成膜對象物的成膜速度亦會變動。
尤其當使成為主體材料之有機材料的蒸氣與成為發光材料之有機材料的蒸氣一同到達成膜對象物來形成發光層時,由於最適含有率已定,當一方之有機材料的蒸氣的到達速度變動時,該含有率產生變化,使膜厚方向上的含有率變動。當形成有對於發光而言並非最適含有率之部分時,發光層的發光量會降低。
此外,以往未朝向成膜對象物釋出之有機材料的蒸氣被排廢,所以當來自釋出裝置的蒸氣釋出量達到安定後才開始成膜時,亦會有被浪費的有機材料增加之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-249868號公報
係提供一種當每次以少量來加熱成膜中所使用之有機材料並使其蒸發時,可使從釋出裝置所釋出之有機材料的蒸氣量成為一定之成膜裝置。
此外,係提供一種可從成膜中未被使用之蒸氣當中回收有機材料並予以再利用之成膜裝置。
為了解決上述課題,本發明為一種成膜裝置,是具備有:配置有成膜對象物之成膜槽、產生有機材料的蒸氣之蒸氣產生裝置、以及用以供給在前述蒸氣產生裝置中所產生之前述蒸氣之釋出裝置,並且從形成於前述釋出裝置之釋出口,將前述蒸氣釋出於前述成膜槽內之有機薄膜的成膜裝置,前述蒸氣產生裝置,具備有:供給前述有機材料之材料供給裝置;使從前述材料供給裝置所供給之前述有機材料蒸發之蒸發裝置;使前述蒸發裝置中所產生之前述蒸氣析出並進行再蒸發之緩衝部;以及控制前述緩衝部的溫度之緩衝用溫度控制裝置;前述蒸發裝置中所產生之前述蒸氣,通過前述緩衝部被供給至前述釋出裝置,使前述有機薄膜形成於前述成膜對象物。
此外,本發明為具有複數個前述蒸氣產生裝置之成膜裝置。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,具有偵測出從前述緩衝部所釋出之蒸氣的一部分之膜厚監測器;前述緩衝用溫度控制裝置,係根據前述膜厚監測器的偵測值,來控制前述緩衝部的溫度。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,前述材料供給裝置,係使具有螺旋線之軸旋轉而使前述有機材料落下至前述蒸發裝置。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,前述蒸發裝置,係具有測定出從前述材料供給裝置所供給之前述有機材料的量之材料供給量測定手段。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,前述材料供給量測定手段,係具有:接受從前述材料供給裝置所供給之前述有機材料之接受構件、以及從前述接受構件的溫度變化來算出前述有機材料的供給量之溫度測定解析裝置。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,前述緩衝部,是集合複數條金屬細線所成,前述金屬細線相互地部分重疊,並藉由前述金屬細線與前述金屬細線之間隙來形成流路。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,前述緩衝部,是由複數片網所構成;於前述網的網目與前述網目之間隙形成有流路。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,複數片前述網當中,第一片網之每單位面積的網目個數,被設定為位於較在前述緩衝部內流通之前述蒸氣的前述第一片網更下游側之第二片網之每單位面積的網目個數以下。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,於前述材料供給裝置連接有供給防逆流氣體之防逆流氣體供給裝置。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,前述蒸氣產生裝置,具有:將已通過前述緩衝部之前述蒸氣的行進方向,在位於前述釋出裝置內部之第一方向、與朝向前述釋出裝置的內部以外之第二方向之間進行切換之切換裝置。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,前述蒸氣產生裝置,具有:捕集裝置及低溫裝置,該捕集裝置係於捕集槽的內部配置有可與前述蒸氣接觸之捕集部,並且前述捕集槽內部構成為可進行真空排氣;該低溫裝置係將前述捕集部冷卻至較前述蒸發溫度更低溫之捕集溫度;前述第二方向被設定為朝前述捕集槽內部。
此外,本發明一種成膜裝置,是具備有:配置有成膜對象物之成膜槽、產生有機材料的蒸氣之蒸氣產生裝置、以及供給有前述蒸氣產生裝置中所產生之前述蒸氣之釋出裝置,並且從形成於前述釋出裝置之釋出口,將前述蒸氣釋出於前述成膜槽內之有機薄膜的成膜裝置,前述蒸氣產生裝置,係具備有:供給前述有機材料之前述材料供給裝置;使從前述材料供給裝置所供給之前述有機材料蒸發之蒸發裝置;前述蒸氣所接觸之捕集部被配置在捕集槽的內部,並且前述捕集槽內部構成為可進行真空排氣之捕集裝置;將前述捕集部冷卻至較前述蒸發溫度更低溫之捕集溫度的低溫裝置;以及將前述蒸發裝置所產生之前述蒸氣的行進方向,切換至前述釋出裝置與前述捕集部中的任一方之切換裝置;前述蒸發裝置中所產生之前述蒸氣被供給至前述釋出裝置,使前述有機薄膜形成於前述成膜對象物。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,前述蒸氣產生裝置具有膜厚偵測器;由前述蒸發裝置所產生在到達前述切換裝置前之前述蒸氣的一部分,被引導至前述膜厚偵測器;使前述有機薄膜成長於前述膜厚偵測器上而構成。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,具有連接於同一前述釋出裝置之複數個前述蒸氣產生裝置。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,於複數個前述蒸氣產生裝置的前述材料供給裝置,分別配置有不同化學結構的前述有機材料。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,配置在複數個前述蒸氣產生裝置的前述材料供給裝置之前述有機材料,在所形成之前述有機薄膜中的含有率為不同。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,於前述釋出裝置,係連接有:使含有較前述有機材料更少量之有機化合物的副材料被配置在前述有機薄膜內之蒸發用容器,前述副材料的蒸氣,以較前述有機材料的蒸氣更小之導入速度被導入於前述釋出裝置內而構成。
此外,本發明為一種成膜裝置,其中,係具有:前述副材料的蒸氣所接觸之捕集部被配置在捕集槽的內部,並且前述捕集槽內部構成為可進行真空排氣之副捕集裝置;前述蒸發用容器內所產生之前述副材料的蒸氣,為可切換地導入於前述釋出裝置與前述副捕集裝置而構成。
此外,本發明為一種有機材料成膜方法,係以既定量的速度將有機材料供給至加熱部以產生蒸氣;將前述蒸氣導入於緩衝部,並在前述緩衝部內析出;使前述緩衝部中所析出之有機材料再蒸發;將前述再蒸發後之蒸氣釋出於基板而成膜。
此外,本發明為一種有機材料成膜方法,其中,測定出從前述緩衝部所導出之蒸氣的一部分;根據前述測定值來控制前述緩衝部的溫度。
此外,本發明為一種有機材料成膜方法,其中,於前述基板的替換時,將前述緩衝部的溫度降低到較前述有機材料的蒸發溫度更低,以使前述蒸氣析出於前述緩衝部內;對前述基板進行成膜時,將前述緩衝部的溫度升高到較前述有機材料的蒸發溫度更高,以使析出於前述緩衝部內之前述有機材料再蒸發。
根據本申請案,可一邊供給必要量的原料一邊於短時間內加熱使其蒸發,並且可使成膜速度達到安定。
根據本發明,可使混合有複數種有機材料之有機薄膜在膜厚方向上的組成成為一定。
當以單一有機材料來形成有機薄膜時,可得膜厚方向上的品質為一定之有機薄膜。
此外,可藉由捕集裝置,因應有機材料種類的不同來個別地回收以往被排廢之蒸氣,所以可進行再利用。
<全體構成>
第1、2圖的符號2,係顯示本發明之第一例的成膜裝置。
第1圖係從側面觀看該成膜裝置2之剖面圖,第2圖係從上方所觀看之內部的配置圖。如第1圖所示,此成膜裝置2具有成膜槽11與釋出裝置12,如第2圖所示,於同一釋出裝置12連接有複數個蒸氣產生裝置13a、13b(第1圖中為2個)。
蒸氣產生裝置13a、13b,在此其內部構造相同,所以在第1圖中,是藉由符號13所示之蒸氣產生裝置來一同顯示兩個蒸氣產生裝置13a、13b的內部。
第2圖中,蒸氣產生裝置13a、13b連接於釋出裝置12之與長度方向為相同側的端部,但即使連接於相同端部,一方與另一方亦可連接於相反側的端部。
於成膜槽11設置有將成膜對象物15送入及送出時進行開閉之送入口81與送出口82。
首先,關閉送入口81與送出口82與後述之區隔閥29,使真空排氣系19動作,將成膜槽11予以真空排氣而形成真空環境。持續使真空排氣系19動作而將成膜槽11內部予以真空排氣。
釋出裝置12具有本體部35與關閉本體部35的開口之釋出板36。於釋出板36形成有複數個釋出口37。
釋出裝置12配置在成膜槽11內,釋出裝置12的內部,經由釋出口37並藉由真空排氣系19予以真空排氣。
於各蒸氣產生裝置13a、13b內,配置有相同或不同化學結構的有機材料。
為不同化學結構時,例如一方為有機薄膜的母材(構成有機薄膜之材料)之有機化合物,另一方為母材的有機薄膜中所含有之摻雜劑(例如發光材料),所形成之有機薄膜中的含有率(重量百分率)為不同,母材的有機化合物與摻雜劑的有機化合物,在各個蒸氣產生裝置13a、13b內,母材均配置較摻雜劑更多。此時,可同時使蒸氣產生裝置13a、13b運轉並將母材與摻雜劑進行共蒸鍍。或是亦可將不同材料配置在蒸氣產生裝置13a、13b,並分別使其動作來形成層合膜。
各蒸氣產生裝置13a、13b,係產生所配置之有機材料的蒸氣,並將其分別供給至相同釋出裝置12而構成。
釋出裝置12,係因應各有機材料種類之不同,將從各蒸氣產生裝置13a、13b所供給之蒸氣從不同的釋出口37釋出至成膜槽11的內部而構成,或是在本體部35內形成空孔,各蒸氣產生裝置13a、13b所產生之蒸氣被供給至相同空孔,於空孔內混合並從各釋出口37釋出至成膜槽11的內部而構成。
此例中,釋出裝置12係在成膜槽11的內部配置有本體部35與釋出板36,但只要是可維持成膜槽11的氣密性之狀態,則亦可使釋出板36位於成膜槽11的內部,並將本體部35的一部分或全部配置在成膜槽11的外部。
於成膜槽11內之釋出裝置12的上方位置上,配置有移動裝置17。於成膜槽11的內部,係從成膜槽11的外部,通過送入口81而送入有與配置在保持器16之基板或基板與遮罩呈一體化之成膜對象物15,移動裝置17使所送入之保持器16與成膜對象物15一同移動,在釋出裝置12的正上方位置上使其靜止並進行成膜後,再從送出口82送出至成膜槽11的外部而構成。
於送入口81與送出口82的外部,連接有裝入取出室(圖中未顯示)或是其他真空處理室(圖中未顯示),當進行從送入口81之成膜對象物15的送入與從送出口82之成膜對象物15的送出時,來維持成膜槽11內的真空環境。
形成成膜對象物15的有機薄膜之成膜面,被朝向釋出裝置12,當在位於釋出裝置12的正上方並與釋出裝置12的釋出板36相面對之狀態下,使其靜止並從釋出裝置12的釋出口37釋出有機材料的蒸氣時,蒸氣可均一地到達成膜面,使有機薄膜形成於成膜面。亦可不使成膜對象物15靜止,並通過釋出裝置12的正上方位置來成膜。
當從複數個蒸氣產生裝置13a、13b將不同有機材料的蒸氣供給至釋出裝置12,並從釋出裝置12被釋出而使各有機材料的蒸氣到達至成膜對象物15的成膜面時,係使複數種有機材料的蒸氣被均一地混合之氣體到達而形成有機薄膜。
接著說明蒸氣產生裝置13a、13b的構成。
各蒸氣產生裝置13a、13b,分別具有:更換裝置30、材料供給裝置20、蒸發裝置40、緩衝裝置50、以及捕集裝置60。
更換裝置30與材料供給裝置20連接,材料供給裝置20連接於蒸發裝置40,蒸發裝置40連接於緩衝裝置50,緩衝裝置50連接於切換裝置10。切換裝置10連接於捕集裝置60與釋出裝置12。
<材料供給裝置>
材料供給裝置20,具有:累積容器21、中空的筒狀部23、以及直線狀的棒狀體25。累積容器21,下部傾斜為漏斗狀,於漏斗狀部分的下端形成開口。筒狀部23,其內部連通於累積容器21的下端開口而連接。棒狀體25垂直地插通於筒狀部23與累積容器21的內部。棒狀體25的上部位於較累積容器21的漏斗狀部分更上方,下部位於筒狀部23內。
於棒狀體25,設置有一邊旋轉一邊朝垂直方向延伸之螺旋狀的突起26。於累積容器21內配置有粉體的有機材料。在筒狀部23內,突起26的外周與筒狀部23的內周面之間的距離,形成為較有機材料的粒子大小更窄,使有機材料不會通過突起26與筒狀部23之間的間隙落下而構成。
此外,當將粉體狀的有機材料配置在累積容器21內時,係構成為使有機材料載置於突起26上,但突起26之螺旋狀的斜率,係形成為有機材料在棒狀體25呈靜止之狀態下不會從突起26上滑落或滾落之角度,所以在棒狀體25呈靜止之狀態下,累積容器21內部的有機材料不會在筒狀部23內部中通過突起26上而落下。
蒸發裝置40具有蒸發槽41,於蒸發槽41的頂部設置有貫通孔,筒狀部23的下端,係以氣密方式從貫通孔插入於蒸發槽41內。筒狀部23的下端窄化成漏斗狀,於該前端形成有落下口24,筒狀部23的內部空間與蒸發槽41的內部空間藉由落下口24所連接。在此,蒸發槽41配置在成膜槽11的內部。
突起26與突起26之間的空間,其上端連接於累積容器21的內部空間,下端則經由筒狀部23的內部空間及落下口24而與蒸發槽41的內部空間連接。
旋轉裝置28連接於棒狀體25,棒狀體25,係能夠以其垂直的中心軸線為中心來旋轉。
當棒狀體25在既定方向上旋轉時,位於突起26上之有機材料被擠壓,從突起26與突起26之間隙的下端落下,並通過筒狀部23從落下口24進入於蒸發槽41的內部。
在累積容器21內配置有有機材料之狀態下,落下量與旋轉量成正比,可預先求取落下量與旋轉量之關係。將薄膜形成於一個成膜對象物時,棒狀體25係緩慢地旋轉僅可讓一個成膜對象物所需的量之有機材料落下之旋轉量。因此,係從材料供給裝置20中,每次少量地使有機材料落下而供給至蒸發裝置40。
此例中,係構成為將相互不同的化學結構者,例如有機薄膜之母材的有機材料與顯色劑的有機材料分別配置於各蒸氣產生裝置13a、13b的累積容器21內。有機薄膜中的含有量,母材與顯色材有極大的不同。
<更換裝置>
更換裝置30具有作為真空槽之更換室31,更換室31配置在成膜槽11的頂部。
於更換室31與成膜槽11之間設置有區隔閥29,更換室31內的環境與成膜槽11內的環境,構成為可經由區隔閥29來連接。
於累積容器21設置有移動裝置,累積容器21係能夠與筒狀部23及棒狀體25一同地上下移動而構成。
於成膜作業時,累積容器21被配置在成膜槽11內,並位於區隔閥29的正下方,在關閉區隔閥29之狀態下,成膜槽11內部與大氣環境分離,使連接於成膜槽11之使真空排氣系19動作而能夠將成膜槽11內形成為真空環境。
於更換室31設置有門32,當開啟門32時,可將更換室31連接於大氣環境。
於更換室31連接有真空排氣系33,在關閉區隔閥29與門32之狀態下,藉由真空排氣系33將更換室31內予以真空排氣,在更換室31成為與成膜槽11同等程度的真空環境時,將位於區隔閥29的正下方之累積容器21與筒狀部23及棒狀體25一同朝上方移動,並通過區隔閥29將累積容器21與筒狀部23及棒狀體25一同送入至更換室31內。
接著關閉區隔閥29,將成膜槽11內與更換室31分離,在將真空排氣系33從更換室31分離後,將大氣導入於更換室31內,使更換室31內成為大氣壓。此時係維持成膜槽11內的真空環境。
在此狀態下開啟門32,以門32來連接累積容器21內部與大氣環境,在大氣環境中,將有機材料投入於累積容器21內。此時,如上述般,被投入於累積容器21內之有機材料,不會從突起26上滑落或滾落。
將有機材料配置在累積容器21內後,關閉門32,藉由真空排氣系33將更換室31內予以真空排氣,並且進行真空排氣至更換室31內成為與成膜槽11同等程度的壓力為止。此時,累積容器21的內部和筒狀部23的內部均進行真空排氣。
在更換室31內進行真空排氣後,開啟區隔閥29,將累積容器21與筒狀部23及棒狀體25一同移動至成膜槽11內,當位於區隔閥29的下方時,關閉區隔閥29。
<蒸發裝置>
上述落下口24位於蒸發槽41底面的上方,從材料供給裝置20的落下口24落下之有機材料,與蒸發槽41的底面碰撞,並在與底面接觸之狀態下靜止於底面上。
於蒸發槽41的周圍設置有用以加熱蒸發槽41之蒸發用加熱裝置42。電阻發熱體等之蒸發用加熱裝置42,係連接於加熱用電源44,藉由加熱用電源44通電時,會發熱而加熱蒸發槽41。
因此,蒸發裝置40中,由於是以蒸發用加熱裝置42來加熱蒸發槽41的底面,所以蒸發槽41的底面為與從材料供給裝置20所供給之有機材料接觸而加熱有機材料之加熱部43。
有機材料,具有作為開始蒸發之溫度的蒸發溫度,當被加熱時,即使升溫至蒸發溫度,亦不會立即蒸發,故有機材料被加熱至較蒸發溫度更高之溫度。達到高溫時,蒸發速度變快,但溫度愈高,其分解量愈多。
蒸發用加熱裝置42的發熱是藉由加熱用電源44的通電量所控制,加熱部43被設定為較該表面所配置之有機材料的蒸發溫度更高之溫度的蒸氣產生溫度。蒸氣產生溫度為有機材料不會產生分解之高溫。加熱部43上的有機材料被升溫至蒸氣產生溫度而蒸發,並產生有機材料的蒸氣。
當將加熱用構件配置在蒸發槽41的底面上,使從材料供給裝置20所供給之有機材料接觸於加熱用構件,並藉由蒸發用加熱裝置42將加熱用構件加熱時,該加熱用構件成為加熱部43而產生蒸氣。
此外,於蒸發槽41的內部,可設置測定出從落下口24落下之有機材料的質量之材料供給量測定手段100。例如,材料供給量測定手段100具有材料接受構件101及溫度測定解析裝置102。溫度測定解析裝置102係測定材料接受構件101的溫度。材料接受構件101是藉由蒸發用加熱裝置42加熱至一定溫度,但當有機材料落下時,由於有機材料的熱容量與氣化熱使溫度暫時降低。可於事前測定材料的落下量與溫度變化並製作對應表。溫度測定解析裝置102,可從材料接受構件101的溫度與對應表來計算出有機材料的落下量。
蒸發槽41與釋出裝置12,係藉由連接管45(451 ~453 )所連接,於該中途設置有緩衝裝置50。
此外,於緩衝裝置50與釋出裝置12之間之連接管45,設置有由三向閥所構成之切換裝置10。於切換裝置10,連接有後述捕集裝置60的捕集槽61,藉由切換裝置10的動作,緩衝裝置50可連接於釋出裝置12與捕集裝置60中的任一方而構成。緩衝裝置50亦可構成為不與任一方連接。
捕集槽61連接於成膜槽11的內部或真空排氣系19。在此係連接於成膜槽11的內部。
成膜時,成膜槽11藉由連接於成膜槽11之真空排氣系19持續進行真空排氣,當緩衝裝置50連接於釋出裝置12時,緩衝裝置50與蒸發槽41經由釋出裝置12並藉由真空排氣系19進行真空排氣。當緩衝裝置50連接於捕集裝置60時,緩衝裝置50經由捕集裝置60進行真空排氣。
材料供給裝置20內,棒狀體25緩慢地旋轉,對一個成膜對象物所供給之量的有機材料,係每次少量地被供給至加熱部43。
與加熱部43接觸之有機材料於短時間內蒸發,且位於加熱部43上之有機材料不會增加,所以在蒸發槽41內以一定的蒸發速度來產生有機材料的蒸氣。
於筒狀部23連接有防逆流氣體供給系49,導入防逆流氣體以使在蒸發槽41內所產生之蒸氣不會進入於累積容器21內。此外,防逆流氣體,係藉由抑制筒狀部23的溫度上升而防止筒狀部23內的有機材料溶解或昇華。蒸發槽41內,防逆流氣體被加熱至與蒸發槽41內的溫度大致相同之溫度。防逆流氣體為氬氣等稀有氣體。
蒸發槽41內的壓力與成膜槽11內的壓力,由於成膜槽11者較低,所以蒸氣和防逆流氣體一同朝成膜槽11的方向流出。
<緩衝裝置>
緩衝裝置50具有緩衝槽51,一端連接於蒸發槽41的開口48之連接管451 ,該另一端連接於緩衝槽51的開口53,蒸氣在連接管451 內朝緩衝槽51內移動。
於連接管45(451 ~453 )捲繞有保溫裝置46,並藉由來自保溫用電源47的通電使其發熱,以將連接管45升溫至蒸氣產生裝置13上所配置之有機材料的蒸發溫度以上之溫度。
於緩衝槽51的內部,配置有具有複數條氣流可流通的細流路之緩衝部52,當蒸氣在流路內流通時,蒸氣與緩衝部52內之流路的壁面碰撞。
作為一例,緩衝部52可使金屬細線部分重疊,且金屬細線的間隙形成流路,具體而言,亦可將金屬製的網層合複數片而構成。
於緩衝槽51的周圍設置有緩衝用溫度控制裝置55,當緩衝用電源56對緩衝用溫度控制裝置55通電時,緩衝用溫度控制裝置55發熱而加熱緩衝槽51及緩衝部52。
緩衝用溫度控制裝置55的溫度可藉由緩衝用電源56的通電量來控制。此外,緩衝用溫度控制裝置55可具有用以冷卻緩衝部52之手段。若藉由緩衝用溫度控制裝置55將緩衝槽51的溫度降低較有機材料的蒸發溫度更低,則有機材料在緩衝槽51內析出並累積於緩衝部52。
此外,若藉由緩衝用溫度控制裝置55將緩衝槽51的溫度提高較有機材料的蒸發溫度更高,則有機材料在緩衝槽51內再蒸發並從緩衝槽51被釋出。再者,緩衝用溫度控制裝置55藉由後述膜厚偵測器86的偵測值所控制。
具體而言,當膜厚偵測器86的偵測值較期望值更小時,提高緩衝部52的溫度,較期望值更大時,降低緩衝部52的溫度。緩衝槽51之氣體流入用的開口53藉由緩衝部52所覆蓋,在緩衝部52內,網與網的重疊間隙和網目的重疊部分,成為蒸氣和防逆流氣體的流路,使蒸氣在緩衝部52內流通。
於緩衝槽51設置有流出用的開口57,連接管452 的一端連接於此開口57,另一端連接於切換裝置10。
此外,切換裝置10,藉由連接管453 、69分別連接於釋出裝置12的本體部35與捕集裝置60的捕集槽61。
切換裝置10係將緩衝裝置50連接於釋出裝置12與捕集裝置60中的任一方而構成,當緩衝裝置50連接於釋出裝置12時,從緩衝槽51所流出之蒸氣被導入於釋出裝置12的本體部35,連接於捕集裝置60時,蒸氣被導入於捕集裝置60的捕集槽61內。
當使有機材料落下並蒸發而產生有機材料的蒸發,由於材料落下速度的變動,可能使蒸氣產生量變動。尤其有機材料為粉體,故難以以相同速度使一定量落下。然而,若先累積於緩衝裝置50並使其再蒸發,則容易控制蒸發速度,而供給一定量的蒸氣。此外,若預先以蒸發溫度以下之接近於蒸發溫度的溫度使有機材料累積,則可迅速地將緩衝裝置50升溫至蒸發溫度以上。此外,由於有機材料累積於緩衝裝置50之時間為短時間,所以有機材料亦不會劣化。
具體而言,係控制為在更換成膜對象物15之間將有機材料累積於緩衝裝置50,並於成膜時從緩衝裝置50釋出蒸氣。
於累積時,從蒸發裝置40供給蒸氣,將緩衝裝置50設定在蒸發溫度以下,並藉由切換裝置10將緩衝裝置50連接於捕集槽61。為了控制緩衝裝置50中的累積量,係根據材料供給量測定手段100的測定結果來控制旋轉裝置28的轉數。
開始成膜時,將緩衝裝置50設定在蒸發溫度以上在膜厚偵測器86的偵測值為一定時,藉由切換裝置10將緩衝裝置50連接於釋出裝置12。成膜時為了控制緩衝裝置50的溫度,係藉由後述膜厚偵測器86的偵測值來控制緩衝用溫度控制裝置55。成膜時,能夠以較成膜速度更慢的供給量從蒸發裝置40供給蒸氣至緩衝裝置50,或是停止從蒸發裝置40供給蒸氣。當藉由膜厚偵測器86的偵測值偵測出結束規定厚度的成膜時,將切換裝置10的連接目的地切換至捕集槽61,將緩衝裝置50的溫度降低至蒸發溫度以下。
<捕集裝置>
當切換裝置10將緩衝裝置50連接於捕集裝置60時,從緩衝裝置50所釋出之蒸氣被導入於捕集槽61內。
於捕集槽61的內部,具有被導入於捕集槽61內之蒸氣所接觸之金屬製的捕集部62。
於捕集槽61捲繞有冷卻媒體管63,被冷卻之液體狀的冷卻媒體從循環裝置66被供給至冷卻媒體管63,捕集槽61與捕集部62被冷卻至作為較產生被供給至捕集裝置60之蒸氣之有機材料的蒸發溫度更低的溫度之捕集溫度。於冷卻媒體管63中流通之冷卻媒體返回循環裝置66,在循環裝置66內被冷卻並再次供給至冷卻媒體管63。
排廢管68的一端連接於捕集槽61,作為排廢管68的另一端之排出口67,配置在成膜槽11內。
在捕集槽61內與捕集部62的表面接觸之蒸氣,析出於捕集部62的表面,並從捕集槽61內所流通之氣體中被去除。因此,從排出口67所排出之氣體中,幾乎不含有機材料的蒸氣,故成為大部分導入作為防逆流氣體之氣體,並藉由真空排氣系19的真空排氣來進行真空排氣。
析出於捕集部62之有機材料,可藉由從捕集槽61的內部取出捕集部62並將其剝離或再蒸發而回收。
如第3圖所示,本發明之成膜裝置3,亦可不設置捕集裝置60,而藉由切換裝置10來切換緩衝裝置50的釋出裝置12與排廢管68之間的連接,並將排廢管68前端的排出口67配置在成膜槽11之與成膜對象物15的下方為不同之位置上,或是將排出口連接於真空排氣裝置(第二例)。其他構成與第1圖的成膜裝置2相同。
捕集部62是由:隔著間隙分離地配置,且蒸氣和防逆流氣體在間隙中流通之複數個金屬製板所構成,但亦可層合金屬製的纖維集合物或金屬製的複數片網來構成。此等金屬亦可非金屬製。
<膜厚偵測器>
本發明之成膜裝置2、3中,於緩衝裝置50與切換裝置10之間的蒸氣所流通之路徑(在此為連接管452 )上,安裝有取樣裝置84,並從設置在取樣裝置84之細孔85中,通過緩衝部52並在到達切換裝置10之前之蒸氣,與防逆流氣體一同被萃取出,並在成膜槽11內之與成膜對象物15的通過位置為不同之位置上,使連接管452 內的一部分被釋出。
於與細孔85相面對之位置上,係接近地配置膜厚偵測器86,從細孔85被釋出至成膜槽11內之氣體到達膜厚偵測器86,並藉由到達氣體中之有機材料的蒸氣,而在膜厚偵測器86的表面上形成有機薄膜。
係預先調查出膜厚偵測器86表面上所成長之有機薄膜的膜厚、與保持在保持器16並位於釋出裝置12上之成膜對象物15上所成長之有機薄膜的膜厚之關係,即使從緩衝裝置50所釋出之蒸氣被導入於捕集裝置60,亦可藉由連接有膜厚偵測器86之測定裝置87所進行之測定,從形成於膜厚偵測器86表面之有機薄膜的膜厚中,求取被導入於捕集裝置60之蒸氣到達成膜對象物15表面時之有機薄膜的膜厚。亦可從成膜時間中,藉由膜厚偵測器86與測定裝置87的測定來求取成膜對象物15表面上的成膜速度。根據膜厚偵測器86的偵測值,控制緩衝用溫度控制裝置55的溫度,藉以控制來自緩衝裝置50的再蒸發量。此外,根據膜厚偵測器86的偵測值,偵測出成膜的結束時。
<成膜作業>
開始成膜作業時,在藉由切換裝置10將緩衝裝置50連接於釋出裝置12後,將一片成膜對象物15保持在保持器16上,並使其位於釋出裝置12的上方。
形成於成膜對象物15之有機薄膜的組成與膜厚為既定,故可得知對於一個成膜對象物15之有機薄膜的形成為必要且在複數個蒸氣產生裝置13a、13b內所蒸發之各種有機材料的必要量,然後在各蒸氣產生裝置13a、13b內,以一定的供給量速度(供給量速度=必要量/成膜時間),從材料供給裝置20將所配置之有機材料的必要量落下至蒸發槽41內,並藉由加熱部43來產生蒸氣。
在此,藉由旋轉裝置28,以使供給速度成為既定值之方式使棒狀體25旋轉,螺旋的突起26上之有機材料,在筒狀體23內從上方往下方移動,有機材料從筒狀體23下端的落下口24落下至蒸發槽41內。供給速度為因應旋轉速度之值,轉數亦為因應必要量之值。
所生成之各有機材料的蒸氣,藉由暫時累積於緩衝裝置50並使其再蒸發,而以安定的供給量速度供給至釋出裝置12。當以既定的釋出量速度(每單位時間的蒸氣釋出量)從釋出口37釋出至成膜槽11內時,係以成為既定的膜厚且組成在膜厚方向上為既定值之方式,在成膜對象物15表面上形成一定的有機薄膜。
釋出裝置12設置有加熱器38,藉由電源39通電時,會發熱而加熱本體部35和釋出板36。當供給複數種有機材料的蒸氣時,釋出裝置12,係被加熱至在所供給之蒸氣的蒸發溫度中之最高蒸發溫度以上的溫度。
釋出裝置12上的成膜對象物15,在形成有既定膜厚的有機薄膜後,從釋出裝置12上被移出,然後將未成膜的成膜對象物配置在釋出裝置12上。
當結束必要量之有機材料的供給時,停止棒狀體25的旋轉,所以當成膜對象物15未位於釋出裝置12上時,於加熱部43未配置有機材料,因此不會產生蒸氣的浪費。
惟在成膜對象物15未配置在釋出裝置12上之間,可藉由切換裝置10將緩衝裝置50連接於與捕集裝置60。
第一例、第二例之成膜裝置2、3中,各成膜裝置2、3所具有之複數個蒸氣產生裝置13a、13b的構造為相同,但亦可為不同。例如,第4圖所示之成膜裝置4中,係將配置有作為母材的有機化合物之與第一例、第二例之成膜裝置2、3的蒸氣產生裝置13a、13b為相同構造之蒸氣產生裝置13c,連接於釋出裝置12,並且將具備配置有作為摻雜劑材料的有機化合物72之蒸發用容器71之蒸氣產生裝置14,連接於同一釋出裝置12。
此蒸氣產生裝置14之作為摻雜劑材料的有機化合物72,其因應複數片基板之份量被配置在蒸發用容器71。
於蒸發用容器71的周圍,捲繞有電阻發熱體等之蒸發用加熱裝置78,蒸發用容器71藉由連接管455 連接於釋出裝置12。在此,係連接於用以連接第一例、第二例之成膜裝置2、3所示之蒸氣產生裝置13a、13b的切換裝置10與釋出裝置12之間之連接管453
然後,藉由加熱用電源79對蒸發用加熱裝置78通電使其發熱,藉此加熱蒸發用容器71。當內部的有機化合物72成為該蒸發溫度以上的溫度時,在蒸發用容器71的內部產生有機化合物蒸氣。
於蒸發用容器71與釋出裝置12之間(在此為連接管455 的中途),設置有由三向閥所構成之切換裝置70。
於切換裝置70連接有捕集裝置90,藉由切換裝置70的切換,蒸發用容器71內所產生之蒸氣,亦可被供給至釋出裝置12與捕集裝置90中的任一方。亦可構成為藉由切換裝置70使蒸發用容器71不與任一方連接。
當蒸發用容器71連接於釋出裝置12時,蒸發用容器71內部所產生之有機化合物72的蒸氣被供給至釋出裝置12。此時,當蒸發槽41內所產生之有機化合物蒸氣從緩衝裝置50被供給至釋出裝置12時,在釋出裝置12中,蒸發用容器71內所產生之蒸氣與蒸發槽41內所產生之蒸氣兩者被導入於釋出裝置12內。
於蒸發用容器71連接有載體氣體供給系73,蒸發用容器71內所產生之蒸氣,順著載體氣體流與載體氣體一同被供給至釋出裝置12而構成。
當停止從蒸發用容器71供給蒸氣至釋出裝置12時,可藉由切換裝置70阻隔釋出裝置12與蒸發用容器71之間,並將蒸發用容器71連接於捕集裝置90。
捕集裝置90具有捕集槽77,該內部連接於成膜槽11的內部,並藉由真空排氣系19進行真空排氣而構成。
於捕集槽77的內部設置有蒸氣所接觸之捕集部96,於捕集槽77的周圍捲繞有冷卻媒體管93。
冷卻媒體管93連接於循環裝置92,被冷卻之液體狀的冷卻媒體從循環裝置92被供給,並在冷卻媒體管93內流通。
捕集槽77與捕集部96的溫度,係藉由冷卻媒體管93內所流通之冷卻媒體,被冷卻至較捕集槽77內所流通之蒸氣的蒸發溫度更低之溫度之捕集溫度。藉由各冷卻媒體管63、93及各循環裝置66、92,分別構成低溫裝置。
在捕集部96被冷卻至該捕集溫度之狀態下,當有機化合物72的蒸氣單獨或與載體氣體一同從蒸發用容器71朝向捕集裝置90流動,並被導入於捕集槽77內時,該蒸氣與捕集部96接觸並附著於捕集部96的表面。
由於成膜槽11的內部藉由真空排氣系19進行真空排氣,所以從捕集裝置90所釋出之載體氣體與極少量之有機化合物的蒸氣,係藉由真空排氣系19的真空排氣所排氣。
附著於捕集部62、96之有機化合物,可進行回收再利用。
於連接管455 之切換裝置70與蒸發用容器71之間,安裝有取樣裝置75,於與設置在取樣裝置75之細孔95接近且相面對之位置上,配置有膜厚偵測器76。膜厚偵測器76連接於測定裝置74。
此取樣裝置75及膜厚偵測器76,與緩衝裝置50與切換裝置10之間之取樣裝置84以及與其相面對之膜厚偵測器86相同,在蒸氣單獨或與載體氣體一同流入於捕集裝置90之狀態下,在連接管455 內流通之蒸氣的一部分,從取樣裝置75的細孔95被釋出至成膜槽11內,到達膜厚偵測器76並於該表面形成薄膜。所形成之膜厚的厚度是藉由測定裝置74所測定,並從與所形成之時間來求取成膜速度。
當所求取之成膜速度成為預先決定之值時,可從蒸發用容器71將摻雜劑的蒸氣供給至釋出裝置12。
當摻雜劑的成膜速度,以及依據膜厚偵測器86所求取之從緩衝裝置50供給至釋出裝置12之蒸氣的成膜速度兩者,均分別成為預先決定之值時,係成為可在成膜對象物15的表面形成薄膜之狀態。
此時,從蒸發用容器71與緩衝裝置50分別流入於捕集裝置60、90之蒸氣,以藉由切換裝置10、70與載體氣體一同被供給至釋出裝置12之方式進行切換,釋出裝置12與成膜對象物15一邊靜止或移動且相面對,而使添加有摻雜劑之有機薄膜形成於成膜對象物15表面。
在將有機薄膜形成於成膜對象物15表面之間,成膜速度亦可藉由膜厚偵測器76與測定裝置74所測定,熱用電源79控制對蒸發用容器71周圍的蒸發用加熱裝置78之通電量,並以使連接管455 內的蒸氣壓力成為一定之方式來控制蒸發用容器71內的蒸氣產生速度。
上述第三例中,未將摻雜劑配置在累積容器21內,而是配置在蒸發用容器71內,但亦可不設置蒸發用容器,而是將母材的有機化合物與摻雜劑的有機化合物混合並配置在累積容器21內。惟分別配置在累積容器21與蒸發用容器71來管理蒸發速度者較為容易。
摻雜劑的蒸發量較母材少,所以母材的蒸氣有時會從連接管453 逆流至連接管455 。由於從連接管453 至連接管455 內的壓力為分子流區域,故可藉由在連接管455 內設置防逆流障板110來防止逆流。
<其他>
上述各實施例中,係將兩個蒸氣產生裝置13a、13b連接於一個釋出裝置12,但亦可將三個以上的蒸氣產生裝置13a、13b連接於一個釋出裝置12。
複數個蒸氣產生裝置間的蒸氣產生溫度,因有機材料種類的不同,使每個蒸氣產生裝置有所不同,故因應有機材料的種類(化學結構)與有機薄膜的組成,而設定在不會分解且可安定地產生蒸氣之最適值。
此外,複數個蒸氣產生裝置間的吸附脫離溫度,因有機材料種類的不同,使每個蒸氣產生裝置有所不同,故因應有機材料的種類(化學結構),而設定在可使蒸氣產生的變動達到一定之最適值。
此外,亦可將一個蒸氣產生裝置連接於一個釋出裝置12,此時有機薄膜是藉由緩衝裝置50以一定的成膜速度所形成,所以在膜厚方向上可形成膜質均一的有機薄膜。此外,亦可藉由捕集裝置60進行有機材料的回收。
緩衝槽51內,當比較與蒸氣所流入的開口53之距離為不同之網的網目時,所層合之網的網目之每單位面積的個數,係設定成距離前述開口53較近之網與較遠之網為相同,或是較遠之網為較多。藉由此配置,當累積於緩衝槽51內時,可防止內部阻塞。
2~5...成膜裝置
10、70...切換裝置
11...成膜槽
12...釋出裝置
13a、13b...蒸氣產生裝置
15...成膜對象物
21...累積容器
41...蒸發槽
43...加熱部
45、451 ~455 ...連接管
50...緩衝裝置
52...緩衝部
60、90...捕集裝置
71...蒸發用容器
第1圖係用以說明本發明之第一例的成膜裝置之內部側視圖。
第2圖係用以說明該成膜裝置之複數個蒸氣產生裝置的位置關係之圖面。
第3圖係用以說明本發明之第二例的成膜裝置之內部側視圖。
第4圖係用以說明本發明之第三例的成膜裝置之內部側視圖。
2...成膜裝置
10...切換裝置
11...成膜槽
12...釋出裝置
13...蒸氣產生裝置
15...成膜對象物
16...保持器
17...移動裝置
19...真空排氣系
20...材料供給裝置
21...累積容器
23...筒狀部
24...落下口
25...棒狀體
26...突起
28...旋轉裝置
29...區隔閥
30...更換裝置
31...更換室
32...門
33...真空排氣系
35...本體部
36...釋出板
37...釋出口
38...加熱器
39...電源
40...蒸發裝置
41...蒸發槽
42...蒸發用加熱裝置
43...加熱部
44...加熱用電源
451 ~453 ...連接管
46...保溫裝置
47...保溫用電源
48...開口
49...防逆流氣體供給系
50...緩衝裝置
51...緩衝槽
52...緩衝部
53...開口
55...緩衝用溫度控制裝置
56...緩衝用電源
57...開口
60...捕集裝置
61...捕集槽
62...捕集部
63...冷卻媒體管
66...循環裝置
67...排出口
68...排廢管
69...連接管
81...送入口
82...送出口
84...取樣裝置
85...細孔
86...膜厚偵測器
87...測定裝置
100...材料供給量測定手段
101...材料接受構件
102...溫度測定解析裝置

Claims (22)

  1. 一種成膜裝置,是具備有:配置有成膜對象物之成膜槽、產生有機材料的蒸氣之蒸氣產生裝置、以及用以供給在前述蒸氣產生裝置中所產生之前述蒸氣之釋出裝置,並且從形成於前述釋出裝置之釋出口,將前述蒸氣釋出於前述成膜槽內之有機薄膜的成膜裝置,其特徵為:前述蒸氣產生裝置,具備有:供給前述有機材料之材料供給裝置;使從前述材料供給裝置所供給之前述有機材料蒸發之蒸發裝置;使前述蒸發裝置中所產生之前述蒸氣析出並進行再蒸發之緩衝部;以及控制前述緩衝部的溫度之緩衝用溫度控制裝置;前述蒸發裝置中所產生之前述蒸氣,通過前述緩衝部被供給至前述釋出裝置,使前述有機薄膜形成於前述成膜對象物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置,其中,具有複數個前述蒸氣產生裝置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置,其中,具有偵測出從前述緩衝部所釋出之蒸氣的一部分之膜厚監測器;前述緩衝用溫度控制裝置,係根據前述膜厚監測器的 偵測值,來控制前述緩衝部的溫度。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置,其中,前述材料供給裝置,係使具有螺旋線之軸旋轉而使前述有機材料落下至前述蒸發裝置。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置,其中,前述蒸發裝置,係具有測定出從前述材料供給裝置所供給之前述有機材料的量之材料供給量測定手段。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之成膜裝置,其中,前述材料供給量測定手段,係具有:接受從前述材料供給裝置所供給之前述有機材料之接受構件、以及從前述接受構件的溫度變化來算出前述有機材料的供給量之溫度測定解析裝置。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置,其中,前述緩衝部,是集合複數條金屬細線所成,前述金屬細線相互地部分重疊,並藉由前述金屬細線與前述金屬細線之間隙來形成流路。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置,其中,前述緩衝部,是由複數片網所構成;於前述網的網目與前述網目之間隙形成有流路。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之成膜裝置,其中,複數片前述網當中,第一片網之每單位面積的網目個數,被設定為位於較在前述緩衝部內流通之前述蒸氣的前述第一片網更下游側之第二片網之每單位面積的網目個數以下。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置,其中 ,於前述材料供給裝置連接有供給防逆流氣體之防逆流氣體供給裝置。
  11. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置,其中,前述蒸氣產生裝置,具有:將已通過前述緩衝部之前述蒸氣的行進方向,在位於前述釋出裝置內部之第一方向、與朝向前述釋出裝置的內部以外之第二方向之間進行切換之切換裝置。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之成膜裝置,其中,前述蒸氣產生裝置,具有:捕集裝置及低溫裝置,該捕集裝置係於捕集槽的內部配置有可與前述蒸氣接觸之捕集部,並且前述捕集槽內部構成為可進行真空排氣;該低溫裝置係將前述捕集部冷卻至較前述蒸發溫度更低溫之捕集溫度;前述第二方向被設定為朝前述捕集槽內部。
  13. 一種成膜裝置,是具備有:配置有成膜對象物之成膜槽、產生有機材料的蒸氣之蒸氣產生裝置、以及供給有前述蒸氣產生裝置中所產生之前述蒸氣之釋出裝置,並且從形成於前述釋出裝置之釋出口,將前述蒸氣釋出於前述成膜槽內之有機薄膜的成膜裝置,其特徵為:前述蒸氣產生裝置,係具備有:供給前述有機材料之材料供給裝置;使從前述材料供給裝置所供給之前述有機材料蒸發之蒸發裝置;前述蒸氣所接觸之捕集部被配置在捕集槽的內部,並 且前述捕集槽內部構成為可進行真空排氣之捕集裝置;將前述捕集部冷卻至較前述蒸發溫度更低溫之捕集溫度的低溫裝置;以及將前述蒸發裝置所產生之前述蒸氣的行進方向,切換至前述釋出裝置與前述捕集部中的任一方之切換裝置;前述蒸發裝置中所產生之前述蒸氣被供給至前述釋出裝置,使前述有機薄膜形成於前述成膜對象物。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之成膜裝置,其中,前述蒸氣產生裝置具有膜厚偵測器;由前述蒸氣產生裝置所產生在到達前述切換裝置前之前述蒸氣的一部分,被引導至前述膜厚偵測器;使前述有機薄膜成長於前述膜厚偵測器上而構成。
  15. 如申請專利範圍第13或14項所述之成膜裝置,其中,具有連接於同一前述釋出裝置之複數個前述蒸氣產生裝置。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之成膜裝置,其中,於複數個前述蒸氣產生裝置的前述材料供給裝置,分別配置有不同化學結構的前述有機材料。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之成膜裝置,其中,配置在複數個前述蒸氣產生裝置的前述材料供給裝置之前述有機材料,在所形成之前述有機薄膜中的含有率為不同。
  18. 如申請專利範圍第1或2項所述之成膜裝置,其中,於前述釋出裝置,係連接有:使含有較前述有機材料更 少量之有機化合物的副材料被配置在前述有機薄膜內之蒸發用容器,前述副材料的蒸氣,以較前述有機材料的蒸氣更小之導入速度被導入於前述釋出裝置內而構成。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之成膜裝置,其中,係具有:前述副材料的蒸氣所接觸之捕集部被配置在捕集槽的內部,並且前述捕集槽內部構成為可進行真空排氣之副捕集裝置;前述蒸發用容器內所產生之前述副材料的蒸氣,為可切換地導入於前述釋出裝置與前述副捕集裝置而構成。
  20. 一種有機材料成膜方法,其特徵為:以既定量的速度將有機材料供給至加熱部以產生蒸氣;將前述蒸氣導入於緩衝部,並在前述緩衝部內析出;使前述緩衝部中所析出之有機材料再蒸發;將前述再蒸發後之蒸氣釋出於基板而成膜。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之有機材料成膜方法,其中,測定出從前述緩衝部所導出之蒸氣的一部分;根據前述測定值來控制前述緩衝部的溫度。
  22. 如申請專利範圍第20或21項所述之有機材料成膜方法,其中,於前述基板的替換時,將前述緩衝部的溫度降低到較前述有機材料的蒸發溫度更低,以使前述蒸氣析出於前述緩衝部內;對前述基板進行成膜時,將前述緩衝部的溫度升高到較前述有機材料的蒸發溫度更高,以使析出於前述緩衝部內之前述有機材料再蒸發。
TW099143035A 2009-12-09 2010-12-09 有機薄膜的成膜裝置及有機材料成膜方法 TWI461554B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009279944 2009-12-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201132776A TW201132776A (en) 2011-10-01
TWI461554B true TWI461554B (zh) 2014-11-21

Family

ID=44145608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099143035A TWI461554B (zh) 2009-12-09 2010-12-09 有機薄膜的成膜裝置及有機材料成膜方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5474089B2 (zh)
KR (1) KR101379646B1 (zh)
CN (1) CN102639746B (zh)
TW (1) TWI461554B (zh)
WO (1) WO2011071064A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5414587B2 (ja) * 2010-03-23 2014-02-12 日立造船株式会社 蒸着装置
JP5634522B2 (ja) * 2010-09-22 2014-12-03 株式会社アルバック 真空処理装置及び有機薄膜形成方法
DE102011051260A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs
JP5874469B2 (ja) * 2012-03-19 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び成膜装置
JP6013071B2 (ja) * 2012-08-06 2016-10-25 株式会社カネカ 真空蒸着装置
CN104540975A (zh) * 2012-08-13 2015-04-22 株式会社钟化 真空蒸镀装置以及有机el装置的制造方法
JP6207319B2 (ja) * 2013-09-25 2017-10-04 日立造船株式会社 真空蒸着装置
JP6147163B2 (ja) * 2013-10-31 2017-06-14 株式会社アルバック 蒸発装置、成膜装置
JP6078694B2 (ja) * 2014-05-26 2017-02-08 株式会社アルバック 成膜装置、有機膜の膜厚測定方法および有機膜用膜厚センサ
DE102014109194A1 (de) * 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Dampfes für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
CN104120399B (zh) * 2014-08-04 2016-07-06 熊丹 真空镀膜装置及其真空镀膜方法
TWI781929B (zh) * 2016-04-25 2022-11-01 美商創新先進材料股份有限公司 瀉流單元和含有瀉流單元的沉積系統以及相關方法
WO2017191796A1 (ja) * 2016-05-06 2017-11-09 株式会社アルバック 薄膜製造装置、薄膜製造方法
CN109072415B (zh) * 2016-05-13 2020-11-10 株式会社爱发科 有机薄膜制造装置、有机薄膜制造方法
KR102369676B1 (ko) * 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102098455B1 (ko) * 2017-12-26 2020-04-07 주식회사 포스코 연속 증착 장치 및 연속 증착 방법
JP6959680B1 (ja) * 2020-11-13 2021-11-05 株式会社シンクロン 成膜装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002249868A (ja) * 2001-02-21 2002-09-06 Denso Corp 蒸着装置
US20060177576A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Eastman Kodak Company Controllably feeding organic material in making OLEDs

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912756B2 (ja) * 1992-03-04 1999-06-28 松下電器産業株式会社 合成樹脂被膜の形成装置及び形成方法
JP3190886B2 (ja) * 1998-06-17 2001-07-23 日本電気株式会社 高分子膜の成長方法
WO2001001472A1 (en) * 1999-06-26 2001-01-04 Trikon Holdings Limited Method and apparatus for forming a film on a substrate
JP4545028B2 (ja) * 2005-03-30 2010-09-15 日立造船株式会社 蒸着装置
JP4402016B2 (ja) * 2005-06-20 2010-01-20 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP2009079244A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Canon Inc 成膜装置及び成膜方法
CN101591764B (zh) * 2008-05-29 2013-03-20 昆山维信诺显示技术有限公司 材料成膜方法及其制备的有机电致发光器件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002249868A (ja) * 2001-02-21 2002-09-06 Denso Corp 蒸着装置
US20060177576A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Eastman Kodak Company Controllably feeding organic material in making OLEDs

Also Published As

Publication number Publication date
KR101379646B1 (ko) 2014-03-28
CN102639746A (zh) 2012-08-15
CN102639746B (zh) 2014-03-12
JPWO2011071064A1 (ja) 2013-04-22
WO2011071064A1 (ja) 2011-06-16
KR20120080655A (ko) 2012-07-17
JP5474089B2 (ja) 2014-04-16
TW201132776A (en) 2011-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI461554B (zh) 有機薄膜的成膜裝置及有機材料成膜方法
JP5114288B2 (ja) 成膜装置、有機薄膜形成方法
JP5848822B2 (ja) 気相蒸着システム及び供給ヘッド
US20120040516A1 (en) Method and device for depositing semiconductor film on substrate using close-spaced sublimation process
TWI428460B (zh) 蒸氣放出裝置、有機薄膜蒸鍍裝置及有機薄膜蒸鍍方法
JP6021377B2 (ja) 真空蒸着装置および真空蒸着装置におけるるつぼ交換方法
KR101132581B1 (ko) 유기 재료 증기 발생 장치, 성막원, 성막 장치
KR101176737B1 (ko) 액체 원료 기화기 및 이를 이용한 성막 장치
TWI781929B (zh) 瀉流單元和含有瀉流單元的沉積系統以及相關方法
JP6303014B2 (ja) 加熱装置及びこれを含むコーティング器具
KR20140041793A (ko) 기상 증착 재료 소스 및 이를 제조하기 위한 방법
TW200907084A (en) Vacuum evaporation apparatus for solid materials
CN107208255B (zh) 从蒸气流中移除颗粒的过滤器装置
TW200304956A (en) Vapor organic material deposition method and vapor organic material deposition apparatus using the same
WO2007029558A1 (ja) 成膜用材料及び成膜用材料の推定方法
CN101057349A (zh) 用于控制有机材料的蒸发的方法和设备
WO2013028977A2 (en) Apparatus and method for the evaporation and deposition of materials
KR20130063121A (ko) 초전도 선재 제조장치 및 제조방법
US7842341B2 (en) Purifying organic materials for physical vapor deposition
JP5186591B2 (ja) 有機化合物蒸気発生装置及び有機薄膜製造装置
TWI791534B (zh) 沉積oled之方法
JP2009161798A (ja) 成膜源、成膜装置
JP2010024498A (ja) 成膜装置及び粉体気化装置
JP4996452B2 (ja) 成膜源、成膜装置
JP2022135270A (ja) 気化装置及び蒸着装置