TWI444501B - 用於低溫ｐｅｃｖｄ應用之基座加熱器 - Google Patents

用於低溫ｐｅｃｖｄ應用之基座加熱器 Download PDF

Info

Publication number
TWI444501B
TWI444501B TW098121224A TW98121224A TWI444501B TW I444501 B TWI444501 B TW I444501B TW 098121224 A TW098121224 A TW 098121224A TW 98121224 A TW98121224 A TW 98121224A TW I444501 B TWI444501 B TW I444501B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
susceptor
conductive
substrate support
coupled
dielectric plug
Prior art date
Application number
TW098121224A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201016882A (en
Inventor
Jianhua Zhou
Lipyeow Yap
Dmitry Sklyar
Mohamad Ayoub
Karthik Janakiraman
Juan Carlos Rocha-Alvarez
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201016882A publication Critical patent/TW201016882A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI444501B publication Critical patent/TWI444501B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

用於低溫PECVD應用之基座加熱器
本發明之實施例大體上是關於一半導體處理腔室，更具體地，是關於用於一半導體處理腔室之加熱支撐基座。
半導體處理牽涉到一些不同的化學和物理製程，藉此在基材上產生微小的積體電路。構成積體電路的材料層藉由化學氣相沈積、物理氣相沈積、磊晶生長等而產生。某些材料層使用光阻劑遮罩以及濕或乾蝕刻技術圖案化。用於形成積體電路的基材可以是矽、砷化鎵、磷化銦、玻璃或其他適當的材料。
在積體電路之製造中，電漿製程常用於不同材料層的沈積或蝕刻。電漿處理提供許多優於熱處理的優點。舉例來說，電漿增強化學氣相沈積(PECVD)允許沈積製程在比類似熱製程中可達到的更低溫度以及更高沈積率下執行。因此，PECVD對具有嚴格熱預算之積體電路製造來說是有利的，例如，非常大型或超大型積體電路(VLSI或ULSI)裝置之製造。
用在這些製程中的處理腔室典型包含一配置在其中之基材支撐件或基座，以於處理期間支撐基材。在某些製程中，基座可包含一嵌入式加熱器，其適於控制基材溫度及/或提供可用在製程中之上升的溫度。習用地，基座可由陶瓷材料製成，其通常提供所需的裝置製造結果。
不過，陶瓷基座產生許多挑戰。這些挑戰之一在於由於基座製造成本佔工具成本相當大一部分，而使經營成本升高。此外，使用陶瓷封裝加熱器無法屏蔽加熱器免於可用在裝置製造製程中的射頻(RF)功率。因此，如果在裝置製造製程中使用射頻功率，則必須設置射頻濾波器以屏蔽加熱器，其亦增加工具成本。
因此，所需的是以較不昂貴且製造花費較低、同時提供嵌入式加熱器之射頻屏蔽之材料所製成的基座。
提供一用於提供功率給加熱支撐基座的方法和設備。在一實施例中，敘述一製程套組。該製程套組包含一空心軸，其由一導電材料製成，並在一端耦合至一基材支撐件，而在一相對端耦合至一基底組件，該基底組件適於耦合至一配置在一半導體處理工具上的功率箱。在一實施例中，該基底組件包含至少一暴露的電連接器，其配置在一由介電材料，例如，塑膠樹脂，製成的嵌件中。
在一實施例中，敘述一用於半導體處理腔室的基座。該基座包含一基材支撐件，其包含一導電材料；一加熱元件，其封裝在該基材支撐件內；及一空心軸，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件，且在一相對端耦合至一配合介面，該配合介面包含一介電插頭，其包含至少一基露的電連接器，該電連接器適於耦合至一功率出口，其配置在該處理腔室上，並與該空心軸電絕緣。
在另一實施例中，敘述一用於半導體處理腔室的基座。該基座包含一基材支撐件，其包含一導電材料；一加熱元件，其封裝在該基材支撐件內；一空心軸，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件，且在一相對端耦合至一基底組件。該基底組件包含一開槽導電部分，其具有一內部容積；及一介電插頭，其配置在該內部容積中，該介電插頭包含一或多個導電構件，其縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構件的每一個與該開槽導電部分電絕緣。
在另一實施例中，敘述一用於半導體處理腔室的基座。該基座包含一基材支撐件，其耦合至一空心軸，該基材支撐件和該空心軸各自包含一鋁材料，該空心軸包含至少兩導電引線，其耦合至一加熱元件，該加熱元件封裝在該基材支撐件內；及一基底組件，其相對該基材支撐件耦合至該空心軸。該基底組件包含一開槽導電部分，其具有一內部容積；及一介電插頭，其配置在該內部容積中，該介電插頭包含一或多個導電構件，其縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構件的每一個藉由一配置在一絕緣套中的導電嵌件電偶合至該至少兩導電引線的至少一者。
本發明之實施例在下文參照電漿腔室進行說明敘述。在一實施例中，電漿腔室是用在電漿增強化學氣相沈積(PECVD)系統中。可適於從本發明得利之PECVD系統的範例包含SE化學氣相沈積系統、GTTM 化學氣相沈積系統或化學氣相沈積系統，所有系統商業上皆可購自加州聖克拉拉的應用材料公司。SE化學氣相沈積系統(例如，200mm或300mm)具有兩個隔離的處理區域，其可用於在基材上沈積薄膜，例如，導電薄膜、矽烷、碳摻雜氧化矽和其他材料，並在美國專利第5,855,681和6,495,233號中敘述，兩專利併入於此以供參照。化學氣相沈積腔室在美國專利第6,364,954號中揭示，其亦併入於此以供參照。雖然示範實施例包含兩個處理區域，可預期本發明利於用在具有單一處理區域或多於兩個處理區域的系統中。亦可預期本發明能夠利於用在其他電漿腔室中，包含蝕刻腔室、離子佈植腔室、電漿處理腔室和剝離腔室等等。進一步可預期本發明能夠利於用在購自其他製造商的電漿處理腔室中。
第1圖為電漿系統100的部分橫剖面圖。電漿系統100通常包含處理腔室主體102，其具有側壁112、底壁116、和內側壁101，其定義一對處理區域120A和120B。處理區域120A至B各自為類似的配置，為了簡潔起見，將僅敘述處理區域120B中的部件。
基座128在處理區域120B中配置通過形成在系統100之底壁116中的通道122。基座128適於在其上表面支撐一基材(未顯示)。基座128可包含加熱元件，舉例來說，電阻性元件，以加熱並控制基材溫度為所需的製程溫度。或者，基座128可以一遠端加熱元件，例如，燈組件，加熱。
基座128藉由桿126耦合至功率出口或功率箱103，其可包含一驅動系統，該驅動系統控制基座128在處理區域120B內部的高度和移動。桿126亦包含電功率介面，以提供電功率給基座128。功率箱103亦包含電功率介面和溫度指示器，例如，熱電偶介面。桿126亦包含基底組件129，其適於可拆卸地耦合至功率箱103。圓周環135顯示為位於功率箱103上方。在一實施例中，圓周環135為一肩部，其用作一機械性止動或閥面，並配置為在基底組件129和功率箱103的上表面之間提供一機械介面。
棒130配置通過形成在底壁116中的通道124，並用於啟動配置通過基座128的基材舉升銷161。基材舉升銷161選擇性地隔開基材和基座，以幫助與用來通過基材移送埠160移送基材進出處理區域120B的機器人(未顯示)交換基材。
腔室蓋104耦合至腔室主體102的頂部。蓋104容納耦合至其上的一或多個氣體分配系統108。氣體分配系統108包含氣體入口通道140，其通過噴淋頭組件142傳送反應物和清潔氣體進入處理區域120B。噴淋頭組件142包含環形基板148，其具有阻隔板144配置在其和面板146中間。射頻(RF)源165耦合至噴淋頭組件142。射頻源165提供功率給噴淋頭組件142，以幫助在噴淋頭組件142的面板146和加熱過的基座128之間產生電漿。在一實施例中，射頻源165可為高頻射頻(HFRF)功率源，例如，13.56MHz射頻產生器。在另一實施例中，射頻源165可包含高頻射頻功率源和低頻射頻(LFRF)功率源，例如，300kHz射頻產生器。或者，射頻源可耦合至處理腔室主體102的其他部分，例如，基座128，以幫助電漿產生。介電質絕緣體158配置在蓋104和噴淋頭組件142之間，以防止射頻功率導向蓋104。陰影環106可配置在基座128的周邊上，其在基座128之所需高度上接合基材。
可選擇地，冷卻槽道147形成在氣體分配系統108的環形基板148中，以在操作期間冷卻環形基板148。一傳熱流體，例如，水、乙二醇、一氣體等，可循環通過冷卻槽道147，以致基板148維持預先定義的溫度。
腔室襯墊組件127以非常緊密相鄰腔室主體102的側壁101、112的方式配置在處理區域120B內部，以防止側壁101、112暴露至處理區域120B內部的處理環境。襯墊組件127包含圓周幫浦空腔125，其耦合至幫浦系統164，其配置為從處理區域120B排出氣體和副產品，以及控制處理區域120B內部的壓力。複數個排氣埠131可形成在腔室襯墊組件127上。排氣埠131配置為允許氣流以促進系統100內部處理的方式從處理區域120B到圓周幫浦空腔125。
第2A圖為用在電漿系統100中之基座128之一實施例的等角頂視圖。基座128包含桿126和基底組件129，其相對圓形基材支撐件205。在一實施例中，基底組件129是用作可拆卸的配合介面，其具有配置在功率出口或功率箱103之中或之上的電連接。基材支撐件205包含基材接收表面或支撐表面210，其本質上為平面的。支撐表面210可適於支撐200mm的基材、300mm的基材或450mm的基材。在一實施例中，支撐表面210包含複數個結構215，其可為在支撐表面210之平面上方延伸的凸塊或突出部。複數個結構215之每一個的高度本質上相等，以提供本質上平面的基材接收平面，或稍微上升或和支撐表面210隔開的表面。在一實施例中，每一個結構215是由不同於支撐表面210之材料的材料形成或以其塗佈。基材支撐件205亦包含複數個開口220，其形成為通過其中，並適於容納舉升銷161(第1圖)。
在一實施例中，基材支撐件205的主體和桿126是由導電金屬材料製成，而基底組件129是由導電金屬材料和絕緣材料的組合製成。和陶瓷製成的基材支撐件相比，以導電金屬材料製造基材支撐件205降低經營成本。此外，導電金屬材料足以屏蔽一嵌入式加熱器(在此圖中未顯示)使之免於射頻功率。此增加基材支撐件205的效率和壽命，並因而減少經營成本。
在一實施例中，基材支撐件205的主體和桿126完全以鋁材料(例如，鋁合金)製成。在一特定實施例中，基材支撐件205和桿兩者係以6061鋁製成。在一實施例中，基底組件129包含鋁部分和配置在其中的絕緣部分，例如，聚醚醚酮(PEEK)樹脂，以電絕緣部分的基底組件129和基材支撐件205以及桿126的導電部分。在一實施例中，基材支撐件205的主體以鋁材料製成，而配置在支撐表面210上的每一個結構215是以陶瓷材料，例如，氧化鋁，製成或塗佈。
第2B圖為基座128之一實施例的等角底視圖。桿126包含一第一端，其耦合至基材支撐件205，且基底組件129位於一相對基材支撐件205的第二端。在此實施例中，基底組件129包含開槽導電部分225，其耦合至及/或包含介電插頭230。在一實施例中，開槽導電部分225可配置為一插頭或一公介面，其適於配合功率箱103(第1圖)。在此實施例中，導電部分225可為圓形橫剖面，其具有至少部分形成穿過一外部表面或壁的狹槽。介電插頭230可配置如一插口或一母介面，或者，包含配置如適於容納或配合與功率箱103內電連接之插口或母介面的一部分或多個部分。在此實施例中，開槽導電部分 225可為桿126的整體延伸，並以鋁材料製成，而介電插頭230則以PEEK樹脂製成。
基底組件129亦包含圓周環135，其適於容納接合與第1圖之功率箱103接合的O形環。在此實施例中，開槽導電部分225包含一開口，其適於容納介電插頭230，且介電插頭230緊固至開槽導電部分225。介電插頭230亦包含形成在其中的開口或插口，以容納來自功率箱103的電引線。
第3A圖為基座128之一實施例之一部分的橫剖面圖，其具有耦合至如第1圖所示之功率出口或功率箱103的桿126。基材支撐件205包含一嵌入式加熱元件，例如，電阻性加熱器305，其配置或封裝在導電主體300中。在一實施例中，主體300是以由導電金屬，例如，鋁，構成的材料製成。電阻性加熱器305耦合至功率源310，其藉由配置在桿126中之導電引線315而配置在功率箱103中。桿126亦包含縱向槽道或孔350，其適於容納一熱電偶(未顯示)。在此實施例中，介電插頭230包含一或多個配置在其中的導電插頭320，以耦合導電引線315和配置在功率箱103中之個別的插口326。在一實施例中，導電插頭320為多接點插頭。導電引線315和導電插頭320可在操作期間電偏壓，但藉由介電插頭230的周邊壁325與開槽導電部分225、桿126和基材支撐件205電絕緣。
在一實施例中，桿126和基材支撐件205是以鋁製成且電接地。鋁材料封裝加熱元件，並作用如電阻性加熱器305的有效射頻屏蔽。藉由鋁材料屏蔽射頻免除以帶通濾波器濾除耦合至電阻性加熱器305之射頻的需求，其在以不同材料，例如，陶瓷，製成的加熱基座中是必須的。使用導電插頭320作為電阻性加熱器305之功率端子的電介面設計致能使用來自功率箱103的標準線規線和連接器，而非使用定製設計的電連接器。導電插頭320是裝配在包含PEEK樹脂的獨特基底設計上。導電插頭320包含一功率端子組件，其由介電插頭230機械地支撐，介電插頭230則緊固至基底組件129的導電部分225之上。PEEK樹脂電絕緣通電的功率端子(導電插頭320)和接地的加熱器主體(基材支撐件205和桿126)。因此，基座128藉由免除帶通濾波器來最小化成本並利用較便宜的鋁材料，其顯著降低經營成本。進一步地，在不需要大規模重新設計及/或停機時間的情況下，如此處所述的基座128可翻新改進以取代現存腔室中的原始基座。
第3B圖為基座128之另一實施例的等角分解圖。如所示，複數個可以陶瓷材料製成的套筒或嵌件360可容納於配置在基材支撐件205中的開口220(第2A和2B圖)。嵌件360適於容納舉升銷161(第1圖)。基底組件129包含開槽導電部分225和介電插頭230。開槽導電部分225包含徑向狹槽，其適於容納配置在介電插頭230之下部 之上的延伸構件或耳部362。開槽導電部分225和介電插頭230彼此以緊固件365(例如，螺釘或螺栓)耦合。在一實施例中，緊固件365和個別的螺紋嵌件370耦合，螺紋嵌件370耦合至或配置在導電部分225中。在一實施例中，螺紋嵌件370包含HELICOIL® 嵌件。
導電插頭320(僅顯示一個)包含一軸，其具有一肩部段363，其用作一止動或耦合段，並適於將導電插頭320羈留在介電插頭230之一蓋段中。導電插頭320亦可包含螺紋末端364，其適於轉進具有母螺紋的導電嵌件375中。在一實施例中，導電插頭320是以黃銅材料製成並鍍銀(Ag)，且導電嵌件375是以黃銅材料製成。導電嵌件375可插入絕緣套380中，絕緣套380可以介電材料(例如，PEEK樹脂)製成。用於熱電偶(未顯示)之導引和裝配的導引構件385可耦合至或配置為鄰接套380以從此處開始延伸。導引構件385可以鋁材料製成。
第3C圖為基底組件129的底部等角視圖。介電插頭230包含本質上圓形的主體，其適於緊密安裝在開槽導電部分225之中。在一實施例中，每一個耳部362從主體朝外徑向延伸，且本質上為等間隔。在一實施例中，每一個耳部362是以相等的角增量(例如，120度間隔)放置。介電插頭230的主體亦包含複數個凹部或開口，例如，開口390和開口392。在一實施例中，開口390為母介面，其具有梯形形狀，並用於容納配置在功率箱103上的公插頭(未顯示)。一或多個導電插頭320是容納 在開口390內部。開口392可用作母介面，以容納一部分的熱電偶(未顯示)及/或和熱電偶耦合的訊號線。導電部分的底表面亦包含一或多個凹部或開口394，其可適於引導銷或裝配介面。在一實施例中，至少一個開口394適於容納一接地裝置，例如，以導電材料製成的銷。
第4圖為基底組件129之一實施例的橫剖面圖。圓周環135包含一形成在其中的溝槽，以容納密封件410，例如，O形環。密封件410可以絕緣材料或導電材料製成，以幫助開槽導電部分225接地。在此實施例中，導電插頭320顯示為耦合至個別的導電嵌件375。在一實施例中，每一個導電嵌件375是藉由絕緣套380而與基底組件129的其他導電部分以及彼此電絕緣。每一個絕緣套380可以絕緣材料製成，例如，PEEK樹脂。在一實施例中，至少一部分的導電引線315至少部分延伸進入絕緣套380和導電嵌件375兩者，以使導電引線315和導電插頭320電連通。在一實施態樣中，導電插頭320並未接觸導電引線315。
第5圖為此處所述之基座128之基材支撐件205的概略頂視圖。基材支撐件205示範性地將尺寸定在用於300mm的基材應用中。為了幫助解釋本發明和範例，基材支撐件205的支撐表面210圖形化地劃分為七個個別的同心圓。各同心圓的內部半徑稱為方位角。方位角位於半徑23mm、46mm、69mm、92mm、115mm和137mm。第5圖進一步圖形化地劃分為輻。輻從圓中心向外輻射。輻每30度出現一次，總共產生12個。包含中心點，在支撐表面210上存在有73個交點(12個輻與6個方位角相交，包含中心半徑)。
第6A圖為環繞各方位角之平均溫度輪廓的圖示(R0=支撐表面210的中心、R6=最外部的方位角)。環繞方位角的溫度量測是在輻的交點處取得。在此範例中，基座128是用來支撐具有7mm厚度之300mm的碳化矽晶圓。加熱器溫度設定在400℃，且壓力設定在4Torr。氬以每分鐘2標準公升(2SLM)的速度流過腔室。標準基底溫度維持在75±1℃。在每一方位角的基座平均溫度是介於389℃和392℃之間。
第6B圖是環繞6個方位角之每一個之溫度範圍的圖示。第6B圖中的資料是在三個個別操作(操作A、B和C)期間於和上述範例相同的製程參數下所收集而得的。範圍由環繞各方位角的12個點(30°、60°、90°、...、330°)構成，其中方位角和輻相交。方位角R1至R6的個別溫度範圍典型小於7℃。舉例來說，在一範例中，第二方位角上的溫度範圍約為5℃。為了範例目的，溫度範圍是定義為任何資料組之最大值和最小值之間的差。
第6C圖是沿著12個輻之每一個之溫度範圍的圖示。第6C圖的資料是在和上述範例相同的製程參數下所收集而得的。針對三個個別操作(操作A、B和C)，計算在方位角交點之沿著每一輻長度的溫度範圍。三個操作之沿著每一輻的溫度範圍介於約3℃和約8℃之間。舉例來說，在一操作中，60°輻上的溫度範圍約為5℃。
在一實施例中，使用雙重處理區域120A、120B敘述一在基材上沈積薄膜的方法。該方法包含在處理腔室之每一處理區域中於配置在其中的個別基座128上提供至少一基材。基座128包含基材支撐件205，其包含一導電材料；加熱元件305，其封裝在該基材支撐件內部；及空心軸126，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件。該基材支撐件在一相對端亦包含配合介面129。該配合介面包含介電插頭230，其包含至少一個暴露的電連接器，該電連接器適於耦合至一功率出口，該功率出口配置在該處理腔室上，並和該空心軸電絕緣。該方法亦包含使一或多個反應氣體流到處理區域120A、120B的至少一個，以及在噴淋頭組件142和基材支撐件205之間使用射頻能量產生電漿。在一實施例中，該反應器體可在載氣(例如氫)中流動。
雖然以上內容已揭示本發明之數個實施例，但可在不偏離本發明基本範圍的情況下做出本發明的其他及進一步實施例，且本發明範圍當由後附申請專利範圍決定。
102‧‧‧腔室主體
103‧‧‧功率箱
104‧‧‧蓋
106‧‧‧陰影環
108‧‧‧氣體分配系統
112‧‧‧側壁
116‧‧‧底壁
120A‧‧‧處理區域
120B‧‧‧處理區域
122‧‧‧通道
124‧‧‧通道
125‧‧‧圓周幫浦空腔
126‧‧‧桿
127‧‧‧腔室襯墊組件
128‧‧‧基座
129‧‧‧基底組件
130‧‧‧棒
131‧‧‧排氣埠
135‧‧‧圓周環
140‧‧‧氣體入口通道
142‧‧‧噴淋頭組件
144‧‧‧阻隔板
146‧‧‧面板
147‧‧‧冷卻槽道
148‧‧‧基板
158‧‧‧介電質絕緣體
161‧‧‧舉升銷
164‧‧‧幫浦系統
165‧‧‧射頻源
205‧‧‧基材支撐件
210‧‧‧支撐表面
215‧‧‧結構
220‧‧‧開口
225‧‧‧導電部分
230‧‧‧介電插頭
300‧‧‧導電主體
305‧‧‧電阻性加熱器
310‧‧‧功率源
315‧‧‧導電引線
320‧‧‧導電插頭
325‧‧‧周邊壁
326‧‧‧插口
350‧‧‧孔
360‧‧‧嵌件
362‧‧‧耳部
363‧‧‧肩部段
364‧‧‧螺紋末端
365‧‧‧緊固件
370‧‧‧螺紋嵌件
375‧‧‧導電嵌件
380‧‧‧絕緣套
385‧‧‧導引構件
390‧‧‧開口
392‧‧‧開口
394‧‧‧開口
410‧‧‧密封件
參照某些繪示於附圖中的實施例來提供於上文扼要總結之本發明的更具體敘述，以詳細了解本發明之上述的 特徵結構。不過，須注意附圖僅繪示此發明的典型實施例，且因此不應視為對本發明範圍之限制，因為本發明可容許其他等效實施例。
第1圖為一電漿系統之一實施例的部分橫剖面圖。
第2A圖為第1圖所示之一基座之一實施例的等角頂視圖。
第2B圖為第2A圖所示之基座之一實施例的等角底視圖。
第3A圖為一基座之另一實施例之一部分的橫剖面圖。
第3B圖為一基座之另一實施例的等角分解圖。
第3C圖為一基底組件之一實施例的底部等角視圖。
第4圖為一基底組件之另一實施例的橫剖面圖。
第5圖為此處所述之基座之一基材支撐件表面的概略頂視圖。
第6A至6C圖為從此處所述之一基座之三個個別的加熱輪廓所取得之資料的圖示。
為了幫助了解，已盡可能地使用相同元件符號來標明各圖中共用的相同元件。無需具體詳述的情況下，可預期一實施例中所揭示的元件能有利地用在其他實施例上。
126‧‧‧桿
128‧‧‧基座
129‧‧‧基底組件
135‧‧‧圓周環
220‧‧‧開口
225‧‧‧導電部分
230‧‧‧介電插頭

Claims (25)

  1. 一種用於半導體處理腔室的基座，其包含：一基材支撐件，其包含一導電材料；一加熱元件，其封裝在該基材支撐件內部；及一空心軸，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件，以及在一相對端耦合至一配合介面，該配合介面包含一介電插頭，其包含至少一個暴露的電連接器，該電連接器適於耦合至一功率出口，該功率出口配置在該處理腔室上，並和該空心軸電絕緣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該配合表面進一步包含：複數個狹槽，至少部分地穿過其一外部表面形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基座，其中該介電插頭包含複數個延伸構件，其和一個別狹槽配合。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基座，其中該介電插頭包含一圓形橫剖面，且該複數個延伸構件各由此徑向延伸。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之基座，其中該複數個延伸構件為等間隔。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該配合表面進一步包含：一圓周環，其配置在其一外部表面上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基座，其中該圓周環包含一O形環，其適於幫助密封該處理腔室。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該基材支撐件包含一基材接收表面，其包含複數個配置在一支撐表面上的突出部。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基座，其中該複數個突出部各是以一陶瓷材料製成或塗佈。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該至少一暴露的電連接器是和一配置在該空心軸中的導電引線電通訊。
  11. 一種用於半導體處理腔室的基座，其包含：一基材支撐件，其包含一導電材料；一加熱元件，其封裝在該基材支撐件內； 一空心軸，其包含一導電材料，並在一第一端耦合至該基材支撐件，且在一相對端耦合至一基底組件，該基底組件包含：一開槽導電部分，其具有一內部容積；及一介電插頭，其配置在該內部容積中，該介電插頭包含一或多個導電構件，其縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構件的每一個與該開槽導電部分電絕緣。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之基座，其中該一或多個導電構件之每一個的至少一部分延伸超出該基底組件。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之基座，其中該開槽導電部分為該空心軸之一延伸。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之基座，其中該介電插頭包含複數個延伸構件，其和位於該開槽導電部分中之一個別狹槽配合。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之基座，其中該介電插頭包含一圓形橫剖面，且該複數個延伸構件的每一個由此徑向延伸。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之基座，其中該複數個延伸構件為等間隔。
  17. 一種用於半導體處理腔室的基座，其包含：一基材支撐件，其耦合至一空心軸，該基材支撐件和該空心軸各自包含一鋁材料，該空心軸包含至少兩導電引線，其耦合至一加熱元件，該加熱元件封裝在該基材支撐件內；及一基底組件，其相對該基材支撐件耦合至該空心軸，該基底組件包含：一開槽導電部分，其具有一內部容積；及一介電插頭，其配置在該內部容積中，該介電插頭包含一或多個導電構件，其縱向延伸穿過其中，該一或多個導電構件的每一個藉由一配置在一絕緣套中的導電嵌件電耦合至該至少兩導電引線的至少一者。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之基座，其中該介電插頭包含至少三個延伸構件，其容納於該開槽導電部分之一個別狹槽中。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之基座，其中該至少三個延伸構件為等間隔。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之基座，其中該介電插頭包含一圓形橫剖面，且該至少三個延伸構件的每一個由此徑向延伸。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之基座，其中該開槽導電部分為該空心軸之一延伸。
  22. 如申請專利範圍第17項所述之基座，其中該基底組件進一步包含：一圓周環，其配置在其一外部表面上。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之基座，其中該圓周環包含一密封件。
  24. 如申請專利範圍第17項所述之基座，其中該基材支撐件包含一基材接收表面，其包含複數個配置在一支撐表面上的突出部。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之基座，其中該複數個突出部的每一個是以一陶瓷材料製成或塗佈。
TW098121224A 2008-06-24 2009-06-24 用於低溫ｐｅｃｖｄ應用之基座加熱器 TWI444501B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7526208P 2008-06-24 2008-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201016882A TW201016882A (en) 2010-05-01
TWI444501B true TWI444501B (zh) 2014-07-11

Family

ID=41429941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098121224A TWI444501B (zh) 2008-06-24 2009-06-24 用於低溫ｐｅｃｖｄ應用之基座加熱器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090314208A1 (zh)
JP (1) JP2011525719A (zh)
KR (1) KR101560138B1 (zh)
CN (1) CN102077338A (zh)
TW (1) TWI444501B (zh)
WO (1) WO2010008827A2 (zh)

Families Citing this family (231)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8274017B2 (en) * 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
US10854498B2 (en) * 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8884524B2 (en) 2011-11-22 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for improving reliability of RF grounding
US9706605B2 (en) * 2012-03-30 2017-07-11 Applied Materials, Inc. Substrate support with feedthrough structure
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9157730B2 (en) * 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
CN103871928B (zh) * 2012-12-14 2017-02-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体设备及其加热器
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US20140263275A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Rotation enabled multifunctional heater-chiller pedestal
KR102014280B1 (ko) * 2014-06-16 2019-08-26 주식회사 원익아이피에스 커넥터 조립체, 기판지지대 및 그를 가지는 기판처리장치
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10177024B2 (en) * 2015-05-12 2019-01-08 Lam Research Corporation High temperature substrate pedestal module and components thereof
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9960009B2 (en) 2015-07-17 2018-05-01 Lam Research Corporation Methods and systems for determining a fault in a gas heater channel
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10345802B2 (en) 2016-02-17 2019-07-09 Lam Research Corporation Common terminal heater for ceramic pedestals used in semiconductor fabrication
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
KR102137719B1 (ko) * 2016-03-25 2020-07-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Rf 전력 전달이 향상된 세라믹 가열기
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
DE102016110884A1 (de) * 2016-06-14 2017-12-14 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden organischer Schichten auf ein oder mehreren Substraten
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
TWI671851B (zh) 2016-09-22 2019-09-11 美商應用材料股份有限公司 用於寬範圍溫度控制的加熱器基座組件
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP6615134B2 (ja) * 2017-01-30 2019-12-04 日本碍子株式会社 ウエハ支持台
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR102306567B1 (ko) * 2017-05-18 2021-09-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 열 균일성을 갖는 열 챔버
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
KR102481410B1 (ko) * 2017-07-31 2022-12-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11469084B2 (en) * 2017-09-05 2022-10-11 Lam Research Corporation High temperature RF connection with integral thermal choke
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
CN111670491A (zh) * 2018-01-31 2020-09-15 朗姆研究公司 静电卡盘(esc)基座电压隔离
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US11086233B2 (en) 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202013581A (zh) * 2018-05-23 2020-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) * 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
WO2020117594A1 (en) 2018-12-04 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Substrate supports including metal-ceramic interfaces
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11562890B2 (en) 2018-12-06 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant ground shield of processing chamber
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
JP2020167288A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
KR102155664B1 (ko) * 2019-09-25 2020-09-15 주식회사 넵시스 박막증착장치
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US20240035160A1 (en) * 2022-07-27 2024-02-01 Applied Materials, Inc. Susceptor support assembly for chemical vapor deposition chambers

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5234527A (en) * 1990-07-20 1993-08-10 Tokyo Electron Limited Liquid level detecting device and a processing apparatus
US5356476A (en) * 1992-06-15 1994-10-18 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing method and apparatus with heat and gas flow control
JPH0654251U (ja) * 1992-12-29 1994-07-22 株式会社茂治 多極コネクタにおけるコードの抜け止め装置
US5556476A (en) * 1994-02-23 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Controlling edge deposition on semiconductor substrates
JP4108119B2 (ja) * 1994-02-23 2008-06-25 アプライド マテリアルズ， インコーポレイテッド 改良型化学気相堆積チャンバ
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
US5846332A (en) * 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US5812403A (en) * 1996-11-13 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system
US5855681A (en) * 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
US6055927A (en) * 1997-01-14 2000-05-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
US5855675A (en) * 1997-03-03 1999-01-05 Genus, Inc. Multipurpose processing chamber for chemical vapor deposition processes
US6258170B1 (en) * 1997-09-11 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Vaporization and deposition apparatus
US6079356A (en) * 1997-12-02 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium
US6364954B2 (en) * 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
US6206971B1 (en) * 1999-03-29 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly
US6423949B1 (en) * 1999-05-19 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US6495233B1 (en) * 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for distributing gases in a chemical vapor deposition system
US6857387B1 (en) * 2000-05-03 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multiple frequency plasma chamber with grounding capacitor at cathode
US6652655B1 (en) * 2000-07-07 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Method to isolate multi zone heater from atmosphere
JP3962661B2 (ja) * 2002-08-30 2007-08-22 三菱重工業株式会社 静電チャック支持機構及び支持台装置及びプラズマ処理装置
US20040055709A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
JP4098112B2 (ja) * 2003-02-14 2008-06-11 日本発条株式会社 ヒータユニット
CN100363152C (zh) * 2004-03-23 2008-01-23 力晶半导体股份有限公司 化学机械研磨制作工艺的假制作工艺与研磨垫调节方法
US20060090773A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Applied Materials, Inc. Sulfur hexafluoride remote plasma source clean
JP2007067394A (ja) * 2005-08-05 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台
KR100804169B1 (ko) * 2005-12-31 2008-02-18 주식회사 아이피에스 박막증착챔버용 서셉터
JP2007258115A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JP2008085129A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Taiheiyo Cement Corp 基板載置装置
KR100836183B1 (ko) * 2007-01-16 2008-06-09 (주)나노테크 히터 조립체 및 그 설치구조

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011525719A (ja) 2011-09-22
KR20110033925A (ko) 2011-04-01
KR101560138B1 (ko) 2015-10-14
TW201016882A (en) 2010-05-01
US20090314208A1 (en) 2009-12-24
WO2010008827A2 (en) 2010-01-21
CN102077338A (zh) 2011-05-25
WO2010008827A3 (en) 2010-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI444501B (zh) 用於低溫ｐｅｃｖｄ應用之基座加熱器
US10971389B2 (en) Multi-zone pedestal for plasma processing
US8274017B2 (en) Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
KR101464292B1 (ko) 가열된 챔버 라이너를 갖는 처리 챔버
US10910238B2 (en) Heater pedestal assembly for wide range temperature control
JP2015536043A (ja) 基板処理システムにおける温度制御
CN112136202B (zh) 用于在等离子体增强化学气相沉积腔室中抑制寄生等离子体的设备
CN107230655A (zh) 用于等离子体处理的双区式加热器
CN107460451B (zh) 自居中底座加热器
US20170211185A1 (en) Ceramic showerhead with embedded conductive layers
US20220359255A1 (en) Cryogenic micro-zone electrostatic chuck connector assembly

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees