KR102137719B1 - Rf 전력 전달이 향상된 세라믹 가열기 - Google Patents

Rf 전력 전달이 향상된 세라믹 가열기 Download PDF

Info

Publication number
KR102137719B1
KR102137719B1 KR1020187030799A KR20187030799A KR102137719B1 KR 102137719 B1 KR102137719 B1 KR 102137719B1 KR 1020187030799 A KR1020187030799 A KR 1020187030799A KR 20187030799 A KR20187030799 A KR 20187030799A KR 102137719 B1 KR102137719 B1 KR 102137719B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
rod
substrate support
support assembly
stem
disposed
Prior art date
Application number
KR1020187030799A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180121662A (ko
Inventor
싱 린
지안후아 초우
닝리 리우
주안 카를로스 로차-앨버레즈
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20180121662A publication Critical patent/KR20180121662A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102137719B1 publication Critical patent/KR102137719B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 챔버 내의 기판 지지 조립체에 관한 것이다. 반도체 프로세싱 챔버는 기판 지지 조립체를 포함하는 PECVD 챔버일 수 있으며, 그 기판 지지 조립체는 기판 지지부, 및 기판 지지부에 커플링된 스템을 갖는다. RF 전극이 기판 지지부에 매립되고, 로드가 RF 전극에 커플링된다. 로드는 티타늄(Ti)으로 제조되거나, 또는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)로 코팅된 니켈(Ni)로 제조된다. Ti로 제조되거나 또는 Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조된 로드는 감소된 전기 저항률 및 증가된 표피 깊이를 가지며, 이는 RF 전류가 로드를 통해 이동할 때 열 생성을 최소화한다.

Description

RF 전력 전달이 향상된 세라믹 가열기
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 챔버에 관한 것으로, 더 구체적으로, 반도체 프로세싱 챔버 내의 기판 지지 조립체에 관한 것이다.
[0002] 반도체 프로세싱은 기판 상에 미소한 집적 회로들을 생성하기 위한 다수의 상이한 화학적 및 물리적 프로세스들을 수반한다. 집적 회로를 구성하는 재료들의 층들은 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 에피택셜 성장 등을 포함하는 프로세스들에 의해 생성된다. 재료의 층들 중 일부는 포토레지스트 마스크들, 및 습식 또는 건식 에칭 기법들을 사용하여 패터닝된다. 집적 회로들을 형성하기 위해 활용되는 기판들은 실리콘, 갈륨 비소, 인화 인듐, 유리, 또는 다른 적절한 재료들일 수 있다.
[0003] 집적 회로들의 제조 시에, 다양한 재료 층들의 증착 또는 에칭을 위해 플라즈마 프로세스들이 종종 사용된다. 플라즈마 프로세싱은 열적 프로세싱에 비해 다수의 이점들을 제공한다. 예컨대, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 유사한 열적 프로세스들에서 달성가능한 것보다 더 낮은 온도들 및 더 높은 증착 레이트들로 증착 프로세스들이 수행될 수 있게 한다. 따라서, PECVD는 엄격한 써멀 버짓(thermal budget)들을 갖는 집적 회로 제작, 이를테면 VLSI(very large scale integrated circuit) 또는 ULSI(ultra-large scale integrated circuit) 디바이스 제작에 대해 유리하다.
[0004] 이들 프로세스들에서 사용되는 프로세싱 챔버들은 전형적으로, 프로세싱 동안에 기판을 고정시키기 위한 기판 지지부, 이를테면 정전 척(ESC)이 내부에 배치된 기판 지지 조립체를 포함한다. 기판 지지 조립체는 기판 지지부에 매립된 무선 주파수(RF) 전극 및 로드(rod)를 포함할 수 있으며, 그 로드는 RF 전극을 기준 전압, 이를테면 접지에 연결하여, RF 전극으로부터 기준 전압으로 RF 전류가 이동하게 한다. 통상적으로, 로드는 니켈(Ni)로 제조되는데, 니켈(Ni)은 열을 생성하여, 기판 지지부의 상단 표면 상에 핫 스폿(hot spot)들을 초래하고, 이는 결국, 기판 지지부의 상단 표면 상에 배치된 기판 상에 형성되는 층에서 두께 불균일성을 초래한다.
[0005] 따라서, 개선된 기판 지지 조립체가 필요하다.
[0006] 일 실시예에서, 기판 지지 조립체는 기판 지지부, 기판 지지부에 연결된 스템(stem), 및 스템 내에 배치된 제1 로드를 포함한다. 제1 로드는 티타늄으로 제조되거나, 또는 금, 은, 알루미늄 또는 구리로 코팅된 니켈로 제조된다.
[0007] 다른 실시예에서, 기판 지지 조립체는 기판 지지부, 기판 지지부에 연결된 스템, 및 스템 내에 배치된 로드를 포함한다. 로드는 제1 직경을 갖는 제1 부분, 및 제2 직경을 갖는 제2 부분을 포함한다. 제2 직경은 제1 직경보다 더 크다.
[0008] 다른 실시예에서, 기판 지지 조립체는 기판 지지부, 기판 지지부에 연결된 스템, 기판 지지부에 매립된 무선 주파수 전극, 및 스템 내에 배치된 제1 로드를 포함한다. 제1 로드는 무선 주파수 전극에 연결된다. 기판 지지 조립체는 스템 내에 배치된 제2 로드를 더 포함하며, 제2 로드는 무선 주파수 전극에 연결된다. 기판 지지 조립체는 스템 내에 배치된 연결 부재를 더 포함한다. 연결 부재는 제1 로드 및 제2 로드에 연결된다.
[0009] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른 플라즈마 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0011] 도 2는 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0012] 도 3은 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른 콘택(contact)의 개략적인 측단면도를 예시한다.
[0013] 도 4는 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0014] 도 5는 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0015] 도 6은 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0016] 도 7은 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0017] 도 8은 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0018] 도 9는 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0019] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
[0020] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 챔버 내의 기판 지지 조립체에 관한 것이다. 반도체 프로세싱 챔버는 기판 지지 조립체를 포함하는 PECVD 챔버일 수 있으며, 그 기판 지지 조립체는 기판 지지부, 및 기판 지지부에 커플링된 스템을 갖는다. RF 전극이 기판 지지부에 매립되고, 로드가 RF 전극에 커플링된다. 로드는, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)로 코팅된 니켈(Ni)로 제조되거나 또는 티타늄(Ti)으로 제조된다. Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조된 또는 Ti로 제조된 로드는 감소된 전기 저항률 및 증가된 표피 깊이를 가지며, 이는 RF 전류가 로드를 통해 이동할 때 열 생성을 최소화한다.
[0021] 도 1은 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도를 예시한다. 플라즈마 프로세싱 챔버(100)는 일반적으로, 측벽들(112), 하단 벽(116) 및 공유된 내부 측벽(101)을 갖는 프로세싱 챔버 바디(102)를 포함하며, 그 측벽들(112), 하단 벽(116) 및 공유된 내부 측벽(101)은 한 쌍의 프로세싱 구역들(120A 및 120B)을 정의한다. 프로세싱 구역들(120A, 120B) 각각은 유사하게 구성되며, 간결성을 위해, 프로세싱 구역(120B) 내의 컴포넌트들만이 설명될 것이다.
[0022] 플라즈마 프로세싱 챔버(100)에서 하단 벽(116)에 형성된 통로(122)를 통하는 기판 지지 조립체(128)가 프로세싱 구역(120B)에 배치된다. 기판 지지 조립체(128)는 기판(미도시)을 지지하기 위한 기판 지지부(160), 및 기판 지지부(160)에 커플링된 스템(161)을 포함한다. 기판 지지 조립체(128)는 또한, RF 전극(162), 스터브(stub)(164) 및 로드(166)를 포함할 수 있다. RF 전극(162) 및 스터브(164)는 기판 지지부(160)에 매립될 수 있고, 로드(166)는 스템(161) 내에 배치될 수 있다. 가열 엘리먼트(미도시), 이를테면 저항성 가열 엘리먼트가 또한, 가열하고 기판 온도를 제어하기 위해 기판 지지부(160)에 매립될 수 있다. 스템(161)은 기판 지지 조립체(128)를 전력 아웃렛 또는 전력 박스(103)에 커플링한다. 전력 박스(103)는 구동 시스템을 포함할 수 있으며, 그 구동 시스템은 프로세싱 구역(120B) 내에서의 기판 지지 조립체(128)의 높이 및 이동을 제어한다. 전력 박스(103)는 또한, 전력 및 온도 표시기들을 위한 인터페이스들, 이를테면 열전대 인터페이스를 포함한다.
[0023] 프로세싱 구역(120B)의 하단 벽(116)에 형성된 통로(124)를 통해 로드(130)가 배치되고, 로드(130)는 기판 지지부(160)에 형성된 개구들(미도시)을 통해 기판 리프트 핀들(미도시)을 위치시키기 위해 활용된다. 로드(130)는 리프트 핀들과 접촉하는 리프트 플레이트(133)에 커플링된다. 기판 리프트 핀들은 기판 이송 포트(121)를 통해 프로세싱 구역(120B) 내외로 기판을 이송하기 위해 활용되는 로봇(미도시)을 이용한 기판의 교환을 가능하게 하기 위해, 기판 지지부(160)로부터 기판을 선택적으로 이격시킨다.
[0024] 챔버 덮개(104)가 챔버 바디(102)의 상단 부분에 커플링된다. 덮개(104)는 덮개(104)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 가스 분배 시스템들(108)을 수용한다. 가스 분배 시스템(108)은 가스 유입 통로(140)를 포함하며, 그 가스 유입 통로(140)는 샤워헤드 조립체(142)를 통해 프로세싱 구역(120B) 내로 반응물 및 세정 가스들을 전달한다. 샤워헤드 조립체(142)는, 페이스플레이트(146)와의 사이에 블로커 플레이트(144)가 배치된 베이스 플레이트(148)를 포함한다. RF 소스(165)가 샤워헤드 조립체(142)에 커플링된다. RF 소스(165)는 샤워헤드 조립체(142)의 페이스플레이트(146)와 기판 지지 조립체(128) 사이에 플라즈마의 생성을 가능하게 하도록 샤워헤드 조립체(142)에 전력을 공급한다. 일 실시예에서, RF 소스(165)는 고 주파 무선 주파수(HFRF) 전력 소스, 이를테면 13.56 MHz RF 생성기일 수 있다. 다른 실시예에서, RF 소스(165)는 HFRF 전력 소스 및 저 주파 무선 주파수(LFRF) 전력 소스, 이를테면 300kHz RF 생성기를 포함할 수 있다. 대안적으로, RF 소스는 플라즈마 생성을 가능하게 하기 위해, 프로세싱 챔버 바디(102)의 다른 부분들, 이를테면 기판 지지 조립체(128)에 커플링될 수 있다. RF 전력이 덮개(104)로 전도되는 것을 방지하기 위해, 유전체 아이솔레이터(158)가 덮개(104)와 샤워헤드 조립체(142) 사이에 배치된다. 미리 결정된 높이에서 기판과 맞물리는 섀도우 링(106)이 기판 지지부(160)의 주변부 상에 배치될 수 있다.
[0025] 선택적으로, 냉각 채널(147)이 동작 동안에 베이스 플레이트(148)를 냉각시키기 위해, 가스 분배 시스템(108)의 베이스 플레이트(148)에 형성된다. 베이스 플레이트(148)가 미리 정의된 온도로 유지되도록, 열 전달 유체, 이를테면 물, 에틸렌 글리콜, 가스 등이 냉각 채널(147)을 통해 순환될 수 있다.
[0026] 챔버 라이너 조립체(127)가 프로세싱 구역(120B) 내의 프로세싱 환경에 대한 측벽들(101, 112)의 노출을 방지하기 위해, 프로세싱 구역(120B) 내에서 챔버 바디(102)의 측벽들(101, 112)에 매우 근접하게 배치된다. 라이너 조립체(127)는 펌핑 시스템(167)에 커플링된 원주형(circumferential) 펌핑 공동(125)을 포함하며, 그 펌핑 시스템(167)은 프로세싱 구역(120B)으로부터 가스들 및 부산물들을 배기하고 프로세싱 구역(120B) 내의 압력을 제어하도록 구성된다. 복수의 배기 포트들(131)이 챔버 라이너 조립체(127) 상에 형성될 수 있다. 배기 포트들(131)은 플라즈마 프로세싱 챔버(100) 내의 프로세싱을 촉진하는 방식으로, 프로세싱 구역(120B)으로부터 원주형 펌핑 공동(125)으로의 가스들의 유동을 가능하게 하도록 구성된다.
[0027] 기판 지지 조립체(128)는 CVD/PECVD 프로세싱 챔버에서 사용하는 것으로 제한되지 않으며, PVD 및 에칭 반도체 프로세싱 챔버들에서 사용될 수 있다.
[0028] 도 2는 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버(100)에 배치된 기판 지지 조립체(128)의 개략적인 단면도를 예시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(128)는 기판 지지부(160), 스템(161), 및 스템(161) 내에 배치된 로드(166)를 포함한다. 기판 지지부(160)는 알루미늄 질화물로 제조될 수 있으며, 기판 지지부(160)에 가열 엘리먼트(미도시)가 매립될 수 있다. RF 전극(162) 및 스터브(164)가 기판 지지부(160)에 매립될 수 있으며, RF 전극(162) 및 스터브(164)는 Mo로 제조될 수 있다. 로드(166)는 제1 단부(202), 및 제1 단부(202) 반대편의 제2 단부(204)를 갖는다. 제1 단부(202)는 스터브(164)에 연결될 수 있으며, 로드(166)의 제1 단부(202)와 스터브(164)를 연결하기 위해 브레이징(brazing) 재료가 사용될 수 있다. 브레이징 재료는 금속 합금, 이를테면 Al 또는 Au 합금일 수 있다. 프로세싱 온도가 비교적 낮은 경우, 이를테면 섭씨 약 350도 미만인 경우에, Al 합금이 사용될 수 있다. 프로세싱 온도가 비교적 높은 경우, 이를테면 섭씨 약 350도 내지 섭씨 약 700도, 또는 섭씨 약 400도 내지 섭씨 약 650도인 경우에, Au 합금이 사용될 수 있다. 로드(166)는 중실(solid) 로드 또는 중공(hollow) 로드일 수 있다. 로드(166)는 Ni와 비교하여 낮은 비투자율을 갖는 Ti로 제조될 수 있다. 따라서, Ti로 제조된 로드(166)의 표피 깊이는 Ni로 제조된 로드의 표피 깊이보다 훨씬 더 깊고, 그에 따라, RF 전류가 로드(166)를 통해 이동할 때 로드(166)에서 생성되는 열을 감소시킨다.
[0029] 대안적으로, 로드(166)는 Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조될 수 있다. Au, Ag, Al 또는 Cu 코팅이 또한, 로드(166)의 표피 깊이를 증가시키고, 그에 따라, RF 전류가 로드(166)를 통해 이동할 때 로드(166)에서 생성되는 열을 감소시킨다. 예컨대, Au는 13.56 Mhz에서 약 20 미크론의 표피 깊이를 가지며, 이는 Ni의 표피 깊이의 10배를 초과한다. 부가하여, Au는 낮은 투자율 및 높은 전기 전도율을 갖는다. 따라서, RF 전류가 로드(166)를 통해 이동할 때 로드(166)에서 생성되는 저항성 열은 Au, Ag, Al 또는 Cu 코팅에 의해 감소된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 로드(166)의 제2 단부(204)는 전력 박스(103) 내의 콘택(206) 내에 삽입될 수 있으며, 전력 박스(103)는 기준 전압, 이를테면 접지에 연결될 수 있다. 콘택(206)은 콤팩트 디자인일 수 있고, 그에 따라, 복수의 콘택들(206)이 전력 박스(103)에 형성될 수 있게 한다. 콘택(206)은 도 3에 도시된다.
[0030] 도 3은 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른 콘택(206)의 개략적인 측단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 콘택(206)은 바디(302), 개구(306), 및 하나 또는 그 초과의 멀티-램 스트립(multi-lam strip)들(304)을 포함한다. 바디(302)는 전도성 금속, 이를테면 알루미늄으로 제조될 수 있으며, 바디(302)는 기준 전압, 이를테면 접지에 전기적으로 연결된다. 스트립들(304)은 높은 온도들을 견딜 수 있는 전도성 금속, 이를테면 구리, 베릴륨-구리 또는 니켈-베릴륨으로 제조될 수 있다. 콘택(206)은 전력 박스(103)(도 1)에 배치될 수 있고, 로드(166)의 제2 단부(204)(도 2)는 개구(306) 내에 삽입될 수 있다. 각각의 스트립(304)은 로드(166)와의 양호한 전기적 접촉을 보장하기 위해, 개구(306) 내에서 볼록한 형상을 가질 수 있다. 부가하여, 스트립들(304)은 동작 동안의 로드(166)의 열 팽창 또는 수축을 보상하는 것을 돕는다.
[0031] 도 4는 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버(100)에 배치된 기판 지지 조립체(128)의 개략적인 단면도를 예시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(128)는 스터브(164)에 연결된 제1 로드(402), 제1 로드(402)에 연결된 가요성 케이블(404), 및 가요성 케이블(404)에 연결된 제2 로드(406)를 포함한다. 제1 로드(402), 가요성 케이블(404), 및 제2 로드(406)는 스템(161) 내에 배치된다. 가요성 케이블(404)은 동작 동안의 제2 로드(406)의 열 팽창 또는 수축을 보상하기 위해 가요성이다. 스터브(164)에 가요성 케이블(404)을 연결하고 가요성 케이블(404)과 스터브(164) 사이의 양호한 연결을 유지하는 것이 어렵기 때문에, 제1 로드(402)가 사용된다. 제1 로드(402)는 중실 로드 또는 중공 로드일 수 있다. 제1 로드(402)는 비교적 짧은 길이, 이를테면 제2 로드(406)의 길이의 약 5분의 1의 길이를 가질 수 있다. 제1 로드(402)는 Ni로 제조될 수 있다. 제1 로드(402)는 스터브(164)에 연결된 제1 단부(408), 및 가요성 케이블(404)에 연결된 제2 단부(410)를 갖는다. 제1 로드(402)의 제1 단부(408)와 스터브(164)를 연결하기 위해 브레이징 재료가 사용될 수 있다. 브레이징 재료는 금속 합금, 이를테면 Al 또는 Au 합금일 수 있다.
[0032] 가요성 케이블(404)은 Ni로 제조될 수 있으며, 가요성 케이블(404)은 제1 단부(412) 및 제2 단부(414)를 포함한다. 가요성 케이블(404)의 제1 단부(412)는 제1 로드(402)의 제2 단부(410)에 연결될 수 있다. 가요성 케이블(404)은 동작 동안의 제2 로드(406)의 열 팽창 또는 수축을 보상하기 위해 가요성이다. 제2 로드(406)는 중실 로드 또는 중공 로드일 수 있다. 제2 로드(406)는 제1 단부(416) 및 제2 단부(418)를 포함한다. 제1 단부(416)는 가요성 케이블(404)의 제2 단부(414)에 연결될 수 있고, 제2 단부(418)는 전력 박스(103) 내에 삽입될 수 있다. 제2 로드(406)는, 증가된 표피 깊이로 인해 로드(406)에서 생성되는 열을 감소시키도록, Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조될 수 있거나 또는 Ti로 제조될 수 있다. 가요성 케이블(404)에 의해 열 팽창 및 수축이 보상되기 때문에, 콤팩트 콘택(도 3)은 사용되지 않을 수 있다.
[0033] 도 5는 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버(100)에 배치된 기판 지지 조립체(128)의 개략적인 단면도를 예시한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(128)는 제1 로드(502) 및 제2 로드(504)를 포함한다. 제1 로드(502) 및 제2 로드(504)는 스템(161) 내에 배치된다. 제1 로드(502)는 중실 로드 또는 중공 로드일 수 있다. 제1 로드(502)는 비교적 짧은 길이, 이를테면 제2 로드(504)의 길이의 약 10분의 1의 길이를 가질 수 있다. 제1 로드(502)는 Ni로 제조될 수 있다. 제1 로드(502)는 스터브(164)에 연결된 제1 단부(506), 및 제2 로드(504)에 연결된 제2 단부(508)를 포함한다. 제1 로드(502)의 제1 단부(506)와 스터브(164)를 연결하기 위해 브레이징 재료가 사용될 수 있다. 브레이징 재료는 금속 합금, 이를테면 Al 또는 Au 합금일 수 있다. 제2 로드(504)는 중실 로드 또는 중공 로드일 수 있다. 제2 로드(504)는 제1 단부(510) 및 제2 단부(512)를 포함한다. 제1 단부(510)는 제1 로드(502)의 제2 단부(508)에 연결될 수 있고, 제2 단부(512)는 전력 박스(103) 내의 콘택(206) 내에 삽입될 수 있다. 제2 로드(504)는, 증가된 표피 깊이로 인해 로드(504)에서 생성되는 열을 감소시키도록, Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조될 수 있거나 또는 Ti로 제조될 수 있다. 콘택(206)은 제2 로드(504)에서의 열 팽창 및 수축을 보상하기 위해 사용될 수 있다.
[0034] 제1 로드(502)의 제2 단부(508)와 제2 로드(504)의 제1 단부(510)는 쉽게 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 로드(504)의 제1 단부(510)는 제1 로드(502)의 제2 단부(508) 내에 나사로 결합(screw)되며, 제2 로드(504)의 제1 단부(510)는 연결성을 위한 숄더 콘택 부분들(514)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 제1 로드(502)와 제2 로드(504) 사이의 접촉 인터페이스는 신뢰성을 개선하기 위해 용접된다.
[0035] 도 6은 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버(100)에 배치된 기판 지지 조립체(128)의 개략적인 단면도를 예시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(128)는 스템(161) 내에 배치된 로드(602)를 포함한다. 로드(602)는 중실 로드 또는 중공 로드일 수 있다. 로드(602)는 제1 직경을 갖는 제1 부분(604), 및 제2 직경을 갖는 제2 부분(606)을 포함할 수 있다. 제1 부분(604)은 제2 부분(606)의 직경의 3분의 1의 직경을 가질 수 있다. 직경이 더 클수록, RF 전류가 흐르는 단면이 증가되는데, 이는 RF 전류가 로드(602)의 표면을 통해 흐르기 때문이며, 그에 따라, 로드(602)는 감소된 저항을 갖게 된다. 제1 부분(604)은 제2 부분(606)의 길이의 6분의 1의 길이를 가질 수 있다. 로드(602)는 Ni로 제조될 수 있거나, Ti로 제조될 수 있거나, 또는 Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조될 수 있다. 제2 부분(606)은 전력 박스(103)와 물리적으로 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, RF 스트랩(610)이 전력 박스(103)에 배치되며, 제2 부분(606)은 RF 스트랩(610)에 연결된다. RF 스트랩(610)은 로드(602)의 열 팽창을 보상할 정도로 충분한 탄성 및 가요성을 갖도록 설계된다. 제1 부분(604) 및 제2 부분(606)은 단일 재료 피스일 수 있거나, 또는 함께 커플링된, 이를테면 함께 용접된 2개의 재료 피스들일 수 있다.
[0036] 일부 실시예들에서, 로드(602)는 제2 부분(606)과 전력 박스(103) 사이에 제3 부분(608)을 포함할 수 있다. 제3 부분(608)은 RF 스트랩(610)에 연결될 수 있다. 제3 부분(608)은 제1 부분(604)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 제3 부분(608)은 제1 및 제2 부분들(604, 606)과 동일한 재료로 제조될 수 있다. 제1, 제2 및 제3 부분들(604, 606, 608)의 길이들의 비율은 각각 1 대 3 대 2일 수 있다. 제1, 제2 및 제3 부분들(604, 606, 608)은 단일 재료 피스일 수 있거나, 또는 함께 커플링된, 이를테면 함께 용접된 3개의 재료 피스들일 수 있다.
[0037] 도 7은 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버(100)에 배치된 기판 지지 조립체(128)의 개략적인 단면도를 예시한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(128)는 제1 스터브(702), 제2 스터브(704), 제1 스터브(702)에 연결된 제1 로드(706), 제2 스터브(704)에 연결된 제2 로드(708), 및 제1 로드(706) 및 제2 로드(708)에 연결된 연결 부재(710)를 포함한다. 제1 및 제2 스터브들(702, 704)은 스터브(164)와 동일할 수 있다. 제1 및 제2 로드들(706, 708)은 각각, 중실 로드 또는 중공 로드일 수 있으며, Ni로 제조될 수 있거나, Ti로 제조될 수 있거나, 또는 Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조될 수 있다. 제1 로드(706) 또는 제2 로드(708)는 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 로드로 대체될 수 있다. 하나 초과의 로드가 RF 전극(162)과 전력 박스(103)를 연결하기 때문에, RF 전류는 RF 전극(162)으로부터 전력 박스(103)로 이동할 때 다수의 경로들로 분할되고, 그에 따라, 로드들(706, 708)에서 생성되는 열이 감소된다. 연결 부재(710)는 제1 및 제2 로드들(706, 708)에 연결된 제1 단부(712), 및 전력 박스(103) 내의 RF 스트랩(610)에 연결된 제2 단부(714)를 갖는다.
[0038] 도 8은 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버(100)에 배치된 기판 지지 조립체(128)의 개략적인 단면도를 예시한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(128)는 기판 지지부(160), 스템(802), 및 스템(802) 내에 배치된 로드(806)를 포함한다. 로드(806)는 전력 박스(804)에 배치된 RF 스트랩(610)에 연결될 수 있다. 전력 박스(804)는 통상적인 전력 박스보다 더 긴 길이를 가질 수 있다. 스템(802) 및 로드(806)는 통상적인 스템 및 로드보다 더 짧은 길이를 갖는다. 더 짧은 로드(806)는, RF 전류가 로드(806)를 통해 이동할 때 로드(806)에서 생성되는 열을 감소시키는 것을 돕는다. 로드(806) 및 전력 박스(804)의 길이들의 비율은 1 대 1일 수 있다. 로드(806)는 Ni로 제조될 수 있거나, Ti로 제조될 수 있거나, 또는 Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조될 수 있다. 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 로드가 로드(806)로서 사용될 수 있다.
[0039] 도 9는 본원에서 설명되는 다른 실시예에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 챔버(100)에 배치된 기판 지지 조립체(128)의 개략적인 단면도를 예시한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(128)는 기판 지지부(160) 및 스템(161)을 포함한다. 가열 엘리먼트(902)가 기판 지지부(160)에 매립될 수 있으며, 가열 엘리먼트(902)는 커넥터들(904, 906)을 통해 전력 박스(103)에 연결된다. 커넥터들(904, 906)은 전력 박스(103)로부터 가열 엘리먼트(902)에 전력을 제공하기 위해 임의의 전기 전도성 금속으로 제조될 수 있다. 커넥터들(904, 906)은 스템(161) 내에 배치된다. 로드(908)가 스템(161) 내에 배치되고, RF 전류를 위한 경로를 제공하기 위해 스터브(164)와 전력 박스(103)를 연결한다. 로드는 Ni로 제조될 수 있거나, Ti로 제조될 수 있거나, 또는 Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조될 수 있다. 로드(908)는 스터브(164)에 연결된 단부(909)를 포함할 수 있으며, 로드(908)의 단부(909)와 스터브(164)를 연결하기 위해 브레이징 재료가 사용될 수 있다. 브레이징 재료는 금속 합금, 이를테면 Al 또는 Au 합금일 수 있다. 캐패시터(910)가 커넥터(904)와 로드(908)를 연결하여, RF 쇼트(RF short)를 생성함으로써, RF 전류가 전력 박스(103)로 이동하기 위한 다른 경로를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 제2 캐패시터(912)가 커넥터(906)와 로드(908)를 연결하여, 다른 RF 쇼트를 생성함으로써, RF 전류가 전력 박스(103)로 이동하기 위한 다른 경로를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 캐패시터들(910, 912)은 또한, RF 단자들로의 가열 엘리먼트 전류를 차단하기 위한 개방 회로로서 역할을 한다. RF 전류가 다수의 경로들을 통해 전력 박스(103)로 이동하기 때문에, 로드(908)에서 생성되는 열이 감소된다.
[0040] 위에서 설명된 기판 지지 조립체의 실시예들은 조합될 수 있다. 기판 지지 조립체는 적어도 하나의 로드를 포함하며, 그 적어도 하나의 로드는, RF 전류가 그 적어도 하나의 로드를 통해 이동할 때 로드에서 생성되는 열을 감소시키기 위해, Ti로 제조되거나 또는 Au, Ag, Al 또는 Cu로 코팅된 Ni로 제조된다. 대안적으로 또는 부가하여, 생성되는 열을 감소시키기 위해, 로드는 로드의 나머지의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 부분을 가질 수 있다. 대안적으로 또는 부가하여, 생성되는 열을 감소시키기 위해, 로드의 길이가 단축될 수 있거나, 또는 로드들의 수가 증가될 수 있다.
[0041] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 기판 지지 조립체로서,
    기판 지지부;
    상기 기판 지지부에 연결된 스템;
    상기 스템 내에 배치된 제1 로드;
    상기 기판 지지부에 매립된 무선 주파수 전극; 및
    상기 무선 주파수 전극에 연결된 스터브;를 포함하고,
    상기 제1 로드는 티타늄으로 제조되거나, 또는 금, 은, 알루미늄 또는 구리로 코팅된 니켈로 제조되고, 상기 제1 로드는 제1 단부 및 제2 단부를 가지며, 상기 제1 단부는 브레이징(brazing) 재료에 의해 상기 스터브에 연결되고, 상기 브레이징 재료는 합금인,
    기판 지지 조립체.
  6. 기판 지지 조립체로서,
    기판 지지부;
    상기 기판 지지부에 연결된 스템;
    상기 스템 내에 배치된 제1 로드;
    상기 기판 지지부에 매립된 무선 주파수 전극;
    상기 무선 주파수 전극에 연결된 스터브; 및
    상기 스터브에 연결된 제2 로드;를 포함하고,
    상기 제1 로드는 티타늄으로 제조되거나, 또는 금, 은, 알루미늄 또는 구리로 코팅된 니켈로 제조된,
    기판 지지 조립체.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 로드 및 상기 제1 로드에 연결된 가요성 케이블을 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 로드는 상기 제2 로드 내에 나사로 결합(screw)되는,
    기판 지지 조립체.
  9. 삭제
  10. 기판 지지 조립체로서,
    기판 지지부;
    상기 기판 지지부에 연결된 스템;
    상기 스템 내에 배치된 제1 로드;
    상기 기판 지지부에 매립된 가열 엘리먼트;
    상기 가열 엘리먼트에 연결된 제1 커넥터;
    상기 가열 엘리먼트에 연결된 제2 커넥터;
    상기 제1 커넥터와 상기 제1 로드를 연결하는 제1 캐패시터; 및
    상기 제2 커넥터와 상기 제1 로드를 연결하는 제2 캐패시터;를 포함하고,
    상기 제1 로드는 티타늄으로 제조되거나, 또는 금, 은, 알루미늄 또는 구리로 코팅된 니켈로 제조된,
    기판 지지 조립체.
  11. 기판 지지 조립체로서,
    기판 지지부;
    상기 기판 지지부로부터 제1 방향으로 연장되는 스템; 및
    상기 기판 지지부로부터 상기 스템 내에 상기 제1 방향으로 연장되는 로드;를 포함하며,
    상기 로드는 제1 직경을 갖는 제1 부분, 및 제2 직경을 갖는 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 상기 제1 방향으로 서로 직렬로(in series) 연결되고, 상기 제2 직경은 상기 제1 직경보다 더 크며, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분보다 무선 주파수 전류에 대해 더 낮은 저항을 갖는,
    기판 지지 조립체.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 로드는 니켈로 제조되거나, 티타늄으로 제조되거나, 또는 금, 은, 알루미늄 또는 구리로 코팅된 니켈로 제조되는,
    기판 지지 조립체.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 로드는 제3 부분을 더 포함하며,
    상기 제3 부분은 제3 직경을 갖고, 상기 제3 직경은 상기 제1 직경과 동일한,
    기판 지지 조립체.
  14. 기판 지지 조립체로서,
    기판 지지부;
    상기 기판 지지부에 연결된 스템;
    상기 기판 지지부에 매립된 무선 주파수 전극;
    상기 스템 내에 배치된 제1 로드 ― 상기 제1 로드는 상기 무선 주파수 전극에 연결됨 ―;
    상기 스템 내에 배치된 제2 로드 ― 상기 제2 로드는 상기 무선 주파수 전극에 연결됨 ―; 및
    상기 스템 내에 배치된 연결 부재;
    를 포함하며,
    상기 연결 부재는 상기 제1 로드 및 상기 제2 로드에 연결되는,
    기판 지지 조립체.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 로드 및 상기 제2 로드는 니켈로 제조되거나, 티타늄으로 제조되거나, 또는 금, 은, 알루미늄 또는 구리로 코팅된 니켈로 제조되는,
    기판 지지 조립체.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 스템은 제1 방향으로 상기 기판 지지부로부터 연장되고 상기 제1 로드는 상기 연결 부재와 직접적으로 접촉하며 상기 무선 주파수 전극으로부터 상기 제1 방향으로 연장되며, 상기 제2 로드는 상기 연결 부재와 직접적으로 접촉하며 상기 무선 주파수 전극으로부터 상기 제1 방향으로 연장되고, 그리고 상기 제1 로드 및 제2 로드가 상기 제 1 방향으로 병렬로 배치된,
    기판 지지 조립체.
KR1020187030799A 2016-03-25 2017-02-20 Rf 전력 전달이 향상된 세라믹 가열기 KR102137719B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662313242P 2016-03-25 2016-03-25
US62/313,242 2016-03-25
US201662338808P 2016-05-19 2016-05-19
US62/338,808 2016-05-19
PCT/US2017/018573 WO2017165032A1 (en) 2016-03-25 2017-02-20 Ceramic heater with enhanced rf power delivery

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180121662A KR20180121662A (ko) 2018-11-07
KR102137719B1 true KR102137719B1 (ko) 2020-07-24

Family

ID=59896665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187030799A KR102137719B1 (ko) 2016-03-25 2017-02-20 Rf 전력 전달이 향상된 세라믹 가열기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10692703B2 (ko)
KR (1) KR102137719B1 (ko)
CN (1) CN108885973B (ko)
TW (1) TWI733762B (ko)
WO (1) WO2017165032A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11955320B2 (en) 2020-12-31 2024-04-09 Mico Ceramics Ltd. Ceramic susceptor
US11990322B2 (en) 2022-08-01 2024-05-21 Mico Ceramics Ltd. Ceramic susceptor

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102331072B1 (ko) * 2018-04-27 2021-11-29 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 지지대
JP2021529440A (ja) * 2018-07-07 2021-10-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高周波電力プロセスのための半導体処理装置
CN113823582A (zh) * 2020-06-21 2021-12-21 拓荆科技股份有限公司 用于处理站阻抗调节的装置、系统和方法
KR20220018421A (ko) * 2020-08-06 2022-02-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US20220108872A1 (en) * 2020-10-05 2022-04-07 Applied Materials, Inc. Bevel backside deposition elimination
KR102275508B1 (ko) * 2020-12-18 2021-07-09 피에스케이 주식회사 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR102369346B1 (ko) * 2020-12-31 2022-03-04 주식회사 미코세라믹스 세라믹 서셉터
WO2022209619A1 (ja) * 2021-04-01 2022-10-06 日本碍子株式会社 ウエハ支持台及びｒｆロッド
CN117043925A (zh) * 2021-04-01 2023-11-10 日本碍子株式会社 晶片支撑台及rf棒

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005063991A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05243624A (ja) * 1992-03-03 1993-09-21 Toshiba Corp 超電導磁石用断熱支持装置
US6189482B1 (en) * 1997-02-12 2001-02-20 Applied Materials, Inc. High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods
US6041734A (en) * 1997-12-01 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing
JP2003347765A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Mitsumi Electric Co Ltd フレキシブルケーブルの余長処理構造及びこれを有する記録メディア装置
WO2004030411A1 (ja) * 2002-09-27 2004-04-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. ウエハー保持体及び半導体製造装置
SG139520A1 (en) * 2003-08-12 2008-02-29 Sony Corp Methods for producing hard disk drives of reduced size, hard disk drives produced by the method, and systems including the hard disks.
US7667944B2 (en) * 2007-06-29 2010-02-23 Praxair Technology, Inc. Polyceramic e-chuck
JP2009054871A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP2011525719A (ja) * 2008-06-24 2011-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低温ｐｅｃｖｄ用途用のペデスタルヒータ
US8206552B2 (en) * 2008-06-25 2012-06-26 Applied Materials, Inc. RF power delivery system in a semiconductor apparatus
JP5666167B2 (ja) * 2010-05-07 2015-02-12 日本発條株式会社 ステージヒータ及びシャフトの製造方法
WO2012011149A1 (ja) * 2010-07-21 2012-01-26 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置
US8884524B2 (en) * 2011-11-22 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for improving reliability of RF grounding
US20150194326A1 (en) * 2014-01-07 2015-07-09 Applied Materials, Inc. Pecvd ceramic heater with wide range of operating temperatures
KR102240923B1 (ko) * 2014-06-30 2021-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005063991A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11955320B2 (en) 2020-12-31 2024-04-09 Mico Ceramics Ltd. Ceramic susceptor
US11990322B2 (en) 2022-08-01 2024-05-21 Mico Ceramics Ltd. Ceramic susceptor

Also Published As

Publication number Publication date
CN108885973A (zh) 2018-11-23
WO2017165032A1 (en) 2017-09-28
TWI733762B (zh) 2021-07-21
US20170278682A1 (en) 2017-09-28
KR20180121662A (ko) 2018-11-07
TW201735279A (zh) 2017-10-01
CN108885973B (zh) 2023-09-08
US10692703B2 (en) 2020-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102137719B1 (ko) Rf 전력 전달이 향상된 세라믹 가열기
US10971389B2 (en) Multi-zone pedestal for plasma processing
US8274017B2 (en) Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
US10770270B2 (en) High power electrostatic chuck with aperture-reducing plug in a gas hole
KR102457649B1 (ko) 플라즈마 한정 피쳐들을 갖는 기판 지지 페디스털
JP6522006B2 (ja) 広範囲の動作温度を有するｐｅｃｖｄセラミックヒータ
US10811301B2 (en) Dual-zone heater for plasma processing
US10910238B2 (en) Heater pedestal assembly for wide range temperature control
US20170352565A1 (en) Workpiece carrier with gas pressure in inner cavities
KR200488076Y1 (ko) 히터를 구비한 기판 지지 페디스털
US20170211185A1 (en) Ceramic showerhead with embedded conductive layers
KR20230086719A (ko) 반도체 기판 지지 전력 송신 컴포넌트들
JP2023546605A (ja) 半導体処理のための高温損失ヒータ及び静電チャック

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant