KR102331072B1 - 웨이퍼 지지대 - Google Patents

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KR102331072B1
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Abstract

웨이퍼 지지대(20)는, 세라믹 기체(21)와 로드(32)를 구비하고 있다. 세라믹 기체(21)는, 웨이퍼 배치면(21a)을 가지며, RF 전극(22)과 히터 전극(27)이 웨이퍼 배치면(21a)측으로부터 이 순서로 매설되어 있다. 세라믹 기체(21)에는, 이면(21b)으로부터 RF 전극(22)을 향해 구멍(21c)이 형성되어 있다. 로드(32)는, Ni제 또는 코바르제이며, 구멍(21c)의 저면에 노출된 태블릿(23)과 접합되어, 고주파 전력을 RF 전극(22)에 공급한다. 로드(32)의 외주면 중 기단부(32a)로부터 미리 정해진 위치(32c)까지의 영역에는 Au 박막(34)이 설치되어 있다.

Description

웨이퍼 지지대
본 발명은 웨이퍼 지지대에 관한 것이다.
웨이퍼에 플라즈마 CVD에 의한 성막 처리나 플라즈마 에칭 처리 등을 행할 때에 이용되는 웨이퍼 지지대로는, 세라믹 기체에 고주파 전극(RF 전극)이 매설되고, 이 RF 전극을 이용하여 플라즈마를 발생시키는 것이 알려져 있다. 예컨대, 특허문헌 1에 개시된 웨이퍼 지지대에서는, 세라믹스 플레이트의 이면에, RF 전극에 전력을 유도하는 Ni제의 로드를 삽입하기 위한 구멍이 RF 전극을 향해 형성되어 있다. 이 구멍의 저면에, RF 전극과 접속하고 있는 금속제의 도전성 부재가 노출되어 있어, 이것과 구멍에 삽입된 로드가 납땜에 의해 도통 가능하게 접합되어 있다. 그리고, 이 로드에 고주파 전원이 접속되어 RF 전극에 전력이 공급된다. 또한, 세라믹 기체에는 웨이퍼를 가열하기 위한 히터 전극도 매설되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2008-130609호 공보
그러나, 전술한 웨이퍼 지지대에서는, 히터 전극에 통전하여 웨이퍼의 온도를 미리 설정된 온도(예컨대 450℃∼550℃)로 가열하는 경우, 웨이퍼 중 RF 전극에 접속된 로드의 바로 윗부분의 온도가 특이적으로 고온이 되는 경우가 있었다. 이와 같이 웨이퍼에 있어서 특이적으로 고온이 되는 부분이 존재하면, 웨이퍼에 실시되는 플라즈마 처리에 불균일이 생긴다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 웨이퍼 중 RF 전극에 접속된 로드의 바로 윗부분의 온도가 특이적으로 고온이 되는 것을 저비용으로 방지하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 지지대는,
웨이퍼 배치면을 가지며, RF 전극과 히터 전극이 상기 웨이퍼 배치면측으로부터 이 순서로 매설된 세라믹 기체와,
상기 세라믹 기체 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면으로부터 상기 RF 전극을 향해 형성된 구멍과,
상기 구멍의 저면에 노출된 상기 RF 전극 또는 상기 RF 전극과 접속하고 있는 도전성 부재와 접합되어, 고주파 전력을 상기 RF 전극에 공급하는 Ni제 또는 코바르제의 로드와,
상기 로드의 외주면 중 상기 로드의 기단부로부터 상기 구멍에 삽입되어 있지 않은 미리 정해진 위치까지의 영역에 설치된 구리족 원소 박막
을 구비한 것이다.
이 웨이퍼 지지대에서는, 고주파 전력을 RF 전극에 공급하기 위해 Ni제 또는 코바르제의 로드를 이용하고 있다. 이러한 로드에 고주파 전력을 인가하면, 퀴리점(Ni는 약 354℃, 코바르는 약 435℃) 미만에서는 임피던스가 크기 때문에 고온이 되지만, 퀴리점 이상에서는 임피던스가 작기 때문에 고온이 되기 어렵다. 전술한 바와 같이 웨이퍼 중 로드의 바로 윗부분의 온도가 특이적으로 높아지는 것은, 로드 전체가 고온이 되기 때문에, 세라믹 기체로부터 로드를 통해 방열되는 것이 예상보다 적어지기 때문이라고 생각된다. 본 발명의 웨이퍼 지지대에서는, 로드의 외주면 중 로드의 기단부로부터 구멍에 삽입되어 있지 않은 미리 정해진 위치까지의 영역, 즉 세라믹 기체로부터 먼 영역에 구리족 원소 박막을 설치하고 있다. 이 경우, 구리족 원소(Cu, Ag 또는 Au)는 임피던스가 낮고, 또한, 표피 효과에 의해 고주파는 구리족 원소 박막을 통과하기 때문에, 구리족 원소 박막이 설치된 부분(세라믹 기체로부터 먼 부분)은 고온이 되기 어렵고, 세라믹 기체의 방열을 방해하지 않는다. 한편, 로드 중 구멍에 삽입되어 있는 부분은, 히터 전극에 가까워 고온이 되어 있기 때문에, 애당초 세라믹 기체의 방열에 거의 기여하지 않는다. 그 때문에, 이 부분에 구리족 원소 박막을 설치하는 것은 경제적으로 불리해진다. 따라서, 본 발명의 웨이퍼 지지대에 의하면, 웨이퍼 중 RF 전극에 접속된 로드의 바로 윗부분의 온도가 특이적으로 고온이 되는 것을 저비용으로 방지할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 구리족 원소 박막은, 두께가 3 ㎛ 이상 6 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 구리족 원소 박막의 두께가 3 ㎛ 이상이면, 로드에 고주파 전력을 인가했을 때의 임피던스를 충분히 작게 할 수 있다. 한편, 구리족 원소 박막의 두께가 6 ㎛를 초과하더라도, 로드에 고주파 전력을 인가했을 때의 임피던스는 두께가 6 ㎛일 때와 거의 변함없기 때문에, 경제성을 고려하면 6 ㎛ 이하가 바람직하다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 미리 정해진 위치는, 상기 구리족 원소 박막이 설치된 상기 로드 대신에 상기 구리족 원소 박막이 설치되어 있지 않은 상기 로드를 이용하고, 상기 히터 전극의 온도를 Ts[℃](단, Ts는 상기 로드의 재질의 퀴리점을 넘는다), 상기 로드의 길이를 L[cm], 상기 로드의 양 단부의 온도차를 ΔT[℃], 상기 로드의 선단부로부터 상기 미리 정해진 위치까지의 길이를 x[cm], 상기 로드의 상기 미리 정해진 위치에서의 온도를 T(x)[℃]로 했을 때, T(x)=Ts-(ΔT/L)*x로 표시되는 T(x)가 상기 로드의 재질의 퀴리점 이하가 되도록 정해져 있어도 좋다. 이와 같이 정한 미리 정해진 위치와 로드의 기단부 사이의 영역은, 로드의 임피던스가 높기 때문에 고온이 되기 쉽다. 그 때문에, 이러한 영역에 구리족 원소 박막을 설치하는 의의가 높고, 이외의 영역에 구리족 원소 박막을 설치하는 의의는 낮다.
도 1은 플라즈마 발생 장치(10)의 개략 구성을 나타내는 사시도.
도 2는 도 1의 A-A 단면도.
도 3은 도 1의 B-B 단면도.
도 4는 미리 정해진 위치(32c)의 설정 방법의 설명도.
도 5는 도금 두께와 임피던스의 관계를 나타내는 그래프.
도 6은 RF 단자(130)를 구비한 웨이퍼 지지대(120)의 단면도.
도 7은 슬리브(25)를 구비한 로드 접합부의 확대 단면도.
본 발명의 바람직한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 플라즈마 발생 장치(10)의 사시도, 도 2는 도 1의 A-A 단면도, 도 3은 도 1의 B-B 단면도이다.
플라즈마 발생 장치(10)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 지지대(20)와 상부 전극(50)을 구비하고 있다.
웨이퍼 지지대(20)는, 플라즈마를 이용하여 CVD나 에칭 등을 행하는 웨이퍼(W)를 지지하여 가열하기 위해 이용되는 것이며, 도시하지 않은 반도체 프로세스용 챔버의 내부에 부착된다. 이 웨이퍼 지지대(20)는, 세라믹 기체(21)와, 중공의 세라믹 샤프트(29)를 구비하고 있다.
세라믹 기체(21)는, 세라믹제(여기서는 질화알루미늄제)의 원판형 부재이다. 이 세라믹 기체(21)는, 웨이퍼(W)를 배치 가능한 웨이퍼 배치면(21a)을 구비하고 있다. 세라믹 기체(21)의 웨이퍼 배치면(21a)과는 반대측의 면(이면)(21b)의 중앙에는 세라믹 샤프트(29)가 접합되어 있다. 세라믹 기체(21)에는, 도 2에 나타낸 바와 같이, RF 전극(22)과 히터 전극(27)이 각각 이격된 상태로 매설되어 있다. RF 전극(22)과 히터 전극(27)은, 웨이퍼 배치면(21a)과 평행(실질적으로 평행한 경우를 포함, 이하 동일)하며, 웨이퍼 배치면(21a)에 가까운 쪽으로부터 이 순서로 매설되어 있다. 세라믹 기체(21)는, 이면(21b)으로부터 RF 전극(22)을 향해 형성된 구멍(21c)을 갖고 있다. 구멍(21c)의 저면에는, RF 전극(22)과 접속된 도전성 부재인 태블릿(23)이 노출되어 있다.
RF 전극(22)은, 세라믹 기체(21)보다 약간 소직경인 원반형의 박층 전극이며, Mo를 주성분으로 하는 가는 금속선을 그물모양으로 뜬 시트형으로 한 메쉬로 형성되어 있다. RF 전극(22)의 중앙 부근에는, 원반형의 태블릿(23)이 전기적으로 접속되어 있다. 태블릿(23)은, 세라믹 기체(21)의 이면(21b)에 형성된 구멍(21c)의 저면에 노출되어 있다. 태블릿(23)의 재질은 RF 전극(22)과 동일하게 Mo이다.
히터 전극(27)은, Mo를 주성분으로 하는 코일을 세라믹 기체(21)의 전체면에 걸쳐 끊기지 않게 단번에 배선한 것이다. 이 히터 전극(27)의 양 단부(27a, 27b)(도 3 참조)에는, 각각 히터 단자 막대(도시하지 않음)가 접속되어 있다. 이들 히터 단자 막대는, 세라믹 샤프트(29)의 중공 내부를 통과하여 외부 전원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
RF 전극(22), 태블릿(23) 및 히터 전극(27)의 재질을 Mo로 한 것은, 세라믹 기체(21)의 재질(여기서는 AlN)과 열팽창계수가 가까워, 세라믹 기체(21)의 제조시에 크랙이 생기기 어렵기 때문이다. RF 전극(22), 태블릿(23) 및 히터 전극(27)은, Mo 이외의 재질이라 하더라도, AlN과 열팽창계수가 가까운 도전성 재료라면 사용할 수 있다. 또, 세라믹 기체(21)의 이면(21b) 중 세라믹 샤프트(29)에 둘러싸인 영역에는, 세라믹 기체(21)의 온도를 검출하는 열전대(도시하지 않음)가 삽입되어 있다.
세라믹 샤프트(29)는, 세라믹 기체(21)와 동일한 세라믹으로 이루어진 원통형 부재이다. 세라믹 샤프트(29)의 상부 단부면은, 세라믹 기체(21)의 이면(21b)에 확산 접합이나 TCB(Thermal compression bonding)에 의해 접합되어 있다. TCB란, 접합 대상의 2개의 부재 사이에 금속 접합재를 끼우고, 금속 접합재의 고상선 온도 이하의 온도로 가열한 상태로 2개의 부재를 가압 접합하는 공지의 방법을 말한다.
RF 단자(30)는, Ni제의 로드(32)의 외주면의 일부에 Au 박막(34)을 설치한 것이다. 구체적으로는, Au 박막(34)은, 로드(32)의 외주면 중 로드(32)의 기단부(32a)로부터 구멍에 삽입되어 있지 않은 미리 정해진 위치(32c)까지의 영역(피복 영역)에 설치되어 있다. 그 때문에, 로드(32)의 선단부(32b)로부터 미리 정해진 위치(32c)까지의 영역(비피복 영역)에는 Au 박막(34)은 설치되어 있지 않다. 미리 정해진 위치(32c)의 설정 방법에 관해서는 후술한다. RF 단자(30)의 선단부(즉 로드(32)의 선단부(32b))는, RF 전극(22)의 태블릿(23)에 납접합부(24)를 통해 접합되어 있다. RF 단자(30)의 기단부는 RF 전원(40)에 접속되어 있다. 또, Ni의 퀴리점은 약 354℃이다. RF 전원(40)의 고주파 전력은, RF 단자(30)를 통해 RF 전극(22)에 공급된다.
상부 전극(50)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 세라믹 기체(21)의 웨이퍼 배치면(21a)과 대향하는 상측 위치(예컨대 도시하지 않은 챔버의 천장면)에 고정되어 있다. 이 상부 전극(50)은 그라운드에 접속되어 있다.
여기서, 미리 정해진 위치(32c)는 이하와 같이 정한다. 즉, 도 4에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 지지대(20)에 있어서, Au 박막(34)이 설치된 로드(32) 대신에 Au 박막(34)이 설치되어 있지 않은 노출되어 있는 로드(32)를 부착한다. 그리고, 히터 전극(27)의 온도를 Ts[℃](단, Ts는 로드(32)의 재질의 퀴리점을 넘는 온도), 로드(32)의 길이를 L[cm], 로드(32)의 선단부(32b)의 온도 Tb와 기단부(32a)의 온도 Ta의 차를 ΔT(=Tb-Ta)[℃], 로드(32)의 선단부(32b)(RF 전극(22)과의 접속부)로부터 미리 정해진 위치(32c)까지의 길이를 x[cm], 로드(32)의 미리 정해진 위치(32c)에서의 온도를 T(x)[℃]로 했을 때, 하기 식(1)로 표시되는 T(x)가 로드(32)의 재질의 퀴리점 이하가 되도록 x[cm]을 정한다. 또, 로드(32)의 선단부(32b)의 온도 Tb는, 히터 전극(27)의 온도 Ts와 실질적으로 동일하다고 간주할 수 있다.
T(x)=Ts-(ΔT/L)*x…(1)
다음으로, 플라즈마 발생 장치(10)의 사용예에 관해 설명한다. 도시하지 않은 챔버 내에 플라즈마 발생 장치(10)를 배치하고, 웨이퍼 배치면(21a)에 웨이퍼(W)를 배치한다. 그리고, RF 전극(22)에 RF 전원(40)으로부터 고주파 전력을 공급한다. 이렇게 함으로써, 상부 전극(50)과 세라믹 기체(21)에 매설된 RF 전극(22)으로 이루어진 평행 평판 전극 사이에 플라즈마가 발생하고, 그 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)에 CVD 성막을 하거나 에칭을 하거나 한다. 또한, 도시하지 않은 열전대의 검출 신호에 기초하여 웨이퍼(W)의 온도를 구하고, 그 온도가 설정 온도(예컨대 450℃나 500℃나 550℃)가 되도록 히터 전극(27)에 인가하는 전압을 제어한다.
이상 상세히 설명한 웨이퍼 지지대(20)에서는, 고주파 전력을 RF 전극(22)에 공급하기 위해 Ni제의 로드를 이용하고 있다. 이러한 로드에 고주파 전력을 인가하면, 퀴리점 미만에서는 임피던스가 크기 때문에 고온이 되지만, 퀴리점 이상에서는 임피던스가 작기 때문에 고온이 되기 어렵다. [발명이 해결하고자 하는 과제]의 란에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W) 중 로드(32)의 바로 윗부분의 온도가 특이적으로 높아지는 것은, 로드(32) 전체가 고온이 되기 때문에, 세라믹 기체(21)로부터 로드(32)를 통해 방열되는 것이 예상보다 적어지기 때문이라고 생각된다. 웨이퍼 지지대(20)에서는, 로드(32)의 외주면 중 로드(32)의 기단부(32a)로부터 미리 정해진 위치(32c)까지의 영역(즉 세라믹 기체(21)로부터 먼 영역)에 Au 박막(34)을 설치하고 있다. 이 경우, Au는 임피던스가 낮고, 또한, 표피 효과에 의해 고주파는 Au 박막(34)을 통과하기 때문에, RF 단자(30) 중 Au 박막(34)이 설치된 부분(세라믹 기체(21)로부터 먼 부분)은 고온이 되기 어렵고, 세라믹 기체(21)의 방열을 방해하지 않는다. 한편, 로드(32) 중 구멍(21c)에 삽입되어 있는 부분은, 히터 전극(27)에 가까워 고온이 되어 있기 때문에, 애당초 세라믹 기체(21)의 방열에 거의 기여하지 않는다. 그 때문에, 이 부분에 Au 박막(34)을 설치하는 것은 경제적으로 불리해진다. 따라서, 웨이퍼 지지대(20)에 의하면, 웨이퍼(W) 중 RF 전극(22)에 접속된 로드(32)의 바로 윗부분의 온도가 특이적으로 고온이 되는 것을 저비용으로 방지할 수 있다.
또한, Au 박막(34)은, 전술한 바와 같이 로드(32)의 기단부(32a)로부터 미리 정해진 위치(32c)까지의 영역에 설치되고, 이외의 영역에는 설치되어 있지 않다. 그 때문에, 고가의 Au의 사용량을 억제하면서, 웨이퍼(W) 중 RF 전극(22)에 접속된 로드(32)의 바로 윗부분의 온도가 특이적으로 고온이 되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 로드(32)의 선단부(32b)로부터 미리 정해진 위치(32c)까지의 길이 x[cm]를 전술한 식(1)에 기초하여 설정했다. 이와 같이 설정한 미리 정해진 위치(32c)와 로드(32)의 기단부(32a) 사이의 영역은, 로드(32)의 임피던스가 높기 때문에 고온이 되기 쉽다. 그 때문에, 이러한 영역에 Au 박막(34)을 설치하는 의의가 높고, 이외의 영역에 Au 박막(34)을 설치하는 의의는 낮다.
또, 본 발명은 전술한 실시형태에 전혀 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에 있어서, Au 박막(34)은, 두께가 3 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. Au 박막(34)의 두께가 3 ㎛ 이상이면, 로드(32)에 고주파 전력을 인가했을 때의 임피던스를 충분히 작게 할 수 있다. 한편, Au 박막(34)의 두께가 6 ㎛를 초과하더라도, 로드(32)에 고주파 전력을 인가했을 때의 임피던스는 거의 변함없기 때문에, 경제성을 고려하면 6 ㎛ 이하가 바람직하다. 이 점에 관해 더 설명한다. 전술한 실시형태에 있어서, 도금에 의해 Au 박막(34)의 두께가 각각 0 ㎛, 1 ㎛, 6 ㎛, 12 ㎛가 되도록 제작한 RF 단자(30)를 이용하여, RF 단자(30)에 고주파 전력(주파수 13.56 MHz)을 공급했을 때의 임피던스 Z를 측정했다. 그 결과를 도 5에 나타낸다. 도 5에서는, Au 박막(34)의 두께가 3 ㎛인 경우의 임피던스는, Au 박막(34)이 없는(두께 제로) 경우에 비교하여 5% 저하된 것을 알 수 있다. 또한, 도 5로부터, Au 박막(34)의 두께가 6 ㎛까지는 두께가 증가함에 따라서 임피던스 Z는 저하되었다. 이것은, 두께가 증가함에 따라서 표면 저항이 감소했기 때문이라고 생각된다. 한편, Au 박막(34)의 두께가 6 ㎛를 초과하더라도 임피던스는 거의 변화하지 않았다. 이것은, 두께가 지나치게 두꺼워지면, Au 박막(34)의 표면의 요철이 커지고, 표면을 흐르는 전류의 경로가 길어졌기 때문이라고 생각된다. 이러한 점에서, Au 박막(34)은, 두께가 3 ㎛ 이상 6 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 단, 경제성을 그다지 고려할 필요가 없다면, 두께의 상한을 8 ㎛나 10 ㎛나 12 ㎛로 설정해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 로드(32)의 기단부(32a)로부터 미리 정해진 위치(32c)까지 Au 박막(34)을 설치했지만, 그 대신에 이하와 같이 Au 박막을 설치해도 좋다. 즉, 도 6에 나타내는 웨이퍼 지지대(120)의 RF 단자(130)와 같이, 로드(32) 중 세라믹 기체(21)의 내부에 배치되어 있는 영역에는 Au 박막(134)을 설치하지 않고, 그 이외의 영역에 Au 박막(134)을 설치해도 좋다. 또, 도 6 중, 전술한 실시형태와 동일한 구성요소에는 동일한 부호를 붙였다. 이와 같이 하더라도, 웨이퍼(W) 중 RF 전극(22)에 접속된 로드(32)의 바로 윗부분의 온도가 특이적으로 고온이 되는 것을 방지할 수 있다. 단, Au의 사용량을 가능한 한 억제하여 저비용으로 하는 것을 고려하면, 전술한 실시형태가 바람직하다.
전술한 실시형태에서는, RF 단자(30)의 로드(32)의 선단부(32b)를, 구멍(21c)의 저면에 노출된 태블릿(23)과 접합했지만, 특별히 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 태블릿(23)을 설치하지 않고 구멍(21c)의 저면에 RF 전극(22)을 노출시켜, 그 노출된 RF 전극(22)과 로드(32)의 선단부(32b)를 접합해도 좋다. 혹은, 도 7에 나타낸 바와 같이, 구멍(21c)의 내주면에 나사홈을 형성하고, 로드(32)와 동일한 재료로 이루어지고 외주면에 나사산을 갖춘 슬리브(25)를 그 구멍(21c)에 나사삽입하여 납접합하고, 슬리브(25)에 로드의 선단부(32b)를 삽입하여 태블릿(23) 및 슬리브(25)의 내주면과 납접합해도 좋다.
전술한 실시형태는 Ni제의 로드를 이용했지만, 코바르(Fe와 Ni와 Co의 합금)제의 로드를 이용해도 좋다. 코바르의 퀴리점은 약 435℃이다. 코바르제의 로드를 이용한 경우에도 전술한 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
전술한 실시형태에서는, RF 전극(22)의 형상을 메쉬로 했지만, 그 밖의 형상이어도 좋다. 예컨대, 코일형이나 평면형이어도 좋고, 펀칭 메탈이어도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 세라믹 재료로서 AlN을 채용했지만, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 알루미나 등을 채용해도 좋다. 그 경우, RF 전극(22), 태블릿(23) 및 히터 전극(27)의 재질은 그 세라믹의 열팽창계수에 가까운 것을 사용하는 것이 바람직하다.
전술한 실시형태에 있어서, RF 전극(22)에 전압을 인가하는 것에 의해 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치면(21a)에 흡인하도록 해도 좋다. 또한, 세라믹 기체(21)에 정전 전극을 더 매설하고, 그 정전 전극에 전압을 인가하는 것에 의해 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치면(21a)에 흡인해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, Ni제의 로드(32)의 외주면의 일부에 Au 박막(34)을 설치했지만, Au 박막(34) 대신에 Cu 박막이나 Ag 박막을 이용해도 좋다.
본 출원은, 2018년 4월 27일에 출원된 일본 특허 출원 제2018-086780호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용 전체가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은, 웨이퍼에 플라즈마 CVD에 의한 성막 처리나 플라즈마 에칭 처리 등을 행할 때에 이용 가능하다.
10: 플라즈마 발생 장치 20, 120: 웨이퍼 지지대
21: 세라믹 기체 21a: 웨이퍼 배치면
21b: 이면 21c: 구멍
22: RF 전극 23: 태블릿
24: 납접합부 25: 슬리브
27: 히터 전극 27a, 27b: 단부
29: 세라믹 샤프트 30, 130: RF 단자
32: 로드 32a: 기단부
32b: 선단부 32c: 미리 정해진 위치
34, 134: Au 박막 40: RF 전원
50: 상부 전극

Claims (5)

  1. 웨이퍼 배치면을 가지며, RF 전극과 히터 전극이 상기 웨이퍼 배치면측으로부터 이 순서로 매설된 세라믹 기체와,
    상기 세라믹 기체 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면으로부터 상기 RF 전극을 향해 형성된 구멍과,
    상기 구멍의 저면에 노출된 상기 RF 전극 또는 상기 RF 전극과 접속하는 도전성 부재와 접합되어, 고주파 전력을 상기 RF 전극에 공급하는 Ni제 또는 코바르제의 로드와,
    상기 로드의 외주면 중 상기 로드의 기단부로부터 상기 구멍에 삽입되지 않은 미리 정해진 위치까지의 영역에 설치된 구리족 원소 박막을 포함하는 웨이퍼 지지대.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구리족 원소 박막은, 두께가 3 ㎛ 이상 6 ㎛ 이하인 것인 웨이퍼 지지대.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 미리 정해진 위치는, 상기 구리족 원소 박막이 설치된 상기 로드 대신에 상기 구리족 원소 박막이 설치되지 않은 상기 로드를 이용하여, 상기 히터 전극의 온도를 Ts[℃](단, Ts는 상기 로드의 재질의 퀴리점을 넘음), 상기 로드의 길이를 L[cm], 상기 로드의 양 단부의 온도차를 ΔT[℃], 상기 로드의 선단부로부터 상기 미리 정해진 위치까지의 길이를 x[cm], 상기 로드의 상기 미리 정해진 위치에서의 온도를 T(x)[℃]로 했을 때,
    T(x)=Ts-(ΔT/L)*x
    로 표시되는 T(x)가 상기 로드의 재질의 퀴리점 이하가 되도록 정해지는 것인 웨이퍼 지지대.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 구리족 원소 박막은, 상기로드 중 상기 세라믹 기체의 내부에 배치되는 영역에는 형성되지 않고, 그 이외의 영역에 형성되는 것인 웨이퍼 지지대.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 구멍의 내주면에 형성된 나사홈과,
    상기 로드와 동일한 재료로 구성되고, 외주면에 나사산을 포함하며, 상기 구멍에 나사삽입되어 납접합된 슬리브를 포함하고,
    상기 로드의 선단부는 상기 슬리브에 삽입되어 상기 슬리브의 내주면과 납접합되는 것인 웨이퍼 지지대.
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