TW201735279A - 具有強化rf功率傳輸的陶瓷加熱器 - Google Patents

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Abstract

本發明的實施例大體上係關於半導體處理腔室中的基板支撐組件。半導體處理腔室可為PECVD腔室，該PECVD腔室包含具有基板支撐件及耦合至該基板支撐件之心軸的基板支撐組件。RF電極經嵌入至基板支撐件中且桿耦合至該RF電極。桿係由以鈦(Ti)或由金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)或銅(Cu)所塗覆的鎳(Ni)製成。Ti或以Au、Ag、Al或Cu所塗覆的Ni製成的桿具有降低的電阻率及增加的趨膚(skin)深度，其最小化當RF電流行經該桿時的熱產生。

Description

具有強化RF功率傳輸的陶瓷加熱器
本發明之實施例大體係關於半導體處理腔室；更確切而言，係關於半導體處理腔室中的基板支撐組件。
半導體處理涉及眾多不同的化學及物理製程以於基板上建立微型積體電路。構成積體電路的材料層由包含化學氣相沉積、物理氣相沉積、磊晶生長及諸如此類的處理所製成。使用光阻劑光罩及濕式或乾式蝕刻技術將一些材料層圖案化。用於形成積體電路的基板可為矽、砷化鎵、磷化銦、玻璃或其他合適材料。
在積體電路的製造中，電漿處理通常用於各種材料層的沉積或蝕刻。相較於熱處理，電漿處理提供了眾多優勢。舉例而言，電漿增強化學氣相沉積(PECVD)允許沉積處理在較低溫度及在較高沉積速率下進行，而不是在類似的熱處理中實現。因此，PECVD對於具有嚴格熱積存的積體電路製造是有利的，如用於極大規模或超大規模積體電路(VLSI或ULSI)裝置的製造。
在該等處理中使用的處理腔室典型地包含具有如靜電吸盤(ESC)之基板支撐件的基板支撐組件，該基板支撐件設置於該基板支撐組件中以在處理期間固定基板。基板支撐組件可包含嵌入至基板支撐件中的射頻(RF)電極及將RF電極連接至參考電壓(如接地)的桿，以讓RF電流自RF電極行進至參考電壓。一般而言，桿由鎳(Ni)製成，其產生熱，導致基板支撐件的頂表面上的熱點及接著導致形成在基板上之層中的厚度不均勻，該基板係設置在基板支撐件之頂表面上。
因此需要改善的基板支撐組件。
在一實施例中，基板支撐組件包含基板支撐件、連接至該基板支撐件的心軸及設置在該心軸內的第一桿。第一桿係由鈦或由金、銀、鋁或銅所塗覆之鎳製成
在另一實施例中，基板支撐組件包含基板支撐件、連接至該基板支撐件的心軸及設置在該心軸內的桿。桿包含具有第一直徑的第一部分及具有第二直徑的第二部分。第二直徑大於第一直徑。
在另一實施例中，基板支撐組件包含基板支撐件、連接至該基板支撐件的心軸、經嵌入至基板支撐件中的射頻電極及設置在該心軸內的第一桿。第一桿連接至射頻電極。基板支撐組件更包含設置在心軸內的第二桿，及第二桿連接至射頻電極。基板支撐組件更包含設置在心軸內的連接構件。連接構件連接至第一桿及第二桿。
本發明的實施例大體上係關於半導體處理腔室中的基板支撐組件。半導體處理腔室可為PECVD腔室，該PECVD腔室包含具有基板支撐件及耦合至該基板支撐件之心軸的基板支撐組件。RF電極經嵌入至基板支撐件中且桿耦合至該RF電極。桿係由鈦(Ti)或由以金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)或銅(Cu)所塗覆的鎳(Ni)製成。Ti或以Au、Ag、Al或Cu所塗覆的Ni製成的桿具有降低的電阻率及增加的趨膚深度，其最小化了當RF電流行經該桿時的熱產生。
圖1圖示說明電漿處理腔室100的示意性橫截面圖。電漿處理腔室100一般而言包含處理腔室主體102，該處理腔室主體102具有側壁112、底壁116及定義一對處理區域120A及120B的共享內部側壁101。相似地配置處理區域120A及120B之每一者；為了簡潔起見，將僅描述處理區域120B中的元件。
基板支撐組件128通過形成在電漿處理腔室100中之底壁116中的通道122設置於處理區域120B中。基板支撐組件128包含用於支撐基板(未圖示)的基板支撐件160及耦合至基板支撐件160的心軸161。基板支撐組件128亦可包含RF電極162、短軸164及桿166。RF電極162及短軸164可嵌入至基板支撐件160中，及桿166可設置在心軸161內。如電阻式加熱元件的加熱元件(未圖示)亦可嵌入至基板支撐件160中以加熱及控制基板溫度。桿161將基板支撐組件128耦合至電源插座或電源箱103。電源箱103可包含控制基板支撐組件128在處理區域120B內的升高及移動的驅動系統。電源箱103亦包含用於電功率及溫度指示器的接口，如熱電偶接口。
桿130通過形成在處理區域120B之底壁116中的通道124設置，及使用該桿130以通過形成在基板支撐件160中的開口(未圖示)來定位基板升舉銷(未圖示)。桿130經耦合至接觸升舉銷的升舉板材133。基板升舉銷將基板從基板支撐件160選擇性地分離以促進利用用於通過基板傳輸埠121將基板傳入或傳出處理區域120B的機器人(未圖示)進行的基板交換。
腔室蓋104耦合至腔室主體102的頂部。蓋104容納與該蓋104耦合的一或多個氣體分配系統108。氣體分配系統108包含氣體入口通道140，該氣體入口通道140將反應物及清潔氣體通過噴頭組件142輸送到處理區域120B中。噴頭組件142包含具有設置在面板146中間的阻隔板144的底板148。RF來源165耦合至噴頭組件142。RF來源165為噴頭組件142供電，以助於噴頭組件142之面板146及基板支撐組件128間之電漿產生。在一實施例中，RF來源165可為高頻射頻(HFRF)電源，如13.56MHz RF產生器。在另一個實施例中，RF來源165可包含HFRF電源及低頻射頻(LFRF)電源，如300kHz RF產生器。作為替代地，RF來源可耦合至處理腔室主體102的其他部分(如基板支撐組件128)，以促進電漿產生。介電隔離器158經設置於蓋104及噴頭組件142之間以防止向蓋104傳導RF功率。遮蔽環106可設置在基板支撐件160的外圍，該基板支撐件160以預定高度接合基板。
可選地，在氣體分配系統108之底板148中形成冷卻通道147，以在操作期間冷卻底板148。如水、乙二醇、氣體及諸如此類的傳熱流體可循環通過冷卻通道147，使得底板148保持在預定溫度。
腔室襯組件127設置在非常接近腔室主體102之側壁110及112之處理區域120B內，以防止側壁110及112暴露於處理區域120B的處理環境。襯組件127包含經耦合至泵送系統167的圓周泵腔125，該圓周泵腔125經配置以從處理區域120B排出氣體及副產物及控制處理區域120B內的壓力。複數個排氣埠131可形成在腔室襯組件127上。排氣埠131經配置成允許以促進電漿處理腔室100內之處理之方式來讓氣體自處理腔室120B流動至圓周泵腔125。
基板支撐組件128不限於在CVD/PECVD處理腔室中使用，且該基板支撐組件128可用於PVD及蝕刻半導體處理腔室。
圖2圖示說明了根據本文所描述之一實施例設置在圖1之電漿處理腔室100中的基板支撐組件128的示意性橫截面圖。如圖2中所圖示地，基板支撐組件128包含基板支撐件160、心軸161及設置在心軸161內的桿166。基板支撐件160可由氮化鋁製成，且加熱元件(未圖示)可嵌入其中。RF電極162及短軸164可嵌入至基板支撐件160中，且RF電極162及短軸164可由Mo製成。桿166具有第一端202及與該第一端202相對的第二端204。第一端202可連接至短軸164，且銅焊材料可用於連接桿166的第一端202及短軸164。銅焊材料可為金屬合金，如Al合金或Au合金。當處理溫度相對較低(如小於攝氏350度)時，可使用Al合金。當處理溫度相對較高(如在攝氏350度至攝氏700度間或攝氏400度至攝氏650間)時，可使用Au合金。桿166可為實心桿或空心桿。桿166可由Ti製成，Ti與Ni相比具有相對低的磁導率。因此，由Ti製成的桿166之趨膚深度遠高於由Ni製成的桿之趨膚深度，導致當RF電流通過桿166時，桿166中之發熱減少。
作為替代地，桿166可由塗覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni製成。Au、Ag、Al或Cu塗層亦增加了桿166的趨膚深度，導致當RF電流通過桿166時，桿166中之發熱減少。舉例而言，Au在13.56Mhz處具有約20微米的趨膚深度，比Ni的趨膚深度大10倍以上。此外，Au具有低磁導率及高導電率。因此，當RF電流通過桿166而在桿中166產生的電阻熱由Au、Ag、Al或Cu塗層減小。如圖2所示，可將桿166的第二端204插入至電源箱103的觸點206，且電源箱103可連接到如接地之參考電壓。觸點206可為允許形成在電源箱103中之複數個觸點206的緊湊設計。圖示觸點206於圖3中。
圖3為根據本文所描述之一實施例之觸點206的示意性橫截面圖。如圖3所圖示地，觸點206包含主體302、開口306及一或多個multi-lam條帶304。主體302可由如鋁的導電金屬製成，及主體302電連接至如接地的參考電壓。條帶304可由可承受高溫的導電金屬(如銅、鈹銅或鎳鈹)製成。觸點206可設置在電源箱103(圖1)中，且桿166(圖2)的第二端204可插入至開口306中，每個條帶304可在開口306中具有凸形，以確保與桿166的良好電接觸。此外，條帶304助於補償桿166在操作期間的熱膨脹或收縮。
圖4圖示說明根據本文所描述之另一實施例設置在圖1之電漿處理腔室100中的基板支撐組件128的示意性橫截面圖。如圖4所示，基板支撐組件128包含連接至短桿164的第一桿402、連接至第一桿402的可撓電纜404及連接可撓電纜404的第二端406。第一桿402、可撓電纜404及第二桿406設置在心軸161內。可撓電纜404為可撓的，以補償第二桿406在操作期間的熱膨脹或收縮。因難以將可撓電纜404連接至短軸164且難以在可撓電纜404及短軸164間維持良好連接，故使用第一桿402。第一桿402可為實心桿或空心桿。第一桿402可具有相對短的長度，如約第二桿406長度的五分之一。第一桿402可由Ni製成。第一桿402具有連接至短軸164的第一端408及連接至可撓電纜404的第二端410。銅焊材料可用於連接第一桿402的第一端408及短軸164。材料可為金屬合金，如Al或Au合金。
可撓電纜404可由Ni製成，且可撓電纜404包含第一端412及第二端414。可撓電纜404的第一端412可連接到第一桿402的第二端410。可撓電纜404為可撓的，以便補償第二桿406在操作期間的熱膨脹或收縮。第二桿406可為實心桿或空心桿。第二桿406包含第一端416及第二端418。第一端416可連接到可撓電纜404的第二端414，及可將第二端418插入至電源箱103中。第二桿406可由Ti或由Au、Ag、Al或Cu塗覆的Ni製成，以減少因增加的趨膚深度而在桿406中產生的熱。因藉由可撓電纜404來補償熱膨脹及收縮，故可不使用緊密接觸(圖3)。
圖5圖示說明根據本文所描述之另一實施例設置在圖1之電漿處理腔室100中的基板支撐組件128的示意性橫截面圖。如圖5所圖示地，基板支撐組件128包含第一桿502及第二桿504。第一桿502及第二桿504設置於心軸161內。第一桿502可為實心桿或空心桿。第一桿502可具有相對短的長度，如約第二桿504長度的十分之一。第一桿502可由Ni製成。第一桿502包含連接至短軸164的第一端506及連接至第二軸504的第二端508。銅焊材料可用於連接第一桿502的第一端506及短軸164。銅焊材料可為金屬合金，如Al或Au合金。第二桿504可為實心桿或空心桿。第二桿504包含第一端510及第二端512。第一端510可連接至第一桿502的第二端508，及可將第二端512插入至電源箱103中的觸點206中。第二桿504可由Ti或由Au、Ag、Al或Cu塗覆的Ni製成，以減少因增加的趨膚深度而在桿504中產生的熱。可使用觸點206以補償第二桿504中的熱膨脹及收縮。
可容易連接第一桿502的第二端508與第二桿504的第一端510。在一實施例中，第二桿504的第一端510旋入至第一桿502的第二端508，及第二桿504的第一端510具有用於連接性的肩部接觸部分514。在一些實施例中，焊接第一桿502及第二桿504間的接觸介面以改善可靠性。
圖6圖示說明根據本文所描述之另一實施例設置在圖1之電漿處理腔室100中的基板支撐組件128的示意性橫截面圖。如圖6所圖示地，基板支撐組件包含設置於心軸161內的桿602。桿602可為實心桿或空心桿。桿602可包含具有第一直徑的第一部分604及具有第二直徑的第二部分606。第一部分604可具有一直徑，該直徑為第二部分606直徑的三分之一。使用較大直徑讓RF電流流動的橫截面增加(因RF電流流經桿602的表面)，從而導致桿602具有降低的電阻。第一部分604可具有一長度，該長度為第二部分606長度的六分之一。桿602可由Ni、Ti或由Au、Ag、Al或Cu所塗覆之Ni製成。第二部分606可實體接觸電源箱103。在一實施例中，RF帶610設置於電源箱103中，及第二部分606連接至RF帶610。RF帶610經設計為彈性的及足夠可撓的，以補償桿602的熱膨脹。第一部分604及第二部分606可為單件材料或耦合在一起(如焊接在一起)的兩件式材料。
在一些實施例中，桿602可包含第二部分606及電源箱103間的第三部分608。第三部分608可連接至RF帶610。第三部分608可具有與第一部分604相同的直徑。第三部分608可由與第一部分604及第二部分606相同的材料製成。第一部分604、第二部分606及第三部分608的長度比例可分別為1:3:2。第一部分604、第二部分606及第三部分608可為單件材料或耦合在一起(如焊接在一起)的三件式材料。
圖7圖示說明根據本文所描述之另一實施例設置在圖1之電漿處理腔室100中的基板支撐組件128的示意性橫截面圖。如圖7所圖示地，基板支撐組件128包含第一短軸702、第二短軸704、連接至第一短軸702的第一桿706、連接至第二短軸704的第二桿708及連接至第一桿706及第二桿708的連接構件710。第一短軸702及第二短軸704可與短軸164相同。第一桿706及第二桿708每者可為實心桿或空心桿，且可由Ni、Ti或由Au、Ag、Al或Cu所塗覆的Ni製成。可用圖4、圖5及圖6中所圖示的桿來取代第一桿706或第二桿708。用超過一個連接RF電極162及電源箱103的桿來讓RF電流自RF電極162行經至電源箱103時分裂成多個路徑，從而導致桿706及桿708中產生的熱減少。連接構件710具有連接至第一桿706及第二桿708的第一端712及連接至電源箱103中之RF帶610的第二端714。
圖8圖示說明根據本文所描述之另一實施例設置在圖1之電漿處理腔室100中的基板支撐組件128的示意性橫截面圖。如圖8所展示地，基板支撐組件128包含基板支撐件160、心軸802及設置在心軸802內的桿806。桿806可連接至設置在電源箱804中的RF帶610。電源箱804可具有比習知電源箱更長的長度。心軸802及桿806具有比習知心軸及桿更短的長度。較短的桿806幫助減少當RF電流通過桿806時在桿806中所產生的熱。桿806的長度及電源箱804的長度之比例可為1比1。桿806可由Ni、Ti或由Au、Ag、Al或Cu所塗覆的Ni製成。如圖4、圖5及圖6中所圖示的桿可作為桿806。
圖9圖示說明根據本文所描述之另一實施例設置在圖1之電漿處理腔室100中的基板支撐組件128的示意性橫截面圖。如圖9中所示地，基板支撐組件128包含基板支撐件160及心軸161。可將加熱元件902嵌入至基板支撐件160中，及加熱元件902藉由連接器904及連接器906連接至電源箱103。連接器904及連接器906可由任何導電金屬製成，以自電源箱103提供電力至加熱元件902。連接器904及連接器906設置於心軸161內。桿908設置於連接短軸164及電源箱103的心軸161內，以提供用於RF電流的路徑。桿可由Ni、Ti或由Au、Ag、Al或Cu所塗覆的Ni製成。桿908可包含連接至短軸164的端909，且可使用銅焊材料以連接桿908之端909及短軸164。銅焊材料可為金屬合金，如Al或Au合金。可使用電容器910以連接連接器904及桿908以建立RF短路，該RF短路形成另一路徑以讓RF電流行進至電源箱103。可使用第二電容器912以連接連接器906與桿908以建立另一個RF短路，該另一個RF短路形成另一路徑以讓RF電流行進至電源箱103。電容器910及電容器912亦充當開路以阻止加熱元件的電流到達RF終端。因RF電流經由多個路徑行進到電源箱103，故降低了桿908中產生的熱。
可結合上文所述之基板支撐組件的實施例。基板支撐組件包含至少一個由Ti或由Au、Ag、Al、或Cu所塗覆的Ni所製成的桿，以減少桿中當RF電流行經通過該桿時所產生的熱。作為替代地或額外地，桿可具有具備相較於桿之剩餘部分之直徑而言的較大直徑之部分，以減少經產生的熱。作為替代地或額外地，可減短桿之長度或可增加桿之數目，以減少所產生的熱。
儘管上文係針對本發明之實施例，但可在沒有背離本發明之基本範疇的情況下來設計本申請案之其他及進一步的實施例，及本申請案的範疇係由下文的申請專利範圍所決定。
100‧‧‧電漿處理腔室
101‧‧‧側壁
102‧‧‧腔室主體
103‧‧‧電源箱
104‧‧‧腔室蓋
106‧‧‧遮蔽環
108‧‧‧氣體分配系統
112‧‧‧多個側壁
116‧‧‧底壁
120A‧‧‧多個處理區域
120B‧‧‧處理區域
121‧‧‧埠
122‧‧‧通道
124‧‧‧通道
125‧‧‧泵腔
127‧‧‧腔室襯組件
128‧‧‧基板支撐組件
130‧‧‧桿
131‧‧‧排氣埠
133‧‧‧升舉板材
140‧‧‧氣體入口通道
142‧‧‧噴頭組件
144‧‧‧阻隔版
146‧‧‧面板
147‧‧‧冷卻通道
148‧‧‧底板
158‧‧‧介電隔離器
160‧‧‧基板支撐件
161‧‧‧心軸
162‧‧‧RF電極
164‧‧‧短軸
165‧‧‧RF來源
166‧‧‧桿
167‧‧‧泵送系統
202‧‧‧第一端
204‧‧‧第二端
206‧‧‧觸點
302‧‧‧主體
304‧‧‧multi-lam條帶
306‧‧‧開口
402‧‧‧第一桿
404‧‧‧可撓電纜
406‧‧‧桿
408‧‧‧第一端
410‧‧‧第二端
412‧‧‧第一端
414‧‧‧第二端
416‧‧‧第一端
418‧‧‧第二端
502‧‧‧第一桿
504‧‧‧第二桿
506‧‧‧第一端
508‧‧‧第二端
510‧‧‧第一端
512‧‧‧第二端
514‧‧‧接觸部分
602‧‧‧桿
604‧‧‧第一部分
606‧‧‧第二部分
608‧‧‧第三部分
610‧‧‧RF帶
702‧‧‧第一短軸
704‧‧‧第二短軸
706‧‧‧第一桿
708‧‧‧第二桿
710‧‧‧連接構件
712‧‧‧第一端
714‧‧‧第二端
802‧‧‧心軸
804‧‧‧電源箱
806‧‧‧桿
902‧‧‧加熱元件
904‧‧‧連接器
906‧‧‧連接器
908‧‧‧桿
909‧‧‧端
910‧‧‧電容器
912‧‧‧電容器
上文簡要總結之本申請案的更具體描述可參考實施例(該等實施例其中一些實施例經圖示說明於附加圖式中)，以便可更仔細了解本申請案的上述特徵。然應注意到附加圖式僅圖示說明示例性實施例，因而不應被視為本申請案範圍之限制；本申請案可允許其他等效實施例。
圖1根據本文所描述之一實施例來圖示說明電漿處理腔室的示意性橫截面圖。
圖2根據本文所描述之一實施例來圖示說明設置在圖1之電漿處理腔室中的基板支撐組件的示意性橫截面圖。
圖3根據本文所描述之一實施例來圖示說明觸點的示意性橫截面圖。
圖4根據本文所描述之另一實施例來圖示說明設置在圖1之電漿處理腔室中的基板支撐組件的示意性橫截面圖。
圖5根據本文所描述之另一實施例來圖示說明設置在圖1之電漿處理腔室中的基板支撐組件的示意性橫截面圖。
圖6根據本文所描述之另一實施例來圖示說明設置在圖1之電漿處理腔室中的基板支撐組件的示意性橫截面圖。
圖7根據本文所描述之另一實施例來圖示說明設置在圖1之電漿處理腔室中的基板支撐組件的示意性橫截面圖。
圖8根據本文所描述之另一實施例來圖示說明設置在圖1之電漿處理腔室中的基板支撐組件的示意性橫截面圖。
圖9根據本文所描述之另一實施例來圖示說明設置在圖1之電漿處理腔室中的基板支撐組件的示意性橫截面圖。
為了助於理解，已儘可能地使用相同的元件符號來指派圖式中共用的相同元件。可想到一實施例之元件及特徵可有利地併入至其他實施例中而無須進一步的敘述。
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100‧‧‧電漿處理腔室
101‧‧‧側壁
102‧‧‧腔室主體
103‧‧‧電源箱
104‧‧‧腔室蓋
106‧‧‧遮蔽環
108‧‧‧氣體分配系統
112‧‧‧多個側壁
116‧‧‧底壁
120A‧‧‧多個處理區域
120B‧‧‧處理區域
121‧‧‧埠
122‧‧‧通道
124‧‧‧通道
125‧‧‧泵腔
127‧‧‧腔室襯組件
128‧‧‧基板支撐組件
130‧‧‧桿
131‧‧‧排氣埠
133‧‧‧升舉板材
140‧‧‧氣體入口通道
142‧‧‧噴頭組件
144‧‧‧阻隔版
146‧‧‧面板
147‧‧‧冷卻通道
148‧‧‧底板
158‧‧‧介電隔離器
160‧‧‧基板支撐件
161‧‧‧心軸
162‧‧‧RF電極
164‧‧‧短軸
165‧‧‧RF來源
166‧‧‧桿
167‧‧‧泵送系統

Claims (20)

  1. 一種基板支撐組件，包含： 一基板支撐件；一心軸，該心軸連接至該基板支撐件；及一第一桿，該第一桿設置於該心軸內，其中該第一桿係由鈦或由金、銀、鋁或銅所塗覆之鎳製成。
  2. 如請求項1所述之基板支撐組件，其中該第一桿為一實心桿。
  3. 如請求項1所述之基板支撐組件，其中該第一桿為一空心桿。
  4. 如請求項1所述之基板支撐組件，更包含經嵌入至該基板支撐件的一射頻電極。
  5. 如請求項4所述之基板支撐組件，更包含經連接至該射頻電極的短軸。
  6. 如請求項5所述之基板支撐組件，其中該第一桿具有一第一端及一第二端，其中該第一端藉由一銅焊材料連接至該短軸，及其中該銅焊材料為一合金。
  7. 如請求項5所述之基板支撐組件，更包含連接至該短軸的一第二桿。
  8. 如請求項7所述之基板支撐組件，更包含一可撓電纜，該可撓電纜連接至該第二桿及該第一桿。
  9. 如請求項7所述之基板支撐組件，其中將該第一桿旋入至該第二桿。
  10. 如請求項1所述之基板支撐組件，更包含： 一加熱元件，該加熱元件經嵌入至該基板支撐件中； 一第一連接器，該第一連接器連接至該加熱元件；及 一第二連接器，該第二連接器連接至該加熱元件。
  11. 如請求項10所述之基板支撐組件，更包含一第一電容器及一第二電容器，該第一電容器連接至該第一連接器及該第一桿，該第二電容器連接至該第二連接器及該第一桿。
  12. 一種基板支撐組件，包含： 一基板支撐件； 一心軸，該心軸連接至該基板支撐件；及 一桿，該桿設置於該心軸內，其中該桿包含具有一第一直徑的一第一部分及具有一第二直徑的一第二部分，其中該第二直徑大於該第一直徑。
  13. 如請求項12所述之基板支撐組件，其中該桿為一實心桿。
  14. 如請求項12所述之基板支撐組件，其中該桿為一空心桿。
  15. 如請求項12所述之基板支撐組件，其中該桿係由鎳、鈦或由金、銀、鋁或銅所塗覆之鎳製成。
  16. 如請求項12所述之基板支撐組件，其中該桿更包含一第三部分，其中該第三部分具有一第三直徑，及其中該第三直徑等於該第一直徑。
  17. 一基板支撐組件，包含： 一基板支撐件； 一心軸，該心軸連接至該基板支撐件； 一射頻電極，該射頻電極經嵌入至該基板支撐件； 一第一桿，該第一桿設置於該心軸內，其中該第一桿連接至該射頻電極； 一第二桿，該第二桿設置於該心軸內，其中該第二軸連接至該射頻電極；及 一連接構件，該連接構件設置於該心軸內，其中該連接構件連接至該第一桿及該第二桿。
  18. 如請求項17所述之基板支撐組件，其中該第一桿及該第二桿係由鎳、鈦或由金、銀、鋁或銅所塗覆之鎳製成。
  19. 如請求項17所述之基板支撐組件，其中該第一桿及該第二桿為實心桿。
  20. 如請求項17所述之基板支撐組件，其中該第一桿及該第二桿為空心桿。
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