TWI444287B - 壓印裝置及物品的製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關壓印裝置及壓印裝置中使用之物品的製造方法。
壓印技術已知為取代使用微影法,藉由紫外線、X射線或電子射束來形成微圖案於半導體裝置上之方法的技術。壓印技術藉由將形成有微圖案之模型壓抵於諸如塗佈樹脂材料之基板,以轉印圖案於樹脂上。壓印技術包含某些類型。PCT公告案(WO) 2005-533393號提出以光固化方法作為一方法。光固化方法使透明模型被按壓抵其之紫外線固化樹脂曝光,並在固化之後移除(解開)該模型。根據此光固化方法之壓印技術係適於半導體積體電路之製造,這是因為其容許相對容易之溫度控制,及經由透明模型來觀察基板上之對準標誌。考慮到待重疊之不同圖案,可應用分步重複(step-and-repeat)方法,其準備模型以匹配待製造之裝置之晶片的尺寸,並依序將圖案轉印於基板上的個別拍攝(shot)。
於根據光固化方法之壓印裝置中,被稱為殘留層並在圖案轉印後出現於基板表面與凹凸圖案之凹陷底面間之紫外線固化樹脂(在下文文中被稱為樹脂)之不均勻的厚度造成問題。這是因為當樹脂之殘留層的厚度(殘留層厚度)不均勻時,凹凸圖案之凸部的寬度會在圖案轉印後對基板所執行之蝕刻程序中局部地改變,且轉印圖案之線寬精密度亦受到不利影響。於壓印裝置中,塵埃的出現亦造成嚴重的問題,且視塵埃之尺寸大小及物質而定,模型之凹凸圖案可能常常會在圖案轉印時被毀壞。無論如何,當在基板上的拍攝上連續原封不動地進行轉印時,因瑕疵拍攝數目祗會增加,所以係不佳的。當確認有諸如樹脂之殘留層厚度不均及出現塵埃之轉印誤差時,必須中止圖案轉印。PCT公告案(WO) 2007-523492號揭示藉由比較單一基板上之複數個拍攝的特徵來檢查拍攝間之變化的方法作為轉印品質判定方法。
然而,藉由PCT公告案(WO) 2007-523492號所說明之方法,當個別基板的拍攝特徵不同時,用以判定個別基板之轉印品質的基準也變得不同,因而造成另一問題。又,隨著PCT公告案第2007-523492號所說明之方法,由於根據拍攝間之變化來判定轉印品質,所以無法判定第一拍攝之品質。
本發明提供一種壓印裝置,其可使用共同基準,從第一拍攝,藉由模型來判定成形之品質。
根據本發明,提供有一種壓印裝置,其在塗佈於基板上之樹脂上進行形成模型圖案的壓印程序,該裝置包括:成像單元,係配置成使形成有圖案之樹脂成像;以及控制器,係配置成控制壓印程序,其中,當連續形成圖案於基板上時,控制器比較由該成像單元所形成之至少一局部區域之影像與事先獲得之參考狀態影像,且當連續形成圖案於該等影像之間時,而各圖案具有在容許範圍外之差異之圖案,控制器判定為轉印誤差。
本發明之其他特點由以下參考附圖所作例示性實施例之說明將更加瞭然。
在下文中將參考附圖來說明依據本發明之壓印裝置,其藉由實施包含經由模型形成塗佈於基板上之樹脂的壓印程序,以形成圖案於基板上。
第1圖為顯示依據第一實施例之壓印裝置之配置的視圖,而第2圖為依據個別實施例之壓印裝置的控制方塊圖。作為基板之晶圓1被固持於基板夾頭(晶圓夾頭) 2上。細微動作載台3具有沿晶圓1之θ方向(繞著z軸旋轉)之位置校正功能、晶圓1之z位置調整功能及晶圓1之傾斜的傾斜校正功能。細微動作載台3被佈置在用來使晶圓1對準預定位置之XY載台4上。下文中一般將細微動作載台3與XY載台4之組合稱為基板載台(晶圓載台)。XY載台4被放在基底面板5上。為了測量細微動作載台3之位置,將來自雷射干涉儀7之光反射的參考鏡6係附裝於細微動作載台3上以面對x及y方向(y方向者未顯示出)。元件符號8及8’標示立在基底面板5上以支撐頂板9之柱。待轉印於晶圓1上之凹凸圖案係形成於模型10的表面上,其藉由機械固持機構(未圖示出)而被固持於模型夾頭11上。模型夾頭11藉由機械固持機構(未圖示出)而被固持於模型夾頭載台12上。模型夾頭載台12具有在θ方向(繞著z軸旋轉)上之模型10及模型夾頭11之位置校正功能及校正模型10之位置的校正功能。模型夾頭11具有用以反射來自雷射干涉儀7’之光的反射表面,以測量其在x及y方向上之位置(y方向者未顯示出)。模型夾頭11及模型夾頭載台12分別具有容許來自UV光源16經由準直透鏡17之紫外(UV)光通過它們而朝模型10前進。導桿板13將導桿14及14’之另一端部固定,而導桿14及14’之一端部則固定於模型夾頭載台12且延伸穿過頂板9。
包含汽缸或線性馬達並被用來使模型上下移動之線性致動器15及15’驅動導桿14及14’於第1圖之z方向上,以便將由模型夾頭11所固持之模型10按壓抵於晶圓1且將其移除。對準架18係藉由柱19及19’而懸掛在頂板9上,且導桿14及14’延伸穿過對準架18。諸如電容感測器之間隙感測器20測量晶圓夾頭2上之晶圓1的高度(平坦度)。複數個荷重元21(於第1圖中未圖示出)係附裝於模型夾頭11或模型夾頭載台12,並測量模型10之按壓力量。用於晶片間對準(die-by-die alignment)之TTM(穿模式)對準鏡用示波器(scope)30及30’具有用來觀察設於晶圓1及模型10之對準標誌之光學系統及成像系統。TTM對準用示波器30及30’被用來測量晶圓1與模型10間之x-及y-方向上的位移。塗佈樹脂之分配頭包含噴嘴,其滴出並塗佈液態光固化樹脂於晶圓1之表面上。諸如CCD攝影機之成像單元40(下文被稱為CCD攝影機40)將由模型10所成形之樹脂成像,並可獲得彩色影像。於藉由CCD攝影機而成像時,使用白色光源42以供照明。於細微動作載台3上,參考標誌50被佈置在參考標誌台上。控制器100藉由控制上述致動器及感測器,以控制該裝置來進行預定的操作。如稍後所說明者,控制器100亦用作為判定成形品質之判定單元。記憶體110儲存由CCD攝影機40所獲得之影像。
以下參考第1至4圖來說明製造半導體裝置時壓印裝置之操作。第3圖為使用單一模型而將某一層之圖案轉印於複數個晶圓上之程序的流程圖。於步驟S1中,模型輸送機構(未圖示出)將模型10供應至模型夾頭11。
於步驟S2中,TTM對準用示波器30及30’同時觀察模型10之對準標誌(未圖示出)與細微動作載台3上之參考標誌50。使用這些觀察結果,模型夾頭載台12主要在θ方向(繞著z軸旋轉)上對準模型10之位置。於步驟S91中,控制器100從記憶體110讀出在藉由CCD攝影機40而成形之樹脂成像之前被設定及儲存之參考影像。參考影像為於拍攝之參考狀態中樹脂之影像,其事先在此時的壓印條件下被滿意地形成,該等條件包含即將被使用之基板、表面、模型、樹脂、模型加壓負荷、模型加壓時間、UV照射時間及脫模速度。參考影像可藉由模擬於參考狀態中滿意成形之樹脂的狀態而被獲得到。於步驟S92中,連續有瑕疵的拍攝計數器k(稍後做說明)被重設為零。於步驟S3中,模型輸送機構(未圖示出)將晶圓1供應至晶圓夾頭2。於步驟S4中,驅動XY載台4,且間隙感測器20測量晶圓1之整體表面的高度(平坦度)。如稍後所說明者,使用該測量資料,在模型施壓時,將晶圓1之轉印拍攝表面對準於裝置之參考平面(未圖示出)。
於步驟S5中,預先對準測量裝置(未圖示出)成像並觀察事先轉印於晶圓1上之預先對準標誌(未圖示出)。控制器100藉由影像處理,測量晶圓1相對於該裝置之在x-及y-方向上的位移,並根據測量結果而進行在θ(繞著z軸旋轉)方向上之位置校正。於步驟S6中,TTM對準用示波器30及30’同時觀察模型10之對準標誌(未圖示出)與晶圓1之特定樣本測量拍攝上之晶圓1上的對準標誌(未圖示出)。接著,控制器100測量在x-及y-方向上之相對位置位移量。在θ(繞著z軸旋轉)方向上之位移量亦從此等在x-及y-方向上之位移而被計算出。接著,根據樣本測量拍攝上TTM對準用示波器的結果,控制器100預測晶圓1上之個別拍攝在x-及y-方向及θ方向上之位移,並在執行個別拍攝之轉印程序時,決定晶圓載台之對準目標位置。這是與用分步重複半導體投影曝光’裝置之總體對準測量方法相同的方法。於步驟S7中,在晶圓1之個別拍攝上進行第4圖所示流程之圖案轉印程序。
在完成所有拍攝之轉印程序時,於步驟S8中,晶圓輸送機構(未圖示出)從晶圓夾頭2中擷取出晶圓1。接著,控制器100於步驟S9中判定是否待進行圖案轉換程序之晶圓仍存在。若待進行圖案轉換程序之晶圓仍存在,則程序回到步驟S3;否則,程序進行至步驟S10。於步驟S10中,模型輸送機構(未圖示出)從模型夾頭11擷取出模型10。最後,於步驟S93中,清除參考影像,從而結束複數個晶圓之圖案轉印程序。
第4圖為當使用依據本發明第一實施例之壓印裝置而將圖案轉印於單一晶圓時所執行之程序的流程圖,且該程序對應於第3圖之步驟S7。以下參考第4圖以及第1和2圖,說明依據本發明第一實施例之壓印裝置的操作、功能等。參照第4圖,控制器100驅動XY載台4以移動其上載置有晶圓1之晶圓夾頭2,俾在步驟S701中,將晶圓1上圖案轉換位置(拍攝)定位於分配頭32下方之位置。於步驟S702中,分配頭32以光固化樹脂將目標拍攝塗佈於晶圓1上。於步驟S703中,控制器100驅動XY載台4,以使感興趣之拍攝的平面定位於面對模型10之凹凸圖案的位置。於此情況下,晶圓載台被移至對準目標位置,其於第3圖之步驟S6中,根據對準測量結果而被決定及校正。此外,控制器100使用細微動作載台3,在z方向上調整晶圓夾頭2之高度及傾斜,並根據上述晶圓高度之測量資料,使晶圓1上之拍攝表面對準裝置之參考平面(未圖示出)。於步驟S704中,控制器100驅動線性致動器15及15’,以將模型夾頭11向下移至預定位置。於步驟S705中,控制器100根據來自附裝於模型夾頭11或模型夾頭載台12之荷重元21(於第1圖中未顯示出)的輸出,判定是否模型10之按壓力量達到適當值。若按壓力量落在預定範圍外,則於步驟S705中判定為NO,且程序進行至步驟S706。
於步驟S706中,控制器100藉由使用線性致動器15及15’在z方向上改變模型夾頭11之位置,或使用細微動作載台3在z方向上改變晶圓夾頭2之位置,以調整模型10之按壓力量。控制器100重複進行步驟S705及S706之迴路直到獲得預定按壓力量為止。若於步驟S705判定模型10之按壓力量適當,則於步驟S705中判定為YES,且程序進行至步驟S707。於步驟S707中,UV光源16以UV光照射該拍攝持續一段預定的時間期間。在完成UV光照射時,於步驟S708中,控制器100驅動線性致動器15及15’而向上移動模型夾頭11,因而自晶圓1上之固化樹脂移除模型10。於步驟S709a中,控制器100驅動XY載台4來移動晶圓1,以使轉印後之拍攝係位於CCD攝影機40下方之位置。
根據第5圖之流程圖,於步驟S790中,控制器100進行轉印後之拍攝的品質判定。參照第5圖,於步驟S791中,白光源42以白光照射轉印後之拍攝,且CCD攝影機40使轉印後之拍攝之樹脂的狀態成像。於步驟S792中,控制器100比較於第3圖之步驟S91中所設定的參考影像與於步驟S791中所獲得的影像。至少可使用所獲得影像之部分區域作為比較目標。當因為樹脂之殘留層厚度不均而造成成形誤差時,由於其常常延伸於整個拍攝上,所以,於此情況下,使用所獲得之所有影像作為比較目標。另一方面,當因為塵埃而造成成形誤差時,其可能留在拍攝之部分區域上。於此情況下,使用所獲得影像之部分區域作為比較目標。
於步驟S793中,控制器100判定成像拍攝中的樹脂影像與參考影像間的差是否落在容許範圍外。更具體而言,使用當樹脂沾到塵埃或受害於殘留層厚度不均時,於所獲得的影像中觀察到色調之改變,以進行此判定程序。例如,可使用比較所獲得影像之直方圖與參考影像之直方圖的判定方法。此方法係揭示於日本專利申請案公開第10-336506號案中。亦即,該方法使用顏色差異直方圖間之相互關係的程度。例如,當轉印後之影像之顏色差異直方圖的相互關係程度為90%或更少時,判定有轉印錯誤。亦可使用一種判定方法,其使用在所獲得影像與參考影像間,超過參考值之像素數。此外,上面的判定程序可根據XYZ顏色系統上二影像間的相對距離來予以實施。當轉印後之拍攝影像相對於參考影像相隔預定值或更大時,控制器100判定轉印誤差。可使用XYZ顏色系統上之馬卡丹(MacAdam’s)偏差橢圓作為預定值。例如,當轉印後之拍攝影像相對於XYZ顏色系統上之參考影像,位於馬卡丹偏差橢圓外時,可判定轉印誤差。日本專利第3811728號案揭示使用XYZ顏色系統來測量薄膜之膜厚的方法。然而,本發明無需膜厚本身的任何計算。
照這樣,若參考影像與轉印後之拍攝影像間之差異落在容許範圍外,則於步驟S793中判定為NO,且程序進行至步驟S795。於步驟S795中,控制器100將連續的瑕疵拍攝計數器k加1來計算總數。於步驟S796中,控制器100判定連續的瑕疵拍攝計數器k之計數值是否為3作為預定計數值。這是因為考慮到模型的所謂自潔效應,小於三個連續拍攝之轉印誤差不被判定為轉印誤差。若連續的瑕疵拍攝計數到達3,則於步驟S796中判定為YES,且程序進行至步驟S797。於步驟S797中,控制器100輸出指示擷取被判定為瑕疵基板之基板或交換模型的信號。例如,控制器100在裝置之操作螢幕(未顯示出)上顯示表示轉印誤差已發生之信息。於此情況下,控制器100可被配置成輸出指示擷取被判定為瑕疵基板之基板或交換模型之信息。另一方面,若連續的瑕疵拍攝計數k不為3,則於步驟S796中判定為NO,從而結束第5圖所示流程圖(第4圖中之步驟S790)。若參考影像與轉印後之拍攝影像間的差值落在容許範圍內,則於步驟S793中判定為YES,並於步驟S794中重設連續的瑕疵拍攝計數k為0。之後,第5圖所示流程圖結束。
照這樣,當連續被判定為瑕疵之拍攝的數目小於3時,判定塵埃已藉由自潔效應而被移除,且不判定其為整個晶圓的轉印誤差。當發生小於3的不連續轉印誤差時,對控制壓印裝置之主機裝置(未圖示出)通知拍攝數目連同感興趣之晶圓(例如,被稱為晶圓ID)的辨識數目。接著,在轉印後使用例如圖案檢驗裝置,可使晶圓之轉印歷史的管理及檢驗變得容易。注意,於步驟S796中用來判定連續的瑕疵拍攝數的值不限於3,且可根據轉印條件,視需要而改變。以此方式,執行第4圖中進行轉印品質判定之步驟S790。
回頭參考第4圖,在步驟S790之後,控制器100驅動XY載台4以移動晶圓1,俾於步驟S709b中,待進行轉印程序之次一拍攝係位在分配頭32下方的位置。於步驟S710中控制器100判定是否晶圓1上所有拍攝之圖案轉印程序完成或偵測出轉印誤差。若仍有待進行轉印程序之拍攝,且偵測出無轉印誤差,則於步驟S710中判定NO,且程序回到步驟S702。若無待進行轉印程序之拍攝,或偵測出轉印誤差,則於步驟S710中判定為YES,且程序進行至步驟S711。於步驟S711,控制器100驅動XY載台4至預定位置以準備晶圓1之擷取(第3圖中的步驟S8)。
以上業已使用第4圖來說明在轉印圖案於單一晶圓上時,壓印裝置之操作及功能。注意,當於第4圖中偵測出轉印誤差時,可從壓印裝置自動擷取模型,並可考慮到塵埃的附着而被清潔或交換。照這樣,對單一晶圓之連續轉印程序或對另一晶圓的轉印程序即準備好。於第1圖中,為簡單起見,越過模型10,將CCD攝影機40及白色光源42佈置於分配頭32的對側,然而,它們可相對於模型10而被佈置在同側。於此情況下,可減少步驟S709a及步驟S709b中XY載台4的移動量。此外,如同於第6圖中所示,在步驟S708之後,可與移動晶圓1之步驟S709並行,執行轉印品質判定之步驟S790,使待進行轉印程序之次一拍攝係位在分配頭32下方的位置。於此情況下,在第5圖的步驟S791中,於XY載台4之移動期間內使轉印後之拍攝成像。依此方式,由於XY載台4無須為了成像而停止,因此,可改進產量(throughput)。
以下將參考第7圖來說明依據第二實施例之壓印裝置的操作、功能等。第7圖中的相同元件符號標示具有與第1圖者相同功能之組件,且不重複說明。參考第7圖,元件符號41標示分束器,其係配置在紫外光源16之光路中,並藉由使光折曲,將來自晶圓側之反射光導經模型10而朝CCD攝影機40前進。為了簡明起見,第7圖並不圖示出一個TTM對準用示波器30’。使用單一模型而將某一層之圖案轉印於複數個晶圓上之程序的流程圖與第3圖所示者相同。第8圖為使用第二實施例之壓印裝置而將圖案轉印於單一晶圓上之程序的流程圖,並對應於第3圖中的步驟S7。第8圖中的步驟數標示進行與第4圖所示者相同操作的步驟,且不重複其說明。
以下將參考第7和8圖以及第2圖來說明第二實施例之壓印裝置的操作、功能等。第8圖與第4圖之不同點在於進行轉印品質判定之步驟S790在步驟S708之脫模後立即執行。於此情況下,可使用光源16,其可選擇性發射固化樹脂所需波長範圍之第一光(UV光)及不同於前一波長範圍之第二光(白光)。例如,假設光源16為多波長光源,且結束波長選擇濾波器(未圖示出)。在步驟S707中以UV光來照射紫外線固化樹脂以固化樹脂時,經由波長選擇濾波器,僅以UV光來照射樹脂。在脫模後,於第5圖之步驟S791中使轉印後的拍攝成像時,UV光源16藉波長選擇濾波器來去除紫外線範圍,以對拍攝照射白光。藉由分束器41使晶圓1上被紫外線固化樹脂所反射的光朝向CCD攝影機40折曲,並被成像為轉印後的拍攝的影像。於第8圖中,其他操作與第4圖所示者相同,且不重複其說明。
第9圖為使用第二實施例之壓印裝置,將圖案轉印於晶圓上之另一程序之流程圖,且該程序如第8圖中者,對應於第3圖之步驟S7。第9圖中的步驟數標示進行與第4圖所示者相同操作的步驟,且不重複其說明。以下將參考第7和9圖以及第2圖說明第二實施例之壓印裝置之操作、功能等。第9圖與第8圖之不同點在於進行成形品質判定之步驟S790在步驟S707之UV光照射前執行。於此情況下,如以上說明,光源16為結合波長選擇濾波器(未圖示出)之多波長光源。於第5圖之步驟S791中,光源16以白光照射紫外線固化樹脂,以使在固化前,使成形之紫外線固化樹脂之狀態成像。亦即,光源16以除了紫外線範圍外之白光照射紫外線固化樹脂,而模型10則以預定按壓力量按壓樹脂,且以CCD攝影機40來使轉印區域成像。即使在樹脂固化前,若有殘留層厚度不均或塵埃,仍可以和樹脂固化後相同的方式觀察。因此,於第9圖中,在步驟S790中檢查轉印區域後不久,立即進行轉印品質判定。若判定有錯誤,則可在UV光照射之前擷取晶圓。就此而言,當塵埃或誤差最少,且轉印結果令人滿意時,第9圖情形中用於轉印品質判定之參考影像使用UV光照射前的影像。
如同以上所說明者,由於在第二實施例中,可省略為藉由CCD攝影機40來使轉印區域成像而移動XY載台的必要性,所以,可改進裝置之產量。亦由於CCD攝影機40相對於分配頭32之佈局沒有任何限制,所以,可增進設備設計的自由度。
如以上所說明,依據本發明,可提供一種壓印裝置,其能夠在圖案轉印期間對基板偵測瑕疵拍攝,且能防止在轉印圖案於基板上的複數個拍攝時,瑕疵拍攝數目之增加。因此,可提供能確保高生產率之壓印裝置。由於藉由與在相同條件下事先轉印及儲存之影像比較,來判定轉印品質,因此,甚至在待使用之圖案構造已改變時,仍可正常地判定轉印品質。
作為物品之裝置(半導體積體電路元件、液晶顯示元件等)的製造方法包含使用上述壓印裝置來將圖案轉印(形成)於基板(晶圓、玻璃基板或膜狀基板)上之程序。而且,製造方法可包含將其上轉印有圖案之基板蝕刻之程序。注意,在製造其他物品像是圖案化之媒體(記錄媒體)或光學元件時,製造方法可包含處理其上轉印有圖案之基板的其他程序,以替代蝕刻。
業已說明本發明之實施例。本發明不限於此等實施例,在不違離其一般發明概念之範圍內,可作出種種修改及改變。
雖然業已參考例示性實施例說明本發明,惟須知本發明並不限於所揭示之例示性實施例。以下申請專利範圍須作最廣闊的解釋以涵蓋所有此種修改及均等構造和功能。
1...晶圓
2...晶圓夾頭
3...細微動作載台
4...XY載台
5...基底面板
6...參考鏡
7,7’...雷射干涉儀
8,8’...柱
9...頂板
10...模型
11...模型夾頭
12...模型夾頭載台
13...導桿板
14,14’...導桿
15,15’...線性致動器
16...光源
17...準直透鏡
18...對準架
19,19’...柱
20...間隙感測器
21...荷重元
30,30’...TTM對準用示波器
32...分配頭
40...CCD攝影機
42...白色光源
50...參考標誌
100...控制器
第1圖係顯示依據第一實施例之壓印裝置之配置的視圖;
第2圖係依據個別實施例之壓印裝置的控制方塊圖;
第3圖係依據個別實施例,用以將單一層轉印於複數晶圓上之程序之流程圖;
第4圖係依據第一實施例,用以將圖案轉印於單一晶圓上之程序之流程圖;
第5圖係依據個別實施例,用以判定轉印品質之程序之流程圖;
第6圖係依據第一實施例,用以將圖案轉印於晶圓上之另一程序之流程圖;
第7圖係顯示依據第二實施例之壓印裝置之配置的視圖;
第8圖係依據第二實施例,用以將圖案轉印於單一晶圓上之程序之流程圖;以及
第9圖係依據第二實施例,用以將圖案轉印於晶圓上之另一程序之流程圖。
1...晶圓
2...晶圓夾頭
3...細微動作載台
4...XY載台
5...基底面板
6...參考鏡
7,7’...雷射干涉儀
8,8’...柱
9...頂板
10...模型
11...模型夾頭
12...模型夾頭載台
13...導桿板
14,14’...導桿
15,15’...線性致動器
16...光源
17...準直透鏡
18...對準架
19,19’...柱
20...間隙感測器
30,30’...TTM對準用示波器
32...分配頭
40...CCD攝影機
42...白光源
50...參考標誌
100...控制器
Claims (10)
- 一種壓印裝置,其進行壓印程序,用以在樹脂上形成模型之圖案,該樹脂係被供應到基板上以在該基板上的複數個拍攝上形成圖案,該裝置包括:成像單元,係配置成使在該拍攝上形成有該圖案之該樹脂成像;模型夾頭,係配置來固持該模型;樹脂供應單元,係配置來供應樹脂到該基板上;以及控制器,係配置成控制該壓印程序;其中,相對於該模型夾頭被佈置的位置,該成像單元被佈置在與該樹脂供應單元的相同側,使得該成像單元無需使用該模型而可使形成有該圖案於其上之該樹脂成像;以及其中,該控制器比較形成在該拍攝上的該圖案的至少一局部區域之影像與參考影像來判定形成在該拍攝上的該圖案之品質。
- 如申請專利範圍第1項之壓印裝置,其中,該控制器比較至少該局部區域之該影像的直方圖與該參考影像的直方圖。
- 如申請專利範圍第1項之壓印裝置,其中,該控制器根據對應於至少該局部區域之該影像與該參考影像間之超過參考值的差異之像素的數目,以判定在該拍攝上之該圖案的轉印誤差。
- 如申請專利範圍第1項之壓印裝置,其中,當以預 定次數形成落在容許範圍外之形成在該複數拍攝上之圖案時,該控制器判定為轉印誤差。
- 如申請專利範圍第1項之壓印裝置,其中,當該控制器判定為轉印誤差時,該控制器輸出信號,而該信號指示擷取被判定為該轉印誤差之該基板或交換該模型。
- 如申請專利範圍第1項之壓印裝置,進一步包括光源,該光源係配置成交替地發射固化該樹脂所需之波長範圍的第一光線以及異於該第一光線之該波長範圍之波長範圍的第二光線;其中當以該第二光線照射該樹脂的同時,該成像單元使該樹脂成像。
- 如申請專利範圍第1項之壓印裝置,其中,該成像單元使該樹脂成像,而在該樹脂被固化之前,該樹脂係在該拍攝上形成有該圖案。
- 如申請專利範圍第1項之壓印裝置,其中,圖案每次被形成在該複數個拍攝的每一個拍攝上時,該控制器判定形成在該複數個拍攝的每一個拍攝上的該圖案之品質。
- 如申請專利範圍第1項之壓印裝置,其中,在從該固化的樹脂移除該模型之後,當固持該基板的基板載台移動而使得圖案將被轉移於其上的該下一個拍攝位在該樹脂供應單元下方的位置時,該成像單元使藉由該模型而形成有該圖案於其上的該樹脂成像。
- 一種物品的製造方法,該方法包括:使用如申請專利範圍第1至9項任一項之壓印裝置,以 形成圖案於基板上;以及處理形成有該圖案於其上之該基板。
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JP2014033050A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Toshiba Corp | インプリントシステム及びインプリント方法 |
TW201422401A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 成品取出的檢測系統及檢測方法 |
JP6114629B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 回転可能状態検出装置及び回転可能状態検出方法、並びにこれを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5960198B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2016-08-02 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法 |
JP6263930B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-01-24 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
JP6472189B2 (ja) * | 2014-08-14 | 2019-02-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP6413533B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-10-31 | 大日本印刷株式会社 | 物品の品質判別方法、物品の品質判別システムおよび物品の製造方法 |
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JP6497938B2 (ja) * | 2015-01-05 | 2019-04-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法。 |
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JP6403627B2 (ja) * | 2015-04-14 | 2018-10-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP6114861B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2017-04-12 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
WO2016208160A1 (en) * | 2015-06-22 | 2016-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article |
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JP6541518B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
JP6655988B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2020-03-04 | キヤノン株式会社 | インプリント装置の調整方法、インプリント方法および物品製造方法 |
JP6748461B2 (ja) * | 2016-03-22 | 2020-09-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント装置の動作方法および物品製造方法 |
US10549494B2 (en) | 2016-04-20 | 2020-02-04 | Himax Technologies Limited | Imprinting apparatus and imprinting method |
JP6706983B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2020-06-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP7089375B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2022-06-22 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置 |
JP7091138B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2022-06-27 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法 |
JP7086711B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-06-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品製造方法 |
JP2020043130A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | 基板の製造方法、及びインプリント装置 |
CN110158430B (zh) * | 2019-05-08 | 2021-03-02 | 中铁北京工程局集团有限公司 | 一种桥梁混凝土面自动拉毛覆膜机 |
KR20210023375A (ko) * | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 레이저 전사 장치 및 이를 이용한 전사 방법 |
JP7431694B2 (ja) | 2020-07-28 | 2024-02-15 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、膜形成装置、物品の製造方法、およびプログラム |
JP2022034165A (ja) * | 2020-08-18 | 2022-03-03 | Towa株式会社 | 検査装置、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 |
KR102454787B1 (ko) * | 2022-05-06 | 2022-10-14 | 주식회사피에스디이 | 몰드 자동 교체형 나노 임프린팅 리소그래피 장치 및 그 방법 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798830A (en) * | 1993-06-17 | 1998-08-25 | Ultrapointe Corporation | Method of establishing thresholds for image comparison |
JPH0951028A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Hitachi Ltd | フォトマスク管理システム |
JPH10336506A (ja) | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Canon Inc | 画像処理システム、追尾システム,追尾方法,記憶媒体 |
JP2000187008A (ja) | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 検査装置 |
US6908861B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
US6900881B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
MY164487A (en) | 2002-07-11 | 2017-12-29 | Molecular Imprints Inc | Step and repeat imprint lithography processes |
US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
JP3811728B2 (ja) | 2003-03-18 | 2006-08-23 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 膜厚取得方法 |
US7019835B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate |
JP2006245072A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Canon Inc | パターン転写用モールドおよび転写装置 |
US7708924B2 (en) * | 2005-07-21 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP4533358B2 (ja) | 2005-10-18 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
ATE549294T1 (de) * | 2005-12-09 | 2012-03-15 | Obducat Ab | Vorrichtung und verfahren zum transfer von mustern mit zwischenstempel |
JP4878264B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 検査方法、検査装置およびインプリント装置 |
JP4943304B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-05-30 | 株式会社 Ngr | パターン検査装置および方法 |
JP2008276920A (ja) | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Pioneer Electronic Corp | インプリント装置およびインプリント方法 |
JP4825891B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法およびテンプレート |
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