JP2020043130A - 基板の製造方法、及びインプリント装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】一つの実施形態は、基板に適切なパターンを形成できる基板の製造方法、及びインプリント装置を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、基板の製造方法が提供される。基板の製造方法は、基板の表面における第1領域と第2領域とのそれぞれにレジストを滴下することを含む。基板の製造方法は、原版のパターンを第1領域のレジストに押し当てることを含む。基板の製造方法は、レジストを硬化させることを含む。基板の製造方法は、原版をレジストから離型させることを含む。基板の製造方法は、基板における第2領域におけるレジストの状態に基づいて、レジストの濡れ性を評価することを含む。【選択図】図1
Description
本実施形態は、基板の製造方法、及びインプリント装置に関する。
基板の製造方法では、基板上にレジストを滴下し、原版の凹凸パターンを基板上のレジストに押し当て、レジストを硬化させ、原版を基板から離型させた後、レジストのパターンを基板に転写する。このとき、基板に適切なパターンを形成することが望まれる。
一つの実施形態は、基板に適切なパターンを形成できる基板の製造方法、及びインプリント装置を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、基板の製造方法が提供される。基板の製造方法は、基板の表面における第1領域と第2領域とのそれぞれにレジストを滴下することを含む。基板の製造方法は、原版のパターンを第1領域のレジストに押し当てることを含む。基板の製造方法は、レジストを硬化させることを含む。基板の製造方法は、原版をレジストから離型させることを含む。基板の製造方法は、基板における第2領域におけるレジストの状態に基づいて、レジストの濡れ性を評価することを含む。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる基板の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
実施形態にかかる基板の製造方法について説明する。半導体デバイスの製造において、微細パターンをウェハ上に形成する手法として、ナノインプリントリソグラフィ(インプリント法)が注目されている。
実施形態にかかる基板の製造方法について説明する。半導体デバイスの製造において、微細パターンをウェハ上に形成する手法として、ナノインプリントリソグラフィ(インプリント法)が注目されている。
例えば、インプリント法を用いたウェハの製造では、凹凸パターンが形成されたテンプレートをウェハ上に塗布したレジストに接触させる。レジストを硬化させた後、テンプレートをレジストから離型することにより、ウェハ上に凹凸パターンを転写したレジストパターンが形成される。その後、レジストパターンをマスク材として、ウェハを加工することで、ウェハに微細パターンが形成される。
また、ウェハの製造に先立ち、インプリント法を用いたテンプレートの製造が行われる。すなわち、テンプレート上に、ウェハに押印されるべきパターンを形成する。ウェハの製造に向けては、テンプレートを複数製造することができる。そのため、電子ビーム描画装置を用いてテンプレートの鋳型となるマスターテンプレートにパターンを作成した後、そのマスターテンプレートを用いてインプリント技術(インプリント法)によりテンプレートを複数(例えば、大量に)製造する。ここで複数のテンプレートは、鋳型となるマスターテンプレートに対してレプリカテンプレートと呼ばれる場合がある。
このように、インプリント法は、テンプレートの製造とウェハの製造とのそれぞれに適用され得る。すなわち、インプリント法を用いた基板の製造方法では、基板上にレジストを滴下し、原版の凹凸パターンを基板上のレジストに押し当て凹凸パターン内にレジストを充填させ、レジストを硬化させ、原版を基板から離型させた後、レジストのパターンを基板に転写する。テンプレートの製造において、原版がマスターテンプレートであり、基板がレプリカテンプレートである。ウェハの製造において、原版がテンプレート(レプリカテンプレート)であり、基板がウェハである。
例えば、テンプレートの製造において、基板(レプリカテンプレート)が石英ガラスを主成分とする材料で形成される場合、基板の表面が疎レジスト性となり得る。この場合、基板の表面におけるパターン形成領域にレジストを供給した際にレジストの分布の不均一性が増大し、原版の凹凸パターンを基板の表面におけるパターン形成領域に押し当て凹凸パターン内にレジストを充填させた際に、凹凸パターン内にレジストが流入しない部分が生じる未充填欠陥が発生しやすい。これにより、レジストのパターン欠陥が発生すると、それに応じて、基板に転写されるパターンにパターン欠陥が発生する可能性がある。
そこで、本実施形態では、レジストを基板上におけるパターン形成領域だけでなくパターン非形成領域にも滴下し、離型後にパターン非形成領域のレジストの平面形状に基づいてレジストの濡れ性を評価し、レジストの濡れ性が基準を満たす場合にパターン転写を行うことで、基板製造におけるパターン欠陥の防止及び適切なパターン形成を図る。
具体的には、原版(マスターテンプレート)から基板(レプリカテンプレート)を作成する際に、次の(1)〜(5)を行う。
(1)レジストの濡れ性確認用のドロップの適下をドロップレシピに組み込む。確認用のドロップに求められる要件は、押印してしまうとパターン形成領域の濡れ性が判断できないことから、パターン形成領域外にドロップを配置する。
(2)(1)のレジストの濡れ性確認用のドロップを含んだドロップレシピを基板へ滴下した後、テンプレートを用いて押印・離型を行う。
(3)離型後、(1)で押印箇所外に滴下したレジストの濡れ性確認用のドロップを、光学カメラで撮像しにいく。撮像の点数や、座標は予めドロップ配置と照らし合わせ自動撮像できる状態にしておくとよい。
(4)(3)で撮像した画像について、良否判定を行う。判定方法については、次の(i)、(ii)のようなやり方が考えられる。(i)、(ii)の少なくともどちらかの判定方法を使用すれば、基板の表面状態(すなわち、濡れ性)に問題があるかないかの良否判断が可能である。
(i)予め正常時の濡れ性画像を登録しておき、本番基板撮像後に画像マッチングを行い、判定する。
(ii)予め正常時のドロップのサイズや、輪郭を定量化し、登録しておき本番基板撮像後に同一手法により取得した数値を比較することにより判定する。
(5)(4)で否判定になったものについては、加工処理(エッチング)にもって行かず、レジスト剥離処理後の再利用扱いにすれば基板が無駄にならない。一方、良判定となったものは、後続の加工処理に流せばよい。
(1)レジストの濡れ性確認用のドロップの適下をドロップレシピに組み込む。確認用のドロップに求められる要件は、押印してしまうとパターン形成領域の濡れ性が判断できないことから、パターン形成領域外にドロップを配置する。
(2)(1)のレジストの濡れ性確認用のドロップを含んだドロップレシピを基板へ滴下した後、テンプレートを用いて押印・離型を行う。
(3)離型後、(1)で押印箇所外に滴下したレジストの濡れ性確認用のドロップを、光学カメラで撮像しにいく。撮像の点数や、座標は予めドロップ配置と照らし合わせ自動撮像できる状態にしておくとよい。
(4)(3)で撮像した画像について、良否判定を行う。判定方法については、次の(i)、(ii)のようなやり方が考えられる。(i)、(ii)の少なくともどちらかの判定方法を使用すれば、基板の表面状態(すなわち、濡れ性)に問題があるかないかの良否判断が可能である。
(i)予め正常時の濡れ性画像を登録しておき、本番基板撮像後に画像マッチングを行い、判定する。
(ii)予め正常時のドロップのサイズや、輪郭を定量化し、登録しておき本番基板撮像後に同一手法により取得した数値を比較することにより判定する。
(5)(4)で否判定になったものについては、加工処理(エッチング)にもって行かず、レジスト剥離処理後の再利用扱いにすれば基板が無駄にならない。一方、良判定となったものは、後続の加工処理に流せばよい。
より具体的には、基板の製造方法を図1に示すように行う。図1は、基板の製造方法を示すフローチャートである。以下では、原版がマスターテンプレートであり基板がレプリカテンプレートである場合について例示的に説明するが、以下の説明は、原版がレプリカテンプレートであり基板がウェハである場合についても適用可能である。
まず、基板の濡れ性を評価するための条件出しとして、濡れ性の判定基準を決定する(S1)。基板の表面に対するレジストの濡れ性はレジストの液滴の端部が基板の表面となす接触角で定義されるが、接触角自体で評価せずに、レジストの平面形状の変化を通じてレジストの濡れ性を評価することにする。
表面の濡れ性の異なる複数の基板を用意し、複数の基板のそれぞれに対して後述のS2〜S7,S11,S12の処理を行い、基板のパターン欠陥の発生具合を電子顕微鏡(SEM、TEM)などにより評価する。そして、パターン欠陥の発生具合(例えば、パターン欠陥の数及び/又は密度)が許容範囲内である場合の濡れ性を良好な濡れ性とし、パターン欠陥の発生具合が許容範囲を外れる場合の濡れ性を不良な濡れ性とすることができる。
また、量産性を考慮した場合、すなわち、濡れ性の評価を短時間で行うことを考慮した場合、濡れ性の判定のための評価装置は、インプリント装置でアライメント用に用いる光学カメラを流用することができる。濡れ性の判定は、光学カメラを用いて行うことができる。
このとき、濡れ性の判定基準は、パターン非形成領域の画像を用いて濡れ性を判定可能である任意の基準に決定できる。例えば、濡れ性の判定基準は、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの平面形状を示す基準画像としてもよいし、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの液滴の輪郭パターンとしてもよいし、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの液滴の平均サイズの閾値としてもよいし、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの液滴の輪郭の真円度の閾値としてもよいし、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの面積占有率の閾値としてもよい。
濡れ性の判定基準は、図2に示すインプリントシステム1において、判定基準情報6bとしてデータベース6に格納しておくことができる。図2は、基板の製造方法に用いられるインプリントシステム1の構成を示す図である。
インプリントシステム1は、ホストコントローラ2、搬送系3、表面処理装置4、インプリント装置7、加工装置5、及びデータベース6を有する。表面処理装置4、インプリント装置7、加工装置5は、搬送系3を介して互いに基板を搬送可能に構成されている。ホストコントローラ2は、通信線(図示せず)を介して搬送系3、表面処理装置4、インプリント装置7、加工装置5に通信可能に接続されている。加工装置5は、エッチング装置であり、ウェットエッチング及び/又はドライエッチングを行うことができる。ホストコントローラ2は、搬送系3、表面処理装置4、インプリント装置7、加工装置5をそれぞれ制御するとともに、データベース6を参照可能である。データベース6は、判定基準情報6bに加えて、基板について後述の各工程における処理条件が規定されたレシピ情報6aを格納することができる。
搬送系3により基板10が搬入されると、表面処理装置4は、基板10の表面処理を行う(図1のS2)。表面処理装置4は、基板10の表面10aに対して、親レジスト性に改質する表面処理を所定の処理時間で施す。表面処理装置4は、表面処理として、図3(a)、図3(b)に示すように、シランカップリング剤をガス化して基板10の表面10aに蒸着する処理を行い、表面10aに密着層14(図5(a)参照)を形成することができる。密着層14は、レジストを基板10に密着させる層であり、表面10a近傍に形成され得る。図3(a)は、基板10の製造方法における表面処理工程を示す断面図であり、図3(b)は、基板10の製造方法における表面処理工程を示す斜視図である。
このマスターテンプレート用いたレプリカインプリントでは、原版と基板との間の転写が行われる。このとき、原版と基板とがそれぞれ石英ガラスを主成分とする材料で形成される場合、同サイズの接触面どうしを接触させてしまうと強い吸着力が働き、原版と基板との離型が困難になる場合がある。そのため、基板(レプリカテンプレート)のパターン面に、メサ状の段差を(例えば、数10μmの段差で)設けることが望ましい。
すなわち、基板10は、パターン形成領域11がパターン非形成領域12に対して台座上に隆起している。パターン形成領域11は、メサ領域とも呼ばれる。基板10の表面10aに垂直な方向から見ると、パターン非形成領域12は、パターン形成領域11の周囲に配され、例えばパターン形成領域11を囲っている。表面処理装置4は、パターン形成領域11とパターン非形成領域12とのそれぞれに対して、親レジスト性(親油性)に改質する表面処理を施すことができる。
また、押印・離型を容易に行うため、原版と基板との少なくともどちらか一方は、湾曲容易な構造とすることができる。このため、原版(マスターテンプレート)及び基板(レプリカテンプレート)のそれぞれの裏面にザグリと呼ばれるくり抜き加工(又はコアアウト加工)を施すことができる。基板10は、裏面10bの側に開口された開口領域13をさらに有していてもよい。これにより、無理な離型動作を回避することができ、パターン精度を大きく向上できる。
搬送系3は、表面処理装置4による基板10の表面処理が完了すると、基板10を表面処理装置4から搬出する。
搬送系3により基板10が搬入されると、インプリント装置7は、基板10の表面にレジストを滴下する(図1のS3)。インプリント装置7は、例えば、図4に示すように構成される。図4は、インプリント装置7の構成を示す図である。
インプリント装置7は、原版ステージ71、基板ステージ72、光学カメラ73、液滴下装置74、光源75、及びコントローラ78を有する。原版ステージ71は、原版チャック71aを有し、原版チャック71aを用いて原版20(例えば、マスターテンプレート)を保持する。基板ステージ72は、基板チャック72a及び基準マーク72bを有し、基板チャック72aを用いて基板10(例えば、レプリカテンプレート)を保持する。光学カメラ73は、光学系及びイメージセンサを有する。光学カメラ73は、アライメントセンサとして用いることができ、基準マーク72bを撮像して、原版20及び基板10の相対的な位置合わせのための画像を取得する。液滴下装置74は、ドロップ形状確認用を含んだレジストの液滴(ドロップ)を基板上に滴下する吐出部であり、ディスペンサとも呼ばれる。コントローラ78は、滴下部781、押印部782、硬化部783、離型部784、評価部785、及び記憶部786を有する。評価部785は、撮像部785a及び判定部785bを有する。記憶部786は、データベース6からホストコントローラ2経由で取得されたレシピ情報6a、判定基準情報6bを、それぞれ、レシピ情報786a、判定基準情報786aとして格納する。撮像部785aは、光学カメラ73を制御し、基板10の表面10aに対して光学カメラ73で撮像された画像を取得する。光学カメラ73は、アライメントセンサとして設けられているが、濡れ性の評価に用いる画像を取得するために流用される。判定部785bは、取得された画像と判定基準情報786aとに基づいて、基板10の表面10aの濡れ性を判定する。
インプリント装置7において、コントローラ78の滴下部781は、レシピ情報786aに含まれたドロップレシピに基づいて液滴下装置74を制御し、図5(a)、図5(b)に示すように、基板10の表面におけるパターン形成領域11とパターン非形成領域12とのそれぞれにレジスト31,32を滴下させる。図5(a)は、基板10の製造方法における滴下工程を示す断面図であり、図5(b)は、基板10の製造方法における滴下工程を示す斜視図である。
レジスト31,32は、例えば光硬化性の樹脂が有機溶剤に溶かされた液体を用いることができる。パターン非形成領域12におけるレジスト32の滴下箇所は、判定基準情報786bに対応した箇所であれば少なくとも一部の領域でよく、図5(a)、図5(b)に示すようなパターン非形成領域12におけるパターン形成領域11に隣接する部分領域12a(図7(b)参照)であってもよい。
インプリント装置7は、原版の基板への押印を行う(図1のS4)。すなわち、インプリント装置7において、コントローラ78の押印部782は、レシピ情報786aに基づいて、原版ステージ71及び/又は基板ステージ72を制御し、図6(a)、図6(b)、図6(c)に示すように、原版20及び基板10を相対的に近づけ、原版20の凹凸パターン20aを基板10におけるパターン形成領域11のレジスト31に押印する。これにより、原版20の凹凸パターン20a内にパターン形成領域11のレジスト31が流入される。図6(a)、図6(b)は、基板10の製造方法における押印工程を示す断面図であり、図6(c)は、基板10の製造方法における押印工程を示す斜視図である。
インプリント装置7は、レジストの硬化を行う(図1のS5)。すなわち、インプリント装置7において、コントローラ78の硬化部783は、レシピ情報786aに基づいて、光源75を制御し、UV光などの露光光を原版(マスターテンプレート)20越しに基板(レプリカテンプレート)10上のレジストに照射し、レジストを光硬化させる。
インプリント装置7は、原版の基板からの離型を行う(図1のS6)。すなわち、インプリント装置7において、コントローラ78の離型部784は、レシピ情報786aに基づいて、原版ステージ71及び/又は基板ステージ72を制御し、図7(a)、図7(b)に示すように、原版20及び基板10を相対的に遠ざけ、原版20の凹凸パターン20aを基板10の表面10aにおけるパターン形成領域11のレジスト31から引き離す。これにより、原版20の凹凸パターン20aに応じたレジストパターン31aが形成される。図7(a)は、基板10の製造方法における離型工程を示す断面図であり、図7(b)は、基板10の製造方法における離型工程を示す斜視図である。なお、基板10の表面10aにおけるパターン非形成領域12における部分領域12aには、レジスト32が残存している。
インプリント装置7は、レジスト32の濡れ性を評価する(S7)。すなわち、インプリント装置7において、コントローラ78の評価部785は、基板10におけるパターン非形成領域12におけるレジスト32の状態(例えば、平面形状など)に基づいて、レジスト32の濡れ性を評価する。
具体的には、S7において、S8及びS9が行われる。インプリント装置7は、基板10におけるパターン非形成領域12の画像を取得する(S8)。すなわち、インプリント装置7において、コントローラ78の取得部785aは、原版ステージ71及び光学カメラ73を制御し、図8(a)、図8(b)に示すように、光学カメラ73の視野範囲FR−1〜FR−4がパターン非形成領域12における部分領域12aに重なるように、原版ステージ71を順次にXY方向に移動させながら光学カメラ73で撮像させることができる。図8(a)は、基板10の製造方法における評価工程を示す斜視図であり、図8(b)は、基板10の製造方法における評価工程を示す平面図である。取得部785aは、光学カメラ73で撮像され取得された画像を判定部785bへ供給する。
インプリント装置7は、取得された画像に基づいて、レジスト32の濡れ性が基準を満たすか否か判定する(S9)。すなわち、インプリント装置7において、コントローラ78の判定部785bは、判定基準情報786aと取得された画像とに基づいて、基板10の表面10aが濡れ性の判定基準を満たすか否か判断する。すなわち、判定部785bは、取得された画像と基準画像とを比較し、比較の結果に応じて、レジストの濡れ性が基準を満たすか否かを判定する。
例えば、判定部785bは、取得された画像と基準画像との画像マッチングを行い、一致度を示すマッチングスコアを求め、マッチングスコアがスコア閾値を超えれば濡れ性が基準を満たすと判定でき、マッチングスコアがスコア閾値を下回れば濡れ性が基準を満たさないと判定できる。一例として、判定部785bは、図9(a)に示す画像が取得された場合、マッチングスコアがスコア閾値を下回ったとして基準を満たさないと判定でき、図9(b)に示す画像が取得された場合、マッチングスコアがスコア閾値を超えたとして基準を満たすと判定できる。図9(a)、図9(b)は、それぞれ、基板10上のパターン非形成領域12の画像を示す図である。
あるいは、判定部785bは、取得された画像に対して輪郭抽出(エッジ検出)処理を行い、抽出されたレジストの輪郭パターンと基準輪郭パターンとの画像マッチングを行い、一致度を示すマッチングスコアを求め、マッチングスコアがスコア閾値を超えれば濡れ性が基準を満たすと判定でき、マッチングスコアがスコア閾値を下回れば濡れ性が基準を満たさないと判定できる。判定部785bは、図9(a)に示す画像が取得された場合、マッチングスコアがスコア閾値を下回ったとして基準を満たさないと判定でき、図9(b)に示す画像が取得された場合、マッチングスコアがスコア閾値を超えたとして基準を満たすと判定できる。
あるいは、判定部785bは、取得された画像に対して輪郭抽出(エッジ検出)処理を行い、抽出された輪郭パターンに基づいてレジストの液滴の平均サイズを求め、液滴の平均サイズがサイズ閾値を超えれば濡れ性が基準を満たすと判定でき、液滴の平均サイズがサイズ閾値を下回れば濡れ性が基準を満たさないと判定できる。判定部785bは、図9(a)に示す画像が取得された場合、液滴の平均サイズがサイズ閾値を下回ったとして基準を満たさないと判定でき、図9(b)に示す画像が取得された場合、液滴の平均サイズがサイズ閾値を超えたとして基準を満たすと判定できる。
あるいは、判定部785bは、取得された画像に対して輪郭抽出(エッジ検出)処理を行い、抽出された輪郭パターンに基づいてレジストの液滴の輪郭の真円度を求め、輪郭の真円度が真円度閾値を下回れば基準を満たすと判定でき、輪郭の真円度が真円度閾値を超えれば基準を満たさないと判定できる。判定部785bは、図9(a)に示す画像が取得された場合、輪郭の真円度が真円度閾値を超えたとして基準を満たさないと判定でき、図9(b)に示す画像が取得された場合、輪郭の真円度が真円度閾値を下回ったとして基準を満たすと判定できる。
あるいは、判定部785bは、取得された画像に対してレジストの占有領域を特定し、画像の全面積に占めるレジストの占有領域の面積の割合を計算してレジストの面積占有率を求め、レジストの面積占有率が占有率閾値を超えれば濡れ性が基準を満たすと判定でき、レジストの面積占有率が占有率閾値を下回れば濡れ性が基準を満たさないと判定できる。判定部785bは、図9(a)に示す画像が取得された場合、レジストの面積占有率が占有率閾値を下回ったとして基準を満たさないと判定でき、図9(b)に示す画像が取得された場合、レジストの面積占有率が占有率閾値を超えたとして基準を満たすと判定できる。
レジストの濡れ性が基準を満たないとインプリント装置7で判定されると(S9でNo)、その判定結果がインプリント装置7からホストコントローラ2へ通知されるとともに、基板(レプリカテンプレート)10がインプリント装置7から搬送系3へ搬出される。
加工装置5は、レジストを全面的に剥離する旨の指示をホストコントローラ2から受けることができる。搬送系3により基板10が搬入されると、加工装置5は、ホストコントローラ2からの指示に従い、基板10上のレジストを全面的に剥離する(図1のS10)。加工装置5は、例えばウェットエッチングにより基板10上のレジストパターン31a及びレジスト32を除去することで、レジストを剥離する。レジストの剥離が完了すると、基板(レプリカテンプレート)10が加工装置5から搬送系3へ搬出される。
ホストコントローラ2は、レジストの濡れ性が基準を満たないとの判定結果をインプリント装置7から受け、それに応じて、基板(レプリカテンプレート)10に対する表面処理の条件を変更し、変更後の表面処理の条件を表面処理装置4へ指示する(図1のS11)。これにより、その後のS2において、変更後の表面処理の条件で基板(レプリカテンプレート)10に対する表面処理がなされ得る。
一方、レジストの濡れ性が基準を満たすとインプリント装置7で判定されると(S9でYes)、その判定結果がインプリント装置7からホストコントローラ2へ通知されるとともに、基板(レプリカテンプレート)10がインプリント装置7から搬送系3へ搬出される。
加工装置5は、パターン非形成領域のレジストを選択的に除去する旨の指示をホストコントローラ2から受けることができる。搬送系3により基板10が搬入されると、加工装置5は、ホストコントローラ2からの指示に従い、図10(a)に示すように、基板10上のパターン非形成領域12のレジスト32を選択的に除去する(図1のS12)。加工装置5は、例えばウェットエッチングにより基板10上のパターン非形成領域12のレジスト32を選択的に除去することができる。
次いで、加工装置5は、レジストパターン31aを基板10へ転写加工する旨の指示をホストコントローラ2から受けることができる。加工装置5は、ホストコントローラ2からの指示に従い、図10(b)、図10(c)に示すように、レジストパターン31aを基板10へ転写加工する(図1のS13)。加工装置5は、例えばドライエッチングによりレジストパターン31aを基板10へ転写加工する。これにより、基板10におけるパターン形成領域11にレジストパターン31aに対応した凹凸パターン11aが形成され、凹凸パターン11aを有する基板(レプリカテンプレート)10が形成される。このとき、密着膜14が除去されてもよい。
以上のように、実施形態では、レジストを基板上におけるパターン形成領域だけでなくパターン非形成領域にも滴下し、離型後にパターン非形成領域のレジストの平面形状に基づいてレジストの濡れ性を評価し、レジストの濡れ性が基準を満たす場合にパターン転写を行う。これにより、基板(レプリカテンプレート)の製造において、パターン欠陥の発生を防止でき、適切なパターンを形成できる。すなわち、基板(レプリカテンプレート)の製造において、パターン転写の加工を行うべきかどうか判断できるので、基板の無駄を回避することができ、基板を再作成するまでの製造時間を短縮できる。
なお、親レジスト性に改質する表面処理に用いられるシランカップリング剤として、モノアルコキシシラン類、ジアルコキシシラン類、トリアルコキシシラン類、モノクロロシラン類、ジクロロシラン類、トリクロロシラン類などが例示される。表面処理で基板10の表面10aに形成され得る密着層として、光ラジカル重合性基を有するシランカップリング剤、または光カチオン重合性基を有するシランカップリング剤などを用いることができる。
また、密着層14として、3−(Trimethoxysilyl)propyl Acrylate、3−[Diethoxy(methyl)silyl]propyl Methacrylate、3−(Trimethoxysilyl)propyl Methacrylate、3−[Tris(trimethylsilyloxy)silyl]propyl Methacrylate、3−[Dimethoxy(methyl)silyl]propyl Methacrylate、3−(Methoxydimethylsilyl)propyl Acrylate、3−(Triethoxysilyl)propyl Methacrylate、3−(Triallylsilyl)propyl Acrylate、3−(Triallylsilyl)propyl Methacrylate、Diethoxy(3−glycidyloxypropyl)methylsilane、3−Glycidyloxypropyltrimethoxysilane、3−Glycidyloxypropyl(dimethoxy)methylsilane、[8−(Glycidyloxy)−n−octyl]trimethoxysilane、Triethoxy(3−glycidyloxypropyl)silaneなどを例示することができる。
また、図6及び図7では、原版(マスターテンプレート)及び基板(レプリカテンプレート)のそれぞれの裏面にザグリと呼ばれるくり抜き加工(又はコアアウト加工)が施されている場合について例示されているが、原版(マスターテンプレート)の裏面にくり抜き加工(又はコアアウト加工)が施されずに基板(レプリカテンプレート)の裏面にくり抜き加工(又はコアアウト加工)が施されてもよい。あるいは、基板(レプリカテンプレート)の裏面にくり抜き加工(又はコアアウト加工)が施されずに原版(マスターテンプレート)の裏面にくり抜き加工(又はコアアウト加工)が施されてもよい。あるいは、原版(マスターテンプレート)及び基板(レプリカテンプレート)のそれぞれの裏面にくり抜き加工(又はコアアウト加工)が施されなくてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 インプリントシステム、7 インプリント装置、71 原版ステージ、72 基板ステージ、73 光学カメラ、74 液滴下装置、75 光源、78 コントローラ。
Claims (11)
- 基板の表面における第1領域と第2領域とのそれぞれにレジストを滴下することと、
原版のパターンを前記第1領域のレジストに押し当てることと、
前記レジストを硬化させることと、
前記原版を前記レジストから離型させることと、
前記基板における前記第2領域における前記レジストの状態に基づいて、前記レジストの濡れ性を評価することと、
を備えた基板の製造方法。 - 前記第2領域は、パターンが形成されない領域である
請求項1に記載の基板の製造方法。 - 前記レジストの濡れ性が基準を満たす場合、前記第2領域のレジストを選択的に除去することと、
前記選択的な除去の後に、前記第1領域において前記レジストのパターンを前記基板へ転写することと、
をさらに備えた
請求項1又は2に記載の基板の製造方法。 - 前記レジストの滴下の前に、第1の条件で前記基板の表面を処理することと、
前記レジストの濡れ性が基準を満たさない場合、前記基板の表面におけるレジストを全面的に除去することと、
前記全面的な除去の後に、第2の条件で前記基板の表面を処理することと、
をさらに備えた
請求項1から3のいずれか1項に記載の基板の製造方法。 - 前記濡れ性の評価は、
前記離型の後に、前記基板における前記第2領域の画像を取得することと、
前記取得された画像に基づいて、前記レジストの濡れ性が基準を満たすか否か判定することと、
を含む
請求項1から4のいずれか1項に記載の基板の製造方法。 - 前記判定は、
前記取得された画像を基準画像と比較することと、
前記比較の結果に応じて、前記レジストの濡れ性が基準を満たすか否かを判断することと、
を含む
請求項5に記載の基板の製造方法。 - 前記基板の表面は、前記第1領域が前記第2領域に対して台座状に隆起している
請求項1から6のいずれか1項に記載の基板の製造方法。 - 基板を保持する基板ステージと、
原版を保持する原版ステージと、
前記保持された基板の上にレジストを滴下する滴下装置と、
前記基板の表面における第1領域と第2領域とのそれぞれにレジストを滴下させ、前記原版のパターンを前記第1領域のレジストに押し当て、前記レジストを硬化させ、前記原版を前記レジストから離型させ、前記基板における前記第2領域における前記レジストの状態に基づいて、前記レジストの濡れ性を評価するコントローラと、
を備えたインプリント装置。 - 前記第2領域は、パターンが形成されない領域である
請求項8に記載のインプリント装置。 - 前記コントローラは、
前記基板における前記第2領域の画像を取得する取得部と、
前記取得された画像に基づいて、前記レジストの濡れ性が基準を満たすか否か判定する判定部と、
を有する
請求項8又は9に記載のインプリント装置。 - 前記基板の表面は、前記第1領域が前記第2領域に対して台座状に隆起している
請求項8から10のいずれか1項に記載のインプリント装置。
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