KR20160112961A - 임프린트 시스템 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 시스템 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 시스템을 제공하고, 상기 시스템은, 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하는 디스펜서를 각각 포함하고 상기 임프린트 처리를 행하도록 구성되는 복수의 처리 유닛, 복수의 레이아웃 정보를 관리하도록 구성되는 라이브러리, 및 제1 처리 유닛에 의해 사용된 몰드가 제2 처리 유닛에 의해 사용되는 경우, 상기 제1 처리 유닛과 상기 제2 처리 유닛과의 사이에서의 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 기초하여, 상기 제1 처리 유닛에 의해 사용된 레이아웃 정보에 대한 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 대응하는 차이를 갖는 레이아웃 정보를 사용함으로써, 상기 제2 처리 유닛을 제어하도록 구성되는 제어 유닛를 포함한다.

Description

임프린트 시스템 및 물품의 제조 방법{IMPRINT SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 시스템 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 기술은, 나노 스케일의 미세 패턴의 형성을 가능하게 하는 기술이며, 반도체 디바이스 및 자기 기억 매체의 양산용 나노 리소그래피 기술의 하나로서 주목받고 있다. 임프린트 기술을 사용하는 임프린트 장치는, 예를 들어 임프린트재 액적이 도포되는 기판 상의 맵(도포 패턴, 임프린트 레시피, 드롭 레시피라고도 불린다)에 따라 임프린트재를 기판 상에 공급한다. 그리고, 기판 상에 공급된 임프린트재를 몰드와 접촉시킨 상태에서 당해 임프린트재를 경화시킴으로써 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성할 수 있다.
임프린트 장치는, 기판 상에 형성된 임프린트재의 패턴에서 결함, RLT(Residual Layer Thickness:잔막 두께) 이상 등을 감소시키도록 맵을 생성할 수 있다. 일본 특허 제5214683호는, 몰드의 패턴에 충전되는 임프린트재의 양, 기판 상에 형성되는 패턴의 잔막 두께, 기판의 샷 영역 및 에지의 위치, 하지(underlayer)(기판)의 요철 분포, 및 후속 공정에서의 가공 치수의 변동을 고려하여 맵을 생성하는 방법을 제안하고 있다. 일본 특허 공개 공보 제2012-114157호는, 반도체 집적 회로를 구성하는 각각의 회로 블록마다 생성된 맵을 조합하여 1개의 샷 영역에 대한 맵을 생성하는 방법을 제안하고 있다.
복수의 임프린트 장치(처리 유닛)를 포함하는 임프린트 시스템에서는, 미리 정해진 임프린트 장치에 의해 사용되는 몰드가 다른 임프린트 장치에 의해 사용되는 경우가 있다. 이 경우, 몰드를 사용하여 기판 상에 형성된 임프린트재 형상의 패턴 사이에서 어떠한 차이도 발생하지 않도록 임프린트 처리가 행해질 수 있다. 그러나, 미리 정해진 임프린트 장치에 의해 사용되는 맵이 다른 임프린트 처리에 적용되는 경우, 이들 임프린트 장치 사이의 개별적인 차이에 의해, 임프린트재로부터 형성된 패턴의 결함, RLT(잔막 두께) 등이 변할 수 있다. 한편, 당해 몰드를 다른 임프린트 장치에서 사용할 때에 새로운 맵을 생성하는 경우, 맵의 생성 동안 임프린트 장치에서의 임프린트 처리가 중단되기 때문에, 임프린트 장치의 생산성(가동률)이 저하될 수 있다.
본 발명은 예를 들어 생산성에서 유리한 임프린트 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용하여 기판 상에 공급된 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 시스템이 제공되며, 상기 시스템은, 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하는 디스펜서를 각각 포함하고 상기 임프린트 처리를 행하도록 구성되는 복수의 처리 유닛; 서로 상이한 복수의 레이아웃 정보를 관리하도록 구성되는 라이브러리로서, 상기 복수의 레이아웃 정보의 각각은 상기 디스펜서로부터 공급될 상기 임프린트재의 상기 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는, 라이브러리; 및 상기 복수의 처리 유닛 중 제1 처리 유닛에 의해 사용된 몰드가 상기 제1 처리 유닛과 상이한 제2 처리 유닛에 의해 사용되는 경우, 상기 제1 처리 유닛과 상기 제2 처리 유닛과의 사이에서의 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 기초하여, 상기 제1 처리 유닛에 의해 사용된 레이아웃 정보에 대한 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 대응하는 차이를 갖는 레이아웃 정보를 사용함으로써, 상기 제2 처리 유닛을 제어하도록 구성되는 제어 유닛를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 임프린트 시스템의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 3은 호스트 서버의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 4는 라이브러리의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 5는 생성 서버의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 6은 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은 임프린트 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 임프린트 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 맵을 생성하는 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 10은 공급량 분포 정보의 일례를 도시하는 도면이다.
도 11은 맵의 일례를 도시하는 도면이다.
도 12는 맵의 선택을 설명하기 위한 흐름도이다.
본 발명의 예시적인 실시형태를 첨부의 도면을 참고하여 이하에서 설명한다. 동일한 참조 번호는 도면 전체에서 동일한 부재를 나타내며, 그에 대한 반복적인 설명은 주어지지 않는다는 것을 유의하라.
<제1 실시형태>
본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트 시스템(10)에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 임프린트 시스템(10)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 시스템(10)은, 기판 상에 임프린트재(예를 들어, 수지)를 공급하고, 몰드를 사용하여 기판 상에 공급된 임프린트재에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 본 실시형태는, 임프린트재를 경화하는 방법으로서, 자외선의 조사에 의해 임프린트재를 경화시키는 광경화법을 사용한다. 그러나, 본 실시형태는 이것으로 한정되지 않고 열에 의해 임프린트재를 경화시키는 열경화법을 사용할 수 있다. 임프린트 시스템(10)은 복수의 임프린트 장치(100)(처리 유닛), 호스트 서버(200)(제어 유닛), 라이브러리(300), 및 생성 서버(400)(생성 유닛)를 포함할 수 있다.
복수의 임프린트 장치(100)의 각각은, 기판 상에 임프린트재를 공급하기 위한 디스펜서(도포 유닛)를 포함하고, 임프린트 처리를 행하는 처리 유닛으로서 기능한다. 예를 들어, 각각의 임프린트 장치(100)는, 디스펜서로부터 공급될 임프린트재 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는 맵에 따라 기판 상에 임프린트재 액적을 공급한다. 임프린트 장치(100)는, 기판 상의 임프린트재를 몰드와 접촉시킨 상태에서 기판 상의 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 이형함으로써, 기판 상의 임프린트재에 패턴을 형성한다. 맵은 레이아웃 정보, 도포 패턴, 임프린트 레시피, 드롭 레시피 등이라고도 불린다. 복수의 임프린트 장치(100)의 각각은, 임프린트 처리 조건 및 임프린트 장치(100)의 상태에 관한 정보를 호스트 서버(200)에 송신하는 기능(10a)을 갖고 있다.
호스트 서버(200)는, CPU, 메모리, 및 HDD를 포함하는 컴퓨터로 형성되고, 임프린트 시스템(10)의 각각의 유닛, 즉 복수의 임프린트 장치(100), 라이브러리(300) 및 생성 서버(400)를 제어한다. 호스트 서버(200)는, 예를 들어 디스펜서로부터 공급될 임프린트재 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는 맵을 제어한다. 또한, 호스트 서버(200)는 임프린트 처리를 행할 때의 임프린트 조건(임프린트재 조건)을 제어한다. 호스트 서버(200)는, 임프린트 처리에 사용되는 맵, 즉 임프린트 처리에 적절한 맵을 임프린트 장치(100)에 송신하는 기능(10b) 및 라이브러리(300)에 의해 관리되는 맵을 참조하는 기능(10c)을 갖는다. 또한, 호스트 서버(200)는, 새로운 맵의 생성을 지시하는 작업 및 맵을 생성하는데 필요한 정보를 생성 서버(400)에 송신하는 기능(10e)을 갖는다. 이 경우, 맵을 생성하는데 필요한 정보는, 예를 들어 몰드 패턴의 치수, 기판 상에 형성될 패턴(임프린트재에 형성된 패턴)의 잔막 두께, 기판면내 분포 정보, 및 기판의 샷 영역의 레이아웃 정보를 포함할 수 있다. 또한, 기판면내 분포 정보는, 기판면내에서의 임프린트재의 휘발 체적의 분포 및 기판면내에서의 기류의 분포를 포함할 수 있다.
라이브러리(300)는, CPU, 메모리, 및 HDD를 포함하는 컴퓨터로 형성되고, 디스펜서로부터 공급될 임프린트재 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는 맵(레이아웃 정보)을 관리(보관)한다. 라이브러리(300)는, 임프린트재에 적합한 맵을 호스트 서버(200)에 송신하는 기능(10d), 및 맵의 생성에 필요한 정보를 생성 서버(400)에 송신하는 기능(10f)을 갖는다. 라이브러리(300)는 또한 복수의 보관되어 있는 맵의 생성 이력 및 선택 이력을 분석하는 기능을 가질 수 있다.
생성 서버(400)는, CPU, 메모리, 및 HDD를 포함하는 컴퓨터로 형성되고, 호스트 서버(200)로부터의 작업에 따라, 디스펜서로부터 공급될 임프린트재 액적의 기판 상에서의 레이아웃(공급 위치)을 나타내는 맵을 생성한다. 이 경우, 생성 서버(400)는, 몰드 패턴 치수(몰드의 패턴 설계값 또는 실측값) 및 기판 상에 형성될 패턴의 잔막 두께에 기초하여, 맵을 생성한다. 또한, 생성 서버(400)는, 기판면내에서의 임프린트재의 휘발 체적의 분포 및 기판면내에서의 기류의 분포를 포함하는 기판면내 정보 및 기판의 샷 영역의 레이아웃 정보 중 적어도 하나에 기초하여 맵을 생성할 수 있다. 생성 서버(400)는, 이러한 맵의 생성에 필요한 정보를, 상술한 바와 같이, 호스트 서버(200) 또는 라이브러리(300)로부터 취득한다. 생성 서버(400)는 또한 생성된 맵을 라이브러리(300)에 송신하는 기능(10g)을 갖는다.
이 경우, 임프린트 시스템(10)을 구성하는 장치, 서버 및 라이브러리 사이에서의 기능은, 도 1에 도시된 구성으로 한정되지 않고, 도 1에 도시된 것과 상이한 장치, 서버 및 라이브러리 사이에서 행해질 수 있다. 또한, 호스트 서버(200), 라이브러리(300) 및 생성 서버(400)는 임프린트 시스템(10)의 외부에 제공될 수 있다. 그러나, 이 경우에도, 호스트 서버(200), 라이브러리(300) 및 생성 서버(400)는 복수의 임프린트 장치(100)의 각각에 접속되어, 임프린트 처리에 적합한 맵을 각각의 임프린트 장치(100)에 제공한다.
이러한 구성을 갖는 임프린트 시스템(10)에서는, 라이브러리(300)는 기판 상에 형성될 패턴 및 잔막 두께에 따라서 생성된 복수의 상이한 맵을 보관한다. 예를 들어, 임프린트 장치(100)에 의해 사용되는 몰드의 패턴 형상에 따라, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 각각의 임프린트 장치(100)에 의해 사용될 맵을 선택할 수 있다. 이 경우, 임프린트 시스템(10)에서는, 복수의 임프린트 장치 사이에서의 개별적인 차이, 복수의 몰드의 패턴 형상의 제조 오차 등으로 인해, 복수의 임프린트 장치(100)에 의해 취득된 임프린트 처리 결과를 동등하게 하는 것이 어려운 경우가 있다. 그로 인해, 본 실시형태에 따른 임프린트 시스템(10)에서는, 각각의 임프린트 장치(100) 및 각각의 몰드에 대해 식별 정보(장치 ID 및 몰드 ID)가 각각 설정된다. 라이브러리(300)는, 임프린트 장치(100) 중 대응하는 임프린트 장치의 식별 정보 및 몰드(101) 중 대응하는 몰드의 식별 정보와 관련지어 복수의 맵을 관리한다. 호스트 서버(200)는, 각각의 임프린트 장치(100)에 의해 사용될 맵을, 당해 임프린트 장치(100) 및 그것에 의해 사용되는 몰드에 대해 각각 설정된 식별 정보에 기초하여, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 선택한다. 이에 의해, 임프린트 시스템(10)은, 임프린트 장치(100)와 몰드의 조합에 대응하는 맵을 적절하게 선택할 수 있다. 이는 몰드에 의해 성형된 임프린트재의 패턴 사이의 형상 및 잔막 두께의 변동을 저감시킬 수 있다.
이 경우, 호스트 서버(200)는, 각각의 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리 조건에 관한 정보를, 당해 임프린트 장치(100)의 식별 정보와 관련지어 관리한다. 임프린트 처리 조건은, 예를 들어 임프린트 처리에서의 단위 시간당의 액적의 휘발 체적, 기판 상에 공급되는 임프린트재의 양, 디스펜서에 의해 기판에 공급되는 임프린트재 액적의 양 및 위치 정밀도 중 적어도 1개를 포함할 수 있다. 상기 정보는 임프린트재의 오래된 정도(age)(임프린트재의 사용을 개시하고 나서의 기간)를 포함할 수 있다. 또한, 호스트 서버(200)는, 각각의 몰드의 패턴 형상에 관한 정보를 당해 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리한다. 각각의 몰드의 패턴 형상에 관한 정보는, 예를 들어 몰드에 형성된 패턴의 설계 정보 및 실제 치수, 결함 정보(결함의 수), 세정 횟수, 및 임프린트 횟수 중 적어도 1개를 포함할 수 있다.
본 실시형태에 따른 임프린트 시스템(10)에서, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵은 임프린트 장치(100) 및 몰드의 양쪽 모두에 대응하는 맵을 포함하지 않는 경우가 있다. 이 경우, 각각의 임프린트 장치(100)에서의 임프린트재 조건에 관한 정보 및 각각이 몰드의 패턴 형상에 관한 정보에 기초하여, 임프린트 처리 결과에 대한 그 영향을 허용 범위 내에 들어갈 수 있게 하는 맵이 선택될 수 있다. 복수의 임프린트 장치(100) 중 제1 임프린트 장치(100A) 및 제2 임프린트 장치(100B)에서의 임프린트 처리 조건은 거의 동등한 것으로 상정한다. 이 경우, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵을, 제1 임프린트 장치(100A)와 관련지어 관리되는 복수의 맵으로부터 선택할 수 있다.
또한, 임프린트 시스템(10)은, 상술한 바와 같이, 임프린트재 조건에 관한 정보 및 몰드의 패턴 형상에 관한 정보를, 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리한다. 그로 인해, 라이브러리(300)는 임프린트 장치(100) 및 몰드(이하에서 설명됨)에서의 변화(예를 들어, 시간에 걸친 변화)에 대응하는 복수의 맵을 관리하여 상기 변화에 따라 적절한 맵을 선택할 수 있게 한다. 이는, 임프린트 처리 결과에 대한 임프린트 장치(100) 및 몰드에서의 변화의 영향을 감소시킬 수 있다. 즉, 이는 몰드에 의해 성형된 임프린트재 패턴의 치수를 허용가능 범위 내에 있게 할 수 있다.
임프린트 장치(100)에서의 변화는, 임프린트 처리에서의 단위 시간당의 액적의 휘발 체적의 변화 및 디스펜서로부터 기판에 공급되는 액적의 양 및 위치 정밀도의 변화를 포함할 수 있다. 임프린트 장치(100)에서의 변화는 테스트 임프린트 처리 등을 행함으로써 구해질 수 있다. 또한, 몰드에서의 변화는, 임프린트 처리 및 몰드의 세정에 의해 발생되는 패턴 치수의 변화, 결함의 수 및 위치의 변화를 포함할 수 있다. 패턴의 치수는, 몰드 패턴의 각각의 오목부 깊이, 패턴의 선 폭(CD:Critical Dimension), 및 테이퍼 각을 포함할 수 있다. 몰드에서의 변화는, 임프린트 처리 후의 몰드의 패턴 형상의 계측 결과로부터 취득될 수 있다.
이하에서 임프린트 장치(100) 및 몰드에서의 변화에 대응하는 복수의 맵에 대해서 설명한다. 예를 들어, 라이브러리는, 임프린트 처리에서의 액적의 휘발 체적의 1% 마다의 변화에 대응하도록 액적의 수가 1%씩 상이한 복수의 맵을 임프린트 장치(100)와 관련지어 관리할 수 있다. 또한, 라이브러리는, 디스펜서로부터 토출되는 액적의 양의 1% 마다의 변화에 대응하도록 액적의 양이 1%씩 상이한 복수의 맵을 임프린트 장치(100)과 관련지어 관리할 수 있다. 이는, 각각의 임프린트 장치(100)에서의 변화에 대응하는 맵을 선택할 수 있게 한다.
마찬가지로, 예를 들어 라이브러리는 몰드 패턴의 오목부 깊이 1nm마다의 변화에 대응하도록 액적의 수가 1nm의 오목부 깊이에 대응하는 액적의 수씩 상이한 복수의 맵을 몰드와 관련지어 관리한다. 또한, 라이브러리는, 몰드 패턴의 선 폭의 1nm마다의 변화에 대응하도록 액적의 수가 1nm의 선 폭에 대응하는 액적의 수씩 상이한 복수의 맵을 몰드와 관련지어 관리한다. 이는 각각의 몰드에서의 변화에 대응하는 맵을 선택할 수 있게 한다.
[임프린트 장치의 구성]
도 2는, 임프린트 시스템(10)에서의 각각의 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는, 반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에서 사용되는 리소그래피 장치이며, 기판 상의 임프린트재를 몰드를 사용하여 성형한다. 임프린트 장치(100)는, 몰드(101)를 보유지지하는 헤드(102), 조사 유닛(103), 기판(104)을 보유지지하는 스테이지(105), 디스펜서(110), 공급 유닛(111), 제어 유닛(112), 및 보관 유닛(113)을 포함한다.
몰드(101)는, 기판(104)에 대향하는 면에, 기판(104)에 공급된 임프린트재(120)에 전사해야 할 패턴이 형성된 패턴 영역(101a)을 갖는다. 몰드(101)는 예를 들어 직사각형 외형 형상을 갖는다. 몰드(101)는, 기판 상의 임프린트재(120)을 경화시키기 위한 자외선을 투과하는 재료, 예를 들어 석영으로 형성될 수 있다. 또한, 기판(104)은, 몰드(101)의 패턴이 전사되는 기판이며, 예를 들어 단결정 실리콘 기판 또는 SOI(Silicon on Insulator) 기판을 포함한다.
헤드(102)는, 몰드(101)를 진공 흡착력 또는 정전기력에 의해 보유지지한다. 헤드(102)는, 몰드(101)를 Z축 방향으로 구동하는(이동시키는) 구동 기구를 포함한다. 헤드(102)는, 기판 상에 공급된 미경화 임프린트재(120)에 몰드(101)를 압인하는 기능 및 기판 상의 경화된 임프린트재(120)로부터 몰드(101)를 이형하는 기능을 갖는다.
스테이지(105)는, 기판(104)을 보유지지하는 기판 척 및 몰드(101)를 기판(104)과 정렬시키는 구동 기구를 포함한다. 이 구동 기구는, 예를 들어 조동 구동계 및 미동 구동계로 구성되고, X축 및 Y축 방향으로 기판(104)을 구동한다(이동시킨다). 또한, 구동 기구는, X축 및 Y축 방향뿐만 아니라, Z축 방향 및 θ 방향(Z축 둘레의 회전 방향)으로 기판(104)을 구동하는 기능 및 기판(104)의 기울기를 보정하는 틸트 기능을 가질 수 있다.
조사 유닛(103)은 기판 상의 임프린트재(120)를 경화시키는 기능을 갖는다. 조사 유닛(103)은, 예를 들어 할로겐 램프 또는 LED를 포함하고, 몰드(101)를 통해 기판 상의 수지에 자외선을 조사한다.
공급 유닛(111)은 미경화 임프린트재(120)를 보관하는 탱크를 포함한다. 공급 유닛(111)은, 공급관을 통해 디스펜서(110)에 미경화 임프린트재(120)를 공급한다. 디스펜서(110)는, 기판(104)에 임프린트재(120)의 액적을 토출하는 복수의 노즐(토출구)을 포함하고, 기판 상에 임프린트재(120)를 공급(도포)한다. 본 실시형태에서는, 디스펜서(110)로부터의 임프린트재(120)의 공급량의 단위는 "액적"이고, 액적당의 임프린트재(120)의 양은 서브 피코리터(sub-picoliter) 내지 수 피코리터이다. 1 액적의 임프린트재(120)는 각각의 노즐(각각의 토출구)의 1회의 토출 동작에 의해 기판 상에 공급된다. 디스펜서(110)로부터 임프린트재(120)의 액적이 적하되는 기판 상의 위치는 수 ㎛마다 설정된다. 공급 유닛(111)으로부터 디스펜서(110)에 임프린트재(120)를 공급하면서 스테이지(105)를 구동시키고, 디스펜서(110)로부터 임프린트재(120)의 액적을 토출함으로써, 기판 상에 임프린트재(120)의 액적의 레이아웃이 형성된다.
제어 유닛(112)은, CPU 및 메모리를 포함하고, 임프린트 장치(100)의 전체 동작을 제어한다. 제어 유닛(112)은, 임프린트 장치(100)의 각각의 유닛을 제어하여 임프린트 처리를 행한다. 또한, 제어 유닛(112)은, 호스트 서버(200)에, 필요에 따라, 임프린트 처리 결과, 몰드(101) 및 디스펜서(110)의 사용 이력, 임프린트 환경의 온도 및 습도의 변화 등의 임프린트재(120)의 휘발에 관계되는 정보 등을 송신한다. 제어 유닛(112)은 호스트 서버(200)로부터 취득한 맵을 보관 유닛(113)에 보관한다.
[호스트 서버의 구성]
도 3은 임프린트 시스템(10)에서의 호스트 서버(200)의 구성을 도시하는 개략도이다. 호스트 서버(200)는, 결과 관리 유닛(201), 결과 판정 유닛(202), 맵 선택 유닛(203), 장치 정보 관리 유닛(204), 패턴 정보 관리 유닛(205), 설계 정보 관리 유닛(206), 조건 관리 유닛(207), 장치 이력 송신 유닛(208), 및 생성 지시 유닛(209)을 포함할 수 있다.
결과 관리 유닛(201)은, 각각의 임프린트 장치(100)로부터, 임프린트 처리 시의 장치 조건, 몰드(101)의 사용 이력, 디스펜서(110)의 사용 이력, 및 임프린트 처리 결과를 포함하는 임프린트 결과 정보를 취득하고, 이들 정보를 관리한다. 또한, 결과 관리 유닛(201)은, 검사 장치로부터, 임프린트 장치(100)에 의해 취득된 임프린트 처리 결과를 분석함으로써 취득된 분석 결과를 취득하고, 분석 결과를 관리한다.
결과 판정 유닛(202)은, 결과 관리 유닛(201)에 의해 관리되는 임프린트 결과 정보에 기초하여, 디스펜서(110)로부터 공급될 임프린트재(120)의 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는 맵을 변경할 필요가 있는지의 여부를 판정한다.
맵 선택 유닛(203)은, 결과 판정 유닛(202)이 맵을 변경할 필요가 있다고 판정한 경우에, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 최적인 맵을 선택하고, 선택한 맵을 대응하는 임프린트 장치(100)에 송신한다. 맵 선택 유닛(203)은, 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보에 기초하여 맵을 선택한다. 임프린트 장치(100) 및 몰드(101)에 변화(예를 들어, 시간에 걸친 변화)가 발생하고 있는 경우에는, 맵 선택 유닛(203)은 당해 변화에 대응하는 맵을 선택할 수 있다. 상술한 바와 같이, 호스트 서버(200)는, 임프린트재 조건에 관한 정보 및 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보를 관리한다. 그로 인해, 맵 선택 유닛(203)은, 이들 정보에 따라 임프린트 장치(100) 및 몰드(101)의 변화에 대응하는 맵을 선택할 수 있다. 또한, 라이브러리(300)에 의해 최적인 맵이 관리되지 않는 경우에는, 맵 선택 유닛(203)은, 생성 지시 유닛(209)에, 새로운 맵(예를 들어, 최적인 맵)의 생성을 지시하기 위한 작업을 송신한다.
장치 정보 관리 유닛(204)은, 결과 관리 유닛(201)으로부터 임프린트 결과 정보를 취득하고, 임프린트 결과 정보로부터 장치 정보를 추출하며, 추출된 정보를 관리한다. 이러한 장치 정보는 임프린트 처리 조건에 관한 정보를 포함할 수 있다. 마찬가지로, 패턴 정보 관리 유닛(205)은, 결과 관리 유닛(201)으로부터 임프린트 결과 정보를 취득하고, 임프린트 결과 정보로부터 패턴 정보를 추출하며, 추출된 정보를 관리한다. 이러한 패턴 정보는 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보를 포함할 수 있다. 또한, 장치 정보 관리 유닛(204) 및 패턴 정보 관리 유닛(205)은 관리되는 정보의 변화를 감시하고 그 변화를 시간적 변화 정보로서 관리한다.
설계 정보 관리 유닛(206)은, 몰드(101)의 패턴의 설계 정보(설계값) 및 몰드(101)의 패턴의 검사 정보(실측값)를 관리한다. 조건 관리 유닛(207)은, 기판 상에 형성될 패턴의 잔막 두께, 기판(104)의 샷 영역의 레이아웃 정보, 몰드(101)의 패턴 안으로의 임프린트재의 충전 시간, 장치 설정 등을 관리한다.
장치 이력 송신 유닛(208)은, 장치 정보 관리 유닛(204) 및 패턴 정보 관리 유닛(205)으로부터 시간적 변화 정보를 취득하고, 시간적 변화 정보를 생성 지시 유닛(209)에 송신한다. 생성 지시 유닛(209)은, 맵 선택 유닛(203)으로부터의 작업에 따라, 설계 정보 관리 유닛(206), 조건 관리 유닛(207) 및 장치 이력 송신 유닛(208)으로부터 맵의 생성에 필요한 정보를 취득하고, 이러한 정보를 맵의 생성을 지시하는 작업과 함께 생성 서버(400)에 송신한다. 또한, 생성 지시 유닛(209)은, 라이브러리(300)의 맵 정보 관리 유닛(301)에 의해 관리되는 맵 정보를 참조하여, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 맵이 불충분한지 또는 불충분해질 수 있는지의 여부를 판정한다. 맵이 불충분하거나 불충분해질 수 있다고 판정하는 경우, 생성 지시 유닛(209)은 새로운 맵의 생성을 지시하는 작업을 생성 서버(400)에 송신한다.
[라이브러리의 구성]
도 4는 임프린트 시스템(10)에서의 라이브러리(300)의 구성을 도시하는 개략도이다. 라이브러리(300)는 맵 정보 관리 유닛(301) 및 맵 보존 유닛(302)을 포함할 수 있다.
맵 정보 관리 유닛(301)은, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 맵의 생성 시의 생성 조건에 관한 맵 정보를 관리한다. 이러한 맵 정보는, 맵의 생성시의 임프린트재 조건에 관한 정보 및 몰드의 패턴 형상에 관한 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 맵 정보 관리 유닛(301)은, 호스트 서버(200)로부터의 라이브러리(300)에 의해 관리되는 맵의 조회에 따라, 맵 정보를 참조하여 대응하는 맵이 관리되는지의 여부를 판정한다. 대응하는 맵이 관리되고 있을 경우에는, 맵 정보 관리 유닛(301)은 맵을 호스트 서버(200)에 송신한다. 또한, 맵 정보 관리 유닛(301)은, 호스트 서버(200)로부터 맵의 생성을 지시하는 작업을 취득한 경우에, 맵의 생성에 필요한 정보를 생성 서버(400)에 송신한다. 또한, 맵 정보 관리 유닛(301)은, 생성 서버(400)에 의해 생성된 새로운 맵의 맵 정보를 취득하고 이 정보를 관리한다.
맵 보존 유닛(302)은 임프린트 장치(100)에의 맵의 송신을 가능하게 하는 파일 형식으로 맵을 보존(보관)한다. 맵 보존 유닛(302)은, 맵 정보 관리 유닛(301)을 통해 호스트 서버(200)에 맵을 송신하고, 생성 서버(400)에 의해 생성된 맵을 보존한다.
[생성 서버의 구성]
도 5는 임프린트 시스템(10)에서의 생성 서버(400)의 구성을 도시하는 개략도이다. 생성 서버(400)는, 설계 정보 설정 유닛(401), 파라미터 설정 유닛(402), 레이아웃 정보 설정 유닛(403), 장치 이력 설정 유닛(404), 장치 변화 관리 유닛(405), 패턴 변화 관리 유닛(406), 액적 수 산출 유닛(407), 결정 유닛(408), 및 출력 유닛(409)을 포함한다.
설계 정보 설정 유닛(401)은, 몰드(101)에 형성되어 있는 패턴의 설계 정보를 호스트 서버(200)로부터 취득하고, 설계 정보를 설정(입력)한다. 파라미터 설정 유닛(402)은, 몰드(101)의 각각의 오목부의 깊이(각각의 볼록부의 높이), 기판 상에 형성된 패턴의 잔막 두께 등의 설정 정보를 호스트 서버(200)로부터 취득하고, 설정 정보를 설정(입력)한다. 또한, 파라미터 설정 유닛(402)은, 기판 상의 임프린트재(120)의 확대에 관한 정보, 몰드(101)의 패턴 안으로의 임프린트재(120)의 충전 시간, 및 기판 상에서 필요한 임프린트재(120)의 액적 사이의 간격 등의 제약 조건도 설정(입력)한다.
레이아웃 정보 설정 유닛(403)은, 기판(104)의 샷 영역의 레이아웃 정보를 호스트 서버(200)로부터 취득하고, 이러한 레이아웃 정보를 설정(입력)한다. 장치 이력 설정 유닛(404)은, 몰드(101) 및 디스펜서(110)의 사용 이력 등으로부터 산출되는 임프린트재(120)의 액적 보정량 및 액적의 기판 상에서의 레이아웃(공급 위치)을 결정하기 위한 분포 정보를, 호스트 서버(200)로부터 취득한다.
장치 변화 관리 유닛(405)은, 디스펜서(110)의 사용 이력으로부터 산출되는 임프린트재(120)의 액적 보정량 및 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 결정하기 위한 분포 정보를 관리(제공)한다. 패턴 변화 관리 유닛(406)은, 몰드(101)의 사용 이력으로부터 산출되는 임프린트재(120)의 액적 보정량 및 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 결정하기 위한 분포 정보를 관리(제공)한다.
액적 수 산출 유닛(407)은, 임프린트 처리를 행하는 기판 상의 임프린트 영역에 공급될 임프린트재(120)의 공급량, 즉 임프린트재(120)의 액적의 수를 산출한다. 액적 수 산출 유닛(407)은, 설계 정보 설정 유닛(401) 및 파라미터 설정 유닛(402)에 의해 설정된 정보, 장치 변화 관리 유닛(405) 및 패턴 변화 관리 유닛(406)에 의해 관리된 정보, 액적 보정량 등에 기초하여, 액적의 수를 산출한다.
결정 유닛(408)은 기판 상에서의 임프린트재(120)의 액적의 레이아웃(공급 위치)을 결정한다. 결정 유닛(408)은, 예를 들어 설계 정보 설정 유닛(401) 및 파라미터 설정 유닛(402)에 의해 설정된 정보, 장치 변화 관리 유닛(405) 및 패턴 변화 관리 유닛(406)에 의해 관리된 정보, 및 액적 수 산출 유닛(407)에 의해 산출된 액적의 수에 기초하여 액적의 레이아웃을 결정한다. 또한, 출력 유닛(409)은, 결정 유닛(408)에 의해 결정된 기판 상에서의 임프린트재(120)의 액적의 레이아웃에 기초하여, 지정된 형식으로 맵을 출력한다. 출력 유닛(409)로 출력된 맵은 라이브러리(300)에 송신되어 그것에 의해 관리된다.
[임프린트 처리]
임프린트 시스템(10)에서의 임프린트 처리에 대해서 상세하게 설명한다. 도 6은 임프린트 시스템(10)에서의 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다. 임프린트 처리는, 상술한 바와 같이, 호스트 서버(200)가 각각의 임프린트 장치(100), 라이브러리(300) 및 생성 서버(400)를 통괄적으로 제어하게 하고, 제어 유닛(112)이 임프린트 장치(100)의 각각의 유닛을 통괄적으로 제어하게 함으로써 행해진다. 상술한 바와 같이, 임프린트 장치(100)의 식별 정보(장치 ID)는 임프린트 장치(100)에 설정되어 있다.
단계 S100에서는, 기판(104)에 형성될 패턴을 형성할 수 있는 몰드(101)가 임프린트 장치(100) 안으로 반입되고 헤드(102)에 의해 보유지지된다. 몰드(101)는, 예를 들어 포토마스크로서 사용되는 투명한 석영 기판에 설계 정보에 대응하는 요철 패턴을 형성함으로써 취득된다. 상술한 바와 같이, 몰드(101)의 식별 정보(몰드 ID)가 몰드(101)에 설정되어 있다. 단계 S101에서는, 기판(104)은 임프린트 장치(100)에 반입되고, 도 7에 "71"로 도시한 바와 같이 스테이지(105)에 의해 보유지지된다. 단계 S102에서는, 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 헤드(102)에 의해 보유지지된 몰드(101)의 식별 정보가 취득된다.
단계 S103은, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터, 임프린트 처리에 사용될 맵을 선택하는 단계이다. 단계 S103a에서는, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터, 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리되는 맵 군이 취득된다. 이 경우, 호스트 서버(200)는, 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보에 기초하여, 임프린트재 조건에 관한 정보 및 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보를 취득한다. 임프린트재 조건에 관한 정보는, 사용될 임프린트 장치(100)에서의 노즐의 수, 각각의 노즐로부터 토출되는 임프린트재의 액적의 양의 평균 또는 변동, 및 기판 상에 공급되는 액적의 위치 정밀도(착탄 위치 변동) 등의 정보를 포함할 수 있다. 또한, 임프린트재 조건에 관한 정보는, 임프린트 환경의 온도, 기류, 산소 농도 및 휘발 체적 분포, 수지 종류, 및 임프린트 이력을 포함할 수 있다. 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보는, 몰드(101)의 패턴의 선 폭, 밀도, 및 결함의 수 등의 실측값에 관한 정보, 및 임프린트 횟수 및 세정 횟수 등의 이력 정보를 포함할 수 있다.
단계 S103b에서는, 단계 S103a에서 취득된 맵 군으로부터, 임프린트재 조건에 관한 정보 및 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보에 기초하여, 기판 상에 형성되는 임프린트재의 패턴 형상을 목표 형상으로하기 위해서 최적인 맵을 선택한다. 그리고, 선택된 맵이 대응하는 임프린트 장치(100)(디스펜서(110))에 설정된다. 맵은, 상술한 바와 같이, 기판 상에서의 임프린트재(120)의 액적의 레이아웃을 나타낸다. 즉, 맵은 기판(104)에 공급되는 임프린트재(120)의 양을 나타낸다. 즉, 단계 S103b에서 선택되는 맵은, 기판(104) 상에 형성되는 임프린트재(120)의 패턴에서 발생하는 결함 및 막 두께 이상을 저감시킬 수 있는 맵일 수 있다. 또한, 단계 S103a에서 취득된 맵 군이 최적인 맵을 포함하지 않는 경우에는, 최적인 맵이 후술하는 처리 플로우에 의해 생성될 수 있다.
단계 S104에서는, 기판(104)의 샷 영역 중, 임프린트 처리가 행하여지지 않은 샷 영역이 대상 샷 영역으로서 지정된다. 이 경우, 샷 영역은 1회의 임프린트 처리에 의해 패턴이 형성되는 영역을 의미하는 것으로 한다. 또한, 대상 샷 영역은 임프린트 처리가 행해질 샷 영역을 의미하는 것으로 한다. 본 실시형태에서는, 예를 들어 도 7에 "72"에 의해 도시한 바와 같이, 기판(104)의 연속하는 샷 영역 S1, S2, S3, S4, ...에 대해 순서대로 임프린트 처리가 행해진다. 그러나, 임프린트 처리 순서는, 도 7에 "72"에 의해 도시한 바와 같은 일방향순으로 한정되지 않고, 왕복순(지그재그순), 체크무늬패턴순, 또는 무작위적일 수 있다는 것을 유의하라.
단계 S105에서는, 디스펜서(110)는 기판 상에 임프린트재(120)를 공급한다. 이 경우, 디스펜서(110)는, 도 7에 "73"에 의해 도시한 바와 같이, 단계 S104에서 선택된 맵 사이에서, 스테이지(105)의 이동에 따라서 기판 상에 임프린트재(120)의 액적을 순서대로 토출한다.
단계 S106에서는, 임프린트 처리를 행한다. 더 구체적으로는, 먼저, 도 8에 "81"에 의해 도시한 바와 같이, 임프린트재(120)가 공급된 기판(104)에 대하여 몰드(101)를 근접시킨다. 계속해서, 도 8에 "82"에 의해 도시한 바와 같이, 몰드(101)를 기판(104)과 정렬시키면서, 몰드(101)를 기판 상의 임프린트재(120)와 접촉시킨다. 이 상태는 몰드(101)의 패턴에 임프린트재(120)가 충전 될 때까지 유지된다. 몰드(101)가 기판 상의 임프린트재(120)와 접촉되는 초기 단계에서는, 몰드(101)의 패턴은 임프린트재(120)로 충분하게 충전되지 않기 때문에, 패턴의 코너에서 충전 결함이 발생하고 있다. 즉, 시간이 경과함에 따라서, 몰드(101)의 패턴은 코너까지 임프린트재(120)로 충전되어, 미충전 결함이 감소한다.
단계 S107에서는, 경화 처리가 행해진다. 더 구체적으로는, 몰드(101)의 패턴이 임프린트재(120)로 충분히 충전된 후, 도 8에서 "83"에 의해 도시한 바와 같이, 조사 유닛(103)이 몰드(101)의 이면으로부터 임프린트재(120)에 자외선을 미리 정해진 시간 동안 조사하게 함으로써 기판 상의 임프린트재(120)를 경화시킨다. 단계 S108에서는, 이형 처리를 행한다. 더 구체적으로는, 도 8에 "84"에 의해 도시한 바와 같이, 기판 상의 경화된 임프린트재(120)로부터 몰드(101)를 분리한다. 이는, 몰드(101)를 사용하여 기판 상의 임프린트재(120)를 성형함으로써, 임프린트재(120)로 형성된 패턴을 기판 상에 형성할 수 있게 한다.
단계 S109에서는, 단계 S103b에서 선택된 맵을 변경하는 것이 필요한지의 여부를 판정한다. 이러한 판정의 기준은, 예를 들어 임프린트 처리 결과의 변화, 즉 기판 상에 형성된 임프린트재(120)의 패턴 선 폭(CD), 잔막 두께, 결함의 수 등의 변화이다. 이 경우, 판정 기준은 단위 시간당의 임프린트재(120)의 휘발 체적의 변화 및 대상 샷 영역이 기판(104)의 주변부에 배치된 절결 샷 영역인 것을 포함할 수 있다. 이러한 변화는, 디스펜서(110)로부터 토출된 임프린트재(120)의 액적의 액적 수 및 착탄 위치의 변화, 몰드(101)의 패턴의 치수 변화, 몰드(101)의 사용 횟수 등에 의해 발생할 수 있다. 또한, 이러한 변화는, 몰드(101)의 압인력 및 이형력의 변동, 임프린트 처리에서의 몰드(101)와 기판(104)과의 사이의 티끌의 끼임 등에 의해 발생될 수 있다. 각각의 임프린트 장치(100) 및 외부의 검지 장치는 임프린트 처리 결과의 변화를 검지할 수 있다. 임프린트 처리 결과의 변화의 검지는 패턴의 전사 불량(제품 불량)을 초래할 가능성을 나타낸다. 따라서, 이 경우, 임프린트 처리는 정지될 수 있다.
맵을 변경할 필요가 있는 경우, 처리는 새로운 맵을 선택하기 위해 단계 S103b로 복귀한다. 이 단계에서, 상기 변화를 고려하여 단계 S103a에서 취득된 맵 군으로부터 최적인 맵이 선택된다. 맵 군이 최적인 맵을 포함하지 않는 경우, 변화가 발생한 항목 및 변화량이 호스트 서버(200)에 송신되어, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 상기 변화를 고려하여 최적인 맵을 선택한다. 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵이 최적인 맵을 포함하지 않는 경우, 변화가 발생한 항목 및 변화량이 생성 서버(400)에 송신되어 생성 서버(400)가 새로운 맵을 생성시키게 한다. 맵을 변경할 필요가 없는 경우, 처리는 단계 S110로 이행된다.
단계 S110에서는, 기판(104) 상의 모든 샷 영역에 임프린트 처리가 행해진 것인지의 여부를 판정한다. 기판(104)의 모든 샷 영역에 임프린트 처리가 행해지지 않은 경우, 처리는 임프린트 처리가 행하여지지 않은 샷 영역을 대상 샷 영역으로서 지정하기 위해서 단계 S104로 복귀된다. 단계 S104로부터 단계 S110까지의 처리를 반복함으로써, 기판(104)의 모든 샷 영역에 임프린트재로 형성된 패턴을 형성할 수 있다. 한편, 기판(104)의 모든 샷 영역에 임프린트 처리가 행해진 경우에는, 처리는 단계 S111로 이행된다. 또한, 단계 S111에서는, 모든 샷 영역에 임프린트 처리가 행하여진 기판(104)을 임프린트 장치(100)로부터 반출한다. 임프린트 장치(100)로부터 반출된 기판(104)의 하층 측은 임프린트재(120)로 형성된 패턴을 사용하여 처리된다(예를 들어, 에칭된다). 반도체 디바이스를 제조할 때에는, 이러한 처리는 각각의 프로세스 레이어마다 반복된다.
이 경우, 맵을 변경할 필요가 있는지의 여부를 판정(단계 S109)할 때, 몰드(101)를 세정할 필요가 있는지의 여부도 판정할 수 있다. 몰드(101)를 세정할 필요가 없는 경우에는, 단계 S103a에서 취득된 맵 군으로부터, 상기 변화를 고려하여 최적인 맵이 선택된다. 맵 군이 최적인 맵을 포함하지 않는 경우에는, 변화가 발생한 항목 및 변화량을 호스트 서버(200)에 송신하여, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 상기 변화를 고려하여 최적인 맵을 선택한다. 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵이 최적인 맵을 포함하지 않는 경우, 변화가 발생한 항목 및 변화량을 생성 서버(400)에 송신하여 생성 서버가 새로운 맵을 생성하게 한다. 이 경우, 새로운 맵의 생성이 완료될 때까지, 사용하고 있던 몰드(101) 및 기판(104)을 임프린트 장치(100)로부터 제거하고, 다른 몰드(101) 및 다른 기판(104)을 당해 임프린트 장치(100)에 반입하여 임프린트 처리를 계속한다. 이에 의해, 임프린트 장치(100)의 생산성의 저하를 억제할 수 있다. 다른 몰드(101)를 사용하여 다른 기판(104)에 대해 임프린트 처리를 행하는 경우에도, 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어진 맵 군을 라이브러리(300)로부터 취득할 수 있다. 새로운 맵이 생성되었을 때에는, 맵은 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 라이브러리(300)에 보관될 수 있다.
한편, 몰드(101)를 세정할 필요가 있는 경우에는, 임프린트 처리를 정지하고, 헤드(102)로부터 몰드(101)을 제거한다. 이 경우에서도, 임프린트 장치(100)의 생산성의 저하를 억제하기 위해서, 다른 몰드(101) 및 다른 기판(104)을 임프린트 장치(100)에 반입하여 임프린트 처리를 계속한다.
헤드(102)로부터 제거된 몰드(101)는 몰드 세정 장치에 반입되어 세정된다. 몰드 세정 장치는, 예를 들어 몰드(101)에 부착된 티끌 및 오염물을, 화학물질 또는 순수를 사용하여 습식 세정하는 세정 장치, 또는 엑시머 레이저 또는 플라즈마를 사용하여 건식 세정하는 세정 장치일 수 있다. 몰드(101)의 세정이 완료되면, 몰드(101)가 세정된 것을 나타내는 정보가 몰드(101)의 사용 이력에 추가된다.
몰드(101)가 세정되면, 그 패턴이 마모되고, 패턴 형상의 변화가 발생할 수 있다. 이로 인해, 몰드(101)가 세정된 후, 세정된 몰드(101)의 패턴의 형상(요철 형상)을 계측할 수 있다. 더 구체적으로는, 몰드(101)의 패턴 형상으로서, 이하, 즉 몰드(101)의 패턴의 치수, 각각의 오목부와 각각의 볼록부와의 사이의 체적 비율(duty cycle: 듀티 사이클), 각각의 오목부의 깊이(각각의 볼록부의 높이), 요철 테이퍼 각, 표면 거칠기(Ra) 등을 계측한다. 이러한 몰드(101)의 패턴 형상을 나타내는 물리량은, 일반적인 치수 계측 장치, 높이 계측 장치, 및 거칠기 계측 장치에 의해 계측될 수 있다.
예를 들어, 몰드(101)의 패턴의 선 폭 및 듀티 사이클을 계측할 때에는, 전자 빔 방식의 치수 계측 장치(CD-SEM)가 사용될 수 있다. 몰드(101)의 패턴이 라인(오목부)과 스페이스(볼록부)의 반복 패턴인 경우, 라인의 폭 및 스페이스의 폭을 복수의 개소에서 계측한다. 세정 전의 몰드(101)와 세정 후의 몰드(101)와의 사이에 차이가 있는 경우, 몰드(101)의 패턴의 선 폭은 변화된다. 라인과 스페이스와의 사이의 비로부터 듀티 사이클을 구할 수 있다.
또한, 몰드(101)의 각각의 오목부의 깊이, 요철 테이퍼 각, 및 표면 거칠기를 계측하는 때에는, AFM 또는 공초점 현미경을 사용할 수 있다. 이들 계측은, 몰드(101)의 패턴을 직접 계측함으로써 달성될 수 있거나 몰드(101)의 외측에 제공되는 계측 패턴을 측정함으로써 간접적으로 달성될 수 있다.
몰드(101)가 세정되면, 몰드(101)의 표면(패턴 영역)이 미리 정해진 양만큼 마모되고 얇아지며, 패턴에 따라 마모량 분포가 발생된다. 예를 들어, 몰드(101)의 패턴이 라인(오목부)과 스페이스(볼록부)의 반복 패턴인 경우, 세정은 각각의 오목부의 폭을 증가시키고 각각의 볼록부의 폭을 저감시켜, 오목부의 체적 비율을 증가시킨다. 각각의 볼록부가 더 마모되는 경우, 각각의 볼록부의 높이는 저감되고, 요철 테이퍼 각은 작아진다. 몰드(101)의 표면에서의 오목부 및 볼록부가 작아지는 경우, 표면 거칠기가 작아진다.
몰드(101)의 패턴(요철 형상)을 나타내는 물리량은, 몰드(101)의 패턴을 직접 계측함으로써 취득된 계측 결과 대신 세정 후의 테스트 임프린트 처리에 의해 취득되는 임프린트재(120)의 패턴의 계측 결과로부터 취득될 수 있다. 테스트 임프린트 처리에 의해 취득되는 임프린트재(120)의 패턴을 계측하는 경우에는, 당해 임프린트재(120)를 잘라냄으로써 취득된 단면이 계측된다.
이와 같이 하여 계측된 몰드(101)의 패턴 치수는, 몰드(101)의 패턴 치수 실측값으로서 호스트 서버(200)에 송신되고, 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보로서 관리된다. 이는, 세정된 몰드를 사용하여 임프린트 처리를 행하는 경우에는, 몰드(101)을 세정한 후의 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보를 사용하여, 임프린트 처리에 사용되는 맵을 선택할 수 있게 한다.
[맵의 생성]
도 9를 참조하여, 디스펜서(110)로부터 공급될 임프린트재(120)의 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는 맵을 생성하는 처리에 대해서 상세하게 설명한다. 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 생성 서버(400)가 맵을 생성하고, 이 맵은 라이브러리(300)에 의해 관리된다. 그러나, 맵은 임프린트 시스템(10)의 외부의 정보 처리 장치에 의해 생성될 수 있고, 생성된 맵은 라이브러리(300)에 의해 관리될 수 있다는 것을 유의하라.
단계 S200에서는, 몰드(101)의 패턴의 설계 정보 및 장치 정보로부터 기판 상의 각각의 영역에 필요한 수지의 공급량(도포량)을 산출함으로써 공급량 분포가 취득된다. 공급량 분포는, 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보에 기초하여, 호스트 서버(200)의 장치 정보 관리 유닛(204), 패턴 정보 관리 유닛(205), 설계 정보 관리 유닛(206) 및 조건 관리 유닛(207)으로부터 산출된다. 이 경우, 이러한 정보는, 몰드(101)의 패턴의 치수, 기판 상에 형성될 패턴의 잔막 두께, 기판(104)의 면 내에서의 임프린트재(120)의 휘발 체적 분포 및 기류 분포를 포함하는 기판면내 분포 정보, 기판(104)의 샷 영역의 레이아웃 정보를 포함한다.
본 실시형태에서는, 공급량 분포 정보로서, 도 10에 도시한 바와 같이, 기판 상에서의 임프린트재(120)의 공급량 분포를 그레이스케일 다치 정보로 변환하여 취득한 화상 데이터를 사용한다. 도 10을 참조하면, 영역(130a 내지 130c)은, 몰드(101)의 패턴의 위치, 형상 및 깊이 등에 기초하여 산출된 그레이스케일 레벨을 나타내고 있다. 영역(130a)은 큰 패턴 깊이를 갖고 큰 임프린트재(120) 체적을 필요로 하는 영역을 나타낸다. 영역(130b)은 작은 패턴 깊이를 갖고 영역(130a)보다 작은 임프린트재(120) 체적을 필요로 하는 영역을 나타낸다. 영역(130c)은, 패턴이 없고 영역(130b)보다 작은 임프린트재(120) 체적을 필요로 하는 영역이다.
단계 S201에서는, 단계 S200에서 취득된 공급량 분포 정보 및 디스펜서(110)로부터 토출되는 임프린트재의 각각의 액적의 사이즈(예를 들어, 액적량)에 기초하여 기판 상의 임프린트 영역에 필요한 임프린트재(120)의 액적의 수를 산출한다.
단계 S202에서는, 단계 S200에서 취득된 공급량 분포 및 단계 S201에서 산출된 액적의 수에 기초하여, 디스펜서(110)로부터 공급될 임프린트재(120)의 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는 맵을 생성한다. 더 구체적으로는, 먼저, 단계 S200에서 취득한 공급량 분포 정보로부터 다치 분포 데이터를 생성한다. 이 다치 분포 데이터는 하프톤 처리에 의해 2치화되어 디스펜서(110)로부터의 임프린트재(120)의 토출 및 비토출을 지정하는 정보로 변환된다. 하프톤 처리로서, 공지 기술인 오차 확산법을 사용할 수 있다. 도 11은 단계 S202에서 생성된 맵의 일례를 도시하는 도면이다. 도 11을 참고하면, 흑색점(140a)은 기판 상에서의 임프린트재(120)의 공급 위치(액적의 토출)을 나타내고, 백색점(140b)은 기판 상에서의 임프린트재(120)의 액적의 비공급 위치(액적의 비토출)을 나타낸다.
단계 S203에서는, 단계 S202에서 생성된 맵, 즉 디스펜서(110)로부터 공급될 임프린트재(120)의 액적의 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는 맵을 라이브러리(300)에 송신한다. 이 맵은 라이브러리(300)의 맵 보존 유닛(302)에 보존된다.
본 실시형태는, 맵으로서, 다치 분포 데이터를 임프린트재(120)의 액적의 토출/비토출을 지정하는 2치 정보로 변환함으로써 취득된 데이터를 사용한다. 그러나, 데이터의 형식은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 맵으로서, 기판 상에서의 임프린트재(120)의 액적의 공급 위치를 기판 상의 상대 위치 좌표를 사용하여 나타낸 수치 데이터를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 맵에는, 기판 상에서의 임프린트재(120)의 각각의 액적의 양(액적량)에 관한 정보를 추가할 수 있다.
본 실시형태에 따른 임프린트 시스템(10)에서는, 라이브러리(300)는 복수의 맵을 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리한다. 따라서, 복수의 임프린트 장치 사이에서 개별적인 차이가 있거나 복수의 몰드(101)에서의 패턴 형상에 제조 오차가 있는 경우, 사용될 임프린트 장치(100) 및 몰드(101)의 조합에 대응하는 적절한 맵을 선택할 수 있다. 이는 복수의 임프린트 장치(100)에 의해 취득된 임프린트 처리 결과를 동등하게 할 수 있게 한다.
<제2 실시형태>
본 발명의 제2 실시형태에 따른 임프린트 시스템에 대해서 설명한다. 임프린트 시스템에서는, 미리 정해진 임프린트 장치(100)(제1 임프린트 장치(100A)(제1 처리 유닛))에 의해 사용되는 몰드(101)가 다른 임프린트 장치(100)(제2 임프린트 장치(100B)(제2 처리 유닛))에 의해 사용되는 경우가 있다. 이 경우에서도, 예를 들어 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보에 기초하여, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵을 선택할 수 있다. 한편, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵은, 사용될 몰드(101)의 식별 정보 및 제2 임프린트 장치(100B)의 식별 정보와 관련지어진 맵을 포함하지 않는 경우가 있다. 이 경우, 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보로부터 취득되는 임프린트재 조건에 관한 정보 및 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보에 기초하여 새로운 맵을 생성할 수 있다. 그러나, 새로운 맵을 생성하는 것은, 제2 임프린트 장치(100B)에서의 임프린트 처리를 정지시키고, 따라서 임프린트 장치(100)의 생산성(가동률)을 저하시킨다. 또한, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용되던 맵을 제2 임프린트 장치(100B)에 그대로 적용하면, 임프린트 장치 사이에서의 개별적인 차이로 인해, 임프린트재(120)로 형성된 패턴의 결함, RLT(잔막 두께) 등의 변화를 초래할 수 있다.
따라서, 본 실시형태에 따른 임프린트 시스템은, 임프린트 장치(제1 임프린트 장치(100A)와 제2 임프린트 장치(100B)와의 사이)에서의 임프린트 처리 조건의 차이에 대응하는, 복수의 상이한 맵을 라이브러리(300)에 미리 보관하고 있다. 호스트 서버(200)는, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 몰드(101)가 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용되는 경우, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵을 선택한다. 이 경우, 호스트 서버(200)는, 임프린트 장치 사이에서의 임프린트 처리 조건의 차에 기초하여, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 대한 조건의 차에 대응하는 차를 갖는 맵을 선택한다. 이러한 동작에 의해, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 몰드(101)를 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용하게 되는 경우에도, 어떠한 새로운 맵도 생성하지 않고 적절한 맵을 제2 임프린트 장치(100B)에서 설정할 수 있다.
이 경우, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵이 임프린트 장치 사이에서의 임프린트 처리 조건의 차에 대응하는 적절한 맵을 포함하지 않는 경우에는, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵을 수정할 수 있다. 이때, 임프린트 장치(100)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보에 기초하여 취득된 임프린트 처리 조건에 관한 정보 및 몰드의 패턴 형상에 관한 정보를 사용하여 당해 맵을 수정한다. 그리고, 수정된 맵이, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 결정된다. 이렇게 맵을 수정하는 것은, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 새로운 맵을 생성하는 것(도 9의 흐름도에 따라서 생성하는 것)에 비하여, 계산 부하를 작게 할 수 있다. 그로 인해, 제2 임프린트 장치(100B)를 정지시키는 시간을 단축하고 임프린트 장치(100)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
제2 실시형태에 따른 임프린트 시스템에서의 임프린트 처리에 대해서 상세하게 설명한다. 도 12는, 제2 실시형태에 따른 임프린트 시스템에서의 맵의 선택을 설명하기 위한 흐름도이며, 도 6의 흐름도의 단계 S103에 대응한다. 이하의 설명은, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 몰드(101)를 제2 임프린트 장치(100B)가 사용하는 경우에, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵을 선택하는 처리에 대한 것이다. 당해 처리는, 호스트 서버(200)가 각각의 임프린트 장치(100), 라이브러리(300) 및 생성 서버(400)을 통괄적으로 제어하게 하고, 제어 유닛(112)이 임프린트 장치(100)의 각각의 유닛을 통괄적으로 제어하게 함으로써 행해진다.
단계 S300에서는, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵이 제2 임프린트 장치(100B)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리되는 대상 맵을 포함하는지의 여부를 판정한다. 이 경우, 호스트 서버(200)는, 제2 임프린트 장치(100B)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보에 기초하여, 임프린트 처리 조건에 관한 정보 및 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보를 취득한다. 제2 임프린트 장치(100B)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리되는 맵이 있는 경우에는, 처리는 단계 S301로 이행된다.
단계 S301에서는, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 제2 임프린트 장치(100B)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리되는 맵 군을 취득한다. 단계 S302에서는, 단계 S301에서 취득된 맵 군으로부터, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 기판 상에 형성되는 임프린트재(120)의 패턴 형상이 목표 형상이 되게 하기 위해서 최적인 맵을 선택한다. 이 맵은, 임프린트 처리 조건에 관한 정보 및 몰드의 패턴 형상에 관한 정보에 기초하여 선택된다.
단계 S300에서, 제2 임프린트 장치(100B)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리되는 맵이 없다고 판정되는 경우에는, 처리는 단계 S303로 이행된다.
단계 S303에서는, 제1 임프린트 장치(100A)에서의 임프린트 처리와 제2 임프린트 장치(100B)에서의 임프린트 처리와의 사이에 어떤 현저한 차이가 있는지의 여부를 판정한다. 어떤 현저한 차이가 있는지의 여부의 판정은, 예를 들어 임프린트 장치 사이에서의 임프린트 처리 조건의 차이(제1 임프린트 장치(100A)와 제2 임프린트 장치(100B)와의 사이에서의 임프린트 처리 조건의 차이)에 기초하여 행해진다. 임프린트 장치 사이에서의 임프린트 처리 조건의 차이가 임계치 이상인 경우에는, 현저한 차이가 있다고 판정된다. 차이가 임계치 미만인 경우, 현저한 차이가 없다고 판정된다. 임프린트 처리 조건에 관한 정보는, 예를 들어 디스펜서(110)로부터 토출되는 임프린트재의 액적의 양의 평균 또는 변동과 같은 정보, 기판 상에 공급되는 액적의 위치 정밀도(착탄 위치 변동), 및 임프린트 환경 정보를 포함할 수 있다. 임프린트 환경 정보는, 예를 들어 임프린트 환경의 온도, 기류, 산소 농도, 휘발 체적 분포 등의 정보, 수지 종류, 및 임프린트 이력을 포함할 수 있다.
어떤 현저한 차이가 있는지의 여부의 판정은 몰드(101)의 패턴 형상의 시간에 걸친 변화에 관한 정보에도 기초하여 행해질 수도 있다. 이러한 정보는, 예를 들어 몰드(101)의 패턴의 각각의 오목부의 깊이, 패턴의 선 폭(CD), 테이퍼 각, 및 결함의 수 등의 항목에서의 시간에 걸친 변화에 관한 정보를 포함할 수 있다. 이러한 항목에서의 시간에 걸친 변화는, 예를 들어 제1 임프린트 장치(100A)에서의 임프린트 처리에 의해 발생하는 몰드의 패턴 형상의 변화 및 몰드(101)의 세정 처리에 의해 발생하는 몰드(101)의 패턴 형상의 변화 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몰드(101)의 패턴 형상의 시간에 걸친 변화에 관한 정보는, 제1 임프린트 장치(100A)로부터 몰드(101)를 제거한 때에, 당해 몰드(101)의 패턴 형상을 직접 계측하여 취득한 계측 결과로부터 취득될 수 있다. 그러나, 이는 한정되지 않는다. 예를 들어, 예를 들어 테스트 임프린트 처리에서 몰드에 의해 임프린트재(120)를 성형할 수 있고, 상기 정보는 그 임프린트재(120)의 형상(임프린트재(120)에 의해 형성된 패턴 형상)의 계측 결과로부터 취득될 수 있다.
단계 S303에서, 제1 임프린트 장치(100A)에서의 임프린트 처리와 제2 임프린트 장치(100B)에서의 임프린트 처리와의 사이에 현저한 차이가 없다고 판정되는 경우에는, 처리는 단계 S304로 이행된다. 단계 S304에서는, 사용될 몰드(101) 및 제1 임프린트 장치(100A)와 관련지어 라이브러리(300)에 의해 관리되는 맵 군을 취득한다. 단계 S305에서는, 임프린트 처리 조건에 관한 정보 및 몰드(101)의 패턴 형상에 관한 정보에 기초하여, 취득된 맵 군으로부터 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵을 선택한다.
한편, 단계 S303에서, 제1 임프린트 장치(100A)에서의 임프린트 처리와 제2 임프린트 장치(100B)에서의 임프린트 처리와의 사이에 현저한 차이가 있다고 판정된 경우에는, 처리는 단계 S306로 이행된다. 단계 S306에서는, 임프린트 장치 사이에서의 임프린트 처리 조건의 차이에 기초하여, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵을 선택한다. 상술한 바와 같이, 임프린트 처리 조건은, 예를 들어 임프린트 처리에서의 단위 시간당의 액적의 휘발 체적, 및 디스펜서(110)로부터 토출되는 임프린트재(120)의 액적의 양 및 위치 정밀도 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그로 인해, 라이브러리(300)는, 액적의 휘발 체적, 액적의 양 및 위치 등을 변화시키면서 미리 생성된 복수의 맵을 관리할 수 있다. 이는, 호스트 서버(200)가, 임프린트 장치 사이에서의 임프린트 처리 조건 차이에 따라서 기판 상의 액적의 레이아웃(액적의 수 및 위치)이 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵과 상이한 맵을 선택할 수 있게 한다. 예를 들어, 호스트 서버(200)는, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 대한 당해 조건 차이에 대응하는 차이를 갖는 맵을, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 선택한다. 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵이 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 최적인 맵을 포함하지 않는 경우에는, 당해 조건 차이에 기초하여, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵을 수정할 수 있다. 맵의 수정은, 예를 들어 당해 조건의 차이에 따라, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에서의 액적의 수를 증가 또는 감소시킴으로써 행해진다. 그리고, 수정된 맵이, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 결정된다.
디스펜서(110)로부터 토출되는 액적의 액적양(예를 들어, 평균량)을 변화시키면서 미리 생성한 복수의 맵이 라이브러리(300)에 의해 관리되는 것으로 한다. 또한, 제2 임프린트 장치(100B)에서 디스펜서로부터 토출되는 액적의 양(예를 들어, 평균량)이 제1 임프린트 장치(100A)의 것보다 0.05pL만큼 적은 것으로 한다. 액적의 양에 관한 임계치가 0.03pL로 설정되어 있는 경우, 단계 S303에서, 제1 임프린트 장치(100A)와 제2 임프린트 장치(100B)와의 사이에 현저한 차이가 있다고 판정된다. 이 경우, 호스트 서버(200)는, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 의해 나타나는 것보다, 디스펜서(110)로부터 토출되는 액적의 양이 제1 임프린트 장치(100A)의 디스펜서로부터 토출되는 것보다 0.05pL만큼 적은 분에 대응하는 값만큼 더 큰 액적의 수를 나타내는 맵을, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 선택한다.
이 경우, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵이, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 의해 나타나는 것보다, 액적의 양의 감소에 대응하는 값만큼 더 큰 액적의 수를 나타내는 맵을 포함하지 않는 경우, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵이 수정될 수 있다. 맵 수정은, 제1 임프린트 장치(100A)와 제2 임프린트 장치(100B)와의 사이에서의 임프린트 처리 조건 차이에 기초하여, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 대하여, 액적의 양의 감소에 대응하는 값만큼 액적의 수를 증가시킴으로서 행해질 수 있다. 수정된 맵은 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 결정된다.
단계 S306에서는, 몰드(101)의 패턴 형상의 시간에 걸친 변화에 관한 정보에 기초하여, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵을 선택할 수 있다. 이러한 정보는, 예를 들어 몰드(101)의 패턴의 각각의 오목부의 깊이, 패턴의 선 폭(CD), 테이퍼 각, 및 결함의 수 등의 항목에서의 시간에 걸친 변화에 관한 정보를 포함할 수 있다. 그로 인해, 라이브러리(300)는, 이 항목을 변화시키면서 미리 생성한 복수의 맵을 관리할 수 있다. 이는, 호스트 서버(200)가, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵과, 몰드(101)의 패턴 형상의 시간에 걸친 변화에 따라 기판 상에서의 액적의 레이아웃(액적의 수 및 위치)이 상이한 맵을 선택할 수 있게 한다.
라이브러리(300)는 몰드(101)의 패턴의 각각의 오목부의 체적을 변화시키면서 미리 생성한 복수의 맵을 관리하는 것으로 한다. 또한, 몰드(101)의 마모에 의해 패턴의 선 폭(CD)이 변화하고, 몰드(101)의 패턴의 각각의 오목부 체적이 0.7%만큼 증가한 것으로 한다. 이 경우, 각각의 오목부의 체적에 대한 임계치가 0.5%로 설정되어 있는 경우, 단계 S303에서, 제1 임프린트 장치(100A)와 제2 임프린트 장치(100B)와의 사이에는 현저한 차이가 있다고 판정된다. 이 경우, 호스트 서버(200)는, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 의해 나타나는 것보다, 각각의 오목부의 체적의 증가에 대응하는 값만큼 더 큰 액적의 수를 나타내는 맵을, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 선택한다.
이 경우, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵이, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 의해 나타나는 것보다, 각각의 오목부의 체적의 증가에 대응하는 값만큼 더 큰 액적의 수를 나타내는 맵을 포함하지 않는 경우, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵을 수정할 수 있다. 맵 수정은, 몰드(101)의 패턴 형상의 시간에 걸친 변화에 관한 정보에 기초하여, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 대하여, 각각의 오목부의 체적의 증가에 대응하는 값만큼 액적의 수를 증가시킴으로서 행해질 수 있다. 수정된 맵은 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 결정된다.
또한, 제1 임프린트 장치(100A)에 의한 임프린트 처리의 개시 시의 목표 막 두께와 동일했던 임프린트재(120)의 잔막 두께는 몰드(101)의 패턴 형상의 시간에 걸친 변화로 인해 목표 막 두께로부터 0.5nm만큼 감소된 것으로 한다. 이 경우, 임프린트 처리 또는 테스트 임프린트 처리가 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 행해진 기판을 사용함으로써 임프린트재(120)의 잔막 두께를 계측할 수 있다. 임프린트재(120)의 잔막 두께에 대한 임계치가 0.4nm로 설정되는 경우, 단계 S303에서 현저한 차이가 있는 것으로 판정된다. 이 경우, 호스트 서버(200)는, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 나타내는 것보다, 임프린트재(120)의 잔막 두께의 감소에 대응하는 값만큼 더 큰 액적의 수를 나타내는 맵을, 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 선택한다. 마찬가지로, 임프린트재(120)의 잔막 두께가 국소적으로 감소했을 경우에는, 호스트 서버(200)는, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 의해 나타낸 것보다, 잔막 두께가 감소한 부분에서의 감소에 대응하는 값만큼 더 큰 액적의 수를 나타내는 맵을 선택한다.
이 경우, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵이, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵에 의해 나타낸 것보다, 잔막 두께의 감소에 대응하는 값만큼 더 큰 액적의 수를 나타내는 맵을 포함하지 않는 경우, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵을 수정할 수 있다. 맵 수정은, 몰드(101)의 패턴 형상의 시간에 걸친 변화에 관한 정보에 기초하여 잔막 두께의 감소에 대응하는 값만큼 액적의 수를 증가시킴으로써 행해질 수 있다. 수정된 맵은 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵으로서 결정된다.
본 실시형태에 따른 임프린트 시스템에서는, 라이브러리(300)가, 임프린트 처리 조건으로서의 액적의 휘발 체적, 액적의 양 및 위치 등을 변화시키면서 미리 생성한 복수의 맵을 관리한다. 임프린트 장치 사이에서의 임프린트 처리 조건 차이에 기초하여, 라이브러리(300)에 의해 관리되는 복수의 맵으로부터 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 맵을 선택한다. 제2 임프린트 장치(100B)에 의해 사용될 최적인 맵이 라이브러리(300)에 의해 관리되지 않는 경우에는, 임프린트 장치 사에서의 임프린트 처리 조건의 차이에 따라, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 맵을 수정한다. 이는, 제1 임프린트 장치(100A)에 의해 사용된 몰드(101)를 제2 임프린트 장치(100B)가 사용하는 경우에도, 제2 임프린트 장치(100B)를 정지시키는 시간을 단축하고 임프린트 장치(100)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
이 경우, 단계 S300에서, 제2 임프린트 장치(100B)의 식별 정보 및 몰드(101)의 식별 정보와 관련지어 관리되는 맵이 없다고 판정되는 경우, 몰드(101)의 식별 정보하고만 관련지어서 관리되는 맵 군을 취득할 수 있다. 이 경우, 취득한 맵 군으로부터 마지막으로 사용된 맵을 선택하고, 선택된 맵과 관련지어진 임프린트 장치(100)가 당해 맵을 생성했을 때의 임프린트 처리 조건에 관한 정보를 취득한다. 또한, 취득된 정보와 제2 임프린트 장치(100B)에서의 임프린트 처리 조건에 관한 정보와의 사이의 차이를 취득할 수 있다. 이 차이는, 임프린트 장치 사이에서의 임프린트 처리 조건의 차이에 대응하고, 후속 공정에서 사용될 수 있다.
<물품의 제조 방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스 또는 미세구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태에 따른 이 물품의 제조 방법은, 기판에 공급된 임프린트재에 상기의 임프린트 장치를 사용하여 패턴을 형성하는 단계(기판에 임프린트 처리를 행하는 단계), 및 앞선 단계에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 제조 방법은, 다른 주지의 단계(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조 방법은 종래의 방법에 비하여 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 우수하다.
<다른 실시형태>
본 발명의 실시형태(들)(제어 유닛)는 또한, 상기 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(더 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할 수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)을 판독 및 실행하고, 및/또는 상기 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위한 하나 이상의 회로(예를 들어, 응용 특정 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 상기 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령을 판독 및 실행함으로써 및/또는 상기 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))을 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령을 판독 및 실행하기 위한 별개의 프로세서 또는 별개의 컴퓨터의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령은 예를 들어 저장 매체 또는 네트워크로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는 예를 들어, 하드 디스크, 랜덤-액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 저장장치, 광학 디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD), 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 장치, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 저장 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다. 또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어,ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 제한되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형 및 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 몰드를 사용하여 기판 상에 공급된 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 시스템이고, 상기 시스템은,
    상기 기판 상에 임프린트재를 공급하는 디스펜서를 각각 포함하고 상기 임프린트 처리를 행하도록 구성되는 복수의 처리 유닛,
    상이한 복수의 레이아웃 정보를 관리하도록 구성되는 라이브러리로서, 상기 복수의 레이아웃 정보의 각각은 상기 디스펜서로부터 공급될 상기 임프린트재의 상기 기판 상에서의 레이아웃을 나타내는, 라이브러리, 및
    상기 복수의 처리 유닛 중 제1 처리 유닛에 의해 사용된 몰드가 상기 제1 처리 유닛과는 상이한 제2 처리 유닛에 의해 사용되는 경우, 상기 제1 처리 유닛과 상기 제2 처리 유닛 간의 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 기초하여, 상기 제1 처리 유닛에 의해 사용된 레이아웃 정보에 대한 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 대응하는 차이를 갖는 레이아웃 정보를 사용함으로써, 상기 제2 처리 유닛을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는, 임프린트 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 임프린트 처리 조건은, 임프린트 처리에서의 단위 시간당의 임프린트재의 휘발 체적, 및 상기 디스펜서로부터 상기 기판에 공급되는 임프린트재의 양 및 위치 정밀도 중 하나 이상을 포함하는, 임프린트 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 몰드의 패턴 형상의 시간에 걸친 변화에 기초하여, 상기 제1 처리 유닛에 의해 사용된 레이아웃 정보에 대한 상기 시간에 걸친 변화에 대응하는 차이를 갖는 레이아웃 정보를 사용함으로써 상기 제2 처리 유닛을 제어하는, 임프린트 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 시간에 걸친 변화에 관한 정보를, 상기 몰드의 패턴 형상의 계측 결과 또는 상기 몰드에 의해 성형된 임프린트재의 형상 계측 결과로부터 취득하는, 임프린트 시스템.
  5. 제3항에 있어서, 상기 시간에 걸친 변화는, 상기 제1 처리 유닛에서의 상기 임프린트 처리에 의해 발생하는 상기 몰드의 패턴 형상의 변화 및 상기 몰드의 세정 처리에 의해 발생하는 상기 몰드의 패턴 형상의 변화 중 하나 이상을 포함하는, 임프린트 시스템.
  6. 제3항에 있어서, 상기 시간에 걸친 변화는, 상기 몰드에 형성된 요철 패턴에 포함되는 각각의 오목부의 깊이, 테이퍼 각 및 선 폭 중 하나 이상을 포함하는, 임프린트 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 라이브러리는 처리 유닛 및 몰드와 관련지어 상기 복수의 레이아웃 정보를 관리하고,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 레이아웃 정보가 상기 몰드 및 상기 제2 처리 유닛과 관련지어 관리되는 레이아웃 정보를 포함하지 않는 경우, 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 기초하여 상기 복수의 레이아웃 정보로부터 상기 제2 처리 유닛에 의해 사용될 레이아웃 정보를 선택하는, 임프린트 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 복수의 레이아웃 정보가 상기 제1 처리 유닛에 의해 사용된 레이아웃 정보에 대한 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 대응하는 차이를 갖는 레이아웃 정보를 포함하지 않은 경우, 상기 제어 유닛은, 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 기초하여 상기 제1 처리 유닛에 의해 사용된 상기 레이아웃 정보를 수정하고 상기 제2 처리 유닛에 의해 사용될 레이아웃 정보로서 수정된 레이아웃 정보를 결정하는, 임프린트 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 제1 처리 유닛에 의해 사용된 상기 레이아웃 정보에서의 임프린트재의 수를 상기 임프린트 처리 조건의 차이에 따라 증가 또는 저감시킴으로써 상기 레이아웃 정보를 수정하는, 임프린트 시스템.
  10. 제1항에 있어서, 상기 복수의 레이아웃 정보는, 상기 몰드에 형성된 패턴의 치수 및 상기 임프린트재가 상기 몰드에 의해 성형된 후에 상기 기판 상에 형성될 상기 임프린트재의 잔막 두께에 기초하여 생성되는, 임프린트 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 몰드에 형성된 패턴의 치수는 상기 몰드에 형성된 패턴의 원하는 값 또는 실측값을 포함하는, 임프린트 시스템.
  12. 물품의 제조 방법이며,
    제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 임프린트 시스템을 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 가공하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하는, 물품의 제조 방법.
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