JP2018006379A - インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】モールドや基板のデチャックの発生を抑制して生産性の点で有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドを保持するモールド保持部と、前記基板を保持する基板保持部と、前記モールドと前記インプリント材との接触状態に関する情報を取得する取得する取得部と、前記基板上のインプリント材から前記モールドを引き離す動作を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記取得部で取得された前記情報に基づいて、前記引き離す動作を行う際に前記モールド保持部からの前記モールドの脱離又は前記基板保持部からの前記基板の脱離を含むエラーが発生するかを予測し、前記エラーが発生すると予測した場合に、前記引き離す動作を前記エラーの発生を抑制するための引き離す動作に変更することを特徴とするインプリント装置を提供する。
【選択図】図５

Description

本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、ナノスケールの微細なパターン形成を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。

インプリント装置では、インプリント材からモールドを引き離す際に、モールドとインプリント材とが接触している面を一度に引き離すと、モールドとインプリント材との界面に大きな応力が付加される。このような応力は、インプリント材に形成されるパターンに歪みを生じさせて、パターン欠陥を発生させるという問題を引き起こす。また、インプリント材からモールドを正常に引き離すことができず、モールドや基板をそれぞれの保持部（チャック）で保持することができなくなる（所謂、デチャック）という問題も引き起こす。

前者の問題に対して、チャックによる基板の保持力（吸着力など）を部分的に低減し、モールドの変形にあわせて基板を変形させることで、パターンの歪みを低減する技術が提案されている（特許文献１参照）。但し、かかる技術を適用すると、後者の問題、即ち、デチャックがより発生しやすくなることが報告されている。そこで、後者の問題に対して、インプリント材からモールドを引き離す動作が行われた後に、チャックの駆動力や吸着力、或いは、基板表面の画像などに基づいて、モールドが引き離されているかどうかを検知する技術が提案されている（特許文献２参照）。

米国特許出願公開第２０１１／０２６０３６１号 特開２０１５−１１５３７０号公報

しかしながら、従来技術では、チャックがモールドや基板を保持することができなくなってから、即ち、デチャックが発生してからしか、それを検知することができない。このため、デチャックが発生してから正常な状態に復帰させるまでに多くの時間が必要となり、インプリント装置の生産性を低下させてしまう。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドや基板のデチャックの発生を抑制して生産性の点で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドを保持するモールド保持部と、前記基板を保持する基板保持部と、前記モールドと前記インプリント材との接触状態に関する情報を取得する取得する取得部と、前記基板上のインプリント材から前記モールドを引き離す動作を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記取得部で取得された前記情報に基づいて、前記引き離す動作を行う際に前記モールド保持部からの前記モールドの脱離又は前記基板保持部からの前記基板の脱離を含むエラーが発生するかを予測し、前記エラーが発生すると予測した場合に、前記引き離す動作を前記エラーの発生を抑制するための引き離す動作に変更することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、モールドや基板のデチャックの発生を抑制して生産性の点で有利なインプリント装置を提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 図１に示すインプリント装置の観察部で観察される干渉パターンの一例を説明するための図である。 図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するための図である。 離型処理におけるデチャックの発生を説明するための図である。 本実施形態におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。 基板のショットレイアウトの一例を示す図である。 基板のデチャックが発生するかどうかを予測する処理を説明するための図である。 基板のデチャックが発生するかどうかを予測する処理を説明するための図である。 物品の製造方法を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するリソグラフィ装置である。本実施形態では、インプリント装置１００は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドの凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。

インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。

硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

インプリント装置１００は、基板Ｗを保持する基板チャック（基板保持部）１と、基板チャック１を保持して移動する基板ステージ２とを有する。インプリント装置１００は、微細なパターン（凹凸パターン）Ｐが形成されたモールドＭを保持するモールドチャック（モールド保持部）３と、モールドチャック３を保持して移動するモールドステージ４とを有する。インプリント装置１００は、基板上にインプリント材Ｒを供給する供給部１１と、インプリント装置１００の全体を制御する制御部１２とを有する。インプリント装置１００は、操作画面を生成するコンソール部１３と、操作画面を表示する表示部１４と、キーボードやマウスなどの入力デバイス１５とを有する。但し、インプリント装置１００とは異なる外部の装置でインプリント材Ｒを供給した基板Ｗをインプリント装置１００に搬入する場合には、インプリント装置１００は、供給部１１を有していなくてもよい。

インプリント装置１００は、供給部１１から供給された基板上のインプリント材ＲとモールドＭとを接触させた状態でインプリント材Ｒを硬化させ、硬化したインプリント材ＲからモールドＭを引き離すことで基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント処理は、供給処理と、押印処理と、硬化処理と、離型処理とを含む。供給処理は、基板上にインプリント材Ｒを供給する処理である。押印処理は、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる処理である。モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる、即ち、モールドＭをインプリント材Ｒに押し付けることによって、インプリント材ＲがモールドＭのパターンＰに充填される。硬化処理は、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させた状態でインプリント材Ｒを硬化させる処理である。離型処理は、基板上の硬化したインプリント材ＲからモールドＭを引き離す処理である。

モールドＭは、基板Ｗに形成すべきパターンに対応するパターンＰが形成されたメサ領域ＭＲと、メサ領域ＭＲの周囲のオフメサ領域ＯＭＲとを含む。モールドチャック３には、モールドＭのパターン面（パターンＰが形成された面）とは反対側の面に、メサ領域ＭＲの面積よりも大きな面積を有する凹部が形成されている。かかる凹部は、モールドＭとシールガラス（不図示）とによって密閉されて密閉空間（キャビティ）を規定する。キャビティには、キャビティの圧力を制御するための圧力制御部（不図示）が接続されている。モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる際には、キャビティの圧力を上げてモールドＭを基板側に凸状に変形させることで、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとの間に気泡が挟まれることを抑制する。そして、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとが接触したら、キャビティの圧力を戻してモールドＭが基板Ｗと平行になる（基板上のインプリント材Ｒと完全に接触する）ようにする。

インプリント装置１００は、基板Ｗに設けられたアライメントマーク（基板側マーク）６と、モールドＭに設けられたアライメントマーク（モールド側マーク）７とを検出するアライメントスコープ５を更に有する。アライメントスコープ５は、基板側マーク６とモールド側マーク７とを検出してアライメント信号を生成する。基板側マーク６及びモールド側マーク７の検出方法としては、例えば、２つのマークの相対的な位置を反映したモアレ縞を検出する方法を用いることができる。また、基板側マーク６及びモールド側マーク７のそれぞれの像を検出して２つのマークの相対的な位置を求めてもよい。

インプリント装置１００は、紫外線などの光を射出する光源部８と、モールドＭ及び基板Ｗの少なくとも一方を観察する観察部９と、ミラー１０とを更に有する。ミラー１０は、ダイクロイックミラーを含み、光源部８からの光を反射し、観察部９からの光（観察光）を透過する特性を有する。光源部８からの光をミラー１０で反射し、モールドＭを介して基板上のインプリント材Ｒに照射してインプリント材Ｒを硬化させることで、モールドＭのパターンＰに対応するパターンが基板上に形成される。

観察部９は、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる過程、即ち、押印工程において、モールドＭとインプリント材Ｒとの接触状態に関する情報を取得する取得部として機能する。観察部９は、本実施形態では、光源９ａと、撮像素子９ｂとを含み、モールドＭ及び基板Ｗの少なくとも一方を撮像して画像を取得する撮像部として具現化される。このように、観察部９は、モールドＭとインプリント材Ｒとの接触状態に関する情報としての画像を取得する。

光源９ａからの光は、ミラー１０及びモールドＭを透過して、基板Ｗ（基板上のショット領域）を照明する。撮像素子９ｂは、基板Ｗの表面で反射された光及びモールドＭのパターン面で反射された光を検出する。上述したように、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる際には、モールドＭを基板側に凸状に変形させているため、モールドＭとインプリント材Ｒとが接触した部分から、モールドＭと基板Ｗとの間のギャップが連続的に変化する。従って、撮像素子９ｂでは、基板Ｗの表面で反射された光とモールドＭのパターン面で反射された光との干渉パターン（干渉縞）、所謂、ニュートンリングが撮像される。図２は、観察部９で観察される干渉パターンの一例を説明するための図であって、図２（ａ）は、モールドＭ（パターン面）と基板Ｗとの間のギャップを示し、図２（ｂ）は、撮像素子９ｂで撮像される画像を示している。撮像素子９ｂは、図２（ｂ）に示すように、モールドＭのメサ領域ＭＲに対応する画像２０１だけではなく、メサ領域ＭＲの外周部に隣接するオフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２を含む画像を取得することが可能である。

制御部１２は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の各部を制御してインプリント処理を行う。例えば、制御部１２は、アライメントスコープ５による基板側マーク６及びモールド側マーク７の検出結果に基づいて、モールドＭと基板Ｗとの相対的な位置（位置ずれ）を求める。そして、制御部１２は、モールドＭと基板Ｗとの相対的な位置に基づいて、モールドＭと基板Ｗとの位置ずれが補正されるように、基板ステージ２やモールドステージ４を移動させる。モールドＭと基板Ｗとの位置ずれは、シフト成分、倍率成分、回転成分などを含む。更に、制御部１２は、モールドＭの周囲に配置された加圧フィンガ（不図示）などを用いて、基板Ｗのショット領域の形状に応じてモールドＭのパターンＰの形状を補正することも可能である。

図３（ａ）乃至図３（ｆ）を参照して、インプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。インプリント処理は、上述したように、供給処理と、押印処理と、硬化処理と、離型処理とを含む。インプリント処理、即ち、供給処理、押印処理、硬化処理及び離型処理のそれぞれに関する動作は、レシピに従って行われる。図３（ａ）乃至図３（ｆ）は、インプリント処理における基板Ｗの状態の変化を示す図である。

図３（ａ）は、インプリント処理を開始する前の基板Ｗの状態を示している。図３（ａ）に示すように、インプリント処理を開始する前の基板Ｗは、未処理の状態である。

図３（ｂ）は、供給処理が行われた基板Ｗの状態を示している。供給処理では、供給部１１から基板Ｗに向けてインプリント材Ｒの液滴を吐出することで基板上にインプリント材Ｒを供給する。図３（ｂ）に示すように、予め定められた基板上の位置にインプリント材Ｒの液滴が供給され、インプリント材Ｒの液滴の配列が基板上に形成されている。

図３（ｃ）は、押印処理における基板Ｗの状態を示している。押印処理では、図３（ｃ）に示すように、モールドＭを基板側に凸状に変形させた状態でモールドＭを基板Ｗに近づけることで、モールドＭの中心部から周辺部に向けて徐々に基板上のインプリント材Ｒと接触させる。従って、押印処理では、モールドＭと基板Ｗとの間でギャップが生じ、図２（ｂ）に示すような干渉パターンが観察される。

図３（ｄ）は、硬化処理における基板Ｗの状態を示している。硬化処理では、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させた状態で光源部８からの光をインプリント材Ｒに照射して、インプリント材Ｒを硬化させる。図３（ｄ）に示すように、硬化工程では、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとは完全に接触し、モールドＭのパターンＰにインプリント材Ｒが充填されている。

図３（ｅ）は、離型処理における基板Ｗの状態を示している。離型処理では、基板上の硬化したインプリント材ＲからモールドＭを引き離すための力（離型力）を低減し、パターンＰを良好に基板Ｗに転写するために、図３（ｅ）に示すように、モールドＭを基板側に凸状に変形させながらモールドＭを基板Ｗから離している。更に、基板チャック１による基板Ｗの保持力を、基板Ｗの全面で一定するのではなく、部分的に小さく（弱く）している。従って、離型処理では、押印処理と同様に、モールドＭと基板Ｗとの間でギャップが生じ、図２（ｂ）に示すような干渉パターンが観察される。

図３（ｆ）は、インプリント処理の終了時における基板Ｗの状態を示している。図３（ｆ）に示すように、基板Ｗには、モールドＭのパターンＰに対応するインプリント材Ｒのパターンが形成されている。

図３（ａ）乃至図３（ｆ）に示すように、インプリント処理が正常に行われた場合には、モールドＭのパターンＰに対応するパターンが基板上に形成される。一方、インプリント処理を行っている間に、異常（エラー）、例えば、デチャックが発生してしまうこともある。ここで、デチャックとは、モールドチャック３からのモールドＭの離脱や基板チャック１からの基板Ｗの離脱を含む。

図４（ａ）乃至図４（ｄ）を参照して、インプリント装置１００での離型処理においてデチャックを含むエラーが発生する場合について説明する。図４（ａ）は、インプリント装置１００での硬化処理におけるモールドチャック３と基板チャックＷとの位置関係を示している。離型処理が開始され、上述したように、基板上の硬化したインプリント材ＲからモールドＭを引き離すと、図４（ｂ）に示すように、モールドＭのパターンＰに対応するインプリント材Ｒのパターンが基板Ｗに形成される。

ここで、離型処理において、インプリント材Ｒの組成、基板Ｗの表面状態、基板チャック１やモールドチャック３における吸着圧力などの様々な要因によって、離型力がモールドチャック３によるモールドＭの保持力よりも大きくなる場合がある。このような場合、離型処理が正常に行われず、図４（ｃ）に示すように、モールドチャック３からモールドＭが脱離して（即ち、デチャックが発生して）、モールドチャック３とモールドＭとの間にギャップが生じる。このようなデチャックが発生すると、正常な状態に復帰させるための処理が必要となる。かかる処理は、例えば、モールドチャック３を基板側に移動（下降）させてモールドＭを再度保持し、モールドチャック３によるモールドＭの保持力を大きくして離型処理を行うことを含む。なお、モールドＭがデチャックした状態（即ち、モールドＭが基板上に存在する状態）で基板Ｗをインプリント装置１００から搬出して、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離してもよい。

また、基板Ｗのショット領域のうちの外周部のショット領域、所謂、パーシャルショット領域に対してインプリント処理を行う場合には、基板チャック１の全面で基板Ｗ（パーシャルショット領域）を保持することができない。このため、基板Ｗの外周部では、基板チャック１による基板Ｗの保持力が小さく（弱くなる）なる傾向がある。従って、離型処理が正常に行われず、図４（ｄ）に示すように、基板チャック１から基板Ｗが脱離して（即ち、デチャックが発生して）、基板チャック１と基板Ｗとの間にギャップが生じる。このようなデチャックが発生すると、正常な状態に復帰させるために、例えば、モールドチャック３を基板側に移動（下降）させて基板チャック１で基板Ｗを再度保持し、基板チャック１による基板Ｗの保持力を大きくして離型処理を行う必要がある。

このように、デチャックが実際に発生すると、正常な状態に復帰させるために複雑な処理を行う必要がある。そこで、本実施形態では、制御部１２において、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離す動作を通常のレシピに従って行うとデチャックが発生するかどうかを予測する。かかる予測は、後述するように、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる過程で観察部９によって取得された画像に基づいて行われる。そして、デチャックが発生すると予測した場合には、通常のレシピをデチャックの発生を抑制するためのリカバリ用のレシピに変更し、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離す動作をリカバリ用のレシピに従って行う。つまり、デチャック（エラー）の発生を抑制するための引き離す動作を実行することができる。これにより、モールドＭや基板Ｗのデチャックの発生を抑制することが可能となるため、正常な状態に復帰させるための処理に起因するインプリント装置１００の生産性の低下を排除することができる。

図５を参照して、本実施形態におけるインプリント処理を具体的に説明する。Ｓ１０１での供給処理、Ｓ１０２−１及びＳ１０２−２での押印処理、Ｓ１０３での硬化処理、及び、Ｓ１０４での離型処理については、上述した通りであるので、ここでの詳細な説明は省略する。但し、図５では、押印処理を、モールドＭと基板Ｗとを相対的に近づける動作を開始する押印処理の開始（Ｓ１０２−１）と、かかる動作を終了する押印処理の終了（Ｓ１０２−２）とに分けている。

本実施形態では、図４（ｄ）に示すように、基板Ｗがデチャックする場合を例に説明する。まず、基板Ｗのショットレイアウトについて説明する。図６は、基板Ｗのショットレイアウト７０１の一例を示す図である。ショットレイアウト７０１には、複数の矩形のショット領域が含まれており、ショット領域の面積（大きさ）は、モールドＭのメサ領域ＭＲの面積と同じである。また、１回のインプリント処理によって、１つのショット領域に対してモールドＭのパターンＰに対応するインプリント材Ｒのパターンが形成される。ここで、ショットレイアウト７０１に含まれる複数のショット領域のうち、パーシャルショット領域の１つであるショット領域７１１に対するインプリント処理について着目する。また、領域７２１は、ショット領域７１１に対するインプリント処理において、その過程で観察部９によって取得可能な画像の領域（撮像素子９ｂの視野）を示している。

Ｓ１０２−１で押印処理が開始されると、観察部９は、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる過程において、モールドＭを介して基板Ｗを撮像して画像を取得する。

Ｓ６０１では、制御部１２は、ショット領域７１１に対するインプリント処理において、離型処理で基板Ｗのデチャックが発生するかどうかを予測（判定）する。本実施形態では、観察部９で取得された画像に基づいて、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離す動作を通常のレシピに従って行うと基板Ｗのデチャックが発生するかどうかを予測する。

例えば、観察部９によって取得された画像を、モールドＭのメサ領域ＭＲに対応する画像２０１と、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２とに分割する。図２（ａ）に示すように、メサ領域ＭＲとオフメサ領域ＯＭＲとは、高さが異なっている。従って、メサ領域ＭＲを規定する４辺では、光の反射率が低減することで画像上では暗くなるため、かかる４辺を境界として、メサ領域ＭＲに対応する画像２０１とオフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２とを分割することができる。

次いで、オフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２と、基準画像、例えば、前フレームの画像のうちのオフメサ領域ＯＭＲに対応する画像とを比較し、変化があるかどうかを押印処理が終了するまで確認する。押印処理が正常に行われている場合、オフメサ領域ＯＭＲは、メサ領域ＭＲとは異なり、基板上のインプリント材Ｒ（や基板Ｗ）と接触することはないため、オフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２が基準画像に対して変化することはない。従って、オフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２が基準画像に対して変化している場合には、オフメサ領域ＯＭＲが基板上のインプリント材Ｒや基板Ｗと接触していると考えられるため、離型処理で基板Ｗのデチャックが発生すると予測する。なお、基準画像は、前フレームの画像のうちのオフメサ領域ＯＭＲに対応する画像に限定されるものではない。例えば、別のショット領域に対してデチャックが発生せずにインプリント処理が行われた場合に観察部９で取得された画像のうちのオフメサ領域ＯＭＲに対応する画像を基準画像としてもよい。

図７（ａ）、図７（ｂ）、図８（ａ）及び図８（ｂ）を参照して、基板Ｗのデチャックが発生するかどうかを予測する処理について具体的に説明する。図７（ａ）は、押印処理を開始した直後のモールドＭと基板Ｗとの位置関係を示している。図７（ａ）に示すように、基板Ｗの中央部には、表面処理が施されていたり、インプリント材Ｒとの密着性を向上させるための層（密着層）などが存在したりしている。従って、基板Ｗの周辺部（ベベル部）は、基板Ｗの中央部よりも低くなっている。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す状態において、観察部９によって取得される画像の左上部（メサ領域ＭＲに対応する画像２０１とオフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２を含む）を拡大して示している。基板Ｗのベベル部８１１と中央部８０１とは、その表面に形成される膜の構成が異なり、入射光に対する反射率が異なるため、図７（ｂ）に示すように、画像上の明るさが異なって観察される。

押印処理が進むと、モールドＭと基板Ｗとの間のギャップが狭くなる。ここで、観察部９によって取得される画像について、メサ領域ＭＲに対応する画像２０１と、オフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２のそれぞれを個別に考える。押印処理が正常に行われている場合、モールドＭのメサ領域ＭＲのみが基板上のインプリント材Ｒと接触する。従って、メサ領域ＭＲに対応する画像２０１では、図２（ｂ）に示すように、ニュートンリングが広がる、即ち、画像２０１が変化する。一方、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲは、基板上のインプリント材Ｒや基板Ｗと接触することはないため、オフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２は変化しない。

押印処理が正常に行われていない場合、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲが基板上のインプリント材Ｒや基板Ｗと接触する。例えば、ショット領域７１１に対する押印処理では、図８（ａ）に示すように、モールドＭのメサ領域ＭＲが基板上のインプリント材Ｒに接触する前に、オフメサ領域ＯＭＲが基板Ｗに直接接触する。図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す状態において、観察部９によって取得される画像の左上部（メサ領域ＭＲに対応する画像２０１とオフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２を含む）を拡大して示している。この場合、メサ領域ＭＲに対応する画像２０１では、図８（ｂ）に示すように、ニュートンリングが発生しない、即ち、画像２０１が変化しない。一方、オフメサ領域ＯＭＲに対応する画像２０２では、基板Ｗの中央側でニュートンリングが発生し、モールドＭと基板Ｗとの間のギャップに応じて、画像２０２が変化する。

また、押印処理が進み、モールドＭと基板Ｗとの間のギャップがゼロになると、上述したように、オフメサ領域ＯＭＲが基板Ｗ（基板上の密着層）に直接接触する。これにより、モールドＭ（オフメサ領域ＯＭＲ）と基板Ｗとが強力に密着してしまうため、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離す動作を通常のレシピに従って行っても、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離すことができない。また、離型力が基板チャック１による基板Ｗの保持力よりも大きくなり、基板Ｗのデチャックが発生する。

このように、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる過程で観察部９によって取得された画像のうち、オフメサ領域ＯＭＲに対応する画像と基準画像とを比較することで、デチャックが発生するかどうかを予測することが可能である。

Ｓ６０１で基板Ｗのデチャックが発生しないと予測した場合には、Ｓ１０２−２に移行して、インプリント処理を継続する。従って、Ｓ１０４では、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離す動作が通常のレシピに従って行われる。一方、Ｓ６０１で基板Ｗのデチャックが発生すると予測した場合には、Ｓ６１１に移行する。

Ｓ６１１では、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離す動作において基板Ｗのデチャックが発生しないように、リカバリ処理を行う。本実施形態では、通常のレシピをデチャックの発生を抑制するためのリカバリ用のレシピに変更し、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離す動作をリカバリ用のレシピに従って行う。例えば、リカバリ用のレシピに従って、モールドチャック３によるモールドＭの保持力及び基板チャック１による基板Ｗの保持力のうちの少なくとも一方を、通常のレシピに従って引き離す動作を行うときの保持力より大きい保持力に変更して引き離す動作を行う。また、リカバリ用のレシピに従って、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲが基板Ｗから離れる方向にモールドＭを傾けて（即ち、モールドＭを引き離しやすい姿勢、具体的には、基板Ｗと接触していない部分が上方となるように）引き離す動作を行ってもよい。更に、これらを組み合わせて、モールドチャック３によるモールドＭの保持力及び基板チャック１による基板Ｗの保持力のうちの少なくとも一方を大きくするとともに、モールドＭを傾けて引き離す動作を行ってもよい。なお、リカバリ用のレシピに従って、基板上のインプリント材ＲからモールドＭを引き離す動作を行う際に、キャビティの圧力を負圧にすることによって、モールドチャック３におけるモールドＭの保持力を更に大きくすることも可能である。

リカバリ処理が行われた場合、モールドＭや基板Ｗがダメージを受けている可能性が高いため、かかるモールドＭ及び基板Ｗをインプリント装置１００から搬出し、新たなモールドＭ及び基板Ｗをインプリント装置１００に搬入するとよい。また、デチャックの発生を未然に防止するため、デチャックが発生すると予測された際と同様のインプリント条件によるインプリント処理が指示された場合には、例えば、インプリント処理を停止し、表示部１４を介して、その旨をユーザに通知するとよい。

本実施形態では、観察部９によって撮像された画像に基づいて、デチャックが発生するかどうかを予測しているが、これに限定されるものではない。例えば、インプリント装置１００は、一般に、モールドチャック３の位置を計測する計測部を有しており、かかる計測部で計測されたモールドチャック３の位置から取得されるモールドＭの姿勢に基づいて、デチャックが発生するかどうかを予測することも可能である。具体的には、図８（ａ）に示す状態から、モールドＭを基板Ｗに更に近づけると、モールドＭは右側に傾くため、モールドＭを保持しているモールドチャック３も右側に傾くことになる。従って、モールドチャック３の位置からモールドＭの姿勢（の変化）を取得することが可能であり、モールドＭの姿勢に応じてデチャックが発生するかどうかを予測することができる。

また、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲが基板Ｗに接触しているかどうかに応じて、Ｓ６１１で行うリカバリ処理（その処理内容）を変更してもよい。但し、図８（ａ）に示す状態では、観察部９によって取得された画像のみでは、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲが実際に基板Ｗに接触しているかどうかを判定することは困難である。このような場合には、モールドステージ４によってモールドＭを上方に移動させ、その間に観察部９で取得された画像やモールドＭの移動に要した力に基づいて、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲが実際に基板Ｗに接触しているかどうかを判定する。そして、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲが実際に基板Ｗに接触している場合には、上述したように、リカバリ処理を行う。一方、モールドＭのオフメサ領域ＯＭＲが実際に基板Ｗに接触していない場合には、リカバリ処理として、かかるショット領域に対するインプリント処理を中止したり、次のインプリント処理についての問い合わせをユーザに対して行ったりする。

インプリント装置１００を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。

硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図９（ａ）に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板Ｗを用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材Ｒを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材Ｒが基板上に付与された様子を示している。

図９（ｂ）に示すように、インプリント用のモールドＭを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材Ｒに向け、対向させる。図９（ｃ）に示すように、インプリント材Ｒが付与された基板ＷとモールドＭとを接触させ、圧力を加える。インプリント材Ｒは、モールドＭと被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールドＭを介して照射すると、インプリント材Ｒは硬化する。

図９（ｄ）に示すように、インプリント材Ｒを硬化させた後、モールドＭと基板Ｗを引き離すと、基板上にインプリント材Ｒの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドＭの凹部が硬化物の凸部に、モールドＭの凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材ＲにモールドＭの凹凸パターンが転写されたことになる。

図９（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図９（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１００：インプリント装置 １：基板チャック ３：モールドチャック １２：制御部 Ｍ：モールド Ｗ：基板 Ｒ：インプリント材

Claims (9)

1. モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
   前記モールドを保持するモールド保持部と、
   前記基板を保持する基板保持部と、
   前記モールドと前記インプリント材との接触状態に関する情報を取得する取得する取得部と、
   前記基板上のインプリント材から前記モールドを引き離す動作を制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、
   前記取得部で取得された前記情報に基づいて、前記引き離す動作を行う際に前記モールド保持部からの前記モールドの脱離又は前記基板保持部からの前記基板の脱離を含むエラーが発生するかを予測し、
   前記エラーが発生すると予測した場合に、前記引き離す動作を前記エラーの発生を抑制するための引き離す動作に変更することを特徴とするインプリント装置。
2. 前記取得部は、前記モールドと前記基板上のインプリント材とを接触させる過程で前記モールド及び前記基板の少なくとも一方を撮像して前記情報としての画像を取得する撮像部を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記モールドは、前記基板に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されたメサ領域と、前記メサ領域の周囲のオフメサ領域とを含み、
   前記制御部は、前記撮像部で取得された画像のうちの前記オフメサ領域に対応する画像と、基準画像とを比較することで、前記エラーが発生するかを予測することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記基準画像は、前記エラーが発生せずに前記インプリント処理が行われた場合に前記撮像部で取得された画像のうちの前記オフメサ領域に対応する画像を含むことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
5. 前記取得部は、前記モールドと前記基板上のインプリント材とを接触させる過程で前記モールド保持部の位置を計測して前記情報としての前記モールドの姿勢を取得する計測部を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
6. 前記制御部は、前記モールド保持部による前記モールドの保持力及び前記基板保持部による前記基板の保持力のうちの少なくとも一方を、大きい保持力に変更して前記エラーの発生を抑制するための引き離す動作を行うことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記モールドは、前記基板に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されたメサ領域と、前記メサ領域の周囲のオフメサ領域とを含み、
   前記制御部は、前記オフメサ領域が前記基板から離れる方向に前記モールドを傾けて前記エラーの発生を抑制するための引き離す動作を行うことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記制御部は、前記エラーが発生すると予測した場合に、前記インプリント処理を中止することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
   前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
   を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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