JP2011061165A - インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 形成されたパターンの良否判定を行うインプリント装置を提供する。
【解決手段】 基板に塗布された樹脂のモールドによる成形を含むインプリント動作を基板のインプリント領域毎に行ってパターンを前記インプリント領域に順次形成するインプリント装置は、前記インプリント動作により成形された樹脂を撮像する撮像部と、制御部と、を備える。前記制御部は、前記撮像部により撮像された画像における色のばらつきが予め定められた閾値以下であるべき前記インプリント領域内の部分領域を特定する情報を取得し、前記撮像部により撮像された画像の前記部分領域における色のばらつきを求め、当該求められたばらつきが前記閾値より大きいならば前記成形されたパターンを不良であると判定してエラー処理を実行する。
【選択図】図5
【解決手段】 基板に塗布された樹脂のモールドによる成形を含むインプリント動作を基板のインプリント領域毎に行ってパターンを前記インプリント領域に順次形成するインプリント装置は、前記インプリント動作により成形された樹脂を撮像する撮像部と、制御部と、を備える。前記制御部は、前記撮像部により撮像された画像における色のばらつきが予め定められた閾値以下であるべき前記インプリント領域内の部分領域を特定する情報を取得し、前記撮像部により撮像された画像の前記部分領域における色のばらつきを求め、当該求められたばらつきが前記閾値より大きいならば前記成形されたパターンを不良であると判定してエラー処理を実行する。
【選択図】図5
Description
本発明は、インプリント装置、及び、当該インプリント装置を用いた物品の製造方法に関する。
紫外線、X線又は電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスなどの微細パターンの形成方法に代わる技術としてインプリント技術が既に知られている。インプリントは、電子ビーム露光等によって微細なパターンを形成したモールドを、ウエハ等の基板に塗布された樹脂材料に押し付ける(押印する)ことによって、基板上に樹脂のパターンを形成する技術である。インプリントには幾つかの種類があり、その一方法として光硬化法が従来から提案されている(特許文献1を参照)。光硬化法は、透明なモールドを押し付けた状態で紫外線硬化樹脂を感光・硬化させてからモールドを剥離する(離型する)方法である。この光硬化法によるインプリントは、温度制御が比較的容易に行えることや透明なモールド越しに基板上のアライメントマークの観察が出来ることから半導体集積回路の製造に適していると言える。また、製造するデバイスのチップの大きさに合せたモールドを製作し、基板上のショット(インプリント領域)に樹脂パターンを逐次成形するステップ・アンド・リピート方式を適用すると、パターンの重ね合せ精度上有利である。
光硬化法によるインプリント装置では、成形後の紫外線硬化樹脂(以下、樹脂と呼ぶ)における残膜の厚みのむらが問題とされる。ここで、残膜とは、基板表面と樹脂の凹凸パターンの凹部底面との間に存在する樹脂の膜(層)をいう。これは、樹脂の残膜の厚み(残膜厚)むらがあると、インプリント工程後の基板に対して実施されるエッチング工程で、凹凸パターンの凸部の幅が場所によって変化し、デバイスパターンの線幅精度に悪影響を及ぼすためである。このような樹脂の残膜厚むらといった転写不良が確認された場合は、インプリント動作を中止する必要がある。
特許文献2には、薄膜が積層された太陽電池パネルのカラー画像を撮像し、次に、カラー画像の各画素値を色度に変換し、色度の標準偏差を薄膜が良好な場合の標準偏差と比較して薄膜の厚みむらの良否を判定することが記載されている。ここで、薄膜の厚みむらが小さくなるほど、色度の標準偏差は小さくなる。この方法では、薄膜の厚みむらの良否を判定したい領域を撮像している。仮に、特許文献2の方法を、インプリント装置による樹脂パターンの残膜厚むら(以下、「膜厚むら」とする)の良否判定に適用した場合、撮像領域に凹凸パターンを含むことになる。しかしながら、凹凸パターンを含む領域におけるカラー画像の色の標準偏差は、大きな値となりうる。したがって、特許文献2の方法は、インプリント装置により成形された樹脂パターンの良否判定に単純には適用できない。
本発明は、形成されたパターンの良否判定を行うインプリント装置の提供を例示的目的とする。
本発明は、形成されたパターンの良否判定を行うインプリント装置の提供を例示的目的とする。
本発明は、基板に塗布された樹脂のモールドによる成形を含むインプリント動作を基板のインプリント領域毎に行ってパターンを前記インプリント領域に順次形成するインプリント装置であって、前記インプリント動作により成形された樹脂を撮像する撮像部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記撮像部により撮像された画像における色のばらつきが予め定められた閾値以下であるべき前記インプリント領域内の部分領域を特定する情報を取得し、前記撮像部により撮像された画像の前記部分領域における色のばらつきを求め、当該求められたばらつきが前記閾値より大きいならば前記成形されたパターンを不良であると判定してエラー処理を実行する、ことを特徴とする。
本発明によれば、例えば、形成されたパターンの良否判定を行うインプリント装置を提供することができる
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。はじめに、膜厚と色の関係について説明する。Si基板上に、屈折率1.5の薄膜が塗布されている積層構造を考える。膜厚は160nmから620nmを想定し、青の光の波長を485nm、緑の光の波長を580nm、黄の光の波長を575nm、赤の光の波長を620nmとして、各色の光を垂直入射し明条件を満たす膜厚を計算した。具体的には、Si基板での反射光と屈折率1.5の薄膜での反射光の干渉の強さが明条件を決める大きな要因とした。屈折率をn、薄膜厚をd、波長をλ、整数m=1とし、式2nd=mλで明条件を満たす膜厚を計算した。青の光は161.7nmと485nmで、緑の光は176.7nmと530nmで、黄の光は191.7nmと575nmで、赤の光は206.7nmと620nmの膜厚で明るくなる。上記の場合、各色は、膜厚がおよそ300nm〜400nmだけずれると再び明条件を満たしている。従って、上記のような単純な積層構造の場合、膜厚が300nm〜400nmより小さければ、膜厚むらを色むらとして観測できる。
図1は、本発明の実施形態に係るインプリント装置の構成図で、図2は、インプリント装置の制御ブロック図である。インプリント装置は、基板に塗布された樹脂のモールドによる成形を含むインプリント動作を基板のインプリント領域毎(ショット領域毎)に行ってパターンをインプリント領域(ショット領域)に順次形成する。基板であるウエハ1は、基板チャック(ウエハチャック)2に保持されている。微動ステージ3は、ウエハ1のθ(z軸回りの回転)方向位置の補正機能、ウエハ1のz位置の調整機能、及びウエハ1の傾きを補正するためのチルト機能を有し、ウエハ1を所定の位置に位置決めするためのXYステージ4上に配置される。以下、微動ステージ3とXYステージ4を合せて、基板ステージ(ウエハステージ)と総称する。XYステージ4は、ベース定盤5に載置されている。微動ステージ3の位置を計測するために、レーザ干渉計7からの光を反射する参照ミラー6が、微動ステージ3上にx及びy方向(y方向は不図示)に取り付けられている。支柱8及び8'は、ベース定盤5上に屹立し、天板9を支える。モールド10は、ウエハ1に転写される凹凸のパターンがその表面に形成され、図示しない機械的保持機構によってモールドチャック11に固定される。モールドチャック11は、図示しない機械的保持機構によって、モールドチャックステージ12に載置される。モールドチャックステージ12は、モールド10及びモールドチャック11のθ(z軸回りの回転)方向位置の補正機能及びモールド10の傾きを補正するためのチルト機能を有する。また、モールドチャック11は、そのx及びy方向の位置を計測するために、レーザ干渉計7'からの光を反射する反射面を有する(y方向は不図示)。モールドチャック11及びモールドチャックステージ12は、UV光源16からコリメータレンズ17を通して照射されるUV光をモールド10へと通過させる、図示しない開口をそれぞれ有する。ガイドバープレート13は、その一端がモールドチャックステージ12に固定され、天板9を貫通するガイドバー14及び14'の他端を固定する。
エアシリンダ又はリニアモータからなるモールド昇降用リニアアクチュエータ15,15'は、ガイドバー14,14'を図1のz方向に駆動し、モールドチャック11に保持されたモールド10をウエハ1状の樹脂に押し付けたり、引き離したりする。アライメント棚18は、天板9に支柱19,19'により懸架され、ガイドバー14,14'が貫通している。静電容量センサなどのギャップセンサ20は、ウエハチャック2上のウエハ1の高さ(高さ分布または表面形状)を計測する。複数のロードセル21(図1に図示せず)は、モールドチャック11又はモールドチャックステージ12に取り付けられ、モールド10の押し付け力を計測する。ダイバイダイアライメント用のTTM(Through The Mold)アライメントスコープ30,30'は、ウエハ1とモールド10とに設けられたアライメントマークを観察するための光学系と撮像系を有する。TTMアライメントスコープ30,30'により、ウエハ1とモールド10との間のx及びy方向の位置ずれを計測する。樹脂を塗布するディスペンサヘッド32は、ウエハ1の表面に液状の光硬化樹脂を滴下するノズルを備えている。CCDカメラ等の撮像部40は、インプリント動作がなされた領域(インプリント領域)を撮像してカラー画像を取得することが可能である。CCDカメラによる撮像の際には、白色光源42が照明に使用される。微動ステージ3上には、基準マーク台上の基準マーク50が配置されている。制御部100は、以上のユニットを統括して制御し、インプリント装置に所定の動作をさせる。また、制御部100は、インプリント領域に形成されたパターン(樹脂パターン)の良否を判定する後述の判定部としても機能する。メモリ110にはCCDカメラ40により撮像された画像が保存される。
図3を用いて、CCDカメラ40によって撮像されるインプリント領域を説明する。図3の(a)は、ウエハ1とウエハ1内の四角で示されたショット領域を示す例である。ショット領域52はこれからインプリント動作が行なわれるショット、ショット領域51はインプリント動作が行われ、形成されたパターンの良否が判定されるショット領域、その他は良好にインプリント動作が行なわれたショット領域である。ショット領域52にインプリント動作を行う前に、ショット領域51を含み破線で示すインプリント動作が行なわれた領域53(インプリント領域)をCCDカメラ40により撮像する。撮像領域53は、次にインプリント動作を行う隣接するショット領域52を含まない。
撮像画像のなかで、形成されたパターンの良否の判定に用いる領域を以下に説明する。図3の(b)の破線で示される撮像領域53(インプリント領域)は、ショット領域51とショット領域51を囲むスクライブライン領域54とを含む。ショット領域51は、その表面に樹脂パターン(単にパターンという)が形成された領域(第2領域)55と、その表面及びその下層に樹脂パターン及び下層パターン(単にパターンともいう)がそれぞれ形成されていない領域56とを含んでいる。スクライブライン領域54は、その表面に樹脂パターン(単にパターンともいう)が形成された領域57と、その表面及びその下層に樹脂パターン及び下層パターン(単にパターンともいう)がそれぞれ形成されていない領域561とを含んでいる(図3(c))。樹脂パターン及び下層パターンが形成されていない、ショット領域内の領域56とスクライブライン内の領域561とは、撮像により得られた画像において色のばらつきが小さい(閾値以下である)はずの領域(インプリント領域内の部分領域)である。または、当該部分領域は、樹脂層の上面および下面が平坦かつ平行であるべき領域ともしうる。本実施形態においては、インプリント動作によりインプリント領域に成形されたパターンの良否の判定に、当該部分領域を構成する領域56と領域561との少なくとも一方の領域の画像データを用いうる。繰り返しになるが、パターンの良否の判定に用いる領域は、色のばらつきが小さいはずの領域である。
図4の(a)及び(b)を用いて、パターンの良否を判定する基準について説明する。パターンもマークも存在しない、ショット領域内の領域56、或いは、マークが存在しないスクライブラインの領域561におけるカラー画像を色空間に変換し、明るさを除く色成分を用いてパターンの良否が判定される。図4の横軸は、色成分のばらつきの量を示し、符号61は予め定められた色のばらつきの許容範囲を示している。色のばらつきの許容範囲の上限値(閾値)は、例えば、パターンが良好に形成された複数の基板の領域56、561において予め算出された色のばらつきを表す数値の最大値である。なお、色のばらつきの許容範囲(閾値)は、例えば、インプリント装置により得られた樹脂パターンを検査する光CD検査装置などのパターン検査装置が合格とした複数の樹脂パターンについて色のばらつきを計測した結果から決定することができる。その際、色のばらつきの大きさを領域毎に調べることにより、色のばらつきの小さい領域を良否の判定に用いる領域として決定してもよい。また、パターンが良好に形成された基板の領域における樹脂やその下層の構造から色のばらつきをシミュレーションして求め、その結果から色のばらつきの許容範囲や良否判定に用いる領域を決定してもよい。インプリント動作が終了した直後の領域56、561における色のばらつきを表す数値が上限値61以下すなわち許容範囲内62であるならば形成されたパターンが正常であると判定される。逆に、領域56、561における色のばらつきを表す数値が上限値61よりも大きいすなわち許容範囲外63であるならば形成されたパターンが不良であると判定される。図4の(b)は、色のばらつきを表す2種類の数値を用いてパターンの良否を判定する場合を示している。図4の(b)において、許容範囲は線66で示されており、色のばらつきを表す2種類の数値が線66の内側68ならば形成されたパターンは正常と判定され、線66の外側69ならばパターンは不良と判定される。そして、形成されたパターンが不良と判定された場合には、エラー処理が施される。形成されたパターンが正常と判定された場合には、次のショット領域に対してインプリント動作が行なわれる。
図5を用いて、制御部100がパターンの良否を判定する手順について説明する。S1で、制御部100は、CCDカメラ40により撮像された一つのショット領域を対象としてインプリント動作がなされた領域(インプリント領域)のカラー画像から上述した色のばらつきが小さいはずのN個の領域のカラー画像データを取得する。なお、制御部100は、当該N個の領域を特定するための情報をメモリ110から取得しうる。当該N個の領域は、例えば、図3の(b)に示されるショット領域内の2つの領域56や、図3の(c)に示されるスクライブライン領域内の4つの領域561である。S2で、制御部100は、S1で取得されたN個の領域のカラー画像データを指定された色空間のデータへ変換し、指定された色成分のばらつきを表す数値を算出する。S3で、制御部100は、メモリ110からS2で指定された色空間の指定された色成分のばらつきについての許容範囲を取得する。S4で、制御部100は、S2で算出された色のばらつきを表す数値がS3で取得された許容範囲内であるか否かを判断する。算出された色のばらつきを表す数値が許容範囲外であるとS4で判断されれば、制御部100は、S5でインプリント領域に形成されたパターンを不良であると判定し、S6でエラー処理を実行する。エラー処理は、例えば、不良パターンの形成を示す信号を発生させる処理である。当該信号を発生するとともに、インプリント装置(制御部100)は、自ら又は他の装置と協働して、モールド10をインプリント装置から回収し、回収されたモールドを洗浄したり、モールドを新しいモールドと交換したりすることができる。エラー処理は、不良パターンの形成を、表示、警報することにより、インプリント装置外に通報する通報処理でも良い。算出された色のばらつきを表す数値が許容範囲内であるとS4で判断されれば、制御部100は、インプリント領域に形成されたパターンを正常であると判定する(S7)。
なお、モールドと基板との間や、モールドとモールドチャックとの間、基板と基板チャックとの間に比較的大きな異物が存在すると、モールドと基板との間のギャップが大域的に一様でなくなり、樹脂パターンの不良(不均一な残膜厚)が発生し得る。例えば、このような場合に、上述した不良判定は有効である。
なお、モールドと基板との間や、モールドとモールドチャックとの間、基板と基板チャックとの間に比較的大きな異物が存在すると、モールドと基板との間のギャップが大域的に一様でなくなり、樹脂パターンの不良(不均一な残膜厚)が発生し得る。例えば、このような場合に、上述した不良判定は有効である。
以下、色のばらつきを表す数値を算出する具体例を説明する。
[例1]
RGB画像で取得したカラー画像をxy表色方式による画像に変換し、そのx成分の3σ(σは標準偏差)を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例2]
RGB画像で取得したカラー画像をxy表色方式による画像に変換し、そのy成分の3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例3]
RGB画像で取得したカラー画像をxy表色方式による画像に変換し、そのx成分の3σとy成分の3σとの和を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例4]
RGB画像で取得したカラー画像をxy表色方式による画像に変換し、x成分の3σを第1の色のばらつきを表す数値として、y成分の3σを第2の色のばらつきを表す数値として、それぞれ算出する。この例では、形成されたショットの良否が、2つの数値の組み合わせによって判定される。
[例5]
RGB画像で取得したカラー画像をYIQ表色方式による画像に変換し、色差Iの3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例1]
RGB画像で取得したカラー画像をxy表色方式による画像に変換し、そのx成分の3σ(σは標準偏差)を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例2]
RGB画像で取得したカラー画像をxy表色方式による画像に変換し、そのy成分の3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例3]
RGB画像で取得したカラー画像をxy表色方式による画像に変換し、そのx成分の3σとy成分の3σとの和を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例4]
RGB画像で取得したカラー画像をxy表色方式による画像に変換し、x成分の3σを第1の色のばらつきを表す数値として、y成分の3σを第2の色のばらつきを表す数値として、それぞれ算出する。この例では、形成されたショットの良否が、2つの数値の組み合わせによって判定される。
[例5]
RGB画像で取得したカラー画像をYIQ表色方式による画像に変換し、色差Iの3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例6]
RGB画像で取得したカラー画像をYIQ表色方式による画像に変換し、色差Qの3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例7]
RGB画像で取得したカラー画像をYIQ表色方式による画像に変換し、色差Iの3σと色差Qの3σとの和を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例8]
RGB画像で取得したカラー画像をYIQ表色方式による画像に変換し、色差Iの3σを第1の色のばらつきを表す数値として、色差Qの3σを第2の色のばらつきを表す数値として、それぞれ算出する。この例では、形成されたショットの良否が、2つの数値の組み合わせによって判定される。
[例9]
RGB画像で取得したカラー画像をHSV表色方式による画像に変換し、彩度Sの3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例10]
RGB画像で取得したカラー画像をHSV表色方式による画像に変換し、色相Hの3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
RGB画像で取得したカラー画像をYIQ表色方式による画像に変換し、色差Qの3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例7]
RGB画像で取得したカラー画像をYIQ表色方式による画像に変換し、色差Iの3σと色差Qの3σとの和を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例8]
RGB画像で取得したカラー画像をYIQ表色方式による画像に変換し、色差Iの3σを第1の色のばらつきを表す数値として、色差Qの3σを第2の色のばらつきを表す数値として、それぞれ算出する。この例では、形成されたショットの良否が、2つの数値の組み合わせによって判定される。
[例9]
RGB画像で取得したカラー画像をHSV表色方式による画像に変換し、彩度Sの3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例10]
RGB画像で取得したカラー画像をHSV表色方式による画像に変換し、色相Hの3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例11]
RGB画像で取得したカラー画像をHSV表色方式による画像に変換し、彩度Sの3σと色相Hの3σとの和を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例12]
RGB画像で取得したカラー画像をHSV表色方式による画像に変換し、彩度Sの3σを第1の色のばらつきを表す数値として、色相Hの3σを第2の色のばらつきを表す数値として、それぞれ算出する。この例では、形成されたショットの良否が、2つの数値の組み合わせによって判定される。
[例13]
特定の色に対応する第1の波長帯域の光を用いた撮像により得られた画像について、色変換を行わず、画素値の3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例14]
第1の波長帯域の光を用いた撮像により得られた第1画像及び第2の波長帯域の光を用いた撮像により得られた第2画像について、色変換を行わず、第1画像の画素値の3σと第2画像の画素値の3σとの和を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例15]
第1の波長帯域の光を用いた撮像により得られた第1画像及び第2の波長帯域の光を用いた撮像により得られた第2画像について、色変換を行わず、第1画像の画素値の3σを第1の色のばらつきを表す数値として算出する。また、第2画像の画素値の3σを第2の色のばらつきを表す数値として算出する。この例では、形成されたショットの良否が、2つの数値の組み合わせによって判定される。
RGB画像で取得したカラー画像をHSV表色方式による画像に変換し、彩度Sの3σと色相Hの3σとの和を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例12]
RGB画像で取得したカラー画像をHSV表色方式による画像に変換し、彩度Sの3σを第1の色のばらつきを表す数値として、色相Hの3σを第2の色のばらつきを表す数値として、それぞれ算出する。この例では、形成されたショットの良否が、2つの数値の組み合わせによって判定される。
[例13]
特定の色に対応する第1の波長帯域の光を用いた撮像により得られた画像について、色変換を行わず、画素値の3σを色のばらつきを表す数値として算出する。
[例14]
第1の波長帯域の光を用いた撮像により得られた第1画像及び第2の波長帯域の光を用いた撮像により得られた第2画像について、色変換を行わず、第1画像の画素値の3σと第2画像の画素値の3σとの和を色のばらつきを表す数値として算出する。
[例15]
第1の波長帯域の光を用いた撮像により得られた第1画像及び第2の波長帯域の光を用いた撮像により得られた第2画像について、色変換を行わず、第1画像の画素値の3σを第1の色のばらつきを表す数値として算出する。また、第2画像の画素値の3σを第2の色のばらつきを表す数値として算出する。この例では、形成されたショットの良否が、2つの数値の組み合わせによって判定される。
[物品の製造方法]
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。
Claims (6)
- 基板に塗布された樹脂のモールドによる成形を含むインプリント動作を基板のインプリント領域毎に行ってパターンを前記インプリント領域に順次形成するインプリント装置であって、
前記インプリント動作により成形された樹脂を撮像する撮像部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記撮像部により撮像された画像における色のばらつきが予め定められた閾値以下であるべき前記インプリント領域内の部分領域を特定する情報を取得し、
前記撮像部により撮像された画像の前記部分領域における色のばらつきを求め、
当該求められたばらつきが前記閾値より大きいならば前記成形されたパターンを不良であると判定してエラー処理を実行する、
ことを特徴とするインプリント装置。 - 前記エラー処理は、不良パターンの形成を示す信号を発生することを含む、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記部分領域は、インプリント領域内であって、その表面及びその下層にパターンが形成されていない領域を含む、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のインプリント装置。
- 前記部分領域は、スクライブライン領域内であって、その表面及びその下層にパターンが形成されていない領域を含む、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記制御部は、前記色のばらつきを求めるにあたり、xy表色方式におけるx成分及びy成分の少なくとも一方のばらつき、YIQ表色方式における色差I及び色差Qの少なくとも一方のばらつき、又は、HSV表色方式における彩度S及び色相Hの少なくとも一方のばらつきを求める、ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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2009
- 2009-09-14 JP JP2009212519A patent/JP2011061165A/ja not_active Withdrawn
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