TWI443698B - 去耦合元件及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種去耦合元件，且特別是有關於一種具有較佳製程良率的去耦合元件及其製程方法。
固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可使用於中央處理器(Central Processing Unit,CPU)的電源電路的去耦合(Decoupling)作用上。
一般而言，可在平面導線架上堆疊多個電容單元來形成具有高電容量的固態電解電容器，藉以在中央處理器(CPU)的電源電路中實施為去耦合元件。在實務上，多個垂直堆疊之電容單元中的每一者都包括陽極部及陰極部。其中，所有陰極部彼此以導電膠做電性連接。另外，所有陽極部經由下拉(或彎折)而與平面導線架之同一平面的陽極端子部電性連接，且各陽極部之間以多層共焊方式連接。
然而，由於去耦合元件之陽極與陰極在製作時的厚度差異大，多層共焊陽極部有時會因為熱應力問題，導致陽極斷裂使有效電容下降；另外，如果焊點面積小，焊點容易氧化而絕緣化，造成有效連接數減少，導致有效電容量下降。
因此，如何提升去耦合元件的製程良率是一個重要的議題。
本揭露提供一種去耦合元件，包括一以及至少一電容單元組。導線架包括一陰極端子部及至少兩個陽極端子部。至少兩個陽極端子部位於陰極端子部的兩端而彼此對向的，陽極端子部透過導電線而彼此電性相連，其中陽極端子部其中之一於第一方向向外延伸為一延伸部，陽極端子部之延伸部並向第二方向彎折形成陽極側板，而第一方向與第二方向相互垂直。至少一電容單元組包含多數個電容單元，電容單元組彼此相互並聯於同一平面上且設置在導線架上，而各電容單元組所包含的電容單元於該第二方向以堆疊方式排列，且各電容單元具有一陰極部與一陽極部，陰極部電性連接到陰極端子部，陽極部於該第一方向電性連接到陽極側板。
本揭露提供一種立體式導線架，用以承載至少一電容單元組，包括一陰極端子部、一導電線以及至少兩個陽極端子部。陰極端子部具有一間隔。導電線位於間隔中。至少兩個陽極端子部，位於陰極端子部的兩側而彼此對向，並透過導電線彼此電性相連，其中，陽極端子部其中之一於第一方向向外延伸為一延伸部，陽極端子部之延伸部並向一第二方向彎折形成陽極側板，而第一方向與第二方向相互垂直。
本揭露提供一種去耦合元件的製造方法包括提供一導線架及至少一電容單元組。導線架包括一陰極端子部及位於陰極端子部的兩端而彼此對向的至少兩個陽極端子部，
陽極端子部是利用一導電線而彼此電性相連，其中至少一陽極端子部於一第一方向向外延伸為一延伸部，陽極端子部之延伸部並向一第二方向彎折形成一陽極側板，而第一方向與第二方向相互垂直。電容單元組包含多數個電容單元，電容單元組彼此相互並聯於同一平面上且設置在導線架上，而各電容單元於第一方向以堆疊方式排列，且各電容單元具有彼此對向的一陰極部與一陽極部，陰極部電性於連接到陰極端子部，陽極部於第一方向電性連接到陽極側板。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本揭露中的去耦合元件採用多數個電容單元在彼此堆疊並聯排列的方式下，製程簡單且可降低等效串聯電阻(ESR)。
本揭露中的導線架的至少兩個陽極端子部是彼此連通而形成傳輸線結構，此傳輸線結構在高頻狀態下會形成電感而可與電容單元的電容形成濾波器。
本揭露中的導線架可具有多端子結構，且使相鄰端子之間的電流傳輸距離縮短，以降低等效串聯電感(ESL)。
本揭露特別提出陰陽極之立體結構導線架以應用在高頻去耦合元件中，而以下將舉出幾個示範性實施例來進行說明。
圖1為本揭露之一種去耦合元件的剖面示意圖。請參閱圖1，去耦合元件包括導線架100以及M個電容單元組130(圖1中以M等於2為例進行說明，但M可以為有別於2的偶數)。其中，導線架100具有至少兩個於第二方向104彎折之立體陽極側板140且彼此對向。M(=2)個電容單元組130彼此並聯排列於導線架100上，且每一電容單元組130包括N個電容單元120(圖1中以N等於4為例來進行說明，但並不限制於此)。其中，N(=4)個電容單元120垂直堆疊於導線架100上。
各電容單元120中包括陽極部124及陰極部122。各陰極部122彼此堆疊並以導電膠126做電性連接。各陽極部124於第一方向102透過導電膠145而與陽極側板140電性連接。如此一來，各陽極部124垂直電性連接於陽極側板140，大幅縮短電路傳輸路徑，進而增快電子傳遞之效率。顯然地，基於陽極側板140的緣故，各陽極部124即無須彎折就可電性連接在一起。
圖2A與圖2B為本發明之第一實施例之導線架正面與背面的立體視圖。請同時參照圖2A與圖2B，導線架200包括：導電線240、陰極端子部220及至少兩個陽極端子部210。其中陰極端子部220具有間隔S，導電線240設置於間隔S中，而至少兩個陽極端子部210a、210b位於陰極端子部220的兩側而彼此對向的，且利用導電線240而彼此電性相連。上述的陽極端子部210a與210b於第一方向102向外延伸為一延伸部，陽極端子部之該延伸部並向
第二方向104分別彎折形成陽極側板215a與215b，其中第一方向102與第二方向104相互垂直。
繼續參考圖2A與圖2B，間隔S可將陰極端子部220劃分成兩個子陰極端子部(sub cathode terminal portion)220a與220b，而使導電線240位於兩個子陰極端子部220a與220b之間的間隔S中。兩個子陰極端子部220a與220b個各包含至少一個於第二方向104彎折的陰極側板。舉例而言如圖2A所示，子陰極端子部220a包括兩陰極側板225a與225b，而子陰極端子部220b包括兩陰極側板225c與225d。
另外，陰極端子部220可更包括：粗糙化結構230，位於陰極端子部220的表面。該粗糙化結構230可提昇電容單元與陰極端子部220之間的接著效果。該粗糙化結構230可利用對於陰極端子部220進行沖壓或蝕刻製程而形成。再者，導線架200更包括：絕緣層250，設置於導電線240上方，絕緣層250使陰極端子部220與陽極端子部210a、210b彼此電性絕緣。通常，絕緣層250可使用絕緣膠帶貼附在導線架200的適當位置上。此外，上述之陰極側板225a、225b、225c及225d與陽極側板215a及215b和導線架200為一體成型之結構，且同為一金屬或合金材料所製成。
圖3為本發明之圖1所示電容單元120的剖面圖。請參照圖3，電容單元120為片狀電容單元，在相對向的兩端各自具有一個陰極部122與一個陽極部124。電容單元
120可包括：閥金屬層326、介電層316、導電高分子層314以及陰極導電層312。介電層316形成於閥金屬層326上。導電高分子層314形成於介電層316上。陰極導電層312形成於導電高分子層314上。
閥金屬層326的材質可選自於鋁、鉭、鈮、氧化鈮、鈦及其組合。介電層316可為利用介電材料塗佈於閥金屬層326上而形成。介電層316也為利用化學陽極處理而閥金屬層326的表面進行氧化而形成的金屬氧化物。
另外，在電容單元120中，可在陰極部122與陽極部124之間設置絕緣部324，以隔絕陰極部122與陽極部124。
圖4A與圖4B分別為本發明之第二實施例之去耦合元件及其等效電路的示意圖。請參照圖4A，去耦合元件400中包括兩個電容單元組430a與430b，於導線架410上，兩個電容單元組430a與430b以並聯方式排列。兩個電容單元組430a與430b位於圖4A的圖面之上方及下方，各自的陰極部422是彼此相鄰的、而各自的陽極部424是彼此遠離的。
另外，如圖4B的等效電路圖所示，導電線416所構成的傳輸線結構在高頻運作的狀態下會產生電感L，而此電感L與兩個電容單元組430a與430b的電容C之間會形成CLC電路，亦即所謂的π型濾波器。如此一來，可以有效地去除高頻運作時的電子雜訊。
圖5為本發明之第三實施例之去耦合元件的示意圖。如圖5所示，去耦合元件500中包括四個電容單元組530a、530b、530c及530d，於導線架510上四個電容單元
組530a、530b、530c及530d以並聯方式排列於同一平面上。電容單元組530a與530d位於圖5的圖面之上方，電容單元組530b與530c位於圖5的圖面之下方，各自的陰極部522是彼此相鄰的、而各自的陽極部524是彼此遠離的。
圖6A為本發明之第四實施例之去耦合元件示意圖。請參照圖6A，去耦合元件400中包括兩個電容單元組430a與430b，於導線架410上，兩個電容單元組430a與430b以並聯方式排列於同一平面上。兩個電容單元組430a與430b位於圖6A的圖面之上方及下方，各自的陰極部422是彼此相鄰的、而各自的陽極部424是彼此遠離的。導線架410之陽極側板413a與413b位於圖6A的圖面之上方及下方，電容單元組430a與430b之陽極部424分別與陽極側板413a與413b電性連接。
圖6B為本發明之第四實施例之另一種去耦合元件示意圖。請參照圖6B，去耦合元件500中包括四個電容單元組530a、530b、530c及530d，於導線架510上四個電容單元組530a、530b、530c及530d以並聯方式排列於同一平面上。電容單元組530a與530d位於圖6B的圖面之上方，電容單元組530b與530c位於圖6B的圖面之下方，各自的陰極部522是彼此相鄰的、而各自的陽極部524是彼此遠離的。導線架510之陽極側板513a位於圖6B的圖面之上方與陽極側板513b位於圖6B之下方，陽極側板513a分別與電容單元組530a與530d電性連接，陽極側板
513b分別與電容單元組530b與530c電性連接。
圖6C為本發明之第四實施例之再另一種去耦合元件示意圖。如同圖6B所述，去耦合元件500中包括四個電容單元組530a、530b、530c及530d，於導線架510上四個電容單元組530a、530b、530c及530d以並聯方式排列於同一平面上。電容單元組530a與530d位於圖6B的圖面之上方，電容單元組530b與530c位於圖6B的圖面之下方，各自的陰極部522是彼此相鄰的、而各自的陽極部524是彼此遠離的。導線架510之陽極側板513a與513d位於圖6B的圖面之上方與陽極側板513b與513c位於圖6B之下方，陽極側板513a與513d分別與電容單元組530a與530d電性連接，陽極側板513b與513c分別與電容單元組530b與530c電性連接。
圖6D為本發明之圖6A之去耦合元件立體圖。圖6C僅繪示電容單元組430a之四層堆疊電容單元，但並不以此為限制。請參照圖6A與6C，電容單元組430a之各陽極部424分別垂直電性連接至陽極側板413a。
圖7A為本發明之第五實施例之去耦合元件示意圖。請參照圖7A，去耦合元件400中包括兩個電容單元組430a與430b，於導線架410上，兩個電容單元組430a與430b以並聯方式排列於同一平面上。兩個電容單元組430a與430b位於圖7A的圖面之上方及下方，各自的陰極部422是彼此相鄰的、而各自的陽極部424是彼此遠離的。導線架410之陽極側板413a與413b位於圖7A的圖面之上方
及下方，電容單元組430a與430b之陽極部424分別套入陽極側板413a與413b使其電性連接。
圖7B為本發明之第五實施例之另一種去耦合元件示意圖。請參照圖7B，去耦合元件500中包括四個電容單元組530a、530b、530c及530d，於導線架510上四個電容單元組530a、530b、530c及530d以並聯方式排列於同一平面上。電容單元組530a與530d位於圖7B的圖面之上方，電容單元組530b與530c位於圖7B的圖面之下方，各自的陰極部522是彼此相鄰的、而各自的陽極部524是彼此遠離的。導線架510之陽極側板513a與513d位於圖7B的圖面之上方與陽極側板513b與513c位於圖7B之下方，其中，電容單元組530a與530d之陽極端524分別套入陽極側板513a與513d使其電性連接，電容單元組530b與530c之陽極端524分別套入陽極側板513b與513c使其電性連接。
圖7C為本發明之圖7A之去耦合元件立體圖。圖7C僅繪示電容單元組430a之四層堆疊電容單元，但並不以此為限制。請參照圖7A與7C，電容單元組430a之各陽極部424皆具有一與陽極側板413a頂面面積A1大小相符之套洞710，用以供陽極側板413a套入各陽極部424之套洞710，達到電性連接之效果。
圖8A為本發明之第六實施例之去耦合元件示意圖。請參照圖8A，去耦合元件400中包括兩個電容單元組430a與430b，於導線架410上，兩個電容單元組430a與430b
以並聯方式排列於同一平面上。兩個電容單元組430a與430b位於圖8A的圖面之上方及下方，各自的陰極部422是彼此相鄰的、而各自的陽極部424是彼此遠離的。導線架410之陽極側板413a與413b位於圖8A的圖面之上方及下方，其中，電容單元組430a與430b之陽極部424分別貫穿陽極側板413a與413b使其電性連接。
圖8B為本發明之第五實施例之另一種去耦合元件示意圖。請參照圖8B，去耦合元件500中包括四個電容單元組530a、530b、530c及530d，於導線架510上四個電容單元組530a、530b、530c及530d以並聯方式排列於同一平面上。電容單元組530a與530d位於圖8B的圖面之上方，電容單元組530b與530c位於圖8B的圖面之下方，各自的陰極部522是彼此相鄰的、而各自的陽極部524是彼此遠離的。導線架510之陽極側板513a與513d位於圖8B的圖面之上方與陽極側板513b與513c位於圖8B之下方，電容單元組530a與530d之陽極部524分別貫穿陽極側板513a與513d使其電性連接，電容單元組530b與530c之陽極部524分別貫穿陽極側板513b與513c使其電性連接。
圖8C為本發明之圖8A之去耦合元件立體圖。圖8C僅繪示電容單元組430a之四層堆疊電容單元，但並不以此為限制。請參照圖8A與8C，陽極側板413a具有一貫穿洞810，用以供電容單元組430a之各陽極部424能夠套入貫穿洞810，達到電性連接之效果。
圖9A為本發明之第七實施例之去耦合元件示意圖。請參照圖9A，去耦合元件400中包括兩個電容單元組430a與430b，於導線架410上，兩個電容單元組430a與430b以並聯方式排列於同一平面上。兩個電容單元組430a與430b位於圖9A的圖面之上方及下方，各自的陰極部422是彼此相鄰的、而各自的陽極部424是彼此遠離的。導線架410之陰極側板415位於圖9A兩個電容單元組430a與430b的陰極部422之間，陰極側板415以一字型與電容單元組430a和430b之陰極部422電性連接。
圖9B為本發明之第七實施例之另一種去耦合元件示意圖。請參照圖9B，去耦合元件500中包括四個電容單元組530a、530b、530c及530d，於導線架510上四個電容單元組530a、530b、530c及530d以並聯方式排列於同一平面上。電容單元組530a與530d位於圖9B的圖面之上方，電容單元組530b與530c位於圖9B的圖面之下方，各自的陰極部522是彼此相鄰的、而各自的陽極部524是彼此遠離的。導線架510之陰極側板515位於電容單元組530a、530b、530c及530d之間如圖9B所示，陰極側板515以十字型與電容單元組530a、530b、530d和530c之陰極部522電性連接。
圖9C為本發明之圖9A之去耦合元件側視圖。圖9C僅繪示電容單元組430a之四層堆疊電容單元，但並不以此為限制。請參照圖9A與9C，陰極側板415位於電容單元組430a與430b陰極部422之間，並電性連接至電容單元
組430a與430b各陰極部422。
圖10A為本發明之第八實施例之去耦合元件示意圖。請參照圖10A，去耦合元件400中包括兩個電容單元組430a與430b，於導線架410上，兩個電容單元組430a與430b以並聯方式排列於同一平面上。兩個電容單元組430a與430b位於圖10A的圖面之上方及下方，各自的陰極部422是彼此相鄰的、而各自的陽極部424是彼此遠離的。導線架410之陰極側板415a、415b、415c及415d分別位於圖10A兩個電容單元組430a與430b的陰極部422之外部兩側如圖所示，電容單元組430a與430b之陰極部422與陰極側板415a、415b、415c及415d電性連接。
圖10B為本發明之第八實施例之另一種去耦合元件側視圖。請參照圖10B，去耦合元件500中包括四個電容單元組530a、530b、530c及530d，於導線架510上四個電容單元組530a、530b、530c及530d以並聯方式排列於同一平面上。電容單元組530a與530d位於圖10B的圖面之上方，電容單元組530b與530c位於圖10B的圖面之下方，各自的陰極部522是彼此相鄰的、而各自的陽極部524是彼此遠離的。導線架510之陰極側板515a、515b、515c及515d位於電容單元組530a、530b、530c及530d之外部如圖10B所示，電容單元組530a、530b、530d與530c之陰極部522與陰極側板515a、515b、515c及515d電性連接。
圖10C為本發明之圖10A之去耦合元件側視圖。圖
10C僅繪示電容單元組430a之四層堆疊電容單元，但並不以此為限制。請參照圖10A與圖10C，圖10C為陰極側板415a、415b位於電容單元組430a與430b陰極部422外部兩側，並電性連接至電容單元組430a與430b各陰極部422。
綜上所述，本發明的去耦合元件至少具有以下優點：本發明之去耦合元件採用具有立體結構之導線架，利用電容單元陰陽極之截面與導線架之陰陽極端之側板進行電性連接，除了用以提高製程良率，並可減少電路傳輸路徑、可降低等效串聯電阻(ESR)及增快電子傳遞速率。
另外，利用去耦合元件的兩個陽極部之間形成傳輸線結構。此傳輸線結構在高頻運作時可產生電感，且電感與電容會形成等效濾波電路，而進一步使去耦合元件具有濾波效應。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S‧‧‧間隔
L‧‧‧電感
C‧‧‧電容
A1‧‧‧頂面面積
100‧‧‧導線架
102‧‧‧第一方向
104‧‧‧第二方向
120‧‧‧電容單元
122‧‧‧電容單元陰極部
124‧‧‧電容單元陽極部
126‧‧‧導電膠
130‧‧‧電容單元組
140‧‧‧陽極側板
145‧‧‧導電膠
200‧‧‧導線架
210a、210b‧‧‧陽極端子部
215a、215b‧‧‧陽極側板
220、220a、220b‧‧‧陰極端子部
225a、225b、225c、225d‧‧‧陰極側板
230‧‧‧粗糙化結構
240‧‧‧導電線
250‧‧‧絕緣層
312‧‧‧陰極導電層
314‧‧‧導電高分子層
316‧‧‧介電層
324‧‧‧絕緣部
326‧‧‧閥金屬層
400‧‧‧去耦合元件
410‧‧‧導線架
412a、412b‧‧‧陰極端子部
413a、413b‧‧‧陽極側板
414a、414b‧‧‧陽極端子部
415、415a、415b、415c、415d‧‧‧陰極側板
416‧‧‧導電線
418‧‧‧粗糙表面
422‧‧‧陰極部
424‧‧‧陽極部
430a、430b‧‧‧電容單元組
500‧‧‧去耦合元件
510‧‧‧導線架
512a、512b‧‧‧陰極端子部
513a、513b、513c、513d‧‧‧陽極側板
514a、514b‧‧‧陽極端子部
515、515a、515b、515c、515d‧‧‧陰極側板
516‧‧‧導電線
518‧‧‧粗糙表面
522‧‧‧陰極部
524‧‧‧陽極部
530a、530b、530c、530d‧‧‧電容單元組
710‧‧‧套洞
810‧‧‧貫穿洞
下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了本發明的示例實施例，所附圖式與說明書的描述一起說明本發明的原理。
圖1為本發明之一種去耦合元件的剖面示意圖。
圖2A與圖2B為本發明之第一實施例之導線架正面與背面的立體視圖。
圖3為本發明之圖1所示電容單元120的剖面圖。
圖4A與圖4B分別為本發明之第二實施例之去耦合元件及其等效電路的示意圖。
圖5為本發明之第三實施例之去耦合元件的示意圖。
圖6A為本發明之第四實施例之去耦合元件示意圖。
圖6B為本發明之第四實施例之另一種去耦合元件示意圖。
圖6C為本發明之第四實施例之再另一種去耦合元件示意圖。
圖6D為本發明之圖6A之去耦合元件立體圖。
圖7A為本發明之第五實施例之去耦合元件示意圖。
圖7B為本發明之第五實施例之另一種去耦合元件示意圖。
圖7C為本發明之圖7A之去耦合元件立體圖。
圖8A為本發明之第六實施例之去耦合元件示意圖。
圖8B為本發明之第六實施例之另一種去耦合元件示意圖。
圖8C為本發明之圖8A之去耦合元件立體圖。
圖9A為本發明之第七實施例之去耦合元件意圖。
圖9B為本發明之第七實施例之另一種去耦合元件示意圖。
圖9C為本發明之圖9A之去耦合元件側視圖。
圖10A為本發明之第八實施例之去耦合元件示意圖。
圖10B為本發明之第八實施例之另一種去耦合元件側視圖。
圖10C為本發明之圖10A之去耦合元件側視圖。
100‧‧‧導線架
102‧‧‧第一方向
104‧‧‧第二方向
120‧‧‧電容單元
122‧‧‧電容單元陰極部
124‧‧‧電容單元陽極部
126‧‧‧導電膠
130‧‧‧電容單元組
140‧‧‧陽極側板
145‧‧‧導電膠
Claims (20)
- 一種去耦合元件，包括：一導線架，包括：一陰極端子部，及位於該陰極端子部的兩端而彼此對向的至少兩個陽極端子部，該些陽極端子部透過一導電線而彼此電性相連，其中該些陽極端子部其中之一於一第一方向延伸為一延伸部，該陽極端子部之該延伸部並向一第二方向彎折形成一陽極側板，而該第一方向與該第二方向相互垂直，且其中該陰極端子部包含至少一子陰極端子部；以及至少一電容單元組，包含多數個電容單元，該些電容單元組彼此相互並聯於同一平面上且設置在導線架上，而各電容單元組所包含的電容單元於該第二方向以堆疊方式排列，且各電容單元具有一陰極部與一陽極部，該陰極部電性連接到該陰極端子部，該陽極部於該第一方向電性連接到該陽極側板，且其中至少一該子陰極端子部位於該些電容單元之陰極部之間而於該第二方向彎折形成一陰極側板。
- 如申請專利範圍第1項所述的去耦合元件，其中各該些電容單元之陽極部以導電膠或焊接方式電性連接至該陽極側板。
- 如申請專利範圍第1項所述的去耦合元件，其中該導線架之該些陽極側板更包括至少一片以上之金屬，用以與該些電容單元之陽極部於該第一方向電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的去耦合元件，其中各 該些電容單元之陽極部分別更包括一套洞，用以與該陽極側板於該第二方向電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的去耦合元件，其中該子陰極端子部以一字型或十字型電性連接該陰極部。
- 如申請專利範圍第1項所述的去耦合元件，其中該些電容單元之陰極部分別以導電膠相互連接且堆疊於導線架上。
- 如申請專利範圍第1項所述的去耦合元件，其中該陰極端子部更包括：一粗糙化結構，位於該第二方向之該陰極端子部的表面。
- 如申請專利範圍第1項所述的去耦合元件，其中該電容單元，包括：一閥金屬層；一介電層，形成於該閥金屬層上；一導電高分子層，形成於該介電層上；以及一陰極導電層，形成於該導電高分子層上。
- 如申請專利範圍第8項所述的去耦合元件，其中該該閥金屬層的材質選自於鋁、鉭、鈮、氧化鈮、鈦及其組合。
- 如申請專利範圍第8項所述的去耦合元件，其中該介電層為該閥金屬層的金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第8項所述的去耦合元件，其中該陰極導電層包括碳膠層與銀膠層。
- 如申請專利範圍第1項所述的去耦合元件，更包括：一絕緣層，設置於該導電線上方，該絕緣層使該陰極 端子部與該些陽極端子部彼此電性絕緣。
- 一種立體式導線架，用以承載至少一電容單元組，包括：一陰極端子部，具有一間隔；一導電線，位於該間隔中；以及至少兩個陽極端子部，位於該陰極端子部的兩側而彼此對向，並透過該導電線彼此電性相連，其中，該些陽極端子部其中之一於一第一方向向外延伸為一延伸部，該陽極端子部之該延伸部並向一第二方向彎折形成一陽極側板，而該第一方向與該第二方向相互垂直，其中該陰極端子部包括至少一子陰極端子部，且其中至少一該子陰極端子部位於該些電容單元之陰極部之間而於該第二方向彎折形成一陰極側板。
- 如申請專利範圍第13項所述的立體式導線架，其中至少一該陰極側板與該立體式導線架為一整體結構。
- 如申請專利範圍第13項所述的立體式導線架，其中至少一該陰極側板為一金屬或合金材料。
- 如申請專利範圍第13項所述的立體式導線架，其中該陰極端子部於該第二方向之表面具有一粗糙結構。
- 如申請專利範圍第13項所述的立體式導線架，其中該陽極側板與該立體式導線架為一整體結構。
- 如申請專利範圍第13項所述的立體式導線架，其中該陽極側板為一金屬或合金材料。
- 如申請專利範圍第13項所述的立體式導線架，更包括一絕緣層，覆蓋於一適當位置上，用以使該些陽極端子部與該陰極端子部電性隔離。
- 一種去耦合元件的製造方法，包括：提供一導線架，包括：一陰極端子部，及位於該陰極端子部的兩端而彼此對向的至少兩個陽極端子部，該些陽極端子部是透過一導電線而彼此電性相連，其中該些該陽極端子部其中之一於一第一方向向外延伸為一延伸部，該陽極端子部之該延伸部並向一第二方向彎折形成一陽極側板，而該第一方向與該第二方向相互垂直，且其中該陰極端子部包含至少一子陰極端子部；以及提供至少一電容單元組，其中包含多數個電容單元，該些電容單元組彼此相互並聯於同一平面上且設置在導線架上，而各電容單元組所包含的電容單元於該第二方向以堆疊方式排列，且各該些電容單元具有一陰極部與一陽極部，該陰極部電性連接到該陰極端子部，該陽極部於該第一方向電性連接到該陽極側板，且其中至少一該子陰極端子部位於該些電容單元之陰極部之間而於該第二方向彎折形成一陰極側板。
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