TWI443459B - 負型光阻組成物和裝置用的圖樣化方法 - Google Patents

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Description

負型光阻組成物和裝置用的圖樣化方法
本發明係關於一種負型光阻組成物和裝置用的圖樣化方法，更具體的，對一負型光阻組成物和使用其之裝置用的圖樣化方法而言，對於形成一優良的具倒錐型輪廓之光阻圖樣具有高敏感度，不只可以實現多種薄膜的有效圖樣化，在圖樣化之後也可以促進光阻圖樣的移除。
本申請案為主張2010年5月04日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請案號10-2010-0042057之優先權，該先申請案之揭露內容合併於本文供參考。
裝置的程序，如發光二極體或DRAM，包含一微影蝕刻過程(photolithography process)用以圖樣化多種薄膜。對微影蝕刻過程而言，其為使用一種光阻組成物和光阻組成物產生之光阻圖樣。光阻組成物有兩種：正型和負型。
負型光阻組成物為一種光阻組成物，當一基板或一目標薄膜經過光阻塗佈、曝光及顯影，其未曝光部份被移除。此種負型光阻組成物一般使用於圖樣化金屬膜，例如電極；使用於多種裝置的製造，例如發光二極體(LEDs)或液晶裝置(LCD)。更具體的，負型光阻組成物被認為是使用於LCD的薄膜電晶體基板製程，或LED電極之剝離程序。
剝離程序是指一種產生圖樣的方法，其中，負型光阻組成物用於形成一倒錐型輪廓之光阻圖樣，然後用以圖樣化一目標薄膜，例如金屬膜。然而，在產生光阻圖樣時，使用傳統的負型光阻組成物經常無法提供倒錐型輪廓之光阻圖樣。於此，當目標薄膜，例如金屬膜，於光阻圖樣產生，殘留的目標薄膜(例如金屬殘留)通常會累積在光阻圖樣的側壁。這些殘留物成為引發由金屬膜產生電極間的短路之潛在原因，且最後成為裝置的缺陷。
此外，傳統的負型光阻組成物展現的敏感度不夠高，以致於無法達到有效且優良的目標薄膜圖樣化，例如金屬膜之圖樣化。尤其，由於多種裝置最近傾向於高整合性和微粒化，此問題變的更重要。
本發明之主要目的係在提供一種負型光阻組成物，俾能展現高敏感度，且能產生優良的具倒錐型輪廓之光阻圖樣。
本發明之另一目的係在提供一種使用負型光阻組成物之裝置用的圖樣化方法。
本發明係在提供一種負型光阻組成物，包含：一鹼溶性黏著劑樹脂；一含鹵素的第一光酸產生劑；一三氮雜苯基的第二光酸產生劑；一含烷氧基結構的交聯劑；以及一溶劑。
本發明也在提供一種裝置用的圖樣化方法，包含：使用該負型光阻組成物於一基板；曝光使用於基板之組成物於一定義區域；顯影該組成物之未曝光部份以產生一倒錐型輪廓之光阻圖樣；形成一目標薄膜於該光阻圖樣；以及移除該光阻圖樣。
接著，根據本發明之示範實施例，將描述一負型光阻組成物和一裝置用的圖樣化方法。
根據本發明之一實施例中，提供一負型光阻組成物包含：一鹼溶性黏著劑樹脂；一含鹵素的第一光酸產生劑；一三氮雜苯基的第二光酸產生劑；一含烷氧基結構的交聯劑；以及一溶劑。
負型光阻組成物包含兩類型的光酸產生劑，其係有具體指定系列。將在以下描述的實施例中了解，本發明之發明人執行的實驗顯示：由於兩種光酸產生劑，本發明之負型光阻組成物不僅展現高敏感度，並使其形成優良的具倒錐型輪廓之光阻圖樣。舉例來說，形成優良的具倒錐型輪廓之光阻圖樣，其光阻圖樣之側壁與基板間的角度應小於90°，具體為至少55°且小於90°，更具體於55°至80°之間。
具有優良的具倒錐型輪廓之光阻圖樣，能夠有效的圖樣化多種的目標薄膜，例如金屬膜，經由剝離過程將減少金屬膜或電極之短路，或圖樣化過程中裝置的缺陷。這是由於優良的倒錐型輪廓可以防止大部分目標薄膜的殘留，例如金屬殘留，避免累積在光阻圖樣的側壁。因此，負型光阻組成物可以適合地應用於多種裝置的製程，例如LED或LCD裝置，包括：舉例而言，LCD裝置的薄膜電晶體基板製程，或LED裝置的電極產生。當目標薄膜之殘留沒有累積在光阻圖樣側壁，之後可以更簡單移除光阻圖樣，其為主要讓裝置缺陷減少之主因。
相比之下，負型光阻組成物包含不同系列的光酸產生劑，或單一的光酸產生劑，應用於剝離過程時，可能導致敏感度的劣化或無法產生倒錐型輪廓之光阻圖樣；諸多案例中，光阻圖樣被形成於錐型或類似矩型，或由於敏感度的退化使其未產生圖樣。就此理由而言，當光阻圖樣使用於圖樣化一目標薄膜，例如金屬膜，可能有相當大量的殘留累積在光阻圖樣的側壁。在圖樣化過程後，留在基板上的殘留物引起從金屬膜產生之電極短路現象，或難以產生優良的圖樣，導致裝置的缺陷。累積的殘留物也可能造成移除光阻圖樣的困難，引起裝置的缺陷。
根據本發明之一實施例，何者使負型光阻組成物具有上述功能將如以下所預測之。
負型光阻組成物包含一含鹵素的化合物，例如氟，作為第一光酸產生劑。當塗佈負型光阻組成物於一基板，由於含鹵素成份，第一光酸產生劑通常在組成物的頂部分佈較多。於組成物塗佈後曝光和烘烤(例如曝光後烘烤)，從曝光組成物之相對頂部會產生大量的酸，以產生一交聯結構。隨後的顯影過程中，未曝光的組成物部份被移除，所以留在曝光部份之光阻圖樣的寬度，圖樣的頂部會變的比底部大。於此方式，使用光阻組成物可以產生優良的具倒錐型輪廓之光阻圖樣。
負型光阻組成物也可以使用一三氮雜苯係的組成物作為第二光酸產生劑。三氮雜苯係的第二光酸產生劑於曝光和顯影的過程中扮演一重要的角色，使負型光阻組成物的敏感度增加。此促進精細的倒錐型輪廓之光阻圖樣形成。
接著，根據本發明之一實施例，將對負型光阻組成物分別的組成成份和詳細構成作描述。
負型光阻組成物包含一鹼溶性黏著劑樹脂，其基本性質會溶於一鹼性溶液，例如顯影液。但是，在曝光部份，黏著劑樹脂經由第一和第二光酸產生劑產生酸和交聯劑反應，以形成交聯結構，且形成不可溶於鹼性溶液。由於此黏著劑樹脂性質，在曝光和顯影中，負型光阻組成物之未曝光部份被選擇性地被移除，留下倒錐型輪廓之光阻圖樣。
此一黏著劑樹脂可以包含任何聚合物，其基本上可溶於鹼性溶液且經由酸和與交聯劑反應，以產生交聯結構。於此使用的黏著劑樹脂實例，其包含一聚合物，其與交聯劑烷氧基結構反應，經由酸以產生交聯結構，例如酚醛基或聚羥基苯乙烯基聚合物。更具體地，酚醛基聚合物可以為一以下化學式1所示之共聚物，其重量平均分子量為3,000至30,000，較佳為4,000至15,000，更佳為5,000至10,000。
[化學式1]
其中，m和n表示每一重複單位之聚合度，又m:n=1:9至9:1。
聚羥基苯乙烯基聚合物可以為一以下化學式2所示之聚合物，其重量平均分子量為500至10,000，較佳為1,000至7,000，更佳為1,500至5,000。
[化學式2]
酚醛基或聚羥基苯乙烯基聚合物具有一分子量，且該分子量在以上所定義的範圍內，使其組成物能夠包含黏著劑樹脂，以能展現適當的鹼溶性和優良的顯影能力，以及於曝光時產生一合適的交聯結構，因此產生一優良的光阻圖樣。
除了酚醛基或聚羥基苯乙烯基聚合物外，例如黏著劑樹脂，其組成物也可以使用任何一種鹼溶性且與交聯劑之烷氧基結構反應以產生交聯結構之聚合物，諸如用於傳統的負型光阻組成物。
包括於負型光阻組成物中的含鹵素的第一光酸產生劑，其可以為含氟的光酸產生劑，更具體的，一含鹵素的胺基磺酸鹽基光酸產生劑，例如含氟者。使用第一光酸產生劑幫助產生倒錐型之輪廓光阻圖樣。具體實例之含鹵素的胺基磺酸鹽基光酸產生劑，可以包含一以下化學式3所示的化合物。此外，任何其它光酸產生劑可以被適當的選為第一光酸產生劑，但其需包含鹵素，且因此在使用於基板時，變成較多分佈於負型光阻組成物的頂部。
[化學式3]
包括於負型光阻組成物中的三氮雜苯基的第二光酸產生劑，可以為任何三氮雜苯基的光酸產生劑，更具體的，如以下化學式4所示的化合物。使用第二光酸產生劑可以增加負型光阻組成物的敏感度，以及促進倒錐型輪廓之光阻圖樣的使用。此外，任何其他已知的三氮雜苯基的光酸產生劑可以作為第二光酸產生劑。
[化學式4]
另一方面，負型光阻組成物包含一具有烷氧基結構的交聯劑。由於烷氧基結構，交聯劑與黏著劑樹脂的氫氧基反應以產生交聯結構，黏著劑樹脂例如酚醛基或聚羥基苯乙烯基聚合物。更具體地，交聯劑與第一和第二光酸產生劑所產生的酸反應，以提供一碳氧離子鹽(carbonium salt)，其與黏著劑樹脂的氫氧基反應以產生一交聯結構。於此，交聯劑提供光阻組成物之曝光部份具有一交聯結構，且讓曝光部份不可溶於顯影液，留下倒錐型輪廓之光阻圖樣。
交聯劑可以包含一化合物，係為至少兩個烷氧基結構，例如具有複數個烷氧基結構之三聚氰胺基或脲基化合物。具體實例之交聯劑可以包含一以下化學式5所示的化合物。
[化學式5]
交聯劑的使用使能夠於黏著劑樹脂和曝光部份之交聯劑之間，產生一適當的交聯結構，以及顯影之後，使曝光部份之光阻組成物留下，以形成適當的光阻圖樣。此外，任何其他具有烷氧基結構的化合物也可以用來作為交聯劑。
包含於負型光阻組成物的溶劑，係為一溶解其它組成成份的介質，可以包含用於傳統的光阻組成物之不同種類的溶劑。溶劑的實例可以包含：乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基亞碸(DMSO)、乙腈、二甘二甲醚、γ-丁內酯、苯酚或環己酮；或這些溶劑中至少兩種之混合物。較佳地，溶劑為丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)，但並非受限於此。
除了這些組成物成份外，光阻組成物也可以包含不同的添加物，例如：染劑、加速劑、或界面活性劑。於此使用的染劑可以包含：任何一種商業上可得到且已知其可用於光阻組成物的染劑，但不受限於此。於此使用的界面活性劑可以包含矽基界面活性劑，例如BYK基界面活性劑，以及任何其它已知可用於光阻組成物的界面活性劑。
加速劑係一分佈於黏著劑樹脂顆粒中的成份，讓光阻組成物之未曝光部份更容易被顯影液移除。換言之，加速劑具有一相對低的分子量，其分佈於黏著劑樹脂顆粒中，以防止黏著劑樹脂具有一相對高的分子量而聚集成團，所以光阻組成物之未曝光部份可以更容易溶於顯影液且被移除。
加速劑可以包含一苯酚基酚醛化合物，其具有一與黏著劑樹脂相似的結構，例如：如一以下化學式6所示的化合物。
[化學式6]
其中，1表示每一重複單位之聚合度，其範圍為2至10。
此外，光阻組成物也可以包含任何其它加速劑，依黏著劑樹脂的類型來適當的選擇加速劑。
負型光阻組成物可具有一固成份，但於溶劑中，其範圍為10至40重量百分比。此讓各自獨立的組成成份能夠均勻地溶於組成物，且維持適當的濃度，因此，其有貢獻於產生一合適的光阻圖樣。
負型光阻組成物可以包含一黏著劑樹脂，其總計為7至30重量百分比，較佳為10至27重量百分比，更佳為15至25重量百分比；第一光酸產生劑其總計0.1至5重量百分比，較佳為0.2至3重量百分比，更佳為0.3至1.5重量百分比；第二光酸產生劑其總計0.01至5重量百分比，較佳為0.02至1重量百分比，更佳為0.02至0.1重量百分比；交聯劑其總計1至10重量百分比，較佳為2至7重量百分比，更佳為2至5重量百分比；以及其於成份為添加物和溶劑。個別的組成成份於以上所定義的內容來使用，以產生優良倒錐型輪廓之光阻圖樣。
由於各組成成份的功能，負型光阻組成物之曝光部份留下，係以產生一光阻圖樣，且負型光阻組成物之未曝光部份經由顯影液移除。尤其，負型光阻組成物為有用於產生一優良倒錐型輪廓之光阻圖樣，因此經由剝離程序，可以非常適合的使用於多種目標薄膜圖樣的圖樣化。舉例而言，負型光阻組成物在LCDs或LEDs製程，可以適當的用於圖樣化不同的薄膜，較佳於薄膜電晶體基板和金屬膜之圖樣化製程，例如電極。
本發明之另一實施例中，提供一種經由剝離程序，使用負型光阻組成物之裝置用的圖樣化方法。一種使用一剝離程序之裝置用圖樣化方法，包含：使用該負型光阻組成物於一基板；曝光該塗佈之組成物於一定義區域；顯影該組成物之未曝光部份以產生一倒錐型輪廓之光阻圖樣；形成一目標薄膜於該光阻圖樣；以及移除該光阻圖樣。
圖樣化方法之一示範程序，如圖1之示意圖所示。參照圖1，圖樣化方法中，一基板被光阻組成物塗佈，以及曝光和顯影以產生一光阻圖樣。因此得到的光阻圖樣，可以具有上述之優良的倒錐型輪廓。舉例而言，有一優良倒錐型輪廓之光阻圖樣，其基板和光阻圖樣之側壁產生一小於90°的角度，具體為至少55°且小於90°，更具體是在55°至80°範圍內。接著把金屬置於光阻圖樣上以產生一目標薄膜，例如金屬膜。由於倒錐型輪廓，目標薄膜之殘留，例如金屬殘留，不會累積在光阻圖樣的側壁，但選擇性地留在光阻圖樣和基板上沒有產生圖樣的部分。接著，光阻圖樣移除，留下目標薄膜，因此產生一目標薄膜之圖樣，例如金屬膜之圖樣。
於此，根據本發明之實施例，從負型光阻組成物產生的圖樣，係為一優良的倒錐型輪廓，導致目標薄膜的殘留物總量減少，例如金屬殘留，其係累積在圖樣兩邊側壁。此有貢獻於一目標膜膜之優良圖樣，沒有引起目標薄膜短路的風險，例如金屬膜，使光阻圖樣能夠更容易被移除。結果，根據本發明之實施例，使用負型光阻組成物能夠達到優良的目標薄膜圖樣化，例如金屬膜，經過剝離程序且大量減少關於金屬膜之短路造成裝置的潛在缺陷。
裝置用的圖樣化方法可以更包括一預烤(曝光前)及/或曝光後烘烤程序。預烤程序係更有效地在黏著劑樹脂和交聯劑間產生一交聯結構。
實行預烤程序，舉例而言，在80℃至120℃，較佳為90℃至110℃，以及實行曝光後烘烤程序，舉例而言，為90℃至150℃，較佳為90℃至110℃。控制各烘烤程序的溫度條件於以上定義的範圍，係用以最佳化交聯結構，以及幫助倒錐型輪廓之光阻圖樣形成。
在裝置用的圖樣化方法中，曝光為使用一波長為365至436 nm之光源，例如，舉例而言，i或g-line光源(單色光元或白光源)。根據本發明之實施例，負型光阻組成物包含兩種光酸產生劑，即使在使用不同的光源，其具有廣的波長範圍，光阻圖樣或目標薄膜的圖樣可以在高敏感度下產生。其增進曝光過程的限度，也增加剝離程序的應用性。
實行曝光過程，係為使用一20至120 mJ/cm2 之曝光能量，較佳為30至100 mJ/cm2 。控制曝光能量條件於以上定義的範圍，係最佳化交聯結構，以及促進倒錐型輪廓之光阻圖樣形成。
顯影後，產生具有優良倒錐型輪廓之光阻圖樣，其基板和光阻圖樣之側壁有一小於90°的角度，具體為至少55°且小於90°，更具體是在55°至80°範圍內。如此優良倒錐型輪廓之光阻圖樣防止殘留物累積於側壁。其不只促進經過一剝離程序之目標薄膜之圖樣化，例如金屬膜，也讓光阻圖樣更容易被移除。
此外，控制預烤及/或曝光後烘烤程序之條件，在控制下產生不同倒錐型輪廓之光阻圖樣。其可以依圖樣化目標薄膜的形式，產生一合適的光阻圖樣，且大量提升裝置製程的效率。
如上所述，本發明之負型光阻組成物不只可以展現高敏感度，也可以使用於產生優良倒錐型輪廓之光阻圖樣。此光阻組成物可以使用於剝離程序，以有效地圖樣化不同的薄膜，例如電極；在多種裝置的製程，例如LCDs或LEDs。尤其，使用負型光阻組成物，實現優良倒錐型輪廓之光阻圖樣的產生，減少累積在圖樣側壁的殘留物，因此在圖樣化之後更容易移除光阻圖樣。
使用負型光阻組成物可以增進敏感度，且能夠使用不同的光源以提升過程的限度。
實施例
接著，根據以下參考實例，本發明將進一步仔細描述，只係以示範呈現，沒有要限制本發明之範圍。
製備實施例1 ：製備負型光阻組成物
混合24.08重量百分比如化學式1所示之酚醛基聚合物(分子量：6,000；m:n=6:4)；8.03重量百分比如化學式6所示(1=8)之加速劑；0.96重量百分比如化學式3所示之光酸產生劑；0.03重量百分比如化學式4所示之光酸產生劑；2.57重量百分比如化學式5所示之交聯劑；0.26重量百分比綠色染劑；0.075重量百分比矽基界面活性劑(BYK333)；以及剩餘成份為PGMEA溶劑，係以製備一負型光阻組成物。
製備實施例2 ：製備負型光阻組成物
混合30重量百分比如化學式2所示之聚羥基苯乙烯基聚合物(分子量：10,000)；5重量百分比如化學式6所示(1=8)之加速劑；1重量百分比如化學式3所示之光酸產生劑；0.5重量百分比如化學式4所示之光酸產生劑；3重量百分比如化學式5所示之交聯劑；0.26重量百分比綠色染劑；0.075重量百分比矽基界面活性劑(BYK333)；以及剩餘成份為PGMEA溶劑，係以製備一負型光阻組成物。
製備實施例3 ：製備負型光阻組成物
混合24.08重量百分比如化學式1所示之酚醛基聚合物(分子量：8,000；m:n=6:4)；8.03重量百分比如化學式6所示(1=8)之加速劑；1重量百分比如化學式3所示之光酸產生劑；0.5重量百分比如化學式4所示之光酸產生劑；2.57重量百分比如化學式5所示之交聯劑；0.26重量百分比綠色染劑；0.075重量百分比矽基界面活性劑(BYK333)；以及剩餘成份為PGMEA溶劑，係以製備一負型光阻組成物。
製備實施例4 ：製備負型光阻組成物
混合24.08重量百分比如化學式1所示之酚醛基聚合物(分子量：6,000；m:n=7:3)；8.03重量百分比如化學式6所示(1=8)之加速劑；1重量百分比如化學式3所示之光酸產生劑；0.5重量百分比如化學式4所示之光酸產生劑；2.57重量百分比如化學式5所示之交聯劑；0.26重量百分比綠色染劑；0.075重量百分比矽基界面活性劑(BYK333)；以及剩餘成份為PGMEA溶劑，係以製備一負型光阻組成物。
製備比較例1 ：製備負型光阻組成物
實行步驟如同製備實施例1所描述之製備光阻組成物之組成物和方法，除了不使用如化學式3所示之光酸產生劑。
製備比較例2 ：製備負型光阻組成物
實行步驟如同製備實施例1所描述之製備光阻組成物之組成物和方法，除了不使用如化學式4所示之光酸產生劑。
製備比較例3 ：製備負型光阻組成物
實行步驟如同製備實施例1所描述之製備光阻組成物之組成物和方法，將化學式4所示之光酸產生劑，取代為使用三氟甲烷磺酸三苯基铳鹽基鎓鹽。
實施例1至4和比較例1,2,3 ：形成光阻圖樣
製備實施例1至4和製備比較例1,2,3之光阻組成物，將其旋轉塗佈為3.0 μm厚於矽晶片，接著，於80℃烘烤90秒。接著，使用曝光儀器(Nikon NSR i-line Stepper)，於曝光能量70 mJ/cm2 下曝光。然後，基板於110℃進行曝光後烘烤60秒，以TMAH鹼性顯影液顯影未曝光部份，以產生一光阻圖樣。
從製備實施例1之光阻組成物，形成實施例1之光阻圖樣，其EM影像如圖2所示。每一光阻圖樣之CD(臨界尺寸)大小，和圖樣側壁與基板間的角度，如表1所示。
參見表1和圖2，使用製備實施例1至4之光阻組成物，最終其優良倒錐型輪廓之光阻圖樣具有高敏感度。
與其相比，使用比較例1，2和3之光阻組成物，無法形成倒錐型輪廓圖樣，或大大地減少敏感度，結果為光阻圖樣的CD相當劣化，如比較例1和2示範之。
實施例5和6 ：形成光阻圖樣
實施例5為形成一光阻圖樣，實行步驟如同使用製備實施例1之光阻組成物，於實施例1所描述之方法，除了烘烤溫度為90℃，曝光能量為30 mJ/cm2 。
實施例6為形成一光阻圖樣，實行步驟如同實施例5之描述方法，除了曝光後烘烤溫度為100℃，曝光能量為90 mJ/cm2 。
實施例5和6形成之光阻圖樣，其EM影像分別如圖3和4所示。每一光阻圖樣之CD(臨界尺寸)大小，和圖樣側壁與基板間的角度，如表2所示。
參照圖1和表1，也參照表2和圖3及圖4，使用製備實施例1之光阻組成物，在不同曝光能量之烘烤和曝光後烘烤不同條件下，結果為優良倒錐型輪廓的光阻圖樣形成。再者，藉由操控曝光能量和預烤，以控制圖樣之倒錐型輪廓為可能的。
圖1係本發明另一實施例之流程示意圖，呈現一裝置用的圖樣化方法之示範過程。
圖2係本發明實施例1之倒錐型輪廓光阻圖樣之電子顯微鏡(EM)影像。
圖3係本發明實施例5之倒錐型輪廓光阻圖樣之EM影像。
圖4係本發明實施例6之倒錐型輪廓光阻圖樣之EM影像。

Claims (21)

  1. 一種負型光阻組成物，包括：一鹼溶性黏著劑樹脂；一含鹵素的第一光酸產生劑；一三氮雜苯基(triazine-based)的第二光酸產生劑；一含烷氧基(alkoxy)結構的交聯劑；以及一溶劑，其中該第一光酸產生劑包含一化合物如化學式3所示，
  2. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，其中，該黏著劑樹脂包含一酚醛基聚合物(novolac-based polymer)或一聚羥基苯乙烯基聚合物(polyhydroxystyrene-based polymer)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之負型光阻組成物，其中，該酚醛基聚合物包含一共聚物，其重量平均分子量為3,000至30,000，如化學式1所示， 其中，m和n表示每一重複單位之聚合度，又m：n=1：9至9：1。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之負型光阻組成物，其中，該聚羥基苯乙烯基聚合物包含一共聚物，其重量平均分子量為500至10,000，如化學式2所示，
  5. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，其中，該第二光酸產生劑包含一化合物如化學式4所示，
  6. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，其中，該交聯劑包含一三聚氰胺基或脲基化合物，其有至少兩個烷氧基結構。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之負型光阻組成物，其中，該交聯劑包含一化合物如化學式5所示，〔化學式5〕
  8. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，其中，該溶劑包含至少一種有機溶劑係選自下列群組：乳酸乙酯(ethyl lactate)、丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol methyl ether acetate，PGMEA)、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone)、N,N-二甲基乙醯胺(N,N-dimethylacetamide)、二甲基甲醯胺(dimethylformamide，DMF)、二甲基亞碸(dimethylsulfoxide，DMSO)、乙腈(acetonitrile)、二甘二甲醚(diglyme)、γ-丁內酯(γ-butyrolactone)、苯酚(phenol)及環己酮(cyclohexanone)。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，更包括至少一種添加物係選自下列群組：一染劑、一加速劑、及一界面活性劑。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之負型光阻組成物，其中，該加速劑包含一苯酚基酚醛化合物如化學式6所示，〔化學式6〕 其中，l表示每一重複單位之聚合度，以及其範圍為2至10。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，其中，該負型光阻組成物包含一固成份為10至40重量百分比。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，其中，該負型光阻組成物包含7至30重量百分比該黏著劑樹脂；0.1至5重量百分比該第一光酸產生劑；0.01至5重量百分比該第二光酸產生劑；1至10重量百分比該交聯劑；以及其餘為該添加物和該溶劑。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，其中，該負型光阻組成物為使用於一剝離(lift-off)程序。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物，其中，該負型光阻組成物為使用於一液晶裝置(LCD)或發光二極體(LED)製程。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之負型光阻組成物，其中，該負型光阻組成物為使用於一LCD的薄膜電晶體基板製程或一LED的電極製程。
  16. 一種使用剝離程序之裝置用的圖樣化方法，包含：使用該申請專利範圍第1項所述之負型光阻組成物於一基板； 曝光該使用之組成物於一定義區域；顯影該組成物之未曝光部份以產生一倒錐型輪廓之光阻圖樣；形成一目標薄膜於該光阻圖樣與該基板；以及移除該光阻圖樣。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之裝置用的圖樣化方法，更包括：執行一預烤程序及/或一曝光後烘烤程序。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之裝置用的圖樣化方法，其中，該預烤程序執行於80℃至120℃；該曝光後烘烤程序執行於90℃至150℃，較佳於90℃至110℃。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之裝置用的圖樣化方法，其中，該顯影後形成之光阻圖樣於該基板和該側壁之間有一角度，其範圍為至少55°且小於90°。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之裝置用的圖樣化方法，其中，該曝光為使用一波長為365至436nm之光源。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之裝置用的圖樣化方法，其中，該曝光為使用一20至120mJ/cm2 之曝光能量。
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