CN106024982A - 一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法 - Google Patents
一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106024982A CN106024982A CN201610538918.0A CN201610538918A CN106024982A CN 106024982 A CN106024982 A CN 106024982A CN 201610538918 A CN201610538918 A CN 201610538918A CN 106024982 A CN106024982 A CN 106024982A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- indium
- focal plane
- preparation
- chip
- infrared focal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 66
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims abstract description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001080929 Zeugopterus punctatus Species 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
- H01L21/7688—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by deposition over sacrificial masking layer, e.g. lift-off
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76895—Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
- H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致性好，顶部一致性平整的塔形铟柱阵列，占空比小，可避免在倒焊互连时像元由于铟柱形变而短路，进而降低红外焦平面探测器芯片盲元率和非均匀性；本发明适用于碲镉汞红外焦平面探测器平面结的铟柱制备，也适用于III‑V族红外焦平面探测器台面结的铟柱制备，对与探测器芯片配套的集成电路也适用，普适性好。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体指一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法。
背景技术
红外焦平面阵列技术已成为当今红外成像技术发展的主要方向，在各领域都有着广泛的应用。高性能大面阵红外焦平面在重大国家安全项目中尤其备受关注。
主流的红外焦平面探测器芯片工艺均采用铟柱互连技术与读出电路实现集成，铟柱的制备工艺是器件工艺的核心技术之一。目前铟孔的光刻多采用正厚胶工艺，铟孔顶部尺寸大于底部尺寸，难以实现湿法剥离，对于小光敏元阵列，顶部铟柱在倒焊互连时容易受到挤压作用变形粘连而造成光敏元短路。理想的铟柱应为塔形铟柱，顶部小底部大，利于实现湿法剥离，且小的顶部互连作用面可以有效减小应力作用，形成均匀的互连面，因此，必须寻找新的制备铟柱的技术和方法，以满足高密度小中心距光敏元的红外焦平面探测器模块工艺需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于红外焦平面的铟柱制备方法，用以解决正厚胶工艺难以湿法剥离和成品率低的缺点。
本发明所述的铟柱制备工艺是指使用负性胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟层，湿法有机试剂剥离得到理想铟柱。制备方法的工艺步骤具体如下：
1、在焦平面芯片上旋涂负性光刻胶NR9-8000，厚度7～9微米，并在70摄氏度烘箱中软烘光刻胶20分钟；
2、对焦平面芯片进行光刻曝光，曝光时间为10秒；
3、曝光好的芯片继续在70摄氏度烘箱中固化光刻胶20分钟，放入RD6显影液中显影20秒，经过纯水定影30秒后，放入70摄氏度的烘箱中坚膜1小时，获得顶部小底部大的塔形铟柱光刻孔；
4、将光刻好铟孔的探测器芯片用高真空热蒸发的方法生长铟膜；
5、将生长好铟膜的焦平面芯片放入丙酮中浸泡冲洗，表面铟层即整体剥离，再用无水乙醇过洗；
6、获得高度7～9微米的铟柱阵列。
本发明的创新点及与现行工艺相比的优点：
1、本发明选用了一种负性光刻胶实现高度可灵活调控的铟柱湿法剥离制备。
2、本发明最突出的优点是铟柱制备工艺简单，极易剥离，重复性好，从而提高红外焦平面探测器芯片的成品率。
3、本发明特别适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致性好、顶部一致性平整的塔形铟柱阵列，占空比小，可避免在倒焊互连时像元由于铟柱形变而短路，从而降低红外焦平面探测器芯片盲元率和非均匀性。
4、本发明既适用于碲镉汞红外焦平面探测器平面结的铟柱制备，也适用于III-V族红外焦平面探测器台面结的铟柱制备，对与探测器芯片配套的集成电路也适用，普适性好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对理论示意和具体实施例附图，附图仅仅是本发明的其中一种描述，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动下，根据本发明获得的其他种类附图均在本发明保护范围内。
图1为本发明提供的红外焦平面探测器芯片铟柱制备方法的流程图；
图2是采用新负胶工艺制备得到的铟柱阵列的扫描电镜照片。
图3是传统正厚胶工艺制备的铟柱阵列的扫描电镜照片。
具体实施方式
下面结合附图，以中心距为30微米、像元尺寸为27微米，焦平面阵列规模为640x512的InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器芯片为实例对本发明的实施方式做详细说明：
在已经生长好金属接触层的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器芯片上，旋涂NR9-8000负性光刻胶，转速2000转/分，取片后将芯片转移至70摄氏度的烘箱中烘烤20分钟。
在型号为MJB4光刻机上采用铟孔尺寸为10微米的光刻板对芯片进行对准曝光，曝光10秒。
曝光后的芯片再次转移至70摄氏度的烘箱中烘烤20分钟，使负性胶固化完全。
将固化好的芯片浸入RD6显影液中显影20秒，去离子水中定影30秒，获得底大顶小的塔形铟柱光刻孔。
最后将芯片放入70摄氏度的烘箱中烘烤1小时坚膜，完成铟孔光刻步骤。将带有铟柱光刻孔的InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器芯片放入高真空热蒸发腔体中，蒸发沉积1小时，获得铟膜。
将生长好铟膜的芯片放入丙酮中浸泡片刻，丙酮通过边缘缝隙进入溶解光刻胶，曝光区域的铟层随之鼓起，整片剥离，将芯片转移至无水乙醇中过洗，氮气吹干，获得塔形铟柱。
扫描电镜可以清晰地观察到铟柱阵列的微观形貌细节(附图2)，铟柱底部尺寸为10微米，顶部尺寸为4微米，塔形顶面平整，高约为9微米，且高度一致。
图3是采用传统正厚胶工艺制备的30微米中心距铟柱阵列，从图中可以看到，铟柱底部小，顶部大，呈蛋糕状，在面阵中所占空间较多，随着面阵规模增大，像元缩小，铟柱密度增加，倒焊互连的难度也相应增加。
本发明的铟柱制备方法可以应用于更小中心距更大规模焦平面探测器器件工艺。
本发明也可应用于与红外焦平面芯片配套的集成电路铟柱制备工艺，其也在本发明的保护范围内。
Claims (1)
1.一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)在焦平面芯片上旋涂负性光刻胶NR9-8000，厚度7～9微米，并在70摄氏度烘箱中软烘光刻胶20分钟；
2)对焦平面芯片进行光刻曝光，曝光时间为10秒；
3)曝光好的芯片继续在70摄氏度烘箱中固化光刻胶20分钟，放入RD6显影液中显影20秒，经过纯水定影30秒后，放入70摄氏度的烘箱中坚膜1小时，获得顶部小底部大的塔形铟柱光刻孔；
4)将光刻好铟孔的探测器芯片用高真空热蒸发的方法生长铟膜；
5)将生长好铟膜的焦平面芯片放入丙酮中浸泡冲洗，表面铟层即整体剥离，再用无水乙醇过洗；
6)获得高度7～9微米的铟柱阵列。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610538918.0A CN106024982A (zh) | 2016-07-11 | 2016-07-11 | 一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610538918.0A CN106024982A (zh) | 2016-07-11 | 2016-07-11 | 一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106024982A true CN106024982A (zh) | 2016-10-12 |
Family
ID=57108743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610538918.0A Pending CN106024982A (zh) | 2016-07-11 | 2016-07-11 | 一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106024982A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106816392A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-06-09 | 西南技术物理研究所 | 焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法 |
| CN107611021A (zh) * | 2017-08-10 | 2018-01-19 | 南方科技大学 | 制备高精度图案化的量子点发光层的方法及其应用 |
| CN111755572A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-09 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的读出电路 |
| CN112645276A (zh) * | 2020-03-06 | 2021-04-13 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 铟柱及其制备方法 |
| CN116949413A (zh) * | 2023-03-16 | 2023-10-27 | 无锡中科德芯感知科技有限公司 | 铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质 |
| CN117855340A (zh) * | 2024-03-07 | 2024-04-09 | 山西创芯光电科技有限公司 | 一种降低红外探测器盲元率的铟柱制备方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5127989A (en) * | 1990-05-18 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a thin film pattern with a trapezoidal cross section |
| CN101132034A (zh) * | 2007-09-03 | 2008-02-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种制备铟柱的方法 |
| CN101251715A (zh) * | 2008-03-25 | 2008-08-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种可改善图形质量的光刻方法 |
| CN101561629A (zh) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用倒梯形剖面的光刻胶制作介质边缘缓坡的方法 |
| CN102024893A (zh) * | 2010-05-29 | 2011-04-20 | 比亚迪股份有限公司 | 衬底、垂直结构led芯片及制备方法 |
| CN102136484A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-07-27 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法 |
| CN102884479A (zh) * | 2010-05-04 | 2013-01-16 | 株式会社Lg化学 | 负性光致抗蚀剂组合物和器件的图案化方法 |
| CN103078003A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-05-01 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置 |
| CN103413814A (zh) * | 2013-07-30 | 2013-11-27 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法 |
| CN104600206A (zh) * | 2015-01-13 | 2015-05-06 | 昆山维信诺科技有限公司 | Oled器件及oled器件的制作方法 |
| CN104733505A (zh) * | 2015-03-19 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光显示器的像素界定层及其制作方法 |
-
2016
- 2016-07-11 CN CN201610538918.0A patent/CN106024982A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5127989A (en) * | 1990-05-18 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a thin film pattern with a trapezoidal cross section |
| CN101132034A (zh) * | 2007-09-03 | 2008-02-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种制备铟柱的方法 |
| CN101251715A (zh) * | 2008-03-25 | 2008-08-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种可改善图形质量的光刻方法 |
| CN101561629A (zh) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用倒梯形剖面的光刻胶制作介质边缘缓坡的方法 |
| CN102884479A (zh) * | 2010-05-04 | 2013-01-16 | 株式会社Lg化学 | 负性光致抗蚀剂组合物和器件的图案化方法 |
| CN102024893A (zh) * | 2010-05-29 | 2011-04-20 | 比亚迪股份有限公司 | 衬底、垂直结构led芯片及制备方法 |
| CN102136484A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-07-27 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法 |
| CN103078003A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-05-01 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置 |
| CN103413814A (zh) * | 2013-07-30 | 2013-11-27 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法 |
| CN104600206A (zh) * | 2015-01-13 | 2015-05-06 | 昆山维信诺科技有限公司 | Oled器件及oled器件的制作方法 |
| CN104733505A (zh) * | 2015-03-19 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光显示器的像素界定层及其制作方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106816392A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-06-09 | 西南技术物理研究所 | 焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法 |
| CN107611021A (zh) * | 2017-08-10 | 2018-01-19 | 南方科技大学 | 制备高精度图案化的量子点发光层的方法及其应用 |
| CN112645276A (zh) * | 2020-03-06 | 2021-04-13 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 铟柱及其制备方法 |
| CN112645276B (zh) * | 2020-03-06 | 2024-02-09 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 铟柱及其制备方法 |
| CN111755572A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-09 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的读出电路 |
| CN111755572B (zh) * | 2020-06-24 | 2022-06-28 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的读出电路 |
| CN116949413A (zh) * | 2023-03-16 | 2023-10-27 | 无锡中科德芯感知科技有限公司 | 铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质 |
| CN116949413B (zh) * | 2023-03-16 | 2024-04-12 | 无锡中科德芯感知科技有限公司 | 铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质 |
| CN117855340A (zh) * | 2024-03-07 | 2024-04-09 | 山西创芯光电科技有限公司 | 一种降低红外探测器盲元率的铟柱制备方法 |
| CN117855340B (zh) * | 2024-03-07 | 2024-05-17 | 山西创芯光电科技有限公司 | 一种降低红外探测器盲元率的铟柱制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106024982A (zh) | 一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法 | |
| CN102136484B (zh) | 一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法 | |
| CN103353627B (zh) | 微透镜阵列模具的制作方法 | |
| CN102782869B (zh) | 背结背触点三维薄太阳能电池及其制造方法 | |
| US10391485B2 (en) | Microfluidic electrocage device and cell medium for trapping and rotating cells for live-cell computed tomography (CT) | |
| US8168465B2 (en) | Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency thin-film solar cells | |
| CN108321234B (zh) | 图案化的薄箔 | |
| CN111584672B (zh) | 一种红外焦平面探测器的铟柱及其制备方法 | |
| JPS5812747B2 (ja) | 薄肉基板結像装置の製造法 | |
| CN103172019B (zh) | 一种干粘附微纳复合两级倾斜结构的制备工艺 | |
| CN108828898B (zh) | 改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法 | |
| CN114300604B (zh) | 一种高分辨率Micro-LED微显示器件的高容差铟柱及其制备方法 | |
| JP2955167B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN103594539A (zh) | 一种柔性多结GaAs太阳电池及其制备方法 | |
| CN112614945A (zh) | 具有沟槽阵列结构的微纳单晶柔性光电探测器及其制备 | |
| CN103985664A (zh) | 硅基氮化镓外延层剥离转移的方法 | |
| WO2024131295A1 (zh) | 一种太阳电池的制备方法 | |
| JP3430068B2 (ja) | 太陽電池の電極 | |
| CN100576579C (zh) | 一种制备铟柱的方法 | |
| CN105449011B (zh) | 一种太阳能电池微透镜阵列薄膜及其制作方法 | |
| CN112614946B (zh) | 一种具有金字塔结构的柔性钙钛矿光电探测器及其制备 | |
| US20200135782A1 (en) | Photosensitive assembly and formation methods thereof, lens module, and electronic device | |
| CN103413814B (zh) | 红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法 | |
| CN104505429A (zh) | 一种应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺 | |
| CN102778818A (zh) | 一种用于碲镉汞深孔台面芯片薄膜制备的光刻方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20161012 |