CN116949413B - 铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质，其中，铟柱制备装置的加热组件、工件台和深冷盘管设于腔体内；工件台与第一制冷模块连接；深冷盘管与第二制冷模块连接；腔体底部用于放置铟源材料；加热组件用于加热铟源材料；工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片；第一制冷模块用于将工件台降温至第一温度；第二制冷模块用于将深冷盘管降温至第二温度，以使深冷盘管吸附水汽。本发明分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质。
背景技术
当前的红外焦平面探测器芯片均采用铟柱互连技术与读出电路实现集成，但现有的铟柱制备工艺中往往存在以下两个问题：一、铟源蒸发的铟原子温度较高，使得沉积过程中红外焦平面探测器芯片表面温度高于156℃，造成在沉积后期与红外焦平面探测器芯片相连的铟柱表面的铟薄膜熔化呈糊状，导致后期剥离困难，损坏铟柱；二、铟薄膜沉积初期芯片表面暴露在一定的水汽中，造成铟柱根部与红外焦平面探测器芯片粘附性差，导致铟柱从根部脱落。铟薄膜不易剥离、铟柱根部与红外焦平面探测器芯片粘附性差导致倒焊互连的连通率低、焦平面盲元率提高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中存在铟薄膜不易剥离、铟柱根部与红外焦平面探测器芯片粘附性差导致倒焊互连的连通率低、焦平面盲元率提高的缺陷，提供一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
本发明提供一种铟柱制备装置，所述铟柱制备装置包括腔体、加热组件、工件台、深冷盘管、第一制冷模块和第二制冷模块；
所述加热组件、工件台和所述深冷盘管设于所述腔体内；所述工件台与所述第一制冷模块连接；所述深冷盘管与所述第二制冷模块连接；
所述腔体底部用于放置铟源材料；
所述加热组件用于加热所述铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子；
所述工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面；
所述第一制冷模块用于将所述工件台降温至第一温度；所述第二制冷模块用于将所述深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度。
优选地，所述焦平面芯片上设有光刻图形，所述光刻图形位于所述铟柱下金属的上方，并在所述焦平面芯片表面设有部分光刻胶。
优选地，所述第一制冷模块还用于将所述工件台降温至第三温度，以防止沉积至所述焦平面芯片表面的铟薄膜融化，其中，所述第三温度大于所述露点温度且小于所述第一温度。
优选地，所述铟柱制备装置还包括真空模块，所述真空模块与所述腔体连接；所述真空模块用于降低所述腔体内的气压。
优选地，所述真空模块包括机械泵和分子泵，所述机械泵用于将所述腔体内的气压降低至第一气压，以触发所述第一制冷模块和所述第二制冷模块开始工作；所述分子泵用于将所述腔体内的气压降低至第二气压，以触发所述焦平面芯片表面开始沉积所述铟薄膜；其中，所述第一气压大于所述第二气压。
优选地，所述第一制冷模块包括低温循环机；
和/或，
所述第二制冷模块包括低温水汽捕集泵；
和/或，
所述深冷盘管包括铜线圈。
本发明还提供一种铟柱制备方法，应用于如上述的铟柱制备装置，所述铟柱制备方法包括：
通过第一制冷模块，将工件台降温至第一温度，以使所述工件台上放置的镀有铟柱下金属的焦平面芯片降温至所述第一温度；通过所述第二制冷模块，将深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度；
通过加热组件加热腔体底部的铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面。
优选地，当铟柱制备装置包括真空模块时，所述通过第一制冷模块，将工件台降温至第一温度，以使所述工件台上放置的镀有铟柱下金属的焦平面芯片降温至所述第一温度；通过所述第二制冷模块，将深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽的步骤包括：
通过真空模块将所述腔体内的气压降低至5×10-2Pa，并通过所述第一制冷模块将工件台上的焦平面芯片降温至17℃～19℃，通过所述第二制冷模块将所述深冷盘管降温至-136℃～-134℃，以使所述深冷盘管吸附水汽，露点温度大于所述深冷盘管的温度，所述露点温度为-120℃；
所述通过加热组件加热腔体底部的铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面的步骤包括：
通过真空模块将所述腔体内的气压降低至1.9×10-4Pa～2×10-4Pa，并通过所述加热组件将所述腔体底部放置的铟源材料蒸发至所述焦平面芯片的表面，并在所述焦平面芯片的表面形成铟薄膜；
当所述铟薄膜沉积至45nm～55nm时，通过所述第一制冷模块将所述焦平面芯片降温至-31℃～-29℃，直至所述铟薄膜沉积至5.4μm～5.6μm，以避免沉积至所述焦平面芯片表面的铟薄膜融化；
剥离所述焦平面芯片表面设有的部分光刻胶，及所述光刻胶上的铟薄膜，以使在剥离所述光刻胶及所述光刻胶上的铟薄膜后的所述焦平面芯片的表面，形成铟柱阵列。
本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并用于在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的铟柱制备方法。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的铟柱制备方法。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明的积极进步效果在于：
本发明分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。
附图说明
图1为本发明实施例1的铟柱制备装置的结构示意图；
图2为本发明实施例1的铟柱制备装置的剥离前铟柱示意图；
图3为本发明实施例1的铟柱制备装置的剥离后铟柱阵列俯视图；
图4为本发明实施例2的铟柱制备方法的第一流程图；
图5为本发明实施例2的铟柱制备方法的第二流程图；
图6为本发明实施例3的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1
本实施例提供一种铟柱制备装置，参见图1，铟柱制备装置包括腔体5、加热组件3、工件台1、深冷盘管2、第一制冷模块11和第二制冷模块12。
加热组件3、工件台1和深冷盘管2设于腔体5内。工件台1与第一制冷模块11连接。深冷盘管2与第二制冷模块12连接。
腔体5底部用于放置铟源材料。
加热组件3用于加热铟源材料，以使铟源材料蒸发成铟原子。
在一个可选的实施方式中，加热组件3包括钼或钨坩埚，通过高频感应加热钼或钨坩埚内的铟源材料，以使铟源材料蒸发成铟原子或原子团。
工件台1用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片(其中，铟柱下金属通常为金)，铟原子经过深冷盘管2移动至焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，铟薄膜沉积至焦平面芯片表面。
第一制冷模块11用于将工件台1降温至第一温度，以使工件台1上的焦平面芯片的温度降低至第一温度。第二制冷模块12用于将深冷盘管2降温至第二温度，以使深冷盘管2吸附水汽。
在一个可选的实施方式中，第一制冷模块11包括带有熔点低于负50℃冷媒的低温循环机和熔点为-50℃的硅油(C6H18OSi2)作为工作台冷媒，以降低工件台1上的焦平面芯片的温度。
在一个可选的实施方式中，第二制冷模块12包括低温水汽捕集泵和熔点为-140℃的超低温制冷剂。超低温制冷剂通过低温水汽捕集泵对深冷盘管2降温至约-140℃。
在一个可选的实施方式中，深冷盘管2包括高度为20厘米～50厘米铜线圈。该铜线圈兼具吸附水汽和冷却铟原子的功能。
露点温度为气压一定的情况下，水蒸气与水达到平衡状态的温度。其中，第一温度大于露点温度，第二温度小于露点温度。低于露点温度的深冷盘管2能够高效率地吸附水汽，而工件台1的温度因为远高于露点温度，使得焦平面芯片几乎不会吸附水汽，此时沉积于焦平面芯片上的铟薄膜与焦平面芯片之间有极好的粘附性。
本实施例分别通过第一制冷模块11、第二制冷模块12使深冷盘管2的温度小于露点温度，工件台1上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管2吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。
在一个可选的实施方式中，焦平面芯片上设有光刻图形，光刻图形位于铟柱下金属的上方，并在焦平面芯片表面设有部分光刻胶。
在通风柜或腐蚀柜的水槽里，或者是表面皿里进行光刻胶的剥离工作时，将沉积一定厚度的铟薄膜的焦平面芯片(剥离光刻胶及光刻胶上的铟薄膜前，焦平面芯片101表面的铟柱102(如图2所示)放入装有丙酮溶液的水槽或表面皿等容器中浸泡，焦平面芯片101上的光刻胶及光刻胶上的铟薄膜就会剥离焦平面芯片101，剥离光刻胶及光刻胶上的铟薄膜后的铟柱阵列的俯视图如图3所示。铟柱阵列由多个未剥离焦平面芯片101上的铟柱102组成。
在一个可选的实施方式中，第一制冷模块11还用于将工件台1降温至第三温度，以防止沉积至焦平面芯片表面的铟薄膜融化，其中，第三温度大于露点温度且小于第一温度。
在本实施方式中，为了让光刻胶及光刻胶上的铟薄膜更好地剥离焦平面芯片，第一制冷模块11将工件台1降温至第三温度，以使工件台1上放置的焦平面芯片温度降至第三温度，这样沉积在焦平面芯片表面的铟薄膜就不会熔化成糊状，影响铟柱阵列最后的生成。
在一个可选的实施方式中，铟柱制备装置还包括真空模块4，真空模块4与腔体5连接。真空模块4用于降低腔体5内的气压。
其中，真空模块4包括机械泵和分子泵等其他可以降低腔体5内气压的器件。机械泵用于将腔体5内的气压降低至第一气压，以触发第一制冷模块11和第二制冷模块12开始工作。分子泵用于将腔体5内的气压降低至第二气压，以触发焦平面芯片表面开始沉积铟薄膜。其中，第一气压大于第二气压。
例如：机械泵将腔体5内的气压降低至5×10-2帕斯卡(第一气压)，分子泵将腔体5内的气压降低至2×10-4帕斯卡(第二气压)。
实施例2
本实施例提供一种铟柱制备方法，参见图4，应用于如实施例1的铟柱制备装置，铟柱制备方法包括：
S1、通过第一制冷模块，将工件台降温至第一温度，以使工件台上放置的镀有铟柱下金属的焦平面芯片降温至第一温度；通过第二制冷模块，将深冷盘管降温至第二温度，以使深冷盘管吸附水汽。
其中，第一温度大于露点温度，第二温度小于露点温度。
S2、通过加热组件加热腔体底部的铟源材料，以使铟源材料蒸发成铟原子，铟原子经过深冷盘管移动至焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，铟薄膜沉积至焦平面芯片表面。
本实施例分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。
在一个可选的实施方式中，参见图5，步骤S1包括：
S11、通过真空模块将腔体内的气压降低至5×10-2帕斯卡，并通过第一制冷模块将工件台上的焦平面芯片降温至17℃～19℃，通过第二制冷模块将深冷盘管降温至-136℃～-134℃，以使深冷盘管吸附水汽，露点温度大于深冷盘管的温度，露点温度为-120℃。
参见图5，步骤S2包括：
S21、通过真空模块将腔体内的气压降低至1.9×10-4帕斯卡～2×10-4帕斯卡，并通过加热组件将腔体底部放置的铟源材料蒸发至焦平面芯片的表面，并在焦平面芯片的表面形成铟薄膜。
S22、当铟薄膜沉积至45纳米～55纳米时，通过第一制冷模块将焦平面芯片降温至-31℃～-29℃，直至所述铟薄膜沉积至5.4微米～5.6微米，以避免沉积至所述焦平面芯片表面的铟薄膜融化。
S23、剥离焦平面芯片表面设有的部分光刻胶，及光刻胶上的铟薄膜，以使在剥离光刻胶及光刻胶上的铟薄膜后的焦平面芯片的表面，形成铟柱阵列。
在本实施方式中，既保障了铟柱根部与焦平面芯片有极好的粘附性，降低铟柱脱离的发生率，又保证焦平面芯片表面的铟薄膜不会熔化，从而比较容易剥离焦平面芯片上的光刻胶及光刻胶上的铟薄膜，铟柱阵列的形貌完整，进而提高倒焊互连的连通率、降低焦平面盲元率。
为了更清楚地说明本实施例，下面介绍一种铟柱制备的具体示例：
需要说明的是，本示例的第一制冷模块为带有熔点低于-50℃冷媒的低温循环机及熔点为-50℃的硅油(C6H18OSi2)作为工件台冷媒；第二制冷模块为低温水汽捕集泵及熔点为-140℃的超低温制冷剂；深冷盘管为高度为30厘米的铜线圈。
S101、将前期镀好铟柱下金属(UBM，铟柱下金属的材质为金)且带有光刻图形的焦平面芯片放置在工件台上，并由机械泵开始抽低腔体内的气压至5×10-2帕斯卡。焦平面芯片的类型为中心距为25微米、像元尺寸为18微米、焦平面阵列规模为640×512的InGaAs(砷化铟镓)红外焦平面探测器芯片。
S102、通过分子泵将腔体内的气压抽低至1.9×10-4帕斯卡～2×10-4帕斯卡，同时分别通过低温循环机和低温水汽捕集泵冷却工件台和铜线圈。
S103、当工件台冷却至18℃±1℃，铜线圈冷却至-135℃±1℃时，开始沉积铟薄膜至焦平面芯片表面。
此时腔体内气压对应的露点温度约为-120℃(此数据参考水气分压与深冷盘管对照表)。因此，这时低于露点温度的铜线圈能够高效率地吸附水汽，而工件台的温度因为远高于露点温度，使得焦平面芯片几乎不会吸附水汽，此时铟薄膜与焦平面芯片有极好的粘附性。
S104、在铟薄膜的厚度沉积至50纳米±5纳米时，通过低温循环机将工件台的温度降至-30℃±1℃，以保证焦平面表面温度低于156℃，并继续沉积铟薄膜，直到铟薄膜的厚度达到5.5微米±0.1微米。
因S103步骤中水汽影响铟薄膜根部与焦平面芯片粘附力的问题已克服，所以在S104步骤中，需要降低工件台的温度，以防止焦平面芯片表面温度过高导致沉积在焦平面芯片表面上的铟薄膜熔化的问题。
S105、将焦平面芯片放入丙酮中浸泡，焦平面芯片表面的光刻胶及光刻胶上的铟薄膜被剥离；再用无水乙醇清洗焦平面芯片，进而获得焦平面芯片上高度为5.5微米±0.1微米的铟柱阵列，如图3所示。
实施例3
本实施例提供了一种电子设备，图6为该电子设备的模块示意图。电子设备包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时实现实施例1的铟柱制备方法。图6显示的电子设备30仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图6所示，电子设备30可以以通用计算设备的形式表现，例如其可以为服务器设备。电子设备30的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理器31、上述至少一个存储器32、连接不同系统组件(包括存储器32和处理器31)的总线33。
总线33包括数据总线、地址总线和控制总线。
存储器32可以包括易失性存储器，例如随机存取存储器(RAM)321和/或高速缓存存储器322，还可以进一步包括只读存储器(ROM)323。
存储器32还可以包括具有一组(至少一个)程序模块324的程序/实用工具325，这样的程序模块324包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
处理器31通过运行存储在存储器32中的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，例如本发明实施例1的铟柱制备方法。
电子设备30也可以与一个或多个外部设备34(例如键盘、指向设备等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口35进行。并且，模型生成的设备30还可以通过网络适配器36与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图6所示，网络适配器36通过总线33与模型生成的设备30的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合模型生成的设备30使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理器、外部磁盘驱动阵列、RAID(磁盘阵列)系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了电子设备的若干单元/模块或子单元/模块，但是这种划分仅仅是示例性的并非强制性的。实际上，根据本发明的实施方式，上文描述的两个或更多单元/模块的特征和功能可以在一个单元/模块中具体化。反之，上文描述的一个单元/模块的特征和功能可以进一步划分为由多个单元/模块来具体化。
实施例4
本实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，程序被处理器执行时实现实施例1的铟柱制备方法。
其中，可读存储介质可以采用的更具体可以包括但不限于：便携式盘、硬盘、随机存取存储器、只读存储器、可擦拭可编程只读存储器、光存储器件、磁存储器件或上述的任意合适的组合。
在可能的实施方式中，本发明还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当程序产品在终端设备上运行时，程序代码用于使终端设备执行实现实施例1的铟柱制备方法。
其中，可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明的程序代码，程序代码可以完全地在用户设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户设备上部分在远程设备上执行或完全在远程设备上执行。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种铟柱制备装置，其特征在于，所述铟柱制备装置包括腔体、加热组件、工件台、深冷盘管、第一制冷模块和第二制冷模块；
所述加热组件、工件台和所述深冷盘管设于所述腔体内；所述工件台与所述第一制冷模块连接；所述深冷盘管与所述第二制冷模块连接；
所述腔体底部用于放置铟源材料；
所述加热组件用于加热所述铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子；
所述工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面；
所述第一制冷模块用于将所述工件台降温至第一温度；所述第二制冷模块用于将所述深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度。
2.如权利要求1所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述焦平面芯片上设有光刻图形，所述光刻图形位于所述铟柱下金属的上方，并在所述焦平面芯片表面设有部分光刻胶。
3.如权利要求1所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述第一制冷模块还用于将所述工件台降温至第三温度，以防止沉积至所述焦平面芯片表面的铟薄膜融化，其中，所述第三温度大于所述露点温度且小于所述第一温度。
4.如权利要求2所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述铟柱制备装置还包括真空模块，所述真空模块与所述腔体连接；所述真空模块用于降低所述腔体内的气压。
5.如权利要求4所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述真空模块包括机械泵和分子泵，所述机械泵用于将所述腔体内的气压降低至第一气压，以触发所述第一制冷模块和所述第二制冷模块开始工作；所述分子泵用于将所述腔体内的气压降低至第二气压，以触发所述焦平面芯片表面开始沉积所述铟薄膜；其中，所述第一气压大于所述第二气压。
6.如权利要求1所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述第一制冷模块包括低温循环机；
和/或，
所述第二制冷模块包括低温水汽捕集泵；
和/或，
所述深冷盘管包括铜线圈。
7.一种铟柱制备方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6任一项所述的铟柱制备装置，所述铟柱制备方法包括：
通过第一制冷模块，将工件台降温至第一温度，以使所述工件台上放置的镀有铟柱下金属的焦平面芯片降温至所述第一温度；通过所述第二制冷模块，将深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度，所述露点温度为-120℃；
通过加热组件加热腔体底部的铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面。
8.如权利要求7所述的铟柱制备方法，其特征在于，当铟柱制备装置包括真空模块时，所述通过第一制冷模块，将工件台降温至第一温度，以使所述工件台上放置的镀有铟柱下金属的焦平面芯片降温至所述第一温度；通过所述第二制冷模块，将深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽的步骤包括：
通过真空模块将所述腔体内的气压降低至5×10-2Pa，并通过所述第一制冷模块将工件台上的焦平面芯片降温至17℃～19℃，通过所述第二制冷模块将深冷盘管降温至-136℃～-134℃，以使所述深冷盘管吸附水汽，露点温度大于所述深冷盘管的温度；
所述通过加热组件加热腔体底部的铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面的步骤包括：
通过真空模块将所述腔体内的气压降低至1.9×10-4Pa～2×10-4Pa，并通过所述加热组件将所述腔体底部放置的铟源材料蒸发至所述焦平面芯片的表面，并在所述焦平面芯片的表面形成铟薄膜；
当所述铟薄膜沉积至45nm～55nm时，通过所述第一制冷模块将所述焦平面芯片降温至-31℃～-29℃，直至所述铟薄膜沉积至5.4μm～5.6μm，以避免沉积至所述焦平面芯片表面的铟薄膜融化；
剥离所述焦平面芯片表面设有的部分光刻胶，及所述光刻胶上的铟薄膜，以使在剥离所述光刻胶及所述光刻胶上的铟薄膜后的所述焦平面芯片的表面，形成铟柱阵列。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并用于在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求7或8所述的铟柱制备方法。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求7或8所述的铟柱制备方法。
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