JP5918997B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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請求項8に記載の発明は、基板を処理する基板処理方法であって、a)チャンバ内において一方の主面を上側に向けた状態で保持された基板を、前記一方の主面に垂直な軸を中心として回転させつつ、前記一方の主面に液体を供給する工程と、b)前記基板の回転を継続しつつ、前記一方の主面上への前記液体の供給を停止することにより、前記一方の主面上に残存した前記液体の一部を前記基板上から除去し、前記一方の主面上に前記液体の所定の厚さの液膜を形成する工程と、c)前記a)工程および前記b)工程と並行して、前記基板の他方の主面に常温よりも低温の冷却用液体を継続して供給することにより、前記a)工程の際に前記基板を予備冷却するとともに、前記b)工程の際に前記基板の冷却を継続する工程と、d)前記他方の主面への前記冷却用液体の供給を停止し、前記液膜を冷却して凍結させる工程とを備える。
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の基板処理方法であって、前記a)工程において前記一方の主面に供給される前記液体の温度が常温よりも低い。
請求項10に記載の発明は、請求項8または9に記載の基板処理方法であって、前記d)工程において、前記他方の主面への前記冷却用液体の供給が、前記液膜の冷却開始直前に停止される。
請求項11に記載の発明は、請求項8ないし10のいずれかに記載の基板処理方法であって、前記a)工程において前記基板を第1の回転速度にて回転させ、前記b)工程において前記基板を前記第1の回転速度よりも低い第2の回転速度にて回転させる。
2 基板保持部
4 凍結部
5 基板回転機構
6 加熱液供給部
7 チャンバ
9 基板
31 第1液体供給部
32 第2液体供給部
91 上面
92 下面
S11〜S22 ステップ
Claims (11)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内において一方の主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、
前記基板の前記一方の主面に液体を供給する液体供給部と、
前記一方の主面に前記液体が供給されている状態で、前記基板を前記一方の主面に垂直な軸を中心として回転させ、前記基板の回転を継続しつつ、前記一方の主面上への前記液体の供給を停止することにより、前記一方の主面上に残存した前記液体の一部を前記基板上から除去し、前記一方の主面上に前記液体の所定の厚さの液膜を形成する基板回転機構と、
前記一方の主面に前記液体が供給されている状態で、前記基板の他方の主面に常温よりも低温の冷却用液体を供給することにより前記基板を予備冷却するとともに、前記一方の主面上における前記液膜の形成と並行して、前記冷却用液体を前記他方の主面に継続して供給することにより前記基板を冷却する冷却部と、
前記他方の主面への前記冷却用液体の供給が停止された状態で、前記液膜を冷却して凍結させる凍結部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記液体供給部から前記一方の主面に供給される前記液体の温度が常温よりも低いことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記冷却用液体が、前記液体供給部から供給される前記液体と同じであることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記冷却部による前記他方の主面への前記冷却用液体の供給が、前記凍結部による前記液膜の冷却開始直前まで行われることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記液体供給部から供給される前記液体が純水であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
凍結した前記液膜である凍結膜に加熱された解凍用液体を供給して前記凍結膜を除去する凍結膜除去部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板回転機構が、前記液体供給部から前記一方の主面に前記液体が供給されている状態で、前記基板を第1の回転速度にて回転させ、前記液体供給部からの前記液体の供給が停止された状態で、前記基板を前記第1の回転速度よりも低い第2の回転速度にて回転させることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
a)チャンバ内において一方の主面を上側に向けた状態で保持された基板を、前記一方の主面に垂直な軸を中心として回転させつつ、前記一方の主面に液体を供給する工程と、
b)前記基板の回転を継続しつつ、前記一方の主面上への前記液体の供給を停止することにより、前記一方の主面上に残存した前記液体の一部を前記基板上から除去し、前記一方の主面上に前記液体の所定の厚さの液膜を形成する工程と、
c)前記a)工程および前記b)工程と並行して、前記基板の他方の主面に常温よりも低温の冷却用液体を継続して供給することにより、前記a)工程の際に前記基板を予備冷却するとともに、前記b)工程の際に前記基板の冷却を継続する工程と、
d)前記他方の主面への前記冷却用液体の供給を停止し、前記液膜を冷却して凍結させる工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項8に記載の基板処理方法であって、
前記a)工程において前記一方の主面に供給される前記液体の温度が常温よりも低いことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項8または9に記載の基板処理方法であって、
前記d)工程において、前記他方の主面への前記冷却用液体の供給が、前記液膜の冷却開始直前に停止されることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項8ないし10のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記a)工程において前記基板を第1の回転速度にて回転させ、前記b)工程において前記基板を前記第1の回転速度よりも低い第2の回転速度にて回転させることを特徴とする基板処理方法。
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