TWI405862B - 用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的合金與濺射靶材料 - Google Patents

用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的合金與濺射靶材料 Download PDF

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Description

用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的合金與濺射靶材料 相關申請案之相互參照
本申請案主張2007年9月18日申請之日本專利2007-241101號的優先權，其全部揭示內容在此以引用方式倂入本文。
本發明係關於一種用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的合金(Co、Fe)(Zr、Hf、Nb、Ta、B)與濺射靶材料。本發明也關於一種製造該合金及濺射靶材料的方法。
近年來，在磁性記錄技術中已有顯著進展，且因增加驅動器容量之故，升高磁性記錄媒體中的記錄密度也正在進行。然而，在現今全世界所使用之用於縱向磁性記錄系統的磁性記錄媒體中，實現高記錄密度的努力導致細微的記錄位元，這些位元需要一定程度的高矯頑力以使記錄不受記錄位元影響。有鑑於此，已研究垂直磁性記錄系統作為解決這些問題及改良記錄密度的手段。
垂直磁性記錄系統係為一種其中易磁化軸係定向為與垂直磁性記錄媒體之磁性薄膜中的媒體表面垂直，且適用於高記錄密度的系統。對於垂直磁性記錄系統，已開發二層式記錄媒體，其具有改良記錄靈敏度的磁性記錄薄膜層及軟磁性薄膜層。一般在磁性記錄薄膜層中係使用以CoCrPt-SiO2 為基礎的合金。
另一方面，如日本專利特許公開公告2005-320627號所揭示，CoZrNb/Ta合金或其類似物已用於軟磁性薄膜層。垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層需要高飽和磁通量密度及高無定形特性。然而，在日本專利特許公開公告2005-320627號中所揭示之CoZrNb/Ta合金，相較於垂直磁性記錄媒體之軟磁性薄膜層所需要的高飽和磁通量密度，會產生較低的飽和磁通量密度。
此外，當將具有高飽和磁通量密度之合金用於軟磁性薄膜層時，形成該薄膜之靶材料也會導致高飽和磁通量密度，而引起PTF值的減低，這會影響磁控管濺射期間的濺射速率。同時，如ASTM F1761-00其全部揭示內容係以引方式倂入本文所定義，PTF值係已通過鐵磁性靶材料之直流電磁場的比例(%)。無定形特性係表示合金在淬火固化或濺射期間變成無定形的容易度。
本發明人現已發現一種可作為垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層之濺射靶材料的優異合金，該合金包含Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合5原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦10原子%並具有7原子%或以下之B；Al及Cr之總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合0.20≦Fe/(Fe+Co)≦0.65(原子%比率)，以及無可避免之雜質，並且具有高飽和磁通量密度及高無定形特性。
本發明人同時也發現，一種具有高PTF值及高相對密度之濺射靶材料可藉由以下之靶材料製造而獲得：將符合1.00≧Fe/(Fe+Co)≧0.90(原子%比率)及3原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦12原子%的第一粉末與符合0.00≦Fe/(Fe+Co)≦0.10(原子%比率)及3原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦12原子%的第二粉末混合；並在800至1250℃及100至1000MPa下將該混合粉末壓密。
根據本發明之一方面係提供一種用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的濺射靶材料，該靶係由包含下列之合金所製成：Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合5原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦10原子%並具有7原子%或以下之B；Al及Cr：總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合0.20≦Fe/(Fe+Co)≦0.65(原子%比率)，以及無可避免之雜質。根據本發明之另一方面係提供一種製造該濺射靶材料之方法，該方法包含以下步驟：
a)將第一粉末與第二粉末混合而形成混合粉末，其中該第一粉末包含：Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合3原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦12原子%；Al及Cr：總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合1.00≧Fe/(Fe+Co)≧0.90(原子%比率)，以及無可避免之雜質，且其中該第二粉末包含：Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合3原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦12原子%；Al及Cr：總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合0.00≦Fe/(Fe+Co)≦0.10(原子%比率)，以及無可避免之雜質；以及
b)在800至1250℃及100至1000MPa下將該混合粉末壓密而形成該濺射靶材料。
本發明將於下文中詳細說明。
用於軟磁性薄膜層之合金及濺射靶材料
根據本發明之濺射靶材料係一用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的濺射靶材料，並且係由以Co-Fe為基礎之合金所製成。該以Co-Fe為基礎之合金包含Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合5原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦10原子%並具有7原子%或以下之B；總量為0至5原子%之Al及Cr；及餘量為Co和Fe，其數量符合0.20≦Fe/(Fe+Co)≦0.65(原子%比率)，以及無可避免之雜質。
該等用於軟磁性薄膜層之合金及濺射靶材料中之組成限制的原因如下。
Fe/(Fe+Co)之原子%比率係對飽和磁通量密度、無定形特性及耐大氣腐蝕性有很大影響的參數。當Fe/(Fe+Co)在0.20至0.65範圍內時，因Fe的比例變大而增進飽和磁通量密度。然而，當Fe/(Fe+Co)超過0.65時，飽和磁通量密度不再增加，卻引起耐腐蝕性顯著地遞降。Fe/(Fe+Co)小於0.20時將導致不足的飽和磁通量密度。基於這些理由，在合金及濺射靶材料中該Fe/(Fe+Co)應在0.20至0.65範圍內，以0.20至0.50較佳。
每一Zr、Hf、Nb、Ta及B具有與Fe及Co的共熔狀態圖，且係一能形成高無定形相的元素。這些元素各別的濃度，除B之外，都大約在8至13原子%的水準，只有B的濃度些微小於20原子%。所以可行的是使用(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2的總量。(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2之總量小於5原子%時並無法提供充分的共熔特性。當(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2之量超過10原子%時共熔特性飽和而使飽和磁通量密度遞降。當B含量超過7原子%時，耐蝕性會遞降。基於這些理由，在合金及濺射靶材料中(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2之總量應在5至10原子%範圍內，而B含量應在7原子%或以下，以1至7原子%較佳。
製造方法
供製造如本發明之合金及濺射靶材料的較佳方法將於下文中說明。製造本發明之合金及濺射靶材料的方法並不受限於下述方法。
在根據本發明之較佳方面的製造方法中，係將第一粉末與第二粉末混合而形成混合粉末。該第一粉末包含Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合3原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦12原子%；Al及Cr之總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合1.00≧Fe/(Fe+Co)≧0.90(原子%比率)，以及無可避免之雜質。該第二粉末包含Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合3原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦12原子%；Al及Cr之總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合0.00≦Fe/(Fe+Co)≦0.10(原子%比率)，以及無可避免之雜質。
依此方式，靶材料並非藉由將含有單一組成之粉末壓密而形成，而是藉由將包含兩種粉末(每一種粉末在給定比例下具有相對低的飽和磁通量密度)之混合粉末壓密而形成。經由此一方法，儘管具有均勻組成之合金高飽和磁通量高度展現，但亦可獲得具有相對低飽和磁通量密度之靶材料。所以，可避免使用由具有高飽和磁通量密度及高共熔特性之優異合金所製得的靶材料於磁控管濺射中形成薄膜期間，因高飽和磁通量密度引起PTF值減低而使沉積速率減少的情況。
在將靶材料之總組成分成兩種各別具有不同組成的原料粉末時，各別粉末的飽和磁通量密度可藉由將該等原料粉末中之一者的Fe/(Fe+Co)設定在1.00至0.90，及將另一原料粉末之Fe/(Fe+Co)設定在0.00至0.10而予減低。由於Zr、Hf、Nb、Ta及B族群與Fe及Co族群之間的濺射速率不同，所以這些粉末族群之間添加量的大差異將導致一個問題，即在濺射持續時在靶材料表面上會產生凹面和凸起，因而引起如粒子般的缺陷。特別是在該等粉末之一者中其(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2之數量小於3原子%或超過12原子%的情況。
再者，當將符合Fe/(Fe+Co)為0.20至0.65的合金靶材料壓密而作為單一種粉末的原料時。壓密後機械加工時會產生裂縫或碎裂。其原因在細節上並不清楚，但據信是因為在Co-Fe二元相圖中於Fe/(Fe+Co)=0.5附近所觀察到的脆性有序相(α相)也會在根據本發明合金的母相中形成之故。由此觀之，較為有效的是將原料粉末分成各別符合Fe/(Fe+Co)為1.00至0.90及Fe/(Fe+Co)為0.00至0.10的兩種粉末。
本發明人也發現，在合金靶材料之製造中，將符合Fe/(Fe+Co)為1.00至0.90及Fe/(Fe+Co)為0.00至0.10的兩種原料粉末壓密時，相較於在相同條件下只將單一種原料粉末壓密的例子，可導致較高的相對密度。此現象的原因在細節上並不清楚，但可假定如下。和單一種粉末作為原料的例子比較時，在使用藉由混合兩種粉末所獲得之原料粉末的例子中，經認為，相應於該符合Fe/(Fe+Co)為1.00至0.90之粉末的富含Fe區域及該符合Fe/(Fe+Co)為0.00至0.10之粉末的富含Co區域在兩種粉末之間的接觸點形成，而在此接觸點處引起高濃度梯度。所以，據信由於Co原子與Fe原子之相互擴散將顯著地出現以減低濃度梯度，所以進一步促進了燒結而增加相對密度。
根據本發明之較佳方面，該依此獲得之混合粉末係在800至1250℃及100至1000MPa下壓密而形成合金或濺射靶材料。在溫度800℃以下或壓力小於100MPa下壓密將導致低的相對密度。同時，在溫度1250℃以上之壓密會引起部份熔化而產生固化孔隙。再者，在壓力大於1000MPa下的壓密在產業實行上有困難。因此，壓密溫度設定在800至1250℃，以850至1100℃較佳，而壓密壓力設定在100至1000MPa，以120至600MPa較佳。
根據本發明之較佳方面，只有第一粉末或第一粉末及第二粉末二者可含有5原子%或以下之Al及Cr，並且該合金可含有總量5原子%或以下之Al及Cr。根據此較佳之製造方法，由於富含Fe之原料(低耐蝕性)及富含Co之原料(高耐蝕性)係混合在一起而壓密，所以在此兩種粉末之間會建立一種局部小室，對靶材料而言將導致形成相對容易生銹之材料。所以，將Al及Cr加到至少富含Fe之原料粉末或加到這兩種粉末中可使靶材料不易生銹。然而，當Al+Cr數量超過5原子%時，此一效果就不再增進。同時，Al+Cr在靶材料中之總量大於5原子%時會引起該藉由靶濺射所形成之薄膜的飽和磁通量密度減低。所以，Al+Cr的量設定在5原子%或以下，以1至5原子%較佳。
通常，垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層可藉由使一具有和該軟磁性薄膜層相同之組成的濺射材料濺射在玻璃基材上形成薄膜層而製得。使該以濺射塗覆之薄膜淬火。另一方面，在本發明中係使用經由單滾輪型液體淬火裝置製得之已淬火薄條片作為下文所說明之實施例及比較性實施例中的樣本。這是為了以實際上淬火並經濺射形成之薄膜的成份來評估對各種特徵的影響，而以液體淬火之薄條片來進行。
實施例
本發明將參考實施例於下文中詳細說明。
實施例A
使按照表1之成份所稱重的30公克原料在直徑10×40公釐的水冷卻銅爐床中及在Ar減壓下電弧-熔化，而製備用於已淬火之薄條片的熔融基底材料。已淬火之薄條片的製造係在單滾輪系統中進行。具體而言，此熔融基底材料係放置在直徑15公釐之二氧化矽管中，並在61kPa大氣壓、69kPa霧化壓差及銅滾輪(直徑300公釐)之旋轉數為3000rpm下抽頭。抽頭嘴(tap nozzle)之直徑設定為1公釐，而銅滾輪與抽頭嘴之間的間隙設為0.3公釐。抽頭溫度係設定在每一熔融基本材料剛好熔化的溫度。使用該依此方式製得之已淬火薄條片作為試樣材料，並進行下列之評估。
評估1：飽和磁通量密度
已淬火之薄條片的飽和磁通量密度係經由VSM裝置(振動-試樣-型磁力計)在1200kA/m之施加磁場下測量。試樣材料之重量約15毫克。
評估2：無定形特性
已淬火之薄條片的無定形特性評估係如下述進行。在測量無定形材料的X-射線繞射圖時，並沒有觀察到任何繞射波峰而是顯現無定形材料特有的光暈圖案。雖然在非完全之無定形材料中可看到繞射波峰，但峰的高度低於結晶材料而顯現具有很大之半頻寬(繞射波峰一半高度處的寬度)的寬闊波峰。半頻寬與材料之無定形特性相互關聯。當無定形特性較高時，繞射波峰變得更寬闊且半頻寬增加。所以，無定形特性係藉由下述方法進行評估。
以雙面膠帶將試樣材料黏貼在玻璃板上，並經由X-射線繞射裝置獲得繞射圖，此時，將該試樣材料以欲測量之表面是該已淬火薄條片之銅-滾輪-接觸表面的方式黏貼在玻璃板上。X-射線來源為Cu-kα射線，且測量係在4°/分鐘的掃瞄速度下進行。以圖像分析該繞射圖中主要波峰一半高度的寬度而測定該用於評估無定形特性之半頻寬。
評估3：抗蝕性
關於具有Fe/(Fe+Co)比例為0.65之實施例6及具有Fe/(Fe+Co)比例為0.70之比較性實施例15，係使用一以雙面膠帶將已淬火之薄條片黏貼在玻璃板上的試樣來進行鹽噴霧試驗(5% NaCl-35℃-16小時)。結果，具有Fe/(Fe+Co)比例為0.65之已淬火薄條片(實施例6)部份生銹，但具有Fe/(Fe+Co)比例為0.70的已淬火薄條片(比較性實施例15)則整個表面都生銹。Fe/(Fe+Co)比例超過0.65之已淬火薄條片並不能提供增加飽和磁通量密度之效果，且耐蝕性會遞降。當具有Fe/(Fe+Co)比例為0.65及8原子% B之比較性實施例19的已淬火薄條片製得後即進行如上述之鹽噴霧試驗，在該已淬火之薄條片的整個表面上都看到生銹。
結果
已淬火之薄條片的結果係顯示於表1。編號1至13為本發明之實施例，而編號14至19是比較性實施例。關於比較性實施例14，由於Fe/(Fe+Co)之數值係低至0.15，所以飽和磁通量密度也很低。關於比較性實施例15，由於Fe/(Fe+Co)之數值高至0.70，所以耐蝕性如上述般遞降。關於比較性實施例16，由於(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2之數值低至4，所以半頻寬很小。關於比較性實施例17，由於(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2之數值高，所以飽和磁通量密度低。關於比較性實施例18，由於Al+Cr之添加量高，所以飽和磁通量密度低。關於比較性實施例19，由於B之數量高，所以耐蝕性如上述般遞降。依此方式，本發明之合金在淬火狀態中將有利於飽和磁通量密度、無定形特性及耐蝕性。
實施例B
在實施例B中，用作為原料之合金粉末係藉由氣體霧化法製造以便在研究低飽和磁通量密度之原料粉末組成時測量飽和磁通量密度。測量該等藉由將每一種原料粉末壓密並機械加工而製得之靶材料的PTF值，以便研究粉末原料組成對PTF值的影響。同時，也測量壓密條件、靶材料之相對密度、及耐蝕性。
具體而言，具有表2所示之組成的合金粉末係藉由使用氣體之霧化法而製得，該方法使用Ar氣體、6公釐之噴嘴直徑及5MPa氣體壓力。然後將所製得之粉末分等為500微米或更小而獲得編號1至10的粉末。在該所得之粉末上進行下列評估。
評估1：原料粉末之飽和磁通量密度
原料粉末之飽和磁通量密度係經由VSM裝置(振動試樣形式磁力計)在1200kA/m之施加磁場下測量。試樣之重量約200毫克。結果顯示於表2。
然後，藉由表3所示之組合混合該等依此獲得之粉末1至10以達成表3所示之靶材料組成。將每一種依此獲得之混合粉末放入一由SC材料製成之密封罐內(該密封罐具有200公釐直徑及100公釐長度之內部尺寸)，接著在0.1Pa或以下之超真空下藉由脫氣真空封裝。其後，在HIP(熱均壓法)的例子中，在1000至1300℃加熱溫度及80至150MPa壓力下將混合粉末壓密達5小時的保持時間而形成一壓密實體。在端壓法之例子中，在750至1000℃加熱溫度及450至1000MPa壓力下將混合粉末壓密而形成一壓密實體。將該壓密實體經由鋼絲切割、車床處理及表面研磨等機械加工，而製得具有直徑180公釐及厚度7公釐之最終尺寸的樣本。在該所得之樣本上進行下列評估。結果顯示於表3。
評估2：PTF值
根據ASTM F1761-00測量靶材料之PTF值。為了比較用，靶材料係藉由將單一種粉末壓密而製得，該單一種粉末具有和相同條件下之靶材料相同的組成，以便用於測量PTF值。
測量這些PTF值之差值，亦即[混合粉末之靶材料的PTF(單位：%)]-[單一種粉末之靶材料的PTF(單位：%)]。
評估3：相對密度
藉由體積重量法測量靶材料之密度(測量該經機械加工之靶材料的尺寸及重量，再根據重量/體積計算出密度)。相對密度係以實際測得密度相對於理論值密度之比率獲得，接著根據下列標準來評估。
A：99%或以上
B：98%或以上且小於99%
C：小於98%
評估4：耐蝕性
根據JIS Z 2371對靶材料施以鹽噴霧試驗。同時，在靶材料曝露於5重量% NaCl溶液之噴霧達24小時後，根據下列標準以目視觀察來確定該靶材料上面是/否生銹。
A：無銹產生
B：在部份的靶材料上有銹產生
C：在整個靶材料之表面上有銹產生
此外，將Co(0)-Fe(餘量)-2Zr之粉末與Co(餘量)-Fe(0)-10Zr之粉末混合在一起至總組成為Co(餘量)-47Fe-6Zr，接著在1000℃及500MPa下端壓-壓密而形成靶材料(相對密度為99.7%)。然而，在以此靶材料進行之濺射中(Ar壓力為0.5Pa及DC電力為500W)，許多的凹面及凸起部份在該靶材料之表面上產生，且粒子數目係在相同條件下自單一種粉末中壓密之靶材料的2.5倍。“粒子”一詞係表示在被濺射之薄膜上所產生的突起而引起缺陷。
再者，將Co(0)-Fe(餘量)-3Zr-2Nb之粉末與Co(餘量)-Fe(0)-6Zr-7Nb之粉末混合在一起至總組成為Co(餘量)-45.5Fe-4.5Zr-4.5Nb，接著在1000℃及500MPa下端壓-壓密而形成靶材料(相對密度為99.5%)。然而，在以此靶材料進行之濺射中(Ar壓力為0.5Pa及DC電力為500W)，許多的凹面及凸起部份在該靶材料之表面上產生，且粒子數目係在相同條件下自單一種粉末中壓密之靶材料的2.3倍。據信此乃因為在任何靶材料中該二者粉末之間Zr或Nb數量有很大差異之故。(已知各別之Zr、Hf、Nb、Ta及B之濺射速率比各別之Co及Fe低。所以可假定，這種濺射速率的差異是引起表面上產生凹面及凸起部份而造成粒子產生的原因)。
結果
如表3所示，相較於使用粉末9及10之靶材料(靶材料G及H)，使用粉末1至8之靶材料(靶材料A至F、I及J)有很大的PTF差值，彼等顯著地展現增進PTF之效果。
在表3中，發現藉由鹽噴霧試驗在使用符合Fe/(Fe+Co)為1.00至0.90(原子%比率)及(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2為3至12%原子以及沒有Al及Cr之粉末(粉末1至4)的靶材料(靶材料A、D、I及J)上有部份銹產生。另一方面，也發現藉由鹽噴霧試驗在使用符合Fe/(Fe+Co)為1.00至0.90(原子%比率)及(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2為3至12%原子以及具有Al及Cr之粉末(粉末2、3、及9)的靶材料(靶材料B、C及E至H)上並沒有銹產生。由以上觀之，在靶材料中可看到耐蝕性之改良。
將以粉末3及粉末7為基礎且Cr數量增至3原子%的粉末與Co(餘量)-34.4Fe-4Zr-4Hf-3Al-3Cr混合在一起，接著在1250℃及100MPa下藉由HIP而製造靶材料。然而，藉由和靶材料C相同方式的鹽噴霧試驗，在該靶材料上並沒有產生銹。所以可確定，當原料粉末中之Al+Cr超過5原子%時，改良靶材料之耐蝕性的效果就不再提高。
當靶材料A及靶材料C之混合粉末在1300℃及100MPa下藉由HIP壓密時，在該壓密實體內可觀察到眾多的熔化固化孔隙。
關於靶材料B、C及E之組成，在使用該於相同條件下壓密之單一種粉末作為原料的例子中，在該壓密實體中可部份觀察到裂缝或缺陷，而在使用混合粉末的所有例子中並沒有觀察到裂缝或缺陷。結果，可確認經由使用兩種原料粉未便可防止機械加工下的裂缝或缺陷。
各別的靶材料A、B及E之相對密度為99%或以上，而在使用該於相同條件下壓密之單一種粉末作為相對於這些組成的原料之例子中，各別壓密實體之相對密度為98.2%、98.4%及98.4%。結果，可確認經由使用兩種之原料粉末，縱使靶材料係在相同條件下壓密，其相對密度也很高。

Claims (5)

  1. 一種用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的濺射靶材料，該靶係由包含下列元素之合金所製成：Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合5原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦10原子%並具有7原子%或以下之B；Al及Cr：總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合0.20≦Fe/(Fe+Co)≦0.50(原子%比率)，以及無可避免之雜質。
  2. 一種製造用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層之濺射靶材料的方法，該靶係由包含下列元素之合金所製成：Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合5原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦10原子%並具有7原子%或以下之B；Al及Cr：總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合0.20≦Fe/(Fe+Co)≦0.65(原子%比率)，以及無可避免之雜質，該方法包含以下步驟：a)將第一粉末與第二粉末混合而形成混合粉末，其中該第一粉末包含：Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合3原 子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦12原子%；Al及Cr：總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合1.00≧Fe/(Fe+Co)≧0.90(原子%比率)，以及無可避免之雜質，且其中該第二粉末包含：Zr、Hf、Nb、Ta及B中之一或多者且數量符合3原子%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦12原子%；Al及Cr：總量為0至5原子%；及餘量為Co和Fe，其數量符合0.00≦Fe/(Fe+Co)≦0.10(原子%比率)，以及無可避免之雜質；以及b)在800至1250℃及100至1000MPa下將該混合粉末壓密而形成該濺射靶材料。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中僅有該第一粉末或該第一粉末與第二粉末二者含有5原子%或以下之Al+Cr，且其中該靶材料整體含有5原子%或以下之Al+Cr。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之方法，其中該靶材料之PTF值，與藉由申請專利範圍第2或3項之相同方法但使用相同組成的單一種粉末作為靶材料之最終組成來取代混合粉末所製得之靶材料的PTF值相較，二者之差值在5至15範圍內。
  5. 一種用於垂直磁性記錄媒體中之軟磁性薄膜層的濺射靶材料，其係藉由申請專利範圍第2或3項之方法製得。
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