TWI392094B - 發光顯示裝置，製造發光顯示裝置之方法及電視機 - Google Patents

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Description

發光顯示裝置，製造發光顯示裝置之方法及電視機
本發明係關於一種使用微滴排出方法(droplet discharge method)的發光顯示裝置(發光裝置)及其製造方法。
薄膜電晶體(以下稱為”TFT”)及使用薄膜電晶體之電路係藉由層疊半導體、絕緣材料、導電材料及類似材料之各種類型的薄膜在基板上及然後以光微影術適當地形成預定圖案所製造。光微影術意指利用光轉移藉由使用不會傳輸光之材料形成在稱為光罩的透明平面的表面上之電路或類似路徑的圖案至目標基板上的技術，且，此技術已廣泛地使用於半導體積體電路或類似電路的製造步驟。
於習知的光微影術之製造步驟中，其係需要實施包括曝光、顯影、烘烤、剝落及類似功能之多階段步驟，該步驟僅用於處理藉由使用稱為光阻的光敏有機樹脂材料所形成之遮罩圖案。因此，隨著光微影步驟的次數增加，製造成本不可避免地增加。為了改善如上述的此種問題，已被試過藉減少光微影步驟的次數(例如，前案1：日本先行公開專利案第H11-251259號)來製造TFT。
然而，於前案1所揭示的技術中，實施數次於TFT製造步驟中之光微影步驟係由印刷方法所取代，且，無助於步驟的數量之徹底減少。再者，將使用來以光微影術而轉 移遮罩圖案之曝光設備藉由等效投射曝光或縮小投射曝光所轉移數微米至1微米或更小的圖案。以技術觀點而言，曝光設備使具有大於1米的側邊之大面積基板同時曝在光理論上是困難的。
本發明的目的在於提供一種技術，其中，於TFT、使用TFT的電路、或藉由使用TFT所形成之發光顯示裝置的製造步驟中，製造步驟係藉由減少光微影步驟的次數或藉由免除其本身的光微影步驟而簡化，且，製造可以更高的產量及更低的成本而執行在具有大於1米的側邊之大面積基板上。
以下考量被採用於本發明以解決上述相關技術的問題。
本發明的一特徵在於，製造顯示面板所需之圖案的至少一或更多者，諸如配線層、用於形成電極的導電層或用於形成預定圖案的遮罩層及/係藉由能夠選擇性地形成圖案之方法而形成，且然後，發光顯示裝置被製造。可藉由選擇性排出微滴為特別目的混合的組成物將導電層、絕緣層或類似層形成為預定圖案之微滴排出方法(亦稱為噴墨方法、依據其模式而定)被利用作為能夠選擇性地形成圖案之方法。再者，能夠轉移或繪製圖案之方法，例如，印刷方法(用於形成諸如網板或平板印刷之圖案的方法)或類似方法亦可被使用。
本發明係發光顯示裝置，其中發光元件具有包括有機材料或有機材料及無機材料的混合物之媒體於電極之間，該媒體致使稱為電致發光(以下亦稱為”EL”)之發光，該發光元件及TFT被連接，且，此種發光顯示裝置係使用微滴排出方法所製造。
依據本發明，改善黏性意指(底預處理)藉由微滴排出方法採用於設有圖案之區，藉此改善發光顯示裝置的可靠性。
本發明的另一特徵在於，構成發光顯示裝置之基板，諸如配線、半導體膜、絕緣膜或遮罩係藉由利用具有光觸媒功能之基板(以下，簡稱為光觸媒物質)的光觸媒活性所形成。當預定圖案係由排出包括來自細孔的預定組成物之微滴而形成於此步驟時，具有光觸媒功能的物質被形成來作為基底，且，光觸媒活性被利用來改善黏性。特別地，混入溶劑之配線材料(包括溶解或分散於溶劑之配線材料(導電材料))係藉由塗敷方法或類似方法而形成在光觸媒物質或在其相對端上，藉此形成配線。例如，混入溶劑之導電材料係由微滴排出方法所排出至光觸媒物質上。除了微滴排出方法之外，混入溶劑之導電材料還可藉由旋轉塗敷方法、浸漬方法、其它塗敷方法或印刷方法(用於形成諸如網板印刷或平板印刷的圖案之方法)而形成在光觸媒物質上。
較佳地使用氧化鈦(TiOx)、鈦酸鍶(SrTiO3 )、硒化鎘(CdSe)、鉭酸鉀(KTaO3 )、硫化鎘(CdS)、氧 化鋯(ZrO2 )、氧化鈮(Nb2 O5 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鐵(Fe2 O3 )、氧化鎢(WO3 ))或類似元素作為光觸媒物質。光觸媒物質可以紫外線光區的光(波長：400nm或更小，較佳為380nm或更小)而照射以使其光觸媒地活化。
光觸媒物質可藉由溶凝膠方法的浸入式塗敷方法、旋轉塗敷方法、微滴排出方法、離子電鍍方法、離子光束方法、CVD方法、濺射方法、RF磁管電濺射方法、電漿噴霧方法或陽極氧化方法的浸入式塗方法所形成。再者，依據其形成方法而定，基板不需具有如膜的連續性。於以包括數個金屬的氧化物半導體製成之光觸媒物質的例子中，光觸媒物質可藉由混合及熔化構成元素的鹽而形成。當需要被移除於形成光觸媒物質的例子中時，溶劑可藉由諸如浸入式塗敷方法或旋轉塗敷方法的塗敷方法予以烘烤及乾化。尤其，其可較佳地於含氧大氣中加熱在預定溫度(例如，300℃或更高)。例如，烘烤係使用銀作為導電糊而實施於包括氧氣及氮氣之大氣；然後，諸如熱固樹脂之有機材料被分解。因此，不含有機材料之銀可被獲得。因此銀的表面上的平面化可被增強。
依據此熱處理，光觸媒物質可具有預定晶體結構。例如，其具有銳鈦礦型或金紅石/銳鈦礦混合型。銳鈦礦型係較佳地形成於低溫相。因此，當光觸媒物質不具預定晶體結構時，光觸媒物質亦可被加熱。再者，光觸媒物質可被形成數次以獲得預定膜厚度於藉由塗敷方法所形成的例 子中。
例如，TiOx不是親水性而是親油性，亦即，在以光照射之前是斥水性。光照射造成光觸媒活性，且，TiOx可轉換成親水性且非親油性，亦即，斥油性。注意到，TiOx可依據照射時間的長度而立即成為親水性及親油性。
注意到，”親水性”意指容易與水變濕且具有30度或小於的接觸角度之狀態。尤其，具有5度或小於的接觸角度之狀態稱為”超親水性”。另一方面，”斥水性”意指難以與水變濕且具有90度或更大的接觸角度之狀態。同樣的，”親油性”意指容易與油變濕之狀態，且，”斥油性”意指難以與油變濕之狀態。注意到，接觸角度意指由形成面及對滴點的邊緣上的微滴的切線所形成之角度。
換言之，以光照射之區(其後，稱為照射區)變成親水性或超親水性(共同簡稱為親水性)。在此時，光照射被實施以使照射區的寬度係配線的想要寬度。其後，包括混合成水基溶劑之導電材料的點係藉由微滴排出方法而自照射區上方排出至照射區。然後，較小寬度的配線，亦即，比僅藉由微滴排出方法排出的點的直徑之更窄配線可被形成。這係因為照射區形成以具有配線的想要寬度，且然後，所排出的點可被防止散佈在形成表面上。再者，甚至於點被排出偏離至某些程度之例子中，配線可沿著照射區而形成。因此，將被形成之配線的位置可被準確地控制。
於使用水基溶劑的例子中，較佳地加入表面活化劑以為了自噴墨設備的噴嘴而平順地排出微滴。
於排出混合成油基(醇基)溶劑的組成物(導電材料)的例子中，配線可藉由將組成物(導電材料)排出至未以光照射的區上(其後，稱為非照射區)及自上述的非照射區將點排出至非照射區而同樣地形成。換言之，將形成的圖案(配線)之區的相對端，亦即，圍繞將形成的配線的區之周圍可以光而照射，藉此形成照射區。因為此照射區在此時係斥油性，包括混合成油(醇基)基溶劑的導電材料的點係選擇性地形成於非照射區。換言之，光照射可被實施以使非照射區的寬度係配線的想要寬度。
注意到，非極性溶劑或低極性溶劑可使用作為油(醇基)基溶劑。例如，香油腦、礦物精、二甲苯、甲苯、乙基苯、三甲苯、己烷、庚烷、辛烷、癸烷、十二烷、環己烷或環辛可被使用。
再者，光觸媒活化可藉由將過渡金屬(諸如Pd、Pt、Cr、Ni、V、Mn、Fe、Ce、Mo、或W)掺入光觸媒物質而加強，且，光觸媒活化可藉由可見光區的光(波長：自400nm至800nm)而造成的。這係因為過渡金屬可於具有寬頻帶間隙之活化光觸媒的禁止頻帶內而形成新位準，且可擴大光吸收範圍至可見光區。例如，諸如Cr或Ni的受體型、諸如V或Mn的施體型、諸如Fe的兩性型，或諸如Ce、Mo及W的其它類型可被掺入。光的波長因此可依據光觸媒物質而決定。因此，光照射意指以具有光觸媒地 活化光觸媒物質的此種波長之光而照射。
當光觸媒物質係於真空或在氫的回流下而加熱及減少時，結晶中產生的氧缺陷。在未掺有過渡元素下，氧缺陷以此方式對電子施體扮演同樣地角色。尤其，於由溶凝膠方法所形成的光觸媒物質的例子中，因為氧缺陷一開始就存在，光觸媒物質不一定要減少。再者，氧缺陷可藉由掺入N2 的氣體或類似氣體而形成。
以耐熱金屬以及光觸媒物質製成之導電層可被形成。耐熱金屬可藉由使用諸如：Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Al(鋁)、Ta(鉭)、Ni(鎳)、Zr(鋯)、Hf(鉿)、V(釩)、Ir(銥)、Nb(鈮)、Pb(鉛)、Pt(鉑)、Mo(鉬)、Co(鈷)及Rh(銠)之材料而形成。再者，導電層係由諸如濺射方法、蒸發沉積方法、離子電鍍方法、CVD方法、浸入式方法或旋轉塗敷方法之已知方法所形成，較佳地，其係由濺射方法、浸入式方法或旋轉塗敷方法所形成。於而後使導電層絕緣之例子中，其係簡單及較佳地形成導電層以具有0.01nm至10nm的厚度及自然氧化而使其絕緣。
替代地，用於實施電漿處理在形成區(形成面)上的方法被使用作為另一方法。電漿處理係以使用作為處理氣體的空氣、氧或氮氣而實施，其中，壓力為數十托(Torr)至1000托(133000 Pa)，較佳地為，100托(13300 Pa)至1000托(133000 Pa)，更佳地，700托(93100 Pa)至800托(106400 Pa)，亦即，大氣壓力或 接近大氣壓力之壓力，且，脈衝電壓係應用在此種條件下。此時，電漿密度設定在1x1010 m-3 至1x1014 m-3 ，所謂的電暈放電或輝光放電。表面修改可利用使用空氣、氧或氮氣作為處理氣體之電漿處理實施而無材料依賴性。因此，表面修改可被執行在任何材料上。
如另一替代方法，作用如黏著劑之有機材料的物質可由微滴排出方法而形成以改善以其形成區所形成之圖案的黏著性。以光敏性或非光敏性有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞銨、丙烯、聚醯胺、聚醯胺醯胺、光阻、苯並環丁烯及類似元素)、具有低界電質常數的低k材料及類似元素的一或數者製成之膜或其層疊可被使用作為此材料。再者，其中由矽(Si)的鍵及氧化物(O)與含有至少氫作為替代物或含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者所形成的骨架結構之材料可被使用。微滴排出方法或列印方法(用於形成諸如網板印刷或平板印刷的圖案之方法)可被利用作為製造方法。藉由塗敷方法所獲得之TOF膜、SOG膜或類似膜可被使用。
作為底預處理用於改善黏性或表面修改而實施在藉由使用微滴排出方法所形成之導電材料的區上之步驟可實施於導電材料更進一步形成在由使用微滴排出方法所形成之圖案上之例子。
至於藉由微滴排出方法自排出開口排出以形成導電材料(導電層)之組成物，溶解或分散於溶劑中之導電材料被使用。導電材料相當於諸如銀、金、銅、鎳、鉑、鈀、 銥、銠、鎢或鋁的金屬、諸如鎘或鋅的金屬的硫化、鐵、鈦、矽、鍺、鋯、鋇或類似元素的氧化、或銀鹵化物的細顆粒或分散劑奈米顆粒。再者，導電材料相當於銦錫氧化物(ITO)、以銦錫氧化物及氧化矽製成之(ITSO)、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦或使用作為透明導電膜之類似元素。然而，至於自排出開口排出之組成物，較佳地使用選自金、銀及銅的任何材料，其係溶解或分散於溶劑，考量特定阻抗值。更佳地使用具有低阻抗值之銀或銅。當銀或銅被使用時，障膜可附加地提供作為雜質之考量。氮化矽膜或鎳硼(NiB)可被使用作為障膜。
再者，以其它導電材料塗敷一導電材料成為數層之顆粒可被使用。例如，以鎳硼(NiB)塗敷的銅然後以銀塗敷之三層結構顆粒可被使用。至於此種溶劑，諸如醋酸丁酯及醋酸丁酯的酯類；諸如異丙醇及醋酸丁酯的醇類；諸如甲基乙基酮及醋酸的有機溶劑；或類似溶劑可被使用。組成物的黏度較佳地為50mPa.S(cps)或更小。此係因為此組成物被防止乾化或此組成物自排出開口而平順地排出。此組成物的表面張力較佳地為40mN/m或更小。然而，此組成物及類似物的黏度可依據將被使用及想要用途的溶劑而適當地調整。例如，ITO、有機銦或有機錫溶解或分散於溶劑之組成物的黏度係5 mPa.S至50 mPa.S，由銀溶解或分散於溶劑之組成物的黏度係5 mPa.S至20 mPa.S，以及，由金溶解或分散於溶劑之組成物的黏度係10 mPa.S至20 mPa.S。
本發明的發光顯示裝置，包含：閘極電極，設置形成在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質；閘極絕緣層，形成在閘極電極上；半導體層及第一電極，形成在閘極絕緣層上；配線層，形成在半導體層上；分隔壁，覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；電致發光層，在第一電極上；及第二電極，在電致發光層上，其中配線層覆蓋第一電極的邊緣部。
本發明的發光顯示裝置，包含：配線層及第一電極，形成在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質；半導體層，形成在配線層上；閘極絕緣層，形成在半導體層上；閘極電極，形成在閘極絕緣層上；分隔壁，覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；電致發光層，在第一電極上；及第二電極，在電致發光層上，其中配線層覆蓋第一電極的邊緣部。
本發明的發光顯示裝置，包含：閘極電極，形成在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質；閘極絕緣層，形成在閘極電極上；半導體層及第一電極，形成在閘極絕緣層上；配線層，形成在半導體層上；分隔壁，覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；電致發光層，在第一電極上；及第二電極，在電致發光層上，其中第一電極覆蓋配線層的邊緣部。
本發明的發光顯示裝置，包含：配線層及第一電極，形成在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質；半導體層，形成在配線層上；閘極絕緣層，形成 在半導體層上；閘極電極，形成在閘極絕緣層上；分隔壁，覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；電致發光層，在第一電極上；及第二電極，在電致發光層上，其中第一電極覆蓋配線層的邊緣部。
本發明的發光顯示裝置，包含：包括耐熱金屬的導電層，在具有絕緣表面的基板上；閘極電極，形成在導電層上；閘極絕緣層，形成在閘極電極上；半導體層及第一電極，形成在閘極絕緣層上；配線層，形成在半導體層上；分隔壁，覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；電致發光層，在第一電極上；及第二電極，在電致發光層上，其中配線層覆蓋第一電極的邊緣部。
本發明的發光顯示裝置，包含：包括耐熱金屬的導電層，在具有絕緣表面的基板上；配線層及第一電極，形成在導電層上；半導體層，形成在配線層上；閘極絕緣層，形成在半導體層上；閘極電極，形成在閘極絕緣層上；分隔壁，覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；電致發光層，在第一電極上；及第二電極，在電致發光層上，其中配線層覆蓋第一電極的邊緣部。
本發明的發光顯示裝置，包含：包括耐熱金屬的導電層，在具有絕緣表面的基板上；閘極電極，形成在導電層上；閘極絕緣層，形成在閘極電極上；半導體層及第一電極，形成在閘極絕緣層上；配線層，形成在半導體層上；分隔壁，覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；電致發光層，在第一電極上；及第二電極，在電致發光層上，其中 第一電極覆蓋配線層的邊緣部。
本發明的發光顯示裝置，包含：包括耐熱金屬的導電層，在具有絕緣表面的基板上；配線層及第一電極，形成在導電層上；半導體層，形成在配線層上；閘極絕緣層，形成在半導體層上；閘極電極，形成在閘極絕緣層上；分隔壁，覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；電致發光層，在第一電極上；及第二電極，在電致發光層上，其中第一電極覆蓋配線層的邊緣部。
於以上結構中，半導體層可以是含氫及鹵素且具有結晶結構之半無定形半導體層。藉由使用具有上述結構之發光顯示裝置所形成之包括顯示螢幕的電視機可被製造。
用於製造本發明的發光顯示裝置之方法，包含：藉由微滴排出方法而形成閘極電極在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質；形成閘極絕緣層在閘極電極上；形成半導體層在閘極絕緣層上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在閘極絕緣層上；藉由微滴排出方法而形成配線層在半導體層上以覆蓋第一電極的邊緣部；形成分隔壁以覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；形成電致發光層在第一電極上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在電致發光層上。
用於製造本發明的發光顯示裝置之方法，包含：藉由微滴排出方法而形成第一電極在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質；形成配線層在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質，以覆蓋 第一電極的邊緣部；形成半導體層在配線層上；形成閘極絕緣層在半導體層上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在閘極絕緣層上；形成分隔壁以覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；形成電致發光層在第一電極上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在電致發光層上。
用於製造本發明的發光顯示裝置之方法，包含：藉由微滴排出方法而形成閘極電極在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質；形成閘極絕緣層在閘極電極上；形成半導體層在閘極絕緣層上；藉由微滴排出方法而形成配線層在半導體層上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在閘極絕緣層上以覆蓋配線層的邊緣部；形成分隔壁以覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；形成電致發光層在第一電極上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在電致發光層上。
用於製造本發明的發光顯示裝置之方法，包含：藉由微滴排出方法而形成配線層在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質；藉由微滴排出方法而形成第一電極在具有絕緣表面的基板上，其間設有具有光觸媒功能的物質，以覆蓋配線層的邊緣部；形成半導體層在配線層上；形成閘極絕緣層在半導體層上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在閘極絕緣層上；形成分隔壁以覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；形成電致發光層在第一電極上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在電致發光層上。
用於製造本發明的發光顯示裝置之方法，包含：形成包括耐熱金屬的導電層在具有絕緣表面的基板上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在導電層上；形成閘極絕緣層在閘極電極上；形成半導體層在閘極絕緣層上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在閘極絕緣層上；藉由微滴排出方法而形成配線層在半導體層上以覆蓋第一電極的邊緣部；形成分隔壁以覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；形成電致發光層在第一電極上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在電致發光層上。
用於製造本發明的發光顯示裝置之方法，包含：形成包括耐熱金屬的導電層在具有絕緣表面的基板上；藉由微滴排出方法而形成配線層在導電層上以覆蓋第一電極的邊緣部；形成半導體層在配線層上；形成閘極絕緣層在半導體層上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在閘極絕緣層上；形成分隔壁以覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；形成電致發光層在第一電極上；藉由微滴排出方法而形成第二電極在電致發光層上。
用於製造本發明的發光顯示裝置之方法，包含：形成包括耐熱金屬的導電層在具有絕緣表面的基板上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在導電層上；形成閘極絕緣層在閘極電極上；形成半導體層在閘極絕緣層上；藉由微滴排出方法而形成配線層在半導體層上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在閘極絕緣層上以覆蓋配線層的邊緣部；形成分隔壁以覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；形成電致 發光層在第一電極上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在電致發光層上。
用於製造本發明的發光顯示裝置之方法，包含：形成包括耐熱金屬的導電層在具有絕緣表面的基板上；藉由微滴排出方法而形成配線層在導電層上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在導電層上以覆蓋配線層的邊緣部；形成半導體層在配線層上；形成閘極絕緣層在半導體層上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在閘極絕緣層上；形成分隔壁以覆蓋第一電極的邊緣部及配線層；形成電致發光層在第一電極上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在電致發光層上。
閘極絕緣層可防止閘極電極氧化，且可藉由接著層疊第一氮化矽膜、氧化矽膜及第二氮化矽膜而具有與半導體層之良好界面以形成在閘極絕緣層的上層側上。
依據本發明，閘極電極層、配線層及使用於圖案化之遮罩層係藉由如上述的微滴排出方法所形成的。然而，其目的係以能夠選擇性地形成圖案的方法而形成製造發光顯示裝置所需的至少一或更多個圖案及藉由製造發光顯示裝置而達到。
再者，分隔壁可以有機材料、無機材料或藉由矽及氧化物的鍵形成的骨架結構之材料製成。因為有機材料優於平面性，膜厚度不會變得非常薄，且，甚至當而後形成導電材料時，不連續不會發生於不平坦部；因此，有機材料係使用作為數個配線的層間絕緣層，配線容量被降低。然 後，多配線可被形成，且，更高效率及更高功能可被獲得。
另一方面，矽氧烷聚合物可被指定作為藉由矽及氧化物的鍵所形成的骨架結構之材料的典型實例。尤其，矽氧烷聚合物係一種材料，其中骨架結構係由矽及氧化物的鍵所形成，且，其含有至少氫作為替代物，或其含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者作為替代物之材料。此材料亦優於平面性，且具有透明性及熱阻抗。以矽氧烷聚合物製成之絕緣材料可在形成之後而加熱處理在約等於或小於300℃至600℃的溫度。
依據本發明，配線層及遮罩層的圖案化可藉由微滴排出方法而直接實施。因此，這係可能獲得材料的使用性被改善及製造步驟被簡化之TFT及與一起之高可靠發光顯示裝置。
參考附圖詳細說明本發明的實施例模式。注意到，本發明未受限於以下說明。因為對於熟習此項技藝者而言係容易知曉，本發明的模式及細節可以各種方式改變，而不離開本發明的精神及範圍。因此，本發明不是限於實施例模式的以下說明而詮釋。注意到，相同參考號碼被給予以下將說明之本發明的結構的不同圖式中之相同部份或具有相似功能之部份，且，重複說明被省略。
〔實施例模式1〕
參考圖1A-1D與圖2A及2B說明本發明的實施例模式。尤其，說明用於製造應用之本發明的發光顯示裝置之方法。首先，參考圖1A-1D與圖2A及2B說明用於製造具有通道保護薄膜電晶體的發光顯示裝置之方法，其中本發明應用至閘極電極及源極/汲極配線的製造。
改善黏著性之底膜101係形成在基板100上作為底預處理。以可於其製造步驟承受處理溫度之硼矽酸鋇玻璃、硼矽酸鋁玻璃、石英基板、矽基板、金屬基板、不鏽鋼基板或抗熱塑膠基板製成之玻璃基板可使用作為基板100。再者，基板100的表面可由CMP方法或類似方法所拋光以使其平面化。注意到，絕緣層可形成在基板100上。絕緣層係由諸如：CVD方法、電漿CVD方法、濺射方法或旋轉塗敷方法的已知方法所含之氧化物或氮化物材料而形成以成為單層或疊層。絕緣層可能未形成，而，有效地自基板100及類似板而阻擋污染物。於形成絕緣層以防止玻璃基板受污染的例子中，底膜101係由微滴排出方法而形成作為用於將形成在其上的導電層102及103之底預處理。
使用於圖案的形成之微滴排出設備的一個模式係顯示於圖22。微滴排出機構1403的每一頭1405係連接至控制機構1407，且係由電腦1410所控制，以使預程式圖案可被繪製。繪製的時機可基於形成在例如，基板1400上的標記1411而決定。替代地，定標可基於基板1400的邊緣 而固定。此係由諸如CCD的成像機構1404所檢測，且在成像處理機構1409變成數位信號。然後，數位信號係由電腦1410所辨識，且，控制信號係產生且傳輸至控制機構1407。自然地，將形成在基板1400上的圖案上之資訊存於儲存媒體1408，且，控制信號係基於此資訊而傳輸至控制機構1407，以使微滴排出機構1403的每一頭1405可各別控制。圖案可由排出每一導電材料、有機或無機材料與類似材料所使用一頭而繪製。當圖案被繪製在寬區域上時，例如，在層間膜上，一個材料係自數個噴嘴同時排出以改善產能，且因此，繪製可被執行。當大尺寸基板被使用時，頭1405可自由地移動在基板上，且，將被繪製的區可自由地設定。因此，數個相同圖案可被繪製在一個基板上。
於此實施例模式中，具有光觸媒功能之基板被使用作為具有改善黏著度的功能之底膜。光觸媒物質可藉由溶凝膠方法的浸入式塗敷方法、旋轉塗敷方法、微滴排出方法、離子電鍍方法、離子光束方法、CVD方法、濺射方法、RF磁管電濺射方法、電漿噴霧方法或陽極氧化方法所形成。再者，基板不需具有連續依據形成方法之膜。於以包括數個金屬的氧化物半導體製成之光觸媒物質的例子中，光觸媒物質可藉由混合及熔化構成元素的鹽而形成。當需要於由諸如浸入式塗敷方法或旋轉塗敷方法的塗敷方法而形成光觸媒物質的例子中移除溶劑時，溶劑可被烘烤及乾化。尤其，溶劑可被加熱在預定溫度(例如，300℃ 或更高)，較佳地，於包括氧氣之大氣。例如，銀(Ag)被使用作為導電糊，且，烘烤被執行於包括氧氣及氮氣之大氣；然後，諸如熱固樹脂之有機材料被分解。因此，不含有機材料之銀可被獲得。因此銀的表面上的平面化可被增強。
依據此熱處理，光觸媒物質可具有預定晶體結構。例如，光觸媒物質具有銳鈦礦型或金紅石/銳鈦礦混合型。銳鈦礦型係較佳地形成於低溫相。因此，甚至當不具預定晶體結構時，光觸媒物質可被加熱。再者，於由塗敷方法形成的例子中，光觸媒物質可被形成數次以獲得預定膜厚度。
由濺射方法形成TiOx(典型地TiO2 )晶體作為光觸媒物質的例子被說明於此實施例模式中。濺射係使用鈦金屬管作為目標及使用氬氣及氧氣而執行。再者，氦氣(He)可被導入。大氣被致使包括多量的氧氣，且，形成壓力係高設定以形成具有高光觸媒活性的TiOx。這是較佳地在加熱膜形成室或設有欲處理的物件之基板而形成TiOx。
甚至當因此形成的TiOx係非常薄的膜時，其具有光觸媒功能。
再者，其係較佳地由濺射方法、蒸發沉積方法或類似方法所形成以諸如Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Ta(鉭)、Ni(鎳)或Mo(鉬)或其氧化物之金屬材料製成之底膜101作為另一底預處理。
底膜101可形成具有0.01nm至10nm的厚度。底膜101可形成非常薄且不需具有層結構。當耐熱金屬材料被使用作為底膜時，其係較佳地在形成導電層102及103之後由實施以下兩個步驟的任一者而處理曝露在表面上之底膜以成為閘極電極層。
第一方法係使未與導電層102及103重疊的底膜101絕緣及形成預處理的步驟。換言之，未與導電層102及103重疊的底膜101被氧化及絕緣。當底膜101被氧化及絕緣時，以此方式，其係較佳地形成底膜101以具有0.01nm至10nm的厚度；因此，底膜可容易氧化。注意到，氧化可由曝露至氧氣或由熱處理而執行。
第二方法係使用導電層102及103作為遮罩而藉由蝕刻移除底膜101的步驟。當使用此步驟時，沒有底膜101的厚度之限制。
替代地，執行電漿處理在形成區(形成面)上的方法可被使用作為另一底預處理。電漿處理係以使用作為處理氣體的空氣、氧或氮氣及數十托(Torr)至1000托(133000 Pa)的壓力，更佳地為，700托(93100 Pa)至800托(106400 Pa)，亦即，接近大氣壓力之大氣壓力或壓力，且，脈衝電壓係應用在此種條件下。此時，電漿密度設定在1x1010 m-3 至1x1014 m-3 ，所謂的電暈放電或輝光放電。表面修改可利用使用空氣、氧或氮氣作為處理氣體之電漿處理而無材料依賴性地執行。因此，表面修改可被執行在任何材料上。
如另一方法，作用如黏著劑之有機材料的物質可被形成以改善由微滴排出方法以其形成區所形成之圖案的黏著性。可使用有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞銨或丙烯)，或其中由矽(Si)及氧化物(O)的鍵形成的骨架結構及其含有至少氫作為替代物或其含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者作為替代物之材料。
接著，包括導電材料的組成物被排出，且，作用如閘極電極後的導電層102及103被形成。導電層102及103係藉由使用微滴排出機構所形成。
導電層102及103係藉由使用微滴排出機構所形成。微滴排出機構係用於排出微滴的機構之一般用辭，諸如具有組成物的排出開口之噴嘴，或設有一個噴嘴或數個噴嘴的頭。包括於微滴排出機構係設定於0.02μ m至100μm的範圍(最佳地為30μm或更小)，且，自噴嘴排出的組成物的體積係於0.001pl至100pl(最佳地為10pl或更小)的範圍。將被排出的組成物的體積與噴嘴的直徑的尺寸成比例地增加。再者，較佳地，為了將微滴滴在想要的位置上，將被處理及噴嘴的排出開口的物件間之距離係儘可能地短。此距離最佳地設在0.1 mm至3 mm的範圍(更佳地為1 mm或更小)。
至於自排出開口排出的組成物，溶解或分散於溶劑中之導電材料被使用。導電材料相當於諸如銀、金、銅、鎳、鉑、鈀、銥、銠、鎢或鋁的金屬的細顆粒或分散劑奈米顆粒，諸如鎘或鋅的金屬的硫化，鐵、鈦、矽、鍺、 鋯、鋇或類似元素的氧化、或銀鹵化物。再者，導電材料相當於銦錫氧化物(ITO)、以銦錫氧化物及氧化矽製成之(ITSO)、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦或類似元素，其被使用作為透明導電膜。然而，至於自排出開口排出之組成物，較佳地使用選自金、銀及銅的任何材料，其係溶解或分散於溶劑，考量特定阻抗值。更佳地使用具有低阻抗值之銀或銅。當銀或銅被使用時，障膜可附加地設置作為雜質之考量。氮化矽膜或鎳硼(NiB)可被使用作為障膜。
再者，以其它導電材料塗敷一導電材料成為數層之顆粒可被使用。例如，以鎳硼(NiB)塗敷的銅然後以銀塗敷之三層結構顆粒。至於此種溶劑，諸如醋酸丁酯及醋酸丁酯的酯類；諸如異丙醇及醋酸丁酯的醇類；諸如甲基乙基酮及醋酸的有機溶劑；或類似溶劑可被使用。組成物的黏度較佳地為50mPa.S(cps)或更小。此係因為組成物被防止乾化，或組成物自排出開口而平順地排出。組成物的表面張力較佳地為40mN/m或更小。注意到，組成物及類似物的黏度可依據將被使用及想要用途的溶劑而適當地調整。例如，ITO、有機銦或有機錫溶解或分散於溶劑之組成物的黏度係5 mPa.S至50 mPa.S，由銀溶解或分散於溶劑的黏度係5 mPa.S至20 mPa.S，以及，由金溶解或分散於溶劑的黏度係10 mPa.S至20 mPa.S。
導電層可由層疊數個導電材料所形成。再者，導電層可使用銀作為導電材料而由微滴排出方法所形成；而後， 其可以銅或類似元素而電鍍。電鍍可由電子電鍍或化學(電極)電鍍方法所執行。電鍍可由將基板表面浸入充填有具有電鍍材料的溶液之容器所執行。具有電鍍材料之溶液可被施加，以使此溶液流動在基板表面上以此基板置於傾斜(或垂直)。當電鍍係由施加溶液在垂直放置的基板所執行時，有最小化處理設備的優點。
雖然依據各噴嘴的直徑、圖案的想要的形狀及類似條件而定，為了防止堵塞噴嘴及製造高解析圖案的目的，導電材料的顆粒的直徑較佳地為儘可能地小。較佳地，導電材料的顆粒的直徑細0.1μm或更小。此組成物係藉由諸如電極化方法、原子化方法、降濕度方法或類似方法之已知方法所形成，且，其顆粒尺寸典型地約為0.01μm至10μm。注意到，當氣體睜發方法被使用時，以分散劑保護之奈米分子係微小的，約7nm。當顆粒的每一表面係以塗層而覆蓋時，奈米顆粒不會附著於溶劑，且係在室溫均勻地分散於溶劑，以及，顯示相似於液體的比例。因此，使用塗層係較佳地。
當排出組成物的步驟係在減壓下而執行時，組成物的溶劑係在開始排出組成物時蒸發直到組成物沉積在欲處理的物件上，且因此，而後乾化及烘烤此組成物的步驟皆可省略。在減壓下執行此步驟係較佳地，因為氧化膜或類似膜未形成在導電材料的的表面上。在排出組成物之後，乾化及烘烤的任一或兩者步驟被執行。乾化及烘烤的每一步驟係熱處理的步驟。例如，乾化在100℃而實施達3分 鐘，而，烘考在200℃至350℃的溫度而實施達15分鐘至30分鐘，每一步驟具有不同目的、溫度及期間。乾化及烘烤的步驟係由雷射光照射、快速熱退火、加熱爐或類似物而實施在正常壓力或在減壓下。注意到，熱處理的定時未特別地限制。此基板可被加熱以有利地實施乾化及烘烤的步驟。基板在此時的溫度依據基板的材料或類似材料而定，而，典型地在100℃至800℃(較佳地為200℃至350℃)。依據這些步驟，奈米顆粒被致使相互接觸，且，熔合及熔接係由硬化且收縮周邊樹脂以及蒸發組成物中的溶劑或化學地移除分散劑而加速。
連續波或脈衝波氣體雷射或固態雷射可被使用於雷射光照射。激光雷射、YAG雷射及類似雷射可被指定為氣體雷射，且，使用掺有鉻、釹的YAG或YVO4 的晶體或可指定為固態雷射的類似物之雷射。注意到，關於雷射光的吸收，使用連續波雷射係較佳地。並且，結合脈衝波及連續波之所謂的混合式雷射照射方法可被使用。然而，較佳地，依據基板100的熱阻抗，在數微秒至數十秒內由雷射光照射瞬間地實施熱處理以使基板100不會受損。快速熱退(RTA)係使用發射紫外線至紅外線的光之紅外線燈或鹵素燈於惰性氣體環境中快速升高溫度及加熱達數微秒至數分而實施。因為此處理係瞬間地執行，僅頂表面上的薄膜可被實質地加熱，且，下層膜未受影響。換言之，甚至諸如塑膠基板之具有低抗熱的基板未受影響。
再者，形成底膜101的上述步驟係藉由使用微滴排出 方法而實施作為用於欲形成的導電層之底預處理；然而，此處理步驟可在形成導電層之後而實施。
接著，閘極絕緣膜係形成在導電層102及103上(參考圖1A)。閘極絕緣膜可以諸如氧化矽及氮化矽材料的已知材料製成，且可以是單層的疊層。例如，其可以是氮化矽膜或氧化矽膜及氮化矽膜的三層疊層，或可以是氮化矽膜的單層或氮氧化矽膜的單層，或兩層的疊層。氮化矽膜係使用作為絕緣層104，而，氮氧化矽膜係使用作為閘極絕緣層105於此實施例模式。具有精密膜品質之氮化矽膜可被較佳地使用。於使用銀、銅或類似元素用於由微滴排出方法所形成之導電層且然後形成氮化矽膜或NiB膜在其上作為障膜的例子中，氮化矽膜或NiB膜係有效地防止雜質擴散及平面化此表面。注意到，為了在低膜形成溫度以少量漏電流而形成精密絕緣膜，諸如氬的稀有氣體元素係較佳地包括於反應氣體且係較佳地混合於欲形成之絕緣膜。
接著，導電層(亦稱為第一電極)106係藉由選擇性排出包括導電材料的組成物形成入閘極絕緣膜(參照圖1B)。當光自基板100側發射時或當傳導EL顯示面板將被製造時，導電層106可藉由形成包括：銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物之(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )或類似元素的組成物的預定圖案及藉由烘烤該組成物而形成。
較佳地，導電層106係藉由濺射方法以銦錫氧化物 (ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物之(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或類似元素製成。更佳地，使用藉由使用ITO含有氧化矽2%至10%重量比的目標之濺射方法形成之含有氧化矽的銦錫氧化物。再者，可使用其含有氧化矽且其中氧化銦與2%至20%重量比的氧化鋅(ZnO)混合之導電氧化材料。遮罩層可藉由微滴排出方法而形成，且在形成導電層(第一電極)106之後藉由濺射方法蝕刻以具有想要的圖案。於此實施例模式中，導電層106係藉由微滴排出方法以透光導電材料製成。特別地，導電層106藉由使用銦錫氧化物或以ITO及氧化矽製成之ITSO形成。雖然未顯示，相似於形成導電層102及103的例子中，光觸媒物質可形成在形成的導電層106的區。光觸媒物質可改善黏度，且，導電層106可被形成為細線的想要圖案。導電層106變成作用如像素電極的第一電極。
於此實施例模式中，上述係以氮化矽製成之氮化矽膜/氮氧化矽膜(氧化矽膜)/氮化矽膜的三層構成之閘極絕緣層的實例。以含有氧化矽的銦錫氧化物製成之導電層(第一電極)106較佳地係與以氮化矽製成之閘極絕緣層105緊密接觸而形成。因此，增加射出產生於電致發光層的光之速率的功效可被造成。
再者，當所產生的光射至基板100的對向側時或當反射式EL顯示面板被製造時，包括諸如銀、金、銅、鎢或鋁的金屬的顆粒作為主要成份之組成物可被使用。如另一方法，第一電極層可藉由濺射方法形成透明導電膜或反光 導電膜、藉由微滴排出方法而形成遮罩圖案、及附加地執行蝕刻處理而形成。
導電層(第一電極)106可藉由CMP方法或以聚乙烯醇的多體淸洗而拋光，以使其表面平面化。更者，導電層(第一電極)106的表面可以紫外線射線而照射，或可在藉由CMP方法拋光之後以氧電漿而處理。
半導體層可藉由已知方法(濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法或類似方法)所形成。在半導體層的材料上沒有特別限制，然而，半導體層較佳地係以矽、矽鍺(SiGe)合金或類似元素製成。
半導體層使用無定形半導體(典型地為氫化的無定形矽)或結晶性半導體(典型地為聚矽)作為材料。聚矽包括使用經由800℃或更高的處理溫度形成的多晶矽作為主要材料之所謂的高溫聚矽、使用形成在600℃或更小的處理溫度的多晶矽作為主要材料之所謂的低溫聚矽、藉由加入例如，用於促進結晶化的元素的晶化之結晶性矽、及類似元素。
再者，作為另一物質，半無定形半導體或含有晶相於半導體層的一部份之半導體亦可被使用。半無定形半導體意指具有無定形結構及結晶性結構(包括單晶及多晶)的中間結構及具有在自由能量的方面穩定的第三狀態、及具有短距規則及晶格失真之結晶性半導體。典型地，其係含有矽作為具有晶格失真的主要成份之半導體層，其中拉曼光譜(Ranan spectrum)移至520 cm-1 的低頻率側。再 者，至少1原子%或更高的氫或鹵素含於其中作為懸掛鍵的中和劑。在此，如上述的此種半導體稱為半無定形半導體(以下簡稱為”SAS”)。SAS亦稱為所謂的微晶半導體(典型地為微結晶性矽)。
SAS可藉由實施輝光放電分解(電漿CVD)在矽化氣體上而獲得。SiH4 被指定為典型矽化氣體。Si2 H6 、SiH2 Cl2 、SiHCl3 、SiCl4 、SiF4 或類似元素以及SiH4 可被使用。再者，GeF4 或F2 可被混合。SAS的形成可藉由使用以氫稀釋的矽化氣體或氫及選自氦、氬、氪及氖的稀有氣體的一或多者的混合物而促進的。氫對矽化氣體的稀釋比係例如，較佳地在流量比方面於2倍至1000倍的範圍。雖然藉由輝光放電分解之SAS的形成較佳地係在減壓下實施，此形成亦可在大氣壓力下由利用放電所實施。典型地，此形成可實施於0.1Pa至133Pa的壓力範圍。用於產生輝光放電係在1MHz至120MHz的範圍之供電頻率較佳地在13MHz至60MHz的範圍。高頻供電可適當地設定。加熱基板用的溫度較佳地在300℃或更小，且，100℃至200℃的範圍之溫度亦可容許的。至於主要在形成膜的時後所含之雜質元素，導自諸如氧、氮或碳之大氣成份的雜質較佳地係1x1020 cm-3 或更小的濃度，且尤其，氧的濃度係5x1019 cm-3 或更小，較佳地為1x1019 cm-3 或更小。再者，SAS的穩定性可藉由容許諸如氦、氬、氪及氖的稀有氣體元素被包含以促成晶格失真而增強，藉此獲得有利的SAS。再者，由氫基氣體形成之SAS層可層疊在自氟基氣 體形成的SAS層作為半導體層。
當結晶性半導體層係使用作為半導體層時，已知方法(雷射結晶化方法、熱結晶化方法、使用諸如鎳之促成結晶化的元素之熱結晶化方法，或類似方法)可被利用作為用於製造結晶性半導體層之方法。於未導引促成結晶化的元素的例子中，藉由在以雷射光照射無定形矽膜之前於氮氣體中在500℃的溫度加熱無定形矽膜達4小時，氫被釋出直到含於無定形矽膜之氫濃度變成1x1020 atoms/cm3 或更小。此係因為當以雷射光照射之含有多量氫的無定形矽膜時使膜受損。
只要是能夠使金屬元素存在於無定形半導體層的表面上或內側之方法，此係未特別限制在用於將金屬元素導入無定形半導體層之方法上。例如，濺射方法、CVD方法、電漿處理方法(包括電漿CVD方法)、吸附方法或用於施加金屬鹽溶劑可被利用之方法。在這些方法中，使用溶劑的方法係簡單且容易，且在金屬元素的濃度容易調整的方面係有用。較佳地，氧化膜係藉由氧氣中的UV光照射、熱氧化方法、以包括氫氧基或類似元素的臭氧水或過氧化氫之處理所形成的以改善無定形半導體層的表面上之濕性，及散佈水性溶液在無定形半導體層的整個表面上。
再者，處理及雷射光照射可被結合以晶化無定形半導體層。熱處理及/或雷射光照射可數次單獨地實施。
使用有機材料之有機半導體可被使用作為半導體。低分子量材料、高分子量材料、或類似材料係使用於有機半 導體，且再者，諸如有機顏料、導電高分子量材料的材料可被使用。
無定形半導體被使用作為半導體於此實施例模式中。亦即無定形半導體之半導體層107被形成，以及，絕緣膜係藉由例如，電漿CVD方法所形成且被圖案化以具有想要形狀於想要的區，為了要形成通道保護膜109及110。此時，通道保護膜109及110可使用閘極電極作為遮罩使基板的背面曝光而形成。再者，聚醯亞胺、聚乙烯醇或類似元素可藉由微滴排出方法而滴下作為通道保護膜。因此，曝光步驟可被省略。而後，N型半導體層108係藉由電漿CVD方法或類似方法(參考圖1C)使用例如，N型無定形半導體層之具有一導電性的半導體層而形成的。如果需要的話，具有導電性的半導體層可被形成。
以無機材料(氧化矽、氮化矽、氮氧化矽及類似元素)、光敏或非光敏有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯胺醯胺、光阻、苯並環丁烯及類似元素)、具有低界電質常數的低k材料及類似元素的一或數者、或其疊層製成之膜可被使用作為通道保護膜。再者，其中由矽(Si)的鍵及氧化物(O)與含有至少氫作為替代物或含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者所形成的骨架結構之材料可被使用。諸如電漿CVD方法或熱CVD方法或濺射方法之蒸發相成長方法可被利用作為製造方法。再者，微滴排出方法或列印方法(用於形成諸如網板印刷或平板印刷的圖案之方法)可被利用。藉由塗 敷方法所獲得之TOF膜、SOG膜或類似膜可被使用。
接著，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層111及112被形成。然後，半導體層107及N型半導體層108係使用遮罩層111及112而同時圖案化。
然後，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層113及114係藉由使用微滴排出方法所形成(參考圖1D)。通孔118係使用遮罩層113及114而藉由蝕刻處理而形成於閘極絕緣層104及105的一部份，且，配置在其下層側上且作用如閘極電極層之導電層103的一部份被曝露。電漿蝕刻(乾蝕刻)或濕蝕刻可被採用作為蝕刻處理。然而，電漿蝕刻適合於處理大型基板。諸如CF4 、NF3 、Cl2 或BCl3 之氟基或氯基氣體係使用作為蝕刻氣體，且，諸如He或Ar的惰性氣體可適當地加入。再者，當大氣壓力排出蝕刻處理被應用時，局部排出處理可被實施，且，遮罩層不需整個形成在基板上。
在移除遮罩層113及114之後，導電層115、116及117係藉由排出包括導電材料的組成物所形成。然後，N型半導體係使用導電層115、116及117作為遮罩而圖案化以形成N型半導體層(參考圖2A)。導電層115、116及117作用如配線層。注意到，在導電層115、116及117將與閘極絕緣層105接觸的部選擇形成光觸媒物質或類似材料的上述底預處理可在形成導電層115、116及117之前而實施(雖然未顯示)。因此，導電層可以良好的附著性所形成。
形成底膜的上述步驟可藉使用微滴排出方法所實施作為用於欲形成的導電層之底預處理。再者，處理步驟可在形成的導電層之後而實施。因為層間的黏著性依據此步驟而改善，發光顯示裝置的可靠性可被改善。
導電層117作用如源極及汲極配線層，且係形成以與預先形成的第一電極電連接。再者，亦即源極及汲極配線層的導電層116及亦即閘極電極層的導電層103係在形成於閘極絕緣層105的通孔118而相互電連接。包括諸如銀、金、銅、鎢或鋁的金屬的顆粒作為主要成份之組成物可被使用於形成配線層的導電材料。再者，透光性銦錫氧化物(ITO)、以銦錫氧化物及氧化矽製成之ITSO、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦或類似元素可被結合。
形成通孔118於閘極絕緣層104及105的一部份的步驟可在形成導電層115、116及117之後使用導電層115、116及117作為遮罩而實施以形成通孔118。然後，導電層係形成於通孔118，且，導電層116及亦即閘極電極層的導電層103係相互電連接。於此例中，有簡化此步驟的優點。
接著，將成為堆疊(亦稱為分隔壁)的絕緣層120被形成。雖然未顯示，以氮化矽或氮氧化矽製成的保護層可完全形成在絕緣層120上以覆蓋薄膜電晶體。在絕緣層係由旋轉塗敷方法或浸入式方法所完全形成之後，開口係藉由蝕刻處理而形成於如圖2B所示的絕緣層120。當絕緣層120係由微滴排出方法所形成時，蝕刻處理不是必要 的。當絕緣層120或類似層係由微滴排出方法而形成在寬區域上時，其係由自微滴排出設備中的噴嘴的數個排出開口排出組成物及藉由引導所形成，以使數條線相互重疊。因此，產能被改善。
絕緣層120係依據亦即第一電極的導電層106而形成以具有符合形成的像素的位置之通孔。絕緣層120的形成可藉由使用諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁或氮氧化鋁之無機絕緣材料；丙烯酸；甲基丙烯酸；丙烯酸或甲基丙烯的衍生物；諸如聚醯亞銨、芳香族聚醯銨或聚苯並環丁烯之耐熱高分子重材料；或無機矽氧烷或有機矽氧烷絕緣材料，其中與矽結合的氫係由含有矽、氧及氫與藉由使用矽氧烷材料作為起始材料所形成之化合物中包括Si-O-Si鍵之諸如甲苯或苯基的有機類所替代。藉由使用諸如丙烯或聚醯亞銨的光敏或非光敏材料而形成絕緣層120係較佳地，因為其側面變成曲率半徑連續改變且無損地形成上層薄膜之形狀。
依據上述步驟，用於底閘極型(亦稱為反向交錯型)通道保護TFT及第一電極(第一電極層)連接在基板100上的EL顯示面板之TFT基板被完成。
在形成電致發光層121之前，吸附在絕緣層120內側或其表面上之水份係在大氣壓力下藉由實施熱處理在200℃所移除。再者，熱處理係在減壓下而實施在200℃至400℃的溫度，較佳地在250℃至350℃，且，電致發光層121係不必曝露至大氣中在減壓下而較佳地藉由真空蒸發 沉積方法或微滴排出方法所形成的。
顯示紅(R)、綠(G)及藍(B)的發光之材料係使用各別蒸發沉積遮罩藉由蒸發沉積方法或類似方法而選擇性地形成作為電致發光層121。顯示紅(R)、綠(G)及藍(B)的發光之材料(低分子重或高分子重材料或類似材料)可藉由相似於濾色片的微滴排出方法所形成。此例係較佳的，因為其可不需使用遮罩而以RGB分色。亦即第二電極之導電層122係層疊在電致發光層121上，且然後，使用發光元件之具有顯示功能的發光顯示裝置被完成(參考圖2B)。
其係有效地提供鈍化膜以覆蓋第二電極，雖然未顯示。鈍化膜係以包括氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)、氧氮化矽(SiNO)、氮氧化鋁(AiON)、氮化鋁(AiN)或氮氧化鋁(AiON)的絕緣膜製成，具有比氧含量(AiNO)更大氮含量的氧氮化鋁、氧化鋁、鑽石狀碳(DLC)或含氮的碳膜(CNx)，且，絕緣膜的單層或結合多層的疊層可被使用。例如，含氮的碳膜(CNx)/氮化矽(SiN)的疊層或有機材料可被使用，且，諸如苯乙烯聚合物的高分子材料的疊層可被使用。再者，其中由矽(Si)的鍵及氧化物(O)所構成的骨架結構及其含有至少氫作為替代或其含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者作為替代之材料可被使用。
於此例中，具有良好覆蓋性之膜較佳地係使用作為鈍化膜，且，其係有效地使用碳膜，尤其是，DLC膜。因為 DLC膜可形成在室溫至100℃或更低的範圍之溫度，其可容易形成在具有低阻抗的電致發光層上。DLC膜可藉由電漿CVD方法(典型地為RF電漿CVD方法、微波CVD方法、電子加速共振(ECR)CVD方法、熱燈絲CVD方法或類似方法)、燃燒火燄方法、濺射幫法、離子束蒸發沉積方法、雷射蒸發沉積方法或類似方法而形成。氫氣及碳氫氣(例如，CH4 、C2 H2 、C6 H6 、或類似元素)被使用作為將使用於膜形成的反應氣體。此氣體係藉由輝光放電所離子化，且，離子被加速以對著施加碰撞負自動偏壓之陰極以形成膜。再者，CN膜可使用C2 H4 氣及N2 氣作為反應氣體而形成。DLC膜具有對抗氧之高阻擋功效，且可抑制電致發光層的氧化。因此，氧化電致發光層在以下密封步驟中的問題可被防止。
圖16A係此實施例模式的發光顯示裝置中的像素部的頂視圖，及，圖16B顯示其電路圖。參考號碼1601及1602表示TFT；1603表示發光元件；1604為電容器；1605為源極線；1606為汲極線；及1607為電力供應線。TFT1601係以信號線而控制連接狀態之電晶體(以下亦稱為”切換電晶體”或”切換TFT”)。TFT1602係控制流至發光元件的電流之電晶體(以下亦稱為”驅動電晶體”或”驅動TFT”)，且，驅動TFT係與發光元件串聯連接。電容器1604維持亦即驅動TFT的TFT1602的源極閘極電壓。
圖13係此實施例模式的發光顯示裝置的詳圖。具有TFT1601及1602及亦即連接至發光元件1603的驅動TFT 的TFT1602之基板100係藉由密封劑151而堅固地固定至密封基板150。供應至形成在基板100上的每一電路之各種信號係供應自終端部。
閘極配線層160係以如導電層102及103的相同步驟而形成於終端部。自然地，光觸媒物質係形成於閘極配線層160的形成區，相似於導電層102及103。當其係藉由微滴排出方法所形成時，閘極配線層160與底部的形成區的黏性可被改善。當通孔118形成於閘極絕緣層105時，使閘極配線層160曝露之蝕刻同時實施。撓性列印電路板(FPC)162可藉由各向異性導電層161而連接至閘極配線層160。
注意到，以玻璃基板密封的發光元件1603之例子係顯示於上述的發光顯示裝置。密封處理係用於保護發光元件免於水份之處理。以覆蓋材料密封的方法、以熱固樹脂或UV硬化樹脂密封的方法及以諸如金屬氧或氮之具有高屏障能力的薄膜密封的方法的任何一者被利用。玻璃、陶瓷、塑膠或金屬可被使用作為覆蓋材料；然而，當光射至覆蓋材料側時，覆蓋材料必須是透光性。覆蓋材料及發光元件形成在其上的基板係使用諸如熱固樹脂或UV硬化樹脂的密封劑而相互附接。密封空間係以熱處理或紫外線光照射處理硬化此樹脂而形成的。提供由氧化鋇代表的吸濕材料在密封空間內側亦是有效的。吸溼材料可提供在密封劑上以與其接觸，或者，可提供在分隔壁上或於不會阻擋來自發光元件的光之周圍部。更者，覆蓋材料及形成發光 元件在其上的基板間之空間可以熱固樹脂或UV硬化樹脂而充填。於此例中，將由氧化鋇代表的吸濕材料加入至熱固樹脂或UV硬化樹脂係有效的。
如上述，由於不需施加利用光罩的曝光步驟，此步驟可被省略於此實施例模式。再者，甚至當具有超過1000 mm的側之第五次或下一產生的玻璃基板被使用時，EL顯示面板可以微滴排出方法直接形成各種圖案在基板上而容易製造。
再者，黏性及剝離阻抗被改善之高度可靠的的發光顯示裝置被製造。
〔實施例模式2〕
參考圖5A至5D與圖6A及6B說明本發明的實施例模式。此實施例模式說明使用通道蝕刻薄膜電晶體作為實施例模式1的薄膜電晶體的例子。因此，相同部或具有相似功能的部的重覆說明被省略。
具有改善黏性的功能之底膜501係形成在基板500(參考圖5A)。注意到，絕緣層可形成在基板500上。絕緣層被使用作為底膜，雖然其可能不必要被形成，且，阻擋離開基板500的污染物或類似物係有效的。於形成絕緣層以防止玻璃基板受污染的例子中，底膜501藉由微滴排出方法被形成作為底膜於將形成在其上的導電層502及503的形成區。
於此實施例模式中，具有光觸媒功能的物質被使用作 為具有改善黏性的功能之底膜。
藉由濺射方法形成具有預定晶體結構的TiOx晶體作為光觸媒物質的例子係以此實施例模式而說明。濺射係使用鈦金屬管作為目標及使用氬氣及氧氣而執行。再者，氦氣可被導入。大氣被致使包括多量的氧氣，且，形成壓力被設定高值以形成具有高光觸媒活性的TiOx。在加熱膜形成室或設有欲處理的物件之基板時而形成TiOx是較佳地。
甚至當因此形成的TiOx係非常薄的膜時，其具有光觸媒功能。
再者，藉由濺射方法、蒸發沉積方法或類似方法所形成以諸如Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Ta(鉭)、Ni(鎳)或Mo(鉬)的金屬材料或其氧化物製成之底膜501作為另一底預處理係較佳的。底膜501可被形成為0.01nm至10nm的厚度。底膜501可被形成為非常薄且不需具有層結構。當耐熱金屬材料被使用作為底膜時，在形成導電層502及503作為閘極電極層之後，藉由實施以下兩個步驟的任一者而處理曝露在表面上之底膜係較佳的。
第一方法係未與導電層502及503重疊的底膜501絕緣及形成絕緣層的步驟。換言之，未與導電層502及503重疊的底膜501被氧化及絕緣。當底膜501以此方式而氧化及絕緣時，這係較佳地形成具有0.01nm至10nm的厚度之底膜101；因此，底膜可容易氧化。注意到，氧化可藉由曝露至氧氣或熱處理而執行。
第二方法係藉由使用導電層502及503作為遮罩而藉由蝕刻移除底膜501的步驟。當此步驟被利用時，沒有限制在底膜501的厚度上。
替代地，執行電漿處理在形成區(形成面)上的方法可被使用作為另一底預處理。電漿處理係以使用作為處理氣體的空氣、氧或氮氣而執行，其壓力為數十托至1000托(133000 Pa)，較佳地為，100托(13300 Pa)至1000托(133000 Pa)，更佳地為700托(93100 Pa)至800托(106400 Pa)，亦即，大氣壓力或接近大氣壓力的壓力，且，脈衝電壓係在此種條件下而應用。此時，電漿密度被設定在1x1010 m-3 至1x1014 m-3 ，所謂的電暈放電或輝光放電。表面修改可藉由運用使用空氣、氧或氮氣作為處理氣體之電漿處理而無材料依附性執行。因此，表面修改可被執行在任何材料上。
如另一方法，作用如黏著劑之有機材料的物質可被形成以改善以其形成區由微滴排出方法所形成之圖案的黏著性。有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞銨或丙烯酸)或其中由矽(Si)及氧化物(O)的鍵形成的骨架結構及其含有至少氫作為替代物或其含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者作為替代物之材料。
接著，包括導電材料的組成物被排出，且，作用如閘極電極的導電層502及503而後被形成。導電層502及503係藉由使用微滴排出機構所形成。銀被使用作為導電材料於此實施例模式；然而，銀及銅或類似元素的疊層可 被使用。再者，單層的銅可被使用。
形成底膜501的上述步驟被執行作為底預處理用於藉由使用微滴排出方法所形成的導電層；然而，此處理步驟可在導電層形成之後而執行。
接著，導電層(亦稱為第一電極)506係藉由選擇性排出包括導電材料的組成物形成入閘極絕緣膜上(參照圖5B)。當光自基板500側發射時或當傳導EL顯示面板將被製造時，導電層506可藉由形成包括：銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物之(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )或類似元素的組成物的預定圖案及藉由烘烤該組成物而形成。雖然未顯示，光觸媒物質可被形成於形成的導電層506之區，相似於形成導電層502及503的例子。光觸媒物質可改善黏性，且，導電層506可被形成為細線的想要圖案。導電層506變成作用如像素電極的第一電極。
半導體層可藉由已知方法(濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法或類似方法)所形成。在半導體層的材料上沒有特別限制，然而，半導體層較佳地係以矽、矽鍺(SiGe)合金或類似元素製成。
無定形半導體(典型地為氫化的無定形矽)、半無定形半導體、包括晶相於半導體層的一部份之半導體、結晶性半導體(典型地為聚矽)或有機半導體可被使用作為半導體層。
無定形半導體係使用作為半導體於此實施例模式中。 半導體層507被形成，且，例如，N型半導體層508之具有一導體的半導體層係藉由電漿CVD方法或類似方法所形成(參考圖5C)。如果需要的話，具有一導體的半導體層可被形成。
接著，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層511及512被形成。然後，半導體層507及N型半導體層508係使用遮罩層511及512而同時圖案化。
然後，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層513及514係藉由使用微滴排出方法所形成(參考圖5D)。通孔518係使用遮罩層513及514藉由蝕刻處理而形成於閘極絕緣層504及505的一部份，且，配置在其下層側上且作用如閘極電極層之導電層503的一部份被曝露。
在移除遮罩層513及514之後，導電層515、516及517係藉由排出包括導電材料的組成物所形成。然後，N型半導體係使用導電層515、516及517作為遮罩而圖案化以形成N型半導體層(參考圖6A)。注意到，雖然未顯示，在形成導電層515、516及517之前，光觸媒物質可選擇形成於導電層515、516及517與閘極絕緣層505接觸之部。因此，導電層可以良好的附著性所形成。
導電層517作用如源極-汲極配線層，且係形成以與導電層506電連接，導電層506係預先形成的第一電極。再者，亦即源極-汲極配線層的導電層516及亦即閘極電極層的導電層503係相互電連接在形成於閘極絕緣層505 的通孔518。
在閘極絕緣層504及505形成通孔518的步驟可在形成導電層515、516及517之後使用將成為配線層的導電層515、516及517作為遮罩而實施以形成通孔518。然後，導電層係形成於通孔518，且，亦即，配線層的導電層516及亦即閘極電極層的導電層503係相互電連接。於此例中，有簡化此步驟的優點。
接著，將成為堆疊(亦稱為分隔壁)的絕緣層520被形成。在絕緣層藉由旋轉塗敷方法或浸入式方法所完全形成之後，開口係藉由蝕刻處理而形成於如圖6B所示的絕緣層520。當絕緣層520係藉由微滴排出方法所形成時，蝕刻處理係不必要的。
絕緣層520被形成以具有符合依據亦即，第一電極的導電層506而形成像素的位置之通孔。
依據上述步驟，其中底閘極型(亦稱為反向交錯型)通道蝕刻TFT及亦即，第一電極連接在基板500上的導電層506之TFT基板被完成。
電致發光層521及導電層522疊層在亦即，第一電極的導電層506，且，然後，使用發光元件之具有顯示功能的發光顯示裝置被完成(參考圖6B)。
如上述，在不施加使用光罩的曝光步驟下，此步驟可被省略於此實施例模式。再者，甚至當具有超過1000 mm的側之第五次或下一產生的玻璃基板被使用時，EL顯示面板可以微滴排出方法直接形成各種圖案在基板上而容易 製造。
再者，改善黏性及剝離阻抗之高度可靠的發光顯示裝置可被製造。
〔實施例模式3〕
參考圖9A至9D與圖10說明之本發明的實施例模式。此實施例模式說明使用頂閘極型(亦稱為交錯型)薄膜電晶體作為實施例模式1的薄膜電晶體的例子。因此，相同部或具有相似功能的部的重覆說明被省略。
具有改善黏性的功能之底膜901係形成在基板900上(參考圖9A)。注意到，絕緣層可形成在基板900上。絕緣層可不需被形成，且，阻擋基板900免於污染物或類似物係有效的。絕緣層係特別需要於交錯型薄膜電晶體的例子中如此實施例模式，因為半導體層係直接與基板接觸。於形成底膜以防止玻璃基板免於污染的例子中，底膜901係藉由微滴排出方法形成作為底膜於將形成在其上的導電層915、916及917的形成區。
於此實施例模式中，具有光觸媒功能的物質被使用作為具有改善黏性的功能之底膜901。
藉由濺射方法形成具有預定晶體結構的TiOx晶體作為光觸媒物質的例子被說明於此實施例模式。濺射係使用鈦金屬管作為目標及使用氬氣及氧氣而執行。再者，氦氣可被導入。大氣被致使包括多量的氧氣，且，形成壓力被設定高值以形成具有高光觸媒活性的TiOx。在加熱膜形 成室或設有欲處理的物件之基板時而形成TiOx是較佳地。
甚至當因此形成的TiOx係非常薄的膜時，其具有光觸媒功能。
再者，藉由濺射方法、蒸發沉積方法或類似方法所形成以諸如Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Ta(鉭)、Ni(鎳)或Mo(鉬)的金屬材料或其氧化物製成之底膜901作為另一底預處理係較佳的。底膜901可被形成為0.01nm至10nm的厚度。底膜901可被形成為非常薄且不需具有層結構。當耐熱金屬材料被使用作為底膜時，在形成導電層915、916及917以作為如源極-汲極配線層之後，藉由實施以下兩個步驟的任一者而處理曝露在表面上之底膜係較佳的。
第一方法係絕緣未與作用如源極-汲極配線層的導電層915、916及917重疊的底膜901及形成絕緣層的步驟。換言之，未與作用如源極-汲極配線層的導電層915、916及917重疊的底膜901被氧化及絕緣。當底膜901以此方式而氧化及絕緣時，形成具有0.01nm至10nm的厚度之底膜901係較佳地；因此，底膜可容易氧化。注意到，氧化可藉由曝露至氧氣或熱處理而執行。
第二方法係使用作用如源極-汲極配線層的導電層915、916及917作為遮罩而藉由蝕刻移除底膜901的步驟。當此步驟被利用時，沒有限制在底膜901的厚度上。
替代地，執行電漿處理在形成區(形成面)上的方法 可被使用作為另一底預處理。電漿處理係以空氣、氧或氮氣使用作為處理氣體而執行，其中壓力為數十托至1000托(133000 Pa)，較佳地為，100托(13300 Pa)至1000托(133000 Pa)，更佳地為700托(93100 Pa)至800托(106400 Pa)，亦即，大氣壓力或接近大氣壓力的壓力，且，脈衝電壓係在此種條件下而應用。此時，電漿密度被設定在1x1010 m-3 至1x1014 m-3 ，所謂的電暈放電或輝光放電。表面修改可藉由運用使用空氣、氧或氮氣作為處理氣體之電漿處理執行而無材料依附性。因此，表面修改可被執行在任何材料上。
如另一方法，作用如黏著劑之有機材料的物質可被形成以改善以其形成區由微滴排出方法所形成之圖案的黏著性。有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞銨或丙烯酸)或其中由矽(Si)及氧化物(O)的鍵形成的骨架結構及其含有至少氫作為替代物或其含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者作為替代物之材料。
接著，包括導電材料的組成物被排出，且，作用如源極-汲極配線層的導電層915、916及917被形成。導電層915、916及917係藉由使用微滴排出機構所形成。
包括諸如銀、金、銅、鎢或鋁的金屬的顆粒作為其主要成份的組成物可使用作為用於形成導電層915、916及917之導電材料。因為源極-汲極配線層較佳地係低阻抗，考量特定阻抗值，選自溶解或分散於溶劑的金、銀及銅之任何材料係較佳地。使用具有低阻抗值的銀或銅係更佳 地。此溶劑相當於諸如醋酸丁酯的酯類諸如異丙醇的醇類、諸如丙的有機溶劑或類似溶劑。表面張力及其黏度係藉由調整溶劑的濃度或藉由加入表面活化劑或類似劑而適當地調整。
接著，導電層(亦稱為第一電極)906係藉由選擇性排出包括導電材料的組成物而形成(參照圖9A)。當光自基板900側發射時或當傳導EL顯示面板將被製造時，導電層906可藉由形成包括：銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物之(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )或類似元素的組成物的預定圖案及藉由烘烤該組成物而形成。雖然未顯示，光觸媒物質可相似於在形成的導電層906之區而形成導電層915、916及917的例子。光觸媒物質可改善黏性，且，導電層906可被形成為細線的想要圖案。導電層906變成作用如像素電極的第一電極。
再者，形成底膜901的上述步驟係藉由使用微滴排出方法而實施如用於形成的導電層之底預處理；然而，此處理步驟可在形成導電層915、916及917之後而實施。例如，當氧化鈦膜被形成及N型半導體層形成其上時，導電層及N型半導體層間的黏性被改善，雖然未顯示。
在N型半導體層整個形成在導電層915、916及917上之後，導電層915及導電層916間與導電層916及導電層917間的N型半導體層係使用以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層911、912及919之藉由蝕刻而移 除。如果需要的話，具有一導體之半導體層可被形成。然後，以AS或SAS製成的半導體層907係藉由蒸發相成長方法或濺射方法所形成。當電漿CVD方法被使用時，AS係藉由使用亦即，半導體材料氣體的SiH4 或SiH4 及H2 的混合氣體所形成。SAS係由混合氣體形成，其中SiH4 係以H2 稀釋三倍1000次。當SAS由上述氣體形成時，半導體層具有良好結晶性在半導體層的表面側上。這是適合於形成的閘極電極於半導體層的上層之頂閘極型TFT。
接著，閘極絕緣層905係藉由使用電漿CVD方法或濺射方法而形成為單層或具有疊層結構。以氮化矽製成之絕緣層、氧化矽製成之絕緣層及氮化矽製成之絕緣層的三層疊層係特別較佳結構。
接著，閘極電極層902及903係由微滴排出方法所形成。包括諸如銀、金、銅、鎢或鋁的金屬的顆粒作為主要成份之組成物可被使用作為用於形成此層之導電材料。
半導體層907及閘極絕緣層905係形成於符合使用由微滴排出方法所形成的遮罩層913及914的源極-汲極配線層(導電層915、916及917)之位置。換言之，半導體層係形成跨置導電層915及導電層916。
接著，導電層930及931係由微滴排出方法所形成。導電層916及閘極電極層903與導電層917及導電層916分別地亦即，第一電極係相互電連接。
源極-汲極配線層及閘極電極可直接藉由閘極電極層無需使用導電層930而連接。於此例，在閘極電極層902 及903形成之前，通孔係形成於閘極絕緣層905及一對導電層916與917，且源極-汲極配線層曝露。其後，閘極電極層902及903與導電層931係由微滴排出方法所形成。此時，閘極電極層903係配線亦作為導電層930且連接至導電層916。用於蝕刻之乾化蝕刻或濕性蝕刻的任一者被使用；然而，電漿蝕刻亦即，乾化蝕刻為較佳的。
接著，將成為堆疊(亦稱為分隔壁)的絕緣層920被形成。雖然未顯示，以氮化矽或氮氧化矽製成的保護層可完全形成在絕緣層920上以覆蓋薄膜電晶體。在絕緣層係由旋轉塗敷方法或浸入式方法所完全形成之後，開口係藉由蝕刻處理而形成於如圖10所示的絕緣層920。當絕緣層920係由微滴排出方法所形成時，蝕刻處理不是必要的。當絕緣層920或類似層係由微滴排出方法而形成在寬區域上時，其係由自微滴排出設備中的噴嘴的數個排出開口排出組成物及藉由引導所形成，以使數條線相互重疊。因此，產能被改善。
絕緣層920係依據亦即第一電極的導電層906而形成以具有符合形成的像素的位置之通孔。
依據上述步驟，其中頂閘極型(亦稱為交錯型)TFT及亦即，第一電極層連接在基板900上的導電層906之TFT基板被完成。
在形成電致發光層921之前，吸附在絕緣層920內側或其表面上之水份係在大氣壓力下藉由實施熱處理在200℃所移除。再者，熱處理係在減壓下而實施在200℃至 400℃的溫度，較佳地在250℃至350℃，且，電致發光層921係不必曝露至大氣中在減壓下而較佳地藉由真空蒸發沉積方法或微滴排出方法所形成的。
電致發光層921及導電層922係層疊在亦即，第一電極的導電層906上，且然後，使用發光元件之具有顯示功能的發光顯示裝置被完成(參考圖10)。
如上述，在不施加使用光罩的曝光步驟下，此步驟可被省略於此實施例模式。再者，甚至當具有超過1000 mm的側之第五次或下一產生的玻璃基板被使用時，EL顯示面板可以微滴排出方法直接形成各種圖案在基板上而容易製造。
再者，改善黏性及剝離阻抗之高度可靠的發光顯示裝置可被製造。
〔實施例模式4〕
參考圖3A至3D與圖4A及4B說明之本發明的實施例模式。此實施例模式說明具有自實施例模式1的薄膜電晶體及第一電極的不同連接結構的例子。因此，相同部或具有相似功能的部的重覆說明被省略。
用於改善黏性之底膜301係形成在基板300上作為底預處理。由濺射方法所形成具有預定晶體結構的TiOx晶體作為光觸媒物質的例子被說明於此實施例模式。濺射係使用鈦金屬管作為目標及使用氬氣及氧氣而執行。再者，氦氣可被導入。大氣被致使包括多量的氧氣，且，形成壓 力被設定高值以形成具有高光觸媒活性的TiOx。在加熱膜形成室或設有欲處理的物件之基板時而形成TiOx是較佳地。
甚至當因此形成的TiOx係非常薄的膜時，其具有光觸媒功能。
再者，這係較佳地藉由濺射方法、蒸發沉積方法或類似方法所形成以諸如Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Ta(鉭)、Ni(鎳)或Mo(鉬)的金屬材料或其氧化物製成之底膜301作為另一底預處理係較佳的。底膜301可被形成為0.01nm至10nm的厚度。底膜301可被形成為非常薄且不需具有層結構。當耐熱金屬材料被使用作為底膜時，在形成導電層302及303以作為如源極-汲極配線層之後，藉由實施以下兩個步驟的任一者而處理曝露在表面上之底膜係較佳的。
第一方法係絕緣未與導電層302及303重疊的底膜301及形成絕緣層的步驟。換言之，未與導電層302及303重疊的底膜301被氧化及絕緣。當底膜301以此方式而氧化及絕緣時，形成具有0.01nm至10nm的厚度之底膜301係較佳地；因此，底膜可容易氧化。注意到，氧化可藉由曝露至氧氣或熱處理而執行。
第二方法係使用導電層302及303作為遮罩而藉由蝕刻移除底膜301的步驟。當此步驟被利用時，沒有限制在底膜301的厚度上。
替代地，執行電漿處理在形成區(形成面)上的方法 可被使用作為另一底預處理。電漿處理係以空氣、氧或氮氣使用作為處理氣體而執行，其中壓力為數十托至1000托(133000 Pa)，較佳地為，100托(13300 Pa)至1000托(133000 Pa)，更佳地為700托(93100 Pa)至800托(106400 Pa)，亦即，大氣壓力或接近大氣壓力的壓力，且，脈衝電壓係在此種條件下而應用。此時，電漿密度被設定在1x1010 m-3 至1x1014 m-3 ，所謂的電暈放電或輝光放電。表面修改可藉由運用使用空氣、氧或氮氣作為處理氣體之電漿處理執行而無材料依附性。因此，表面修改可被執行在任何材料上。
如另一方法，作用如黏著劑之有機材料的物質可被形成以改善以其形成區由微滴排出方法所形成之圖案的黏著性。有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞銨或丙烯酸)或其中由矽(Si)及氧化物(O)的鍵形成的骨架結構及其含有至少氫作為替代物或其含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者作為替代物之材料。
接著，包括導電材料的組成物被排出，且，作用如閘極電極的導電層302及303而後被形成。導電層302及303係藉由使用微滴排出機構所形成。銀被使用作為導電材料於此實施例模式中；然而，層疊的銀及銅或類似元素可被使用。再者，單層的銅可被使用。
形成底膜301的上述步驟係藉由使用微滴排出方法而實施作為用於欲形成的導電層之底預處理；然而，此處理步驟可在形成導電層之後而實施。
接著，閘極絕緣膜係形成在導電層302及303上(參考圖3A)。閘極絕緣膜可以諸如氧化矽及氮化矽材料的已知材料製成，且可以是單層的疊層。
例如，其可以是氮化矽膜或氧化矽膜及氮化矽膜的三層疊層，或可以是氮化矽膜的單層或氮氧化矽膜的單層，或兩層的疊層。氮化矽膜係使用作為絕緣層104，而，氮氧化矽膜係使用作為閘極絕緣層105於此實施例模式。具有精密膜品質之氮化矽膜可被較佳地使用。於使用銀、銅或類似元素用於由微滴排出方法所形成之導電層且然後形成氮化矽膜或NiB膜在其上作為障膜的例子中，氮化矽膜或NiB膜係有效地防止雜質擴散及平面化此表面。注意到，為了在低膜形成溫度以少量漏電流而形成精密絕緣膜，諸如氬的稀有氣體元素係較佳地包括於反應氣體且係較佳地混合於欲形成之絕緣膜。
半導體層可藉由已知方法(濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法或類似方法)所形成。在半導體層的材料上沒有特別限制，然而，半導體層較佳地係以矽、矽鍺(SiGe)合金或類似元素製成。
無定形半導體(典型地為氫化的無定形矽)、半無定形半導體、包括晶相於半導體層的一部份的半導體、結晶性半導體(典型地為聚矽)、或有機半導體可被使用作為半導體於此實施例模式。
無定形半導體被使用作為半導體於此實施例模式。半導體層307被形成，及，絕緣膜係藉由例如，電漿CVD 方法形成且被圖案化以具有想要的形狀於想要區以形成通道保護膜309及310。再者，聚醯亞胺、聚乙烯醇及類似元素可藉由微滴排出方法或印刷方法(用於形成諸如網板印刷或平板印刷的圖案之方法)而形成作為通道保護膜。而後，例如，N型半導體層308之具有一導體的半導體層係藉子由電漿CVD方法或類似方法所形成。如果需要的話，具有一導體的半導體層可被形成。
接著，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層311及312被形成。然後，半導體層307及N型半導體層308係使用遮罩層311及312而同時圖案化。
然後，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層313及314係藉由使用微滴排出方法所形成(參考圖3C)。通孔318係使用遮罩層313及314藉由蝕刻處理而形成於閘極絕緣層304及305的一部份，且，配置在其下層側上且作用如閘極電極層之導電層303的一部份被曝露。電漿蝕刻(乾蝕刻)或濕蝕刻可被採用作為蝕刻處理。然而，電漿蝕刻適合於處理大型基板。再者，當大氣壓力排出蝕刻處理被應用時，局部排出處理可被實施，且，遮罩層不需整個形成在基板上。
在移除遮罩層313及314之後，導電層315、316及317係藉由排出包括導電材料的組成物所形成。然後，N型半導體係使用導電層315、316及317而圖案化(參考圖3D)。注意到，在導電層315、316及317將與閘極絕緣層305接觸的部選擇形成光觸媒物質或類似材料的上 述底預處理可在形成導電層315、316及317之前而實施(雖然未顯示)。再者，底預處理亦可在此形成之後而實施在表面上。依據此步驟，導電層可以良好的黏性而形成有層疊的下層及上層。
再者，亦係配線層的導電層315、316及317被形成以覆蓋N型半導體層及半導體層如圖3D所示。半導體層係藉由蝕刻而圖案化。因此，配線層可能不能夠覆蓋陡峭階，且可能未連接。因此，絕緣層341、342及343被形成以降低階，且，此階可被致使漸緩。當微滴排出方法被使用時，絕緣層341、342及343可無需遮罩或類似元件而選擇性地形成。此階可由於絕緣層341、342及343而降低，且，覆蓋絕緣層的配線層可以良好的覆蓋而形成無需諸如破裂之缺點。絕緣層341、342及343可藉由使用無機絕緣材料所形成，諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁或氮氧化鋁；丙烯酸；甲基丙烯酸；丙烯酸或甲基丙烯的衍生物；諸如聚醯亞銨、芳香族聚醯銨或聚苯並環丁烯之耐熱高分子重材料；或無機矽氧烷或由諸如甲苯或苯基的有機類所替代與矽結合的氫之有機矽氧烷基絕緣材料，其包括含有矽、氧及氫的化合物中的Si-O-Si鍵，以及，其係藉由使用矽氧烷材料作為起始材料所形成。
接著，導電層(亦稱為第一電極)306係藉由選擇性排出包括導電材料的組成物形成入閘極絕緣膜，以與作用如源極-汲極配線層的導電層317接觸(參照圖4A)。當 光自基板300側發射時或當傳導EL顯示面板將被製造時，導電層306可藉由形成包括：銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物之(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )或類似元素的組成物的預定圖案及藉由烘烤該組成物而形成。雖然未顯示，諸如光觸媒物質的形成之底預處理可實施相似於形成導電層302及303的例子中，光觸媒物質可形成在形成的導電層306的區。底預處理可改善黏度，且，導電層306可被形成為細線的想要圖案。導電層306變成作用如像素電極的第一電極。
再者，亦即源極及汲極配線層的導電層316及亦即閘極電極層的導電層303係在形成於閘極絕緣層305的通孔318而相互電連接。包括諸如銀、金、銅、鎢或鋁的金屬的顆粒作為主要成份之組成物可被使用於形成配線層的導電材料。再者，透光性銦錫氧化物(ITO)、以銦錫氧化物及氧化矽製成之ITSO、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦或類似元素可被結合。
形成通孔318於閘極絕緣層304及305的一部份的步驟可在形成導電層315、316及317之後使用導電層315、316及317作為遮罩而實施以形成通孔318。然後，導電層係形成於通孔318，且，導電層316及亦即閘極電極層的導電層303係相互電連接。
接著，將成為堆疊(亦稱為分隔壁)的絕緣層320被形成。雖然未顯示，以氮化矽或氮氧化矽製成的保護層可完全形成在絕緣層320上以覆蓋薄膜電晶體。在絕緣層 係由旋轉塗敷方法或浸入式方法所完全形成之後，開口係藉由蝕刻處理而形成於如圖4B所示的絕緣層320。當絕緣層320係由微滴排出方法所形成時，蝕刻處理不是必要的。當絕緣層320或類似層係由微滴排出方法而形成在寬區域上時，其係由自微滴排出設備中的噴嘴的數個排出開口排出組成物及藉由引導所形成，以使數條線相互重疊。因此，產能被改善。
絕緣層320係依據亦即第一電極的導電層306而形成以具有符合形成的像素的位置之通孔。
依據上述步驟，用於底閘極型(亦稱為反向交錯型)通道保護TFT及導電層(第一電極層)306連接在基板300上的EL顯示面板之TFT基板被完成。
電致發光層321及導電層322疊層在亦即，第一電極的導電層306上，且然後，使用發光元件之具有顯示功能的發光顯示裝置被完成(參考圖4B)。
如上述，由於不需施加利用光罩的曝光步驟，此步驟可被省略於此實施例模式。再者，甚至當具有超過1000 mm的側之第五次或下一產生的玻璃基板被使用時，EL顯示面板可以微滴排出方法直接形成各種圖案在基板上而容易製造。
再者，黏性及剝離阻抗被改善之高度可靠的的發光顯示裝置被製造。
〔實施例模式5〕
參考圖7A至7D與圖8A及8B說明本發明的實施例模式。此實施例模式說明使用通道蝕刻薄膜電晶體作為實施例模式2的薄膜電晶體的例子。因此，相同部或具有相似功能的部的重覆說明被省略。
具有改善黏性之底膜701係形成在基板700上作為底預處理。藉由濺射方法形成具有預定晶體結構的TiOx晶體作為光觸媒物質的例子係以此實施例模式而說明。濺射係使用鈦金屬管作為目標及使用氬氣及氧氣而執行。再者，氦氣可被導入。大氣被致使包括多量的氧氣，且，形成壓力被設定高值以形成具有高光觸媒活性的TiOx。在加熱膜形成室或設有欲處理的物件之基板時而形成TiOx是較佳地。
甚至當因此形成的TiOx係非常薄的膜時，其具有光觸媒功能。
再者，這係較佳地藉由濺射方法、蒸發沉積方法或類似方法所形成以諸如Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Ta(鉭)、Ni(鎳)或Mo(鉬)的金屬材料或其氧化物製成之底膜701作為另一底預處理係較佳的。底膜701可被形成為0.01nm至10nm的厚度。底膜701可被形成為非常薄且不需具有層結構。當耐熱金屬材料被使用作為底膜時，在形成導電層702及703以作為閘極電極層之後，藉由實施以下兩個步驟的任一者而處理曝露在表面上之底膜係較佳的。
第一方法係絕緣未與導電層702及703重疊的底膜 701及形成絕緣層的步驟。換言之，未與導電層702及703重疊的底膜701被氧化及絕緣。當底膜701以此方式而氧化及絕緣時，形成具有0.01nm至10nm的厚度之底膜701係較佳地；因此，底膜可容易氧化。注意到，氧化可藉由曝露至氧氣或熱處理而執行。
第二方法係使用導電層702及703作為遮罩而藉由蝕刻移除底膜701的步驟。當此步驟被利用時，沒有限制在底膜701的厚度上。
替代地，執行電漿處理在形成區(形成面)上的方法可被使用作為另一底預處理。電漿處理係以空氣、氧或氮氣使用作為處理氣體而執行，其中壓力為數十托至1000托(133000 Pa)，較佳地為，100托(13300 Pa)至1000托(133000 Pa)，更佳地為700托(93100 Pa)至800托(106400 Pa)，亦即，大氣壓力或接近大氣壓力的壓力，且，脈衝電壓係在此種條件下而應用。此時，電漿密度被設定在1x1010 m-3 至1x1014 m-3 ，所謂的電暈放電或輝光放電。表面修改可藉由運用使用空氣、氧或氮氣作為處理氣體之電漿處理執行而無材料依附性。因此，表面修改可被執行在任何材料上。
如另一方法，作用如黏著劑之有機材料的物質可被形成以改善以其形成區由微滴排出方法所形成之圖案的黏著性。有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞銨或丙烯酸)或其中由矽(Si)及氧化物(O)的鍵形成的骨架結構及其含有至少氫作為替代物或其含有氟、烷基類及芳香族碳化 氫的至少一者作為替代物之材料。
接著，包括導電材料的組成物被排出，且，作用如閘極電極的導電層702及703而後被形成。導電層702及703係藉由使用微滴排出機構所形成。銀被使用作為導電材料於此實施例模式中；然而，層疊的銀及銅或類似元素可被使用。再者，單層的銅可被使用。
形成底膜701的上述步驟係藉由使用微滴排出方法而實施作為用於欲形成的導電層之底預處理；然而，此處理步驟可在形成導電層之後而實施。
接著，閘極絕緣膜係形成在導電層702及703上(參考圖7A)。閘極絕緣膜可以諸如氧化矽及氮化矽材料的已知材料製成，且可以是單層的疊層。
半導體層可藉由已知方法(濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法或類似方法)所形成。在半導體層的材料上沒有特別限制，然而，半導體層較佳地係以矽、矽鍺(SiGe)合金或類似元素製成。
無定形半導體(典型地為氫化的無定形矽)、半無定形半導體、包括晶相於半導體層的一部份的半導體、結晶性半導體(典型地為聚矽)、或有機半導體可被使用作為半導體於此實施例模式。
無定形半導體被使用作為半導體於此實施例模式。半導體層707被形成，及，例如，N型半導體層708之具有一導體的半導體層係藉子由電漿CVD方法或類似方法所形成。如果需要的話，具有一導體的半導體層可被形成。
接著，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層711及712被形成。然後，半導體層707及N型半導體層708係使用遮罩層711及712而同時圖案化(參考圖7B)。
然後，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層713及714係藉由使用微滴排出方法所形成(參考圖7C)。通孔718係使用遮罩層713及714藉由蝕刻處理而形成於閘極絕緣層704及705的一部份，且，配置在其下層側上且作用如閘極電極層之導電層703的一部份被曝露。電漿蝕刻(乾蝕刻)或濕蝕刻可被採用作為蝕刻處理。然而，電漿蝕刻適合於處理大型基板。再者，當大氣壓力排出蝕刻處理被應用時，局部排出處理可被實施，且，遮罩層不需整個形成在基板上。
在移除遮罩層713及714之後，導電層715、716及717係藉由排出包括導電材料的組成物所形成。然後，N型半導體係使用導電層715、716及717而圖案化(參考圖7D)。注意到，在導電層715、716及717將與閘極絕緣層705接觸的部選擇形成光觸媒物質或類似材料的上述底預處理可在形成導電層715、716及717之前而實施(雖然未顯示)。再者，底預處理亦可在此形成之後而實施在表面上。依據此步驟，導電層可以良好的黏性而形成有層疊的下層及上層。
接著，導電層(亦稱為第一電極)706係藉由選擇性排出包括導電材料的組成物形成入閘極絕緣膜，以與作用 如源極-汲極配線層的導電層717接觸(參照圖8A)。當光自基板700側發射時或當傳導EL顯示面板將被製造時，導電層706可藉由形成包括：銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物之(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )或類似元素的組成物的預定圖案及藉由烘烤該組成物而形成。雖然未顯示，諸如光觸媒物質的形成之底預處理可實施相似於形成導電層702及703的例子中，光觸媒物質可形成在形成的導電層706的區。底預處理可改善黏度，且，導電層706可被形成為細線的想要圖案。導電層706變成作用如像素電極的第一電極。
再者，亦即源極及汲極配線層的導電層716及亦即閘極電極層的導電層703係在形成於閘極絕緣層705的通孔718而相互電連接。包括諸如銀、金、銅、鎢或鋁的金屬的顆粒作為主要成份之組成物可被使用於形成配線層的導電材料。再者，透光性銦錫氧化物(ITO)、以銦錫氧化物及氧化矽製成之ITSO、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦或類似元素可被結合。
形成通孔718於閘極絕緣層704及705的一部份的步驟可在形成導電層715、716及717之後使用導電層715、716及717作為遮罩而實施以形成通孔718。然後，導電層係形成於通孔718，且，導電層716及亦即閘極電極層的導電層703係相互電連接。
接著，將成為堆疊(亦稱為分隔壁)的絕緣層720被形成。雖然未顯示，以氮化矽或氮氧化矽製成的保護層 可完全形成在絕緣層720上以覆蓋薄膜電晶體。在絕緣層係由旋轉塗敷方法或浸入式方法所完全形成之後，開口係藉由蝕刻處理而形成於如圖8B所示的絕緣層720。當絕緣層720係由微滴排出方法所形成時，蝕刻處理不是必要的。當絕緣層720或類似層係由微滴排出方法而形成在寬區域上時，其係由自微滴排出設備中的噴嘴的數個排出開口排出組成物及藉由引導所形成，以使數條線相互重疊。因此，產能被改善。
絕緣層720係依據亦即第一電極的導電層706而形成以具有符合形成的像素的位置之通孔。
依據上述步驟，用於底閘極型(亦稱為反向交錯型)通道蝕刻TFT及第一電極(第一電極層)706連接在基板700上的EL顯示面板之TFT基板被完成。
電致發光層721及導電層722疊層在亦即，第一電極的導電層706上，且然後，使用發光元件之具有顯示功能的發光顯示裝置被完成(參考圖8B)。
如上述，由於不需施加利用光罩的曝光步驟，此步驟可被省略於此實施例模式。再者，甚至當具有超過1000 mm的側之第五次或下一產生的玻璃基板被使用時，EL顯示面板可以微滴排出方法直接形成各種圖案在基板上而容易製造。
再者，黏性及剝離阻抗被改善之高度可靠的的發光顯示裝置被製造。
〔實施例模式6〕
參考圖11A至11D與圖12說明本發明的實施例模式。此實施例模式說明使用通道蝕刻薄膜電晶體作為實施例模式3的薄膜電晶體的例子。因此，相同部或具有相似功能的部的重覆說明被省略。
具有改善黏性的功能之底膜201係形成在基板200上作為底預處理(參考圖11A)。注意到，絕緣層可能不必要形成，然而阻擋污染物或類似物離開基板200係有效的。底膜係特別有效地於如此實施例模式的交錯型薄膜電晶體的例子中，因為半導體層係直接與基板接觸。底膜201藉由微滴排出方法被形成作為底膜於將形成在其上的導電層202及203的形成區。
於此實施例模式中，具有光觸媒功能的物質被使用作為具有改善黏性的功能之底膜201。
藉由濺射方法形成具有預定晶體結構的TiOx晶體作為光觸媒物質的例子係以此實施例模式而說明。濺射係使用鈦金屬管作為目標及使用氬氣及氧氣而執行。再者，氦氣可被導入。大氣被致使包括多量的氧氣，且，形成壓力被設定高值以形成具有高光觸媒活性的TiOx。在加熱膜形成室或設有欲處理的物件之基板時而形成TiOx是較佳地。
甚至當因此形成的TiOx係非常薄的膜時，其具有光觸媒功能。
再者，藉由濺射方法、蒸發沉積方法或類似方法所形 成以諸如Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Ta(鉭)、Ni(鎳)或Mo(鉬)的金屬材料或其氧化物製成之底膜201作為另一底預處理係較佳的。底膜201可被形成為0.01nm至10nm的厚度。底膜201可被形成為非常薄且不需具有層結構。當耐熱金屬材料被使用作為底膜時，在形成導電層215、216及217以作為源極-汲極配線層之後，藉由實施以下兩個步驟的任一者而處理曝露在表面上之底膜係較佳的。
第一方法係未與作用如源極-汲極配線層之導電層215、216及217重疊的底膜201絕緣及形成絕緣層的步驟。換言之，未與作用如源極-汲極配線層之導電層215、216及217重疊的底膜201被氧化及絕緣。當底膜201以此方式而氧化及絕緣時，這係較佳地形成具有0.01nm至10nm的厚度之底膜201；因此，底膜可容易氧化。注意到，氧化可藉由曝露至氧氣或熱處理而執行。
第二方法係使用作用如源極-汲極配線層之導電層215、216及217作為遮罩而藉由蝕刻移除底膜201的步驟。當此步驟被利用時，沒有限制在底膜201的厚度上。
替代地，執行電漿處理在形成區(形成面)上的方法可被使用作為另一底預處理。電漿處理係以使用作為處理氣體的空氣、氧或氮氣而執行，其壓力為數十托至1000托(133000 Pa)，較佳地為，100托(13300 Pa)至1000托(133000 Pa)，更佳地為700托(93100 Pa)至800托(106400 Pa)，亦即，大氣壓力或接近大氣壓力的壓 力，且，脈衝電壓係在此種條件下而應用。此時，電漿密度被設定在1x1010 m-3 至1x0014 m-3 ，所謂的電暈放電或輝光放電。表面修改可藉由運用使用空氣、氧或氮氣作為處理氣體之電漿處理而無材料依附性執行。因此，表面修改可被執行在任何材料上。
如另一方法，作用如黏著劑之有機材料的物質可被形成以改善以其形成區由微滴排出方法所形成之圖案的黏著性。有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞銨或丙烯酸)或其中由矽(Si)及氧化物(O)的鍵形成的骨架結構及其含有至少氫作為替代物或其含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者作為替代物之材料。
接著，包括導電材料的組成物被排出，且，作用如源極-汲極配線層的導電層215、216及217被形成。導電層215、216及217係藉由使用微滴排出機構所形成。
包括諸如銀、金、銅、鎢或鋁的金屬的顆粒作為其主要成份的組成物可使用作為用於形成導電層215、216及217之導電材料。因為源極-汲極配線層較佳地係低阻抗，考量特定阻抗值，選自溶解或分散於溶劑的金、銀及銅之任何材料係較佳地。導電材料使用具有低阻抗值的銀或銅係更佳地。再者，導電材料以其它導塗敷以成為數層的顆粒可被使用。例如，銅以鎳硼(NiB)而塗敷然後以銀塗敷之三層結構顆粒可被使用。此溶劑相當於諸如醋酸丁酯的酯類諸如異丙醇的醇類、諸如丙的有機溶劑或類似溶劑。表面張力及其黏度係藉由調整溶劑的濃度或藉由加入 表面活化劑或類似劑而適當地調整。
再者，形成底膜201的上述步驟係藉由使用微滴排出方法而實施如用於形成的導電層之底預處理；然而，此處理步驟可在形成導電層215、216及217之後而實施。例如，當氧化鈦膜被形成及N型半導體層形成其上時，導電層及N型半導體層間的黏性被改善，雖然未顯示。
在N型半導體層整個形成在導電層215、216及217上之後，導電層215及導電層216間與導電層216及導電層217間的N型層係使用以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層211、212及219之藉由蝕刻而移除。如果需要的話，具有一導體之半導體層可被形成。然後，以AS或SAS製成的半導體層207係藉由蒸發相成長方法或濺射方法所形成。當電漿CVD方法被使用時，AS係藉由使用亦即，半導體材料氣體的SiH4 或SiH4 及H2 的混合氣體所形成。SAS係由混合氣體形成，其中SiH4 係以H2 稀釋三倍1000次。當SAS由上述氣體形成時，半導體層具有良好結晶性在半導體層的表面側上。這是適合於形成的閘極電極於半導體層的上層之頂閘極型TFT。
接著，閘極絕緣層205係藉由使用電漿CVD方法或濺射方法(參考圖11B)而形成為單層或具有疊層結構。以氮化矽製成之絕緣層、氧化矽製成之絕緣層及氮化矽製成之絕緣層的三層疊層係特別較佳結構。
接著，閘極電極層之導電層202及203係由微滴排出方法所形成(參考圖11C)。包括諸如銀、金、銅、鎢或 鋁的金屬的顆粒作為主要成份之組成物可被使用作為用於形成此層之導電材料。
半導體層207及閘極絕緣層205係形成於符合使用由微滴排出方法所形成的遮罩層213及214的源極-汲極配線層(導電層215、216及217)之位置。換言之，半導體層係形成跨置導電層215及導電層216。
接著，導電層230及231係由微滴排出方法所形成。導電層216及導電層203係相互電連接。
其後，導電層(亦稱為第一電極)206係藉由選擇性排出包括導電材料的組成物而形成以與導電層231接觸。再者，導電層206可與導電層217接觸。當光自基板200側發射時或當傳導EL顯示面板將被製造時，導電層206可藉由形成包括：銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物之(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )或類似元素的組成物的預定圖案及藉由烘烤該組成物而形成。雖然未顯示，光觸媒物質可被形成於形成的導電層206之區，相似於形成導電層215、216及217的例子。光觸媒物質可改善黏性，且，導電層206可被形成為細線的想要圖案。導電層206變成作用如像素電極的第一電極。
源極-汲極配線層及閘極電極可藉由閘極電極層直接連接無需使用導電層230。於此例，通孔係形成於閘極絕緣層205，及，在形成的亦即閘極電極層的導電層202及203之前，亦即，源極-汲極配線的一對導電層216與217被曝露。其後，亦即，閘極電極層的導電層202及203與 導電層231係由微滴排出方法所形成。此時，導電層903係配線亦作為導電層230且連接至導電層216。用於蝕刻之乾化蝕刻或濕性蝕刻的任一者被使用；然而，亦即乾化蝕刻的電漿蝕刻為較佳的。
接著，將成為堆疊(亦稱為分隔壁)的絕緣層220被形成。雖然未顯示，以氮化矽或氮氧化矽製成的保護層可完全形成在絕緣層220上以覆蓋薄膜電晶體。在絕緣層係由旋轉塗敷方法或浸入式方法所完全形成之後，開口係藉由蝕刻處理而形成於如圖12所示的絕緣層220。當絕緣層220係由微滴排出方法所形成時，蝕刻處理不是必要的。當絕緣層220或類似層係由微滴排出方法而形成在寬區域上時，其係由自微滴排出設備中的噴嘴的數個排出開口排出組成物及藉由引導所形成，以使數條線相互重疊。因此，產能被改善。
絕緣層220係依據亦即第一電極的導電層206而形成以具有符合形成的像素的位置之通孔。
依據上述步驟，其中頂閘極型(亦稱為交錯型)TFT及係連接在基板200上的導電層(第一電極層)206之TFT基板被完成。
在形成電致發光層221之前，吸附在絕緣層220內側或其表面上之水份係在大氣壓力下藉由實施熱處理在200℃所移除。再者，熱處理係在減壓下而實施在200℃至400℃的溫度，較佳地在250℃至350℃，且，電致發光層221係不必曝露至大氣中在減壓下而較佳地藉由真空蒸發 沉積方法或微滴排出方法所形成的。
電致發光層221及導電層222係層疊在亦即，第一電極的導電層206上，且然後，使用發光元件之具有顯示功能的發光顯示裝置被完成(參考圖12)。
如上述，在不施加使用光罩的曝光步驟下，此步驟可被省略於此實施例模式。再者，甚至當具有超過1000 mm的側之第五次或下一產生的玻璃基板被使用時，EL顯示面板可以微滴排出方法直接形成各種圖案在基板上而容易製造。
再者，改善黏性及剝離阻抗之高度可靠的發光顯示裝置可被製造。
〔實施例模式7〕
參考圖14A至14D與圖15A及15B說明之本發明的實施例模式。此實施例模式說明具有自實施例模式1的導電層116穿透閘極絕緣層105且係配線層及閘極電極層的導電層103的不同連接結構的例子。因此，相同部或具有相似功能的部的重覆說明被省略。
用於改善黏性之底膜101係形成在基板100上(參考圖14A)。注意到，絕緣層可形成在基板100上。
於此實施例模式中，具有光觸媒功能的物質被使用作為具有改善黏性的功能之底膜101。
藉由濺射方法形成具有預定晶體結構的TiOx晶體作為光觸媒物質的例子被說明於此實施例模式。濺射係使用 鈦金屬管作為目標及使用氬氣及氧氣而執行。再者，氦氣可被導入。大氣被致使包括多量的氧氣，且，形成壓力被設定高值以形成具有高光觸媒活性的TiOx。在加熱膜形成室或設有欲處理的物件之基板時而形成TiOx是較佳地。
甚至當因此形成的TiOx係非常薄的膜時，其具有光觸媒功能。
再者，藉由濺射方法、蒸發沉積方法或類似方法所形成以諸如Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Ta(鉭)、Ni(鎳)或Mo(鉬)的金屬材料或其氧化物製成之底膜101作為另一底預處理係較佳的。底膜101可被形成為0.01nm至10nm的厚度。底膜101可形成非常薄且不需具有層結構。當耐熱金屬材料被使用作為底膜時，其係較佳地在形成作用如源極-汲極配線層的導電層102及103之後由實施以下兩個步驟的任一者而處理曝露在表面上之底膜以成為閘極電極層。
第一方法係使未與導電層102及103重疊的底膜101絕緣及形成絕緣層的步驟。換言之，未與導電層102及103重疊的底膜101被氧化及絕緣。當底膜101被氧化及絕緣時，以此方式，其係較佳地形成底膜101以具有0.01nm至10nm的厚度；因此，底膜可容易氧化。注意到，氧化可由曝露至氧氣或由熱處理而執行。
第二方法係使用導電層102及103作為遮罩而藉由蝕刻移除底膜101的步驟。當使用此步驟時，沒有底膜101 的厚度之限制。
替代地，執行電漿處理在形成區(形成面)上的方法可被使用作為另一底預處理。電漿處理係以使用作為處理氣體的空氣、氧或氮氣及數十托(Torr)至1000托(133000 Pa)的壓力，更佳地為，700托(93100 Pa)至800托(106400 Pa)，亦即，接近大氣壓力之大氣壓力或壓力，且，脈衝電壓係應用在此種條件下。此時，電漿密度設定在1x1010 m-3 至1x1014 m-3 ，所謂的電暈放電或輝光放電。表面修改可利用使用空氣、氧或氮氣作為處理氣體之電漿處理而無材料依賴性地執行。因此，表面修改可被執行在任何材料上。
如另一方法，作用如黏著劑之有機材料的物質可被形成以改善由微滴排出方法以其形成區所形成之圖案的黏著性。可使用有機材料(有機樹脂材料)(聚醯亞銨或丙烯)，或其中由矽(Si)及氧化物(O)的鍵形成的骨架結構及其含有至少氫作為替代物或其含有氟、烷基類及芳香族碳化氫的至少一者作為替代物之材料。
接著，包括導電材料的組成物被排出，且，作用如閘極電極後的導電層102及103而後被形成。導電層102及103係藉由使用微滴排出機構所形成。
在所形成的導電層103之後之作用如柱狀的導電材料140係藉由局部排出的包括導電材料之組成物所形成。導電材料140較佳地係藉由沉積所排出的組成物之圓柱所形成。這係因為當圓柱導電材料140被使用時，下層的圖案 及上層的圖案容易相互接觸。導電材料140可以如導電層103的相同材料製成或不同材料製成。其可藉由堆狀地排出組成物所形成。
在導電層103被形成之後，上述的底預處理可實施在導電層103上以再次改善黏性。再者，在導電材料140以柱狀物形成之後，較佳地係實施相似的底預處理。當諸如光觸媒物質如同TiOx的形成被實施底預處理時，層可具有良好的黏性。
接著，閘極絕緣膜係形成在導電層102及103上(參考圖14A)。
接著，導電層(亦稱為第一電極)106係藉由選擇性排出包括導電材料的組成物而形成至閘極絕緣膜(參照圖14B)。雖然未顯示，光觸媒物質可相似於形成導電層102及103的例子而形成於形成的導電層106之區。光觸媒物質可改善黏性，且，導電層106可形成為薄細線的想要圖案。導電層106變成第一電極以作用如像素電極。
無定形半導體被使用作為半導體於此實施例模式中。亦即無定形半導體之半導體層107被形成，以及，絕緣膜係藉由例如，電漿CVD方法所形成且被圖案化以具有想要形狀於想要的區，為了要形成通道保護膜109及110。此時，通道保護膜109及110可使用閘極電極作為遮罩藉由使基板的背面曝光而形成。再者，聚醯亞胺、聚乙烯醇或類似元素可藉由微滴排出方法而滴下作為通道保護膜。因此，曝光步驟可被省略。而後，例如，使用N型無定形 半導體層的N型半導體層108之具有一導電性的半導體層係藉由電漿CVD方法或類似方法(參考圖14C)而形成的。如果需要的話，具有導電性的半導體層可被形成。
接著，以諸如光阻或聚醯亞胺的絕緣材料製成之遮罩層111及112被形成，且半導體層107及N型半導體層108係同時使用遮罩層111及112而圖案化。。
於此實施例模式中，藉由作用如柱狀物的導電材料140而連接至亦即，閘極電極層的導電層103之導電材料穿過閘極電極層105，且存在於閘極絕緣層105上。因此，於閘極絕緣層打開通孔的步驟可被省略。
導電層115、116及117係藉由排出包括導電材料的組成物所形成。然後，N型半導體層係使用導電層115、116及117作為遮罩而圖案化。注意到，在形成導電層115、116及117之前之光觸媒物質可選擇形成於導電層115、116及117與閘極絕緣層105接觸之部。因此，導電層可形成為良好的黏性。
導電層117作用如源極-汲極配線層，且係形成與預先形成的第一電極而電連接。亦即，源極-汲極配線層之導電層116可經由導電材料140而電連接至亦即，閘極電極層的導電層103(參照圖15A)。當絕緣層或類似層被留在作用如柱狀物的導電材料140時，其可藉由蝕刻或類似方法而移除。
接著，將成為堆疊(亦稱為分隔壁)的絕緣層120被形成。
絕緣層120係形成以具有依據亦即，第一電極的導電層106而對應於將形成的像素的位置之通孔。
依據上述步驟，用於底閘極型(亦稱為反向交錯型)通道保護TFT及第一電極(第一電極層)連接在基板100上的EL顯示面板之TFT基板被完成。
電致發光層121及導電層122係層疊在亦即，第一電極的導電層106上，且然後，使用發光元件之具有顯示功能的發光顯示裝置被完成(參考圖15B)。
如上述，由於不需施加利用光罩的曝光步驟，此步驟可被省略於此實施例模式。再者，甚至當具有超過1000 mm的側之第五次或下一產生的玻璃基板被使用時，EL顯示面板可以微滴排出方法直接形成各種圖案在基板上而容易製造。
再者，黏性及剝離阻抗被改善之高度可靠的的發光顯示裝置被製造。使用柱狀物的連接方法取代形成通孔於此實施例模式，其可自由地與上述實施例結合。
〔實施例1〕
薄膜電晶體可藉由應用本發明而形成，且，發光顯示裝置可藉由使用薄膜電晶體所形成。於使用發光元件作為顯示元件及使用N型電晶體作為用來驅動發光元件的電晶體的例子中，來自發光元件的光發射係底發射、頂發射及雙發射的任何一者。在此，用於任何例子之發光元件的層疊結構係參考圖17A至17C而說明。
亦即，藉由應用本發明而形成於實施例模式1的通道保護薄膜電晶體之電晶體451被使用於此實施例。
首先，發射光至基板450側的例子中，亦即，底發射的例子係參考圖17A而說明。於此例中，電連接至電晶體451的源極-汲極配線452及453、第一電極454、電致發光層455與第二電極456係依序地層疊。接著，發射光至基板450的相對側的例子中，亦即，頂發射的例子係參考圖17B而說明。電連接至電晶體451的源極-汲極配線461及462、第一電極463、電致發光層464與第二電極465係依序地層疊。即使第一電極463傳輸光，此光係藉由配線462所反射，且依據上述結構而發射至基板450的相對側。注意到，光傳輸材料於此結構不需使用於第一電極463。最後，發射光至基板450側及其相對側的例子中，亦即，雙發射的例子係參考圖17C而說明。電連接至電晶體451的源極-汲極配線470及471、第一電極472、電致發光層473與第二電極474係依序地層疊。此時，當第一電極472及第二電極474兩者係以光傳輸材料製成或係形成以具有可傳輸光的厚度時雙發射被達成。
發光元件具有電致發光層被夾在第一電極及第二電極間的結構。其係需要考量工作功能來選擇第一電極及第二電極的材料。第一電極及第二電極兩者可以是陽極或陰極，依據像素結構而定。因為驅動TFT的極性係N通道型於此實施例模式中，第一電極較佳地係陰極，而，第二電極較佳地係陽極。當驅動TFT的極性係P通道型時，第 一電極較佳地係陽極，而，第二電極較佳地係陰極。
當第一電極係陽極時，電致發光層較佳地係自陽極依序層疊HIL(電洞注射層)、HTL(電洞傳輸層)、EML(發射層)、ETL(電子傳輸層)及EIL(電子注射層)而形成。當第一電極係陰極時，電致發光層的結構變成相反。其係較佳地依序層疊EIL(電子注射層)、ETL(電子傳輸層)、EML(發射層)、HTL(電洞傳輸層)、HIL(電洞注射層)及陽極，陽極係來自陰極側的第二電極。注意到，電致發光層具有單層結構或組合結構以及層疊結構。
顯示紅(R)、綠(G)及藍(B)的發光之材料可使用各別蒸發沉積遮罩或類似物而藉由蒸發沉積方法之選擇形成作為電致發光層。顯示紅(R)、綠(G)及藍(B)的發光之材料(諸如低分子量或高分子量材料)可藉由微滴排出方法所形成，微滴排出方法係較佳的，因為RGB的著色可分開實施於此例中而無需使用相似於濾色片的遮罩。
尤其，CuPc或PEDOT被使用作為HIL；α-NPD被使用作為HTL；BCP或Alq3 被使用作為ETL；BCP：Li或CaF2 被使用作為EIL。再者，例如，掺有符合R、G及B的各別發光色的掺雜劑之Alq3 (DCM或類似元素於R的例子、及DMQD或類似元素於G的例子)可被使用作為EML。
注意到，電致發光層未限制以上材料。例如，電洞注 射特性可藉由共蒸發諸如氧化鉬(MoOx：X=2至3)的氧化物及α-NPD或rubrene以取代使用CuPc或PEDOT而加強。有機材料(包括低分子量或高分子量材料)或有機材料及無機材料的複合材料可被使用作為電致發光層的材料。
再者，濾色片可被形成在基板450的對向基板上，雖然未顯示於圖17A至17C。濾色片可藉由微滴排出方法所形成；於此例中，光電漿處理可被實施作為上述的底預處理。由於本發明的底膜，濾色片可被形成於具有良好黏性的想要圖案。高解析顯示可藉由使用濾色片而實施。此係因為濾色片可於每一發射光譜的RGB而調整寬峰值至銳峰值。
以上說明形成顯示各發光的RGB的材料的例子；然而，全色顯示亦可藉由形成顯示單色的發光之材料及結合具有濾色片或色轉換層之材料而實施。例如，於形成顯示白或橘色發光的電致發光層的例子，全彩顯示可藉由分開設置濾色片、色轉換層或濾色片及色轉換層的結合而實施。例如，濾色片或色轉換層可形成在第二基板上(密封基板)，且然後，附接至此基板。如上述，顯示單色、濾色片及色轉換層的發光之材料皆可藉由微滴排出方法所形成。
自然地，單色發光的顯示可被實施。例如，區域色型發光顯示裝置可藉由使用單色發光所形成。被動型陣列顯示部適合於區域色型，且可主要地顯示文字及符號。
具有低工作功能的材料可被使用於上述結構中的陰極；例如，Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi或類似元素係較佳的。電致發光層可以單層型、層疊型及不具層間的界面的混合型的任何一者。以下材料的任何一者可被使用：單重材料、三重材料、其組合材料，包括低分子重材料、高分子重材料、及中間分子重材料的有機材料、由優於電子注射特性的氧化鉬所代表之無機材料，及有機材料及無機材料的複合材料。第一電極454、463及742係藉由使用透光的透明導電膜所形成；例如，氧化銦與2%至20%的氧化鋅(ZnO)以及ITO或ITSO混合的透明導電膜被使用。注意到，氧氣中的電漿處理或真空中的熱處理係較佳的在形成第一電極454、463及472之前而實施。分隔壁(亦稱為堆層)係藉由使用含有矽、有機材料或化合材料的材料所形成。再者，多孔膜可被使用。注意到，其係較佳的藉由使用光敏或諸如聚醯亞銨或丙烯的非光敏材料而形成分隔壁，因為其側面成為曲率半徑連續地改變及上層薄膜無斷裂地形成之形狀。此實施例可與以上實施例自由地結合。
〔實施例2〕
亦即，應用本發明之發光顯示裝置的一個模式之面板的外觀係參考圖20說明。
於圖20所示的面板中，驅動電路形成在像素部751周圍之驅動IC係藉由COG(晶片在玻璃上)方法所安 裝。當然，驅動IC可藉由TAB(帶自動化結合)方法所安裝。
基板750係以密封劑752而固定至對向基板753。像素部751可利用傳導EL元件作為顯示媒體。驅動IC755a及755b與驅動IC757a、757b及757c每一者可以是藉由使用單晶體半導體所形成之積體電路，或藉由使用TFT所形成之等效物，該TFT係藉由使用多晶半導體所製造。信號或電源係分別地經由FPC756a及756b與FPC754a、754b及754c而供應至驅動IC755a及755b與驅動IC757a、757b及757c。
〔實施例3〕
參考圖23說明依據本發明之具有顯示功能的發光顯示裝置的結構。圖23係顯示發光顯示裝置的簡單概述之頂視圖，其中像素部(顯示部)6102及保護電路6103及6104係形成在基板6100上，且係經由引線而連接至信號線側驅動IC6107及掃瞄線側驅動IC6104。當無定形半導體或微晶半導體係使用作為構成像素部6102之元件時，較佳地，驅動IC6107及6108係藉由諸如COG方法或TAB方法的已知方法而安裝在基板上如圖所示，及此些驅動IC被使用作為驅動電路。當微晶半導體係使用作為構成像素部6102的元件時，掃瞄線側驅動電路可以微晶半導體而組成，然而，驅動IC6107可安裝在信號線側上。如不同於上述結構的結構，掃瞄線側驅動電路的一部份及 信號線側驅動電路的一部份可形成在一基板上，且，驅動IC可被使用以取代另一部份。換言之，有各種用於安裝驅動IC的結構，且，本發明可利用任何結構。
接著，參考圖24A至24C說明依據本發明之具有顯示功能的發光顯示裝置的像素電路。圖24A係像素6101的等效電路圖。像素6101包括：TFT6110，用於控制視頻信號對像素6101的輸入；TFT6111，用於控制流動於發光元件6113的一對電極間之電流量；及電容器元件6112，用於儲存TFT6111的閘極源極電壓於由信號線6114、電源供應線6115及6117與掃瞄線6116所圍繞的區中。雖然電容器元件6112顯示於圖24B，當電容器元件可以TFT6111的閘極電容器或另一寄生電容器而更換時，其係不必要設置的。
圖24B顯示具有圖24A所示的像素6101的結構嶄新設有TFT6118及掃瞄線6119之像素電路。電流對發光元件6113的供應可藉由配置TFT6118而強迫停止。因此，照明周期可與寫入周期的開始的同時或立即在其之後的起始不需等待信號寫入所有像素。因此，負載比被改善，且，移動影像可特別有利地顯示。
圖24C顯示其中圖24B所示的像素6101的TFT6111被移除及像素6101嶄新設有TFT6125及6126及配線6127之像素電路。於此結構中，TFT6125的閘極電極係連接至具有恆定電位之配線6127。因此，閘極電極的恆定電位被固定，且，TFT6125被操作於飽和區。再者，用於傳 輸資訊在像素的非照明或照明上之視頻信號係經由TFT6110輸入至TFT6126的閘極電極，TFT6126係串聯地連接至TFT6125且操作於線性區。操作於線性區的TFT6126的源極-汲極電壓值係低，使得TFT6126的閘極源極電壓的些微變化不會不利地影響流經發光元件6113的電流量。因此，流經發光元件6113的電流量係由TFT6125操作於飽和區之TFT6125所決定。依據具有上述結構之本發明，發光元件6113的發光變化，其係由TFT6125的特性的變化所造成，可被改善，因此改善影像品質。較佳地，TFT6125的通道長度L1 及通道寬度W1 與TFT6126的通道長度L2 及通道寬度W2 被設定滿足L1 /W1 ：L2 /W2 =5至6000：1。自製造步驟的觀點來看，兩者TFT具有相同導電性型亦最佳。再者，TFT6125可以是加強模式TFT或耗盡模式TFT。
圖16A具有上述結構的像素電路的頂視圖，而，圖16B係其等效電路圖。於圖16A及16B，TFT1601及1602與電容器元件1604係包括於由汲極線1606、電力供應線1607、掃瞄線1605所圍繞之區。像素電極1603係連接至TFT1602的源極或汲極。
依據本發明之具有顯示功能的發光顯示裝置可使用類比視頻信號或數位視頻信號。當數位視頻信號被使用，視頻信號依據視頻信號是否使用電壓或電流而變化。換言之，當發光元件發射光時輸入像素之視頻信號包括恆定電壓視頻信號及恆定電流視頻信號。恆定電壓視頻信號包括 其中施加至發光元件的電壓係恆定之恆定電壓視頻信號及其中流動於發光元件的電流係恆定之恆定電壓視頻信號。再者，恆定電流視頻信號包括其中施加至發光元件的電壓係恆定之恆定電流視頻信號及其中流動於發光元件的電流係恆定之恆定電流視頻信號。其中施加至發光元件的電壓係恆定的驅動方法表示恆定電壓驅動，然而，其中流動於發光元件的電流係恆定之驅動方法表示恆定電流驅動。至於恆定電流驅動，恆定電流流動無關發光元件的電阻變化。依據本發明之發光顯示裝置及其驅動方法可使用使用電壓的視頻信號或使用電流的視頻信號。更者，恆定電壓驅動或恆定電流驅動可被使用。此實施例可與上述實施例模式及實施例而自由地結合。
〔實施例4〕
包括於本發明的發光顯示裝置之保護電路的實例被說明。保護電路係由一或數個選自TFT、二極體、電阻元件、電容器元件及類似元件的元件而組成。以下說明保護電路的數個結構及操作。首先，參考圖25A至26C說明配置在外電路及內電路之間且相當於一輸入端子之保護電路的等效電路圖的結構。圖25A所示的保護電路包括：P型TFT7220及7230、電容器元件7210及7240及電阻器元件7250。電阻器元件7250係具有兩端子的電阻，其中電阻器元件的一端子提供有輸入電壓Vin(以下稱為Vin)，而另一端子提供有低電位電壓VSS(以下稱為VSS)。當 輸入端子未提供有Vin時，電阻器元件7250被設置以降低配線對VSS的電位。電阻器元件的電阻值係足夠地設定高於配線的電阻。
當VSS高於高電位電壓VDD時(以下稱為VDD)，相對於閘極源極電壓，TFT7122係接通ON及TFT7123斷開OFF。因此，VDD係經由TFT7122而供應至配線。因此，由於噪音及類似聲音，甚至當Vin超過VDD時，供應至配線的電壓不會超過VDD。另一方面，當Vin低於VSS時，相對於閘極源極電壓，TFT7122斷開OFF及TFT7123係接通ON。以此方式，VSS被供應至配線。因此，由於噪音及類似聲音，甚至當Vin變成低於VDD時，供應至配線的電壓不會超過VDD。更者，脈衝噪音可藉由電容器元件7121及7124而減弱於供應自輸入端子的電壓；因此，電壓由於噪音的突然改變可被降低至某些程度。
由於具有上述結構的保護電路的配置，配線的電壓被保持於VSS至VDD的範圍，且被保護免於超出範圍的過高或過低的施加。更者，信號輸入至其上的輸入端子設有保護電路；因此，當信號的輸入被停止時，提供有信號的所有配線的電壓可被保持在恆定位準(在VSS於此實施例)。換言之，保護電路作用如短路環，當信號未被輸入時，短路環可使配線相互短路。因此，由於配線間的電壓差之靜電損害可被防止。再者，當信號被輸入時，供應至配線的信號不會被拖至VSS，因為電阻器元件7250的電 阻值係足夠高。
圖25B顯示其中P型TFT7122及7123係由具有整流的二極體7126及7127所取代之保護電路的等效物電路圖。圖26A顯示其中P型TFT7122及7123係由TFT7350、7360、7370及7380所取代之保護電路的等效物電路圖。如具有不同於以上結構的結構的保護電路之圖26B所示的保護電路包括電阻器元件7128及7129與電晶體7130。圖26C所示的保護電路包括電阻器元件7280及7290、P型TFT7310及N型TFT7320。於圖26B及26C的各結構中，端子7330係與配線或類似線而連接。當配線或類似線的電位係突然改變時，N型TFT7300或P型TFT7310與N型TFT7320被接通ON，以使電流自端子7330流向端子7340。因此，連接至端子7330之配線或類似線的電位的突然改變可被緩和，且，元件的損害或破壞可被防止。構成以上保護電路的元件較佳地以優於壓力緊密性的無定形半導體製成。此實施例可與以上實施例模式而自由地結合。
〔實施例5〕
EL電視機可藉由使用依據本發明形成的發光顯示裝置所完成。圖21係顯示EL電視機的主要結構之區塊圖。EL顯示面板包括如圖20所示的結構之例子，其中，掃瞄線側驅動電路及信號線側驅動電路係藉由COG方法而安裝在像素部751及其周圍上，其中僅一像素部被形成及掃 瞄線側驅動電路及信號線側驅動電路係藉由TAB方法而安裝，以及，其中TFT係使用SAS而形成，像素部及掃瞄線側驅動電路係整體形成在基板上，及信號線側驅動電路係分開安裝作為驅動IC。任何模式可被使用。
另一外電路可包括放大由調諧器804所接收的信號中的視頻信號之視頻信號放大器電路805，將自其輸出的信號轉換成符合紅、綠及藍的各色的色差信號之視頻信號處理電路，及視頻信號的輸入側上之類似物。控制電路807輸出信號至掃瞄線側及信號線側。於數位驅動的例子中，信號分割電路808可設在信號線側上，且，輸入數位信號可分成m部份且被供應。
由調諧器804所接收的信號中之聲頻信號被傳輸至聲頻信號放大器電路809，且係經由聲頻信號處理電路810供應至揚聲器813而被輸出。控制電路811接收在接收站(接收頻)上之控制資訊或來自輸入部812的音量，且傳輸此信號至調諧器804及聲頻信號處理電路810。
電視機可藉由將包括此種外電路的EL模組併入機殼2001而完成如圖19所示。顯示螢幕係藉由使用EL顯示模組、揚聲器而形成，操作開關及類似物可提供作為附接件。因此，電視機可依據本發明而完成。
再者，自外側進入的反射光的光可藉由使用波板及極化板而阻擋。1/4波板及半波板係使用作為波板，且可設計用來控制光。模組具有TFT元件基板/發光元件/密封基板(密封劑)/波板(1/4波板及半波板)/極化板的層疊 結構，及自發光元件射入的光通過其中且係射出在極化板側上。波板及極化板可設在光的射出側上。於發射光在兩側上之雙發射發光顯示裝置的例子中，波板及極化板可設在兩側上。再者，抗反射膜可設在極化板外。使其可能顯示高解析細微影像。
利用EL元件之顯示面板2002被結合於機殼2001中。不僅一般電視廣播可被接收器2005所接收，且亦單向資訊通信(自發射器至接收器)或雙向資訊通信(發射器及接收器間或兩接收器間)可經由模組2004有線或無線地連接至通信網路而達到。電視機可藉由結合於機殼或分開設置的遙控單元2006而操作，且，顯示將被輸出的資訊之顯示部2007可包括於遙控單元。
再者，電視機亦可藉由形成使用第二顯示面板的次螢幕2008以及主螢幕2003製成具有顯示頻道或音量之結構。主螢幕2003及次螢幕2008可由使用EL顯示面板而形成。替代地，主螢幕2003可藉由使用具有優良視角的EL顯示面板而形成，且，次螢幕2008可由使用能夠以低耗電量顯示於以上結構之液晶顯示面板所形成。再者，於優先考慮低耗電量的例子中，主螢幕2003可由使用液晶顯示面板所形成，次螢幕2008可由使用EL顯示面板所形成，然後，主螢幕可被接通及斷開。甚至當此種大尺寸基板被使用時，高度可靠的發光顯示裝置可藉由應用本發明而形成，且因此，大量TFT或電子部件被使用。
當然，本發明未受限於電視機，且可應用至各種用 途，特別是作為大面積顯示媒體，諸如火車站、航站或類似場所的資訊顯示板，或街上的廣告顯示板以及個人電腦的監視器。
〔實施例6〕
各種發光顯示裝置可藉由應用本發明而製造。也就是說，本發明可應用至各種電子裝置，其中發光顯示裝置結合於顯示部。
此種電子裝置可以是以下的產品：攝影機、數位相機、投影機、頭載式顯示器(護目型顯示器)、車用導航系統、車用音響、個人電腦、遊戲機、個人數位助理(行動電腦、行動電話、電子書或類似物)、包括記錄媒體的影像再生裝置(尤其，能夠處理諸如數位影音碟(DVD)的記錄媒體中的資料且具有可顯示資料的影像的顯示器之裝置)及類似物。其實例被顯示於圖18A至18C及圖27A及27B。
圖18A顯示膝上型個人電腦，其包括：主體2101、機殼2102、顯示部2103、鍵盤2104、外接埠2105、滑鼠2106及類似物。本發明被應用至顯示部2103的製造。當本發明被應用時，即使膝上型個人電腦小型化及配線或類似物變精密，高可靠高品質影像可被顯示。
圖18B顯示包括記錄媒體(尤其，DVD再生裝置)之影像再生裝置，其包括：主體2201、機殼2202、顯示部A2203、顯示部B2204、記錄媒體(DVD或類似物)讀 取部2205、操作鍵盤2206、揚聲器部2207及類似物。顯示部A2203主要顯示影像資訊，而顯示部B2204主要顯示文字資訊。本發明被應用至顯示部A2203及顯示部B2204的製造。當本發明被應用時，即使影像再生裝置小型化及配線或類似物變精密，高可靠高品質影像可被顯示。
圖18C顯示行動電話，其包括：主體2301、聲頻輸出部2302、聲頻輸入部2303、顯示部2304、操作開關2305、天線2306及類似物。藉由應用依據本發明至顯示部2304製造的發光顯示裝置，高可靠高品質影像可即使顯示於最小化及配線或類似物變精密之行動電話。
圖27A顯示攝影機，其包括：主體2401、顯示部2402、機殼2403、外接埠2404、遙控接收部2405、影像接收部2406、電池2407、聲頻輸入部2408、操作鍵2409及類似物。本發明可被應用至顯示部2402，其係雙發射發光顯示裝置。圖27A及27B顯示顯示於顯示部2402之影效。圖27A顯示正被拍照之影像，且，圖27B顯示可自正被拍照的車輛看到之影像。因為本發明的發光顯示裝置係傳輸型及影效可被顯示在兩側上，正被拍照的影像可自目鏡側看到。因此，自己拍照係方便的。再者，除了攝影機之外，本發明還可應用至數位相機或類似物，且，相似功效可被獲得。由應用依據本發明製造的發光顯示裝置至顯示部2402，高可靠高品質影像可即使顯示於最小化及配線或類似物變精密之攝影機。此實施例可與以上實施例模式及實施例而自由地結合。
〔實施例7〕
藉由本發明的底預處理之黏性改善的功效係由實驗性地所評估。
TiOx係以噴霧所形成，且，包括銀作為導電材料的組成物被排出且被烘烤在230℃的溫度。16條銀配線被形成以具有1 cm的長度、200μm至300μm的寬度及4000至5000的高度。由於實施使用Kapton帶的拉力測試在所形成的銀配線上，銀配線不會剝落。再者，由於浸漬於0.5wt%的HF溶液達1分鐘及以流動水而淸洗，16條銀配線皆未剝落。因此，確認到，黏度係藉由形成具有光觸媒功效的TiOx膜的底預處理所改善。
Ti薄膜係藉由濺射方法所形成為10至50。包括銀作為導電材料的組成物同樣地排入已烘烤在230℃所形成TiOx膜，且再次烘烤在230℃。因此，16條銀配線被形成以具有1 cm的長度、200μm至300μm的寬度及4000至5000的高度。確認到，所形成的Ti薄膜具有1×106 (Ω/cm2 )或更高的電阻片，且係絕緣的。由於實施使用Kapton帶的拉力測試在所形成的銀配線上，銀配線不會剝落。再者，由於浸漬於0.5wt%的HF溶液達1分鐘及以流動水而淸洗，16條銀配線皆未剝落。因此，確認到，黏度係藉由形成本發明的此TiOx膜的底預處理所改善。
如一比較實例，使用HF溶液之上述處理被實施在形成於未曾實施此種底預處理的區之銀配線上。因此，銀配 線剝落且僅有約數條配線留下。
因此，本發明的底預處理可改善黏性且提供高可靠的發光顯示裝置。
100‧‧‧基板
101‧‧‧底膜
102及103‧‧‧導電層
104‧‧‧絕緣層
105‧‧‧閘極絕緣層
106‧‧‧導電層
107‧‧‧半導體層
108‧‧‧N型半導體層
109及110‧‧‧通道保護膜
111及112‧‧‧遮罩層
113及114‧‧‧遮罩層
115、116及117‧‧‧導電層
118‧‧‧通孔
120‧‧‧絕緣層
121‧‧‧電致發光層
122‧‧‧導電層
140‧‧‧導電材料
150‧‧‧密封基板
151‧‧‧密封劑
160‧‧‧閘極配線層
161‧‧‧各向異性導電層
162‧‧‧撓性列印電路板(FPC)
200‧‧‧基板
201‧‧‧底膜
202及203‧‧‧導電層
205‧‧‧閘極絕緣層
206‧‧‧導電層
207‧‧‧半導體層
211、212及219‧‧‧遮罩層
213及214‧‧‧遮罩層
215、216及217‧‧‧導電層
220‧‧‧絕緣層
221‧‧‧電致發光層
222‧‧‧導電層
230及231‧‧‧導電層
300‧‧‧基板
301‧‧‧底膜
302及303‧‧‧導電層
306‧‧‧導電層
307‧‧‧半導體層
308‧‧‧N型半導體層
309及310‧‧‧通道保護膜
311及312‧‧‧遮罩層
313及314‧‧‧遮罩層
315、316及317‧‧‧導電層
318‧‧‧通孔
320‧‧‧絕緣層
321‧‧‧電致發光層
322‧‧‧導電層
341、342及343‧‧‧絕緣層
450‧‧‧基板
451‧‧‧電晶體
452及453‧‧‧源極-汲極配線
454‧‧‧第一電極
455‧‧‧電致發光層
456‧‧‧與第二電極
461及462‧‧‧源極-汲極配線
463‧‧‧第一電極
464‧‧‧電致發光層
465‧‧‧第二電極
470及471‧‧‧源極-汲極配線
472‧‧‧第一電極
473‧‧‧電致發光層
474‧‧‧第二電極
500‧‧‧基板
501‧‧‧底膜
502及503‧‧‧導電層
504及505‧‧‧閘極絕緣層
506‧‧‧導電層
507‧‧‧半導體層
508‧‧‧N型半導體層
509及510‧‧‧通道保護膜
511及512‧‧‧遮罩層
513及514‧‧‧遮罩層
515、516及517‧‧‧導電層
518‧‧‧通孔
520‧‧‧絕緣層
521‧‧‧電致發光層
522‧‧‧導電層
700‧‧‧基板
701‧‧‧底膜
702及703‧‧‧導電層
704及705‧‧‧閘極絕緣層
706‧‧‧導電層
707‧‧‧半導體層
708‧‧‧N型半導體層
711及712‧‧‧遮罩層
713及714‧‧‧遮罩層
715、716及717‧‧‧導電層
718‧‧‧通孔
720‧‧‧絕緣層
721‧‧‧電致發光層
722‧‧‧導電層
750‧‧‧基板
751‧‧‧像素部
752‧‧‧密封劑
753‧‧‧對向基板
754a、754b及754c‧‧‧FPC
755a及755b‧‧‧驅動IC
756a及756b‧‧‧FPC
757a、757b及757c‧‧‧驅動IC
804‧‧‧調諧器
805‧‧‧視頻信號放大器電路
807‧‧‧控制電路
808‧‧‧信號分割電路
809‧‧‧聲頻信號放大器電路
810‧‧‧聲頻信號處理電路
811‧‧‧控制電路
812‧‧‧輸入部
813‧‧‧揚聲器
900‧‧‧基板
901‧‧‧底膜
902及903‧‧‧閘極電極層
905‧‧‧閘極絕緣層
906‧‧‧導電層
907‧‧‧導體層
911、912及919‧‧‧遮罩層
915、916及917‧‧‧導電層
920‧‧‧絕緣層
921‧‧‧電致發光層
922‧‧‧導電層
930及931‧‧‧導電層
1400‧‧‧基板
1403‧‧‧微滴排出機構
1404‧‧‧成像機構
1405‧‧‧頭
1407‧‧‧控制機構
1409‧‧‧成像處理機構
1410‧‧‧電腦
1411、TFT1601及1602‧‧‧標記
1603‧‧‧發光元件
1604‧‧‧電容器
1605‧‧‧源極線
1606‧‧‧汲極線
1607‧‧‧電力供應線
2001‧‧‧機殼
2002‧‧‧顯示面板
2003‧‧‧主螢幕
2004‧‧‧模組
2005‧‧‧接收器
2006‧‧‧遙控單元
2007‧‧‧顯示部
2008‧‧‧次螢幕
2101‧‧‧主體
2102‧‧‧機殼
2103‧‧‧顯示部
2104‧‧‧鍵盤
2105‧‧‧外接埠
2106‧‧‧滑鼠
2201‧‧‧主體
2202‧‧‧機殼
2203‧‧‧顯示部A
2204‧‧‧顯示部B
2205‧‧‧記錄媒體讀取部
2206‧‧‧操作鍵盤
2207‧‧‧揚聲器部
2301‧‧‧主體
2302‧‧‧聲頻輸出部
2303‧‧‧聲頻輸入部
2304‧‧‧顯示部
2305‧‧‧操作開關
2306‧‧‧天線
2401‧‧‧主體
2402‧‧‧顯示部
2403‧‧‧機殼
2404‧‧‧外接埠
2405‧‧‧遙控接收部
2406‧‧‧影像接收部
2407‧‧‧電池
2408‧‧‧聲頻輸入部
2409‧‧‧操作鍵
6100‧‧‧基板
6101‧‧‧像素
6102‧‧‧像素部
6103‧‧‧保護電路
6104‧‧‧驅動IC
6107‧‧‧信號線側驅動IC
6110‧‧‧TFT
6111‧‧‧TFT
6112‧‧‧電容器元件
6113‧‧‧發光元件
6114‧‧‧信號線
6115及6117‧‧‧電源供應線
6116‧‧‧掃瞄線
6118‧‧‧TFT
6119‧‧‧掃瞄線
6125及6126‧‧‧TFT
6127‧‧‧配線
7121及7124‧‧‧電容器元件
7122‧‧‧TFT
7123‧‧‧TFT
7126及7127‧‧‧二極體
7128及7129‧‧‧電阻器元件
7130‧‧‧電晶體
7220、7230‧‧‧P型TFT
7210、7240‧‧‧電容器元件
7250‧‧‧電阻器元件
7280及7290‧‧‧電阻器元件
7300‧‧‧N型TFT
7310‧‧‧P型TFT
7320‧‧‧N型TFT
7330‧‧‧端子
7340‧‧‧端子
7350、7360、7370及7380‧‧‧TFT
圖1A至1D顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖2A及2B顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖3A至3D顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖4A及4B顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖5A至5D顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。。
圖6A及6B顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖7A至7D顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖8A及8B顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖9A至9D顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖10顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖11A至11D顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖12顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖13顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖14A至14D顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖15A及15B顯示用於製造本發明的發光顯示裝置之方法。
圖16A及16B係本發明的發光顯示裝置中的像素電路的頂視圖及電路圖。
圖17A至17C顯示本發明的發光顯示裝置。
圖18A至18C顯示應用本發明之電子裝置。
圖19顯示應用本發明之電子裝置。
圖20係應用本發明的半導體裝置的一模式之面板的頂視圖。
圖21係顯示本發明的電子裝置的主要結構之區塊圖。
圖22顯示可應用至本發明之微滴排出設備的結構。
圖23顯示應用本發明之發光顯示裝置。
圖24A至24C顯示應用本發明之發光顯示裝置的像素電路。
圖25A及25B顯示包含於本發明的發光顯示裝置之保護電路。
圖26A至26C顯示包含於本發明的發光顯示裝置之保 護電路。
圖27A及27B顯示應用本發明之電子裝置。
100‧‧‧基板
101‧‧‧底膜
102及103‧‧‧導電層
104‧‧‧絕緣層
105‧‧‧閘極絕緣層
106‧‧‧導電層(第一電極)
107‧‧‧半導體層
108‧‧‧N型半導體層
109及110‧‧‧通道保護膜
111及112、207‧‧‧遮罩層
113及114‧‧‧遮罩層

Claims (29)

  1. 一種發光顯示裝置，包含：形成於基板上的底膜，其包括具有光觸媒功能之物質；閘極電極，係形成在該底膜上；閘極絕緣層，係形成在該閘極電極之上；半導體層及第一電極，係形成在該閘極絕緣層之上；配線層，係形成在該半導體層之上；分隔壁其覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；電致發光層，其在該第一電極之上；及第二電極，其在該電致發光層之上，其中，該配線層覆蓋該第一電極的該邊緣部分。
  2. 一種發光顯示裝置，包含：形成於基板上的底膜，其包括具有光觸媒功能之物質；配線層及第一電極，係形成在該底膜上；半導體層，係形成在該配線層之上；閘極絕緣層，係形成在該半導體層之上；閘極電極，係形成在閘極絕緣層上；分隔壁，其覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；電致發光層，其在該第一電極之上；及第二電極，其在該電致發光層之上， 其中，該配線層覆蓋該第一電極的該邊緣部分。
  3. 一種發光顯示裝置，包含：形成於基板上的底膜，其包括具有光觸媒功能之物質；閘極電極，係形成在該底膜上；閘極絕緣層，係形成在該閘極電極之上；半導體層及第一電極，係形成在該閘極絕緣層之上；配線層，係形成在該半導體層之上；分隔壁，其覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；電致發光層，其在該第一電極之上；及第二電極，其在該電致發光層之上，其中，該第一電極覆蓋該配線層的邊緣部分。
  4. 一種發光顯示裝置，包含：形成於基板上的底膜，其包括具有光觸媒功能之物質；配線層及第一電極，係形成在該底膜上；半導體層，係形成在該配線層之上；閘極絕緣層，係形成在該半導體層之上；閘極電極，係形成在該閘極絕緣層之上；分隔壁，其覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；電致發光層，其在該第一電極之上；及第二電極，其在該電致發光層之上，其中，該第一電極覆蓋該配線層的邊緣部分。
  5. 如申請專利範圍第1至4項的任一項之發光顯示裝 置，其中，具有光觸媒功能的該物質包含氧化鈦。
  6. 如申請專利範圍第1至4項的任一項之發光顯示裝置，其中，該閘極電極係設置在該底膜之上，並且和該底膜直接接觸。
  7. 如申請專利範圍第1至4項的任一項之發光顯示裝置，其中，該底膜的厚度為0.01 nm到10 nm。
  8. 如申請專利範圍第1至4項的任一項之發光顯示裝置，其中，該底膜被絕緣。
  9. 如申請專利範圍第1至4項的任一項之發光顯示裝置，其中，該底膜被氧化。
  10. 一種發光顯示裝置，包含：包括耐熱金屬的導電層，其在具有絕緣表面的基板之上；閘極電極，係形成在該導電層之上；閘極絕緣層，係形成在該閘極電極之上；半導體層及第一電極，係形成在該閘極絕緣層之上；配線層，係形成在該半導體層之上；分隔壁，其覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；電致發光層，其在該第一電極之上；及第二電極，其在該電致發光層之上，其中，該配線層覆蓋該第一電極的該邊緣部分。
  11. 一種發光顯示裝置，包含：包括耐熱金屬的導電層，其在具有絕緣表面的基板之上； 配線層及第一電極，係形成在該導電層之上；半導體層，係形成在該配線層之上；閘極絕緣層，係形成在該半導體層之上；閘極電極，係形成在該閘極絕緣層之上；分隔壁，其覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；電致發光層，其在該第一電極之上；及第二電極，其在該電致發光層之上，其中，該配線層覆蓋該第一電極的該邊緣部分。
  12. 一種發光顯示裝置，包含：包括耐熱金屬的導電層，其在具有絕緣表面的基板之上；閘極電極，係形成在該導電層之上；閘極絕緣層，係形成在該閘極電極之上；半導體層及第一電極，係形成在該閘極絕緣層之上；配線層，係形成在該半導體層之上；分隔壁，其覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；電致發光層，其在該第一電極之上；及第二電極，其在該電致發光層之上，其中，該第一電極覆蓋該配線層的邊緣部分。
  13. 一種發光顯示裝置，包含：包括耐熱金屬的導電層，其在具有絕緣表面的基板之上；配線層及第一電極，係形成在該導電層之上；半導體層，係形成在該配線層之上； 閘極絕緣層，係形成在該半導體層之上；閘極電極，係形成在該閘極絕緣層之上；分隔壁，其覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；電致發光層，其在該第一電極之上；及第二電極，其在該電致發光層之上，其中，該第一電極覆蓋該配線層的邊緣部分。
  14. 如申請專利範圍第10至13項的任一項之發光顯示裝置，其中，該耐熱金屬係選自包括Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Al(鋁)、Ta(鉭)、Ni(鎳)、Zr(鋯)、Hf(鉿)、V(釩)、Ir(銥)、Nb(鈮)、Pb(鉛)、Pt(鉑)、Mo(鉬)、Co(鈷)及Rh(銠)之群組中。
  15. 如申請專利範圍第1至4及10至13項的任一項之發光顯示裝置，其中，該閘極電極及該配線層係由選自包括銀、金、銅及銦錫氧化物的群組中之材料所製成。
  16. 如申請專利範圍第1至4及10至13項的任一項之發光顯示裝置，其中，該半導體層為含有氫及鹵素且具有晶體結構之半非晶半導體。
  17. 一種電視機，其包括具有依據申請專利範圍第1至4及10至13項的任一項的發光顯示裝置之顯示螢幕。
  18. 一種製造發光顯示裝置之方法，包含：在基板上形成底膜，該底膜包括具有光觸媒功能之物質；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在具有絕緣表面的 該底膜上；形成閘極絕緣層在該閘極電極之上；形成半導體層在該閘極絕緣層之上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在該閘極絕緣層之上；藉由微滴排出方法而形成配線層在該半導體層之上，以覆蓋該第一電極的邊緣部分；形成分隔壁以覆蓋該第一電極的該邊緣部分及該配線層；形成電致發光層在該第一電極之上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在該電致發光層之上。
  19. 一種製造發光顯示裝置之方法，包含：在基板上形成底膜，該底膜包括具有光觸媒功能之物質；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在具有絕緣表面的該底膜上；形成配線層在具有絕緣表面的該基板之上，其間設有具有該光觸媒功能的該物質，以覆蓋該第一電極的邊緣部分；形成半導體層在該配線層之上；形成閘極絕緣層在該半導體層之上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在該閘極絕緣層之上； 形成分隔壁以覆蓋該第一電極的該邊緣部分及該配線層；形成電致發光層在該第一電極之上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在該電致發光層之上。
  20. 一種製造發光顯示裝置之方法，包含：在基板上形成底膜，該底膜包括具有光觸媒功能之物質；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在具有絕緣表面的該底膜上；形成閘極絕緣層在該閘極電極之上；形成半導體層在該閘極絕緣層之上；藉由微滴排出方法而形成配線層在該半導體層之上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在該閘極絕緣層之上以覆蓋該配線層的邊緣部分；形成分隔壁以覆蓋該第一電極的該邊緣部分及該配線層；形成電致發光層在該第一電極之上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在該電致發光層之上。
  21. 一種製造發光顯示裝置之方法，包含：在基板上形成底膜，該底膜包括具有光觸媒功能之物質；藉由微滴排出方法而形成配線層在具有絕緣表面的該 底膜上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在具有絕緣表面的該底膜上，以覆蓋該配線層的邊緣部分；形成半導體層在該配線層之上；形成閘極絕緣層在該半導體層之上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在該閘極絕緣層之上；形成分隔壁以覆蓋該第一電極的該邊緣部分及該配線層；形成電致發光層在該第一電極之上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在該電致發光層之上。
  22. 如申請專利範圍第18至21項的任一項之製造發光顯示裝置之方法，其中，氧化鈦被使用作為具有光觸媒功能的該物質。
  23. 一種製造發光顯示裝置之方法，包含：形成包括耐熱金屬的導電層在具有絕緣表面的基板之上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在該導電層之上；形成閘極絕緣層在該閘極電極之上；形成半導體層在該閘極絕緣層之上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在該閘極絕緣層之上；藉由微滴排出方法而形成配線層在該半導體層之上以 覆蓋該第一電極的邊緣部分；形成分隔壁以覆蓋該第一電極的該邊緣部分及該配線層；形成電致發光層在該第一電極之上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在該電致發光層之上。
  24. 一種製造發光顯示裝置之方法，包含：形成包括耐熱金屬的導電層在具有絕緣表面的基板之上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在該導電層之上；藉由微滴排出方法而形成配線層在該導電層之上以覆蓋該第一電極的邊緣部分；形成半導體層在該配線層之上；形成閘極絕緣層在該半導體層之上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在該閘極絕緣層之上；形成分隔壁以覆蓋該第一電極的該邊緣部分及該配線層；形成電致發光層在該第一電極之上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在該電致發光層之上。
  25. 一種製造發光顯示裝置之方法，包含：形成包括耐熱金屬的導電層在具有絕緣表面的基板之上； 藉由微滴排出方法而形成閘極電極在該導電層之上；形成閘極絕緣層在該閘極電極之上；形成半導體層在該閘極絕緣層之上；藉由微滴排出方法而形成配線層在該半導體層之上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在該閘極絕緣層之上以覆蓋該配線層的邊緣部分；形成分隔壁以覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；形成電致發光層在該第一電極之上；及藉由微滴排出方法而形成第二電極在該電致發光層之上。
  26. 一種製造發光顯示裝置之方法，包含：形成包括耐熱金屬的導電層在具有絕緣表面的基板之上；藉由微滴排出方法而形成配線層在該導電層之上；藉由微滴排出方法而形成第一電極在該導電層之上以覆蓋該配線層的邊緣部分；形成半導體層在該配線層之上；形成閘極絕緣層在該半導體層之上；藉由微滴排出方法而形成閘極電極在該閘極絕緣層之上；形成分隔壁以覆蓋該第一電極的邊緣部分及該配線層；形成電致發光層在該第一電極之上；及 藉由微滴排出方法而形成第二電極在該電致發光層之上。
  27. 如申請專利範圍第23至26項的任一項之製造發光顯示裝置之方法，其中，該耐熱金屬係選自包括Ti(鈦)、W(鎢)、Cr(鉻)、Al(鋁)、Ta(鉭)、Ni(鎳)、Zr(鋯)、Hf(鉿)、V(釩)、Ir(銥)、Nb(鈮)、Pb(鉛)、Pt(鉑)、Mo(鉬)、Co(鈷)及Rh(銠)之群組中。
  28. 如申請專利範圍第18至21及23至26項的任一項之製造發光顯示裝置之方法，其中，該閘極電極及該配線層係由選自包括銀、金、銅及銦錫氧化物的群組中之材料所製成。
  29. 如申請專利範圍第18至21及23至26項的任一項之製造發光顯示裝置之方法，其中，該半導體層包含含有氫及鹵素且具有晶體結構之半非晶半導體。
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