TWI379876B

TWI379876B -

Info

Publication number: TWI379876B
Application number: TW096116513A
Authority: TW
Inventors: Kazuya Sato; Masaki Fujii; Tetsuyuki Shirakawa
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date: 2006-05-09
Filing date: 2007-05-09
Publication date: 2012-12-21
Also published as: CN102942881B; JPWO2007129711A1; CN101437914B; JP4905352B2; TW200811262A; WO2007129711A1; JP2011256391A; KR101081263B1; KR20090010105A; CN102942881A; CN101437914A

Description

1379876 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明，係關於黏著薄片、及使用其之電路構件的連接構造及半導體裝置。【先前技術】以往，作爲將相對向之電路加熱、加壓以將加壓方向之電極電性連接的連接材料，係使用異向導電性膜（以下 ’稱爲ACF)、或絕緣性黏著膜（以下，稱爲NCF)等電路連接材料。ACF，係將於印刷配線基板、LCD用玻璃基板、彈性印刷基板等基板、或1C、LSI等半導體元件或封裝等連接之際，配置於相對向之電極間，藉由加熱加壓，將電極彼此連接》亦即，ACF與NCF，可同時發揮相對向之電極彼此之導電性、與相鄰接之電極彼此之絕緣性，並可進行兩基板間之電性連接與機械性連接。代表性的ACF及NCF，較佳係使用有環氧樹脂系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等之黏著劑成分。例如，ACF，係於上述黏著劑成分中分散視需要所配合的導電性粒子。該等電路連接材料，一般爲薄膜狀，以層合於PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯）膜等支持基材的狀態製品化。該電路連接材料’固定於基板上後，除去支持基材以進行熱壓接，，使黏著劑成分硬化進行構件間的機械性連接，並且將對向之電極間直接或透過導電性粒子接觸以進行電性連接。又 ’上述固定’爲了與支持基材除去後的熱壓接區別，亦稱 -5- (2) 1379876 * 爲假固定、假壓接、或假連接。 '將ACF固定於基板上之溫度，爲室溫〜“艺左右的廣 - 範圍。然而，若於室溫附近的溫度將ACF固定於基板上 ’則於除去支持基材之際，各ACF有由基板剝落的情形。另一方面’若以高溫將ACF固定於基板上，則黏著劑成分會滲出而移至支持基材之層合ACF側之相反側的表面’而於除去支持基材之際，黏著劑的邊緣部分會有產生 • 密合不良的情形。再者，若黏著劑成分滲出，則亦有壓接頭被污染的問題。又，當ACF係以支持基材與保護薄膜夾持之狀態時，首先，將保護薄膜剝離使ACF的黏著面露出’再將ACF固定於基板上。然而，若欲將保護薄膜 ' 由ACF剝離，則支持基材會先由ACF剝離，而有難以將 • ACF固定於基板上的情形。而作爲解決該等問題點的手段，例如，於專利文獻1，曾提出改良附支持基材之黏著劑的貼附裝置。 # 專利文獻1 :日本特開2001 - 1 7 1 897號公報》【發明內容】 - 然而，爲了將ACF等設置於支持基材上之黏著層以 . 廣範圍的溫度條件固定於基板上，僅改良附支持基材之黏著劑的貼附裝置並不足夠，而期盼能更加改善。因此，本發明有鑑於上述情事，其目的在於提供一種具備支持基材、與設置於該基材上之由黏著劑組成物所構成之黏著層之黏著薄片，其可較以往以更廣範圍的溫度條件將黏著層充 -6 - (3) 1379876 分地假固定於基板上，並提供使用其之電 ' 造及半導體裝置。 . 本發明，係提供一種黏著薄片，其爲與設置於該基材上之由黏著劑組成物所構支持基材厚度Ts (以下，僅稱爲「Ts」） Ta (以下，僅稱爲「Ta」）爲滿足下述5 ，且該Ts爲42μπι以下。 0.40 ^ Ta/Ts ^0.65 ( 1 該黏著薄片，可充分地以較以往廣範黏著層假固定於基板上。可達如此效果之楚，但本發明人等係考量爲以下所述。惟於其。 —般而言，黏著劑組成物，係以液狀持基材上後，形成薄膜狀之黏著層。此時與黏著層的機械及熱特性不同，故於支持間產生應力。亦即，當Ta/Ts未滿0.40時 Ta相對的較薄，而於形成黏著層之際支支配性，會因支持基材的種類使黏著層的有變大的傾向。另一方面，若Ta/Ts超過形成時黏著層的物性具支配性，會因黏著層的拉伸或收縮應力有變大的傾向。因此，難以將黏著薄片充分地假固定於基板上路構件的連接構具備支持基材、成之黏著層，該與該黏著層厚度 ;(1 )所示條件圍的溫度條件將要因現今並不清，要因並不限定的狀態塗佈於支，由於支持基材基材與黏著層之，黏著層的厚度持基材的物性具拉伸或收縮應力 0.65，則黏著層劑的種類使黏著，於如此之狀態，而即使可假固 (4) 1379876 '定，於剝離支持基材時，黏著層亦容易由基材剝離。因此 '* ，藉由使Ta與Ts滿足上述（1)所示之條件，可緩和將 . 黏著層形成於支持基材上時之支持基材與黏著層之間所產生的應力，並可將黏著薄片充分地假固定於基板上。再者，若Ts爲42μιη以下，則於將黏著薄片固定於基板後，可增大將支持基材由黏著層剝下時支持基材與黏著層之剝離點的角度，而能容易地進行支持基材的去除。因 φ 此，可防止黏著層的邊緣部等局部或全部由基板剝離。因此，本發明之黏著薄片，可充分地以較以往廣範圍的溫度條件將黏著層假固定於基板上。又，若Ta/Ts超過0.65，則由於黏著層的厚度Ta相對的較厚，故將黏著片假固定之際，黏著劑組成物會滲出而移至支持基材之側面部或設置黏著層側之相反側的表面。因此，於除去支持基材時於黏著層的邊緣部有密合不良的傾向、或壓接頭被污染的傾向。 • 本發明之黏著薄片，於黏著層上，再設有保護薄膜，且該保護薄膜的厚度Tp (以下，僅稱爲「Tp」）以爲Ts 以下爲佳。藉此，將保護薄膜由黏著層除去之際，可更有 - 效地防止黏著層由支持基材剝落。 . 於本發明之黏著薄片，支持基材及黏著層間的剝離強度’較佳爲’保護薄膜及黏著層間的剝離強度以上。於此場合’將保護薄膜由黏著薄片剝離之際，可防止黏著層由支持基材剝離，故可以較以往廣範圍的溫度條件，將黏著層更有效地假固定於基板上。 -8- (5) (5)

1379876 本發明之黏著薄片，黏著劑組成物，較佳: 塑性樹脂、自由基聚合性化合物及自由基聚合; 此之黏著劑組成物所構成之黏著層，與各種基優異，故本發明之黏著薄片，可以較以往廣範f 件，將黏著層更有效且確實地假固定於基板上。本發明之黏著薄片，黏著劑組成物，較佳j 塑性樹脂、熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑。如i 組成物所構成之黏著層，與各種基板的黏著性ί 發明之黏著薄片，可以較以往廣範圍的溫度條ί 層更有效且確實地假固定於基板上。本發明之黏著薄片，較佳爲，黏著劑組成if 電性粒子。藉此，黏著劑組成物其本身容易具巧性。因此，具備由該黏著劑組成物所構成之黏著薄片，可顯示更良好之電性連接的異向性。於本發明之黏著薄片，支持基材，較佳爲，以上選自聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、定向聚丙聚乙烯薄膜及聚醯亞胺薄膜所成群之薄膜。藉此之黏著薄片，可較以往以更廣範圍的溫度條件將固定於基板上，而可更有效地發揮本發明之效果本發明，亦提供一種電路構件的連接構造， 1電路基板的主面上形成有第1電路電極的第1 、第2電路基板的主面上形成有第2電路電極的構件、與設置於該第1電路基板的主面與該第2 的主面之間、且電性連接處於相對配置狀態下之 I，含有熱 f始劑。如 ί的黏著性 I的溫度條 $，含有熱 :之黏著劑〖異，故本 :，將黏著丨再含有導自體導電層的黏著具備1種烯薄膜、，本發明黏著層假〇其具備第電路構件第2電路電路基板該第1電 -9- (6) 1379876 路電極與該第2電路電極之電路連接構件，而該電路連接構件，係爲上述黏著薄片中之黏著層的硬化物。如此之電 - 路構件的連接構造，由於電路連接構件爲本發明之黏著薄 . 片中之黏著層的硬化物所構成，故可較以往以更廣範圍的溫度條件將黏著層假固定於基板上。又，該連接構造，可充分確保相對向之電極彼此的導電性、與相鄰接電極彼此之絕緣性。 # 再者，本發明一提供一種半導體裝置，其具備半導體元件、載持該半導體元件之基板、與設置於該半導體元件與該基板間、且電性連接該半導體元件及該基板之半導體元件連接構件，而該半導體元件連接構件，係上述黏著薄片中黏著層的硬化物。如此之半導體裝置，由於半導體連接構件爲本發明之黏著薄片中黏著層的硬化物所構成，故可較以往以更廣範圍的溫度條件將黏著層假固定於基板上。又，該半導體裝置，可充分確保半導體元件及基板間的 ® 導電性。藉由本發明，可提供一種黏著薄片，其具備支持基材、與設置於該基材上之含有黏著劑組成物之黏著層，其可 - 較以往以更廣範圍的溫度條件將黏著層假固定於基板上。【實施方式】以下，視需要參照圖式，詳細地說明本發明之較佳實施形態。又’圖式中，對同一要素係附以相同符號，並省略重複說明。又，上下左右等位置關係，除特別說明以外 -10- (7) 1379876 ，係根據圖式所示之位置關係。再者，圖式之尺寸比率，並不限於圖示之比率。又，本說明書中「（甲基）丙烯酸」係指「丙烯酸」及其所對應之「甲基丙烯酸」之意，（甲基）丙烯酸酯」係指「丙烯酸酯」及其所對應之「甲基丙烯酸酯」之意。 (黏著薄片） φ 本發明之較佳實施形態之黏著薄片，係具備支持基材與設置於該基材上之由黏著劑組成物所構成之黏著層。於本發明之黏著薄片，支持基材上所設置之黏著層，較佳爲，由含有熱塑性樹脂、自由基聚合性化合物及自由基聚合啓始劑之黏著劑組成物所構成。本發明所使用之熱塑性樹脂，並無特別限制而可使用周知者。具體而言，可使用例如苯氧樹脂、聚乙烯甲醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯丁醛樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺 φ 樹脂'二甲苯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等。該等可使用單獨1種、亦可混合2種以上使用。再者，該等樹脂，亦可於分子內含有矽氧烷鍵或氟取代基。該等，只要混合之樹 * 脂彼此完全溶解、或產生微相分離而呈白濁之狀態即可使用0 熱塑性樹脂，可使黏著性組成物的薄膜形成性良好。所謂薄膜形成性，係將液狀之黏著劑組成物固形化、作成薄膜狀時’顯示不易裂痕、破裂、黏住之機械特性者β若於一般之狀態（例如’常溫）下作爲薄膜的操作容易，則 -11 - (8) (8)1379876 可稱爲薄膜形成性良好。該等熱塑性樹脂之中，由於黏著性、相溶性、耐熱性及機械強度優異，故較佳爲使用苯氧樹脂。苯氧樹脂，可藉由將 2官能苯酚類與表鹵醇（ epihalohydrin)反應至高分子量、或將2官能環氧樹脂與 2官能苯酚類聚加成以製得。又，苯氧樹脂，亦可以自由基聚合性之官能基、或其他之反應性化合物變性。苯氧樹脂，可單獨使用1種、或組合2種以上使用。又，上述熱塑性樹脂的分子量並無特別限制，但熱塑性樹脂的分子量愈大愈容易形成後述之薄膜，亦可將影響黏著劑之流動性之熔融黏度設定爲廣範圍。只要可將熔融黏度設定爲廣範圍，則當使用於半導體元件或液晶元件等之連接時，即使元件間及配線間間距狹小化，更可防止黏著劑附著於周邊構件，而可提昇生產率。一般之重量平均分子量，較佳爲5000-150000、特佳爲10000〜80000。重量平均分子量若未滿5 000，則作爲後述薄膜使用時，薄膜形成性有不充分的傾向，而若重量平均分子量超過150000 ，則與其他成分的相溶性有變差的傾向。又，本說明書中之重量平均分子量，係根據以下條件以凝膠滲透層析（GPC )分析以下述條件測定，使用標準聚苯乙烯之檢量線進行換算以求得。 (GPC條件）使用機器：日立L-6000型（（股）日立製作所製、 -12- (9) 1379876 商品名） ·' 檢測器：L-3300RI ((股）日立製作所製、商品名） _ 管柱：結魯巴股GL-R420 +結魯巴股GL-R430 +結魯巴股GL-R440 (計3根）（日立化成工業（股）製、商品名）溶離液：四氫呋喃

測定溫度：40°C 流量 1 .7 5 m L/m i η 本發明之自由基聚合性化合物，係具有可藉自由基聚合之官能基者，較佳可使用例如（甲基）丙烯酸化合物、馬來醯亞胺化合物、苯乙烯衍生物。該自由基聚合性化合物，可爲聚合性單體及聚合性寡聚物之任一者，亦可倂用聚合性單體與聚合性寡聚物。聚合性寡聚物一般爲高黏度，故當使用聚合性寡聚物時，較佳爲，倂用低黏度之聚合性多官能（甲基）丙烯酸酯等聚合性單體以調整黏度。 # 自由基聚合性化合物，可使用將（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸酯或丙烯腈中之至少一者作爲單體成分之聚合物或共聚物。當併用含環氧丙醚基之（甲基）丙烯酸環 - 氧丙酯之共聚物系丙烯酸橡膠時，由於對應力緩和優異， , 故較佳。上述丙烯酸橡膠之重量平均分子量，由可提高黏著劑組成物之凝集力的觀點考量，以20萬以上爲佳。自由基聚合性化合物，可舉例如（甲基）丙烯酸環氧酯寡聚物、（甲基）丙烯酸胺酯寡聚物、聚醚（甲基）丙烯酸酯寡聚物、聚酯（甲基）丙烯酸酯寡聚物等寡聚物、 -13- (10) 1379876 三（甲基）丙烯酸三羥甲基丙酯、二（甲基）丙二醇酯、二（甲基）丙烯酸聚伸烷二醇酯、（甲酸二環戊烯酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯氧基乙甲基）丙烯酸二新戊四醇酯、三聚異氰酸變性2 基）丙烯酸酯、三聚異氰酸變性3官能（甲基）、2,2’-二（甲基）丙烯醯氧基乙基磷酸酯、2-( 烯醯氧基乙基酸性磷酸酯等多官能（甲基）丙烯物。該等化合物，可單獨使用1種或混合2種以_ 自由基聚合性化合物的配合比例，對於熱 1 〇〇質量份，較佳爲50~250質量份、更佳爲60-份。自由基聚合性化合物的配合比例若未滿50 則黏著劑組成物之硬化物的耐熱性有降低的傾 2 5 0質量份，則黏著劑組成物之薄膜形成性有不向。本發明之該自由基聚合啓始劑，可使用習知化合物（有機過氧化物）、偶氮化合物或光啓始熱及光照射之至少一處理而分解而產生游離自由物。有機過氧化物及偶氮化合物，主要係藉加熱離自由基。將該等化合物作爲自由基聚合啓始劑可視日的之連接溫度、連接時間、適用期等由有物及/或偶氮化合物加以適當選擇1種或2種以上有機過氧化物，由兼顧高反應性與長適用期量，較佳爲，10小時半衰期溫度爲40°c以上、j 半衰期溫度爲180°C以下之有機過氧化物，更佳| 烯酸聚乙基）丙烯酯、六（官能（甲丙烯酸酯甲基）丙酸酯化合 t使用。塑性樹脂 -1 50質量質量份，向，而若充分的傾之過氧化劑等藉加基之化合而產生游使用時，機過氧化〇的觀點考 1 1分鐘 I ，10 小 -14- (11) 1379876 時半衰期溫度爲6 0°c以上、且1分鐘半衰期溫度爲17〇°C 以下之有機過氧化物。又，有機過氧化物，爲了防止電路構件之電路電極（連接端子）的腐蝕，氯離子或有機酸的含量以5000ppm以下爲佳。有機過氧化物，具體而言，較佳爲使用選自二乙醯基過氧化物、過氧化二碳酸酯、過氧酯、過氧化縮酮、二烷基過氧化物、氫過氧化物及矽烷基過氧化物所構成群中之 1種以上。該等之中，由兼顧保存時之高保存安定性與使用時之高反應性的觀點考量，較佳爲，選自過氧酯、過氧化縮酮、二烷基過氧化物、氫過氧化物及矽烷基過氧化物所構成群中之1種以上之有機過氧化物。再者，由可得較高反應性的觀點考量，有機過氧化物，較佳爲過氧酯及/ 或過氧化縮酮。該等，可單獨使用1種或混合2種以上使用。二乙醯基過氧化物，可舉例如異丁基過氧化物、2，4-二氯苯甲醯過氧化物、3,5,5-三甲基己醯基過氧化物、辛醯基過氧化物、月桂醯基過氧化物、硬脂醯基過氧化物、琥珀醯過氧化物、苯甲醯過氧化甲苯及苯甲醯過氧化物。該等可單獨使用1種或混合2種以上使用。舉苯可丙，異物二化、氧苯過基基丙院異 α 如例基丁級三及烷己化氧過基丁級二三 )( 化二物化氧過基氧 5，物過-2,化基基氧丁甲過級二基三,5-苯 C 2，丙雙、異

OmM ，種 1酯用酸使碳獨二單化可氧等過該用使上以 tli— 種 2 合混或酯丙正 I二酸碳二化氧過如例舉可 -15 - (12) (12)1379876 、過氧化二碳酸二異丙酯、過氧化二碳酸雙（4-三級丁基環己）酯、過氧化二碳酸二-2·乙氧基甲氧酯、雙（2-乙基己基過氧化）二碳酸酯、過氧化二碳酸二甲氧基丁酯及雙 (3_甲基-3-甲氧基丁基過氧化）二碳酸酯。該等可單獨使用1種或混合2種以上使用。過氧酯，可舉例如異丙苯基過氧新癸酸酯、1，1，3,3-四甲基丁基過氧新癸酸酯、1-環己基-1-甲基乙基過氧新癸酸酯、三級己基過氧新癸酸酯、三級丁基過氧三甲基乙酸酯、1，1,3,3-四甲基丁基過氧-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基- 2.5- 雙（2-乙基己醯過氧）己烷、1-環己基-1-甲基乙基過氧-2-乙基己酸酯、三級己基過氧-2-乙基己酸酯、三級丁基過氧-2-乙基己酸酯、三級丁基過氧異丁酸酯、1，1-雙（三級丁基過氧）環己烷、三級己基過氧異丙基單碳酸酯、三級丁基過氧-3,5,5-三甲基己酸酯、三級丁基過氧月桂酸酯、2,5-二甲基-2,5·雙（間甲苯過氧）己烷、三級丁基過氧異丙基單碳酸酯、三級丁基過氧-2-乙基己基單碳酸酯、三級己基過氧苯甲酸酯、三級丁基過氧乙酸酯及雙（三級丁基過氧）六氫對苯二甲酸酯。該等可單獨使用1種或混合2種以上使用。過氧化縮酮，可舉例如1，1-雙（三級己基過氧）- 3.3.5- 三甲基環己烷、i，l-雙（三級己基過氧）環己烷、 1,1-雙（三級丁基過氧）-3,3,5-三甲基環己烷、1，1-雙（三級丁基過氧）環癸烷及2,2-雙（三級丁基過氧）癸烷等。該等可單獨使用1種或混合2種以上使用。 -16- (13) (13)1379876 氫過氧化物，可舉例如三異丙苯氫過氧化物及異丙苯氫過氧化物。該等可單獨使用1種或混合2種以上使用。矽烷基過氧化物，可舉例如三級丁基三甲基矽烷基過氧化物、雙（三級丁基）二甲基矽烷基過氧化物、三級丁基三乙烯基矽烷基過氧化物、雙（三級丁基）二乙烯基矽烷基過氧化物、三（三級丁基）乙烯基矽烷基過氧化物、三級丁基三烯丙基矽烷基過氧化物、雙（三級丁基）二烯丙基矽烷基過氧化物及三（三級丁基）烯丙基矽烷基過氧化物。該等可單獨使用1種或混合2種以上使用。又，自由基聚合啓始劑之g合比例，可視日的之連接溫度、連接時間、適用期等加以適當設定。例如，當連接時間爲1 〇秒鐘以下時，爲了得到充分的反應率，自由基聚合啓始劑之配合比例，對自由基聚合性化合物及熱塑性樹脂之合計100質量份，較佳爲〜30質量份，更佳爲 1〜20質量份。自由基聚合啓始劑之配合比例若未滿0.1質量份，則反應率降低，故黏著劑組成物之硬化物會有難以硬化的傾向。而自由基聚合啓始劑之配合比例若超過30 質量％，則黏著劑組成物的流動性降低、連接阻抗上升，使黏著劑組成物的適用期有減短的傾向。本發明之黏著薄片，支持基材上所設置之黏著層，亦可由含有熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑之黏著劑組成物所構成。於該場合，熱塑性樹脂可使用與上述熱塑性樹脂相同者。 -17- (14) (14)1379876 熱硬化性樹脂’以環氧樹脂較佳。環氧樹脂，係將i 分子內具2個以上環氧丙基之各種環氧化合物等單獨地、或混合2種以上使用。具體而言，可舉例如環氧氯丙烷與雙酚A、F或AD等所衍生之雙酚型環氧樹脂、環氧氯丙烷與酚醛清漆或甲酚醛清漆所衍生之環氧酚醛樹脂或具有含萘環骨架之萘系環氧樹脂、環氧丙胺型環氧樹脂、環氧丙醚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、脂環式型環氧樹脂等。該等’可單獨使用1種或混合2種以上使用。環氧樹脂，爲了防止電子遷移，較佳爲，將雜質離子（Na+、（：厂等）及水解性氯等減低至3 OOppm以下之高純度者。上述熱硬化性樹脂之硬化劑，由可得更長適用期的觀點考量，以潛在性硬化劑爲佳。當熱硬化性樹脂爲環氧樹脂時，潛在性硬化劑，可舉例如咪唑系、醯肼系、三氟化硼胺-錯合物、鎏鹽、胺醯亞胺、聚胺之鹽、二氰二醯胺等。又，由可延長使用時間的觀點考量，較佳爲，使用將該等硬化劑以聚胺基甲酸酯系、聚酯系之高分子物質等被覆以微膠囊化者。該等，可單獨使用1種或混合2種以上使用、亦可倂用分解促進劑、抑制劑等。潛在性硬化劑之配合比例’爲了得到充分的反應率’ 對熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂之合計1 0 0質量份，較佳爲 0.1~60質量份，更佳爲1〜20質量份。當潛在性硬化劑之配合比例未滿0.1質量份時’反應率降低、黏著強度降低 ’而連接阻抗有增大的傾向。若潛在性硬化劑之配合比例超過6 0質量份，則黏著劑組成物的流動性降低、連接阻 -18- (15) (15)1379876 抗上升，而黏著劑組成物的適用期有縮短的傾向。該等硬化劑，可單獨或混合使用，亦可混合分解促進劑、抑制劑等使用。又，將上述硬化劑以聚胺基甲酸酯系、聚酯系之高分子物質等被覆以微膠囊化者，由於可延長使用時間故較佳。本發明之黏著劑組成物，即使不含導電性粒子，連接時藉由直接接觸相對向的電路電極可連接。另一方面，當含有導電性粒子時，由於可得到更安定的連接，故較佳。本發明之視需要所含之導電性微粒子，只要具有可得電性連接之導電性者即可，並無特別限制。導電性粒子，可舉例如Au、Ag、Ni、Cu及焊錫等之金屬粒子或碳等。又，導電性粒子，亦可爲將作爲核之粒子以1層或2層以上的層被覆，而其最外層爲具導電性者。於該場合，由可得更優異之適用期的觀點考量，最外層，較Ni、Cu等過渡金屬，較佳爲以Au、Ag及/或鉑族金屬等貴重金屬爲主成分，更佳爲由該等貴重金屬之至少1種以上構成。該等貴重金屬之中，以Au爲最佳。導電性粒子，亦可爲將核之以過渡金屬爲主成分之粒子或被覆核之以過渡金屬爲主成分之層的表面，再以以貴重金屬爲主成分之層被覆所構成者。又，導電性粒子，亦可爲將非導電性之玻璃、陶瓷、塑膠等爲主成分之絕緣性粒子作爲核，於該核的表面上以以上述金屬或碳爲主成分之層被覆者。導電性粒子，當爲將絕緣性粒子之核以導電層被覆所 -19- (16) (16)

1379876 構成者時，較佳爲，絕緣性粒子係以塑膠爲外層以貴重金屬爲主成分者。藉此，將黏著電路連接材料等電性連接材料使用時，導電熱及加壓可產生良好的變形。並且，於電路電性粒子與電極及連接端子之接觸面積增加提昇電性連接材料之連接可靠性。由同樣的粒子，較佳爲，含有因上述加熱而熔融之金粒子。導電性粒子，當爲將絕緣性粒子之核以_ 構成者時，爲了得到更良好之導電性，導電 100A ( 10nm )以上爲佳。又，導電性粒子，核之以過渡金屬爲主成分之粒子或被覆核之主成分之層的表面，再以貴重金屬爲主成分5 ，最外層之以上述貴重金屬爲主成分之層 3 00A ( 30nm )以上爲佳。其厚度若爲30〇A I；層容易破裂。其結果，露出的過渡金屬會與裂觸，由於過渡金屬之氧化還原作用，容易產生 ’故適用期有容易降低的傾向。另一方面，若厚度變厚，則該等之效果會飽和，故其厚度以佳。

使用導電性粒子時之配合比例，並無特別著劑組成物100體積份，較佳爲0.1〜30體積 0.1〜10體積份。該値，若未滿〇」體積份，貝! 良好導電性的傾向，而若超過30體積份，貝IJ 三成分，而最 !!組成物作爲 b粒子對於加 J連接時，導因此，可更 ί點，導電性 f爲主成分之〖電層被覆所層的厚度以當爲將作爲 :過渡金屬爲 :層被覆者時的厚度，以〔下，則最外 i著劑成分接 .游離自由基該導電層的 Ιμπι以下爲限制，對黏 :份、更佳爲丨有難以得到有容易引起 -20- (17) (17)1379876 電路等之短路的傾向。又，導電性粒子的配合比例（體積份），係基於23 °C下之黏著劑組成物硬化前之各成分之體積來決定。各成分的體積，可由利用比重由重量換算體積的方法，或將該成分投入裝有不溶解該成分、不使其澎潤而將該成分濕潤之適當溶劑（水、乙醇）之量筒等之容器 ’由所增加之體積計算出的方法來求得。黏著劑組成物，除上述者以外，亦可視使用目的添加其他材料。例如，亦可於該黏著劑組成物，適當添加耦合劑及密合性提昇劑、整平劑等黏著助劑。藉此，可賦予更良好之密合性及操作性。又，本發明之黏著劑組成物，亦可涵有橡膠。藉此，可提昇應力的緩和及黏著性。再者，爲了硬化速度的控制及賦予貯藏安定性，亦可於該黏著劑組成物添加安定劑。再者，於黏著劑組成物，亦可配合塡充材料、軟化劑、促進劑 '抗老化劑、著色劑、難燃劑、觸變劑、酚權樹脂、三聚氰胺樹脂、異氰酸酯等。黏著劑組成物，當含有塡充材料（塡料）時，由於可提昇連接可靠性，故較佳。塡充材料，係具有絕緣性者，只要其最大徑未滿導電性粒子的平均粒徑者即可使用》塡充材料之配合比例，對於黏著劑組成物1 0 0體積份，以 5〜60體積份爲佳。若塡充材料之配合比例超過60體積份，則可靠性提昇的效果有飽和的傾向，當未滿5體積份時，塡充材料之配合效果有減小的傾向。耦合劑，由黏著性提昇的觀點考量，較佳可使用酮亞胺、乙烯基、丙烯酸基、胺基、環氧基及異氰酸酯基之含 -21 - (18) (18)1379876 有物。具體而言，具有丙烯酸基之矽烷耦合劑，可舉例如 (3-甲基丙烯醯氧基丙基）三甲氧矽烷、（3-丙烯醯氧基丙基）三甲氧矽烷、（3-甲基丙烯醯氧基丙基）二甲氧基甲基矽烷、（3·丙烯醯氧基丙基）二甲氧基甲基矽烷，具有胺基之矽烷耦合劑，可舉例如N_/3 (胺基乙基）r-胺基丙基三甲氧矽烷、N-冷（胺基乙基）r-胺基丙基甲基二甲氧矽烷、r-胺基丙基三乙氧矽烷、N-苯基-r-胺基丙基甲基二甲氧矽烷等。具有酮亞胺之矽烷耦合劑，可舉例如，於上述具有胺基之矽烷耦合劑，使丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等酮化合物反應所得者。又，具有環氧基之矽烷耦合劑，7-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷、7-環氧丙氧基丙基三乙氧矽烷、r-環氧丙氧基丙基一甲基二甲氧矽烷、r-環氧丙氧基丙基一甲基二乙氧矽烷等。耦贪劑之配合比例，對黏著劑組成物中其他配合物之合計100質量份，以0.1〜20質量份爲佳。當耦合劑之配合比例未滿0.1質量份時，有實質上未得到添加效果的傾向。又，當耦合劑之配合比例超過20質量份時，於支持基材上形成黏著劑組成物所構成之黏著層時之黏著層的薄膜形成性降低，膜厚強度有降低的傾向。於本發明之黏著薄片，所使用之支持基材，以薄片狀或薄膜狀者爲佳。又，支持基材亦可爲層合2層以上之形狀。支持基材，較佳爲，具備選自聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)薄膜、定向聚丙烯（OPP)薄膜、聚乙烯（PE) 薄膜及聚醯亞胺薄膜所構成群中之1種以上之薄膜。該等 -22- (19) (19)1379876 之中，由尺寸精度之提昇與成本降低的觀點考量，以PET 薄膜較佳。又，支持基材，爲了使黏著層更容易由支持基材剝離，亦可視需要於設置黏著層側的表面以脫模處理劑處理。脫模處理劑，可舉例如矽酮、矽酮醇酸、胺基醇酸、烷基醇酸及三聚氰胺。又，支持基材，亦可爲將其表面以聚合物等塗敷者。再者，亦可於支持基材設置抗靜電層。該等之處理，可單獨使用1種或混合2種以上使用。此處，施以表面處理時之支持基材的厚度Ts，係表示施以上述表面處理後之値。本發明所使用之支持基材的厚度Ts，係42μηι以下。若Ts超過42μιη，則黏著層之邊緣部等一部分或全部有由基板剝離的傾向。其係起因於將黏著薄片假固定於基板後，由支持基材剝下黏著層時支持基材與黏著層之剝離點的角度變小，而剝離所需之負荷變大之故。又，支持基材愈厚所使用的原料增加，故所得之黏著薄片的成本有上升的傾向。另一方面，Ts的下限値，只要不因於支持基材上設置黏著層時之熱歷史或機械壓力等而斷裂、或厚度容易改變即可，並無特別限制，但以1 8 μιη以上爲佳。若Ts未滿 18μιη，則由於熱歷史或機械壓力，會有斷裂、或厚度容易改變的傾向。上述之支持基板，可由市售取得、亦可依— 般方法製作。再者’本發明之黏著薄片，支持基材之厚度Ts與黏者層之厚度Ta’係滿足下述式（1)所表示之條件。 -23- (20)1379876 0.40^ Ta/Ts ^ 0.65 由於Ta/Ts爲該範圍內，本發明之黏著薄片，可往以更廣範圍的溫度條件將黏著層充分地假固定於基。Ta/Ts，較佳爲0.42以上0.63以下、更佳爲0.45 0.60以下、特佳爲0.47以上0.58以下。當Ta/Ts未滿0.40時，黏著層的厚度Ta相對地，於形成黏著層時支持基材的物性具支配性，會因支材的種類而使黏著層之拉伸或收縮應力有變大的傾向 —方面，若Ta/Ts超過0.65，則黏著層形成時黏著層性具支配性，會因黏著劑的種類使黏著層的拉伸或收力有變大的傾向。因此，於如此之狀態，難以將黏著充分地假固定於基板上，而即使可假固定，於剝離支材時，黏著層有容易由支持基材剝離的傾向、或黏著邊緣部分有產生密合不良的傾向。因此，藉由使Ta ί 滿足上述（1 )所示之條件，可緩和將黏著層形成於基材上時之支持基材與黏著層之間所產生的應力，並黏著薄片充分地假固定於基上。又，若Ta/Ts超過0. 則黏著層的厚度Ta相對地增厚，故於將黏著薄片假之際，黏著劑組成物會滲出而移至支持基材之側面部置黏著層側之相反側的表面。因此，於除去支持基材黏著層的邊緣部有密合不良的傾向、或壓接頭被污染向。於本發明之黏著薄片，於支持基材上設置黏著層較以板上以上變薄持基。另的物縮應薄片持基層的 E Ts 支持可將 6 5，固定或設時於的傾的方 -24- (21) (21)1379876 法，可舉例如，將黏著劑組成物以溶劑溶解而塗佈於支持基材上後將溶劑除去的方法、將黏著劑組成物加溫以確保流動性而直接塗佈於支持基材上後進行冷卻的方法、將支持基材貼合於事先形成之黏著層的方法等》本發明之黏著薄片，可使用上述任一方法來製作。本發明爲了更有效且確實地發揮上述效果，於支持基材上設置黏著層的方法，較佳爲，將黏著劑組成物以溶劑溶解而塗佈於支持基材上後將溶劑除去的方法，或者，將黏著劑組成物加溫以確保流動性而直接塗佈於支持基材上後進行冷卻的方法。又，支持基材上所設置之黏著層，可爲單層、亦可爲重疊組成相異之2層以上的構成。上述黏著薄片，亦可於黏著層上再設置保護薄膜。保護薄膜，並無特別限制，但較佳爲，具備選自聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET )薄膜、定向聚丙烯（OPP )薄膜、聚乙烯（PE)薄膜及聚醯亞胺薄膜所構成群中之1種以上之薄膜。該等之中，由減低成本的觀點考量，以PE或PET 薄膜較佳。配置保護薄膜的方法，有於黏著薄片之黏著層表面再將保護薄膜以層壓機等層合的方法、將黏著薄片與配置有其他黏著層之保護薄膜以黏著層彼此貼合的方法等，並無特別限制。保護薄膜，亦可視需要以脫模處理劑進行表面處理。脫模處理劑，可舉例如矽酮、矽酮醇酸、胺基醇酸、烷基醇酸及三聚氰胺。又，亦可將保護薄膜之表面以聚合物等 -25- (22) (22)1379876 塗敷。再者，亦可於保護薄膜設置抗靜電層。該等可單獨使用1種或混合2種以上進行處理。施有表面處理時之保護薄膜的厚度Tp，通常係施以表面處理後之厚度。上述保護薄膜的厚度Τρ，於除去保護薄膜時，爲了防止黏著層由支持基材剝離，以爲支持基材的厚度Ts以下爲佳。於本發明之黏著薄片，支持基材及黏著層間之剝離強度，較佳爲，保護薄膜及黏著層間的剝離強度以上。支持基材及黏著層間之剝離強度，若未滿保護薄膜及黏著層間的剝離強度，則欲由黏著層剝離保護薄膜時，支持基材及黏著層間會有先剝離的傾向。又，上述剝離強度間的關係，例如，可對將支持基材與黏著層層合所構成之層合體、及將黏著層與保護薄膜層合所構成之層合體，分別使用市售之流變計（rehometer)，由以拉伸速度50mm /分鐘剝離時之拉伸強度値來比較。本實施形態之黏著薄片，可以30〜80 °C之廣溫度範圍固定於被黏著體。此時之加熱時間，並無特別限制，但以 0.1〜10秒鐘較佳、更佳爲0.3〜8秒鐘、再更佳爲0.5〜5秒鐘。當未滿0.1秒鐘時，會成爲實質上幾乎未施加壓力的狀態，而有密合不良的傾向。另一方面，當超過10秒鐘時，會有生產性降低的傾向。又，將黏著薄片固定時之加壓壓力，並無特別限制。惟，以每黏著層之被黏著體之面積爲0.1 ~10MPa爲佳。之後，除去支持基材，可併用加熱及加壓將被黏著體黏著。加熱溫度，並無特別限制，但以 -26- (23) (23)1379876 100〜250 °C之溫度較佳。壓力’只要爲不損傷被黏著體的範圍即可，並無特別限制，但一般以O.^MMPa較佳。該等加熱及加壓，較佳爲以0.5〜120秒鐘之範圍進行。例如 ’於溫度14 0〜200°C、壓力3MPa的條件下，藉由進行1〇秒鐘加熱及加壓，可使黏著層與被黏著體黏著。本實施形態之黏著薄片’亦可作爲將相異種類之被黏著體’例如，半導體晶片、阻抗體晶片、電容器晶片等晶片零件、或印刷基板等電路構件彼此連接之電路連接材料使用。具體而言，除以異向導電性薄膜爲代表之上述及於後詳述之電路連接材料之外，亦可作爲以CSP ( chip scale packaging，晶片尺度封裝）用彈性體、CSP用底膜材、 LOC (lead on chip，引線覆晶片）捲帶等爲代表之半導體元件黏著材料使用。 (電路構件之連接構造）接著，說明本發明之電路構件之連接構造之較佳實施形態。圖1，係顯示本發明之電路構件之連接構造之一實施形態的槪略截面圖。如圖1所示，本實施形態之電路構件之連接材料1，具備彼此相對向之第1電路構件20及第 2電路構件30，於第1電路構件20與第2電路構件30之間’設置有將該等電性連接之電路連接構件10。第1電路構件20，具備第1電路基板21、與形成於電路基板21之主面21a上之第1電路電極22。又，於電路基板21之主面2 1 a上’亦可視情形形成絕緣層（未圖示）。 -27- (24) (24)1379876 另一方面，第2電路構件30，具備第2電路基板31 、與形成於第2電路基板31之主面31a上之第2電路電極32。又，於電路基板31之主面31a上，亦可視情形形成絕緣層（未圖示）。第1電路構件20及第2電路構件30，只要形成有電性連接所必須之電極者即可，並無特別限制。具體而言，可舉例如，液晶顯示器所使用之ITO等之形成有電極之玻璃或塑膠基板、印刷配線板、陶瓷配線板、彈性配線板、半導體矽晶圓等，該等可視需要組合使用，如此，本實施形態，印刷配線板或聚醯亞胺等有機物所構成之材質等之具有銅、銘等金屬或ITO ( indium tin oxide，姻錫氧化物 )、氮化矽（SiNx)、二氧化矽（Si02)等無機材質等之各式各樣表面狀態之電路構件。電路連接構件10，含有絕緣性物質11及導電性粒子 7。導電性粒子7，不僅於相對向之第1電路電極22與第 2電路電極32之間，亦配置於主面21a與31a之間。於本實施形態之電路構件之連接構造1，第1電路電極22與第 2電路電極32，係透過導電性粒子7而電性連接。因此，可充分減低第1電路電極22及第2電路電極32之間之連接電阻。因此，可使第1電路電極22及第2電路電極32 之間之電流的流動滑順，而可充分發揮電路所具之機能。又，藉由使該導電性粒子7爲上述配合比例，亦可顯示電性連接之異向性。接著，說明電路連接構件不含導電性粒子時之本發明 -28- (25) (25)1379876 之電路構件之連接構造的較佳形態。圖2，係顯示本發明之電路構件之連接構造之一實施形態的槪略截面圖。如圖 2所示，本實施形態之電路構件之連接材料2，具備彼此相對向之第1電路構件20及第2電路構件30,於第1電路構件20與第2電路構件30之間，設置有將該等電性連接之電路連接構件15。第1電路構件20，具備第1電路基板21、與形成於電路基板21之主面21a上之第1電路電極22。又，於電路基板21之主面21a上，亦可視情形形成絕緣層（未圖示）。另一方面，第2電路構件30，具備第2電路基板31 、與形成於第2電路基板31之主面31a上之第2電路電極32。又，於電路基板31之主面31a上，亦可視情形形成絕緣層（未圖示）。電路連接構件15，含有絕緣性物質11而不含導電性粒子7。因此，爲了使第1電路電極22與第2電路電極 32之間流通所需量的電流，而藉由使該等直接接觸或十分靠近來電性連接。此時，藉由調整第1電路電極22與第2 電路電極3 2間的位置，亦可顯示電性連接的異向性。電路連接構件10及15,係具備本發明之黏著薄片之黏著層的硬化物。因此，可充分防止電路連接構件10及 15的一部分剝離除去、及支持基材45的一部分殘存。藉此，可提高電路連接構件10及15對第1電路構件20或第2電路構件30的黏著強度。因此，可電性連接第丨電路構件22或第2電路構件3 2間。 -29- (26) (26)1379876 (電路構件之連接構造的製造方法）接著，參照其工程圖之圖3，說明上述之電路構件之連接構造的製造方法。又，此處係說明黏著劑組成物含有熱塑性樹脂、自由基聚合性化合物及自由基聚合啓始劑之情形。首先，準備上述之第1電路構件20、與將薄膜狀電路連接材料40設置於支持基材45上之黏著薄片（參照圖3 (a))。薄膜狀電路連接材料40，係將電路連接材料成形爲薄膜狀者。電路連接材料，含有黏著劑組成物5、與視需要之導電性粒子7。此處，於黏著劑組成物5，係使用上述之本發明之黏著劑組成物。薄膜狀電路連接材料40的厚度，以7〜2 8 μπι較佳。當薄膜狀電路連接材料40的厚度未滿7μιη時，於電路電極 22、23間之電路連接材料會有充塡不足的傾向。另一方面，若超過28μιη，則電路電極22、23間之黏著劑組成物無法充分排除，而有難以確保電路電極22、23間之導通的傾向。接著，將上述黏著薄片以使薄膜狀電路連接材料40 側面向第1電路構件20的方式，裝載於第1電路構件20 之形成電路電極22的面上。此時’薄膜狀電路連接材料 40爲薄膜狀，操作容易。因此，第1電路構件20與第2 電路構件30之間可容易地存在薄膜狀電路連接材料40，而可容易地進行第1電路構件20與第2電路構件30的連 -30- (27) (27)1379876 接。接著，將黏著薄片，朝圖3(a)之箭號A及B方向加壓’將薄膜狀電路連接材料40假固定於第1電路構件 20°此時，亦可邊加熱邊加壓。但，加熱溫度係薄膜狀電路連接材料40中之黏著劑組成物不會硬化的溫度，亦即較自由基聚合啓始劑產生自由基之溫度低的溫度。接著，，將支持基板45自薄膜狀電路連接材料40剝離（參照圖3 (b)。當剝離支持基材45時，不會有薄膜狀電路連接材料40的一部分或全部由基板剝離、或殘存一部分的支持基材45的情形下，將支持基材45剝離。接著，如圖3(c)所示，將第2電路構件30，使第2 電路電極面向第1電路構件20的方式，裝載於薄膜狀電路連接材料40上。接著，將薄膜狀電路連接材料40於加熱下，透過第1 及第2電路構件20、30朝圖3(c)之箭號A及B方向加壓。此時之加熱溫度，係自由基聚合啓始劑可產生自由基的溫度。藉此，於自由基聚合啓始劑產生自由基，而自由基聚合性化合物開始聚合。如此，薄膜狀電路連接材料40 經硬化處理，進行本連接，而得到圖1所示之電路構件之連接構造。加熱溫度，設爲例如90〜200°C，連接時間設爲例如1 秒鐘〜1 0分鐘。該等條件，可視使用用途、黏著劑組成物、電路構件加以適當選擇，亦可視需要進行後硬化。若如上述製造電路構件之連接構造，則於所得電路構 -31 - (28) (28)1379876 件之連接構造，對向於導電性粒子7之電路電極22、32 之雙方可接觸，而可充分減低電路電極22、32間之連接阻抗。又，藉由薄膜狀電路連接材料40的加熱’可以將電路電極22與電路電極32之間的距離充分縮小的狀態’使黏著劑組成物5硬化而成爲絕緣性物質11，而第1電路構件20與第2電路構件30透過電路連接構件1〇而強固地連接。亦即，於所得之電路構件的連接構造，電路連接構件10，係由含上述黏著劑組成物之電路連接材料之硬化物所構成。藉此，可充分防止電路連接構件10的一部分剝離除去、或支持基材45的一部分殘存。因此，可充分提高電路連接構件10對電路構件20或30之黏著強度，且可充分減低電路構件20、30間之連接阻抗。又，黏著劑組成物5，可爲含有至少藉加熱而產生自由基之自由基聚合啓始劑者，亦可取代該自由基聚合啓始劑而使用僅以光照射產生自由基之自由基聚合啓始劑。於該場合，於薄膜狀電路連接材料40之硬化處理之際，可取代加熱而進行光照射。另外，亦可視需要使用藉超音波、電磁波而產生自由基之自由基聚合啓始劑。又，黏著性組成物5之硬化性成分，亦可使用環氧樹脂及潛在性硬化劑。又，亦可使用其他的導電材料取代導電性粒子7。其他導電材料，可舉例如粒子狀、或短纖維狀之碳、鍍Au 之Ni線等金屬線條等。 -32- (29) (29)1379876 薄膜狀電路連接材料40，由於係由本發明之黏著薄片之黏著層所構成，故可較以往以更廣範圍的溫度條件將薄膜狀電路連接材料40假固定於基板上。因此，假固定後，將支持基材45剝離之際，可充分防止支持基材45與薄膜狀電路連接材料40 —同由基板剝離、薄膜狀電路連接材料4〇之一部分剝離除去、及殘存一部分之支持基材45 。藉此，使用薄膜狀電路連接材料40製造電路連接構件之連接構造之際的製程範圍可增廣、生產良率可提昇。又，當電路連接材料未含有導電性粒子7時，藉該製造方法所得之連接構造係如圖2所示者。 (半導體裝置）接著，說明本發明之半導體裝置的實施形態。圖4, 顯示本發明之半導體裝置之一實施形態的槪略截面圖。如圖4所示，本實施形態之半導體裝置3，具備半導體元件 50、與半導體之支持構件之基板60，而於半導體元件50 與基板60之間，設置有將該等電性連接之半導體元件連接構件80。又，半導體元件連接構件80，係層合於基板 60之主面60 a上，而半導體元件50再層合於該半導體元件連接構件8 G上。基板60，具備電路圖型61，電路圖型61，係於基板 60之主面60a上透過半導體元件連接構件80或直接與半導體元件50電性連接·»而該等係以密封材70密封，而形成半導體裝置3。 -33- (30) (30)1379876 半導體元件50的材料，並無特別限制，可使用矽、嫁之14族之半導體兀件、GaAs、InP、GaP、InGaAs、 InGaAsP、AlGaAs、InAs、GalnP、AllnP、AlGalnP、 GaNAs、GaNP、GalnNAs、GalnNP、GaSb、InSb、GaN、 AIN、InGaN、InNAsP等13 — 15族化合物半導體元件、 HgTe 、 HgCdTe 、 CdMnTe 、 CdS 、 CdSe 、 MgSe 、 MgS 、 ZnSe、ZeTe等12-16族化合物半導體元件、及CnInSe( CIS )等之各種。半導體元件連接構件80，含有絕緣性物質11及導電性粒子7。導電性粒子7，不僅於半導體元件50與電路圖型61之間，亦配置於半導體元件50與主面60a之間。於本實施形態之半導體裝置3，半導體元件50與電路圖型 61，係透過導電性粒子7電性連接。因此，可充分減低半導體元件50及電路圖型61間之連接阻抗。因此，可使半導體元件50及電路圖型61間之電流的流通滑順，而可充分地發揮半導體所具有之機能。又，藉由使導電性粒子7 爲上述之配合比例，亦可顯示電性連接之異向性。又，當半導體元件連接構件80不含導電性粒子7時 (未圖示），可使半導體元件50與電路圖型61以所需量之電流流通的方式，以直接接觸或充分靠近來電性連接。半導體元件連接構件80，係以本發明之黏著薄片之黏著層的硬化物來構成。因此，可充分防止半導體元件連接構件80的一部分剝離除去、或殘存一部分的支持基材45 。藉此，可充分提高半導體元件連接構件80對半導體元 -34- (31) (31)1379876 件50及基板60之黏著強度。因此，半導體元件50與電路圖型61間可電性連接。以上，說明本發明之較佳實施形態，但本發明並不限於該等。實施例以下，藉實施例，更詳細地說明本發明，但本發明並不限於該等實施例。 <黏著劑組成物的調製> (導電性粒子之製作）於聚苯乙烯粒子的表面上，設置厚度0.2μιη之鎳所構成之層，再於該鎳所構成之層的表面上，設置厚度 0·02μπι之金所構成之層。如此製得平均粒徑4μηι、比重 2 · 5之導電性粒子。 (黏著劑組成物（I )的調製）於苯氧樹脂（重量平均分子量45000，聯合碳化物公司製，商品名「PKHC」）30質量份，加入2官能環氧樹脂（大日本油墨公司製，商品名「HP-4043D」）20質量份、矽烷耦合劑（信越矽酮公司製，商品名「SH6040」）

1質量份、·氧化矽塡料（阿德瑪鐵克斯公司製，商品名「 SE2050、平均粒徑〇·4〜〇·6μιη」）5質量份及咪哩環氧加成體微膠囊（旭化成公司製、商品名「諾巴寇亞3 49 1 HP -35- (32) (32)1379876 」）35質量份、以及甲苯25質量份及乙酸乙酯25質量份 ’混合攪拌，製得黏著劑組成物（I)。 (黏著劑組成物（II)的調製）於黏著劑組成物（I) 100體積份，加入上述導電性粒子10體積份，混合攪拌，製得黏著劑組成物（II)。 (黏著劑組成物（III)的調製）於苯氧樹脂（重量平均分子量45000，聯合碳化物公司製，商品名「PKHC」）65質量份，加入2官能環氧樹脂（油化凝膠環氧公司製，商品名「EP828」）35質量份、矽烷耦合劑（信越矽酮公司製，商品名「SH6040」）4 質量份、塡充材之氫氧化鋁5質量份、苄基鎏鹽（三新化學工業公司製、商品名「SI-60L」）5質量份、以及甲苯 25質量份及乙酸乙酯25質量份，混合攪拌，製得黏著劑組成物（III)。 (黏著劑組成物（IV )的調製）於黏著劑組成物（III ) 1 00體積份，加入上述導電性粒子1 〇體積份，混合攪拌，製得黏著劑組成物（IV )。 (黏著劑組成物（V)的調製）於苯氧樹脂（東都化成股份有限公司製，商品名「 ZX 1 3 56-2」）50質量份，加入多官能丙烯酸酯（東亞合 -36- (33) 1379876 • 成化學公司製，商品名「阿羅尼克斯M315」）15質量份 . '丙烯酸胺酯（共榮社化學公司製、商品名「AT-600」） 35質量份、矽烷耦合劑（信越矽酮公司製’商品名「 SZ6 030」）5質量份、自由基聚合啓始劑之2,5-二甲基-^ 2,5-(2-乙基己醯過氧）己烷（日本油脂公司製）3質量份、以及甲苯25質量份及乙酸乙酯25質量份，混合攪拌，製得黏著劑組成物（V )。 (黏著劑組成物（VI )的調製）於黏著劑組成物（V) 100體積份，加入上述導電性粒子1 〇體積份，混合攪拌，製得黏著劑組成物（VI)。 (實施例1 ) 將黏著劑組成物（I )〜（VI )，分別塗佈於支持基材之聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜（膜厚25 μιη，以矽酮表面處理，帝人杜邦薄膜公司製，商品名「比雷克斯 Α70」）上，以70°C加熱10分鐘使溶劑等揮發除去，於 PET膜上形成膜厚1(^„!之黏著層。再者，於黏著層上，配置PET膜（膜厚19 μηι，以矽酮表面處理，帝人杜邦薄膜公司製，商品名「比雷克斯Α31」）作爲保護膜，以輥溫度40°C、線壓lxl04N/m、速度lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片。 (實施例2) -37- (34) (34)1379876 將黏著劑組成物（I) ~( VI)，分別塗佈於支持基材之PET膜（膜厚25μπι，以矽酮表面處理，帝人杜邦薄膜公司製，商品名「比雷克斯Α70」）上，以70°C加熱10 分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚12 μπι之黏著層。再者，於黏著層上，配置聚乙烯（ΡΕ)膜（膜厚 20μιη，達碼普理公司製，商品名「NF-13」）作爲保護膜，以輥溫度40°C、線壓lxl〇4N/m、速度lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片。 (實施例3) 將黏著劑組成物（I ) ~ ( VI )，分別塗佈於支持基材之PET膜（膜厚38 μπι，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那CTR-4」）上，以70°C加熱10分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚20μηι之黏著層。再者，於黏著層上，配置PET膜（膜厚25 μιη，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那BD」 )作爲保護膜，以輥溫度40 °C、線壓1 X 1 〇4N/m、速度 lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片。 (實施例4) 將黏著劑組成物（I )〜（VI )，分別塗佈於支持基材之PET膜（膜厚38 μιη，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那CTR-4」）上，以70°C加熱1〇分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚23 μηι之黏著 -38- (35) (35)1379876 層。再者’於黏著層上，配置PET膜（膜厚25 μπι，以矽酮表面處理’藤森工業公司製，商品名「薄膜百那BD」 )作爲保護膜，以輥溫度40°C、線壓lxl 04N/m、速度 lm /分鐘層合，分別製作成黏著薄片。 (實施例5) 將黏著劑組成物（I)〜（VI)，分別塗佈於支持基材之PET膜（膜厚40μηι，以烷基醇酸表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那NSC」）上，以7CTC加熱10 分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚20 μιη之黏著層。再者，於黏著層上，配置PET膜（膜厚25 μιη，以矽嗣表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那BD 」）作爲保護膜，以輥溫度40°C、線壓lxl〇4N/m'速度 lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片。 (實施例6) 將黏著劑組成物（I)〜（VI)，分別塗佈於支持基材之聚丙烯（OPP )膜（膜厚40μιη，東洋紡績公司製，商品名「拜雷薄膜Ρ2002」）上，以70°C加熱10分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚23 μη!之黏著層。再者，於黏著層上，配置PET膜（膜厚25 μιη，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那BD」）作爲保護膜，以輥溫度4(TC、線壓lxl〇4N/m、速度lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片》 -39- (36) (36)1379876 (實施例7) 將黏著劑組成物（η〜（νι)，分別塗佈於支持基材之聚乙烯（ΡΕ)膜（膜厚4 0μηι，達碼普理公司製，商品名「NF-13」）上，以70°C加熱10分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚23 μπι之黏著層》再者，於黏著層上，配置PET膜（膜厚25 μιη，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那BD」）作爲保護膜，以輥溫度40°C、線壓lxl〇4N/m、速度lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片》 (比較例1 ) 將黏著劑組成物（I)〜（VI )，分別塗佈於支持基材之PET膜（膜厚25 μιη，以矽嗣表面處理，帝人杜邦薄膜公司製，商品名「比雷克斯Α70」）上，以70t加熱1〇分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚17μπι之黏著層。再者，於黏著層上，配置PET膜（膜厚19μπι，以矽酮表面處理，帝人杜邦薄膜公司製，商品名「比雷克斯 Α31」）作爲保護膜，以輥溫度40°C、線壓lxl〇4N/m、速度lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片。 (比較例2) 將黏著劑組成物（1)~( VI)，分別塗佈於支持基材之PET膜（膜厚40 μιη，以矽酮表面處理，藤森工業公司 -40- (37) (37)1379876 製，商品名「薄膜百那CTR-2」）上，以7(TC加熱10分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚40μιη之黏著層。再者，於黏著層上，配置PET膜（膜厚25 μηι，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那BD」 )作爲保護膜，以輥溫度40t、線壓lxl04N/m、速度 1 m/分鐘層合，分別製作成黏著薄片。 (比較例3 ) 將黏著劑組成物（I)〜（VI)，分別塗佈於支持基材之PET膜（膜厚100 μιη，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那CTR-2」）上，以70°C加熱10分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚45 μηι之黏著層。再者，於黏著層上，配置PET膜（膜厚25 μιη，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那BD」 )作爲保護膜，以輥溫度 40 °C、線壓1 X 104N/m、速度 lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片。 (比較例4) 將黏著劑組成物（I ) ~ ( VI )，分別塗佈於支持基材之PET膜（膜厚100 μιη，以矽酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那CTR-2」）上，以70°C加熱10分鐘使溶劑等揮發除去，於PET膜上形成膜厚65 μιη之黏著層。再者’玲黏著層上，配置PET膜（膜厚25μπι，以砂酮表面處理，藤森工業公司製，商品名「薄膜百那BD」 -41 - (38) (38)1379876 )作爲保護膜，以輥溫度40°C、線壓1χ 1 〇4N/m、速度 lm/分鐘層合，分別製作成黏著薄片。上述實施例及比較例所製作之黏著薄片中之支持基材的厚度Ts、黏著層之厚度Ta及保護薄膜之厚度Tp、支持基材及保護薄膜之材質、及表面處理的種類，示於表1。 <黏著薄片之假壓接> 首先，準備具有ΙΤΟ (銦錫氧化物）配線圖型之玻璃基板（康寧（corning) #7059，外形38mmx28mm之矩形 ’厚度0.7mm )。又，由實施例1〜6及比較例1〜3所製作之黏著薄片事先將保護薄膜剝離除去。接著，由黏著薄片裁切出寬度2.5mm、長度20mm，以使黏著層與ITO配線面抵接的方式，將黏著薄片配置於玻璃基板上製得層合體。接著，使用內建有金屬所構成之載台與加熱器隻金屬壓接頭（5mmx30mm)，將上述層合體朝其層合方向加熱及加壓進行假固定。此時之加熱溫度於黏著層的溫度係8 0 °C 或3 0°C、加熱時間爲2秒鐘、加壓壓力爲IMPa。 <假固定後黏著薄片之評價> 由假固定之黏著薄片，剝離支持基材而以以下之基準評價黏著層之假固定的狀態。又，支持基材之剝離係以玻璃角度90°、剝離速度i〇〇mm/分鐘的條件進行。假固定之際之加熱溫度爲8 0 °C時之結果係示於表2，爲3 (TC時之結果係示於表3。 -42- (39) (39)1379876 〔評價1〕 A:於使用黏著劑組成物（I) ~( VI)之任一者時，皆可僅剝離除去支持基材。 Β:於使用黏著劑組成物（I) ~( VI)之任一者時，於剝離除去支持基材之際黏著層亦由基板剝離除去》〔評價2〕 A :於使用黏著劑組成物（I ) ~ ( VI )之任一者時，皆可僅剝離除去支持基材，而黏著層之邊緣部亦密合於玻璃基板。 B :於使用黏著劑組成物（I )〜（VI )之任一者時，於剝離除去支持基材後，於黏著層之邊緣部確認到密合不良。又，於評價1由於黏著層由基板剝離除去，而於評價 2無法確認黏著層之邊緣部之密合不良時，係顯示「-」〔評價3〕 A :於使用黏著劑組成物（I )〜（VI )之任一者時，於假固定後之壓接頭未確認到黏著劑組成物的附著。 B:於使用黏著劑組成物（I)〜（VI)之任一者時，於假固定後之壓接頭確認到黏著劑組成物的附著。 -43- (40)1379876 〔綜合評價〕評價1及2兩者皆爲A時：合格（A) 評價1及2之至少一者爲B時：不合格（B) 〔表1〕

支持基材黏著層保護薄膜 Ta/Ts Ts (μιη) 材質表面處理 Ta (μιη) τΡ (μιη) 材質表面處理實施例1 25 PET 砂酮 10 19 PET 矽酮 0.40 實施例2 25 PET 砂酮 12 20 PE ΛΤΤΤ. ΙΙΠ /1、、 0.48 實施例3 38 PET 矽酮 20 25 PET 砂酮 0.52 實施例4 38 PET 砂酮 23 25 PET 矽酮 0.61 實施例5 40 PET 烷基醇酸 20 25 PET 矽酮 0.50 實施例6 40 OPP / > \N 23 25 PET 砂酮 0.58 實施例7 40 PE Μ Ji\\ 23 25 PET 砂酮 0.58 比較例1 25 PET 砂酮 17 19 PET 砂酮 0.68 比較例2 40 PET 矽酮 40 25 PET 矽酮 1.00 比較例3 100 PET 矽酮 45 25 PET 矽酮 0.45 比較例4 100 PET 砂酮 65 25 PET 砂酮 0.65

〔表2〕

評價1 評價2 評價3 綜合評價實施例1 A A A A 實施例2 A A A A 實施例3 A A A A 實施例4 A A A A 實施例5 A A A A 實施例6 A A A A 實施例7 A A A A 比較例1 A. B B B 比較例2 A B B B 比較例3 B 一 A B 比較例4 A B B B -44- (41)1379876 (表3〕

評價1 評價2 評價3 綜合評價實施例1 A A A A 實施例2 A A A A 實施例3 A A A A 實施例4 A A A A 實施例5 A A A A 實施例6 A A A A 實施例7 A A A A 比較例1 B 一 A B 比較例2 B '— A B 比較例3 B — A B 比較例4 B — A B

當假固定之際之加熱溫度爲80°C時，Ta/Ts爲0.40以上0.65以下，且，支持基材之厚度爲4 2μιη以下的實施例 1〜6’ 6種類之黏著薄片，全部皆可充分地抑制隨著支持基材之剝離除去的黏著層之剝離除去。且，亦未確認到黏著層邊緣部的剝離。再者，明白於該等實施例，可以無壓接頭之污染良好狀態進行假固定。於實施例1 ~6，即使加熱溫度由80°C改變成30t：，亦可以良好之狀態假固定。相對於此，Ta/Ts超出0.40以上0.65以下之範圍外之比較例1、2、或支持基材較4 2 μιη厚之比較例3、4，確認到隨著支持基材之剝離除去的黏著層之剝離除去、或黏著層之邊緣部的剝離。藉由本發明，可提供一種黏著薄片，其具備支持基材、與設置於該基材上之含有黏著劑組成物之黏著層，其可 -45- (42) (42)1379876 較以往以更廣範圍的溫度條件將黏著層假固定於基板上。【圖式簡單說明】圖1，係顯示本發明之電路構件之連接構造之一實施形態的局部截面圖。圖2，係顯示本發明之電路構件之連接構造之一實施形態的局部截面圖。圖3,係連接電路構件之一連串的製程圖。圖4，係顯示本發明之半導體裝置之一實施形態的局部截面圖。【主要元件符號說明】 1:電路構件之連接構件 2:電路構件之連接構件 3:半導體裝置 5 :黏著劑組成物 7 :導電性粒子 1 〇 :電路連接構件 1 1 :絕緣性物質 1 5 :電路連接構件 20 :第1電路構件 21 :第1電路基板 22 :第1電路電極 3 0 :第2電路構件 -46 - (43) (43)1379876 3 1 :第2電路基板 32 :第2電路電極 40:薄膜狀電路連接構件 45 :支持基材 5 0 :半導體元件 60 :基板 61 :電路圖型 7 0 :密封材 80 :半導體元件連接構件

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Claims

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十、申請專利範圍 1. 一種電路連接用黏著薄片，其爲具備支持基材、與設置於該支持基材上之含有黏著劑組合物之黏著層的電路連接用黏著薄膜，其特徵爲該支持基材爲具備1種以上選自聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、定向聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜及聚醯亞胺薄膜所成群之薄膜，該黏著劑組成物爲含有熱塑性樹脂、自由基聚合性化合物及自由基聚合啓始劑，該熱塑性樹脂爲至少1種選自苯氧樹脂、聚乙烯甲醛 (polyvinyl formal)樹脂、聚苯乙燃樹脂、聚乙燒丁酸（ polyvinyl butyral)樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、二甲苯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂所成群，該自由基聚合性化合物爲至少1種選自（甲基）丙烯酸酯化合物所成群，該支持基材厚度Ts與該黏著層厚度Ta爲滿足下述式（1)所示條件，且該厚度Ts爲18μιη以上，42μπι以下者； 0.40 ^ Ta/Ts ^0.65 2. 一種電路連接用黏著薄片，其爲具備支持基材、與設置於該支持基材上之含有黏著劑組合物之黏著層的電路連接用黏著薄片，其特徵爲該支持基材爲具備1種以上選自聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、定向聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜及聚醯亞胺薄膜所成群之薄膜，該黏著劑組合物爲 1379876 撕月1修正替換‘頁含有熱塑性樹脂、熱硬I化性樹脂及潛在性硬化劑，該熱塑性樹脂爲至少1種選自苯氧樹脂、聚乙烯甲醛（polyvinyl formal )樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯丁醛（polyvinyl butyral )樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、二甲苯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂所成群，該熱硬化性樹脂爲環氧樹脂，該支持基材厚度Ts與該黏著層厚度Ta爲滿足下述式（1) 所示條件，且該厚度Ts爲18μπι以上，42μιη以下者； 0.40 ^ Ta/Ts ^ 0.65 ( 1 )。 3. 如申請專利範圍第1項之電路連接用黏著薄片，其中該黏著劑組合物爲更含有導電性粒子。 4. 如申請專利範圍第1項之電路連接用黏著薄片，其中該黏著層上再設有保護薄膜，且該保護薄膜厚度Tp 爲該厚度Ts以下。 5. 如申請專利範圍第3項之電路連接用黏著薄片，其中該黏著層上再設有保護薄膜，且該保護薄膜厚度Tp 爲該厚度Ts以下。 6. 如申請專利範圍第4項之電路連接用黏著薄片，其中該支持基材及該黏著層間的剝離強度爲，該保護薄膜及該黏著層間的剝離強度以上。 7. 如申請專利範圍第5項之電路連接用黏著薄片，其中該支持基材及該黏著層間的剝離強度爲，該保護薄膜及該黏著層間的剝離強度以上。 -2 - 1379876 卜^月副 8 ·如申請專利範圍第1、3〜7項中任ϋ項之連接用黏著薄片’其中該自由基聚合性化合物的配合比率對於該熱塑性樹脂100質量份而言爲50〜25〇質量份。 9·如申請專利範圍第1項、第3〜7項中任—項之電路連接用黏著薄片’其中該自由基聚合啓始劑的配合比率對於該自由基聚合性化合物及該熱塑性樹脂的合計1〇0質量份而言爲0.1〜30質量份。 10. 如申請專利範圍第8項之電路連接用黏著薄片，其中該自由基聚合啓始劑的配合比率對於該自由基聚合性化合物及該熱塑性樹脂的合計100質量份而言爲〇」〜30 質量份。 11. 如申請專利範圍第2項之電路連接用黏著薄片，其中該黏著劑組合物爲更含有導電性粒子。' 12. 如申請專利範圍第2項之電路連接用黏著薄片，其中該黏著層上再設有保護薄膜，且該保護薄膜厚度ΤΡ 爲該厚度Ts以下。 13. 如申請專利範圍第11項之電路連接用黏著薄片，其中該黏著層上再設有保護薄膜，且該保護薄膜厚度Tp 爲該厚度Ts以下。 14. 如申請專利範圍第12項之電路連接用黏著薄片，其中該支持基材及該黏著層間的剝離強度爲，該保護薄膜及該黏著層間的剝離強度以上。 15. 如申請專利範圍第13項之電路連接用黏著薄片，其中該支持基材及該黏著層間的剝離強度爲’該保護薄膜 -3- 1379876 月 / 及該黏著層間的剝離強度以上。 16. 如申請專利範圍第2、11〜15項中任一項之電路連接用黏著薄片，其中該潛在性硬化劑配合比率對於該熱塑性樹脂及該熱硬化性樹脂的合計100質量份而言爲 0.1~60質量份。 17. —種將電路連接材料固定於基板之固定方法，其特徵爲具備將如申請專利範圍第1〜16項中任一項之黏著薄片中之該黏著層’於電路基板的主面上形成電路電極的電路構件上進行假固定的步驟、與經該假固定後’將該支持基材自該黏著層剝離，將該黏著層轉印至該基板的主面之步驟。

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