JP6536281B2

JP6536281B2 - 半導体用接着剤、並びに、半導体装置及びその製造方法

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Publication number: JP6536281B2
Application number: JP2015161186A
Authority: JP
Inventors: 一尊本田; 永井　朗; 朗永井; 慎佐藤
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2015-08-18
Filing date: 2015-08-18
Publication date: 2019-07-03
Anticipated expiration: 2035-08-18
Also published as: JP2017041499A

Description

本発明は、半導体用接着剤、並びに、半導体装置及びその製造方法に関する。

従来、半導体チップと基板を接続するには金ワイヤ等の金属細線を用いるワイヤーボンディング方式が広く適用されてきたが、半導体装置に対する高機能・高集積・高速化等の要求に対応するため、半導体チップ又は基板にバンプと呼ばれる導電性突起を形成して、半導体チップと基板間で直接接続するフリップチップ接続方式（ＦＣ接続方式）が広まりつつある。

フリップチップ接続方式としては、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法、超音波振動を印加して金属接合させる方法、樹脂の収縮力によって機械的接触を保持する方法などが知られているが、接続部の信頼性の観点から、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法が一般的である。

例えば、半導体チップと基板間の接続においては、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）、ＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）等に盛んに用いられているＣＯＢ（ＣｈｉｐＯｎＢｏａｒｄ）型の接続方式もフリップチップ接続方式である。また、フリップチップ接続方式は、半導体チップ上にバンプ又は配線を形成して、半導体チップ間で接続するＣＯＣ（ＣｈｉｐＯｎＣｈｉｐ）型の接続方式にも広く用いられている（例えば、下記特許文献１参照）。

更なる小型化、薄型化、高機能化が強く要求されたパッケージでは、上述した接続方式を積層・多段化したチップスタック型パッケージやＰＯＰ（ＰａｃｋａｇｅＯｎＰａｃｋａｇｅ）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−ＳｉｌｉｃｏｎＶｉａ）等も広く普及し始めている。平面状でなく立体状に配置することでパッケージを小さくできることから、これらの技術は多用され、半導体の性能向上及びノイズ低減、実装面積の削減、省電力化にも有効であり、次世代の半導体配線技術として注目されている。

特開２００８−２９４３８２号公報

ところで、フリップチップパッケージでは、近年、高機能化及び高集積化が進んでいるが、高機能化及び高集積化するにつれて配線間のピッチが狭くなることから接続信頼性が低下しやすくなっている。そのため、半導体用接着剤に対しては、従来に比して接続信頼性を向上させることが求められている。

また、半導体用接着剤に対しては、耐リフロー性を向上させることも求められている。

そこで、本発明は、接続信頼性及び耐リフロー性に優れる半導体用接着剤を提供することを目的とする。また、本発明は、このような半導体用接着剤を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体用接着剤は、半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において前記接続部の封止に用いられる半導体用接着剤であって、エポキシ樹脂、硬化剤、重量平均分子量１００００以上の高分子成分、平均粒径１００ｎｍ以下の無機フィラー、及び、グリシジル系シランカップリング剤を含有し、前記無機フィラーの含有量が２０〜４０質量％である。

本発明に係る半導体用接着剤は、接続信頼性及び耐リフロー性に優れる。

また、近年、生産性を向上させる観点から、フリップチップパッケージの組立時の圧着時間を短時間化することが求められている。この場合、圧着中に半導体用接着剤が充分に硬化しなければ、接続部を充分に保護できず、圧着時の圧力が開放されたときに接続不良が生じる。さらに、接続部分にはんだが用いられている場合には、圧着中に、はんだ溶融温度より低温の温度領域で充分に半導体用接着剤が硬化していなければ、はんだ溶融温度に圧着時の温度が到達したときにはんだの飛散や流動が発生し接続信頼性が低下する。これに対し、本発明に係る半導体用接着剤によれば、圧着時間が短時間であっても接続信頼性に優れる。本発明に係る半導体用接着剤によれば、圧着時間の短時間化が可能であることから、生産性を向上させることができる。また、本発明に係る半導体用接着剤によれば、フリップチップパッケージを容易に高機能化及び高集積化することができる。

ところで、近年、接続部の金属としては、低コスト化を目的に、腐食しにくい金等からはんだや銅等に移りつつある。さらに、配線やバンプの表面処理に関しても、低コスト化を目的に、腐食しにくい金等からはんだや銅、ＯＳＰ（ＯｒｇａｎｉｃＳｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙＰｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理等に移りつつある。フリップチップパッケージでは、狭ピッチや多ピン化に加えてこのような低コスト化が進んでいるため、腐食し絶縁性が低下しやすい金属が用いられる傾向にあり、絶縁信頼性が低下しやすい。これに対し、本発明に係る半導体用接着剤によれば、優れた絶縁信頼性を得ることができる。このような半導体用接着剤によれば、低コスト化しつつ接続不良を抑制することができる。

また、従来の半導体用接着剤では、半導体用接着剤が充分に硬化していない状態で高温圧着されると、ボイドが発生することがある。これに対し、本発明に係る半導体用接着剤によれば、短時間で充分に硬化が可能であることから、ボイドの発生を容易に抑制することができる。

前記半導体用接着剤は、フラックス剤を更に含有していてもよい。前記フラックス剤は、カルボン酸であることが好ましい。

前記無機フィラーは、（メタ）アクリル系シランで表面処理された無機フィラーであることが好ましい。

前記半導体用接着剤は、フィルム状であってもよい。

前記半導体用接着剤は、前記高分子成分の重量平均分子量が３００００以上であり、前記高分子成分のガラス転移温度が１００℃以下である態様が好ましい。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、本発明に係る半導体用接着剤を用いる。このような製造方法によれば、接続信頼性、耐リフロー性及び絶縁信頼性に優れる多くの半導体装置を短時間で製造することができる。

本発明に係る半導体装置は、本発明に係る半導体装置の製造方法によって得られる。

本発明によれば、接続信頼性、耐リフロー性及び絶縁信頼性に優れる半導体用接着剤を提供することができる。また、本発明によれば、このような半導体用接着剤を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することができる。

本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はそれに対応するメタクリルを意味する。また、組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。

＜半導体用接着剤＞
本実施形態に係る半導体用接着剤は、半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において前記接続部の封止に用いられる半導体封止用接着剤である。本実施形態に係る半導体用接着剤は、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分、（ｄ）平均粒径１００ｎｍ以下の無機フィラー、及び、（ｅ）グリシジル系シランカップリング剤を含有し、前記（ｄ）無機フィラーの含有量が２０〜４０質量％である。

（（ａ）成分：エポキシ樹脂）
（ａ）成分としては、例えば、分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が挙げられ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、各種多官能エポキシ樹脂等を使用することができる。（ａ）成分は、１種単独で又は２種以上を併用して用いることができる。（ａ）成分の含有量は、半導体用接着剤の全量を基準として例えば１０〜５０質量％である。

（（ｂ）成分：硬化剤）
本実施形態に係る半導体用接着剤は、（ｂ）硬化剤を含有する。硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。（ｂ）成分がフェノール性水酸基、酸無水物、アミン類又はイミダゾール類を含むと、接続部に酸化膜が生じることを抑制するフラックス活性を示しやすく、接続信頼性・絶縁信頼性を容易に向上させることができる。以下、各硬化剤について説明する。

（ｉ）フェノール樹脂系硬化剤
フェノール樹脂系硬化剤としては、例えば、分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有する硬化剤が挙げられ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール、各種多官能フェノール樹脂等を使用することができる。フェノール樹脂系硬化剤は、１種単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

上記（ａ）成分に対するフェノール樹脂系硬化剤の当量比（フェノール性水酸基／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性に優れる観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると、未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が更に向上する傾向がある。

（ｉｉ）酸無水物系硬化剤
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートを使用することができる。酸無水物系硬化剤は、１種単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

上記（ａ）成分に対する酸無水物系硬化剤の当量比（酸無水物基／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性に優れる観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると、未反応の酸無水物が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が更に向上する傾向がある。

（ｉｉｉ）アミン系硬化剤
アミン系硬化剤としては、例えばジシアンジアミドを使用することができる。

上記（ａ）成分に対するアミン系硬化剤の当量比（アミン／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性に優れる観点から０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると、未反応のアミンが過剰に残存することがなく、絶縁信頼性が更に向上する傾向がある。

（ｉｖ）イミダゾール系硬化剤
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。これらの中でも、硬化性、保存安定性及び接続信頼性に更に優れる観点から、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。イミダゾール系硬化剤は、１種単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤としてもよい。

イミダゾール系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましい。イミダゾール系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると、硬化性が向上する傾向があり、２０質量部以下であると、金属接合が形成される前に接着剤組成物が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。

（ｖ）ホスフィン系硬化剤
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート及びテトラフェニルホスホニウム（４−フルオロフェニル）ボレートが挙げられる。

ホスフィン系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。ホスフィン系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると、硬化性が向上する傾向があり、１０質量部以下であると、金属接合が形成される前に半導体用接着剤が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。

フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤及びアミン系硬化剤は、それぞれ１種単独で又は２種以上を併用して用いることができる。イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤はそれぞれ単独で用いてもよいが、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はアミン系硬化剤と共に用いてもよい。

（ｂ）成分としては、硬化性に優れる観点から、フェノールとイミダゾールの併用、酸無水物とイミダゾールの併用、アミンとイミダゾールの併用、イミダゾール単独使用が好ましい。短時間で接続すると生産性が向上することから、速硬化性に優れたイミダゾール単独使用がより好ましい。この場合、短時間で硬化すると低分子成分等の揮発分が抑制できることから、ボイドの発生を容易に抑制することもできる。

（（ｃ）成分：重量平均分子量１００００以上の高分子成分）
（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分（（ａ）成分に該当する化合物を除く）としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられ、その中でも、耐熱性及びフィルム形成性に優れる観点から、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂等が好ましく、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、アクリルゴムがより好ましい。（ｃ）成分は、単独又は２種以上の混合体や共重合体として使用することもできる。

（ｃ）成分と（ａ）成分との質量比は、特に制限されないが、フィルム状を保持するためには、（ｃ）成分１質量部に対して、（ａ）成分の含有量は、０．０１〜５質量部であることが好ましく、０．０５〜４質量部であることがより好ましく、０．１〜３質量部であることが更に好ましい。含有量が０．０１質量部より小さいと、硬化性が低下し、接着力が低下する場合があり、含有量が５質量部より大きいと、フィルム形成性や膜形成性が低下する場合がある。

（ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、半導体用接着剤の基板やチップへの貼付性に優れる観点から、１２０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、８５℃以下が更に好ましい。Ｔｇが１２０℃を超える場合には、半導体チップに形成されたバンプや、基板に形成された電極や配線パターン等の凹凸を半導体用接着剤により埋め込むことができず（硬化反応が始まるおそれがある）、気泡が残存してボイドが発生しやすい傾向がある。なお、上記Ｔｇとは、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製ＤＳＣ−７型）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度１０℃／分、測定雰囲気：空気の条件で測定したときのＴｇである。また、Ｔｇが室温（２５℃）以下のものは、フィルム形成が良好でない。

（ｃ）成分の重量平均分子量は、ポリスチレン換算で１００００以上であるが、単独で良好なフィルム形成性を示すために、３００００以上が好ましく、４００００以上がより好ましく、５００００以上が更に好ましい。重量平均分子量が１００００未満である場合にはフィルム形成性が低下する傾向がある。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー（島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。

（（ｄ）成分：平均粒径１００ｎｍ以下の無機フィラー）
（ｄ）成分としては、平均粒径１００ｎｍ以下の無機フィラーであれば特に制限はなく、絶縁性無機フィラー等が挙げられる。絶縁性無機フィラーとしては、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素等が挙げられ、その中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化ホウ素等が好ましく、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素がより好ましい。絶縁性無機フィラーはウィスカーであってもよく、ウィスカーとしては、ホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム、窒化ホウ素等が挙げられる。絶縁性無機フィラーは、１種単独で又は２種以上を併用して用いることができる。（ｄ）成分の形状、粒径、及び含有量は特に制限されない。

絶縁信頼性に更に優れる観点から、（ｄ）成分は絶縁性であることが好ましい。本実施形態に係る半導体用接着剤は、銀フィラー、はんだフィラー等の導電性の金属フィラーを含有していないことが好ましい。

（ｄ）成分は、分散性や接着力が向上する観点から、表面処理を施したフィラーであることが好ましい。表面処理剤としては、グリシジル系（エポキシ系）化合物（（ｅ）成分に該当する化合物を除く）、アミン系化合物、フェニル系化合物、フェニルアミノ系化合物、（メタ）アクリル系化合物（例えば、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物）、下記一般式（２）で表される構造を有するビニル系化合物等が挙げられる。

［Ｒ^１１は、水素原子又はアルキル基を示し、Ｒ^１２は、アルキレン基を示す。］

式（１）で表される構造を有する化合物により表面処理されたフィラーとしては、Ｒ^１１が水素原子であるアクリル表面処理シリカフィラー、Ｒ^１１がメチル基であるメタクリル表面処理シリカフィラー、Ｒ^１１がエチル基であるエタクリル表面処理シリカフィラー等が挙げられ、半導体用接着剤に含まれる樹脂や半導体基板の表面との反応性や結合形成の観点から、Ｒ^１１が嵩高くない、アクリル表面処理シリカフィラー、メタクリル表面処理シリカフィラーが好ましい。Ｒ^１２も特に制限はないが、重量平均分子量が高い方が揮発成分も少ないため好ましい。

［Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３は、水素原子又はアルキル基を示し、Ｒ^２４は、アルキレン基を示す。］

例えば、反応性が低下しない観点から、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３は、比較的嵩高くない置換基が好ましい。ビニル基の反応性が向上する置換基が導入されてもよい。Ｒ^２４も特に制限はないが、揮発しにくいためボイドが容易に低減できる観点から、重量平均分子量が高い方が好ましい。また、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４は、表面処理の容易さで選定してもよい。

表面処理剤としては、表面処理のしやすさから、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、（メタ）アクリル系シラン等のシラン処理が好ましい。表面処理剤としては、分散性、流動性、接着力に優れる観点から、グリシジル系、フェニルアミノ系、（メタ）アクリル系の化合物が好ましい。表面処理剤としては、保存安定性に優れる観点から、フェニル系、（メタ）アクリル系の化合物がより好ましい。

（ｄ）成分は、１種単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

（ｄ）成分の平均粒径は、視認性向上の観点から、１００ｎｍ以下である。（ｄ）成分の平均粒径は、視認性向上観点から、６０ｎｍ以下が好ましい。（ｄ）成分は、接着力向上の観点から、（メタ）アクリル系シランで表面処理された平均粒径６０ｎｍ以下の無機フィラーであることが好ましい。

（ｄ）成分の含有量は、半導体用接着剤の全量を基準として２０〜４０質量％である。（ｄ）成分の含有量が２０質量％未満であると、接着力が低く耐リフロー性が低下する場合がある。（ｄ）成分の含有量が４０質量％を超えると、増粘により接続信頼性が低下する場合がある。

（（ｅ）成分：グリシジル系シランカップリング剤）
（ｅ）成分としては、グリシジル系シランカップリング剤であれば特に制限はない。グリシジル系であれば、エポキシ樹脂と作用し接着力が向上する。

（ｅ）成分の含有量は、（ｄ）成分１００質量部に対して、１〜５質量部が好ましく、１．５〜４質量％がより好ましい。含有量が１質量部未満の場合、接着力向上の効果が少なく、５質量部を超えると、ボイド発生等の不具合が生じる場合がある。

（（ｆ）成分：フラックス剤）
本実施形態に係る半導体用接着剤は、フラックス剤（すなわち、フラックス活性（酸化物や不純物を除去する活性）を示すフラックス活性剤）を更に含有することができる。フラックス剤としては、非共有電子対を有する含窒素化合物（イミダゾール類、アミン類等）、カルボン酸、フェノール類、アルコールなどが挙げられる。

これらの中でも、エポキシ樹脂と反応する有機酸が好ましい。アルコール等に比べて有機酸がフラックス活性を強く発現し、接続性が向上する。また、エポキシ樹脂と反応することで、半導体用接着剤の硬化後に絶縁性低下となる有機酸が遊離した状態で存在しないため好ましい。

これらの中でも、フラックス活性が更に強く、（ａ）成分であるエポキシ樹脂と反応し、半導体用接着剤の硬化物中に遊離した状態で存在しないため絶縁信頼性の低下を防ぐことができることから、カルボン酸が好ましい。

カルボン酸としては、エタン酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ヘキサデカン酸、ヘプタデカン酸、オクタデカン酸等の脂式飽和カルボン酸；オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、ドコサヘサエン酸、エイコサペンタエン酸等の脂式不飽和カルボン酸；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸等の脂式ジカルボン酸；安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ヘミメリット酸、ピロメリット酸、ペンタンカルボン酸、メシン酸等の芳香族カルボン酸；マレイン酸及びフマル酸が挙げられる。また、ヒドロキシル基を有するカルボン酸としては、乳酸、りんご酸、クエン酸、サリチル酸等が挙げられる。

フラックス剤であるカルボン酸の構造としては、カルボキシル基から２位又は３位の位置に電子供与性基を１つ以上有するアルキル基含有カルボン酸が好ましい。

２位又は３位に電子供与性基を有することで、半導体用接着剤の吸湿前後の高温接着力の低下を軽減できる。これは、通常、カルボン酸はエポキシ樹脂や硬化剤の反応に取り込まれるが、電子供与性基をカルボキシル基付近に有することで、加水分解反応が抑制できると考える。エポキシ樹脂とカルボン酸の結合は吸湿によって、分解することが考えられるため、接着力が低下すると考える。電子供与性基を導入することで、エステル結合部の電子密度があがり、分解しにくくなる。また、置換基があるとカルボン酸とエポキシの反応を抑制することができ、エステルを生成しにくくする効果もあると考える。

また、モノカルボン酸は、比較的揮発しやすく、ボイドの原因となり、トリカルボン酸は、フィルム形成時や、ラミネート時、プレヒート時等の低温（ボンディング以下の温度、例えば１００℃以下）で反応しやすいものが多いため、粘度が大きくなって接続不良が生じることがある、このため、ジカルボン酸が好ましい。

本実施形態に係る半導体用接着剤は、樹脂フィラー、酸化防止剤、シランカップリング剤（（ｅ）成分に該当する化合物を除く）、チタンカップリング剤、レベリング剤等の添加剤を更に含有してもよい。これらの添加剤は、１種単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの添加剤の含有量は、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。

樹脂フィラーの材質としては、ポリウレタン、ポリイミド等を用いることができる。樹脂フィラーは、無機フィラーに比べて、２６０℃等の高温で柔軟性を付与することができるため、耐リフロー性向上に適している。また、柔軟性付与のため、フィルム形成性向上にも効果がある。

本実施形態に係る半導体用接着剤は、生産性が向上する観点から、フィルム状（フィルム状半導体用接着剤）であることが好ましい。フィルム状半導体用接着剤の作製方法を以下に示す。

まず、（ａ）〜（ｅ）成分及びその他の成分を有機溶媒中に加えた後に撹拌混合、混錬等により溶解又は分散させて樹脂ワニスを調製する。その後、離型処理を施した基材フィルム上に、ナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、ダイコーター、コンマコーター等を用いて樹脂ワニスを塗布した後、加熱により有機溶媒を減少させて、基材フィルム上にフィルム状半導体用接着剤を形成する。また、加熱により有機溶媒を減少させる前に、樹脂ワニスをウエハ等にスピンコートして膜を形成した後、溶媒乾燥を行う方法によりウエハ上にフィルム状半導体用接着剤を形成してもよい。

基材フィルムとしては、有機溶媒を揮発させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に制限はなく、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。基材フィルムとしては、これらのフィルムのうちの１種からなる単層のものに限られず、２種以上のフィルムからなる多層フィルムであってもよい。

塗布後の樹脂ワニスから有機溶媒を揮発させる際の条件としては、具体的には、５０〜２００℃、０．１〜９０分間の加熱を行うことが好ましい。実装後のボイドや粘度調整に影響がなければ、有機溶媒が１．５％以下まで揮発する条件とすることが好ましい。

＜半導体装置＞
本実施形態に係る半導体用接着剤を用いて製造される半導体装置について説明する。本実施形態に係る半導体装置における接続部は、バンプと配線との金属接合、及び、バンプとバンプとの金属接合のいずれでもよい。本実施形態に係る半導体装置では、例えば、半導体用接着剤を介して電気的な接続を得るフリップチップ接続を用いることができる。

図１は、半導体装置の実施形態（半導体チップ及び基板のＣＯＢ型の接続態様）を示す模式断面図である。図１（ａ）に示すように、半導体装置１００は、互いに対向する半導体チップ１０及び基板（回路配線基板）２０と、半導体チップ１０及び基板２０の互いに対向する面にそれぞれ配置された配線１５と、半導体チップ１０及び基板２０の配線１５を互いに接続する接続バンプ３０と、半導体チップ１０及び基板２０間の空隙に隙間なく充填された半導体用接着剤４０とを有している。半導体チップ１０及び基板２０は、配線１５及び接続バンプ３０によりフリップチップ接続されている。配線１５及び接続バンプ３０は、半導体用接着剤４０により封止されており外部環境から遮断されている。

図１（ｂ）に示すように、半導体装置２００は、互いに対向する半導体チップ１０及び基板２０と、半導体チップ１０及び基板２０の互いに対向する面にそれぞれ配置されたバンプ３２と、半導体チップ１０及び基板２０間の空隙に隙間なく充填された半導体用接着剤４０とを有している。半導体チップ１０及び基板２０は、対向するバンプ３２が互いに接続されることによりフリップチップ接続されている。バンプ３２は、半導体用接着剤４０により封止されており外部環境から遮断されている。

図２は、半導体装置の他の実施形態（半導体チップ同士のＣＯＣ型の接続態様）を示す模式断面図である。図２（ａ）に示すように、半導体装置３００は、２つの半導体チップ１０が配線１５及び接続バンプ３０によりフリップチップ接続されている点を除き、半導体装置１００と同様である。図２（ｂ）に示すように、半導体装置４００は、２つの半導体チップ１０がバンプ３２によりフリップチップ接続されている点を除き、半導体装置２００と同様である。

半導体チップ１０としては、特に制限はなく、シリコン、ゲルマニウム等の同一種類の元素から構成される元素半導体、ガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体などの各種半導体を用いることができる。

基板２０としては、配線回路基板であれば特に制限はなく、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエステル、セラミック、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン、ポリイミド等を主な成分とする絶縁基板の表面に形成された金属層の不要な個所をエッチング除去して配線（配線パターン）が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に金属めっき等によって配線（配線パターン）が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に導電性物質を印刷して配線（配線パターン）が形成された回路基板などを用いることができる。

配線１５やバンプ３２等の接続部は、主成分として金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅）、ニッケル、スズ、鉛等を含有しており、複数の金属を含有していてもよい。

配線（配線パターン）の表面には、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅）、スズ、ニッケル等を主な成分とする金属層が形成されていてもよい。この金属層は単一の成分のみで構成されていてもよく、複数の成分から構成されていてもよい。また、複数の金属層が積層された構造をしていてもよい。銅、はんだは安価であることから一般的に使用されているため好ましいが、酸化物や不純物があるため、フラックス活性が必要となる。

バンプと呼ばれる導電性突起の材質としては、主な成分として、金、銀、銅、はんだ（主成分は例えば、スズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅）、スズ、ニッケル等が用いられ、単一の成分のみで構成されていてもよく、複数の成分から構成されていてもよい。また、これらの金属が積層された構造をなすように形成されていてもよい。バンプは半導体チップ又は基板に形成されていてもよい。銅、はんだは安価であることから一般的に使用されているため好ましいが、酸化物や不純物があるため、フラックス活性が必要となる。

また、図１又は図２に示すような半導体装置（パッケージ）を積層して金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅）、スズ、ニッケル等で電気的に接続してもよい。銅、はんだは安価であることから一般的に使用されているため好ましいが、酸化物や不純物があるためフラックス活性が必要となる。例えば、ＴＳＶ技術で見られるような、半導体用接着剤を半導体チップ間に介して、フリップチップ接続又は積層し、半導体チップを貫通する孔を形成し、パターン面の電極とつなげてもよい。

図３は、半導体装置の他の実施形態（半導体チップ積層型の態様（ＴＳＶ））を示す模式断面図である。図３に示す半導体装置５００では、インターポーザ５０上に形成された配線１５が半導体チップ１０の配線１５と接続バンプ３０を介して接続されることにより、半導体チップ１０とインターポーザ５０とはフリップチップ接続されている。半導体チップ１０とインターポーザ５０との間の空隙には半導体用接着剤４０が隙間なく充填されている。上記半導体チップ１０におけるインターポーザ５０と反対側の表面上には、配線１５、接続バンプ３０及び半導体用接着剤４０を介して半導体チップ１０が繰り返し積層されている。半導体チップ１０の表裏におけるパターン面の配線１５は、半導体チップ１０の内部を貫通する孔内に充填された貫通電極３４により互いに接続されている。なお、貫通電極３４の材質としては、銅、アルミニウム等を用いることができる。

このようなＴＳＶ技術により、通常は使用されない半導体チップの裏面からも信号を取得することができる。更には、半導体チップ１０内に貫通電極３４を垂直に通すため、対向する半導体チップ１０間や半導体チップ１０及びインターポーザ５０間の距離を短くし、柔軟な接続が可能である。本実施形態に係る半導体用接着剤は、このようなＴＳＶ技術において、対向する半導体チップ１０間や、半導体チップ１０及びインターポーザ５０間の封止材料として適用することができる。

また、エリアバンプチップ技術等の自由度の高いバンプ形成方法では、インターポーザを介さないでそのまま半導体チップをマザーボードに直接実装できる。本実施形態に係る半導体用接着剤は、このような半導体チップをマザーボードに直接実装する場合にも適用することができる。なお、本実施形態に係る半導体用接着剤は、２つの配線回路基板を積層する場合に、基板間の空隙を封止する際にも適用することができる。

＜半導体装置の製造方法＞
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、本実施形態に係る半導体用接着剤を用いて、半導体チップ及び配線回路基板、又は、複数の半導体チップ同士を接続する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、例えば、半導体用接着剤を介して半導体チップ及び配線回路基板を互いに接続すると共に前記半導体チップ及び前記配線回路基板のそれぞれの接続部を互いに電気的に接続して半導体装置を得る工程、又は、半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを互いに接続すると共に前記複数の半導体チップのそれぞれの接続部を互いに電気的に接続して半導体装置を得る工程を備える。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、前記接続部を互いに金属接合によって接続することができる。すなわち、前記半導体チップ及び前記配線回路基板のそれぞれの前記接続部を互いに金属接合によって接続する、又は、前記複数の半導体チップのそれぞれの前記接続部を互いに金属接合によって接続する。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例として、図４に示す半導体装置６００の製造方法について説明する。半導体装置６００は、配線（銅配線）１５を有する基板（ガラスエポキシ基板）６０と、配線（銅ピラー、銅ポスト）１５を有する半導体チップ１０とが半導体用接着剤４０を介して互いに接続されている。半導体チップ１０の配線１５と基板６０の配線１５とは、接続バンプ（はんだバンプ）３０により電気的に接続されている。基板６０における配線１５が形成された表面には、接続バンプ３０の形成位置を除いてソルダーレジスト７０が配置されている。

半導体装置６００の製造方法では、まず、ソルダーレジスト７０が形成された基板６０上に半導体用接着剤（フィルム状半導体用接着剤等）４０を貼付する。貼付は、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等によって行うことができる。半導体用接着剤の供給面積や厚みは、半導体チップ１０又は基板６０のサイズやバンプ高さ等によって適宜設定される。半導体用接着剤４０を半導体チップ１０に貼付してもよく、半導体ウエハに半導体用接着剤４０を貼付した後にダイシングして半導体チップ１０に個片化することによって、半導体用接着剤４０を貼付した半導体チップ１０を作製してもよい。この場合、高透過率であれば、ウエハ（チップ）だけでなく、基板にも貼付範囲が制限されず（アライメントマークを半導体接着剤が覆っても問題ない）、取り扱い性に優れる。半導体用接着剤４０を基板６０又は半導体チップ１０に貼り付けた後、半導体チップ１０の配線１５上の接続バンプ３０と、基板６０の配線１５とをフリップチップボンダー等の接続装置を用いて位置合わせする。そして、半導体チップ１０と基板６０を接続バンプ３０の融点以上の温度で加熱しながら押し付けて（接続部にはんだを用いる場合は、はんだ部分に２４０℃以上かかることが好ましい）、半導体チップ１０と基板６０を接続すると共に、半導体用接着剤４０によって半導体チップ１０と基板６０の間の空隙を封止充てんする。接続荷重は、バンプ数に依存するが、バンプの高さばらつき吸収や、バンプ変形量の制御を考慮して設定される。接続時間は、生産性向上の観点から、短時間が好ましい。はんだを溶融させ、酸化膜や表面の不純物を除去し、金属接合を接続部に形成することが好ましい。

短時間の接続時間（圧着時間）とは、接続形成（本圧着）中に接続部に２４０℃以上かかる時間（例えば、はんだ使用時の時間）が１０秒以下であることをいう。接続時間は、５秒以下が好ましく、３秒以下がより好ましい。

位置合わせをした後、仮固定して、リフロー炉で加熱処理することによってはんだバンプを溶融させて半導体チップと基板を接続することによって半導体装置を製造してもよい。仮固定は、金属接合を形成する必要性が顕著に要求されないため、上述の本圧着に比べて低荷重、短時間、低温度でもよく、生産性向上、接続部の劣化防止等のメリットが生じる。半導体チップと基板を接続した後、オーブン等で加熱処理を行って、半導体用接着剤を硬化させてもよい。加熱温度は、半導体封止用接着剤の硬化が進行し、好ましくは完全に硬化する温度である。加熱温度及び加熱時間は適宜設定すればよい。

以下、実施例を用いて本発明を説明するが、本発明はこれらによって制限されるものではない。

＜フィルム状接着剤の作製＞
フィルム状接着剤の作製に使用した化合物を以下に示す。

（ａ）エポキシ樹脂
・トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社、ＥＰ１０３２Ｈ６０）
・ビスフェノールＦ型液状エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社、ＹＬ９８３Ｕ）
・柔軟性エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社、ＹＬ７１７５）

（ｂ）硬化剤
２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体（四国化成株式会社、２ＭＡＯＫ−ＰＷ）

（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分
フェノキシ樹脂（東都化成株式会社、ＺＸ１３５６−２、Ｔｇ：約７１℃、Ｍｗ：約６３０００）

（ｄ）フィラー
・未処理無機シリカフィラー１（株式会社アドマテックス、ＳＥ１０５０、平均粒径：１００ｎｍ）
・未処理無機シリカフィラー２（株式会社アドマテックス、ＳＥ２０５０、平均粒径：５００ｎｍ）
・メタクリル表面処理ナノシリカフィラー（株式会社アドマテックス、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＭ、ＳＭナノシリカ、平均粒径：約５０ｎｍ）
・グリシジル表面処理ナノシリカフィラー（株式会社アドマテックス、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＥ、ＳＥナノシリカ、平均粒径：約５０ｎｍ）
・有機フィラー（樹脂フィラー、ロームアンドハースジャパン株式会社、ＥＸＬ−２６５５：コアシェルタイプ有機微粒子）

（ｅ）グリシジル系シランカップリング剤
グリシジルシランカップリング剤（東レダウコーニング株式会社、ＳＨ６０４０）

（ｆ）フラックス剤（カルボン酸）
２−メチルグルタル酸（アルドリッチ社、融点：約７７℃、以下「グルタル酸」と表記する）

（実施例１）
表１に示す配合量（単位：質量部）のエポキシ樹脂、硬化剤、フラックス剤、無機フィラー、有機フィラー、カップリング剤をＮＶ６０パーセントになるように有機溶媒（メチルエチルケトン）に添加した。その後、Φ１．０ｍｍ、Φ２．０ｍｍのビーズを固形分と同質量加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ−７）で３０分撹拌した。その後、フェノキシ樹脂（ＺＸ１３５６−２）を加え、再度、ビーズミルで３０分撹拌した。撹拌に用いたビーズをろ過によって除去した。作製したワニスを小型精密塗工装置（廉井精機）で塗工し、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）で乾燥（７０℃／１０分）し、フィルム状接着剤（半導体用接着剤）を得た。

（実施例２〜４、比較例１〜７）
使用した材料を下記表１に示すように変更したことを除いて実施例１と同様にしてフィルム状接着剤（半導体用接着剤）を得た。

＜評価＞
（１）接続信頼性評価
作製したフィルム状接着剤を切り抜き（７．３ｍｍ×７．３ｍｍ×０．０４５ｍｍ^ｔ）、はんだバンプ付き半導体チップ（チップサイズ：７．３ｍｍ×７．３ｍｍ×０．１５ｍｍ^ｔ、バンプ高さ：銅ピラー＋はんだ計約４５μｍ、バンプ数３２８、ピッチ８０μｍ）上に貼付した。次に、ガラスエポキシ基板（ガラスエポキシ基材：４２０μｍ厚、銅配線：９μｍ厚、）にＦＣＢ３（パナソニック製）で実装し（実装条件：圧着ヘッド温度３５０℃／５秒／０．５ＭＰａ）、図４と同様の半導体装置を得た。ステージ温度は８０℃とした。上記ガラスエポキシ基板とはんだバンプ付き半導体チップ（デイジーチェーン接続）をＦＣＢ３で実装後にマルチメータ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｒ６８７１Ｅ）を用いて初期導通の可否を測定した。初期接続抵抗値が１０．０〜１３．５Ωであるサンプルを「Ａ」（接続良好）と評価し、１３．５Ω超２０Ω以下を「Ｂ」（接続不良）と評価した。結果を表１に示す。

（２）視認性評価
上記方法で圧着する際に上記ＦＣＢ３を使用して、半導体用接着剤を介してチップ上のアライメントマークが自動認識可能か否かを評価した。自動認識可能である場合を「Ａ」（良好）と評価し、不可の場合を「Ｂ」（不良）と評価した。結果を表１に示す。

（３）吸湿後２６０℃接着力
作製したフィルム状接着剤を切り抜き（５ｍｍ×５ｍｍ×０．０４５ｍｍ^ｔ）、シリコンチップ（５ｍｍ×５ｍｍ×０．７２５ｍｍ^ｔ、ＳｉＮ膜コーティング）に８０℃で貼付け、熱圧着試験機（日立化成テクノプラント株式会社製）を用いて、前記と同種のシリコンチップ（１０ｍｍ×８ｍｍ×０．７２５ｍｍ^ｔ、ＳｉＮ膜コーティング）に圧着した（圧着条件：２５０℃／５秒／０．５ＭＰａ）。次に、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）中でアフターキュアした（１７５℃／２時間）。その後、８５℃／８５％の恒温恒湿器（ＥＳＰＥＣ製、ＰＲ−２ＫＰ）に２４時間放置し、取り出し後、２６０℃のホットプレート上で、接着力測定装置（ＤＡＧＥ社製、万能型ボンドテスタＤＡＧＥ４０００型）を使い、基板からのツール高さ０．０５ｍｍ、ツール速度０．０５ｍｍ／秒の条件で測定した。結果を表１に示す。

（４）耐リフロー性評価
（１）で作製したパッケージを、封止材（日立化成製、ＣＥＬ９７５０ＺＨＦ１０）を用いてモールドした（条件：１８０℃／６．７５ＭＰａ／９０秒）。次に、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）中で１７５℃、５時間アフターキュアを行った。その後、８５℃／８５％／２４時間で高温吸湿後、リフロー（ＦＵＲＵＫＡＷＡＥＬＥＣＴＲＩＣ製、ＳＡＬＡＭＡＮＤＥＲ）評価（リフロー炉を３回通した）を行った。リフロー後、剥離なく、接続良好なサンプルを「Ａ」と評価し、剥離や接続不良が生じたサンプルを「Ｂ」と評価した。接続評価は（１）と同様の方法で行った。結果を表１に示す。

（５）絶縁信頼性（耐ＴＣＴ性）評価
（１）で作製したパッケージに対してクリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）中で１７５℃、２時間アフターキュアを行った。その後、サンプルを冷熱サイクル試験機（ＥＴＡＣ製、ＴＨＥＲＭＡＬＳＨＯＣＫＣＨＡＭＢＥＲＮＴ１２００）につなぎ、１ｍＡ電流を流し、室温２５℃／２分→−５５℃／１５分→室温２５℃／２分→１２５℃／１５分→室温２５℃／２分を１サイクルとして、１０００サイクル測定した。初期の抵抗値波形と比べて１０００サイクル後も大きな変化がない（差が１Ω未満）場合を「Ａ」と評価し、１Ω以上の差が生じた場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。なお、比較例４，５については評価を行わなかった。

実施例では、優れた接続信頼性及び耐リフロー性が得られることが確認された。また、実施例では、充分な視認性を確保しつつ、耐リフロー性が満足できることが確認された。

１０…半導体チップ、１５…配線、２０，６０…基板、３０…接続バンプ、３２…バンプ、３４…貫通電極、４０…半導体用接着剤、５０…インターポーザ、７０…ソルダーレジスト、１００，２００，３００，４００，５００，６００…半導体装置。

Claims

半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において前記接続部の封止に用いられる半導体用接着剤であって、
エポキシ樹脂、硬化剤、重量平均分子量１００００以上の高分子成分、平均粒径１００ｎｍ以下の無機フィラー、及び、グリシジル系シランカップリング剤を含有し、
前記無機フィラーの含有量が２０〜４０質量％である、半導体用接着剤。
フラックス剤を更に含有する、請求項１に記載の半導体用接着剤。
前記フラックス剤がカルボン酸である、請求項２に記載の半導体用接着剤。
前記無機フィラーが、（メタ）アクリル系シランで表面処理された無機フィラーである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。
フィルム状である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。
前記高分子成分の重量平均分子量が３００００以上であり、前記高分子成分のガラス転移温度が１００℃以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。
半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置であって、
前記接続部が、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤により封止されている、半導体装置。