JP3668439B2 - 接着フィルム - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は接着フィルムに用いられる剥離フィルムにかかり、特に、異方導電性接着フィルムに用いられる剥離フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体チップを基板に接続するために、接着フィルムが広く用いられている。
【０００３】
図５（ａ）の符号１１０は従来技術の接着フィルムを示している。接着フィルム１１０は剥離フィルム１１１と、剥離フィルム１１１の表面に密着配置された接着剤層１１８とを有している。
剥離フィルム１１１は基材１１２と、基材１１２表面に形成された離型剤層１１５とを有しており、離型剤層１１５は剥離フィルム１１１の接着剤層１１８に密着した面に配置されている。
【０００４】
図５（ａ）の符号１０２は基板を示している。基板１０２はベースフィルム１０３と、ベースフィルム１０３表面に配置された金属配線１０４とを有している。この基板１０２と後述する半導体チップとを接続するには、先ず、接着フィルム１１０の接着剤層１１８が配置された側の面を、基板１０２の金属配線１０４が配置された側の面に押しつける（図５（ｂ））。
【０００５】
一般に離型剤層１１５はシリコーンオイルにより構成されており、シリコーンオイル（離型剤層）と接着剤層１１８との接着力は、シリコーンオイルと基材１１２との接着力よりも小さく、かつ、接着剤層１１８と基板１０２との接着力よりも小さくされているので、図５（ｂ）に示した状態で、剥離フィルム１１１を剥離すると、剥離フィルム１１１は接着剤層１１８から剥離され、基板１０２上には接着剤層１１８が残る（図５（ｃ））。
【０００６】
図５（ｄ）の符号１０５は半導体チップを示しており、半導体チップ１０５はチップ本体１０６とチップ本体１０６の一面に形成されたバンプ状の接続端子１０７とを有している。半導体チップ１０５の接続端子１０７が形成された側の面と基板１０２の金属配線１０４が配置された側の面とを対向させ、位置合せを行った後、半導体チップ１０５を基板１０２上の接着剤層１１８に押し当て、その状態で、半導体チップ１０５を押圧しながら加熱すると、半導体チップ１０５の接続端子１０７が基板１０２の金属配線１０４表面に当接される。また、接着剤層１１８は加熱によって接着性を発現するので、半導体チップ１０５と基板１０２とは機械的にも接続され、図５（ｅ）に示す電気装置１０１が得られる。
【０００７】
このように、離型剤層１１５を有する剥離フィルム１１１を用い、接着フィルム１１０を構成すれば、接着剤層１１８から剥離フィルム１１１を容易に剥離し、基板１０２と半導体チップ１０５との接続を行うことができる。
しかしながらシリコーンオイルからなる離型剤は基材１１２に対する接着性が低いので、接着フィルム１１０を製造する工程で離型剤層１１５が部分的に脱落したり、接着剤層１１８から剥離フィルム１１１を剥離する際に離型剤層１１５の一部が接着剤層１１８に転着する場合がある。
【０００８】
離型剤層１１５が剥離フィルム１１１から脱落すると、脱落した部分では接着剤層１１８と基材１１２とが直接接触し、その部分の接着剤層１１８に対する接着力が高くなるので、剥離フィルム１１１から接着剤層１１８が剥れ難くなる。また、接着剤層１１８表面に転着した離型剤層１１５が残留している場合には、離型剤層１１５接着剤層１１８と半導体チップ１０５との接着力が低下し、得られる電気装置１０１の信頼性が悪くなってしまう。
【０００９】
また、特開平５−１５４８５７に記載されているように、離型剤層を形成せず、フッ素樹脂フィルムのような離型性を有する基材を剥離フィルムとして用いる方法が公知である。
【００１０】
しかしながら、フッ素樹脂フィルムは一般に延伸法により製造されており、製造の工程でフィルムに延びが発生するのでフィルムの厚さにばらつきが生じやすく、得られるフィルムの幅の精度や、接着フィルムを形成した場合の膜厚の精度が低くなってしまう。
【００１１】
また、基材表面に離型剤を設けず、直接接着剤層を設ける場合には、接着剤層と基材（剥離フィルム）との接着力が基材表面の表面粗度（粗さ）に左右されてしまう。従って、基材表面の表面粗度にばらつきがある場合には、接着剤層と基材との接着力にばらつきが生じてしまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、接着剤層の剥離性に優れ、信頼性の高い電気装置を製造するための接着フィルムを得ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基材と、基材表面に形成された離型剤層とを有する剥離フィルムと、前記剥離フィルムの前記離型剤層表面に配置された接着剤層とを有し、前記基材の前記離型剤層が配置された側の面の表面粗さが３μｍ以下であり、前記離型剤層がフッ素化合物を主成分とする接着フィルムであって、前記接着剤層はエポキシ樹脂を有し、前記フッ素化合物の主成分はＣ8Ｆ16Ｏと、Ｃ8Ｆ18のいずれか一方又は両方を含有し、前記基材は、フィルム状に成形されたポリエステル樹脂を主成分とし、前記接着剤層を引き剥がすと、前記接着剤層と前記離型剤層との界面で剥離が起こり、前記離型剤層は前記基材表面に残る接着フィルムである。
請求項２記載の発明は、基材と、基材表面に形成された離型剤層とを有する剥離フィルムと、前記剥離フィルムの前記離型剤層表面に配置された接着剤層とを有し、前記基材の前記離型剤層が配置された側の面の表面粗さが１μｍ以上３μｍ以下であり、前記離型剤層がフッ素化合物を主成分とする接着フィルムであって、前記接着剤層はエポキシ樹脂を有し、前記フッ素化合物の主成分はＣ8Ｆ16Ｏと、Ｃ8Ｆ18のいずれか一方又は両方を含有し、前記基材は、フィルム状に成形されたポリエステル樹脂を主成分とし、前記接着剤層を引き剥がすと、前記接着剤層と前記離型剤層との界面で剥離が起こり、前記離型剤層は前記基材表面に残る接着フィルムである。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の接着フィルムであって、前記離型剤層は、前記フッ素化合物を主成分とする離型剤を前記基材表面１ｍ2当たり０．０１ｇ以上５ｇ以下塗布されてなる接着フィルムである。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の接着フィルムであって、前記離型剤層の水に対する接触角が１００°以上１４０°以下であり、シリコーンオイルに対する接触角が３０°を超え、かつ、５０°以下である接着フィルム。
請求項５記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の接着フィルムであって、前記基材の膜厚が１２．５μｍ以上１００μｍ以下である接着フィルム。
請求項６記載の発明は、請求項５記載の接着フィルムであって、前記基材はフィルム状に成形された前記ポリエステル樹脂と、前記ポリエステル樹脂中に分散されたフィラーとを有する接着フィルムである。
【００１４】
尚、本発明で用いる表面粗さとは、レーザー顕微鏡型干渉計（例えばＬａｓｅｒｔｅｃ社製の商品名「Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ＩＬＭ２１」）を用いて対象物（基材）表面の焦点の合い方によって得られるＺ方向の高さを測定した場合に、得られる中心線の平均粗さのことである。
【００１５】
本発明は上記のように構成されており、本発明の剥離フィルムでは基材表面の粗さが３μｍ以下にされており、剥離フィルムの離型剤層表面に接着剤層を形成した場合、接着剤層の離型剤層と密着する面の粗さが２μｍ以下になる。従って、接着剤層の剥離フィルムを剥離した面に貼着対象物に貼着した場合に過剰な空気が入りこまず、接着剤層と貼着対象物との間に気泡が生じない。
【００１６】
また、基材表面の粗さが１μｍ以上である場合、剥離フィルム表面の凹凸によって剥離フィルムと接着剤層との間に適度な摩擦力が生じるので、接着フィルムを切断する場合に接着剤層が剥離フィルムから剥離しない。
【００１７】
基材表面に凹凸（粗さ）を形成する方法には、基材中にフィラーを含有させる方法や、コロナ放電や研磨等によって基材表面を粗面化する方法などがある。
基材にフィラーを含有させる場合には、含有させるフィラーの粒径（平均粒径）や含有量を調整することによって、基材表面の粗さを調整することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の剥離フィルムと接着フィルムとを、それらの製造方法と共に詳細に説明する。図１（ａ）の符号１２は基材を示している。この基材１２はフィルム状に成形されたポリエステル樹脂と、ポリエステル樹脂中に分散されたフィラーとからなる。
【００１９】
図１（ａ）の符号１３は基材１２中のフィラーを示しており、基材１２の表面近傍に位置するフィラー１３によって基材１２の表面が盛り上がり、基材１２表面には凹凸が形成されている。
【００２０】
この基材１２を用いて接着フィルムを製造するには、先ず、基材１２表面にフッ素化合物を主成分とする離型剤を所定量（基材１２表面の面積１ｍ2当たり０．０１ｇ以上５ｇ以下）塗布する。このとき、塗工液の塗布量は充分に少ないので、基材１２表面の凹凸は塗工液によって埋まらない。
【００２１】
次いで、全体を加熱乾燥させると、基材１２表面に離型剤層１５が形成される（図１（ｂ））。
図１（ｂ）の符号１１は離型剤層１５が形成された状態の剥離フィルムを示している。剥離フィルム１１の離型剤層１５が形成された側の面は、基材１２の凹凸のパターンに沿って凹凸が形成されている。また、離型剤層１５を形成する工程で、離型剤層１５と基材１２との間に架橋構造が形成されている。
【００２２】
次に、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤を用意する。フッ素化合物を有する離型剤層１５の接着剤に対するぬれ性は高いので、剥離フィルム１１の離型剤層１５が形成された側の表面に接着剤を塗布すると、接着剤液は離型剤層１５にはじかれず、膜厚の均一な接着剤層１８が形成される。次いで、全体を乾燥すると、本発明の接着フィルム１０が得られる（図１（ｃ））。
【００２３】
次に、この接着フィルム１０を用いて電気装置を製造する工程を説明する。
図２（ａ）の符号２１は基板を示しており、基板２１はベースフィルム２２と、ベースフィルム２２の一面に配置された金属配線２３とを有している。この基板２１に後述する半導体チップを接続するには、先ず、接着フィルム１０の接着剤層１８が形成された側の面を基板２１の金属配線２３が配置された側の面に押し当てる（図２（ｂ））。
【００２４】
接着剤層１８と基板２１との接着力は接着剤層１８と離型剤層１５との接着力よりも大きく、また、基板２１と離型剤層１５との接着力も充分に大きいので、図２（ｂ）で示した状態の剥離フィルム１１を接着剤層１８から剥離すると、接着剤層１８に離型剤層１５が転着せず、基板２１上に接着剤層１８のみが残る。
【００２５】
図２（ｃ）はその状態を示しており、接着剤層１８の剥離フィルム１１が剥離された側の面には、剥離フィルム１１表面の凹凸のパターンが転写されている。
図２（ｄ）の符号３１は半導体チップを示している。半導体チップ３１はチップ本体３２とチップ本体３２の一面に配置されたバンプ状の接続端子３３とを有しており、接続端子３３は半導体チップ３１の不図示の内部回路に接続されている。
【００２６】
半導体チップ３１の接続端子３３が配置された面を基板２１の接着剤層１８が配置された面に向け、接続端子３３と金属配線２３とが対向するよう位置合せを行った後、半導体チップ３１を接着剤層１８の表面に押し当てる。
【００２７】
半導体チップ３１を押圧しながら、全体を加熱すると、加熱によって接着剤層１８が軟化し、半導体チップ３１の接続端子３３が押圧によって接着剤層１８を押し退け、接続端子３３が対向する金属配線２３に当接される。
【００２８】
この状態で所定時間加熱を続けると、接続端子３３が金属配線２３に当接された状態で接着剤層１８が硬化し、接続端子３３が金属配線２３に当接された状態で半導体チップ３１が基板２１に固定され、電気装置が得られる。
【００２９】
図２（ｅ）の符号１は上記の工程で作成された電気装置を示しており、この電気装置１では基板２１と半導体チップ３１とが接続端子３３を介して電気的に接続されている。また、接着剤層１８には離型剤層１５が残留していないので、接着剤層１８を介して基板２１と半導体チップ３１とが機械的に強固に接続されている。
【００３０】
以上は、接着剤層１８の一方の面に剥離フィルム１１を密着させた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでは無い。
図３の符号５０は本発明の他の例の接着フィルムを示している。接着フィルム５０は接着剤層５８と、２枚の剥離フィルム１１とを有しており、図１（ｂ）に示した剥離フィルム１１と同じ部材には、同じ数字を付し、２枚の剥離フィルム１１ａ、１１ｂの部材はそれぞれ添え字ａ、ｂを付して区別する。
【００３１】
２枚の剥離フィルム１１ａ、１１ｂは接着剤層５８の表面と裏面にそれぞれ密着配置されており、これら剥離フィルム１１ａ、１１ｂのうち、一方の剥離フィルム１１ａ、１１ｂを剥離した後、図２（ａ）〜（ｅ）の工程で電気装置１の接続を行うことができる。
【００３２】
また、以上は半導体チップ３１を基板２１とを接続する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでは無く、種々の電気装置の接続に用いることができ、例えば、半導体チップを搭載可能なＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）と、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）との接続に用いることができる。
【００３３】
離型剤層１５を構成するフッ素化合物としては種々のものを用いることができるが、特に、Ｃ6Ｈ4（ＣＦ3）2、Ｃ8Ｆ16Ｏ、Ｃ8Ｆ18で示されるフッ素化合物を用いることが好ましい。また、これらのフッ素化合物を単独で用いてもよいし、２種類以上のフッ素化合物を混合して用いても良い。
【００３４】
また、以上はフィラー１３を含有する基材１２を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでは無い。フィラーを含有しない基材１２を用いる場合には、例えば、研磨剤を用いて基材１２表面を研磨する方法や、コロナ放電によって基材１２表面を粗面化する方法等によって基材１２表面の粗さを調整することができる。
【００３５】
基材１２の材質としては、種々のポリエステル樹脂を用いることができるが、強度、価格の面からポリエチレンテレフタレートを用いることが好ましい。
接着剤層１８に用いることのできる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂等種々のものを用いることができるが、熱硬化後の接着剤の強度等を考慮するとエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００３６】
エポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤を併用することが好ましく、本発明に用いられる硬化剤としてはイミダゾール系硬化剤、ポリアミン硬化剤、フェノール類、イソシアネート類、ポリメルカプタン類、酸無水物硬化剤など種々のものを用いることができる。これらの硬化剤をマイクロカプセル化し、所謂潜在性硬化剤として用いても良い。
【００３７】
また、接着剤には、消泡剤、着色剤、老化防止剤など種々の添加剤を添加することもできる。接着剤に熱可塑性樹脂を配合すれば、熱可塑性樹脂の性質から接着剤の凝集力が増すので接着剤の接着性がより高くなる。このような熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビニルアセタール、エチレンビニルアセテート、ポリブタジエンゴム等のゴム類等種々のものを用いることができる。また、導電性粒子を分散させた接着剤を用い、接着剤層を形成することもできる。
【００３８】
【実施例】
フィラー１３が分散されたポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略記する）フィルムからなり、表面の粗さと膜厚とがそれぞれ異なる４種類の基材１２と、フィラーを有しないＰＥＴフィルムからなる基材１２を１種類とをそれぞれ用意した。これら基材１２の表面の粗さと膜厚とをそれぞれ下記表１に記載する。
【００３９】
【表１】
Figure 0003668439
【００４０】
フレオンとシンナーとからなるフッ素系溶剤にフッ素化合物であるＣ8Ｆ16Ｏを７５重量部と、同じくフッ素化合物であるＣ8Ｆ18を２５重量部とを添加、混合し、フッ素系の離型剤を作製した。
上記５種類の基材１２の一面に、上記表１の「塗布量」の欄に記載した量の離型剤をグラビアコーターを用いて塗布、乾燥し、５種類の剥離フィルム１１を形成した。
【００４１】
次いで、ソニーケミカル（株）社製の異方導電性接着剤（商品名「ＦＰ１６６１３」）に用いられる固形のエポキシ樹脂６０重量部を有機溶媒４０重量部に溶解、混合し、固形分を６０重量％含有する接着剤を作製した。各剥離フィルム１１の離型剤層１５表面に上記接着剤をナイフコーターを用いてそれぞれ塗布し、次いで、全体を８０℃、５分間の条件で乾燥し、膜厚２５μｍの接着剤層１８を形成し、実施例１〜５の接着フィルム１０を得た。
【００４２】
また、これとは別に、離型剤としてシリコーンオイルを用い、該シリコーンオイルの塗布量を０．３ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同じ条件で比較例１の接着フィルムを作製した。また、フッ素樹脂フィルム（日東電工（株）社製の商品名「ニトフロン＃９００」、膜厚７５μｍ）の表面に実施例１〜５と同じ工程で接着剤層を形成し、離型剤層を有しない比較例２の接着フィルムを作製した。これら実施例１〜５、比較例１、２の接着フィルムを用いて下記に示す「スリット性」、「加工性」、「巻じまり」の各評価試験を行った。
【００４３】
〔スリット性〕
接着フィルム１０を切断（スリット）して１．５ｍｍ幅の細長の小片を作製し、得られた小片を観察した。試験片の接着剤層１８が剥離フィルム１１に密着した状態のものを「○」、接着剤層１８が剥離フィルム１１から剥離したものを「×」として評価した。
【００４４】
〔加工性〕
カッターを用い、接着フィルム１０から接着剤層１８のみを切りだした（ハーフカット）。このとき、剥離フィルム１１の損傷なしに接着剤層１８が切り出されたものを「○」、剥離フィルム１１が破損した、又は、接着剤層１８が基材１２から剥離されなかったものを「×」として評価した。
【００４５】
〔巻じまり〕
幅１．５ｍｍ、長さ５０ｍの実施例１〜５、比較例１、２の接着フィルム１０を作製し、これらの接着フィルム１０を直径１１０ｃｍのリールに一定張力（１０ｇｆ／ｈ）で巻き取り、巻き取られた状態の接着フィルム１０を３０℃で４８時間保存した後、接着フィルム１０の接着剤層１８の状態を観察した。接着フィルムの接着剤層１８にはみ出し等が観察されないものを「○」、接着剤層１８がはみ出したものを「×」として評価した。
【００４６】
上記表１から明らかなように、基材１２としてフィラーを含有するＰＥＴフィルムを用いた実施例１〜５の接着フィルム１０では、巻きじまりに優れた結果が得られたが、剥離フィルムとしてフッ素樹脂フィルムを用いた比較例２では、巻き取りによってフッ素樹脂フィルムに延びが生じたため、巻き取り後の接着フィルムに接着剤層のはみ出しが観察された。
【００４７】
また、基材１２の膜厚が１２．５μｍの実施例４は他の実施例に比べ加工性（ハーフカット性）が劣ったが、実用上は何の問題も無い。
基材１２がフィラーを含有せず、表面粗さが０μｍの実施例５では、切断時に剥離フィルム１１表面から接着剤層１８が剥離したが、接着剤層１８の剥離の程度は実用上は問題が無い範囲であった。
【００４８】
【実施例】
次に、実施例１に用いたものと同じ基材１２の表面に、実施例１に用いたものと同じ離型剤を、それぞれ下記表２に示す塗布量塗布し、４種類の剥離フィルム１１を作製した。次いで、これらの剥離フィルム１１を用いて実施例１と同じ工程で実施例６〜９の接着フィルム１０を作製した。
【００４９】
【表２】
Figure 0003668439
【００５０】
これら実施例６〜９の接着フィルム１０と、上記実施例１〜５、比較例１、２の接着フィルム１０とを用いて下記に示す「外観」、「コスト」、「剥離力」、「接着力」、「導通」、「スタートエンド剥離強度」の各試験を行った。
〔外観〕接着フィルム１０を観察し、接着剤層１８中に空孔（ピンホール）が観察されないものを「○」、空孔が観察されるものを「×」として評価した。
【００５１】
〔剥離力〕接着フィルム１０の接着剤層１８を剥離フィルム１１から剥離するときに必要な力を測定した。
〔コスト〕接着フィルム１０の製造コストを、一般的な剥離ＰＥＴフィルムを用いた場合の製造コストよりも低い場合を「○」、製造コストが高いが、実施可能な範囲である場合を「△」、製造コストが高く、実施不可能な場合を「×」として評価した。
【００５２】
〔接着力〕
実施例１〜９、比較例１、２の接着フィルムを用いて上記図２（ａ）〜（ｅ）の工程で基板２１と半導体チップ３１とを接続した後、半導体チップ３１から基板２１を剥離する際に必要な力（接着力）を測定した（初期）。これとは別に、接着フィルム１０を温度条件５０℃で２４時間保存（エージング）した後、上記と同様の条件で接着力を測定した（エージング後）。
【００５３】
ここでは、半導体チップ３１として、平面形状が６．３ｍｍ角の正方形であり、平面形状が５０μｍ角の正方形であり、高さが２０μｍである接続端子３３が２４０個形成されたものを用い、基板２１として厚さ２０μｍのポリイミドフィルム（ベースフィルム２２）表面に幅５０μｍの金属配線２３（ここでは、膜厚１２μｍの銅配線表面に金メッキ層を形成したものを用いた）を５０μｍの間隔を開けて複数本配置したものを用い、加熱温度１９０℃、荷重５．８５ｋＰａ、１０秒間の条件で熱圧着を行った。
【００５４】
〔導通〕実施例１〜５、比較例１、２の接着フィルム１０を用いて上記図２（ａ）〜（ｅ）に示した工程で７種類の電気装置１を作製した。ここでは、平面形状が１ｃｍ角のチップ本体３２に平面形状が１００ｎｍ角、高さ２０μｍの接続端子３３を１５０ｎｍの間隔で２６４個形成したものを半導体チップ３１として用い、膜厚２５μｍのポリイミドフィルム（ベースフィルム２２）の表面に、膜厚１２μｍの銅配線（金属配線２３）を形成したものを基板２１として用いた。
【００５５】
これら７種類の電気装置１の基板２１と半導体チップ３１との導通を測定した後（初期）、それらの電気装置１を２４０℃に加熱（リフロー）し、加熱後の導通を測定した（リフロー後）。測定された導通抵抗値が１０ｍΩ未満のものを「○」、１０ｍΩ以上５０ｍΩ未満のものを「△」、５０ｍΩ以上のものを「×」として評価した。
【００５６】
〔スタートエンド剥離強度〕
実施例１〜５、比較例１、２の接着フィルム１０を長さ１０ｍになるよう作製し、得られた接着フィルム１０の長さ方向の一方の端部（スタート）と、他方の端部（エンド）とからそれぞれ小片を切りだし、得られた小片について上記「剥離力」と同じ条件で剥離力の測定をそれぞれ行い、一方の端部から切りだした小片の剥離力と、他方の端部から切り出した小片の剥離力との差を求めた。
【００５７】
実施例６〜７について得られた測定結果及び評価結果を上記表２に、実施例１〜５、比較例１、２について得られた測定結果及び評価結果を下記表３にそれぞれ記載した。
【００５８】
【表３】
Figure 0003668439
【００５９】
上記表２、表３から明らかなように、実施例１〜９の接着フィルムでは「外観」、「導通」共に高い評価が得られただけでは無く、「初期」と「エージング後」で接着力の差も無かった。
また、スタードエンド剥離試験において得られた剥離強度の差も小さく、本発明の接着フィルム１０は比較例１、２に比べ接着フィルム１０の剥離強度にむらが無いことが確認された。
【００６０】
他方、離型剤としてシリコーンオイルを用いた比較例１や、剥離フィルムとして離型剤層を有しないフッ素樹脂フィルムを用いた比較例２では、接着剤層中に気泡が確認されただけでは無く、スタートエンド剥離強度で得られた剥離強度の差も大きかった。
【００６１】
これらのうち、シリコーンオイルを用いた比較例１ではリフロー後の「導通」の評価が悪かった。これは剥離フィルムを剥離した後の接着剤層表面にシリコーンオイルが残留し、残留したシリコーンオイルによってリフロー中に導通不良が生じたためである。
【００６２】
【実施例】
フィラーを分散させたフィルム状のＰＥＴ（表面粗さ５μｍ）を基材として用い、上記実施例１と同じ条件で比較例３の接着フィルムを作成した。比較例３、上記実施例２、３、５の接着フィルム１０の接着剤層１８を剥離フィルム１１からそれぞれ剥離し、接着剤層１８の剥離フィルム１１から剥離された側の面（剥離面）について、レーザー顕微鏡干渉計であるＬａｓｅｒｔｅｃ社製の商品名「Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ＩＬＭ２１」を用い、表面粗さを測定した。それらの測定結果を図４のグラフに記載する。
【００６３】
図４のグラフの縦軸は接着剤層１８の剥離面の表面粗さ（μｍ）を、横軸は基材１２表面の粗さ（μｍ）をそれぞれ示しており、図４の符号Ｌは得られたグラフの曲線を示している。図４からから明らかなように、基材１２表面の粗さと接着剤層１８の剥離面の粗さには相関性があり、基材１２表面の粗さが３μｍを超える場合には、接着剤層１８の粗さが２μｍを超えることが確認された。
次に、上記実施例２、３、５、及び比較例３の接着フィルム１０を用いて下記に示す「気泡」の試験を行った。
【００６４】
〔気泡〕接着フィルム１０から幅２ｍｍの小片を切りだし、試験片とした。これらの試験片の剥離フィルム１１を接着剤層１８から剥離し、接着剤層１８の剥離フィルム１１が剥離された面を、ガラス基板表面にそれぞれ押し当て、８０℃、３ｋｇｆ／ｃｍ2の条件で加熱押圧を行った（仮圧着）。次いで、仮圧着後の接着剤層１８を観察した。接着剤層１８中に気泡が無いものを「○」、接着剤層１８の端部にのみ気泡が観察されるものを「△」、端部だけでは無く、接着剤層１８の中央部分にも気泡が観察されるものを「×」として評価した。これらの評価結果を、基材１２表面の粗さと共に下記表４に記載した。
【００６５】
【表４】
Figure 0003668439
【００６６】
上記表４から明らかなように、実施例２、３、５の接着フィルム１０では接着剤層１８に気泡が殆ど観察されず、特に、実施例２、３では接着フィルム１０の端部にも気泡が観察されなかった。他方、比較例３の接着フィルムでは、基材表面の粗さが大きすぎたため、剥離フィルムと接着剤層との間に多くの気泡が確認された。
【００６７】
【実施例】
次に、上記実施例１に用いたものと同じ剥離フィルム１１を実施例１０とし、実施例１０の剥離フィルム１１を用いて下記に示す「接触角」と「接着剤ハジキ」の各試験をそれぞれ行った。
〔接触角〕剥離フィルム１１の離型剤層１５表面と、水との接触角を測定した。同様に、離型剤層１５表面とシリコーンオイルとの接触角を測定した。尚、接触角測定時の温度は２５℃であった。測定された各接触角を下記表２、接触角の水の欄とシリコーンオイルの欄にそれぞれ記載する。
【００６８】
〔接着剤ハジキ〕剥離フィルム１１をＡ４の大きさに切りだし、切りだした剥離フィルム１１の離型剤層１５表面一面に、実施例１に用いたものと同じ接着剤を塗布し、形成された接着剤の塗布膜を観察した。
形成された塗布膜の膜厚が均一であり、塗布膜中に空孔（ハジキ）が観察されない場合を「○」、離型剤層１５表面に直径５μｍ以下の空孔が１個以上３個以下確認されるものを「○−△」、塗布膜の一部分に４個以上の空孔が観察されるものを「△」、塗布膜一面に空孔が観察されるものを「×」として評価した。これらの評価結果を下記表５に記載した。
【００６９】
【表５】
Figure 0003668439
【００７０】
尚、比較例４〜７はそれぞれＰＥＴフィルムからなる基材表面にシリコーンオイルからなる離型剤層を形成した場合である。比較例４に用いた剥離フィルムは、帯電防止能が付与されたＰＥＴフィルム（膜厚２５μｍ）を基材として用いた場合である。比較例５〜７は帯電防止能の付与された白色ＰＥＴフィルム（フィラー含有、膜厚５０μｍ）の表面に、それぞれ異なる種類のシリコーンオイルを用いて離型剤層を形成した場合である。また、比較例８は上記比較例２に用いたものと同じ剥離フィルムを用いた場合である。
【００７１】
上記表５から明らかなように、実施例１０の剥離フィルム１１は、離型剤層１５表面と水との接触角が１００°以上１４０°以下であり、シリコーンオイルとの接触角が３０°を超え、かつ５０°以下であった。このような表面特性を有する実施例１０の剥離フィルム１１では、塗布膜にハジキは見られなかった。
【００７２】
他方、離型剤としてシリコーンオイルを用いた比較例４〜７と、離型剤層を有しないフッ素樹脂フィルムからなる比較例８では、シリコーンオイルとの接触角が３０°以下であり、このような剥離フィルムでは接着剤の塗布膜にハジキが観察された。
【００７３】
【発明の効果】
スリット性が高く、かつ、剥離フィルムを接着剤層から剥離した際に接着剤層に離型剤が残留しない接着フィルムを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】(ａ)〜(ｃ)：接着フィルムを製造する工程を説明するための図
【図２】(ａ)〜(ｅ)：電気装置を製造する工程を説明するための図
【図３】接着フィルムの他の例を説明するための図
【図４】基材表面の粗さと、接着剤層表面の粗さとの関係を示したグラフ
【図５】(ａ)〜(ｅ)：従来技術の接着フィルムを用いて電気装置を製造する工程を説明するための図
【符号の説明】
１０……接着フィルム
１１……剥離フィルム
１２……基材
１５……離型剤層
１８……接着剤層

Claims (6)

  1. 基材と、基材表面に形成された離型剤層とを有する剥離フィルムと、前記剥離フィルムの前記離型剤層表面に配置された接着剤層とを有し、
    前記基材の前記離型剤層が配置された側の面の表面粗さが３μｍ以下であり、
    前記離型剤層がフッ素化合物を主成分とする接着フィルムであって、
    前記接着剤層はエポキシ樹脂を有し、
    前記フッ素化合物の主成分はＣ8Ｆ16Ｏと、Ｃ8Ｆ18のいずれか一方又は両方を含有し、
    前記基材は、フィルム状に成形されたポリエステル樹脂を主成分とし、
    前記接着剤層を引き剥がすと、前記接着剤層と前記離型剤層との界面で剥離が起こり、前記離型剤層は前記基材表面に残る接着フィルム。
  2. 基材と、基材表面に形成された離型剤層とを有する剥離フィルムと、前記剥離フィルムの前記離型剤層表面に配置された接着剤層とを有し、
    前記基材の前記離型剤層が配置された側の面の表面粗さが１μｍ以上３μｍ以下であり、
    前記離型剤層がフッ素化合物を主成分とする接着フィルムであって、
    前記接着剤層はエポキシ樹脂を有し、
    前記フッ素化合物の主成分はＣ8Ｆ16Ｏと、Ｃ8Ｆ18のいずれか一方又は両方を含有し、
    前記基材は、フィルム状に成形されたポリエステル樹脂を主成分とし、
    前記接着剤層を引き剥がすと、前記接着剤層と前記離型剤層との界面で剥離が起こり、前記離型剤層は前記基材表面に残る接着フィルム。
  3. 前記離型剤層は、前記フッ素化合物を主成分とする離型剤を前記基材表面１ｍ2当たり０．０１ｇ以上５ｇ以下塗布されてなる請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の接着フィルム。
  4. 前記離型剤層の水に対する接触角が１００°以上１４０°以下であり、シリコーンオイルに対する接触角が３０°を超え、かつ、５０°以下である請求項１又は請求項３のいずれか１項記載の接着フィルム。
  5. 前記基材の膜厚が１２．５μｍ以上１００μｍ以下である請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の接着フィルム。
  6. 前記基材はフィルム状に成形された前記ポリエステル樹脂と、前記ポリエステル樹脂中に分散されたフィラーとを有する請求項５記載の接着フィルム。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9704419B2 (en) * 2002-02-22 2017-07-11 Magnum Magnetics Corporation Magnetic label-stock systems
US20110274864A1 (en) * 2002-02-22 2011-11-10 Keith Medley Magnetic label stock material
JP4386696B2 (ja) * 2003-05-27 2009-12-16 株式会社リコー ファーブラシ、ファーブラシの製造方法、クリーニング装置、プロセスカートリッジ、および画像形成装置
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2007268723A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Lintec Corp 剥離シート
MY149815A (en) * 2006-04-25 2013-10-14 Denki Kagaku Kogyo Kk Cover film
WO2007129711A1 (ja) * 2006-05-09 2007-11-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着シート、これを用いた回路部材の接続構造及び半導体装置
JP5154834B2 (ja) * 2007-05-07 2013-02-27 デクセリアルズ株式会社 異方導電性接着剤フィルム及び異方導電性接着剤フィルムの製造方法
JP4909166B2 (ja) * 2007-05-08 2012-04-04 住友ゴム工業株式会社 平坦化シートとそれを用いたカラーフィルタの製造方法
JP5446369B2 (ja) * 2008-04-30 2014-03-19 東洋紡株式会社 粘着フィルム
JP4805999B2 (ja) * 2008-12-09 2011-11-02 日東電工株式会社 粘着剤層付き透明導電性フィルムとその製造方法、透明導電性積層体およびタッチパネル
JP5485083B2 (ja) * 2010-08-31 2014-05-07 日東電工株式会社 熱硬化型接着テープ又はシート
JP6011924B2 (ja) * 2012-10-02 2016-10-25 大日本印刷株式会社 加飾シート、およびそれを用いた繊維強化複合成形体の製造方法
JP6011923B2 (ja) * 2012-10-02 2016-10-25 大日本印刷株式会社 樹脂シート、およびそれを用いた繊維強化複合成形体の製造方法
JP6011925B2 (ja) * 2012-10-02 2016-10-25 大日本印刷株式会社 熱転写箔およびそれを用いた加飾成形体
JP6033135B2 (ja) * 2013-03-15 2016-11-30 リンテック株式会社 グリーンシート製造用剥離フィルムおよびグリーンシート製造用剥離フィルムの製造方法
JP6431256B2 (ja) * 2013-10-11 2018-11-28 デクセリアルズ株式会社 接着フィルム、フィルム巻装体、接続構造体の製造方法、接続方法、接続構造体
KR102301453B1 (ko) * 2014-01-31 2021-09-10 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 광학 이방성 시트
JP2015143790A (ja) 2014-01-31 2015-08-06 住友化学株式会社 転写用光学異方性シート
FR3028664B1 (fr) * 2014-11-14 2016-11-25 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation et de transfert de couches
KR20160098840A (ko) * 2015-02-11 2016-08-19 삼성전자주식회사 수지 흐름 제어를 위한 이형 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
TWI535563B (zh) * 2015-03-31 2016-06-01 長興材料工業股份有限公司 疊層結構
JP6180499B2 (ja) * 2015-12-24 2017-08-16 タツタ電線株式会社 シールドフィルム、シールドプリント配線板及びシールドプリント配線板の製造方法
JP6180500B2 (ja) * 2015-12-24 2017-08-16 タツタ電線株式会社 シールドフィルム、シールドプリント配線板及びシールドプリント配線板の製造方法
WO2017145938A1 (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 リンテック株式会社 保護膜形成用シート、保護膜形成用シートの製造方法及び半導体装置の製造方法
CN106166863A (zh) * 2016-08-11 2016-11-30 苏州柯创电子材料有限公司 耐高温复合离型膜
JP6496066B1 (ja) * 2017-11-20 2019-04-03 日東電工株式会社 補強フィルム
JP6750763B1 (ja) 2018-10-12 2020-09-02 大日本印刷株式会社 透明性樹脂フィルム、化粧板及び化粧板の製造方法
CN111391466A (zh) * 2020-03-31 2020-07-10 南京汇鑫光电材料有限公司 一种厚胶涂布工艺及其加工设备
CN112968106B (zh) * 2020-08-12 2021-12-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移方法以及显示装置
CN112258984B (zh) * 2020-09-27 2022-08-30 昆山国显光电有限公司 复合结构及显示模组的制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2509773B2 (ja) 1991-12-05 1996-06-26 住友ベークライト株式会社 異方導電フィルムの製造方法
JP3836558B2 (ja) * 1997-02-18 2006-10-25 日東電工株式会社 離型機能を有する包装材料
JPH11192720A (ja) * 1998-01-05 1999-07-21 Seiko Epson Corp インクジェット式記録装置、インク充填方法、及びインク補給方法
KR100646147B1 (ko) * 1998-10-15 2006-11-14 데이진 가부시키가이샤 이형 필름
JP3796106B2 (ja) * 2000-08-30 2006-07-12 三菱樹脂株式会社 離型用積層フィルム
JP4336427B2 (ja) * 1999-10-01 2009-09-30 帝人株式会社 表面保護フィルムおよびそれからなる積層体
JP3594853B2 (ja) * 1999-11-08 2004-12-02 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート

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