KR20040030185A - 접착제, 접착 필름 및 전기 장치 - Google Patents

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소니 케미카루 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 따르면 공극이 생기지 않고, 또한 피착체가 만곡되지 않는 접착제를 얻을 수 있다.
본 발명의 접착제는 비중 3.0 이상 9.0 이하의 필러가 첨가되어 있으며, 접착제 전체의 비중이 1.4 이상 4.0 이하가 되기 때문에 디스펜서의 노즐로부터의 토출성이 우수하다. 또한, 가요성 배선판 (5)와 반도체칩 (11)을 접속할 때, 접착제 (12) 중에 공극이 생기거나 피착체인 가요성 배선판이 만곡되지 않기 때문에, 신뢰성이 높은 전기 장치 (1)을 얻을 수 있다.

Description

접착제, 접착 필름 및 전기 장치 {Adhesives, Adhesive Films and Electric Devices}
본 발명은 접착제에 관한 것으로, 특히 반도체칩을 기판에 접속하는 접착제에 관한 것이다.
종래부터 기판 및 가요성 배선판 상에 반도체칩을 접속하기 위해 페이스트형및 필름형의 접착제가 사용되고 있다.
도 3의 부호 (101)은 반도체칩 (111)이 접착제 (112)에 의해 가요성 배선판 (105)에 접착되는 전기 장치를 나타낸다. 반도체칩 (111)이 갖는 범프형의 단자 (121)은 가요성 배선판 (105)의 커버 필름 (115)의 개구 (119) 바닥면에 위치하는 금속 배선 (122)에 접촉되어 있다.
반도체칩 (111)의 단자 (121)은 도시하지 않은 내부 회로에 접속되어 있기 때문에, 도 2에 나타낸 상태에서는 반도체칩 (111)의 내부 회로와 가요성 배선판 (105)의 금속 배선 (122)는 단자 (121)을 통해 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 접착제 (112)는 경화되어 있으며, 이 접착제 (112)를 통해 반도체칩 (111)과 기판 (113)은 기계적으로도 접속되어 있다.
이와 같이 접착제 (112)를 사용하면, 땜납을 사용하지 않아도 반도체칩 (111)과 가요성 배선판 (105)를 접속할 수 있다.
그러나, 종래의 접착제 (112)를 사용한 경우에는, 도 3에 나타낸 바와 같이 가요성 배선판 (105) 중 반도체칩 (111)의 복수의 단자 (121) 사이에 위치하는 부분이 만곡되는 경우가 있다. 가요성 배선판 (105)가 만곡되었을 경우에는, 내부 응력에 편차가 생겨 노화(aging) 후에 가요성 배선판 (105)와 반도체칩 (111) 사이가 단락되거나, 통전 불량이 되는 경우가 있다.
또한, 접속에 사용한 접착제 (112)가 필름형이 아니라 페이스트형인 경우에는, 접착제 (112)의 도포 공정 및 가열 가압 공정에서 접착제 (112) 중에 공기가 들어가기 쉽고, 반도체칩 (111)과 가요성 배선판 (105) 사이의 접착제 (112)에 기포(공극)가 생기는 경우가 있다. 도 3의 부호 (130)은 접착제 (112) 중에 생긴 공극을 나타낸다.
접착제 (112) 중에 공극 (130)이 다수 존재하는 경우, 전기 장치 (101)을 고온 조건에서 장시간 방치(노화)하면, 반도체칩 (111)이 기판 (113) 상의 접착제 (112)로부터 들떠 전기 장치 (101)에 통전 불량이 생기는 경우가 있다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적은 접속에 사용할 때 접착제 중에 공극이 생기지 않고, 피접착재의 변형이 생기지 않는 접착제를 제공하는 데 있다.
도 1의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 접착제를 사용하여 가요성 배선판과 반도체칩을 접속하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명의 접착제의 다른 예를 설명하기 위한 도면.
도 3은 종래 기술의 전기 장치를 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 전기 장치(COF)
12: 접착제
5: 기판(가요성 배선판)
11: 반도체칩
본 발명자들은 피착체에 만곡이 생기는 원인을 추구한 결과, 경화 후의 접착제의 피착체 상에서의 분포가 불균일해짐으로써 접착제 중의 잔류 응력이 불균일해져 기판에 만곡이 생기는 것이라고 판명되었다.
상기와 같은 현상을 방지하기 위해 본 발명자들이 검토를 거듭한 결과, 비중이 3.0 이상 9.0 이하인 필러를 첨가하여 접착제 비중을 1.4 이상 4.0 이하로 하면, 가열 가압시 접착제가 과도하게 밀려나지 않고, 공극 발생이나 기판 만곡을 방지할 수 있다는 것을 알았다.
상기 사실에 기초하여 본 발명은 열경화성 수지를 주성분으로 하는 결합제와 상기 열경화성 수지의 경화제와 절연성 필러를 갖는 접착제로서, 상기 필러의 비중이 3.0 이상 9.0 이하이고, 상기 접착제 전체의 비중이 1.4 이상 4.0 이하인 접착제이다.
본 발명은 상기 결합제와 경화제의 합계 용량을 100 용량부라고 했을 경우, 상기 필러가 5 용량부 이상 함유된 접착제이다.
본 발명은 상기 결합제와 경화제의 합계 용량을 100 용량부라고 했을 경우, 상기 필러가 35 용량부 이하 함유된 접착제이다.
본 발명은 상기 결합제에 함유되는 열경화성 수지가 에폭시 수지인 접착제이다.
본 발명은 도전성 입자가 첨가되며, 상기 도전성 입자가 첨가된 상태의 비중이 1.0 이상 4.0 이하인 접착제이다.
본 발명은 상기 도전성 입자가 수지 입자와 이 수지 입자 표면에 형성된 금속 피막을 갖는 접착제이다.
본 발명은 열경화성 수지를 주성분으로 하는 결합제와, 상기 열경화성 수지의 경화제 및 절연성 필러를 가지며, 상기 필러의 비중이 3.0 이상 9.0 이하이고, 상기 접착제 전체의 비중이 1.4 이상 4.0 이하인 접착제가 필름형으로 성형된 접착 필름이다.
본 발명은 반도체칩과 기판을 갖는 전기 장치로서, 상기 반도체칩과 기판 사이에 접착제가 배치되며, 상기 접착제가 열처리에 의해 경화된 전기 장치로서, 상기 접착제는 열경화성 수지를 주성분으로 하는 결합제와, 상기 열경화성 수지의 경화제 및 절연성 필러를 가지며, 상기 필러의 비중이 3.0 이상 9.0 이하이고, 상기 접착제가 경화되기 전의 비중이 1.4 이상 4.0 이하인 전기 장치이다.
본 발명은 상기와 같이 구성되어 있으며, 본 발명의 접착제는 비중 3.0 이상 9.0 이하의 필러가 첨가됨에 따라 전체 비중이 1.4 이상 4.0 이하가 되기 때문에, 피착체인 기판과 반도체칩을 접속할 때 접착제에 공극이 생기지 않을 뿐만 아니라, 접속 후의 기판에 만곡이 생기지 않는다.
따라서, 본 발명의 접착제를 사용하여 접속된 전기 장치는 외관 형상이 우수할 뿐만 아니라, 통전 신뢰성도 높아진다. 또한, 본 명세서에서 "비중"이란 물질의 밀도와 물의 밀도와의 비율이다. 또한, 접착제 전체의 비중이 4.0 이하인 경우에는, 접착제 전체의 점도가 낮기 때문에 접착제의 도포 공정이 쉬워진다.
또한, 본 발명의 접착제에 커플링제를 첨가하면, 커플링제에 의해 접착제와 피착체의 친화성이 높아진다.
결합제와 경화제의 합계 용량을 100이라고 했을 경우, 비중이 3.0 이상 9.0 이하의 범위에 있는 필러를 5 용량부 이상 35 용량부 이하 첨가하면, 접착제 전체의 비중을 1.4 이상 4.0 이하로 할 수 있다.
본 발명의 접착제에 비중 3.0 이상 9.0 이하의 필러 및 실리카와 같은 비중 3.0 미만의 필러를 병용할 수도 있다. 그러나, 본 발명의 접착제에 비중이 3.0 미만인 것을 단독으로 사용하면, 접착제 전체의 비중이 낮아지기 때문에 본 발명에는 적합하지 않다. 또한, 비중이 9.0을 초과하는 필러를 첨가하면, 필러가 접착제중에서 침강되기 쉽기 때문에 그와 같은 필러는 본 발명의 접착제에는 적합하지 않다.
본 발명의 접착제에 사용하는 결합제는 수지 등의 유기 화합물을 포함하며,적어도 열경화성 수지를 포함한다. 또한, 열경화성 수지로서 액상의 에폭시 수지를 사용하면, 유기 용제를 사용하지 않아도 페이스트형의 접착제를 얻을 수 있기 때문에 접착제를 제조하는 공정 및 피착체를 접속하는 공정에서 환경에 악영향을 미치는 경우가 없다.
본 발명의 접착제에 첨가되는 도전성 입자의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 니켈 입자나 금 입자 등의 금속 입자나 수지 입자 표면에 금, 니켈, 땜납 등의 금속 피막이 형성된 금속 피막 수지 입자 등을 사용할 수 있다. 이들 도전성 입자 중 금속 피막 수지 입자는 금속 입자를 포함하는 도전성 입자와 비교하여 비중이 가벼우며, 그 비중은 일반적으로 2.0 이상 3.0 이하이다.
따라서, 비중 3.0 이상 9.0 이하의 필러와 결합제를 혼합하여 비중 1.4 이상 4.0 이하의 접착제를 제조했을 경우, 도전성 입자로서 상술한 바와 같은 금속 피막 수지 입자를 첨가하면, 도전성 입자 첨가 후의 접착제 전체의 비중이 1.4보다 작아지거나, 4.0을 초과하는 경우가 없다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
우선, 페이스트형의 열경화성 에폭시 수지를 포함하는 결합제에 경화제와 커플링제 및 절연성 필러를 배합하여 후술하는 실시예 1 내지 7의 접착제를 제조하였다. 이 상태에서 접착제는 페이스트형이다.
도 1(a)의 부호 (5)는 가요성 배선판을 나타낸다. 이 가요성 배선판 (5)는 기재 필름 (13), 기재 필름 (13)의 한쪽면에 배치된 금속 배선 (22), 기재 필름 (13)의 금속 배선 (22)가 배치된 측에 설치된 커버 필름 (15)를 구비하고 있다.커버 필름 (15)에는 개구 (19)가 형성되어 있으며, 개구 (19)의 바닥면에는 금속 배선 (22)와 기재 필름 (13)이 노출되어 있다.
이 가요성 배선판 (5)에 반도체칩을 접속하기 위해, 우선 상기 공정에서 제조한 접착제를 디스펜서에 충전하고, 금속 배선 (22) 중 커버 필름 (15)의 개구 (19)에 위치하는 부분을 피복하도록 디스펜서의 노즐로부터 접착제를 일정량 토출시킨다. 도 1(b)의 부호 (12)는 토출된 접착제를 나타낸다.
도 1(c)의 부호 (11)은 반도체칩을 나타낸다. 이 반도체칩 (11)은 반도체칩 (11)의 한쪽면에서 돌출된 범프형의 접속 단자 (21)을 복수개 갖고 있으며, 이들 접속 단자 (21)은 반도체칩 (11)의 도시하지 않은 내부 회로에 접속되어 있다.
반도체칩 (11)의 접속 단자 (21)이 배치된 부분과, 가요성 배선판 (5)의 커버 필름 (15)의 개구 (19)가 대향하도록 위치를 맞추고, 커버 필름 (15)의 개구 (19) 내의 접착제 (12)에 반도체칩 (11)의 접속 단자 (21)이 배치된 측면을 맞대어 반도체칩 (11)을 가압하면서 전체를 가열한다.
가압에 의해 접착제 (12)가 밀려나지만, 필러가 첨가되어 있음으로써 접착제의 비중이 1.4 이상 4.0 이하가 되기 때문에 접착제가 과도하게 밀려나지 않으며, 접속 단자 (21)이 대향하는 금속 배선 (22)에 접촉된다.
또한, 가열에 의해 접착제 (12) 중의 에폭시 수지가 경화되고, 접속 단자 (21)이 금속 배선 (22)에 접촉된 상태에서 접착제 (12) 전체가 경화되어 전기 장치인 COF(Chip on Flex) (1)을 얻을 수 있다(도 1(d)).
이 COF (1)에서는 가요성 배선판 (5)와 반도체칩 (11)이 경화된 접착제 (12)를 통해 기계적으로 접속되어 있을 뿐만 아니라, 접속 단자 (21)을 통해 전기적으로도 접속되어 있다.
<실시예>
2종류의 액상 에폭시 수지(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조의 "HP4032"와 유까쉘 에폭시(주) 제조의 상품명 "EP630")가 각각 등량 혼합된 결합제 60 용량부에 대하여 이미다졸계 경화제(아사히 가세이 에폭시(주) 제조의 상품명 "HX3921") 40 용량부 및 커플링제(닛본 유니카(주) 제조의 상품명 "A187") 3 용량부를 첨가, 혼합하였다. 경화제와 커플링제 및 결합제의 혼합물은 페이스트형이고, 상기 혼합물의 점도는 20 Paㆍs, 비중은 약 1.2였다.
경화제와 결합제의 합계 용량 100 용량부에 대하여 하기 표 1의 "필러"란에 나타낸 종류의 필러를 하기 표 1의 "필러의 충전량"란에 나타낸 배합량으로 첨가, 혼합하여 실시예 1 내지 8, 비교예 1 내지 7의 접착제를 제조하였다. 각 접착제는 페이스트형이었다. 또한, 실시예 1 내지 8, 비교예 1 내지 7의 접착제에는 도전성 입자가 포함되어 있지 않았다.
* 상기 표 1 중의 필러의 충전량은 결합제와 경화제의 합계 100 용량부에 대한 필러의 용량부를 나타냄.
** 상기 표 1 중의 Al2O3/SiO2는 알루미나와 실리카의 혼합물을 나타냄.
또한, 상기 실시예 1 내지 8에서 사용한 경화제와 결합제의 합계 용량 100용량부에 대하여 상기 표 1의 "필러"란에 나타낸 종류의 필러 10 용량부와, 평균 입경 5 ㎛의 도전성 입자(여기서는 수지 입자 표면에 금속 피막인 금 도금막이 형성된 금속 피막 수지 입자를 사용하였음) 30 용량부를 첨가, 혼합하여 도전성 입자가 함유된 실시예 9의 접착제를 제조하였다.
여기서는 필러로서 각각 씨아이 가세이(주) 제조의 상품명 "Nanotek Bi2O3", "Nanotek Al2O3/SiO2", "Nanotek Al2O3", "Nanotek SiO2", "Nanotek TiO2", "Nanotek Yb2O3"을 각각 사용하였다.
또한, 여기서는 가요성 배선판 (5)로서 소니 케미카루(주) 제조의 상품명 "Hyper Flex"를 사용하고, 이 가요성 배선판 (5)와 반도체칩 (11)을 실시예 1 내지 9, 비교예 1 내지 7의 접착제를 사용하여 도 1(a) 내지 (d)의 공정으로 접속하여 16종류의 시험편을 각각 제조하였다. 이 때, 반도체칩 (11)에 인가한 하중은 접속 단자 (21)당 0.6 N이고, 가열 조건은 210 ℃, 5초였다
실시예 1 내지 9, 비교예 1 내지 7의 접착제와 이들 접착제를 사용하여 제조한 각 시험편을 사용하여 하기에 나타낸 "비중", "외관 평가", "분배성", "통전 신뢰성"의 각 시험을 각각 행하였다.
[비중]
실시예 1 내지 9, 비교예 1 내지 7의 접착제에 대하여 비중을 측정하였다. 이들의 측정 결과를 상기 표 1에 기재하였다.
[외관 평가]
각 시험편에 대하여 가요성 배선판 (5)의 기재 필름 (13)측을 광학 현미경을 사용하여 관찰하였다. 가요성 배선판 (5)에 만곡이 관찰되지 않는 것을 "○", 가요성 배선판 (5)에 만곡이 관찰되는 것을 "×"로서 평가하였다. 이들의 평가 결과를 상기 표 1에 기재하였다.
[분배성]
노즐 직경 1.1 mm, 최대 토출 압력 0.7 MPa의 디스펜서에 실시예 1 내지 9, 비교예 1 내지 7의 접착제를 각각 충전하고, 각 접착제에 대하여 20회 토출을 행하여 각회마다 접착제의 토출된 중량을 측정하고, 각 접착제에 대하여 1회 토출되는 중량의 평균치를 산출하였다.
20회의 토출 중 각회의 토출 중량이 토출 중량 평균치의 0.8배 이상 1.2배 이하의 범위에 있는 것을 "○", 20회의 토출 중 적어도 1회의 토출 중량이 평균치의 0.8 이상 1.2 이하의 범위 밖에 있는 것을 "×"로서 평가하였다. 이들의 평가 결과를 상기 표 1에 기재하였다.
[통전 신뢰성]
상기 공정에서 제조한 16종류의 시험편을 각각 85 ℃, 85 %RH의 조건에서 1000시간 방치한(노화) 후, 각 시험편의 통전 저항치를 측정하였다. 이들 통전 저항치가 100 mΩ 미만인 경우를 "○", 100 mΩ 이상인 경우를 "×로 하여 상기 표 1에 기재하였다.
또한, 상기 표 1 중 실시예 9의 "접착제, 비중"란에 기재한 값은 도전성 입자를 첨가한 후의 접착제를 측정하여 얻어진 비중을 나타낸다.
상기 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 비중이 3.0 이상 9.0 이하인 필러를 사용한 실시예 1 내지 9의 접착제는 비중이 각각 1.4 이상 4.0 이하이고, "분배성"에 있어서도 높은 평가 결과를 얻을 수 있었다.
한편, 비중이 9.2인 필러를 사용한 비교예 5의 접착제는, 접착제 중에 필러가 침전되었기 때문에 디스펜서의 노즐이 막혀 접착제가 노즐로부터 토출되지 않아 시험편을 제조할 수 없었다. 또한, 비중이 2.1인 필러를 10 용량부 사용한 비교예 6의 접착제에서는 접착제의 점도가 지나치게 높아졌기 때문에 필러가 접착제 중에 분산되지 않아 접착제 그 자체를 제조할 수 없었다.
또한, 실시예 1 내지 9의 접착제를 사용한 각 시험편에서는 "외관", "통전 신뢰성" 모두 높은 평가 결과를 얻을 수 있었다. 그러나, 비중이 1.4 미만인 비교예 1 내지 4의 접착제를 사용한 시험편에서는 가열 가압시 가요성 배선판이 만곡되었고, "통전 신뢰성" 시험 결과도 나빴다.
한편, 비중 8.9의 필러를 40 용량부 사용하여 전체 비중이 4.3인 비교예 7의 접착제를 사용한 경우, 접착제의 점도가 지나치게 높기 때문에 가압한 반도체칩이 가요성 배선판 상의 접착제에 스며들지 않아 반도체칩과 가요성 배선판을 전기적으로 접속하는 것이 불가능하였다.
또한, 상기 실시예 2, 3의 경우와 비교예 1 내지 3, 6의 경우를 비교하면 명확한 바와 같이, 1종류의 필러를 단독으로 사용하는 경우 및 2종류 이상의 필러를 혼합하여 구성하는 혼합물을 사용하는 경우에 상관없이 필러의 비중(또는 필러 혼합물의 비중)이 3.0 이상 9.0 이하이고, 접착제의 비중이 1.4 이상 4.0 이하인 경우에는, 접착제의 토출성이 양호할 뿐만 아니라 가요성 배선판과 반도체칩을 가열 가압에 의해 접속하는 경우, 가요성 배선판에 변형이 생기지 않고 통전 신뢰성이 높은 전기 장치를 얻을 수 있다는 것을 알았다.
이상은 반도체칩 (11)과 가요성 배선판 (5)를 접속하는 경우에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않으며, 여러가지 전기 장치의 접속에 사용할 수 있다. 예를 들면, 가요성 배선판 대신에 리지드 기판을 사용하여 리지드 기판과 반도체칩을 접속하여 COB(Chip on Board)를 제조할 수도 있다. 또한, 반도체칩을 탑재할 수 있는 TCP(Tape Carrier Package)와 LCD(Liquid Crystal Display)의 접속에 본 발명의 접착제를 사용할 수도 있다.
본 발명에 사용할 수 있는 열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 페놀 수지 등의 여러가지를 사용할 수 있지만, 경화 속도나 열경화 후의 접착제 강도 등을 고려하면 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 열가소성 수지를 포함하는 결합제를 사용할 수도 있다. 열가소성 수지로서는 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지 등의 여러가지를 사용할 수 있다.
또한, 경화제나 커플링제 등의 첨가제를 함유하지 않고, 결합제와 필러를 포함하는 접착제를 제조할 수도 있지만, 열경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우에는 경화제를 병용하는 것이 바람직하다.
경화제로서는 이미다졸계 경화제, 폴리아민 경화제, 페놀류, 이소시아네이트류, 폴리머캅탄류, 산무수물 경화제 등의 여러가지를 사용할 수 있다. 이들 경화제를 마이크로 캡슐화하여 이른바 잠재성 경화제로서 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 접착제에는 소포제, 착색제, 노화 방지제 등의 여러가지 첨가제를 첨가할 수도 있지만, 이들 첨가제를 첨가한 후의 접착제 비중은 1.4 이상 4.0 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.
이상은 접착제가 페이스트형인 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다.
예를 들면, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이 페이스트형의 접착제 (12)를 성형대 (51) 위에 배치하고, 접착제 (12)가 완전히 경화되지 않을 정도로 가열하여 필름형으로 성형하면, 반경화된 접착제를 포함하는 접착 필름 (52)를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 접착제 (12)에는 비중 9.0 이하의 필러가 첨가되어 있으며, 필름형으로 성형할 때 필러가 접착제 중에서 침전되지 않고, 또한 전체 비중이 1.4 이상 4.0 이하가 되기 때문에 필름을 성형할 때 공극이 형성되지 않는다.
본 발명은 접착제의 비중을 최적화하였기 때문에 접착제에 공극이 생기지 않을 뿐만 아니라, 피착체인 가요성 배선판이 만곡되지 않는다. 따라서, 통전 신뢰성이 높은 전기 장치를 얻을 수 있다.

Claims (8)

  1. 열경화성 수지를 주성분으로 하는 결합제, 상기 열경화성 수지의 경화제 및 절연성 필러를 포함하고, 상기 필러의 비중이 3.0 이상 9.0 이하이고, 접착제 전체의 비중이 1.4 이상 4.0 이하인 접착제.
  2. 제1항에 있어서, 상기 결합제와 경화제의 합계 용량을 100 용량부라고 했을 경우, 상기 필러가 5 용량부 이상 함유된 접착제.
  3. 제2항에 있어서, 상기 결합제와 경화제의 합계 용량을 100 용량부라고 했을 경우, 상기 필러가 35 용량부 이하 함유된 접착제.
  4. 제1항에 있어서, 상기 결합제에 함유되는 열경화성 수지는 에폭시 수지인 접착제.
  5. 제1항에 있어서, 도전성 입자가 첨가되며, 상기 도전성 입자가 첨가된 상태의 비중은 1.0 이상 4.0 이하인 접착제.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도전성 입자는 수지 입자와 이 수지 입자의 표면에 형성된 금속 피막을 갖는 접착제.
  7. 열경화성 수지를 주성분으로 하는 결합제, 상기 열경화성 수지의 경화제 및 절연성 필러를 포함하며, 상기 필러의 비중이 3.0 이상 9.0 이하이고, 상기 접착제 전체의 비중이 1.4 이상 4.0 이하인 접착제가 필름형으로 성형된 접착 필름.
  8. 반도체칩과 기판을 갖는 전기 장치로서, 상기 반도체칩과 기판 사이에 접착제가 배치되고, 상기 접착제가 열처리에 의해 경화되고, 상기 접착제는 열경화성 수지를 주성분으로 하는 결합제, 상기 열경화성 수지의 경화제 및 절연성 필러를 가지며, 상기 필러의 비중이 3.0 이상 9.0 이하이고, 상기 접착제가 경화되기 전의 비중이 1.4 이상 4.0 이하인 전기 장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050032938A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-10 Flint Theodore R. Epoxy compositions
JP2009295968A (ja) * 2008-05-08 2009-12-17 Panasonic Corp 表面実装用接着剤およびそれを含む実装構造体、ならびに実装構造体の製造方法
TWI458054B (zh) * 2009-01-21 2014-10-21 Sony Corp 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
JP2012199544A (ja) * 2011-03-09 2012-10-18 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP2018009874A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 株式会社Ihi 磁気探触子
KR101985499B1 (ko) * 2017-12-28 2019-06-03 삼화콘덴서공업 주식회사 과전류 보호 기능을 가지는 금속 산화물 바리스터
CN111484806B (zh) * 2020-03-27 2022-03-08 顺德职业技术学院 具有初粘性环氧热固化胶膜及其制备方法及其应用

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60210688A (ja) * 1984-04-04 1985-10-23 Nitto Electric Ind Co Ltd 防汚処理方法
JPH0628269B2 (ja) * 1987-07-15 1994-04-13 株式会社巴川製紙所 ダイボンデイング用接着テ−プ
JPH037785A (ja) * 1989-06-06 1991-01-14 Toshiba Corp 金属粒子分散樹脂コーティング材料およびこの材料を用いるコーティング方法
JP2001510492A (ja) * 1996-05-06 2001-07-31 アメロン インターナショナル コーポレイション シロキサン変性接着剤／被着体系
JPH11339559A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤
JPH11345517A (ja) 1998-06-02 1999-12-14 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤
JP4155625B2 (ja) * 1998-06-30 2008-09-24 三井化学株式会社 異方導電性樹脂組成物
JP2000086988A (ja) 1998-09-11 2000-03-28 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤の製造法

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